WO2004021018A1

WO2004021018A1 - 異方導電性シートおよびインピーダンス測定用プローブ

Info

Publication number: WO2004021018A1
Application number: PCT/JP2003/010748
Authority: WO
Inventors: Daisuke Yamada; Kiyoshi Kimura; Naoshi Yasuda
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2002-08-27
Filing date: 2003-08-26
Publication date: 2004-03-11
Also published as: AU2003257535A1; EP1544625B1; TW200405014A; DE60310739T2; EP1544625A4; ATE349705T1; US7071722B2; KR20050059084A; CN1685240A; DE60310739D1; EP1544625A1; US20060006884A1; KR100892196B1; TWI248517B

Description

明細書異方導電性シートおよびインピーダンス測定用プローブ技術分野

本発明は、プリント配線基板におけるプリント配線回路の特性ィンピーダンスの高周波領域での測定や、高周波半導体装置の電気特性の測定に用いられる異方導電性シートおよび異方導電性シートを用いたインピーダンス測定用プローブに関する。背景技術

近年、コンピュータ等の処理速度の向上に伴って、 C P U (中央処理装置）のクロック周波数および C P Uが外部装置とやりとりするための動作クロック周波数が著しく上昇している。

このように動作クロック周波数が上昇していることにより、 C P Uと外部装置との間でデータ信号を伝送するためのプリント配線基板の性能に対する要求が厳しいものとなってきている。

具体的に、プリント配線基板においては、信号線により形成されているプリント配線回路の特性ィンピーダンスと当該プリント配線回路に電気的に接続される他のプリント配線回路の特性ィンピーダンスとを整合させることや、プリント配線回路の特性ィンピーダンスと当該プリント配線回路に電気的に接続される回路負荷のィンピーダンスとを整合させることが要求されている。

互いに電気的に接続されるプリント配線回路間に特性ィンピーダンスの不整合がある場合や、プリント配線回路の特性ィンピーダンスと当該プリント配線回路に電気的に接続される回路負荷のィンピーダンスとに不整合がある場合には、データ信号の一部が信号信源へと反射されてしまい、これにより、最終的に回路負荷へと向かう信号が弱められ、所望のデータ信号の伝送が行われなくなるおそれがあるという問題が生じる。このような問題は、動作クロック周波数が高くなるにつれて顕著なものとなって無視できないレベルになってしまう。

而して、プリント配線基板の品質を維持するためには、プリント配線基板におけるプリント配線回路の特性ィンピーダンスを測定することが不可欠であり、その測定結果に基づいてプリント配線基板の良否検査が行われている。

従来より、プリント配線基板におけるプリント配線回路のィンピーダンス測定には、 T D R (Time Domain Refrectrometry)法が用いられている。

この方法は、インピーダンス測定の対象となる信号回路（被測定回路）と、基準のグランド回路とからなる伝送回路にパルス信号あるいはステツプ信号を伝送し、伝送回路内での反射信号を検知すると共に反射信号から求められる反射係数を用いて伝送回路（被測定回路）のインピーダンス値（特性インピーダンス）を得るものである。

このような T D R法においては、伝送回路に信号を送信する際、信号発信源から導出されるケーブルと伝送回路とを電気的に接続するための仲介役としてプロープが用いられている。

このようなィンピーダンス測定用プローブとしては、被測定回路に接触させるための被測定回路用コンタクトビンと、グランド回路に接触させるためのグランド回路用コンタクトビンとを別々に備え、被測定回路用コンタクトビンとグランド回路用コンタクトピンとの間に板状の誘電体層を挟むことによつて形成されるマクロストリツプ構造のものと、内部導体と外部導体とを同軸線路形状に配置し、内部導体から被測定回路用コンタクトビンを引き出すと共に外部導体からダランド回路用コンタクトビンを引き出すことによって形成される同軸線構造のものとの二つに大別される。

このようなインピーダンス測定用プローブは、いずれの構造のものであっても、被測定回路用コンタクトピンの先端と、グランド回路用コンタクトピンの先端とをそれぞれ被測定回路である信号回路とダランド回路とに同時に接触（コンタクト）させることによってインピーダンス測定が行われる。

しかしながら、従来のインピーダンス測定用プローブにおいては、先の尖ったコンタクトピンをプリント配 ,锒基板の信号回路やグランド回路に押し付けることによって導通状態が形成されるため、インピーダンス測定時にプリント配線基板を損傷してしまうことがあった。

更に、金属製のコンタクトビンをプリント配線基板の信号回路やグランド回路に接触させるため、インピーダンス測定用プローブとプリント配線基板との接触状態が不安定で測定に対する信頼性が低いという問題もあり、従来のィンビーダンス測定用プローブでは正確にィンピーダンスを測定することが困難であった。また、コンピュータに接続するための機器の動作クロック周波数は今後も更に高くなつていくことが予想され、また、電子部品の微細化、高密度化は更に進むと考えられる。それに伴ってプリント配線基板の品質を確保するために、特性ィンピーダンスを正確に測定することの重要性が更に増すものと考えられるが、従来のインピーダンス測定用プローブによってはこのような要請に十分に対応することができないおそれがある。

一方、例えば特開平 3 _ 1 8 3 9 7 4号公報に開示されているように、従来、プリント配線基板の電気的検查においては、電気的な接続を達成するための部材として、接触安定性が得られると共に、接触時にプリント配線基板に損傷が生じることを抑制することができることから、異方導電性シートを用い、この異方導電性シートをプリント配線基板と検査電極との間に配置し、接触導通状態を達成することが行われていた。

しかしながら、従来知られている異方導電性シートは、高周波領域において使用する場合には伝送損失が大きいなどの問題もあり、このため、高周波領域でのインピーダンス測定においては十分な特性が得られず、実用上、使用が困難なものであった。

' 発明の開示

〔発明が解決しょうとする課題〕

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その第 1の目的は、 1 GH z 以上の高周波領域、特に 1 0 G H z以上の高周波領域のインピーダンス測定に使用可能な異方導電性シートを提供することにある。本発明の第 2の目的は、 1 GH z以上の高周波領域、特に 1 0 GH z以上の高周波領域において、インピーダンス測定時において被測定基板に損傷が生じることが抑制されると共に、高い測定信頼性の得られるィンピーダンス測定用プロ一ブを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

第 1の本発明の異方導電性シートは、弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性を示す導電性粒子が面方向に分散し、厚み方向に並ぶように配向した状態で含有されてなる異方導電性シートであって、

その厚みが 1 0〜 1 0 0 μ mであり、磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径が 5〜 5 0 mであると共に、厚みと磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径 D との比率 ZDが 1 . 1〜 1 0であり、磁性を示す導電性粒子の含有割合が重量分率で 1 0〜4 0 %であって高周波領域のインピーダンス測定に用いられることを特徴とする。

第 1の本発明の異方導電性シートにおいては、磁性を示さない導電性物質が均一に分散した状態で含有されてなることが好ましい。

第 2の本発明の異方導電性シートは、弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸ぴる複数の導電部と、この導電部を相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シートであつて、

導電部の厚みが 1 0〜 1 0 0 μ mであり、磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径が 5〜 5 0 μ mであると共に、導電部の厚み W₂ と磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径 Dとの比率 W₂ ZDが 1 . ：!〜 1 0であり、導電部における磁性を示す導電性粒子の含有割合が重量分率で 1 0〜4 0 %であって高周波領域のインピ一ダンス測定に用いられることを特徴とする。

第 2の本発明の異方導電性シートにおいては、磁性を示さ,ない導電性物質が、導電部と絶縁部とに均一に分散した状態で含有されてなることが好ましレ、。第 2の本発明の異方導電性シートは、ィンピーダンス測定用のプローブの被測定基板の被測定回路に接続される導電部と、当該被測定基板のグランド回路に接続される導電部とが絶縁部により離間されているものであってもよい。

本発明のインピーダンス測定用プローブは、上記の異方導電·生シートを備えてなり、高周波領域において使用されることを特徴とする。

〔発明の実施の形態〕

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

本発明の異方導電性シートは、高周波領域のインピーダンス測定に用いられる異方導電性シートであって、磁性を示す導電性粒子（以下、「磁性導電性粒子」ともいう。）と、弾性高分子物質よりなる基体とにより構成されるものである。具体的には、下記の（1 ) および（2 ) の構成を有する異方導電性シートである。

( 1 ) 弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性導電性粒子が面方向に分散し、力つ厚み方向に並ぶように配向した状態で含有されてなるもの（以下、「第 1の異方導電†生シート」ともいう。）

( 2 ) 弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の導電部と、この導電部を相互に絶縁する絶縁部とが形成されているもの（以下、「第 2の異方導電性シート」ともいう。）本発明の異方導電性シートを構成する磁性導電性粒子は、その数平均粒子径が 5〜5 0 πχであることが必要とされる。

この磁性導電性粒子の数平均粒子径は、 6〜 3 0 μ mであることが好ましく、 8〜 2 0 μ mであることが特に好ましい。

ここで、「磁性導電性粒子の数平均粒子径」とは、レーザー回折散乱法によつて測定されたものをいう。

磁性導電性粒子の数平均粒子径が 5 μ m以上であることにより、得られる異方導電性シートが磁性導電性粒子が含有されている部分の加圧変形が容易なものとなり、また、その製造工程において、磁場配向処理によって磁性導電性粒子を配向させやすくなり、そのため、得られる異方導電性シートが異方性の高いものとなり、特に磁性導電性粒子がシート基体中において面方向に均一に分散した状態の異方導電性シートは分解能（加圧導通時における横方向に隣接するインピーダンス測定用の検査電極間の絶縁性）が良好なものとなる。

一方、磁性導電性粒子の数平均粒子径が 5 0 μ πΐ以下であることにより、得られる異方導電性シートが、その弾性が良好なものとなり、特に第 2の異方導電性シートにおいては、微細な導電部を容易に形成することができる。

磁性導電性粒子としては、後述する製造方法により異方導電性シートを形成するためのシート成形材料中において、当該磁性導電性粒子を磁場の作用によって容易に移動させることができる観点から、その飽和磁化が 0 . l Wb /m² 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは 0 . 3 W b /m² 以上、特に好ましくは 0 . 5 Wb Zm² 以上のものである。

飽和磁化が 0 . l Wb /m² 以上であることにより、その製造工程において磁性導電性粒子を磁場の作用によつて確実に移動させて所望の配向状態とすることができるため、異方導電性シートを使用する際に磁性導電性粒子の連鎖を形成することができる。

磁性導電性粒子の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に高導電性金属を被覆した複合粒子、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、高導電性金属のメツキを施した複合粒子、あるいは芯粒子に、フェライト、金属間化合物などの導電性磁性体および高導電性金属の両方を被覆した複合粒子などが挙げられる。

ここで、「高導電性金属」とは、 0 °Cにおける導電率が 5 X 1 0 ⁶ Ω ¹以上の金属をいう。

このような高導電性金属としては、具体的に、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。これらの磁性導電性粒子の中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの高導電性金属のメツキを施した複合粒子が好ましい。

芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば無電解メツキ法を用いることができる。

磁性導電性粒子は、その数平均粒子径の変動係数が 5 0 %以下のものであることが好ましく、より好ましくは 4 0 %以下、更に好ましくは 3 0 %以下、特に好ましくは 2 0 %以下のものである。

ここで、「数平均粒子径の変動係数」とは、式：（σ /D n ) X 1 0 0 (但し、 σは、粒子径の標準偏差の値を示し、 D nは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。

磁性導電性粒子の数平均粒子径の変動係数が 5 0 %以下であることにより、粒子径の不揃いの程度が小さくなるため、得られる異方導電性シートにおける磁性導電性粒子が含有されている部分の導電性のパラツキを小さくすることができるこのような磁性導電性粒子は、金属材料を常法により粒子化し、あるいは市販の金属粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより得ることがでさる。

粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によつて行うことができる。

また、分級処理の具体的な条件は、目的とする導電性金属粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。

磁性導電性粒子においては、その具体的な形状は、特に限定されるものではないが、複数の球形の一次粒子が一体的に連結されてなる二次粒子からなる形状のものを好ましい形状の粒子として挙げることができる。

磁性導電性粒子として、芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる複合粒子（以下、「導電性複合金属粒子」ともいう。 ) を用いる場合には、良好な導電性が得られる観点から、当該導電性複合金属粒子の表面における高導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する高導電性金属の被覆面積の割合）が 4 0 %以上であることが好ましく、更に好ましくは 45 %以上、特に好ましくは 47〜 95 %である。

また、高導電性金属の被覆量は、芯粒子の重量の 2. 5〜 50質量％であることが好ましく、より好ましくは 3〜45質量⁰ /₀、更に好ましくは 3. 5〜40質量％、特に好ましくは 5〜30質量％である。

また、導電性複合金属粒子は、下記の数式によって算出される、高導電性金属よりなる被覆層の厚み t力 S 10 n m以上であることが好ましく、より好ましくは 10〜 100 nmである。

〔数 1〕

t = 〔1/ (Sw · p ) 〕 X 〔N/ (1一 N) 〕

〔式中、 tは被覆層の厚み（m) 、 Swは導電性複合金属粒子の BET比表面積 (m^z k g) 、 pは高導電性金属の比重（k g/m³ ) 、 Nは被覆層による被覆率（被覆層を構成する高導電性金属の重量/導電性複合金属粒子の重量）を示す。〕

被覆層の厚み t力 S 10 nm以上であることにより、導電性複合金属粒子が導電性の高いものとなり、また、当該導電性複合金属粒子を磁性導電性粒子として用いた異方導電性シートは、温度変化や加圧などによって被覆層が剥離して導電性が低下することが少なヽものとなる。

また、導電性複合金属粒子は、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理されたものであってもよい。

導電性複合金属粒子の表面が力ップリング剤で処理されることにより、当該導電性複合金属粒子と弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結果、得られる異方導電性シートが高！/、耐久性を有するものとなる。

カツプリング剤の使用量は、導電性複合金属粒子本体の導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性複合金属粒子の表面におけるカツプリング剤の被覆割合（導電性複合金属粒子本体の表面積に対するカツプリング剤の被覆面積の割合）が 5%以上となる量であることが好ましく、より好ましくは 7〜10 0%、更に好ましくは 10〜100%、特に好ましくは 20〜100%となる量である。

第 1の異方導電性シートにおいては、磁性導電性粒子の含有割合は、重量分率で 1 0〜 4 0 %であり、特に 1 5〜 3 0 %であることが好ましい。

磁性導電性粒子の含有割合が 1 0 %未満である場合には、異方導電性シートはインピーダンス測定において、その測定系に低インダクタンス性が得られにくく

、特に 1 GH _Z以上の高周波領域のィンピーダンス測定において伝送損失が低くなりにくい。

一方、磁性導電性粒子の含有割合が 4 0 %を超える場合には、異方導電性シートはその弓性が小さくなって脆弱なものとなりやすく、ィンピーダンス測定時にプリント配線基板などの被測定基板を傷つけやすくなる。

第 2の異方導電性シートにおいては、導電部における磁性導電性粒子の含有割合は、重量分率で 1 0〜4 0 %であり、特に 1 5〜3 0 %であることが好ましい磁性導電性粒子の含有割合が 1 0 %未満である場合には、異方導電性シートはインピーダンス測定において、その測定系に低インダクタンス性が得られにくく、特に 1 GH z以上の高周波領域のインピーダンス測定において伝送損失が低くなりにくい。

一方、磁性導電性粒子の含有割合が 4 0 %を超える場合には、異方導電性シートの導電部は弾性が小さくなって脆弱なものとなりやすく、ィンピーダンス測定時にプリント配線基板などの被測定基板を傷つけやすくなる。

本発明の異方導電性シートのシート基体を構成する弾性高分子物質は、液状ゴムの硬化物であることが好ましく、力、かる液状ゴムとしては、液状シリコーンゴム、液状ポリウレタンゴムなどを用いることができる。これらの中でも、液状シリコーンゴムが好ましい。 ' 高分子物質形成材料としての液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度 1 0一¹ s e cで 1 0 ⁵ ポアズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビ -ル基やヒドロキシル基を含有するものなどの、ずれであってもよい。

具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビュルシリコーン生ゴム、メチルフエニルビュルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。

これらの中で、ビュル基を含有する液状シリコーンゴム（ビュル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジク口口シランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルビユルク口口シランまたはジメチルビエルアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解一沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。

また、ビュル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オタタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてァ-オン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビュルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、ァ-オン重合の触媒としては、水酸ィ匕テトラメチルアンモニゥムおよび水酸化 n—ブチルホスホニゥムなどのアル力リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば 8 0〜1 3 0 °Cである。

一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリコーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジァルコキシシランを、ジメチルヒドロクロ口シランまたはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解一沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。

また、ヒドロキシル基を含有する液状シリコーンゴムは、環状シロキサンを触媒の存在下においてァユオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロロシラン、メチノレジヒドロクロロシランまたはジメチノレヒドロアノレコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量おょぴ重合停止剤の量）を適宜選択することによつても得られる。ここで、ァ-オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニゥムおよび水酸化 n—ブチルホスホニゥムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば 8 0〜1 3 0 °Cである。

このような弾性高分子物質は、その分子量 Mw (標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。）が 1 0 0 0 0〜4 0 0 0 0のものであることが好ましレ、。また、得られる第 1の異方導電性シートの耐熱性の観点から、分子量分布指数 (標準ポリスチレン換算重量平均分子量 Mwと標準ポリスチレン換算数平均分子量 Mnとの比 Mw/Mnの値をいう。）が 2以下のものが好ましレ、。

本発明の異方導電性シートを得るための、高分子物質形成材料と磁性導電性粒子とを含有する、後述する製造方法により異方導電性シートを形成するためのシ一ト成形材料中には、高分子物質形成材料を硬化させるための硬化触媒を含有させることができる。

このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸ァゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。

硬化触媒として用いられる有機過酸ィヒ物の具体例としては、過酸化ベンゾィル、過酸化ビスジシクロべンゾィル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどが挙げられる。

硬化触媒として用いられる脂肪酸ァゾ化合物の具体例としては、ァゾビスィソプチロニトリルなどが挙げられる。

硬化触媒として用いることのできるヒドロシリルイ匕反応の触媒の具体例としては、塩ィ匕白金酸およびその塩、白金一不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と 1 , 3—ジビュルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスフアイトと白金とのコンプレックス、ァセチルアセテート白金キレート、環状ジェンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。

硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成材料 1 0 0質量部に対して 3〜1 5質量部である。

本発明の異方導電性シートは、磁性を示さない導電性物質（以下、「非磁性導電性物質」ともいう。）を含有してなるものであってもよい。

具体的には、第 1の異方導電性シートにおいては、非磁性導電性物質は均一に分散された状態で含有され、また、第 2の異方導電性シートにおいては、当該第 2の異方導電性シートを構成する導電部と絶縁部とに均一に分散された状態で含有される。

非磁性導電性物質は、硬化処理前の高分子物質形成材料に添加することにより、成形されて得られる異方導電性シートにおいて、面方向おょぴ厚み方向ともに均一に分散する状態で含有させることができる。

このような非磁性導電性物質は、適量の添加により、得られる異方導電性シートにおいてその異方導電性を損なうことなく、当該異方導電性シートが帯電することを防止する効果を示す。

異方導電性シートが非磁性導電性物質の効果によつて帯電することが防止されてなるものである場合には、当該異方導電性シートを用いたインピーダンス測定の繰り返し実施時において、当該異方導電性シートが帯電することに起因して測定結果に悪影響が生じることを防止することができる。

非磁性導電性物質としては、それ自体が導電性を示す物質（以下、「自己導電性物質」ともいう。）、吸湿することによって導電性が発現される物質（以下、「吸湿導電性物質」ともいう。）などを用いることができる。

自己導電性物質としては、一般的には、金属結合により導電性を示す物質、余剰電子の移動によつて電荷の移動が起こる物質、空孔の移動によつて電荷の移動が起こる物質、イオンを生成し、そのイオンが電荷を運ぶ物質、主鎖に沿って π 結合を有し、その相互作用により導電性を示す物質、側鎖にある基の相互作用によって電荷の移動を起こす物質などから選択して用いることができる。

具体的には、白金、金、銀、銅、ニッケル、コバルト、鉄、アルミゥニム、マンガン、亜鉛、錫、鉛、インジウム、モリブデン、ニオブ、タンタル、クロムなどを含む金属粒子；二酸化銅、酸化亜鉛、酸ィ匕錫などの導電性金属酸化物；チタン酸カリウムなどのウイスカー；ゲルマニウム、珪素、インジウム燐、硫化亜鉛などの半導電性物質；カーボンブラック、グラフアイトなどの炭素系の物質；第 4級アンモニゥム塩、アミン系化合物などの陽イオンを生成する物質；脂肪族スルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、高級アルコールエチレンォキサイド付加硫酸エステル塩、高級アルコール燐酸エステル塩、高級アルコールェチレンォキサイド付加燐酸エステル塩などの陰イオンを生成する物質；ベタインなどの陽イオンおよび陰イオンの両方を生成する物質；ポリアセチレン系ポリマー、アクリル系ポリマー、ポリフエ二レン系ポリマー、複素環ポリマー、ラダーポリマー、ネットワークポリマー、イオン性ポリマーなどの導電性高分子物質などを用いることができる。

自己導電性物質の 1種として例示したイオンを生成する物質は、界面活性剤として総称されることもある。

また、ポリアセチレン系ポリマー、アクリル系ポリマー、ポリフヱエレン系ポリマー、ラダーポリマー、ネットワークポリマーなどのポリマーにおいては、金属ィオンなどをドープすることによつて導電性をコント口ールすることも可能であ。

吸湿導電性物質は、一般的には、吸湿性の大きい物質であることが好ましく、極性の大きい基である、水酸基やエステル基などを有する物質であることが好ましい。

具体的には、クロルポリシロキサン、アルコキシシラン、アルコキシポリシラン、アルコキシポリシロキサンなどの珪素化合物；導電性ウレタン、ポリビュルアルコールまたはその共重合体などの高分子物質、高級アルコールエチレンォキサイド、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、多価アルコール脂肪酸エステルなどのアルコール系界面活性剤、多糖類などを用いることができる。

以上の非磁性導電性物質のうち、好ましいものとしては脂肪族スルホン酸塩を挙げることができる。

また、脂肪族スルホン酸塩のうち、特にアルキルスルホン酸の金属塩を用いることが好ましく、この場合には、得られる異方導電性シートに適度の導電性が付与されて良好な帯電防止効果が得られると共に、アルキルスルホン酸の金属塩が優れた熱安定性を有するために、当該異方導電性シートを高周波領域でのィンピ一ダンス測定に繰り返し用いた場合にも安定した帯電防止効果が得られる。アルキルスルホン酸の金属塩としては、アル力リ金属の塩が好ましい。

アルカリ金属の塩の具体例としては、 1一デカンスルホン酸ナトリウム、 1一ゥンデカンスルホン酸ナトリウム、 1—ドデカンスルホン酸ナトリウム、 1ートリデカンスルホン酸ナトリウム、 1ーテトラデカンスルホン酸ナトリウム、 1— ペンタデカンスルホン酸ナトリゥム、 1—へキサデカンスルホン酸ナトリゥム、 1—ヘプタデカンスルホン酸ナトリゥム、 1ーォクタデカンスルホン酸ナトリゥム、 1ーノナデカンスルホン酸ナトリウム、 1—エイコサンデカンスルホン酸ナトリウム、 1一デカンスルホン酸カリウム、 1—ゥンデカンスルホン酸カリウム、 1 -ドデカンスルホン酸力リウム、 1一トリデカンスルホン酸力リウム、 1一テトラデカンスルホン酸カリウム、 1 _ペンタデカンスルホン酸カリウム、 1一へキサデカンスルホン酸カリウム、 1—ヘプタデカンスルホン酸カリウム、 1一ォクタデカンスルホン酸カリウム、 1—ノナデカンスルホン酸力リウム、 1ーェィコサンデカンスルホン酸カリウム、 1一デカンスルホン酸リチウム、 1ーゥンデカンスルホン酸リチウム、 1—ドデカンスルホン酸リチウム、 1一トリデカンスルホン酸リチウム、 1ーテトラデカンスルホン酸リチウム、 1一ペンタデカンスルホン酸リチウム、 1一へキサデカンスルホン酸リチウム、 1一へプタデカンスルホン酸リチウム、 1—ォクタデカンスルホン酸リチウム、 1—ノナデカンスルホン酸リチウム、 1一エイコサンデカンスルホン酸リチウムおよびこれらの異性体を挙げることができる。

これらの化合物のうちでは、耐熱性が優れている点でナトリゥム塩が特に好ましい。

また、これらの化合物は、複数種を混合して使用しても差し支えない。

アルキルスルホン酸の金属塩の含有割合は、シート基材を構成する高分子物質における 0 . 1〜3 0質量％の範囲内とすることが好ましい。

その理由は、アルキルスルホン酸の金属塩の含有割合が 0 · 1質量％未満である場合には、得られる異方導電性シートにおける帯電防止効果が低くなる場合があり、一方、 3 0質量％を超える場合には、得られる異方導電性シートの機械的強度が低下したり、また、特に第 2の異方導電性シートにおいては、互いに隣り合う導電部間に位置する絶縁部の電気伝導度が高くなって両導電部間の絶縁性が不十分となる場合があるので好ましくない。また、シート成形材料中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エア口ゲルシリカ、アルミナ、ダイヤモンド粉末などの無機充填材を含有させることができる。

このような無機充填材を適度に含有させることにより、当該シート成形材料のチクソトロピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、磁性導電性粒子の分散安定性が向上すると共に、得られる異方導電性シートの強度が高くなる。また、異方導電性シートの表面の硬度が適度に改善されることにより、当該異方導電性シ一トは、インピーダンス測定に繰り返し使用に対する耐久性が向上するという効果を得ることができる。

このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用した場合には、磁場による磁性導電性粒子の配向状態を所望の状態とすることができなくなるため、好ましくない。

また、シート成形材料の粘度は、温度 2 5。Cにおいて 1 0 0 0 0 0〜 1 0 0 0 0 0 0 c pの範囲内であることが好ましい。

図 1は、第 1の本発明に係る異方導電性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。

この第 1の異方導電' [·生シート 1 0は、弾性高分子物質よりなるシート基材中に、磁性導電性粒子 Pが、面方向には均一に分散し、厚み方向には配向した状態で含有されてなるものである。

このような第 1の異方導電性シート 1 0は、例えば以下の方法によつて製造することができる。

先ず、硬化処理によりシート基体となる高分子物質形成材料中に、磁性導電性粒子 Pおよび必要に応じて用いられる非磁性導電性物質が分散されてなる流動性のシート成形材料を調製し、図 2に示すように、このシート成形材料を金型 2 0 内に注入してシート成形材料層 1 0 Aを形成する。

ここで、金型 2 0は、それぞれ矩形の強磁性体板よりなる上型 2 1および下型 2 2が、矩形の枠状のスぺーサー 2 3を介して互いに対向するよう配置されて構成され、上型 2 1の下面と下型 2 2の上面との間にキヤビティが形成されるものである。

次いで、上型 2 1の上面および下型 2 2の下面に、例えば電磁石または永久磁石を配置し、金型 2 0内のシート成形材料層 1 O Aにその厚み方向に平行磁場を作用させる。この磁場配向処理の結果、シート成形材料層 1 O Aにおいては、当該シート成形材料層中に分散されている磁性導電性粒子 Pが、図 3に示すように、面方向に分散された状態を維持しながら厚み方向に並ぶよう配向する。

また、シート成形材料層 1 O A中に、非磁性導電性物質が含有されている場合には、当該非磁性導電性物質は、平行磁場が作用しても当該シート成形材料層 1 O A中に分散されたままの状態である。

そして、この状態において、シート成形材料層 1 0 Aを硬化処理することにより、絶縁性の弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる第 1の異方導電性シート 1 0が得られる。

以上の製造工程において、シート成形材料層 1 0 Aに作用される平行磁場の強度は、平均で 0 . 0 2〜1 . 5 Tとなる大きさが好ましい。

永久磁石によってシート成形材料層 1 0 Aの厚み方向に平行磁場を作用させる場合において、当該永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（F e — A 1— N i— C o系合金）、フェライトなどよりなるものを用いることが好ましい。

シート成形材料層 1 0 Aの硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。

シート成形材料層 1 O Aの硬化処理は、使用される材料によつて適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、シート成形材料層 1 O Aを構成する高分子物質形成用材料などの種類、磁性導電性粒子 Pの移動に要する時間などを考慮して適宜設定される。

第 1の異方導電性シート 1 0は、その厚みが 1 0〜 1 0◦ μ mであることが必要とされる。

厚みが 1 0 μ m未満である場合には、異方導電性シートはその弾性が低いものとなり、そのため、この異方導電性シートをプリント配線基板などの被検査物と検査電極との間に配置して加圧を行い接触導通状態を達成する際に、被検査物が傷つきやすくなる。

一方、厚みが 1 0 0 mを超える場合には、異方導電 1"生シートをプリント配線基板などの被検査物と検查電極との間に配置して加圧を行レヽ接触導通状態を達成する際に、被検査物と検査電極との間の距離が大きくなり、高周波領域、具体的には 1 GH z以上の高周波領域のィンピーダンス測定において伝送損失が低くなりにくい。

そして、第 1の異方導電性シート 1 0においては、その厚み ( /z m) と、磁性導電性粒子の数平均粒子径 D (μ πι) との比率 ZDが 1 . 1〜： L 0であることが必要とされる。

比率 ZDが 1 . 1未満である場合には、異方導電性シートの厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいは大きいものとなるため、この異方導電性シートはその弹生が低いものとなり、そのため、この異方導電性シートをプリント配線基板などの被検查物と検査電極との間に配置して加圧を行レヽ接触導通状態を達成する際に、被検査物が傷つきやすくなる。

一方、比率 ZDが 1 0を超える場合には、異方導電性シートをプリント配線基板などの被検査物と検查電極との間に配置して加圧を行い接触導通状態を達成する際に、被検査物と検査電極との間に多数の導電性粒子が配列して連鎖を形成することとなり、そのため、多数の導電性粒子同士の接点が存在することから、高周波領域、具体的には 1 GH z以上の高周波領域のインピーダンス測定にお V、て伝送損失が低くなりにくい。

図 4は、第 2の本発明に係る異方導電性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。

この第 2の異方導電性シート 4 0は、弾性高分子物質よりなるシート基材中に磁性導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の導電部 1 1と、この導電部 1 1を相互に絶縁する、弾性高分子物質よりなるシート基材によって構成される絶縁部 1 2とよりなるものである。この図の例においては、導電部 1 1は、絶縁部 1 2の両表面から突出した状態に形成されている。

このような第 2の異方導電性シート 4 0は、例えば次のようにして製造することができる。

図 5は、第 2の異方導電 1·生シート 4 0を製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。

この金型は、上型 5 0およびこれと対となる下型 5 5が、枠状のスぺーサー 5 4を介して互いに対向するよう配置されて構成され、上型 5 0の下面と下型 5 5 の上面との間にキヤビティが形成されるものである。

上型 5 0においては、基板 5 1の下面に、目的とする異方導電性シート 4 0の導電部 1 1の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層 5 2が形成され、この強磁性体層 5 2以外の個所には、当該強磁性体層 5 2の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層 5 3が形成されてい ¾。

一方、下型 5 5においては、基板 5 6の上面に、目的とする異方導電性シート 4 0の導電部 1 1の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 5 7が形成され、この強磁性体層 5 7以外の個所には、当該強磁性体層 5 7の厚みより大きレヽ厚みを有する非磁性体層 5 8が形成されている。

このような金型を用い、第 1の本発明の異方導電性シートと同様な成形方法により、図 6に示すように、当該金型内に、硬化処理によりシート基体となる高分子物質形成材料中に磁性導電性粒子 Pおよび必要に応じて用いられる非磁性導電性物質が分散されてなる流動性のシート成形材料を注入してシート成形材料層 4 O Aを形成し、上型 5◦の上面および下型 5 5の下面に、例えば電磁石または永久磁石を配置し、金型内のシート成形材料層 4 O Aにその厚み方向に平行磁場を作用させる。この磁場配向処理の結果、図 7に示すように、シート成形材料層 4 0 Aには、上型 5 0の強磁十生体層 5 2とこれに対応する下型 5 5の強磁性体層 5 7との間の部分において、それ以外の部分より大きい強度の磁場が作用されることから、シート成形材料層 4 O A中に分散されている磁性導電性粒子 Pが大きい強度の磁場が作用されている部分 1 1 Aに集合する。そして、この状態において、シート成形材料層 4 O Aを硬化処理することにより、弾性高分子物質よりなるシート基材中に磁性導電性粒子 Pが密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の導電部 1 1と、この導電部 1 1を相互に絶縁する絶縁部 1 2とよりなる第 2の異方導電性シート 4 0が得られる。

第 2の異方導電性シート 4 0は、導電部 1 1の厚みが 1 0〜 1 0 0 mであることが必要とされる。

導電部 1 1の厚みが 1 0 m未満である場合には、異方導電性シートはその弾性が低いものとなり、そのため、ごの異方導電¹生シートをプリント配線基板などの被検査物と検査電極との間に配置して加圧を行い接触導通状態を達成する際に、被検査物が傷つきやすくなる。

一方、導電部 1 1の厚みが 1 0 0 mを超える場合には、異方導電性シートをプリント配線基板などの被検查物と検査電極との間に配置して加圧を行い接触導通状態を達成する際に、被検査物と検査電極との間の距離が大きくなり、高周波領域、具体的には 1 GH _Z以上の高周波領域のィンピーダンス測定において伝送損失が低くなりにくレ、。

そして、第 2の異方導電性シート 4 0においては、その導電部 1 1の厚み W₂ ( β ϊΏ.) と、磁性導電性粒子の数平均粒子径 D ( μ ηι) との比率 W₂ ZDが 1 . ：!〜 1 0であることが必要とされる。

比率 W₂ /Dが 1 . 1未満である場合には、異方導電性シートの導電部の厚みに対して磁性導電性粒子の直径が同等あるいは大きいものとなるため、この異方導電性シートの導電部はその弾性が低いものとなり、そのため、この異方導電性シートをプリント配線基板などの被検査物と検査電極との間に配置して加圧を行い接触導通状態を達成する際に、被検査物が傷つきやすくなる。

一方、比率 W₂ ZDが 1 0を超える場合には、異方導電性シートをプリント配線基板などの被検査物と検査電極との間に配置して加圧を行 Vヽ接触導通状態を達成する際に、被検査物と検査電極との間に多数の導電性粒子が配列して連鎖を形成することとなり、そのため、多数の導電性粒子同士の接点が存在することから、高周波領域、具体的には 1 GH z以上の高周波領域のィンピーダンス測定において伝送損失が低くなりにくい。

本発明の異方導電性シートにおいては、上記の実施の形態に限定されず種々の変更を加えることが可能である。

例えば第 2の異方導電性シートは、図 8および図 9に示すように、円柱状の導電部と、当該導電部 Kよりも大きい内径を有すると共に、この導電部 Kと同軸を有する円筒状の導電部 Gとの 2つの導電部を備えてなるものであってもよい。この異方導電性シ一ト 8 0においては、導電部 Kはインピーダンス測定用プローブ本体の測定回路に接続される導電部であり、また、導電部 Gはインピーダンス測定用プローブ本体のグランド回路接続用回路に接続される導電部である。異方導電性シート 8 0を構成するこれらの導電部 Kおよび導電部 Gには、磁性導電性粒子が密に含有されており、また、導電部 Kと導電部 Gとは絶縁部 Nにより電気的に絶縁されている。

図 1 0は、図 8および図 9に示した異方導電性シート 8 0がィンピーダンス測定用プローブ本体に備えられてなる、本発明のインピーダンス測定用プローブを示す説明用概念図である。

このインピーダンス測定用プローブ 1 2 0は、円柱状の測定回路 1 2 1と、当該測定回路 1 2 1よりも大きい内径を有すると共に、この測定回路 1 2 1と同軸を有する円筒状のグランド回路接続用回路 1 2 2と有する、その全体形状が円柱状のィンピーダンス測定用プロープ本体 1 2 0 Aと、異方導電性シート 8 0とよりなるものである。

このインピーダンス測定用プローブ 1 2 0において、異方導電 1"生シート 8 0の片面（図 1 0において下面）側の導電部 Kの端面は、インピーダンス測定用プローブ本体 1 2 O Aの測定回路 1 2 1に接続され、また、当該片面側の導電部 Gの端面は、インピーダンス測定用プローブ本体 1 2 O Aのグランド回路接続用回路 1 2 2に接続されている。

この図の例において、異方導電性シート 8 0は、導電部 Kが測定回路 1 2 1に適合した径を有し、導電部 Gがグランド回路接続用回路 1 2 2に適合した径を有している。この異方導電性シート 8 0が備えられてなるィンピーダンス測定用プローブ 1 2 0は、当該異方導電性シート 8 0のインピーダンス測定用プローブ本体 1 2 0 Aと接続されている片面と反対側の面（図 1 0において上面）を、被測定基板であるプリント配線基板に接触させ加圧することにより、異方導電性シート 8 0の各導電部（導電部 Kおよび導電部 G) を介して、プリント配線基板の被測定回路とインピーダンス測定用プローブ本体 1 2 O Aの測定回路 1 2 1とが接続されると共に、プリント配 II基板の基準のグランド回路とインピーダンス測定用プロ一プ本体 1 2 O Aのグランド回路接続用回路 1 2 2とが接続されることによって導通が達成され、インピーダンス測定が実施される。図面の簡単な説明

図 1は、第 1の本発明に係る異方導電'性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。

図 2は、第 1の本発明に係る異方導電†生シートの製造用の金型内にシート形成材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 3は、第 1の本発明に係る異方導電性シートの製造用の金型内に形成されたシート形成材料層に厚み方向に平行磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。

図 5は、第 2の本発明に係る異方導電性シートの製造用の金型の一例における構成を示す説明用断面図である。

図 6は、第 2の本発明に係る異方導電性シートの製造用の金型内にシート形成材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 7は、第 2の本発明に係る異方導電性シートの製造用の金型内に形成されたシート形成材料層に厚み方向に平行磁場が作用された状態を示す説明用断面図であ。

図 8は、第 2の本発明に係る異方導電性シートの変形例の一例を示す上面図である。

図 9は、第 2の本発明に係る異方導電性シートの変形例の一例を示す断面図でめる。

図 1 0は、本発明に係るインピーダンス測定用プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。

〔符号の説明〕

1 0 異方導電性シート

1 O A シート成形材料層

1 1

1 1 A 大きい強度の磁場が作用されている部分

1 2 絶縁部

2 0 金型

2 1 上型

2 2 下型

2 3 スぺーサー

P 磁性導電性粒子

4 0 異方導電性シート ,

4 O A シート成形材料虐

5 0 上型

5 1

5 2 強磁性体層

5 3 非磁性体層

5 4 スぺーサー

5 5 下型

5 6 基板

5 7 強磁性体層

5 8 非磁性体層 80 異方導電性シート

120 インピーダンス測定用プローブ

120 A ィンピーダンス測定用プローブ本体

121 測定回路

122 グランド回路接続用回路

K 導電部

G 導電部

N 絶縁部発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

[実施例 1]

〈異方導電性シートの作製〉

信越ィヒ学工業株式会社製の付加型液状シリコーンゴム ΓΚΕ2000 - 60」 100質量部中に、数平均粒子径が 8 μ mの磁性導電性粒子 22. 5質量部と、ナトリウムアルキルスルホネート (C_n H_2n÷1SO₃ N a (n=12〜20) ) 2. 5質量部とを添加して混合することにより、シート成形材料を調製した。以上において、磁性導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子に金メッキが施されてなる複合粒子（平均被覆量：芯粒子の重量の 7質量％) を用いた。図 2に示した構成を有する厚さ 30 μηιのスぺーサーを備えてなる金型内に、調製したシート成形材料を注入してシート成形材料層を形成した。

そして、強磁性体板よりなる上型および下型の間に形成されたシート成形材料層に対し、電磁石によってその厚み方向に 2 Τの磁場を作用させながら、 100 °C、 1時間の条件で硬ィ匕処理を施すことにより、図 1に示した構成を有する異方導電性シートを製造した。

以下、この異方導電性シートを「異方導電性シート Cl」という。

〈異方導電性シートの高周波特性の評価〉製造した異方導電性シート C 1について、ィンピーダンス測定に用いた場合のその測定系のィンダクタンスゃ異方導電性シートを構成する磁性導電性粒子の粒子界面の抵抗損失などを複合して表される値である伝送損失を指標として異方導電性シートの高周波領域における使用の適否を判断した。

具体的には、ネットワークアナライザ一を使用して、周波数 1 0 GH _Z〜6 0 GH zでの伝送損失（Sパラメータ）を測定し、測定された伝送損失の値（Sパラメータ）が一 2 d B〜0 d Bの範囲内である場合を合格と評価した。

ここに、伝送損失の値（Sパラメータ）がー 2 d B〜0 d Bの範囲内である場合には、良好な状態でプリント配線基板等のィンピーダンス測定を行うことができ、特に一 1 d B〜0 d Bの範囲内である場合には、更に良好な状態でインピーダンス測定を行うことができる。

一方、伝送損失の値（Sパラメータ）が絶対値で一 2 d Bより大きくなるような場合には、インピーダンス測定は困難となる。

結果を表 1に示す。表 1において、測定された伝送損失の値（Sパラメータ）が _ 1 d B〜0 d Bの範囲内であった場合を「〇」で示し、測定された伝送損失の値（Sパラメータ）がー 2 d B〜一 1 d Bの範囲内であった場合を「△」で示し、測定された伝送損失の値（Sパラメータ）がー 2 d Bよりも絶対値で大きくなった場合を「X」で示した。

[実施例 2〜 1 0および比較例：！〜 8 ]

実施例 1において、表 1に示すように、使用する磁性導電性粒子の数平均粒子径、添加する磁性導電性粒子の質量、磁性導電性粒子の金メッキ量、金型を構成するスぺーサ一の厚みを各々変化させたこと以外は実施例 1と同様の手法によつて異方導電性シート C 2〜C 1 8製造した。

製造した製造した異方導電性シート C 2〜C 1 8について、実施例 1と同様の手法によって伝送損失（Sパラメータ）を測定し、異方導電性シートの高周波特性を評価した。結果を表 1に示す。赚導電條子比率雌導電雌子纖導電雌子周波数

厚みの数平雕子径 D の含棚合の金メッキ量

(質量⁰ (質量％) 10GHz 20GHz 30GHz 40GHz 50GHz 60GHz 実施例 1 シート C 1 30 8 3.8 22.5 7 リリ雄例 2 シ一卜 C2 50 8 6.3 22.5 7 リリ難例 3 シ一卜 C3 65 8 8.1 22.5 7 リ

例 4 シ一卜 C4 30 18 1.7 22.5 8 リリ ο 雄例 5 シ一ト C 5 50 18 2.8 22.5 8 Π π π 〇 π πリ難例 6 卜 C6 65 18 3.6 22.5 8 〇〇 π 〇〇魏例 7 シート C 7 100 18 5.6 22.5 8 〇〇リ ο Δ

¾例 8 シ一卜 C8 30 24 1.3 22.5 20 o 〇 ο ο 〇 ο 諭例 9 シ一卜 C9 50 24 2.1 22,5 20 〇〇〇〇〇〇実施例 10 シート C10 100 24 4.2 22.5 20 〇〇〇 Δ Δ Δ 比較例 1 シート C11 30 8 3.8 8 7 △ Δ 厶 △ X X 比較例 2 シート C12 100 8 12.5 22.5 7 〇〇 Δ Δ X X 比較例 3 シート C13 125 8 15.6 22.5 7 Δ Δ X X X X 比較例 4 シート C14 125 18 6.9 22.5 8 〇〇厶 △ X X 比較例 5 シート c 125 24 5.2 22.5 20 〇 Δ Δ X X X 比較例 6 シート C16 65 53 1.2 22.5 82 Δ △ Δ Δ X X 比較例 7 シート C17 100 53 1.9 22.5 82 厶 △ Δ X X X 比較例 8 シート C18 125 53 2.4 22.5 82 X X

発明の効果

本発明の異方導電性シートは、特定の厚みを有すると共に、特定の数平均粒子径を有する磁性導電性粒子が含有されてなるため、高周波領域のィンピーダンス測定において、抵抗損失が低い状態でインピーダンス測定が行うことができると Vヽう優れた電気的特性を有すると共に、十分な弾性が維持されていることから、加圧導通時に被測定基板を損傷させることが少なく、繰り返し使用の耐久性が良好なものである。

従って、本発明の異方導電性シートは、 1 GH z以上の高周波領域、特に 1 0 GH z以上の高周波領域のインピーダンス測定に好適に使用することができ、微細なピッチのプリント配線基板や電子部品などを測定対象とすることができる。本発明のィンピーダンス測定用プローブは、上記の異方導電性シートを備えてなるものであるため、当該異方導電性シートが有する低伝送損失性と、被測定基板に対する傷つけ防止効果と、良好な繰り返し使用の耐久性とに由来して、高周波領域、具体的には 1 G以上の高周波領域において優れた性能を示すものである従って、本発明のインピーダンス測定用プローブによれば、 1 GH z以上の高周波領域、特に 1 0 G H z以上の高周波領域において、インピーダンス測定時において被測定基板に損傷が生じることが抑制されると共に、高レ、測定信頼性を得ることができる。

Claims

請求の範囲

〔 1〕弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性を示す導電性粒子が面方向に分散し、厚み方向に並ぶように配向した状態で含有されてなる異方導電性シ一トであって、

その厚みが 1 0〜： L 0 0 mであり、磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径が 5〜 5 0 mであると共に、厚みと磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径 D との比率 ZDが 1 . 1〜 1 0であり、磁性を示す導電性粒子の含有割合が重量分率で 1 0〜4 0 %であって高周波領域のインピーダンス測定に用いられることを特徴とする異方導電性シート。

〔2〕磁性を示さない導電性物質が均一に分散した状態で含有されてなることを特徴とする請求項 1に記載の異方導電性シート。

〔3〕弾性高分子物質よりなるシート基体中に、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の導電部と、この導電部を相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シ一トであって、

導電部の厚みが 1 0〜： L 0 0 μ mであり、磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径が 5〜 5 0 mであると共に、導電部の厚み W₂ と磁性を示す導電性粒子の数平均粒子径 Dとの比率 W₂ ZDが 1 . 1〜： 1 0であり、導電部における磁性を示す導電性粒子の含有割合が重量分率で 1 0〜4 0 %であって高周波領域のィンピ一ダンス測定に用いられることを特徵とする異方導電性シート。

〔 4〕磁性を示さな!/ヽ導電性物質が、導電部と絶縁部とに均一に分散した状態で含有されてなることを特徴とする請求項 3に記載の異方導電性シート。

〔 5〕インピーダンス測定用のプローブの被測定基板の被測定回路に接続される導電部と、当該被測定基板のグランド回路に接続される導電部とが絶縁部により離間されていることを特徴とする請求項 3または請求項 4に記載の異方導電性シート。

〔 6〕請求項 1乃至請求項 5のいずれかに記載の異方導電性シートを備えてなり、高周波領域において使用されることを特徴とするィンピーダンス測定用プロープ。