WO2003075331A1 - Dicing method, method of inspecting integrated circuit element, substrate holding device, and pressure sensitive adhesive film - Google Patents

Description

明 細 書

ダイ シング方法、 集積回路素子の検査方法、 基板保持装置及 び粘着フ ィ ルム

この出願は、 2 0 0 2年 3月 4 3 に提出され、 その内容は こ こに取り 込まれる、 前の 日本出願 2 0 0 2 - 0 5 7 7 7 2 に基づいてお り 、 優先権を主張します。

技術分野

本発明は、 複数の集積回路素子が縦横に配列された半導体 基板をダイ シングする方法、 ダイ シング後に集積回路素子の 電気的特性を検査する方法、 これら方法に使用する基板保持 装置及び該基板保持装置にも採用 される こ とができ る粘着フ イ ルム に関する。

背景技術

一連の製造工程を終えた半導体ウェハ （以下、 「ウェハ」 とい う） 上には、 多数の集積回路素子が縦横に配列されてい る。 これら素子は、 例えば図 1 3 に示される よ う な従来のダ イ シング方法によ り 個々の素子に分離される。 即ち、 ウェハ Wよ り もサイ ズの大きいリ ング状のフ レーム 1 1 の一面側に、 接着層 （例、 上面 1 2 a が粘着性の粘着フィルム 1 2 (例、 1 0 0 〜 2 0 0 μ ιη ) ) を貼り 付けた保持具 1 0 が用い られ る。 こ の粘着フ ィ ルム 1 2 の粘着面 1 2 a にウェハ Wを貼り 付けた当該保持具 1 0 はチャ ックテーブル 1 3上に載置され る。 回転しているプレー ド 1 4 を各集積回路チップ Cを区画 するス ク ライブ線に沿って走行させる こ と によ り 、 各素子 C (便宜上、 集積回路素子及びチ ッ プには同符号 「 C」 を付 す） は分離される。 保持具 1 0 をチャ ックテーブル 1 3 から 搬出する。 各チップ Cに対応する位置において、 粘着フ ィ ル ム 1 2 の下面側から突き上げ手段で突き上げる こ と によ り チ ッ プ Cを粘着フ ィ ルムか ら 1 個ずつ剥がす。 剥がされたチッ プ C をハン ドリ ング装置が次工程に搬送する。

分離されたチップ C の電気的特性を検査するケースや、 チ ップ Cに リ一ドフ レームを付けないで直接実装するケースが ある。 これらのケースにおいては、 ハン ド リ ング装置がチッ プ C を 1 個ずつ検査装置内に搬送し、 検査が行われる。

ウェハ wから分離されたチップ Cに リ一ドフ レームを付け ないで検查を行 う ケース では、 粘着フ ィ ルム 1 2 に接着され た状態の複数のチップ C、 つま り ダイ シングされたままの状 態の複数のチップ Cに一括して （同時に） プロ一ビングを行 う こ とが、 検査の効率化な どの点から得策である。 しかしな が ら、 ダイ シング工程において、 切断刃 1 4 は粘着フ ィ ルム 1 2 の途中まで切 り 込む。 こ の と き、 各チップ C の相対位置 が最大数百； も位置ずれを起こ し、 しかも位置ずれの状況 が不規則である。 これは、 粘着フ ィ ルム 1 2 に張力が加わつ た状態でウェハ Wを貼り 付けているため、 粘着フ ィ ルム 1 2 に切 り 込みが入る と、 その部位のウェハの支えがなく なって 変形する こ と な どが要因である と考え られる。

このため、 ダイシングしたままの状態にある複数のチップ に一括して (同時に） プロ一ビングを行う こ とができない。

このため、 トータルの検查時間が長く かかって しま う こ と 等によ り 、 検査効率が低下する。 また、 ハン ドリ ング装置が 例えば 1 . 5 m m角程度の小さいチップをハン ド リ ングする 際に ト ラブルが発生し易い。

本発明は、 この よ う な事情の下に開発されたものである。 本発明の実施態様は集積回路チップの検査効率を向上させる こ と のでき るダイ シング方法、 検查方法、 これら の方法に使 用する こ と ができ る基板保持装置及び粘着フ ィ ルムを提供す る。

また、 いわゆる両面テープは良 く 知 られている。 しカゝし、 その両面の粘着性に差を持たせる こ と によ り 、 その用途を拡 大する技術は知られていなかった。

発明の開示

本発明の他の 目的及ぴ利点は、 以下の明細書に記載され、 その一部は該開示から 自明であるか、 又は本発明の実行によ り 得られるであろ う。 本発明の該目的及び利点は、 ここに特 に指摘される手段と組み合わせによ り 実現され、 得られる。 本願発明の第 1 の観点に従って、 複数の集積回路素子が縦 - 横に配列された半導体基板のダイ シング方法が提供される。 このダイ シング方法は下記を具備する ： 半導体基板の裏面に おける少な く と も集積回路素子が配列された領域の全体を、 少な く と も一層の粘着性を有する接着層を介 して板状の治具 に接着させる （こ こ において、 該接着層の粘着性は該接着層 にエネルギーを加える こ と によ り 減少する） ； 切断手段によ り 該半導体基板を切断する こ と によ り 各集積回路素子を分離 する。

本願発明の第 2 の観点に従って、 半導体基板上に複数形成 された集積回路チップの検査方法が提供される。 この検査方 法は、 下記を具備する ： 複数の集積回路素子がその表面に配 列された半導体基板の裏面を、 少なく と も集積回路素子が配 列された領域の全体にわたって配置した少な く と も一層の接 着層によ り 板状の治具に接着させる ； 切断手段によ り 該半導 体基板を切断し、 該複数の集積回路素子を個々 の集積回路素 子に分離する （こ こで、 該切断された半導体基板は該接着層 によ り 該冶具上に接着されている） ； 該治具の上に接着され ている半導体基板と、 該冶具の上方空間に配置されたプロ一 ブと を位置合わせする ； 集積回路素子の電極パッ ドにプロ一 ブを接触させた状態で、 集積回路素子の電気的特性を検査す る。

本願発明の第 3 の観点に従って、 複数の集積回路素子が配 列された半導体基板を保持する基板保持装置が提供される。 この基板保持装置は、 下記を具備する ： 半導体基板よ り もサ ィ ズの大きいフ レーム ； このフ レームに展張される粘着フィ ルム、 該粘着フ イルムの一方の面は半導体基板の裏面が粘着 される面である ； 板状の冶具（こ こで、 該粘着フ ィ ルムの他 方の面は該冶具に粘着する）。

本願の第 1 、 第 2及び第 3 の観点に従って提供される 半導体基板のダイシング方法、 集積回路チップの検査方法及 ぴ基板保持装置の各々 は、 下記（1 )一 ( 1 2 )のいずれか 1 つを 採用する こ と が好ま しい。 さ らに、 これらは、 （1 )一 （1 2 )の 内の複数を組み合わせて採用する こ とが好ま しい。

( 1 ) 該少な く と も一層の接着層は、 その両面が粘着性を有 する粘着フ イ ノレムである。

( 2 ) 該粘着フ ィ ルム の両面は第 1 の面と第 2 の面であ り 、 第 1 の面と第 2 の面の粘着性を減少させるために加えるエネ ルギ一は、 その種類及び大き さの内の 1つが異なる。

( 3 ) 粘着フ ィ ルムの第 2 の面は治具側であ り 、 第 1 の面は 半導体基板側であ り 、 第 2 の面にその粘着性を減少するため に加えるエネルギーは、 第 1 の面にその粘着性を減少するた めに力 Bえるエネルギーよ り も小さい。

( 4) 該接着層は第 1 の粘着フ ィ ルム と第 2 の粘着フ ィ ルム と の積層構造である （ こ こ で、 第 1 の粘着フ ィ ルムは体半導 体基板側に接着 し、 その半導体基板側の面の粘着性は、 所定 のエネルギーを加えられる こ と によ り に減じ られ、 第 2 の粘 着フ ィ ルムは冶具側に接着 し、 その両面の粘着性は該所定の エネルギー と は異なるエネルギーを加えられる こ と によ り 減 じ られる）、

第 1 の粘着フィルムは、 半導体基板よ り もサイ ズの大きい リ ング状のフ レームの内側に展張されている。

( 5 ) 各集積回路チップの分離は、 冶具をチャ ッ ク テーブル に載置した状態で実施される。

( 6 ) 粘着フ ィ ルムは、 一方の面の粘着性が加熱によ り 小さ く な り 、 他方の面の粘着性が紫外線によ り 小さ く なる。

( 7 ) 粘着フ ィ ルムは、 半導体基板側の面の粘着性が加熱に よ り 小さ く な り 、 冶具側の粘着性が紫外線によ り 小さ く なる。

( 8 ) 粘着フ ィ ルムは、 両面の粘着性が紫外線によ り 小さ く な り 、 粘着性が小さ く なる紫外線の波長が異なる。 (9) 冶具は紫外線を透過する材料で構成される。

(10) 粘着フ ィ ルムは、 両面の粘着性が加熱によ り 小さ く な り 、 冶具側の粘着性を小さ く するための加熱温度が、 半導体 基板側の粘着性を小さ く するための加熱温度よ り も低い。

(11) 粘着フィ ルムは、 半導体基板側に接着 し、 半導体基板 側の面の粘着性が紫外線によ り 小さ く なる第 1 の粘着フ ィ ル ム、 冶具側に接着し、 両面の粘着性が加熱によ り 小さ く なる 第 2 の粘着フィルム と、 を積層 した構造である。

(12) 粘着フ ィ ルムは、 半導体基板よ り もサイ ズの大きい リ ング状のフ レ ^ "ムの内側に展張されている。

本願発明の第 2 の観点に従って提供される集積回路チップ の検査方法は、 さ ら に、 下記（13)或いは（14)を具備する こ と が好ま しい。 該検査方法は、 下記（13)及び（14)を組み合わせ て具備する こ とが好ま しい。

(13) 集積回路素子の電気的特性を検査した後、 粘着フ ィ ル ムの第 2 の面に第 1 のエネルギーを加えた後、 治具から粘着 フ ィ ルムを剥がす ；

粘着フ ィ ルム の第 1 の面に第 2 のエネルギーを加えた後、 粘着フ ィ ルムか ら集積回路素子を剥がす。

(14) 集積回路チップの電気的特性を検査 した後、 冶具を加 熱 して第 2 の粘着フ ィ ルムか ら第 1 の粘着フ ィ ルムを剥がす こ と、 第 1 の粘着フ ィ ルム に紫外線を照射して第 1 の粘着フ イルムから集積回路チップを剥がすこ と、 をこ の順に行う。

本願発明の第 4 の観点に従って、 集積回路チップの検査方 法が提供される。 こ の検査方法は下記（15)—（17)を具備する こ と が好ま しい。 下記（1 5 )—（1 7 )の内のいずれかを組み合わ せて具備する こ とが好ま しい。

( 1 5 ) 複数の集積回路素子が配列された半導体基板の裏面を チャ ックテーブルに吸着させる、 こ こで、 チャ ックテーブル の吸着面には、 各集積回路素子の位置に対応する位置に配置 された吸引孔と 、 該半導体基板に配列された複数の集積回路 素子を個々の集積回路素子に分離するためのスク ライブライ ンに対応する位置に形成された複数の溝を有する ；

切断手段によ り 該半導体基板を切断する こ と によ り 、 該複 数の集積回路素子を個々の集積回路素子に分離する、 こ こで、 分離された複数の集積回路素子はチヤ ック テーブルに吸着さ れている ；

該チヤ ックテーブルに吸着されている半導体基板と、 チヤ ックテーブルの上方空間に配置されているプローブとの位置 合わせを行 う ；

集積回路素子の電極パッ ドにプローブを接触させた状態で、 集積回路素子の電気的特性を検査する。

( 16 ) 該複数の集積回路素子が配列された半導体基板の裏面 をフィルムを介 してチヤ ッ クテーブルに吸着させる。

( 1 7 ) 集積回路チップの電気的特性の検査においては、 複数 の集積回路チップの電極パッ ドにプローブを同時に接触させ た状態で、 複数の集積回路チップの電気的特性が一括して検 査される。

図面の簡単な説明

図 1 A， I B は、 本発明の方法に用いられる ウェハの保持 具を示す説明図である。

図 2 は、 本発明の方法の実施の形態を示す工程図である。 図 3 A , 3 B は、 本発明の実施の形態において、 ウェハを 切断する以前の工程を示す説明図である。

図 4 は、 本発明の実施の形態においてウェハを切断する様 子を示す説明図である。

図 5 は、 保持具に保持されたウェハを切断して各集積回路 チップに分離された後の状態を示す平面図である。

図 6 は、 本発明の実施の形態においてウェハ上の集積回路 チップを検査装置によ り 検査する様子を示す説明図である。

図 7 は、 本発明の実施の形態において治具を加熱してゥェ ハの保持具の粘着フ ィ ルムを治具から離す様子を示す説明図 である。

図 8 は、 本発明の実施の形態においてウェハを保持具の粘 着フ ィ ルム か ら剥がすために粘着フ ィ ルム に紫外線を照射し ている様子を示す説明図である。

図 9 は、 本発明の実施の形態において粘着フ ィ ルムか ら集 積回路チップを剥がす様子を示す説明図である

図 1 0 は、 本発明の実施の形態の他の例において用いられ る ウェハの保持具を示す側面図である。

図 1 1 は、 本発明の他の実施の形態に用い られるチャ ック テーブルを示す斜視図である。

図 1 2 は、 本発明の他の実施の形態にて用いられる装置の 概略を示す説明図である。

図 1 3 は、 従来のダイシ ング方法を示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態

図 1 4 は、 本発明の他の実施の形態にて用い られる装置の 概略を示す説明図である。

発明を実施するための最良の形態

以下に、 本発明に関する実施の形態が説明される。 こ の実 施の形態は本発明のダイ シ ング方法、 集積回路素子の、 基板 保持装置及び粘着テープに関する発明の実施の形態を含んで いる。

こ の実施の形態に用いられる基板保持装置 （以下、 「保持 具」 とい う） が、 図 1 A、 Bを参照 しなが ら説明 される。 こ の保持具 2 は、 ウエノ、のサイズよ り も大きいフ レーム （例、 リ ン グ状の フ レーム） 2 1 と 、 こ の フ レー ム 2 1 に展張され た第 1 の接着層 （例、 第 1 の粘着フ ィ ルム） 2 2 と を具備す る。 該粘着フ ィ ルムはフ レーム の外周縁と 同 じサイズと され る こ と ができ る 。 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 は、 その片面 （第 1 の面） 2 2 a の粘着性はエネルギー （例、 紫外線） が加え られる こ と によ り 減じ られる。 当該片面がフ レーム 2 1 の一 面側に貼り 付け られ、 フ レーム 2 1 の内側に展張される。

こ の保持具 2 の中央部 （正確には第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 の中央部） には、 多数の集積回路素子が縦横に配列された半 導体基板例えばシ リ コ ン基板 （以下、 「ウェハ W」 とい う） の裏面側が貼り 付け られる。 こ の保持具 2 を用いる こ と によ り 、 作業者及ぴハ ン ド リ ング装置は こ の保持具 2 のフ レーム 2 1 を持ってウェハ Wを搬送する こ とができ る。

図 2 は、 本実施の形態に係る検査方法の全体の流れを示す 図である。 図 3 Aが示すよ う に、 板状の治具 3 (例、 厚さ 1 mm程度でフ レーム 2 1 の外径と略同 じ大き さの円形プ レー ト） の上に、 その両面が接着層 （例、 粘着性を有する第 2 の 粘着フ ィ ルム） 4 の第 4 の面 4 b を貼り付ける （ステ ップ S 1 ) 。 第 2 の粘着フ ィ ルム 4 の粘着性はエネルギーを加える こ と （例、 加熱） によ り 減じられる。 治具 3 の材質は、 その 熱膨張がシリ コ ンウェハの熱膨張と近似しているかそれよ り 小さいものを用いる こ とが好ま しい。 例えば、 イ ンバー、 ァ ルミ ナイ ト ライ ド （ A 1 N ) 、 炭化珪素 （ S i C ) あるいは シ リ コ ンな どが用い られる こ と ができ る。 その理由は、 各チ ップの検査時に、 チップを加熱した状態に置く 場合がある。 加熱によ り チップが熱膨張する こ と による、 各チップ間の位 置のずれを少な くするためである。

図 3 B に示すよ う に、 ウェハ Wを有する保持具 2 に展張さ れた第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 の第 2 の面 2 2 b を、 治具 3 上 の第 2 の粘着フ ィ ルム 4 の第 3 の面 4 a に貼り 付ける （ステ ップ S 2 ) 。 なお、 こ の例においては、 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2及ぴ第 2 の粘着フ ィ ルム 4 は、 ウェハ Wを治具 3 に接着 させるための接着層を形成 し、 各フ ィ ルム の厚さ は例えば 1 0 0 〜 2 0 0 μ πιである。

続いて、 図 4 に示すよ う に、 ウェハ Wを有する治具 3 はチ ャ ッ クテーブル 5 の上に載置される。 冶具 3 は、 吸引ポンプ 8 4 によ り 吸引管 8 3 を介 して吸引孔 8 1 に形成された真空 引き力によ り 吸引 されて、 チャ ックテーブル 5 に吸着固定さ れる。 切断手段 （例、 切断刃） である回転するプレー ド 5 1 はウェハ W上のスク ライブライ ン 5 2 ' に沿って走行し、 ゥ ェハ Wを切 り 込みライ ン 5 2 で切断する。 複数の集積回路チ ップ Cは個々 のチップに分離される。 ブレー ド 5 1 がウェハ Wを切断している間、 例えば給水手段 5 0 が切断部位に給水 する こ と ができ る。 切 り 込みライ ン 5 2 は第 1 の粘着フィル ム 2 2 の途中まで食い込むこ と もでき る。 チャ ックテーブル 5 は X , Υ , Z方向へ移動し、 及び垂直軸周囲で回転でき る よ う に構成されている。 プレー ド 5 1 と ウェハ Wの位置合わ せを行った後、 回転するプレー ド 5 1 に対してチャ ックテー ブル 5 を正確に移動させる こ と によ り ダイ シングを行 う こ と ができ る （ステ ップ S 3 ) 。 逆に、 チャ ックテーブル 5 に対 して回転するブレー ド 5 1 を移動する こ と もでき る。 更に、 切断手段と して、 レーザー切断手段な どの他の手段も採用 さ れる こ と ができ る。 図 5 はダイ シングが行われた後のウェハ 付き保持具 2 を上から見た図である。

しかる後、 治具 3 は検査装置 （例、 プローバ） に搬入され、 図 6 に示すよ う にチャ ックテーブル 6 の上に載置される。 冶 具 3 は吸引孔 8 1 によ り 吸引 され、 チャ ッ クテーブル 6 に吸 着固定される。 チャ ックテーブル 6 を上昇する こ と によ り 、 プロープカー ド 6 0 に設け られたプローブ例えばプローブ針 6 1 をチップ C の電極パッ ドに接触させる。 こ の状態で、 テ ス タ 6 2 は各チップ C の電気的特性を検査する。 例えば複数 のチップ Cの複数の電極パッ ドに、 プローブ針 6 1 がー括し て接触し、 複数のチップ Cの電気的特性を同時に検査する こ と もでき る （ステ ップ S 4 ) 。 テスタ 6 2 は複数のチップ C の各々 に順次、 検査パルスを与える こ とができ る。 「複数の チップ Cの電気的特性を同時に検査する」 と は、 複数のチッ プ Cの複数の電極パッ ドに複数のプローブ針 6 1 が同時に接 触する と い う意味であって、 各プローブ 6 1 に順次検査パル ス を与える間の ミ ク 口的なタイ ミ ングの遅れを問題とする も のではない。

チャ ックテーブル 6 は、 X， Y， Z方向に移動でき、 かつ 垂直軸回 り で回転でき る よ う に構成されている。 プローブ針 6 1 に対する ウェハ W ( こ こ でい う ウェハ Wは正確にはチッ プ群 Cからなる集合体である） の位置合わせを行った後、 例 えばチヤ ックテーブル 6 を正確に間欠移動させる こ と によ り 、 プローブ針 6 1 とチップ Cの電極パッ ドと が順次接触する。 位置合わせについては、 例えば C C Dカメ ラの画面の所定位 置にウェハ W上のターゲッ トマークが位置する よ う にチヤ ッ クテーブル 6 を位置させる こ と によ り 行う こ とができ る。

各チップ Cの電気的特性の検査が終了する と、 治具 3 は図 7 に示す加熱手段 （例、 加熱プ レー ト） 7 の上に搬送され、 治具 3 は例えば 1 2 0 °C程度に加熱される。 こ の加熱によ り 第 2 の粘着フ ィ ルム 4 にエネルギーが加えられ、 その粘着性 が減少する。 この結果、 第 1 の粘着フィルム 2 2 は第 2 の粘 着フィルム 4 力 ら簡単に剥がされる こ とができ る （ステ ップ S 5 ) 。 図 7 は こ の剥がされた状態を示している。

治具 3 から剥がされた保持具 2 の第 1 の粘着フ イ ルム 2 2 の第 2の面 2 2 b に対して、 図 8 に示すよ う に、 例えば紫外 線照射手段 7 1 が紫外線を照射する。 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 はこの紫外線エネルギーを加えられる こ と によ り 、 その粘 着力は減じ られる （ステ ップ S 6 ) 。 続いて図 9 に示すよ う に、 チップ剥離手段によ り 、 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 上の各 チップ Cは剥がされる。 図 9 に示すよ う に、 チップ剥離手段 と して突き上げ手段 （例、 突き上げピン） 7 2 が使用される 場合は、 第 1 の粘着フ ィ ルムのチップ Cに対応する位置の下 面側を突き上げる こ と によ り 、 チップ Cは第 1 の粘着フィル ム 2 2 から剥がされる。 図示しないハン ド リ ング装置が、 剥 がされたチップ Cをハン ド リ ングして回路基板に実装する。 この場合 1 個ずつ突き上げて剥離しハン ド リ ング しても よい が、 複数個同時に突き上げて剥離しハ ン ド リ ング しても よい。

上述の実施の形態によれば、 保持具 2 の第 1 の粘着フィル ム 2 2 が治具 3 に接着されている状態でウェハ Wが切断され る 。 この結果、 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 が切断手段によ り切 り 込まれても、 当該粘着フ ィ ルム 2 2 は変形しない。 集積回 路チップ Cの各位置は分離される前と 同 じであ り 、 各チップ Cの相対位置はずれない。 その後、 チップ Cが第 1 の粘着フ イ ルム 2 2 を介 して治具 3 上に接着された状態で、 検査装置 においてプローブ針 6 2 とチップ Cの電極パッ ドとの位置合 わせを行い、 チップ Cの電気的特性を検査する こ とができる。 こ のた め検査効率が高く な り 、 スループッ トが高 く な り 、 コ ス ト ダウンに寄与する。 特に複数個のチップ Cを同時に検査 すればその効果は極めて大きい。 更に、 チップ C を 1個ずつ 粘着フ ィ ルム 2 2カゝら剥が して検査を行っていた と き のハン ドリ ングにおける ト ラプルも解消される。 本発明は、 こ の よ う なダイシ ング方法あるいは検査方法に 用い られる基板保持装置及び粘着フィ ルム について も成 り 立 つ。 基板保持装置 1 0 0 は、 上述の実施の形態では、 フ レー ム 2 1 、 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 、 第 2 の粘着フ ィ ルム 4及 び治具 3 からなる構造体が相当する。

上述の例では、 ウェハ Wを治具 3 に接着させるための接着 層 と して第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2及ぴ第 2 の粘着フ ィ ルム 4 が用いられる。 基板保持装置の接着層 と しては 1 枚の両面粘 着フィルムが用いられても よい。 図 1 0 はこのよ う な例を示 す。 第 1 の粘着フ ィ ルム 2 3 と して、 その第 1 の面 2 3 a の 粘着性を減じるために加え られるエネルギー と、 第 2 の面 2 3 b の粘着性を減じるために加え られるエネルギーはその種 類及び大き さの う ちの少な く と も 1 つを異な らせる こ とがで き る。 加えるエネルギーが熱の場合は、 第 1 の面の粘着性を 減じるための温度と、 第 2 の面の粘着性を減じるための温度 と を異な らせる こ とができ る。 また、 加えるエネルギーの種 類を異な らせる場合は、 第 1 の面の粘着性が紫外線によ り 減 じ られ、 第 2の面の粘着性が加熱によ り 小さ く なる粘着フィ ルム 2 3 を用いる こ と ができ る。 後者の場合、 保持具 2 0 0 は第 1 の面にウェハを貼り 付け、 第 2 の面に治具 3 を貼り 付 ける構成が採用される こ と ができ る。 図 1 0 の例では、 先の 例と 同様にフ レーム 2 1 が設け られている。 しかし、 例えば 治具 3 のサイズをウェハ Wと略同 じか、 あるいは少し大き く する こ と によ り 、 治具 3 の上に粘着フ ィ ルム 2 3 の第 2 の面 2 3 b を貼り 付け、 こ の粘着フ ィ ルム 2 3 の第 1 の面 2 3 a にウェハ Wを貼 り 付ける構成も採用される こ とができ る。 こ の構成によ る基板保持装置はフ レーム 2 1 を使用 しない。

検查後に、 第 1 の面 2 3 a に対応したエネルギーを加える こ と によ り 、 第 1 の面の粘着性を減じる。 冶具 3 に貼り 付け られた粘着フィルムの第 1 の面上の各チップを第 1 の面上か ら剥がす。 こ の剥がす方法は、 バキユ ウム或いは手作業な ど 種々 の方法が採用可能である。 こ のエネルギーを加える手段 と しては、 加熱を採用する こ とができ る。 こ の例によれば、 粘着フィルムが 1種類で済み、 また治具 3 の上にウェハ Wを セ ッ トする作業が簡単になる。

粘着フィルム と しては、 粘着性を減じるために粘着面に加 えるエネルギーが両面で異なる ものが好ま しい。 あるいは、 治具側の粘着性を減じるために粘着面に加えるエネルギ一が、 半導体基板側の粘着性を減じるために粘着面に加えるエネル ギ一よ り も小さいものが好ま しい。 その理由は、 通常、 チッ プを粘着フ ィ ルムか ら剥がす工程は粘着フ ィ ルム の下側から 突き上げて行われる。 粘着フ ィ ルムを治具から剥がすために 冶具側の第 2 の面の粘着性を減じたと きに、 チップ側の第 1 の面の粘着性も減じられる と、 チップが粘着フ ィ ルムか ら剥 がれ落ちる恐れがある。 従って、 粘着フィルムの第 2 の面の 粘着性のみを減じる こ とが好ま しい。

こ の種の粘着フ ィ ルム と しては、 例えば一方の面の粘着性 が加熱によ り 減じられ、 他方の面の粘着性が紫外線によ り 減 じ られる も のの他、 両面の粘着性が紫外線によ り 減じられる と と もに、 その粘着性を減じるための紫外線の波長が両面で 異なる ものも用いられる こ とができ る。 加熱する温度を選択 する こ と によ り 、 その粘着力が減じる粘着テープと しては日 東電工株式会社製の商品名 「リ バアルフ ァ 」 が知られてお り 、 紫外線を照射する こ と によ り 、 その粘着性が減じられる粘着 フ ィ ルム と しては古河電気工業株式会社製の商品名 「 S Pシ リ ーズ」 や 「 U C シ リ ーズ」 のダイシングテープ、 日東電工 株式会社製の商品名 「ェレップホルダー」 が知られている。 このよ う な粘着フィルムを用いた場合には、 例えば波長の異 なる 2種類の紫外線照射手段を用いればよい。 あるいは、 粘 着フ ィ ルム の両面の粘着性が加熱によ り 減じ られ、 粘着フィ ルム の治具側の第 1 の面の粘着性を減じるための加熱温度が、 半導体基板側の第 2 の面の粘着性を減じるための加熱温度よ り も低いものを用いる こ と もでき る。 この場合には、 粘着フ イ ルムを加熱する加熱手段 （例えば加熱プ レー ト、 加熱用照 明器具） の加熱温度を変えればよい。 治具側の第 2 の面の粘 着性が紫外線によ り 減じられる場合には、— 紫外線透過性の治 具を用いればよい。 こ の治具 3 の下から紫外線を照射する こ と に よ り 、 ウェハ Wを治具 3 から剥がすこ と ができ る。 ここ でい う粘着フ ィ ルム と は、 複数枚の粘着フ ィ ルムを積層 した も の も含む。 更にまた本発明の接着層は、 粘着フ ィ ルムや接 着剤な ども用レ、 られる こ とができ る。

以上において、 本発明のダイ シングを行 う 手法と しては、 図 1 1 及び図 1 2 に示されるチャ ックテーブル 8 を使用 され る こ と ができる。 このチャ ック テーブル 8 は、 複数の集積回 路素子に夫々対応する位置に形成された吸引孔 8 1 を具備す る。 また、 集積回路素子間のス ク ライ ブライ ンに対応する部 位に形成された溝 8 2 を具備する こ と ができ る。 このチヤ ッ クテーブル 8 にウェハ Wを載置 し、 吸着し、 次いでブレー ド 5 1 がス ク ライ ブライ ンに沿って （即ち、 該溝 8 2 に沿つ て） ウェハ Wを切 り 込み、 ダイ シング しても よい。 この際、 ブレー ド 5 1 は溝 8 2 の中まで切 り 込むこ と もでき る。 図 1 2 において、 8 3 は吸引路、 8 4 は吸引ポンプである。 この 例は、 ウェハ Wがダイ シングされ、 複数のチップが各々 に分 離された状態にあるチャ ックテーブル 8 は検査エ リ アに移動 される。 検查エ リ アにおいて、 プローブ針 6 1 を介してテス タがチップの電気的特性を検査する。

更に、 このよ う なチャ ックテーブルにウエノ、を吸着させる 手法においては、 図 1 4 に示される よ う に、 ウェハ Wの裏面 側に該第 1 の粘着フ ィ ルム 2 2 の よ う に粘着性が紫外線或い は熱によ り 減じ られる片面粘着フ ィ ルムを貼り 付け、 これを チヤ-ヅクテーブルに吸着させる よ う に しても よい。 この場合 には粘着フ ィルムはプレー ド 5 1 によ り 切 り 込まれる ので、 溝 8 2 は必ずしも必要ではない。

以上のよ う に、 本発明の実施例によれば、 半導体基板が治 具に接着されている状態で半導体基板が切断されるので、 切 断時に集積回路チップの相対位置がずれない。 その後、 この 治具上にチップが載ったまま検査装置にて集積回路チップの 電気的特性を検查する こ と ができ る ので、 検査効率が高い。 ダイ シング後に検査装置に搬入される基板を保持する基板保 持装置は小型かつ薄い構造であるから、 従来のダイシング前 の基板を検査する検査装置を少 しの変更を加える だけで流用 する こ と ができ る。

また、 両面の粘着性がエネルギーを加える こ と によ り 減じ られる粘着フィルムは、 該実施態様に採用 されてダイ シング 及び検査の作業を改善する よ う に、 粘着状態 と 非粘着状態と を使い分ける こ と が有効な種々 の用途に採用 される こ と がで き る。

さ らな る特徴及び変更は、 当該技術分野の当業者には着想 される と こ ろである。 それ故に、 本発明はよ り 広い観点に立 つものであ り 、 特定の詳細な及びこ こ に開示された代表的な 実施例に限定される ものではない。

従って、 添付されたク レームに定義された広い発明概念及 びその均等物の解釈 と範囲において、 そこか ら離れる こ と無 く 、 種々 の変更をおこな う こ と ができ る。

Claims

口 求 の 範 囲

1 . 複数の集積回路素子が縦横に配列された半導体基板の ダイ シング方法、 該方法は下記を具備する ：

半導体基板の裏面における少な く と も集積回路素子が配列 された領域の全体を、 少なく と も一層の粘着性を有する接着 層を介して板状の治具に接着させる、 こ こ において、 該接着 層の粘着性は該接着層にエネルギーを加える こ と によ り 減少 する ；

切断手段によ り 該半導体基板を切断する こ と によ り各集積 回路素子を分離する。

2 . 該少な く と も一層の接着層は、 その両面が粘着性を有 する粘着フ ィ ルムである請求項 1 のダイシング方法。

3 . 該粘着フ ィ ルム の両面は第 1 の面と第 2 の面であ り 、 第 1 の面と第 2 の面の粘着性を減少させるために加えるエネ ルギ一は、 その種類及び大き さの内の 1 つが異なる請求項 2 に記載のダイ シング方法。 -

4 . 粘着フ ィ ルム の第 2 の面は治具側であ り 、 第 1 の面は 半導体基板側であ り 、 第 2 の面にその粘着性を減少するため に加えるエネルギーは、 第 1 の面にその粘着性を減少するた めに力 [Iえるエネルギーよ り も小さい、 請求項 3 に記載のダイ シング方法。

5 . 該接着層は第 1 の粘着フ ィ ルム と第 2 の粘着フ ィ ルム と の積層構造である、 こ こ で、 第 1 の粘着フ ィ ルム は体半導 体基板側に接着 し、 その半導体基板側の面の粘着性は、 所定 のエネルギーを加え られる こ と によ り に減じ られる、 第 2 の 粘着フィルムは冶具側に接着し、 その両面の粘着性は該所定 のエネルギーと は異なるエネルギーを加え られる こ と によ り 減じられる、

第 1 の粘着フ ィ ルムは、 半導体基板よ り もサイ ズの大きい リ ング状のフ レーム の内側に展張されている、 請求項 1 に記 載のダイ シング方法。

6 . 半導体基板上に複数形成された集積回路チップの検査 方法、 該検査方法は下記を具備する ：

複数の集積回路素子がその表面に配列された半導体基板の 裏面を、 少な く と も集積回路素子が配列された領域の全体に わたって配置 した少な く と も一層の接着層によ り 板状の治具 に接着させる ；

切断手段によ り 該半導体基板を切断し、 該複数の集積回路 素子を個々 の集積回路素子に分離する、 こ こ で、 該切断され た半導体基板は該接着層によ り 該冶具上に接着されている ； 該治具の上に接着されている半導体基板と、 該冶具の上方 空間に配置されたプローブと を位置合わせする ；

集積回路素子の電極パッ ドにプローブを接触させた状態で、 集積回路素子の電気的特性を検査する。

7 . 該少な く と も一層の接着層は、 その両面が粘着性を有 する粘着フ ィ ルムである請求項 6 の検査方法。

8 . 該粘着フ ィ ルム の両面は第 1 の面と第 2 の面であ り 、 第 1 の面と第 2 の面の粘着性を減少させるために加えるエネ ルギ一は、 その種類及び大き さの内の 1つが異なる、 請求項 7 に記載の検查方法。

9 . 粘着フ ィ ルム の第 2 の面は治具側であ り 、 第 1 の面は 半導体基板側であ り 、 第 2 の面にその粘着性を減少するため に加えるエネルギーは、 第 1 の面にその粘着性を減少するた めに加えるエネルギーよ り も小さい、 請求項 8 に記載の検查 方法。

1 0 . さ ら に、 下記を具備する請求項 8 に記載の検査方法 ： 集積回路素子の電気的特性を検査した後、 粘着フ ィ ルム の 第 2 の面に第 1 のエネルギーを加えた後、 治具から粘着フ ィ ルムを剥がす ；

粘着フ ィ ルム の第 1 の面に第 2 のエネルギーを力 Πえた後、 粘着フ ィ ルムか ら集積回路素子を剥がす。

1 1 . 該接着層は、 半導体基板側に接着し、 半導体基板側の 面の粘着性は、 所定のエネルギーを加えられる こ と によ り に 減じられる第 1 の粘着フ ィ ルム と 、 冶具側に接着する粘着フ イルムであって、 その両面の粘着性は該所定のエネルギーと は異なるエネルギーを加え られる こ と によ り 減じ られる第 2 の粘着フ ィ ルム とが積層された も のであ り 、

第 1 の粘着フ ィ ルムは、 半導体基板よ り もサイ ズの大きい リ ング状のフ レームの内側に展張されている、 請求項 1 0 に 記載の検査方法。

1 2 . 集積回路チップの検査方法、 該検查方法は下記を具備 する ：

複数の集積回路素子が配列された半導体基板の裏面をチヤ ックテ一プルに吸着させる、 こ こで、 チャ ックテーブルの吸 着面には、 各集積回路素子の位置に対応する位置に配置され た吸引孔と 、 該半導体基板に配列された複数の集積回路素子 を個々の集積回路素子に分離するためのス ク ライ ブライ ン） に対応する位置に形成された複数の溝を有する ；

切断手段によ り 該半導体基板を切断する こ と によ り 、 該複 数の集積回路素子を個々の集積回路素子に分離する、 こ こ で、 分離された複数の集積回路素子はチヤ ックテーブルに吸着さ れている ；

該チヤ ックテーブルに吸着されている半導体基板と、 チヤ ックテーブルの上方空間に配置されているプローブとの位置 合わせを行う ；

集積回路素子の電極パッ ドにプローブを接触させた状態で、 集積回路素子の電気的特性を検查する。

1 3 . 該複数の集積回路素子が配列された半導体基板の裏面 をフ ィ ルムを介 してチャ ックテーブルに吸着させる、 請求項

1 2 に記載の検査方法。

1 4 . 複数の集積回路素子が配列された半導体基板を保持す る基板保持装置、 該基板保持装置は下記を具備する ：

半導体基板よ り も サイ ズの大き いフ レーム ；

こ の フ レーム に展張される粘着フ ィ ルム、 該粘着フ ィ ルム の一方の面は半導体基板の裏面が粘着される面である ；

板状の冶具、 こ こ で、 該粘着フ ィ ルムの他方の面は該冶具 に粘着する。

1 5 . 該粘着フ ィ ルム の両面は第 1 の面と第 2 の面であ り 、 第 1 の面と第 2 の面の粘着性はエネルギーを加える こ と によ り 減少 し、 第 1 の面と第 2 の面の粘着性を減少すめためのェ ネルギ一は、 その種類及び大き さの内の 1 つが異なる、 請求 項 1 4 に記載の基板保持装置。

1 6 . 粘着フィ ルムの第 2 の面は冶具側であ り 、 第 1 の面は 半導体基板側であ り 、 第 2 の面にその粘着性を減少するため に加えるエネルギーは、 第 1 の面にその粘着性を減少するた めに加えるエネルギーよ り も小さい、

請求項 1 5 に記載の基板保持装置。

1 7 . 第 1 の面と第 2 の面の両面を有する粘着フ ィ ルム、 該 粘着フィ ルムは下記を具備する ：

第 1 の面と第 2 の面は粘着性の接着層を有する、 こ こにお いて、 該接着層はエネルギーを加えられる こ と によ り その粘 着性が減少する ；

第 1 の面の粘着性を減少させるために加えるエネルギーと 、 第 2 の面の粘着性を減少させるために加えるエネルギーは、 その種類及び大き さの内の 1つが異なる。