WO2003060858A1 - Dispositif d'affichage - Google Patents

Description

技術分野

本発明は平面的なパネル型の表示装置に関し、 特に、 表示器周囲の非表示領域 であるいわゆる額縁をより狭くす明ることを可能とした表示装置の発明に関する。 田

背景技術

複数の表示素子を配列し、 各表示素子の状態を制御することによつて文字、 画 像、 または映像などの画面を形成する表示装置が提供されている。 例えば、 液晶 表示装置や有機 E L表示装置などの電気光学装置が挙げられる。 このような、 表 示装置にぉ ヽては、 基板同士や基板と封止材との密閉を行つて部材の劣化などを 防止する。

例えば、 有機 E L表示装置においては、 装置内に侵入する周囲のガスが有機 E L発光軒の寿命に影響を与える。 特に、 7_Κ分 （水蒸気） や酸素は金属電極の劣 化をもたらし、 発光素子の長時間の動作を困難にしている。 このため、 有機 E L 表示素子のアレイを形成した基板をメタル 耐水性のプラスチックパッケージ、 保 等によって密封して水蒸気や酸素に対するガスパリァ性を得るようにして レヽる。

しかしながら、 封止用メタノ^や封止用の保^^等を表示素子を形成した表示 素子基板上に形成する場合、 封止用メタル击ゃ封止用の保護膜と表示素子勘反と を接合するためのスペースが必要になる。 また、 上述したガスパリア性を確保す るためには、 一定の接合幅 （接合スペース） も必要である。 表示素子 の封止 はこの基板の外周で行われるため、 外周には表示領域として利用されない、 いわ ゆる額縁が生ずる。 これは、 表示装置を搭 «1~る携帯電話機、 携帯情報 «等の 装置の小型化や自由なデザィンを困難にする。

よって、 本発明は、 額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提 供することを目的とする。 また、 本発明は、 額縁の領域をより狭くしてもガスパリア性の低下しない表示 装置を提供することを目的とする。 発明の開示

上記目的を達成するため本発明の表示装置は、 パンク層によって分離された複 数の表示素子と配線層とを有する と、 上記複数の表示素子と前記パンク層と を覆う電極層と、 少なくとも上記基板の外周の封止領域で接合して上記基板を覆 う封止基板と、 を備え、 上記配線層は上記基板の封止領域の一部に形成され、 上 記電極層の外周部は上記封止領域内にて上記配線層と接続される。

かかる構成とすることによって、 基板の封止領域の一部を電極と配線との接続 領域として活用するので、 ガスパリァ等のために所要の接合幅を確保しつつ封止 基板の外形を小さくすることができ、 表示装置の額縁の構成要素となる部分のサ ィズを減らしている。

好ましくは、 上記電極層は各表示素子の共通電極 （陰極や陽極） である。

好ましくは、 上記共通電極は上記表示素子側に位置する下層とその上に位置す る上層の少なくとも 2種類の電極層を含み、 上記下層の電極層よりも上層の電極 層がガスバリア性又は耐環境性が良レ、。 それにより、 下層の慰亟層の劣化を抑制 することが可能となる。 また、 下層の電極層に発光効率 （あるいは動作効率） 力 S 良 、膜を使用することが可能となる。

好ましくは、 上記下層の電極層は上記複数の表示素子全体と上記パンク層の少 なくとも一部とを覆う力 上記封止基板の外周側の封止部からは離間し、 上記上 層の電極は上記下部電極層全体を覆つて上記封止基板の封止部内にまで至る。 そ れにより、 下層の電極層はガスが侵入する接合部から離間し、 下層の電極層の劣 化を抑制することが可能となる。 また、 下層の «†亟層に発光効率が良レヽ膜を使用 することが可能となる。

好ましくは、 上記封止基板の封止部は、 上記基板に対向する面に該封止基板の 外周を一周するように突起してな。 それにより、 中空の封止基板 （断面凹型） で 基板を封止することが可能となる。

好ましくは、 上記基板の （電源の） 配線層の上面は平坦に形成され、 この上に 上記電極層が積層されて電気的に接続される。 それにより、 配線層と應層との 導通の確実が図られる。

好ましくは、 上記基板の上記封止基板の封止部に対向する面も平坦に形成され る。 それにより、 基板の封止部分に加わる応力を均一にすることが可能となる。 好ましくは、 上記封止基板を多層薄膜に代えて封止を行う。 それにより、 可撓 性のあるフィルム状の表示装置を実現可能となる。

好ましくは、 上記封止基板の封止部のサイズは、 上記接合手段のガスパリア性 又は耐環境性を確保するために必要なマージンによって決定され、 このマージン に上記共通電極及びこの共通電極に電源を供給する配線層相互間を接続する接続 領域が含まれる。 それにより、 信頼性の確保と表示装置の額縁の狭小化が可能と なる。

好ましくは、 上記接合手段は接着膜を含み、 この膜厚が 2 0 μ πιを越えないよ うになされる。 また、 上記接着膜の幅が少なくとも 1 mm以上である。 それによ り、 外部雰囲気との翻虫面を小さくし、 外部雰囲気の侵入長を大きくとって、 封 止された素子の劣化を抑制する。

好ましくは、 上記封止基板の外周は、 上記基板に上記封止基板を载置する際の マージン分だけ上記基板の外周よりも内側に位置する。 それにより、 封止 ¾1反の 基板への載置を容易にする。

また、 好ましくは、 上記封止基板の外周、 少なくとも上記基板を分割する際の スクライブマージン分だけ上記基板の外周よりも内側に位置する。 それにより、 組立後の表示器の分離切断の所要スペースを確保する。

好ましくは、 上記封止籠は平坦な基板によって構成される。 それにより、 よ り簡易に封止を行うことが可能となる。

好ましくは、 上記パンク層は上記封止基板の封止部内に位置しない。 それによ り、 パンク層は封止部領域から離間するため、 パンク層を相対的に水分の ¾i 率 の高 ヽ有酣料にて形成することが可能となる。

好ましくは、 上記表示素子の基板は多角形若しくは四角形であり、 この基板の

1辺で上記 ma層の外周部と上記箭原の配線層とが接続される。 それにより、 他 辺 （又は 3辺） では電極層との配線の引き回しが不要となるので、 該他辺 （又は 3辺） 部分を狭額縁化することが可能となる。 このような構成は、 携帯電話機の 表示装置のように、 ある方向にはモジユーノレが延びても良いが、 それ以外の方向 では規制されるような場合に有効である。

好ましくは、 上記基板は多角形若しくは四角形であり、 この基板の対向する 2 辺で前記電極層の外周部と前記電源の配線層とがそれぞ; 続される。 このよう な構成は、 電極までの配線抵抗を減少すると共に大容量の表示を行うために多数 のドライノ I Cを実装する場合等に有効である。

好ましくは、 上記基板は多角形若しくは四角形であり、 この基板を囲む 3辺で 上記電極層の外周部と上記電源の配線層とが接続される。 このような構成は、 3 辺で接続することによって電極までの配線抵抗を十分に低減させ、 1辺で外部回 路との接続を図ることができる。モジュール全体がパランス良く狭額縁化される。 好ましくは、 上記基板は多角形若しくは四角形であり、 この基板を囲む 4辺で 上記電極層の外周部と上記電源の配線層とが接続される。 このような構成は、 大 型の高精細表示装置を実現する場合に必要となる、 配線抵抗を極力抵抗を下げる 場合に好適である。 この 、 電源配線層の下に絶繊莫を介して引き出し配線を 形成し、 あるいは、 電極層と電源配線層との接纖域を複数のブロックに分け、 プロック相互間にまとめて引き出し配^^を配置することとしても良い。

好ましくは、 上記複数の表示素子が配列された領域の外周にダミーの表示素子 が配置される。 それにより、 表示に使用されないダミーの表示画素からガスが侵 入するようにして、 表示素子への実質的な影響を軽減する。 また、 インクジエツ ト方式による表示素子の材料の'塗布 (塗布量)の均一化を図ることが可能となる。 好ましくは、 上記表示素子は有機 E L素子である。 上記下層の電極層はカルシ ゥム、 上記上層の電極層はアルミニウムである。

好ましくは、 上記パンク層は樹脂材料によって形成される。 表示素子間にパン ク層が することによって混色が防止される。

好ましくは、 上述した表示装置はデジタル力メラ、 パーソナルコンピュータ、 平面型テレビ、 携帯情報端末装置、 携帯電話装置、 電子ブック等の電子機器に使 用される。 それにより、 表示器の周囲に余分な非表示領域 （額縁） の少ない各種 装置類が得られる。 本発明の表示装置の製造方法は、 電気回路を形成すべき基板の外周内側の封止 領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、 上記勘反の前記配線層上を除 いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成 する過程と、上記素子分離層の複数の溝の各々に上記表示素子を形成する過程と、 上記複数の表示素子と、 上記素子分離層と、 上記配線層各々の上に共通電極層を 形成する過程と、上記基板の封止領域に接合材料を塗布する接合材料塗布過程と、 上記基板の封止領域に環状の封止部を有する封止基板を前記接合材料を介して接 合して上記 ¾反を封止する封止過程と、 を含む。

かかる構成とすることによって、表示装置の額縁を狭くすることが可能となる。 好ましくは、 上記接合材料塗布過程は、 上記雄の封止領域内に形成された前 記共通電極層と前記配線層との接^!域上及び残り （この領域以外） の封止領域 に接合材料を塗布する。 それにより、 基板と封止基板との間の封止領域を所要の 接合材料で密封する。

また、 本発明の表示装置の製造方法は、 電気回路を形成すべき基板の外周内側 の封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、 上記基板の上記配 II層 上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層 を形成する過程と、 上記素子分離層の複数の溝の各々に上記表示素子を形成する 過程と、 上記複数の表示素子と、 上記素子分離層と、 上記配線層各々の上に共通 電極層を形成する過程と、 上記基板の封止領域及び上記共通電極層の上に接合材 料を塗布する接合材料塗布過程と、 上記基板に上記封止領域及び上記共通電極層 を覆う封止基板を上記接合材料を介して接合して上記基板を封止する封止過程と、 を含む。

力、かる構成とすることによって、表示装置の額縁を狭くすることが可能となる。 また、 表示装置の製造方法は、 電気回路を形成すべき基板の外周内側の封止領 域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、 上記基板の上記配線層上を除い て複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成す る過程と、 上記素子分離層の複数の溝の各々に上記表示素子を形成する過程と、 上記複数の表示素子と、 上記素子分離層と、 上記配線層各々の上に共通電極層を 形成する過程と、 上記基板に上記封止領域及び上記共通電極層を覆う多層膜を形 成して上記基板を封止する封止過程と、 を含む。

好ましくは、 上記多層膜は、 水又はガスの透過を妨げる膜を含む。

好ましくは、 上記共通電極層は上記表示素子側に位置する下層とその上に位置 する上層の少なくとも 2種類の電極層を含み、 上記下層の電極層よりも上層の電 極層がガスバリア性又は耐環境性が良い。 それにより、 発光素子の劣化を防止可 能とする。

好ましくは、 上記下層の電極層は上記複数の表示素子全体と上記パンク層の少 なくとも一部とを覆う力 上記封止基板の封止部から離間し、 上記上層の電極は 上記下部電極層全体を覆って上記封止基板の封止部内にまで至る。 それにより、 下層の電極層の劣化を防止可能とする。 図面の簡単な説明

図 1は、 本発明の表示装置の第 1の実施例を説明する平面図である。

図 2は、 本発明の表示装置の第 1の実施例 （封止 ¾反使用例） を説明する、 図

1の A— B部に沿った断面図である。

図 3は、 本発明の表示装置の第 1の実施例を説明する、 図 1の C— D部に沿つ た断面図である。

図 4は、 第 1の実施例の効果を説明するための、 一般的な表示装置 （比較例） の端部構造を説明する説明図である。

図 5 ( a ) 及び同 （b ) は、 基板外周の封止部における平坦性を説明する説明 図であり、 図 5 ( a ) は下地配線層 1 2 1、 1 1 2、 1 0 7と共通電極 1 2 3に ずれがある場合を、 同 （b ) はずれがない^^を示している。

図 6は、 第 1の実施例の表示装置の製造工程を説明する工程図である。

図 Ίは、本発明の表示装置の第 2の実施例（封止基板全面接着例）を説明する、 図 1の A— B部に沿った断面図である。

図 8は、 本発明の表示装置の第 2の実施例を説明する、 図 1の C一 D部に沿つ た断面図である。

図 9は、 第 2の実施例の表示装置の製造工程を説明する工程図である。

図 1 0は、本発明の表示装置の第 3の実施例（多層封止膜使用例）を説明する、 図 1の A— B部に沿った断面図である。

図 8は、 本発明の表示装置の第 3の実施例を説明する、 図 1の C一 D部の断面 図である。

図 1 2は、 第 3の実施例の表示装置の製造工程を説明する工程図である。 図 1 3は、 本発明の第 4の表示装置の第 4の実施例 （ダミー画素使用例） を説 明する平面図である。

図 1 4は、 基板の 3辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明 図である。

図 1 5は、 基板の 1辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明 図である。

図 1 6は、 基板の 2辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明 図である。

図 1 7は、 基板の 4辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明 図である。

図 1 8は、 本発明の表示装置を使用した携帯型のパーソナルコンピュータの例 を説明する説明図である。

図 1 9は、 本発明の表示装置を使用した携帯型電話機の例を説明する説明図で ある。

図 2 0は、 本発明の表示装置を使用したデジタルカメラの例を説明する説明図 である。

図 2 1は、 本発明の表示装置を使用した電子ブックの例を説明する説明図であ る。 発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

図 1乃至図 3は、 本発明の表示装置の第 1の 例を説明する説明図である。 図 1は、 表示装置を概略的に示す平面図である。 図 2は、 図 1の A—B方向の断 面を概略的に示す断面図である。 図 3は、 図 1の C一 D方向の断面を概略的に示 す断面図である。 各図において対応する部分には同一部号を付している。 なお、 図 2においては中央部の表示素子領域が簡 B ^匕されて示されている。

実施例 1の表示装置 1は有機 E L表示装置の例を示している。 この表示装置 1 は、 大別して、 発光素子アレイを備える T F T基板 1 0 0、 発光素子アレイを封 止する封止基板 2 0 0、 T F T基板 1 0 0と封止基板 2 0 0とを接合する接合手 段 3 0 1、 T F T基板 1 0 0の走査線を駆動する走査線ドライノ部 1 4 0、 T F T基板 1 0 0のデータ線を駆動するデータドライノ I C 4 0 1等によって構成さ れる。

T F T基板 1 0 0は、 マトリクス状に配列された複数の有機 E L発光素子 1 2 〇と、 これ等の発光素子 1 2 0を駆動したり、 スィッチとして機能する T F Tト ランジスタ 1 3 0などによって構成されている。 T F T基板 1 0 0は、 ガラス基 板 1 0 1上に保護膜 1 0 2を形成し、 この上にシリコンを堆積し、 低濃度の不純 物を注入してパターニングを行ってポリシリコンの T F T領域 1 0 3を形成して いる。 なお、 基板 1 0 0は樹脂基板であっても良い。 この上に CVD法によって 酸化シリコンによるゲート絶縁膜 1 0 4を堆積している。 この上にアルミニウム をスハ。ッタ法によって堆積し、 パターニングを行って、 有機 E L駆動用電源配線 膜 1 0 5及び 1 0 6、 有機 E L用陰極配線膜 1 0 7、 T F T 1 3 0のゲート配線 膜 1 0 8を形成している。 次に、 マスクを用いて T F T領域 1 0 3のソース ' ド レイン領域に高濃度のィオン注入を行い、 酸化シリコンを堆積して第 1の層間絶 縁膜 1 1 0を形成する。 コンタクトホールのマスクを用いて異方性エッチングを 行い、 T F T領域 1 0 3にコンタクトホールを開口する。 次に、 アルミニウムを 堆積し、 パターニングを行ってソース · ドレイン電極 1 0 9、 接続用電極 1 1 2 を形成する。次に、酸化シリコンを堆積して第 2の層間絶縁膜 1 1 1を形成する。 金属ィォンゃ水など T F Tの劣化因子の T F Tへの到達を抑制するために、 第 2 の層間絶縁膜として、 例えば、 ホウ素、 炭素、 窒素、 アルミニウム、 ケィ素、 リ ン、 イツテノレビゥム、 サマリゥム、 エノレビゥム、 イットリウム、 ガドリ二ゥム、 ジスプロシウム、 ネオジゥム、 などの元素から選ばれた少なくとも 1つの元素を 含む絶縁膜も使用可能である。 この上に後述の表示素子群を形成する。

上述のように構成された τ F r 1 0 0の中央部領域が表示素子群が配置さ れた表 域となっている。 表示素子としての赤発光、 緑発光、 青発光の発光素 子 1 2 0は、 こ^^ 3色を一画素としてマトリクス状に配列されている。 発光素 子 1 2 0各々の各放射光はガラス基板 1 0 1を介して外部に放射される。 なお、 T F T基板 1 0 0と反対側から光を取り出すこともできる。 この場合、 発光層よ り上層は光 »性の高い部材で構成することが好ましい。 光素子を分離して 混色を防止するために、 光素子間及び表示領域の外周にパンク層 1 1 3が形 成されている。 パンク層 1 1 3は、 例えば、 フォトレジスト等の有餅才料膜をパ タ一二ングすることによつて形成することができる。

発光素子 1 2 0は、 透明電極 ( I T O) の陽極 1 2 1、 有機 E L層 ·正孔輸送 層 1 2 2、 陰極 （共通電極） 1 2 3等によって構成される。 陰極 1 2 3は 2層構 造になっており、 例えば、 下層はカルシウム膜 1 2 3 a、 上層はアルミニウム膜 1 2 3 bである。 陰極 1 2 3 aは、 錢光素子 1 2 0と、 各発光素子 1 2 0相互 間のパンク層と、 表^ g域の周囲のバンク層 1 1 3とに渡って形成され、 上層の 陰極 1 2 3 bとのコンタクトカ s確保されている。 上層の陰極 1 2 3 bは配! I莫と しても機能し、 封止部 2 0 2の下部の領域で配線膜 1 0 7と接続されている。 上 記のように、 有機 E L層 ·正孔輸送層 1 2 2と接する陰極 1 2 3 aをカノレシゥム 膜とすることによって発光効率を高め、 上層のアルミニウム膜 1 2 3 bによって カルシウム膜 1 2 3 aの全体を覆って低抵抗の配線とガスパリア （腐食防止） と を図っている。 なお、 発光層 （有機 E L層 ·正孔輸送層） の上に更に電子注入層 又は電子輸送層、 または電子注入層と電子輸送層の積層体を配置する有機 E L素 子構成としても良い。

このように構成された播反 1 0 0の上面を断面逆凹部形状の封止基板 2 0 0に よって封止する。 封止基板 2 0 0は、 例えば、 金属、 ガラス、 セラミック、 ブラ スチックなどによつて構成され、 板状の封止板 2 0 1と、 この封止板下面の外周 囲に形成された突起状の封止部 2 0 2と、 封止板 2 0 1の下面に取り付けられた 乾燥剤 （材） 2 0 3とを備えている。 乾燥剤 2 0 3は内部に侵入した水蒸気や酸 素ガスを吸着する。

T F T基板 1 0 0と封止基板 2 0 0間には不活性ガスとしての窒素ガスが充填 され、 両基板 1 0 0及び 2 0 0は接合手段としての接着剤 3 0 1を介して封止部 2 0 2にて接合される。 接着剤 3 0 1は、 熱硬化性、 紫外線硬化性など適当なも のを使用するが、 特に、 水蒸気などのガスの浸透性の低いものを使用する。

図 2に示すように、 基板 1 0 0には、 封止基板 2 0 0を置くためのマージン a が設けられている。 また、 封止基板 2 0 0の封止部 2 0 2の幅 d、 すなわち、 基 板 1 0 0の封止領域 dは、接着剤 3 0 1がガスの浸透を防止するのに適当な幅 (接 着剤 3 0 1のみの部分の幅 bと上下配線の接続幅 cとの和に略相当する） に設定 されている。 例えば、 この幅 （接着剤 3 0 1の幅 d ) を l mm以上として外部雰 囲気の侵入長を大きくとり、水蒸気や酸素ガスの接着層からの侵入を困難にする。 また、 接着剤 3 0 1の膜厚を 2 0 μ πι以下とし、 接着剤 3 0 1と外部雰囲気との 接触面を小さくしてガスの侵入を困難にする。 そして、 封止した内部の素子の劣 化を抑制する。

この封止部 2 0 2の下部の領域内に上下接続幅 cだけ陰極膜 1 2 3 b力 S入り込 み、 基板 1 0 0の酉己,镍 1 0 7と I TO膜 1 1 3、 ソース · ドレイン電極膜 1 1 2 を介して接続される。

図 3に示すように、基板 1 0 0のデータ線は基板端部の電極 1 2 1に接続され、 異方性導電膜 3 0 3を介して配線テープ 4 0 2と接続される。 この配線テープの 途中に各データ線を駆動するデータドライバ I C 4 0 1がボンディングされてい る。 基板 1 0 0の下部においても、 封止部 2 0 2内に陰極 1 2 3がー部入り込ん でいる。

図 4は、 T F T基板 1 0 0と封止基板 2 0 0とのより一般的な接合例（比較例） を示している。 同図において図 2と対応する部分には同一符号を付し、 かかる部 分の説明は省略する。

この例では、 封止基板 2 0 0を T F T基板 1 0 0に载置する際の載置マージン aと、 ガスの浸透を阻止して封止の信頼性を確保するための接着剤 3 0 1のマー ジン dとが陰極 1 2 3と基板配線 1 0 7との接纖域 cの外側で確保されている。 T F T 反 1 0 0の端から接^!域 cまでの寸法は、 载置マージン a +接着剤 3 0 1のマージン d +接 域 cとなっている。 この構成では、 表示装置 1の外周 の非表示領域の面積が大きくなっている。

これに対して、 図 2に示す実施例 1の構成では、 封止部 2 0 2の下部領域 （Ψ d ) に陰極 1 2 3あるいは陰極 1 2 3と配線 1 0 7との接^ fg域 cが入り込んで いる。 T F T基板 1 0 0の端から接讓域までの寸法は、 載置マージン a +接着 剤 3 0 1のマージン dとなっている。 接着剤 3 0 1のマージン dは略 b + cとな り、 配線接続部分のマージン cの分だけ、 非表示領域の面積が減少する。

また、 実施例 1の構成では、 封止部 2 0 2の下部の領域が、 図 5 ( a ) 及び同 ( b ) に示すように、 可及的に平坦になるように、 あるいは段差が変化しないよ うに形成されている。 図 5 ( a ) 及び同 （b ) において、 図 2と対応する部分に は、 同一符号を付し、 力かる部分の説明は省略する。

図 5 ( a ) 及び同 （b ) において、 Xは電源配線 1 0 7と共通 亟膜 1 2 3と の接続の幅、 yは電源配線 1 0 7と共通電極膜 1 2 3とのずれ、 zは当該接^ g 域の外周の封止領域下の封止マージンを示している。

同図に示されるように、 封止部 2 0 2下部領域の、 T F T基板 1 0 0の電源配 線 1 0 7を比較的幅広にかつ平坦に形成する。 霞原配線 1 0 7は、 図 1に示すよ うに、 他の配線と交差しないように基板 1 0 0の外周に配置されている。 それに より、 配線同士の交差によって生ずる段差の発生をなるベく回避して、 電源配線 膜 1 0 7が平坦に形成されるようにしている。この上に、アルミニウム膜 1 1 2、

1 T O膜 1 2 1を平坦に形成し、 これ等の導電膜の平坦面 1の上に更に、 共通電 極膜 1 2 3のアルミニウムを堆積して発光素子 1 2 0の陰極と電気的に接続して いる。 この接織貝域の外周側の基板 1 0 0の上面 （絶縁膜 1 1 1 ) mも平坦に形 成されている。

好ましくは、 図 5 ( b ) に示すように、 電源配線 1 0 7と共通電極膜 1 2 3と のずれ yが 0となるようにする。 それにより、 電源配線 1 0 7の幅と共通 Hi亟 1

2 3の接続幅とを一致させて配線抵抗を最小とし、 また、 幅方向の寸法の無駄を 省く。

このように、電源配線膜 1 0 7と共通電極 1 2 3との導通部分（上下導通部分） Xを平坦に形成し、 この外周の封止領域 zも平坦領域とする。 上下導通を確実に 行い、 共通電極膜 1 2 3形成後の膜端部の段差を均一に形成して、 上下導通部分 の高さを T F T基板 1 0 0側で揃えて、 封止条件が上下導通領部分で変化しない ようにしている。 更に、 上下導通部 Xの外周部 zに平坦部分 zを確保することに よって、 缶封止によって封止部分に加わる応力を均一にすることが可能となる。 図 6 (a) 乃至同図 （d) は、 第 1の実施例に係る表示装置 1の製造プロセス を説明する工程図である。 同図において、 図 2と対応する部分には、 同一符号を 付している。

まず、 図 6 (a) に示すように、 TFT¾¾100を形成する。 すなわち、 ガ ラス基板 101上に C V D法によってシリコン窒化膜を堆積して保護膜 102を 形成する。 この上に CVD法によってシリコンを堆積する。 更に、 低濃度の不純 物を注入してレーザァニールによる熱処理を行ってポリシリコン膜 103を形成 する。このポリシリコン膜のパターニングを行って TFT領域 130を形成する。 この上に CVD法によって酸化シリコンによるゲート絶縁膜 104を堆積してい る。この上にアルミニゥムをスパッタ法によつて堆積し、パター二ングを行つて、 有機 EL駆動用電源配線膜 105及び 106、 有機 EL用陰極配線膜 1◦ 7、 T FT130のゲート配線膜 108を形成する。 次に、 マスクを用いて T F T領域 103のソース ' ドレイン領域に高濃度のイオン注入を行い、 熱処理によって不 純物を活性化させる。 更に、 CVD法によって酸化シリコンを堆積して第 1の層 間絶縁膜 110を形成する。 この層間絶縁膜 110にマスクを用いて異方性エツ + チングを行い、 丁？丁領域103のソース ' ドレイン領域にコンタクトホールを 開口する。 次に、 アルミニウムを堆積し、 パターニングを行ってソース ' ドレイ ン電極 109、 接続用電極 112を形成する。

次に、 図 6 (b) に示すように、 CVD法によって酸ィ匕シリコンを堆積して第 2の層間絶縁膜 111を形成する。 配線膜 107上の層間絶縁膜 111をエッチ ングしてアルミニウム膜 112を露出させる。 この上に、 スパッタ法によって I TOを堆積し、 パター二.ングして発光 の 120の陽極 121を形成する。 ま た、 配線膜上 107のアルミニウム膜 112上にも I TO膜 121を堆積し、 接 織貝域の膜厚を調整するとともにァノレミニゥム表面が酸化されるのを防止する。 図 6 (c) に示すように、 感光性の有機樹脂膜をスピンコート法によって塗布 し、 ノ、。ターニングを行って、 発光素子の陽極 (I TO) 121を溝の底部に露出 したパンク層 113を形成する。このバンク層 113は、各発光軒を分 HI "る。 次に、 インクジェット法によって陽極 121の上に、 EL層 122を形成する。 ∑ 層122は、 例えば、 発光層、 電子輸送層、 電子注入層、 正孔注入層、 正孔 輸送層などによって構成される。 これ等発光素子 1 2 0の上に、 例えば、 カルシ ゥム 1 2 3 aを真空蒸着してパターエングし、 更にアルミニウム 1 2 3 bを蒸着 してパターニングを行う。 カルシウム 1 2 3 a及びアルミニウム 1 2 3 bは発光 素子 1 2 0の陰極 （共通電極） 1 2 3を構成する。 陰極 1 2 3を下層のカルシゥ ム膜 1 2 3 aを上層のアルミニウム膜 1 2 3 bによって被覆する 2層構造とする ことによって、 カルシウム膜 1 2 3 aへの水分の侵入を防止 （ガスパリア性の確 保） する。 ァノレミニゥム膜 1 2 3 bは共通電極 1 2 3として基板 1 0 1の外周に まで広がっており、 外周部で I T O膜 1 2 1、 アルミニウム膜 1 1 2を介して配 線膜 1 0 7と、 配線接続部分のマージン c (図 2参照） にて接続される。

次に、 図 6 ( d ) に示すように、 T F T鎌 1 0 0の外周の配, f級 1 0 7を含 む部分に接着剤あるいは封止剤 3 0 1を塗布し、 外周に突起部 2 0 2が形成され た逆凹形状の封止基板 2 0 0を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で張り合わせる。 封止基板 2 0 0内部に乾燥剤が配置されており、 内部に侵入した水分や酸素を吸 着する。 接着剤 3 0 1としては、 酸素や水分を ¾iiしない、 絶縁性の材料が望ま しく、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を使用可能である。例えば、エポキシ系樹脂、 ァクリレート系樹脂の使用が可能である。

このようにして、 表示装置が形成される。

図 7及び図 8は第 2の実施例を示している。 両図において図 2及び図 3と対応 する部分には同一符号を付し、 カゝかる部分の説明は省略する。

この実施伊!]では、 封止基板 2 0 0として平坦な基板を使用してレヽる。 封止基板 2 0 0は、 例えば、 ガラス板、 アルミニウム板、 ステンレス板、 ァクリル板、 セ ラミック板などを適宜に使用可能である。 T F T基板 1 0 0と封止基板 2 0 0と の隙間を全て接着剤 3 0 1で埋設して両基板を接合 （接着） している。 この場合 においても、 陰極 1 2 3と基板の配線膜 1 0 7との接, 域を含めて上述した封 止の信頼性を確保するために必要なマージン b + cの幅を確保すると共に、 この 陰極 1 2 3と基板の配線膜 1 0 7との接繊貝域の内側にパンク層 1 1 3が位置す るようになされている。 それにより、 額縁の幅を狭くし、 接着剤 3 0 1から比較 的に水分の ¾i率の高い樹脂膜 1 1 3を隔離してパンク層 1 1 3へのガスの侵入 を防止する。 図 9 (a) 乃至同 （d) は、 第 2の実施例の表示装置 1の製造工程を説明する 工程図である。 同図において、 図 6と対応する部分には同一符号を付し、 係る部 分の説明は省略する。

この表示装置においても、 図 9 (a) 乃至図 9 (c) の工程は、 図 6 (a) 乃 至同図 （c) と同様に行われる。

図 9 (c) に示すように、 TFT基板 100が形成された後、 スピンコート法 あるいはインクジェット法、 転写ローラなどによって接着剤 301が適当な膜厚 となるように TFT¾K100の上面に塗布される。 この接着剤の膜の上に、 封 止基板 200を T F T基板 100に対して位置合わせを行いながら、 張り合わせ る。

なお、 封止基板 200に接着剤 301を塗布して TFT基板 100と張り合わ せても良い。 また、 封止基板 200と TFT基板 100とを合わせた後、 周囲の 隙間から毛細管現象によって接着剤を内部に浸透させることとしても良い。 図 10及び図 11は、 第 3の実施例を示している。 両図において図 2及び図 3 と対応する部分には同一符号を付し、 力かる部分の説明は省略する。

この実施例では、 封止基板 200に代えて多層薄膜 210を形成している。 例 えば、 特開 2000— 223264では、 無機パシベーション封止膜と樹脂封止 膜との積層膜を封止膜として提案している。 多層薄膜 210は、 TFT基板 10 0の上に形成され、 陰極 123全体を覆っている。 多層薄膜は、 有機層/無機層 Z有機層の構成、 または無機層/有機層/無機層の構成など種々の構成を採用す ることが可能である。 無機材料としては、 例えば、 S i O2, S i N, S i ONな どのセラミック材料等を、 有 «f脂層としては、 例えば、 ポリエチレン、 ポリス チレン、 ポリプロピレンなどの、 一般的な炭化水素系高分子を使用可能である。 また、 含フッ素系高分子でもよい。 ポリマー材料そのものを配置することも、 前 駆体またはモノ^ーを基材上に塗布して硬ィ匕させてもよレヽ。 陰極 123は、 基板 100の端部側で電源の配線 107と接続されている。 この例においても、 陰極 123と基板の配線膜 107との接 fg域を含めて上述した封止の信頼性を確保 するために必要なマージン b + cの幅を確保すると共に、 この陰極 123と基板 の配線膜 107との接^域の内側にパンク層 113が位置するようになされて いる。 それにより、 額縁の幅を狭くしている。

図 12 (a) 乃至図 12 (d) は、 第 3の実施例の表示装置 1の製造工程を説 明する工程図である。 同図において、 図 6と対応する部分には同一符号を付し、 係る部分の説明は省略する。

この表示装置においても、 図 12 (a) 乃至図 12 (c) の工程は、 図 6 (a) 乃至同図 （c) と同様に行われる。

図 12 (c) に示すように、 TFT基板 100が形成された後、 図 12 (d) に示されるように、 陰極 123が外気に曝されないように、 機密性の高い保護膜 210で TFT基板 100を覆い、 外周をパターニングして基板を分離可能とす る。 保護膜 210は、 好ましくは、 多層薄膜とする。 前述したように、 多層薄膜 は、 有機層 Z無機層 Z有機層を積層することにより、 あるいは、 無機層/有機層 Z無機層を積層すること等によって形成される。 無酣料としては、 例えば、 s i O 2， S i N， S i ONなどのセラミック材料膜を、 有漏脂層としては、 例え ば、 ポリエチレン、 ポリスチレン、 ポリプロピレンなどの、 一般的な炭ィ匕水素系 高分子を使用する。 また、 含フッ素系高分子でもよい。 ポリマー材料そのものを 配置することも、 前駆体またはモノマーを基材上に塗布して硬ィ匕させてもよい。 図 13は、 本発明の第 4の実施例を示している。 この実施例では、 上述した第 1乃至第 3の実施例の表示装置の表示領域に、 更に、 ダミ一画素を追加するよう にした例を示している。

表示装置内に侵入したガスは、 膜内を浸透して表示領域の外周側の表示素子か ら影響を与える。 そこで、 予め画像表示に使用されないダミー画素を表示領域の 外周に設けることで、 侵入ガスの画面表示への影響を軽減する。 また、 表示領域 の外周にダミー画素を設けることで、 インクジエツト法によって発光イ材才料を塗 布する場合に塗布膜の均一化が図られる。 すなわち、 インクジェット法では、 ノ ズルから微小なインク （材料） 滴を吐出するが、 吐出開始後、 吐出量が安定する まである時間を必要とする。 ダミー画素部分で吐出量を安定させることで 光 素子の塗布膜を均一化させることが可能となる。

なお、 発光体の形成にインクジエツト法の代わりにマスク蒸着法を使用しても 良い。また、インクジェット法とマスク蒸着法とを組み合わせて使用しても良 、。 図 1 4乃至図 1 7は、 本発明の更に他の実施例を示している。 各図において、 図 1と対応する部分には同一符号を付し、 力かる部分の説明は省略する。

これ等の実施例では、 τ F T基板と封止基板とを張り合わせて ®f反の外周を封 止しているが、 T F T基板の外周のいずれかの辺あるいは全ての辺で狭額縁化を 図っている。

図 1及び図 2に示した実施例では、 図 1 4に示すように、 四角形 （多角形） 基 板 1 0 0の 3辺 （上辺、 左辺、 右辺） で電源配線 1 0 7と共通電極 （陰極） 1 2 3とを接続し、 それ等の外側領域で封止を行って狭額縁化を図り、 1辺 （下辺） で配線テープ 4 0 2を使用してドライバ I C (外部回路） と接続している。 この ようにすると、 3辺接続で共通電極 1 2 3までの配線抵抗を減らすことができ、 1辺を外部回路接続に専用できるので、 表示装置のモジュール全体をパランス良 く、 狭額縁化することが可能となる。

図 1 5に示す実施例では、 基板 1 0 0の 1辺 （下辺） で電源配線 1 0 7と共通 電極（陰極） 1 2 3とを接続し、その外側領域で封止を行っている。この例では、 1辺のみで共通電極 1 2 3と配線膜 1 0 7とを接続するので、 この 1辺で共通電 極 1 2 3と配線膜 1 0 7間の十分な導通面積 （上下導通面積） を確保しなければ ならないので狭額縁化は難しいが、 それ以外の 3辺では共通電極 1 2 3との配線 接続が不要であるので、 3辺をかなり 縁化することができる。 これは、 ある 方向にはモジュールが延びても良いが、 それ以外の方向にはモジュールを延ばせ ないような場合、 例えば、 携帯電話機の表示装置などに都合の良い配置である。 図 1 6に示す実施例は、 基板 1 0 0の 2辺 （左辺、 右辺） で共通電極 1 2 3と 配線膜 1 0 7とを接続し、 それ等の外側領域でそれぞれ封止を行っている。 向か い合う両側 (上辺、 下辺) にそれぞれ配線テープ 4 0 2を設けて外付け回路を実 装する場合、 例えば、 奇数ラインは上から駆動し、 偶数ラインは下から駆動する ような場合に有効であり、 多数のドライノ I Cを実装して大容量 （大画面） の表 示を行うことが可能である。 また、 この構成では、 図 1 4に示した 3辺で共通電 極 1 2 3と配線膜 1 0 7とを接続した場合に匹敵する配線抵抗の低下を図ること が可能である。

図 1 7に示す実施例は、 基板 1 0 0の 4辺 （上辺、 下辺、 左辺、 右辺） で共通 電極 1 2 3と酉己線膜 1 0 7とを接続し、 それ等の外側領域でそれぞれ封止を行つ ている。 そして、 多層配線膜によって共通電極 1 2 3と配線膜 1 0 7との導通を 図る配線の下部に絶縁膜を介して引き出し配線を形成し、 この配線を外部回路と 接続している。 なお、 共通電極 1 2 3と配,纏 1 0 7とを接続する導通領域を複 数のプロックに分け、 プロック相互間に引き出し配線を配置する構成とすること もできる。 このような構成は、 大型の高精細ディスプレイを実現する場合に必要 となる、 配線抵抗の十分な低減を可能とする。

このように、 本発明の各実施例によれば共通電極 （陰極） 1 2 3と基板配線 1 0 7との接^！域 ( c ) を封止マージン （b + c ) 内に含めて表示装置を組み立 てるようにしているので、 表示器の額縁の領域を減らすことが可能となる。 また、 共通電極 1 2 3と基板配線 1 0 7との接纖域 （c ) よりも基板の内側 になるようにパンク層 1 1 3を位置させるので、 基板 1 0 0と封止基板 （あるい は封止膜） 2 0 0との接合部分 （b + c ) からパンク層 1 1 3内にガスが直接浸 透することを回避可能となる。 それにより、 パンク層 1 1 3として加工容易な樹 月旨 （フォトレジストなど） を使用しても発光素子 1 2 0への影響が少なくなる。 また、 カノレシゥム電極 1 2 3 aを陰極 1 2 3 aと基板酉己線 1 0 7との接^ IS域 ( c ) 力ら離間させることによつて酸素や水蒸気ガスの浸透によるカルシゥム電 極 1 2 3 aの腐食を回避する。 次に、 上述した本発明の表示装置を備えた電子機器の例について以下に説明す る力 例示のものに限定されるものではない。

〈モパイノレ型コンピュータ〉

まず、 上述した実施形態に係る表示装置をモパイル型のパーソナルコンビユー タに適用した例について説明する。 図 1 8は、 このパーソナルコンピュータの構 成を示す斜視図である。 同図において、 パーソナルコンピュータ 1 1 0 0は、 キ 一ポード 1 1 0 2を備えた本体部 1 1 0 4と、 上述した表示装置 1 1 0 6を備え た表示装置ュニットとから構成されている。 次に、 上述した実施形態に係る表示装置を、 携帯電話の表示部に適用した例に ついて説明する。 図 1 9は、 この携帯電話の構成を示す 図である。 同図にお いて、 携帯電話 1 2 0 0は、 複数の操作ポタン 1 2 0 2の他、 受話ロ 1 0 2 4、 送話口 1 2 0 6と共に上述した表示装置 1 2 0 8を備えるものである。 上述した実施形態に係る表示装置をフアインダに用いたディジタルスチノレ力メ ラについて説明する。 図 2 0は、 このディジタルスチルカメラの構成を示す斜視 図であるが、 外部機器との接続についても簡易に示すものである。

通常の力メラは、 被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、 ディジ タルスチルカメラ 1 3 0 0は、 被写体の光像を C C D (Charge Coupled Device) 等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成する。 ディジタルスチルカメラ 1 3 0 0のケース 1 3 0 2の背面には、 上述した表示装置 1 3 0 4が設けられ、 C C Dによる撮像信号に基づいて表示を行う構成となっている。 このため、 表示 装置 1 3 0 4は、 被写体を表示するフアインダとして機能する。 また、 ケース 1

3 0 2の観察側 （図においては裏面側） には、 光学レンズや C C D等を含んだ受 光ユニットが設けられている。

撮影者が表示装置 1 3 0 4に表示された被写体を像を確認して、 シャッタボタ ン 1 3 0 8を押すと、 その時点における C CDの撮像信号が、 回路基板 1 3 1 0 のメモリに転送 ·格納される。 また、 このディジタルスチルカメラ 1 3 0 0は、 ケース 1 3 0 2の側面に、 ビデオ信号出力 ¾÷ 1 3 1 2と、 データ通信用の入出 力端子 1 3 1 4とを備えている。 そして、 同図に示されるように、 ビデオ信号出 力端子 1 3 1 2にはテレビモニタ 1 4 3 0力 また、 データ通信用の入出力端子 1 3 1 4にはパーソナルコンピュータ 1 4 3 0力 それぞれ必要に応じて接続さ れ、 更に、 所定の操作によって、 回路基板 1 3 0 8のメモリに格納された撮像信 号力 s、 テレビモニタ 1 3 3 0や、 コンピュータ 1 3 4 0に出力さ; Ttる構成となつ ている。

〈電子プック〉

図 2 1は、 本発明の電子機器の一例としての電子ブックの構成を示す斜視図で ある。 同図において、 符号 1 4 0 0は、 電子ブックを示している。 電子ブック 1

4 0 0は、 ブック型のフレーム 1 4 0 2と、 このフレーム 1 4 0 2に開閉可能な 力パー 1 4 0 3とを有する。 フレーム 1 4 0 2には、 その表面に表示面を露出さ せた状態で表示装置 1 4 0 4が設けられ、 更に、 操作部 1 4 0 5が設けられてい る。 フレーム 1 4 0 2の内部には、 コントローラ、 カウンタ、 メモリなどが内蔵 されている。 表示装置 1 4 0 4は、 本実施形態では、 表示素子を配置した画素部 と、 この画素部と一体に備えられ且つ集積化された周辺回路とを備える。 周辺回 路には、 デコーダ方式のスキャンドライバ及びデータドライバを備える。

なお、 電子機器としては、 図 1 8のパーソナルコンピュータ、 図 1 9の携帯電 話機、 図 2 0のディジタルスチルカメラ、 図 2 1の電子ブックの他にも、 電子べ ーパ、 液晶テレビや、 ビューファインダ型、 モニタ直視型のビデオテープレコー ダ、 カーナビゲーシヨン装置、 ページャ、 電子手帳、 電卓、 ワードプロセッサ、 ワークステーション、 テレビ電話、 O S端末、 タツチパネルを備えた βなどが 挙げられる。 そして、 これ等の各種電子機器の表示部には、 上述した表示装置が 適用可能である。

本発明の表示装置は実施例の有機 E L表示装置に限られない。 また、 基板も実 施例の T F T基板に限られない。 アクティブ型のみならず、 パッシブ型の基板に も本発明は適用可能である。

また、実施例では、接合手段として接着剤を使用しているがこれに限られない。 他の方法、 例えば超音波やレーザによる接合を用いても良い。 産業上の利用可能性

以上説明したように、 本発明の表示装置によれば、 表示領域の周囲の非表示領 域である額縁の幅をより狭くすることが可能となって好ましい。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . パンク層によって分離された複数の表示素子と配線層とを有する基板と、 前記複数の表示素子と前記パンク層とを覆う電極層と、

少なくとも前記基板の外周の封止領域で接合して前記基板を覆う封止基板と、 を備え、

前記配線層は前記基板の封止領域の一部に形成され、

前記電極層の外周部は前記封止領域内にて前記配線層と接続される、

2. 請求項 1記載の表示装置であって、

前記電極層は各表示素子の共通電極であることを特徴とする表示装置。

3 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記電極層は複数の電極層からなり、 その少なくとも 1の電極層はガスパリア 性又は耐環境性を有することを特徴とする表示装置。

4. 請求項 1記載の表示装置であって、

前記電極層は複数の電極層からなり、 第 1の電極層は前記複数の表示素子と前 記パンク層の一部とを覆い、 第 2の電極層は前記第 1の電極層と前記パンク層の 他を覆って前記 の封止領域で前記配線層と接続されることを特徴とする表示

5 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記封止基板は前記基板の封止領域に対向して該封止基板の外周を一周するよ うに突起した封止部を含むことを特徴とする表示装置。

6 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記基板の配線層の上面は平坦に形成され、 この上に前記電極層が積層されて 電気的に接続されることを特徴とする表示装置。

7 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記基板の前記封止領域は平坦に形成されることを特徴とする表示装置。

8 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記 の配線層は該 反の外周側に形成された電源の配線層であることを特 徴とする表示装置。

9 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記基板と前記封止基板との接合が接着膜を介して行われることを特徴とする

1 0 . 請求項 9記載の表示装置であつて、

前記基板の封止領域のサイズは前記接着膜のガスパリァ性又は耐環境性を確保 するために必要なマージンによつて決定され、 このマージンに前記電極層と前記 配線層との接纖域が含まれることを特徴とする表示装置。

1 1 . 請求項 9記載の表示装置であって、

前記接着膜の膜厚が 2 0 / mを越えないことを特徴とする表示装置。

1 2 . 請求項 9記載の表示装置であって、

前記接着膜の幅が少なくとも 2 mm確保されることを特徴とする表示装置。

1 3 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記慰返層と前記配線層とを接続する領域の幅が少なくとも 1 mm確保される ことを特徴とする表示装置。

1 4. 請求項 1記載の表示装置であって、

前記封止基板の外周は前記基板に俞記封止基板を载置する際のマージン分だけ 前記基板の外周よりも内側に位置することを特徴とする表示装置。

1 5 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記基板は角形の基板であり、 この の 1辺で前記電極層と前記配線層とが 接続されることを特徴とする表示装置。

1 6 . 請求項 1記載の表示装置であつて、

前記 反は角形の であり、 この基板の 2辺で前記 β¾層と前記配線層とが それぞ 続されることを特徴とする表示装置。

1 7 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記 は角形の基板であり、 この基板の 3辺で前記電極層と前記配,乎泉層とが それぞ; Η¾続されることを特徴とする表示装置。

1 8 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記基板は角形の であり、 この基板の 4辺で前記暫亟層と前記配線層とが それぞ i¾続されることを特徴とする表示装置。

1 9 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記封止基板は平坦な によって構成されることを特徴とする表示装置。

2 0. 請求項 1記載の表示装置であつて、

前記封止基板に代えて前記 を覆う多層薄膜を形成したことを特徴とする表

2 1 . 請求項 2 0記載の表示装置であって、 前記多層薄膜の少なくとも 1つの薄膜はガスパリァ性又は耐環境性を有するこ とを特徴とする表示装置。

2 2. 請求項 1記載の表示装置であつて、

前記パンク層は前記基板の封止領域内に位置しないことを特徴とする表示装置。

2 3 . 請求項 1記載の表示装置であって、

前記複数の表示素子が配列された領域の外周にダミ一の表示素子が配置される ことを特徴とする表示装置。

2 4. 請求項 1記載の表示装置であつて、

前記表示素子は有機 E L素子であることを特徴とする表示装置。

2 5 . 請求項 4記載の表示装置であつて、

前記第 1の電極層はカノレシゥム、 前記第 2の電極層はアルミニウムであること を特徴とする表示装置。

2 6. 請求項 1記載の表示装置であって、

前記パンク層は樹脂材料によって形成されることを特徴とする表示装置。

2 7 . 請求項 1乃至 2 6のいずれ力 ^記載の前記表示装置を備える電子讓。

2 8 . 前記電子機器は、 デジタルカメラ、 携帯情報端末装置及び携帯電話装置 のうち少なくとも！/、ずれ力を含む、 請求項 2 7記載の電子機器。

2 9 . 電気回路を形成すべき基板の外周内側に設定された封止領域の一部に少 なくとも配線層を形成する過程と、

前記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数 の溝を備える素子分離層を形成する過程と、 前記素子分離層の複数の溝の各々に前記表示素子を形成する過程と、 前記複数の表示素子と、 前記素子分離層と、 前記配線層各々の上に共通電極層 を形成する過程と、

前記 反の封止領域に接合材料を塗布する接合材料塗布過程と、

前記基板の封止領域に環状の封止部を有する封止基板を前記接合材料を介して 接合して前記基板を封止する封止過程と、

を含む表示装置の製造方法。

3 0 . 請求項 2 9記載の表示装置の製造方法であって、

前記接合材料塗布過程は前記基板の封止領域内に形成された前記共通電極層と 前記配線層との接 域上及びこの領域以外の前記封止領域に接合材料を塗布す ることを特徴とする表示装置の製造方法。

3 1 . 電気回路を形成すべき基板の外周内側に設定された封止領域の一部に少 なくとも配線層を形成する過程と、

前記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数 の溝を備える素子分離層を形成する過程と、

前記素子分離層の複数の溝の各々に前記表示素子を形成する過程と、 前記複数の表示素子と、 前記素子分離層と、 前記配泉層各々の上に共通電極層 を形成する過程と、

前記基板の封止領域及び前記共通電極層の上に接合材料を塗布する接合材料塗 布過程と、

前記 反に前記封止領¾¾び前記共通電極層を覆う封止基板を前記接合材料を 介して接合して前記基板を封止する封止過程と、

を含む表示装置の製造方法。

3 2. 電気回路を形成すべき基板の外周内側に設定された封止領域の一部に少 なくとも配線層を形成する過程と、

前記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数 の溝を備える素子分離層を形成する過程と、

前記素子分離層の複数の溝の各々に前記表示素子を形成する過程と、 前記複数の表示素子と、 前記素子分離層と

前記基板に前記封止領域及び前記共通電極層を覆う多層膜を形成して前記基板 を封止する封止過程と、

を含む表示装置の製造方法。

3 3 . 請求項 3 2記載の表示装置の製造方法であって、

前記多層艙は水又はガスの ¾1を妨げる膜を含むことを特徴とする表示装置の 製造方法。

3 4. 請求項 2 9乃至 3 3の！/ヽずれかに記載の表示装置の製造方法であって、 前記共通電極層は前記表示素子側に位置する下層とその上に位置する上層の少 なくとも 2種類の電極層を含むように形成され、

前記下層の電極層よりも上層の電極層がガスパリァ性又は耐環境性が良レ、材料 で形成されることを特徴とする記載の表示装置の製造方法。

3 5. 請求項 3 4に記載の表示装置の製造方法であって、

前記下層の電極層は前記複数の表示素子全体と前記パンク層の少なくとも一部 とを覆う力 S、 前記封止基板の封止部から離間するように形成され、

前記上層の電極は前記下部電極層全体を覆つて前記封止基板の封止部内にまで 至るように形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。