WO2004053952A1

WO2004053952A1 - 露光装置及びデバイス製造方法

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Publication number: WO2004053952A1
Application number: PCT/JP2003/015587
Authority: WO
Inventors: Nobutaka Magome; Hiroaki Takaiwa; Dai Arai
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2002-12-10
Filing date: 2003-12-05
Publication date: 2004-06-24
Also published as: KR20050086771A; JP4525827B2; AU2003289199A1; US20050225735A1; EP1571694A4; TW200416497A; EP1571694A1; KR101037057B1; JP2009105473A; US20060154183A1; KR20110003577A; US20070171391A1; KR101085372B1; US8034539B2; SG171468A1

Abstract

　投影光学系と基板との間に液体を満たして露光する際、基板に付着した液体に起因するデバイスの劣化を抑えることができる露光装置を提供する。デバイス製造システムＳＹＳは、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間を液体５０で満たし、投影光学系ＰＬと液体５０とを介してパターンの像を基板Ｐ上に投影する露光装置本体ＥＸと、露光装置本体ＥＸと基板Ｐの露光後の処理を行うコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄとのインターフェース部ＩＦと、基板Ｐの露光後、インターフェース部ＩＦを介して基板Ｐがコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄへ搬出される前に、基板Ｐに付着した液体５０を除去する液体除去装置１００とを備えている。

Description

明細書露光装置及びデバィス製造方法技術分野

本発明は、投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たし、投影光学系によって投影したパターン像で基板を露光するための露光装置、この露光装置に用いられる液体除去装置並びにこの露光装置を用いるデバイス製造方法に関するものである。背景技術

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステ一ジと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである c 近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高〈なる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は、 K r Fエキシマレ一ザの 2 4 8 n mであるが、更に短波長の A r Fエキシマレ一ザの 1 9 3 n mも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（D O F ) も重要となる。解像度 R、及び焦点深度 <5はそれぞれ以下の式で表される。

R二 k 1 . 入/ N A … ( 1 )

<5 =土 k 2 ■ λ / Ν A ² … ( 2 )

ここで、 λは露光波長、 Ν Αは投影光学系の開口数、 k 1 、 k 2はプロセス係数である。（ 1 ) 式、（2 ) 式より、解像度 Rを高めるために、露光波長 Aを短〈して、開口数 N Aを大き〈すると、焦点深度 <5が狭くなることが分かる。焦点深度 < が狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のマージンが不足する恐れがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広〈する方法として、例えば国際公開第 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で满たし、液体中での露光光の波長が、空気中の 1 / n ( nは液体の屈折率で通常 1 . 2〜1 . 6程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約 n倍に拡大するというものである。ところで、上記液浸法を用いて基板を露光処理した場合、露光処理後において基板の表面に液体が残存する場合がある。この残存する液体を基板に付着させた状態で搬送すると、搬送中において液体が基板から落下し、落下した液体により搬送経路周辺の各装置や部材が請びたり、露光装置が配置されている環境のクリーン度を維持できなくなる等の不都合が生じる。あるいは、落下した液体により露光装置周辺の環境変化（湿度変化）をもたらす場合もある。湿度変化が生じると、例えばステ―ジ位置計測に用し、る光干渉計の光路上の空気に揺らぎが生じ、ステ一ジ位置計測が精度良く行われな〈なり、所望のバタ一ン転写精度が得られなくなるという問題が生じる。また、露光処理後において基板に液体を付着させた状態で例えば現像処理が実行されると、所望の性能を有するデノィスが製造できなくなるおそれが生し o 発明の開示本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、投影光学系と基板との間に液体を満たして露光処理する際、露光後に基板に付着した液体に起因するデバイスの劣化を抑えることができる装置、その装置を組み込んだ露光装置、並びにこの露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1〜図 1 5に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定する意図は無い。本発明の第 1の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

パターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（PL) と、

露光された基板（P) を処理する処理装置（C/D) との接続部（I F) と、接続部（I F) を介して基板（P) が処理装置（C/D) へ搬出される前に、基板（ P ) に付着した液体（50) を除去する液体除去装置（ 1 00、 22、 33、 34) とを備える露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、露光処理が施された基板に対して所定の処理を行う処理装置に搬送する前に基板に付着した液体を除去する液体除去装置を設けたので、液体を除去した状態で基板に対して所定の処理を行うことができる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。本発明の第 2の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

パターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（PL) と、

露光された基板（P) に付着した液体（50) を除去する液体除去装置（1 00、 22、 33、 34) と、

露光された基板（P) を液体除去装置（1 00、 22、 33、 34) に搬送する第 1搬送部材（H 2、 43) と、

液体除去装置（ 1 00、 22、 33、 34 ) により液体（ 50 ) が除去された基板（P) を液体除去装置（ 1 00、 22、 33、 34) から搬送する第 2搬送部材 (H 3、 44) とを備える露光装置（SY S、 EX) が提供される。本発明によれば、基板の露光後に基板に付着した露光用の液体を除去する液体除去装置を設けたので、基板搬送中に基板から液体が落下し環境変化をもたらす等の不都合の発生を抑えることができる。この場合、第 1搬送部材により液浸法で露光処理され液体が付着している基板を液体除去装置まで搬送することができる。そして、液体除去装置で液体が除去された基板を第 1搬送部材とは別の第 2搬送部材で搬送することにより、基板に液体を付着させない状態でこの基板を所定のィ立置まで搬送することができる。なお、本発明では、前記第 1搬送部材は、その表面の少なくとも一部が撥液性であることが好ましい。本発明の第 3の態様に従えば、パターンの像を液体 (50) を介して基板 (P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

パターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（P L) と、

露光された基板（P) を搬送する搬送システム（H) と、

基板（P) の搬送経路に設けられ、基板（P) に付着した液体（50) を除去する液体除去装置（ 1 00、 22、 33、 34) とを備え、

液体除去装置（ 1 00、 22、 33、 34 ) は、液体（ 50 ) の除去を行うときに液体（50) が飛散することを防止するように基板 (P) 周囲の少なくとも一部を覆うカバー（25、 30、 40) を有する露光装置（S YS、 EX) が提供される。本発明によれば、基板を搬送する搬送システムの搬送経路の途中に基板に付着した露光用の液体を除去する液体除去装置を設けたので、.露光装置（露光装置本体）での露光処理と、搬送絰路の途中に設けられた液体除去装置での液体除去処理とを同時に行うことができる。したがって、スループットを低下させることなく各処理を実行することができる。この場合において、液体除去装置は液体の飛散を防止するカバ一機構を備えているので、搬送経路の周囲に液体が飛散するのを防止できる _c したがって、湿度変化などの環境変化や装置の請びなどの発生を防止することができる。なお、本発明では、前記カバ一機構はチャンバを含むことが好ましい。上記第 1〜3の態様の露光装置では、前記液体除去装置は、前記露光後の基板を洗浄する洗浄装置を備え、前記洗浄装置による前記基板の洗浄後に、前記基板に付着した洗浄液を除去することが好ましい。本発明の第 4の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

パターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（P L) と、

基板（P) を保持する基板ステージ（P S T) と、

基板ステ一ジ（P S T) から露光された基板（P) を搬出する前に、基板（P) に付着した液体（50) を除去する液体除去装置（22) とを備える露光装置（S Y S、 EX) が提供される。本発明によれば、露光処理が行われる基板ステージから基板を搬出する前に基板に付着した液体を除去することで、基板の搬送中に基板から液体が落下するといつた不都合の発生を抑えることができる。上記第 1〜4の態様の露光装置では、前記露光後に、前記液体が付着した基板は水平面に対して所定角度で搬送してもよい。また、前記液体除去装置は、前記基板上の液体を、吹き飛ばし、吸弓 I、及び/または乾燥により除去し得る。本発明の第 5の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

パターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（P L) と、

露光された基板（P) を搬送する搬送システム（H) と、

基板（P) の搬送経路の下の少なくとも一部に、露光後の基板（P) から落下した液体（50) を処理する液体処理機構とを備える露光装置（SY S、 EX) が提供される。本発明によれば、露光後の基板を搬送システムで搬送するとき、基板に液体が付着していたとしても、搬送中に基板から落下した液体を液体処理機構で処理することにより、搬送経路の周囲に液体が飛散することを防止できる。したがって、湿度変化などの環境変化や装置の請びなどの発生を防止することができる。前記液体処理機構は、前記搬送経路の下の少なくとも一部に配置された樋部材と、該樋部材を介して回収された液体を排出する排出機構とにより構成し得る。本発明の第 6の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

パターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（P L) と、

露光された基板（P) を処理する処理装置（C/D) へ基板（P) が搬出される前に、露光された基板（P) を洗浄する洗浄装置（ 1 50) とを備える露光装置 (EX) が提供される。本発明によれば、液浸露光中、あるいは露光後の基板の搬送中に基板表面に付着した異物などを洗い落とすことができ、清浄な基板を送り出すことができる。特に、液浸露光に用いる液体が水以外の液体、例えば、セダー油ゃフッ素系オイルなどの有機系の液体である場合には、その後の基板の処理に影響を与えないために洗浄装置でそのような液体を除去しておくのが望ましい。本発明の第 7の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

ノ\°ターンの像を基板（P) に投影する投影光学系（P L) と、

液体が付着した基板（P) を搬送する第 1搬送部材（H 2、 43) と、

液体が付着していない基板（P) を搬送する第 2搬送部材（H 1、 H 3、 44) とを備える露光装置（S Y S、 EX) が提供される。本発明によれば、液体が付着した基板を搬送する第 1搬送部材と、液体が付着していない基板を搬送する第 2搬送部材とを使い分けているので、第 2搬送部材への液体の付着、あるいは第 2搬送部材で搬送される基板への液体の付着が防止され、液体の拡散、飛散を抑制することができる。本発明の第 8の態様によれば、液体（50) を介して基板（P) 上に露光光を照射して基板（P) を露光する露光装置（EX) であって、

基板を保持して移動可能な第 1保持部材（ P S T 1 ) と、

基板を保持して移動可能な第 2保持部材（ P S T 2 ) と、

前記第 1保持部材に保持された基板が露光されているときに、前記第 2保持部材に保持された、露光を終えた基板に付着した液体の除去を行う液体除去装 S ( 1 0 0， 30) とを備える露光装置（SY S， EX)'が提供される。本発明によれば、一方の保持部材に保持された基板の露光処理と、他方の保持部材に保持された露光後の基板の液体除去処理との少なくとも一部を並行して行うことによって、液体除去処理に伴う装置のスループッ卜の低下を抑えることができる本発明の第 9の態様に従えば、パターンの像を液体（50) を介して基板（P) 上に転写して基板（P) を露光する露光装置（EX) と共に用いられる液体除去装置（ 1 00) であって、

露光された基板（ P ) を保持する保持部（21、 36、 43) と、

基板（ P )上に存在する露光用の液体（50) を除去する液体除去機構（22、 33、 34、 37、 38) とを備える液体除去装置。本発明の第 1 0の態様に従えば、本発明の露光装置と、露光した基板を処理する処理装置とを備える露光システムが提供される。前記処理装置は、基板の基材に感光性材料を塗布する塗布装置及び露光された基板を現像する現像装置の少なくとも一方を含み得る。本発明では、上記態様の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、基板に付着した液体に起因する露光処理瑋境の変化や、露光処理後の基板の所定の処理（現像処理等）に与える影響を抑えることができるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。図面の簡単な説明図 1は、本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの一実施形態を示す概略構成図である。

図 2は、図 1を上方から見た図である。

図 3は、露光処理を行う露光装置本体の一実施形態を示す概略構成図である。図 4は、供給ノズル及び回収ノズルの配置例を示す図である。

図 5は、本発明に係る液体除去装置の一実施形態を示す概略構成図である。図 6は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図 7 ( a ) 及び（b ) は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。

図 8は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図 9は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図 1 0は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図 1 1は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図 1 2は、本発明に係る液体除去装置の他の実施形態を示す概略構成図である。図 1 3は、本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの他の実施形態を示す概略構成図である。

図 1 4は、本発明の露光装置としてのデバイス製造システムの他の実施形態を示す概略構成図である。

図 1 5は、半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。発明を実施するための最良の形態第 1実施形態

以下、本発明の露光装置及びデバイス製造方法について図面を参照しながら説明する。図 1は本発明の露光装置を備えたデバイス製造システムの一実施形態を示す図であって側方から見た概略構成図、図 2は図 1を上方から見た図である _n 図 1、図 2において、デバイス製造システム S Y Sは、露光装置 EX— S Y Sと、コ—夕 .デベロヅパ装置 C/D— S Y Sとを備えている。露光装置 EX— S Y Sは、コ―タ .デベロツバ装置 C/D— S Y Sとの接続部を形成するインタ一フェース部 I Fと、投影光学系 PLと基板 Pとの間を液体 50で満たし、投影光学系 P Lと液体 50とを介してバタ一ンの像を基板 P上に投影して基板 Pを露光する露光装置本体 EXと、ィンタ一フェース部 I Fと露光装置本体 EXとの間で基板 Pを搬送する搬送システム Hと、搬送システム Hの搬送経路の途中に設けられ、露光処理後の基板 Pに付着した液体を除去する液体除去装置 1 00と、露光装置 EX— SY S全体の動作を統括制御する制御装置 CO NTとを備えている。コ—夕 'デベロツバ装置 C/D— SY Sは、露光処理される前の基板 Pの基材に対してフォトレジスト（感光剤）を塗布する塗布装置と、露光装置本体 EXにおいて露光処理された後の基板 Pを現像処理する現像装置（処理装置） Dとを備えている。露光装置本体 EXはクリーン度が管理された第 1チャンバ装置 CH 1内部に配置されている。一方、塗布装置 C及び現像装置 Dは第 1チャンノ、'装置 C H 1とは別の第 2チャンノ装置 C H 2内部に配置されている。そして、露光装置本体 EXを収容する第 1チャンバ装置 CH 1と、塗布装置 C及び現像装置 Dを収容する第 2チャンバ装置 CH 2とは、ィンタ一フェース部 I Fを介して接続されている。ここで、以下の説明において、第 2チャンバ装置 C H 2内部に収容されている塗布装置 C及び現像装置 Dを合わせて「コ—夕 'デベロツバ本体 C/D」と適宜称する。図 1に示すように、露光装置本体 EXは、露光光 E Lでマスクステージ MS丁に支持されているマスク Mを照明する照明光学系 Iしと、露光光 E Lで照明されたマスク Mのパターンの像を基板 P上に投影する投影光学系 P Lと、基板 Pを支持する基板ステージ P S Tとを備えている。本実施形態における露光装置本体 E Xは 2つの基板ステージ P S T 1， P S T 2を有する所謂ツインステージシステムを採用している。ツインステージシステムの具体的な構成としては、特開平 1 0— 1 630 99号公報、特開平 1 0— 21 4783号公報、特表 2000— 505958号公報、米国特許 6, 341， 007号、 6， 400， 441号、 6， 549, 269 号及び 6 , 5 9 0， 6 3 4号等の文献に開示されており、それらを参照することができる。それらの米国特許を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。本発明では、上記文献に開示されているツインステージシステムを採用することができる。また、本実施形態における露光装置本体 E Xは、マスク Mと基板 Pとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステツパ）である。以下の説明において、水平面内においてマスク Mと基板 Pとの同期移動方向（走査方向）を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸方向（非走査方向）、 X軸及び Y軸方向に垂直で投影光学系 P Lの光軸 A Xと一致する方向を Z軸方向とする c また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわり方向をそれぞれ、 Θ 、、及び方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。搬送システム Hは、露光処理される前の基板 Pを基板ステージ P S Tに搬入（口一ド）する第 1搬送装置 H 1 と、露光処理された後の基板 Pを基板ステージ P S T から搬出（アンロード）し、液体除去装置 1 0 0まで搬送する第 2搬送装置 H 2と、液体除去装置 1 0 0とインタ一フェース部 I Fとの間で基板 Pを搬送する第 3搬送装置 H 3とを備えている。第 1、第 2、第 3搬送装置 H 1、 H 2、 H 3は第 1チヤンバ装置 C H 1内部に設けられている。コ―タ ·デベロツバ本体 C/ D (塗布装置 C ) でフォ卜レジス卜の塗布処理を施された基板 Pはィンタ一フェース部 I Fを介して第 3搬送装置 H 3に渡される。ここで、第 1、第 2チャンバ装置 C H 1、 C H 2それぞれのィン夕一フェース部 I Fと対面する部分には開口部及びこの開口部を開閉するシャツ夕が設けられている。基板 Pのィンターフェ一ス部 I Fに対する搬送動作中にはシャッタが開放される。第 3搬送装置 H 3は露光処理される前の基板 Pを液体除去装置 1 0 0を介して第 1搬送装置 H 1に渡す。なお、第 3搬送装置 H 3から第 1搬送装置 H 1に基板 Pを渡す際、液体除去装置 1 0 0を介さずに、不図示の別の搬送装置や中継装置を介して第 1搬送装置 H 1に渡してもよい。第 1搬送装置 H 1は渡された基板 Pを露光装置本体 E Xの基板ステージ P S Tに口—ドする _c 露光処理された後の基板 Pは第 2搬送装置 H 2により基板ステージ P S Tからアンロードされる。第 2搬送装置 H 2はアンロードした基板 Pを液体除去装置 1 0 0を介して第 3搬送装置 H 3に渡す。第 3搬送装置 H 3で搬送された基板 Pはィン夕— フェース部 I Fを介してコ一タ .デベロツバ本体 C/ D (現像装置 D ) に運ばれる c 現像装置 Dは渡された基板 Pに対して現像処理を施す。なお、露光処理される前の濡れていない基板 Pを基板ステージ P S Tに搬入する第 1搬送装置 H 1 と、露光処理された後の濡れている可能性のある基板 Pを基板ステージ P S Tから搬出する第 2搬送装置 H 2とを使い分けているので、第 1搬送装置（搬送部材） H 1に液体が付着することがなく、第 1搬送装置 H 1で搬送される基板 Pの裏面などへの液体の付着を防止することができる。図 3は、露光装置本体 E Xの概略構成図である。照明光学系 I Lは、マスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E Lで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルィンテグレ —夕、オプティカルィンテグレ一夕からの露光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 E Lによるマスク M上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分布の露光光 E Lで照明される。照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（g線、 h線、 i 線）及び K r Fエキシマレーザ光（波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光（D U V光）や、 A r Fエキシマレ一ザ光（波長 1 9 3 n m ) 及び F ₂レーザ光（波長 1 5 7 n m ) 等の真空紫外光（V U V光）などが用いられる。本実施形態では、 A r Fエキシマレーザ光を用いる。マスクステージ M S Tは、マスク Mを支持するものであって、投影光学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、すなわち X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。マスクステージ M S Tはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置 MST Dにより駆動される。マスクステージ駆動装置 M S T Dは制御装置 C 0 N Tにより制御される。マスクステージ MS T上のマスク Mの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 C 0 N Tに出力される。制御装置 C 0 N Tはレーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置 M S T Dを駆動することでマスクステージ MS Tに支持されているマスク Mの位置決めを行う。投影光学系 P Lは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 3で基板 Pに投影露光するものであって、複数の光学素子（レンズ）で構成されており、これら光学素子は金属部材としての鏡筒 P Kで支持されている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 3が例えば 1/4あるいは 1 /5の縮小系である。なお、投影光学系 P Lは等倍系及び拡大系のいずれでもよいし、ミラーを使って構成してもよい c また、本実施形態の投影光学系 P Lの先端側（基板 P側）には、光学素子（レンズ） 60が鏡筒 PKより露出している。この光学素子 60は鏡筒 PKに対して着脱 (交換）可能に設けられている。基板ステージ P STは、基板 Pを支持するものであって、基板 Pを基板ホルダを介して保持する Zステージ 51 と、 Zステージ 51を支持する XYステージ 52と、 X Yステージ 52を支持するベース 53とを備えている。基板ステージ P S Tはリニァモータ等の基板ステ一ジ駆動装置 P S T Dにより駆動される。基板ステ―ジ駆動装置 P ST Dは制御装置 CONTにより制御される。 Zステージ 51を駆動することにより、 Zステージ 51に保持されている基板 Pの Z軸方向における位置（フォ—カス位置）、及び »X、方向における位置が制御される。また、 XYステージ 52を駆動することにより、基板 Pの XY方向における位置（投影光学系 P L の像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、 Zステージ 51は、基板 Pのフォー力ス位置及び傾斜角を制御して基板 Pの表面を才一卜フォーカス方式、及び才ートレべリング方式で投影光学系 Pしの像面に合わせ込み、 XYステージ 52は基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決めを行う。なお、 Zステージと X Yステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。基板ステージ P S T ( Ζステージ 5 1 ) 上には移動鏡 5 4が設けられている。また、移動鏡 5 4に対向する位置にはレーザ干渉計 5 5が設けられている。基板ステージ P S Τ上の基板 Ρの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 5 5によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 C O N Tに出力される。制御装置 C 0 N Tはレ一ザ干渉計 5 5の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置 P S T Dを駆動することで基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの位置決めを行う。本実施形態では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために、液浸法を適用する。そのため、少なくともマスク Mのパターンの像を基板 P上に転写している間は、基板 Pの表面と投影光学系 P L の基板 P側の光学素子（レンズ） 6 0の先端面（下面） 7との間に所定の液体 5 0 が満たされる。上述したように、投影光学系 P Lの先端側にはレンズ 6 0が露出しており、液体 5 0はレンズ 6 0のみに接触するように構成されている。これにより、金属からなる鏡筒 P Kの腐蝕等が防止されている。本実施形態において、液体 5 0 には純水が用いられる。純水は、 A r Fエキシマレ一ザ光のみならず、露光光 E L を例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（g線、 h線、 i線）及び K r F エキシマレ一ザ光（波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光（D U V光）とした場合、この露光光 E Lを透過可能である。露光装置本体 E Xは、投影光学系 P Lの先端面（レンズ 6 0の先端面） 7と基板 Pとの間の空間 5 6に所定の液体 5 0を供給する液体供給装置 1 と、空問 5 6の液体 5 0を回収する液体回収装置 2とを備えている。液体供給装置 1は、投影光学系 P Lと基板 Pとの間の少なくとも一部を液体 5 0で満たすためのものであって、液体 5 0を収容するタンク、加圧ポンプなどを備えている。液体供給装置 1には供給管 3の一端部が接続され、供給管 3の他端部には供給ノズル 4が接続されている。液体供給装置 1は供給管 3及び供給ノズル 4を介して空間 5 6に液体 5 0を供給する液体回収装置 2は、吸引ポンプ、回収した液体 5 0を収容するタンクなどを備えている。液体回収装置 2には回収管 6の一端部が接続され、回収管 6の他端部には回収ノズル 5が接続されている。液体回収装置 2は回収ノズル 5及び回収管 6を介して空間 5 6の液体 5 0を回収する。空間 5 6に液体 5 0を満たす際、制御装置 C O N Tは液体供給装置 1を駆動し、供給管 3及び供給ノズル 4を介して空間 5 6に対して単位時間当たり所定量の液体 5 0を供給するとともに、液体回収装置 2を駆動し、回収ノズル 5及び回収管 6を介して単位時間当たり所定量の液体 5 0を空間 5 6より回収する。これにより、投影光学系 P Lの先端面 7と基板 Pとの間の空間 5 6に液体 5 0が配置される。投影光学系 P Lの最下端のレンズ 6 0は、先端部 6 0 Aが走査方向に必要な部分だけを残して Y軸方向（非走査方向）に細長い矩形状に形成されている。走査露光時には、先端部 6 O Aの直下の矩形の投影領域にマスク Mの一部のパターン像が投影され、投影光学系 P Lに対して、マスク Mがー X方向（又は + X方向）に速度 V で移動するのに同期して、 X Yステージ 5 2を介して基板 Pが + X方向（又は— X 方向）に速度 /3 ■ V ( 3は投影倍率）で移動する。そして、 1つのショッ卜領域への露光終了後に、基板 Pのステッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ ·アンド ·スキヤン方式で各ショッ卜領域に対する露光処理が順次行われる。本実施形態では、基板 Pの移動方向と平行に基板の移動方向と同一方向に液体 5 0を流すように設定されている。図 4は、投影光学系 P Lのレンズ 6 0の先端部 6 0 Aと、液体 5 0を X軸方向に供給する供給ノズル 4 ( 4 A〜4 C ) と、液体 5 0を回収する回収ノズル 5 ( 5 A、 5 B ) との位置関係を示す図である。図 4において、レンズ 6 0の先端部 6 O Aの形状は Y軸方向に細長し、矩形状となっており、投影光学系 P Lのレンズ 6 0の先端部 6 0 Aを X軸方向に挟むように、 + X方向側に 3つの供給ノズル 4 A〜 4 Cが配置され、一X方向側に 2つの回収ノズル 5 A、 5 Bが配置されている。そして、供給ノズル 4 A ~ 4 Cは供給管 3を介して液体供給装置 1に接続され、回収ノズル 5 A、 5 Bは回収管 4を介して液体回収装置 2に接続されている。また、供給ノズル 4 A〜4 Cと回収ノズル 5 A、 5 Bとを先端部 60 Aの中心に対してほぼ 1 8 0° 回転した位置に、供給ノズル 8A〜8Cと、回収ノズル 9 A、 9 Bとが配置されている。供給ノズル 4 A〜4Cと回収ノズル 9 A、 9 Bとは Y軸方向に交互に配列され、供給ノズル 8 A〜8Cと回収ノズル 5 A、 5 Bとは Y軸方向に交互に配列され、供給ノズル 8 A〜8Cは供給管 1 0を介して液体供給装置 1に接続され、回収ノズル 9 A、 9 Bは回収管 1 1を介して液体回収装置 2に接続されている。なお、ノズルからの液体供給は、投影光学系 P Lと基板 Pとの間に気体部分が生じないように ί亍われる。露光装置本体 ΕΧにおいて、矢印 Xa (図 4参照）で示す走査方向（_X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管 3、供給ノズル 4A〜4C、回収管 4、及び回収ノズル 5 A、 5 Bを用いて、液体供給装置 1及び液体回収装置 2により液体 50の供給及び回収が行われる。すなわち、基板 Pがー X方向に移動する際には、供給管 3及び供給ノズル 4 (4A〜4C) を介して液体供給装置 1から液体 50が投影光学系 P Lと基板 Pとの間に供給されるとともに、回収ノズル 5

(5A、 5 B) 、及び回収管 6を介して液体 50が液体回収装置 2に回収され、レンズ 60と基板 Pとの間を満たすように一 X方向に液体 50が流れる。一方、矢印 Xbで示す走査方向（+ X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管 1 0、供給ノズル 8 A~ 8 C、回収管 1 1、及び回収ノズル 9 A、 9 Bを用いて、液体供給装置 1及び液体回収装置 2により液体 50の供給及び回収が行われる。すなわち、基板 Pが +X方向に移動する際には、供給管 1 0及び供給ノズル 8

(8A〜8C) を介して液体供給装置 1から液体 50が投影光学系 P Lと基板 Pとの間に供給されるとともに、回収ノズル 9 (9A、 9 B) 、及び回収管 1 1を介して液体 50が液体回収装置 2に回収され、レンズ 60と基板 Pとの間を満たすように +X方向に液体 50が流れる。このように、制御装置 CONTは、液体供給装置 1及び液体回収装置 2を用いて、基板 Pの移動方向に沿って液体 50を流す。この場合、例えば液体供給装置 1から供給ノズル 4を介して供給される液体 50は基板 Pの— X方向への移動に伴って空間 56に引き込まれるようにして流れるので、液体供給装置 1の供給エネルギーが小さくでも液体 50を空間 56に容易に供給できる。そして、走査方向に応じて液体 5 0を流す方向を切り替えることにより、 + X 方向、又は一 X方向のどちらの方向に基板 Pを走査する場合にも、レンズ 6 0の先端面 7と基板 Pとの間を液体 5 0で満たすことができ、高い解像度及び広い焦点深度を得ることができる。次に、図 5を参照しながら第 1実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置 1 0 0について説明する。液体除去装置 1 0 0は搬送システム Hの搬送経路の途中に設けられ、液浸法により露光処理された後の基板 Pに付着している液体 5 0を除去するものである。本実施形態において、液体除去装置 1 0 0は第 2搬送装置 H 2と第 3搬送装置 H 3との間に設けられている。液体除去装置 1 0 0は、ステージ装置 2 0と、ステージ装置 2 0に設けられ、基板 Pの下面中央部を保持するホルダ部 2 1 と、基板 Pを保持したホルダ部 2 1を回転する回転機構 2 2とを備えている。ホルダ部 2 1の上面にはバキューム装置の一部を構成する真空吸着孔が設けられており、ホルダ部 2 1は基板 Pの下面中央部を吸着保持する。回転機構 2 2はステージ装置 2 0内部に設けられたモータにより構成されており、ホルダ部 2 1に接続された軸部 2 3を回転することでホルダ部 2 1を回転する。そして、ステージ装置 2 0、ホルダ部 2 1、及び回転機構 2 2はカバ—機構であるチャンバ 2 5内部に設けられており、チャンバ 2 5には流路 2 8を介して液体吸引装置 2 9が設けられている。流路 2 8にはバルブ 2 8 Aが設けられている。ホルダ部 2 1は軸部 2 3とともにステージ装置 2 0の上面に対して昇降可能に設けられている。基板 Pを保持したホルダ部 2 1がステージ装置 2 0に対して上昇したとき、基板 Pはステージ装置 2 0より離れ、回転機構 2 2の駆動により回転可能となる。一方、ホルダ部 2 1が下降しているときは基板 Pはステージ装置 2 0の上面に設けられている第 2ホルダ部 2 4により保持される。チャンバ 2 5は、第 2搬送装置 H 2側に形成された第 1開口部 2 6と、第 3搬送装置 H 3側に形成された第 2開口部 2 7とを備えている。第 1開口部 2 6には、この第 1開口部 2 6を開閉する第 1シャツタ 2 6 Aが設けられ、第 2開口部 2 7には、この第 2開口部 2 7を開閉する第 2シャツ夕 2 7 Aが設けられている。第 1、第 2 シャツ夕 2 6 A、 2 7 Aの開閉動作は制御装置 C 0 N Tにより制御される。第 1 シャッタ 2 6 Aが開放されると、第 2搬送装置 H 2は第 1開口部 2 6を介して液体除去装置 1 0 0のステージ装置 2 0にアクセス可能となる。すなわち、第 2搬送装置 H 2は第 1開口部 2 6を介して液体除去装置 1 0 0のステージ装置 2 0に対して基板 Pを搬送（搬入）可能である。第 3搬送装置 H 3は第 2開口部 2 7を介して液体除去装置 1 0 0のステージ装置 2 0にアクセス可能となる。すなわち、第 3搬送装置 H 3は第 2開口部 2 7を介して液体除去装置 1 0 0のステージ装置 2 0に対して基板 Pを搬送（搬出）可能である。一方、第 1、第 2シャツ夕 2 6 A、 2 7 Aを閉じることによりチャンバ 2 5内部は密閉される。次に、上述した露光装置本体 E X及び液体除去装置 1 0 0を備えたデバイス製造システム S Y Sの動作について、図 1及び 2を用いて説明する。露光装置本体 E Xにおいて、基板ステージ P S T 1に保持された基板 Pは、液浸法を用いて露光され、それと並行して、基板ステージ P S T 2に保持された基板 P に対して、ァライメン卜マークの検出や表面情報（A F (才一卜フォーカス） /A L (才—卜レペリング）情報）の計測が行われる。図 1は基板ステージ P S T 1が露光装置本体（露光ステーション） E Xにおいて露光動作を行い、基板ステージ P S T 2が計測ステーションにおいて計測動作を行っている様子を示している。露光装置本体では、液体供給装置 1の液体供給と液体回収装置 2の液体回収とが行われ、投影光学系 P Lの像面側の露光光の光路が液体 5 0で満たされている。基板ステージ P S T 1に保持された基板 Pの露光処理が完了すると、液体供給装置 1の液体供給を停止し、液体回収装置 2により液体回収を行う。液体回収装置 2による液体回收が終了すると、基板ステージ P S T 1が露光装置本体 E Xから退避するとともに、各種計測を終えた基板ステージ P S丁 2が露光装置本体（露光ステーション） E X に投入される。基板ステージ P S T 1上で露光処理を終えた基板 Pは、基板ステージ P S T 1より第 2搬送装置 H 2にアン口一ドされる。露光処理後の基板 Pのアン □-ドを終えた基板ステージ P S T 1は、未露光の基板 Pを第 1搬送装置 H 1から受け取り、計測ステ一ションでの各種計測を開始する。第 2搬送装置 H 2にアン口 ―ドされた基板 Pには液体回収装置 2で回収しきれなかった液体 5 0がわずかに付着しており、第 2搬送装置 H 2によって液体除去装置 1 0 0に搬送される。こうして、基板ステージ P S T 2に保持された基板 Pの露光処理、及び基板ステージ P S T 1に保持された未露光の基板 Pの各種計測と並行して、直前に露光処理を完了した基板 Pに残留した液体の除去が液体除去装置 1 0 0で行われる。なお、基板ステージ P S T 2に保持された基板 P上に液体供給装置 1から液体の供給を開始する際には、基板ステージ P S T 1では実質的な計測動作を行わずに、基板ステージ P S T 1の移動のみ、あるいは単に基板ステージ P S T 1を停止させておくとよい。このようにすることで、基板ステージ P S T 2上に液体供給装置 1 から液体の供給を開始する際に生じる振動が計測ステーションにおける基板ステ一ジ P S T 1の計測動作に影響を及ぼすことを防止できる。また、基板ステージ P S T 2上への液体の供給を停止するときに、計測ステ一ションでの基板ステージ P S T 1の計測動作が完了していない場合には、液体供給を停止するときに、基板ステ —ジ P S T 1では実質的な計測動作を行わずに、基板ステージ P S T 1の移動のみ、あるいは単に基板ステージ P S T 1を停止させておくようにしてもよい。制御装置 C 0 N Tは第 2搬送装置 H 2の液体除去装置 1 0 0に対する接近に伴つて第 1シャツ夕 2 6 Aを開放する（図 5参照）。このとき、第 2シャツタ 2 7 Aは閉じられている。第 2搬送装置 H 2は、第 1開口部 2 6を介して基板 Pを液体除去装置 1 0 0のステージ装置 2 0に渡す。このとき、ホルダ部 2 1は下降しており、基板 Pはステージ装置 2 0上のホルダ部 2 1及び第 2ホルダ部 2 4に保持される。第 2搬送装置 H 2はステージ装置 2 0に基板 Pを渡したら、第 1開口部 2 6を介してチャンバ 2 5より退避する。第 2搬送装置 H 2がチャンバ 2 5より退避したら制御装置 C O N Tは第 1シャツ夕 2 6 Aを閉じる。これにより、チャンバ 2 5内部は密閉される。チャンバ 2 5内部が密閉されたら、制御装置 C O N Tはホルダ部 2 1を上昇する。ホルダ部 2 1の上昇とともに、このホルダ部 2 1に吸着保持されている基板 Pもステージ装置 2 0に対して上昇する。そして、制御装置 C O N Tは回転機構 2 2を駆動し、ホルダ部 2 1を基板 Pとともに方向に回転する。回転機構 2 2が基板 Pを回転することにより、基板 Pの上下両面に付着している液体 5 0 は遠心力の作用により基板 Pから飛ばされる。これにより、基板 Pに付着している液体 5 0が基板 Pより除去される。ここで、基板 Pはカバー機構としてのチャンバ 2 5内部に配置されているため、基板 Pから飛ばされた液体 5 0は周囲に飛散しない。基板 Pから飛ばされた液体 5 0はチャンバ 2 5に接続されている液体吸引装置 2 9により回収される。液体吸引装置 2 9はチャンバ 2 5内部の気体を飛散した液体 5 0とともに吸引することで、基板 Pから飛ばされた液体 5 0を回収する。ここで、液体吸引装置 2 9は、チャンパ 2 5内部の気体及び飛散した液体 5 0の吸引動作を継続的に行う。これにより、チャンバ 2 5の内壁や底などチャンバ 2 5内部に液体 5 0が留まらないので、チャンバ 2 5内部の湿度が大き〈変動することはない。また、シャツタ 2 6 A、 2 7 Aを開放したときにも、チャンバ 2 5内の湿った気体がチャンバ 2 5の外へ流れ出ることもない。基板 Pを所定時間（あるいは所定回転数）回転したら、制御装置 C O N Tは回転機構 2 2の駆動を停止し、基板 Pをホルダ部 2 1 とともに下降する。次いで、制御装置 C O N Tは、第 2シャツタ 2 7 Aを開放する。第 2シャツタ 2 7 Aが開放されたら、第 3搬送装置（第 2搬送部材） H 3が第 2開口部 2 7を介してステージ装置 2 0にアクセスし、ステージ装置 2 0上の液体 5 0を除去された基板 Pを保持する c 液体除去装置 1 0 0により液体 5 0を除去された基板 Pを保持した第 3搬送装置 H 3は、チャンバ 2 5内部より基板 Pを第 2開口部 2 7を介して搬出する。図 1に示すように、液体除去装置 1 0 0により液体 5 0が除去された基板 Pは、ィンタ一フェース部 I Fを介してコ一タ 'デベロツバ本体 C/ Dに運ばれる。コータ ·デベロツバ本体 C/ D (現像装置 D ) は渡された基板 Pに対して現像処理を施す。このように、本実施形態の露光装置 E X— S Y Sは、インターフェース部 I F を介して基板 Pがコ―タ ·デベロツバ装置 C D— S Y Sに搬出される前に、液体除去装置 1 0 0により基板 Pに付着した液体 5 0を除去する。以上説明したように、露光装置本体 E Xにおいて露光処理が施された基板 Pをコ一夕 ·デベロツバ装置 C/ D— S Y S (現像装置 D ) に搬送する前に、液体除去装置 1 0 0で基板 Pに付着した液体 5 0を除去するようにしたので、液体 5 0の現像処理に対する影響を除〈ことができる。また、液体除去装置 1 0 0によって基板 P に付着した液体 5 0を除去することにより、基板 Pの搬送中に基板 Pから液体が落下し、第 1チャンバ装置 C H 1内部の湿度変化（環境変化）をもたらしたり、搬送経路上の各装置や部材を請びさせるなどの不都合の発生を抑えることができる。また、液体 5 0が付着している基板 Pを第 2搬送装置 H 2で搬送し、液体 5 0が除去された基板 Pを第 2搬送装置 H 2とは別の第 3搬送装置 H 3で搬送するようにしたので、第 3搬送装置 H 3は液体 5 0に晒されない。したがって、第 3搬送装置 H 3で搬送される基板 Pには液体 5 0が付着せず、また、第 3搬送装置 H 3の搬送経路上における液体 5 0の飛散を確実に防止できる。また、液体除去装置 1 0 0を搬送システム Hの搬送経路の途中に設けたので、露光装置本体 E Xでの露光処理と、液体除去装置 1 0 0での液体除去処理とを同時に行うことができる。したがって、スループットを低下させることな〈各処理を実行することができる。そして、液体除去処理をチャンバ 2 5内部で行うようにしたので、周囲に液体 5 0が飛散するのを防止できる。なお、本実施形態では、露光処理後の基板 Pを処理装置としてのコータ ·デベロツバ装置 C/ D— S Y Sに搬送する際、接続部としてのィンターフェ一ス部 I Fを介して搬送するように説明したが、例えばインタ一フェース部 I Fがコータ 'デべ口ツバ装置 C/ D— S Y Sに備えられている場合や、コ―タ ■デベロツバ装置 C / D— S Y Sがィンタ—フェース部 I Fを介さずに直接露光装置 E X— S Y Sに接続されている場合、あるいは、処理装置が基板収納装置であってインタ一フェース部 I Fを介さないで露光処理後の基板 Pを基板収納装置に搬送する場合には、第 1チャン ) 装置 C H 1の開口部が露光装置 E X— S Y Sの接続部となる。上述したように、本実施形態における液体 5 0は純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフ才トレジス卜や光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、 $ΐ水は璟境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Ρ.の表面、及び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。そして、波長が 1 9 3 n m程度の露光光 E Lに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1 . 4 4〜1 . 4 7程度と言われており、露光光 E Lの光源として A r Fエキシマレ一ザ光（波長 1 9 3 n m ) を用いた場合、基板 P上では 1 / n、すなわち約 1 3 1〜1 3 4 n m程度に短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1 . 4 4〜1 . 4 7倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系 P Lの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。本実施形態では、投影光学系 P Lの先端にレンズ 6 0が取り付けられているが、投影光学系 P Lの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系 P Lの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整に用いる光学プレー卜であってもよい c あるいは露光光 E Lを透過可能な平行平面板であってもよい。液体 5 0と接触する光学素子を、レンズより安価な平行平面板とすることにより、露光装置本体 E Xの運搬、組立、調整時等において投影光学系 P Lの透過率、基板 P上での露光光 E L の照度、及び照度分布の均一性を低下させる物質（例えばシリコン系有機物等）がその平行平面板に付着しても、液体 5 0を供給する直前にその平行平面板を交換するだけでよく、液体 5 0と接触する光学素子をレンズとする場合に比べてその交換コス卜が低くなるという利点がある。すなわち、露光光 Eしの照射によりレジス卜から発生する飛散粒子、または液体 5 0中の不純物の付着などに起因して液体 5 0 に接触する光学素子の表面が汚れるため、その光学素子を定期的に交換する必要があるが、この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、レンズに比べて交換部品のコストが低く、且つ交換に要する時間を短〈することができ、メンテナンスコスト（ランニングコスト）の上昇やスル一プットの低下を抑えることができる。なお、液体 5 0の流れによって生じる投影光学系 P Lの先端の光学素子と基板 P との間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、本実施形態では、投影光学系 P Lと基板 P表面との間は液体 5 0で満たされている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板からなるカバ—ガラスを取り付けた状態で液体 5 0を満たす構成であってもよい。なお、上記実施形態において、上述したノズルの形状は特に限定されるものでな <、例えば先端部 6 0 Aの長辺について 2対のノズルで液体 5 0の供給又は回収を行うようにしてもよい。なお、この場合には、 + X方向、又は—X方向のどちらの方向からも液体 5 0の供給及び回収を行うことができるようにするため、供給ノズルと回収ノズルと上下に並べて配置してもよい。第 2実施形態

次に、本発明の第 2実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置 1 0 0のについて図 6を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において、液体除去装置 1 0 0以外については、第 1実施形態と同一又は同等であるのでその説明を簡略もしくは省略する。図 6において、液体除去装置 1 0 0は、基板 Pに付着した液体 5 0の除去を行うときに液体 5 0が飛散しないように基板 Pの周囲を覆う力ノ一機構の一部を構成するカバ一部 3 0を備えている。本実施形態における液体除去装置 1 0 0はチャンバ 2 5を有していない。カバー部 3 0は平面視ほぼ円環状に形成されており、その円環内部にポケット部 3 O Aを備えている。カバー部 3 0のポケッ卜部 3 O Aには液体吸引装置 2 9が接続されている。また、カバー部 3 0はステージ装置 2 0に形成された凹部 3 1に配置可能となっており、昇降機構 3 2によりステージ装置 2 0に対して昇降可能（出没可能）に設けられている。液体除去処理を行う際には、ホルダ部 2 1の上昇とともにカバ一部 3 0も上昇される。カバー部 3 0は基板 Pの周囲を覆うように設けられているため、基板 Pの回転により飛ばされた液体 5 0はカバ —部 3 0のポケッ卜部 3 O Aに回収される。ポケッ卜部 3 O Aに回収された液体 5 0は液体吸引装置 2 9により回収される。以上説明したように、カバー機構として、基板 Pの周囲を覆うカバ一部 3 0を用いることもできる。これにより、第 1実施形態で説明したチャンバ 2 5に比べて簡易な構成で液体 5 0の周囲への飛散を防止できる。第 3実施形態

次に、図 7を参照しながら第 3実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置 1 0 0について説明する。本実施形態の特徴的部分は、液体除去装置 1 0 0を構成する回転機構 2 2及びカバー部 3 0が、露光処理を行う露光装置本体 E Xの基板ステージ P S Tに設けられている点である。露光装置本体 E Xの構造は第 1実施形態と同様であるので、その説明を省略する。図 7 ( a ) において、基板ステージ P S Tは、基板 Pを保持するホルダ部 2 1及び第 2ホルダ部 2 4と、カバ一部 3 0を収容可能な凹部 3 1 とを備えている。そして、図 7 ( a ) に示すように、ホルダ部 2 1及び第 2ホルダ部 2 4に保持されている基板 Pに対して投影光学系 P L及び液体 5 0を介してノタ一ンの像が転写される _c 基板 Pに対する露光処理が終了したら、制御装置 C O N Tは、図 7 ( b ) に示すように、投影光学系 P Lと基板 Pとの間に対する液体供給装置 1からの液体 5 0の供給を停止するとともに、液体回収装置 2により基板 P上の液体 5 0を回収する。その回収作業が完了すると、基板ステージ P S Tを投影光学系 P Lの直下から退避させる。次いで、制御装置 C O N Tは、基板 Pを保持するホルダ部 2 1を上昇するとともにカバー部 3 0を上昇し、回転機構 2 2を駆動して基板 Pを回転する。これにより、液体回収装置 2で回収しきれずに基板 Pに付着している液体 5 0は基板 Pから除去される。そして、基板 Pに付着した液体 5 0を除去したら、第 2搬送装置 H 2が基板ステージ P S Tより基板 Pを搬出する。以上説明したように、液体除去装置 1 0 0を基板ステージ P S Tに設けることも可能である。そして、露光処理が行われる基板ステージ P S Tから基板 Pを搬出する前に、基板 Pに付着した液体を除去することで、基板 Pの搬送中において基板 P から液体 5 0が落下するといつた不都合の発生を抑えることができる。また、本実施形態では、露光装置本体 E Xはツインステージシステムを採用しているので、第 1の基板ステージ P S T 1における露光処理と、第 2の基板ステージ P S T 2における液体除去処理とを同時に行うことができ、スループッ卜を低下させることなく全体の処理を実行できる。また、第 3実施形態では、基板ステージ P S Tから露光処理後の基板 Pを搬送する前に基板 Pに付着した液体を除去するために基板 Pを回転させる機構を採用しているが、液体を吹き飛ばすブロアを設けたり、液体回収装置 2とは別に基板 P上の残留液体を吸引する機構を設けてもよいし、これらを併用してもよい。第 4実施形態

次に、図 8を参照しながら第 4実施形態の露光装置に用いる液体除去装置 1 0 0 について説明する。図 8に示す液体除去装置 1 0 0は、搬送システム Hの搬送経路の途中であって、第 2搬送装置 H 2と第 3搬送装置 H 3との間に設けられ、チャンバ 2 5を備えた構成である。露光装置本体 E Xの構造は第 1実施形態と同様であるので、その説明を省略する。図 8において、液体除去装置 1 0 0は、基板 Pの表面（上面）に対して気体を吹き付けてこの基板 Pの表面に付着している液体 5 0を飛ばすことで除去する第 1吹出部 3 3と、基板 Pの裏面（下面）に対して気体を吹き付けてこの基板 Pの裏面に付着している液体 5 0を飛ばすことで除去する第 2吹出部 3 4とを備えている。第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4のそれぞれは流路を介して気体供給装置 3 5に接続されている。流路には、基板 Pに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミス卜）を除去するフィルタが設けられている。そして、気体供給装置 3 5は乾燥した気体を第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4に供給する。本実施形態において、気体供給装置 3 5は乾燥エア—を供給する。図 9は、図 8のチャンバ 2 5内部を上方から見た図である。図 9に示すように、基板 Pはその下面の Y軸方向両端部を保持装置 3 6により保持される（なお、図 8 には保持装置 3 6は図示されていない）。保持装置 3 6は第 2搬送装置 H 2より基板 Pを渡され、この渡された基板 Pを保持する。また、保持装置 3 6に保持されている基板 Pは第 3搬送装置 H 3に渡されるようになつている。第 1吹出部 3 3は Y 軸方向を長手方向とするノズル本体部 3 3 Aと、ノズル本体部 3 3 Aの長手方向に複数並んで設けられたノズル孔 3 3 Bとを備えている。気体供給装置 3 5から供給された乾燥エアーは複数のノズル孔 3 3 Bのそれぞれから吹き出される。第 2吹出部 3 4も第 1吹出部 3 3と同等の構成を有しており、 Y軸方向を長手方向とするノズル本体部と複数のノズル孔とを有している。保持装置 3 6に保持された基板 Pと第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4とは相対移動可能に設けられている。本実施形態では、第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4が保持装置 3 6に保持された基板 Pに対して X軸方向に走査移動するようになっている。なお、保持装置 3 6に駆動装置を設け、第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4に対して基板 Pを移動するようにしてもよいし、第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4と保持装置 3 6との双方を移動させてもよい。次に、上述した構成を有する液体除去装置 1 0 0の動作について説明する。第 2 搬送装置 H 2が液体 5 0を付着している基板 Pを保持装置 3 6に渡す。制御装置 C O N Tは、保持装置 3 6に保持されている基板 Pに対して、第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4より気体を吹き付ける。ここで、第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4によって吹き付けられる気体は、基板 Pの表面及び裏面に対して傾斜方向から吹き付けられる。制御装置 C O N Tは、保持装置 3 6に保持されている基板 Pに対して第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4を X軸方向に移動させながら気体を吹き付ける。ここで、第 1、第 2 吹出部 3 3、 3 4それぞれのノズル本体部の長さは基板 Pより十分大きいため、基板 Pの表裏面全体に満遍なく気体が吹き付けられる。気体が吹き付けられることにより、基板 Pに付着している液体 5 0が飛ばされ、除去される。飛ばされた液体 5 0は液体吸引装置 2 9に回収される。液体 5 0が除去された基板 Pは第 3搬送装置 H 3に渡される。第 5実施形態

次に、図 1 0を参照しながら第 5実施形態の露光装置に用いられる液体除去装置 1 0 0について説明する。図 1 0において、液体除去装置 1 0 0は、液体吸引装置 2 9に流路を介して接続され、基板 Pの表面及び裏面のそれぞれに付着している液体 5 0を吸引する第 1、第 2吸引部 3 7、 3 8と、チャンバ 2 5内部を乾燥する乾燥装置 3 9とを備えている。第 1、第 2吸引部 3 7、 3 8は基板 Pに対して X軸方向に相対移動可能に設けられている。基板 Pに付着している液体 5 0を除去する際には、制御装置 C O N Tは、第 1、第 2吸引部 3 7、 3 8を基板 Pに接近させた状態で、液体吸引装置 2 9を駆動する。これにより、基板 Pに付着している液体 5 0 は第 1、第 2吸引部 3 7、 3 8を介して液体吸引装置 2 9に吸引される。そして、第 1、第 2吸引部 3 7、 3 8を基板 Pに対して X軸方向に移動しつつ液体吸引装置 2 9による吸引動作を行うことにより、基板 Pに付着している液体 5 0が除去される。このとき、乾燥装置 3 9がチャンバ 2 5内部に対して乾燥した気体（乾燥エア - ) を供給している。乾燥装置 3 9の駆動によってチャンバ 2 5内部が乾燥されることにより、基板 Pからの液体 5 0の除去を促進することができる。露光装置本体 E Xの構造は第 1実施形態と同様であるので、その説明を省略する。なお、図 1 0を用いて説明した、基板 P上の液体 5 0を吸引する吸引動作と、図 8を用いて説明した、吹出部からの気体吹出動作とを同時に実行するようにしてもよい。あるいは、吸引動作及び気体吹出動作のいずれか一方を実行した後、他方を実行するようにしてもよい。また、乾燥装置 3 9による乾燥動作を並行して行うこともできるし、吸引動作や気体吹出動作の前後に乾燥動作を行うこともできる。すなわち、吸引動作、乾燥動作、及び気体吹出動作（液体吹き飛ばし動作）を適宜組み合わせて実行することができる。第 6実施形態

次に、図 1 1を参照しながら第 6実施形態の露光装置の液体除去装置 1 0 0 (こついて説明する。なお、露光装置本体 E Xの構造は第 1実施形態と同様であるので、その説明を省略する。図 1 1において、液体除去装置 1 0 0は、第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4と、この第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4を収容するチャンバ 4 0とを備えている。本実施形態におけるチャンバ 4 0は、 Z軸方向にずれて形成された第 1、第 2開口部 4 1、 4 2を備えている。なお、本実施形態における第 1、第 2開口部 4 1、 4 2にはシャツタは設けられていないが、シャツタを設けることも可能である。そして、本実施形態における第 2搬送装置 H 2は、基板 Pを保持した状態で第 1開口部 4 1を介してチャンバ 4 0内部に挿入可能なアーム部（第 1搬送部材） 4 3を備えている。アーム部 4 3は、液浸法により露光処理され、液体 5 0が付着した基板 Pを水平面（X Y平面）に対して所定角度傾斜した状態で搬送し、このチヤンバ 4 0内に挿入する。ここで、液体 5 0が付着している基板 Pを保持するアーム部 4 3が挿入される第 1開口部 4 1が、第 2開口部 4 2より Z軸方向において下方側に形成されており、アーム部 4 3はチャンバ 4 0に対する挿入方向前方側（搬送方向前方側）を上方にして搬送する。そして、アーム部 4 3は基板 Pの傾斜を維持した状態で第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4に対して基板 Pを移動する。第 1、第 2吹出部 3 3、 3 4は移動する基板 Pに対して気体を吹き付ける。基板 Pに付着している液体 5 0は気体の吹き付けにより除去される。このとき、基板 Pが傾斜しているので、液体 5 0は自重により基板 P の傾斜方向下方側に容易に移動し、基板 Pからの液体 5 0の除去が促進される。基板 Pから除去された液体 5 0はチャンバ 4 0内部に溜まり、回収装置としての液体吸引装置 2 9に回収される。なお、基板 Pを傾斜させた状態で液体 5 0を自重により基板 Pの傾斜方向下方側に移動させ、この傾斜方向下方側に集まった液体 5 0に対して気体を吹き付けるようにしてもよい。また、上述の乾燥動作も併用するようにしてもよい。すなわち、液体除去装置 1 0 0の液体除去としては、基板 Pの回転、基板 Pの傾斜、吸引動作、乾燥動作、及び気体吹出動作（液体吹き飛ばし動作）のいずれか一つの方法を使ってもよいし、これらを適宜組み合わせてもよい。液体 5 0が除去された基板 Pの一端部は第 2開口部 4 2よりチャンバ 4 0外部に出る。第 2開口部 4 2近傍には、第 3搬送装置 H 3としてのアーム部（第 2搬送部材） 4 4が設けられている。液体 5 0が除去された基板 Pはアーム部 4 3からァ一厶部 4 4に直接渡される。なお、ここでは、チャンバ 4 0に挿入する際に基板 Pを傾斜させて搬送するように説明したが、チャンバ 4 0以外の位置で、液体 5 0が付着した基板 Pを水平面に対して所定角度傾斜させた状態で搬送するようにしてもよい。これにより、基板 P に付着した液体 5 0は搬送中において自重により基板 Pから離れる。なお、このときの搬送経路中には自重により基板 Pから離れた液体 5 0を回収する回収装置が設けられる。また、基板 Pを搬送する際の水平面に対する傾斜角度は任意に設定可能であり、 9 0度であってもよい。すなわち、基板 Pを垂直に立てた状態で搬送することも可能である。上記各実施形態において、液体 5 0が付着した基板 Pを搬送する第 2搬送装置 H 2やアーム部 4 3の表面は、撥液性であることが好ましい。これにより、基板 Pを搬送したときにその基板 Pに付着している液体 5 0が第 2搬送装置 H 2 (アーム部 4 3 ) に付着しても、その液体 5 0を第 2搬送装置 H 2 (アーム部 4 3 ) より直ちに且つ容易に除去することができる。したがって、第 2搬送装置 H 2 (ァ一厶部 4 3 ) に付着している液体 5 0が基板 Pに付着（再付着）してしまうといった不都合の発生を防止することができる。第 2搬送装置 H 2 (ァ一厶部 4 3 ) の表面を撥液性にする撥液処理（撥水処理）としては、例えば撥液性を有する材料を使ったコ一ティング処理が挙げられる。撥液性を有する材料としては、例えばフッ素系化合物ゃシリコン化合物、あるいはポリェチレンゃァクリル系樹脂等の合成樹脂が挙げられる。また、表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。また、第 2搬送装置 H 2 (アーム部 4 3 ) の表面全部に撥液処理を施してもよいし、一部に施すようにしてもよい。第 7実施形態

図 1 1を参照して説明した実施形態では、基板 Pを傾けた状態で搬送したり、その搬送経路の途中に設けられた液体除去装置 1 0 0で基板 Pを傾けているが、図 1 2に示すように、基板 Pの露光完了後であって基板 Pを搬送（アンロード）する前に、液体 5 0が付着した基板 Pを保持している基板ステージ P S T ( Zステージ 5

1 ) を傾けることで、液体 5 0の除去を行うようにしてもよい。図 1 2において、基板ステージ P S T ( Zステージ 5 1 ) は、その上面略中央部に基板 Pを保持しており、基板 Pの周囲には、液体 5 0を回収可能な円環状の液体回収口（回収溝） 7 3が形成されており、その回収溝 7 3には液体吸収部材 7 1が配置されている。 Z ステージ 5 1内部には、その一端部を回収溝 7 3と接続し、他端部を Zステージ 5

1外部に設けられた液体回収機構に接続する流路が形成されている。液体回収機構は、真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収した液体を収容するタンクなどを備えている。液体吸収部材 7 1は、例えば多孔質セラミックスやスポンジ等の多孔性材料により構成されており、液体 5 0を所定量保持可能である。また、 Zステージ 5 1上において、 Zステージ 5 1に保持されている基板 Pと液体吸収部材 7 1 (回収溝 7 3 ) との間には、この基板 Pの外周を所定幅で取り囲む環状の補助プレート部 7 9が設けられている。補助プレー卜部 7 9の表面の高さは Zステージ 5 1に保持されている基板 Pの表面の高さとほぼ一致するように設定されている。そして、この補助プレー卜部 7 9の外周を所定幅で取り囲むように配置されている液体吸収部材 7 1 (回収溝 7 3 ) は、液体回収装置 2で回収しきれなかった液体 5 0を吸収

(回収）する役割を果たしている。なお図 1 2において、 Zステージ 5 1の + X側端部には Y軸方向に延在する移動鏡 5 4 Xが設けられ、 Y側端部には X軸方向に延在する移動鏡 5 4 Yが設けられており、レーザ干渉計はこれら移動鏡 5 4 X、 5 4 Yにレーザ光を照射して基板ステージ P S Tの X軸方向及び Y軸方向における位置を検出する。基板 Pの露光完了後、図 1 2に示す Zステージ 5 1 (基板ステージ P S T ) から基板 Pを搬送（アンロード）する前に、 Zステージ 5 1は、その Zステージ 5 1に設けられているレべリング機構により傾斜され、これに伴って Zステージ 5 1上の基板 Pも傾けられる。こうすることにより、露光完了後において基板 P上に残存する液体 5 0は重力作用（自重）により、回収溝 7 3まで流れて回収される。なお、露光完了後であって搬送前の液体回収動作である Zステージ 5 1の傾斜動作を行う際、 Zステージ 5 1を傾斜させることによって例えば投影光学系 P Lの先端部と Z ステージ 5 1 (基板 P ) とが当たるおそれがある場合には、 Zステージ 5 1 (基板ステージ P S T ) を投影光学系 P Lの直下より退避させ、投影光学系 P Lと離れた位置で前言己傾斜動作を行ってもよい。この実施形態の場合、基板ステージ及びその傾斜制御は液体除去装置として機能する。なお、上記実施形態においては、基板ステージ P S T ( Zステージ 5 1 ) の傾斜により基板 Pを傾けて、基板 P上の液体を除去するようにしているが、特開平 1 ― 2 1 4 0 4 2号公報に開示されているように、基板 Pのロード及びアン口一ドのための基板 Pを保持して上下動する基板支持部材が基板ステージ P S Tに搭載されている場合には、その基板支持部材の傾斜によって基板 Pを傾けるようにしてもよい c また、基板ステージ P S Tから基板 Pを搬出する前に、ドライエアや温風を吹き付けて乾燥させるようにしてもよい。すなわち、基板ステージ P S Tから基板 Pを搬出する前の液体除去としては、基板 Pの回転、液体の吹き飛ばし、液体の吸引、基板 Pの傾斜、気体の吹き付けによる乾燥のいずれかの方法を用いてもよいし、適宜組み合わせて用いてもよい。第 8施形態

次に、図 1 3を参照しながら本発明の第 8実施形態の露光装置について説明する _c 本実施形態の特徴的な部分は、液体除去装置 1 0 0を備えると共に、露光装置本体 E Xと液体除去装置 1 0 0との搬送経路の途中に、露光処理後の基板 Pを洗浄液を使って洗浄する洗浄装置 1 5 0が設けられている点である。なお、本実施形態では単一の基板ステージ P S Tを用いた以外は、露光装置本体は実施形態 1 と同様であ

図 1 3において、洗浄装置 1 5 0は、チャンバ 1 5 1 と、チャンバ 1 5 1内部に設けられ、チャンバ 1 5 1内部に搬送された基板 Pに対して洗浄液を供給する洗浄液供給装置 1 5 2とを備えている。洗浄液供給装置 1 5 2は、基板 Pの上面及び下面のそれぞれに洗浄液を供給する。チャンバ 1 5 1は、露光装置本体 E X側に開口する第 1開口部 1 5 3と、液体除去装置 1 0 0側に開口する第 2開口部 1 5 4とを備えている。第 1、第 2開口部 1 5 3、 1 5 4には、第 1、第 2開口部 1 5 3、 1 5 4を開閉するシャツタ 1 5 3 A、 1 5 4 Aがそれぞれ設けられている。露光装置本体 E Xで露光処理された後の基板 Pは第 5搬送装置（不図示）により第 1開口部 1 5 3を介して洗浄装置 1 5 0のチャンバ 1 5 1内部に搬送される。チャンバ 1 5 1内部には基板 Pを保持する保持装置が設けられており、基板 Pはこの保持装置で保持された状態で洗浄液を使つて洗浄処理される。洗浄処理された基板 Pは第 2搬送装置 H 2により液体除去装置 1 0 0に搬送される。液体除去装置 1 0 0は基板 P に付着した洗浄液を除去する。ここで、液浸法に基づく露光装置本体 E Xでの露光処理には、液体 5 0として水以外の液体を用いることが可能である。本実施形態では、液体 5 0としてフッ素系オイルが用いられている。例えば、露光光 E Lの光源が F ₂レーザである場合、この F ₂レーザ光は水を透過しないので、液体 5 0として F ₂レーザ光を透過可能なフッ素系オイルを用いることにより露光処理可能となる。このように、液体 5 0としては、水以外のものを用いることが可能である。また、液体 5 0としては、露光光 E Lに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系 P Lや基板 P 表面に塗布されているフォトレジス卜に対して安定な例えばセダ一油を用いることも可能である。そして、液体 5 0として水とは異なる液体を用いた場合、洗浄装置 1 5 0で基板 Pを洗浄処理してから液体除去処理を行うことができる。このように、基板 Pを洗浄することによって、液浸露光中、あるいは基板 Pの搬送中に基板 Pに付着した異物などを洗い落とすことができ、その後の液体除去もスム一スに行われ、液体や異物が付着していない清浄な基板 Pを露光装置から送り出すことができる。液体除去装置 1 0 0は、実施形態 1〜6のいずれの露光装置に設けられた液体除去装置 1 0 0を用いてもよい。また、基板 Pの洗浄と基板 Pに付着した液体の除去は同じ場所で行うようにしてもよい。例えば、チャンバ 2 5の中で、洗浄と液体除去とを行うようにしてもよい。第 9実施形態

次に、図 1 4を参照しながら、本発明の第 9実施形態の露光装置及びデバイス製造システムについて説明する。本実施形態の特徴的な部分は、液体除去装置 1 0 0 へ基板 Pを搬送する搬送システム Hの搬送経路の下に、露光後の基板 Pから落下した液体を処理する液体処理機構 1 6 0を設けた点にある。なお、本実施形態では、基板ステージは P S T 1、 P S T 2の 2つ設けられており、露光装置本体は実施形態 1 と同様である。図 1 4において、液体処理機構 1 6 0は、搬送システム Hの搬送経路の下に配置された樋部材 1 6 1と、樋部材 1 6 1を介して回収された液体 5 0を樋部材 1 6 1 より排出する液体吸引装置 1 6 2とを備えている。本実施形態では、樋部材 1 6 1 は、基板ステージ P S T ( P S T 1、 P S T 2 ) と液体除去装置 1 0 0との間、つまり第 2搬送装置 H 2の搬送経路の下に設けられている。樋部材 1 6 1はチャンパ装置 C H 1内部に設けられ、液体吸引装置 1 6 2はチャンバ装置 C H 1外部に設けられている。樋部材 1 6 1 と液体吸引装置 1 6 2とは管路 1 6 3を介して接続されており、管路 1 6 3には、この管 S各 1 6 3の流路を開閉するバルブ 1 6 3 Aが設けられている。露光後の液体 5 0が付着している基板 Pを第 2搬送装置 H 2で搬送している最中、基板 Pから液体 5 0が落下する可能性があるが、その落下した液体 5 0は樋部材 1 6 1で回収することができる。落下した液体 5 0を樋部材 1 6 1で回収することで- 搬送経路の周囲に液体 5 0が飛散する等の不都合を防止できる。そして、液体吸引装置 1 6 2はチャンバ装置 C H 1内部に設けられた樋部材 1 6 1上の液体 5 0を吸引することでチャンバ装置 C H 1外部に排出し、チャンバ装置 C H 1内部の樋部材 1 6 1に液体 5 0が留まらないようにすることができ、チャンバ装置 C H 1内部に湿度変動（環境変動）が生じる不都合を防止することができる。ここで、液体吸引装置 1 6 2は、樋部材 1 6 1に回収された液体 5 0の吸引動作を連続的に行うことができるし、予め設定された所定期間においてのみ吸引動作を断続的に行うこともできる。吸引動作を連続的に行うことにより、樋部材 1 6 1には液体 5 0が留まらないので、チャンバ装置 C H 1内部の湿度変動をより一層防止することができる。一方、例えば露光装置本体 E Xでの基板 Pの露光中には、液体吸引装置 1 6 2による吸引動作（排出動作）を行わず、露光以外の期間においてのみ吸引動作を行うことにより、吸引動作によって発生する振動が露光精度に影響を与えるといった不都合を防止することができる。なお、樋部材 1 6 1は、液体が付着している可能性のある基板 Pを搬送する搬送経路の下の全てに設けることが望ましいが、基板 Pから落下した液体の影響を受けやすい場所に部分的、離散的に設けてもよい。また、搬送経路下の液体処理機構 1 6 0としては、樋部材 1 6 1及び液体吸引機構 1 6 2に限ることな〈、基板 Pなどから落下した液体を回収できる構成であればよい。液体除去装置 1 0 0は、第 1〜6実施形態のいずれの露光装置に設けられた液体除去装置 1 0 0を用いてもよい。また、第 1〜6実施形態で用いた洗浄装置を搬送経路中に設けることもできる。また、上述の実施形態においては、液体除去装置 1 0 0は、液体回収装置 2で回収しきれずに、基板 Pに付着（残存）している液体を除去するために設けられているが、液体回収装置 2は必ずしも必要ではない。上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気へッド用のセラミツクウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。また、上述の実施形態においては、投影光学系 P Lと基板 Pとの間を局所的に液体で満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置としては、例えば特開平 6 一 1 2 4 8 7 3号公報に、また、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸露光装置としては、例えば特開平 1 0— 3 0 3 1 1 4号公報や米国特許 5 , 8 2 5， 0 4 3にそれぞれ詳細に開示されており、これらの公報を本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて援用して本文の記載の一部とする。露光装置（露光装置本体） E Xとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走査露光するステップ ·アンド 'スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステツバ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ■アンド - リピート方式の投影露光装置（ステツパ）にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2つのバタ一ンを部分的に重ねて転写するステツプ ·ァンド ·スティツチ方式の露光装置にも適用できる。露光装置 E Xの種類としては、基板 Pに半導体素子バターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気へッド、撮像素子（C C D ) あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモータを用いる場合は、ェァベアリングを用いたエア浮上型およびローレンッ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ P S T、 MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。リニアモータを用いた例は、米国特許 5, 623, 853及び 5, 528, 1 1 8に開示されており、それらの米国特許の開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。各ステージ P ST、 MS Tの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュニヅ卜と、二次元にコイルを配置した電機子ュニヅ卜とを対向させ電磁力により各ステージ P S T、 MS Tを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ュニッ卜と電機子ユニットとのいずれか一方をステージ P S T、 MS Tに接続し、磁石ユニットと電機子ュニットとの他方をステージ P ST、 MSTの移動面側に設ければよい。基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、投影光学系 P Uこ伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば米国特許 5, 528, 1 1 8 (特開平 8— 1 66475号公報）に詳細に開示されており、この米国特許の開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。また、マスクステージ MS Tの移動により発生する反力は、投影光学系 P L に伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい _c この反力の処理方法は、例えば米国特許 5， 874, 820 (特開平 8 -33022 4号公報）に詳細に開示されており、この米国出願の開示を、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、援用して本文の記載の一部とする。以上のように、本願実施形態の露光装置 E Xは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立てェ程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリ - ン度等が管理されたクリ―ンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 1 5に示すように、マイクロデバィスの機能 ·性能設計を行うステップ 2 0 1、この設計ステップに基づいたマスク (レチクル）を製作するステップ 2 0 2、デバイスの基材である基板を製造するステツプ 2 0 3、前述した実施形態の露光装置 E Xによりマスクのバタ—ンを基板に露光する露光処理ステップ 2 0 4、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む） 2 0 5、検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。産業上の利用可能性本発明によれば、露光処理環境変動や周囲への液体の飛散を防止できる。したがつて、この環境変動や液体飛散に基づく露光処理精度の低下を防止し、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。また、液体や異物が付着していない基板を露光装置から送り出すことができるため、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

Claims

請求の範囲

1 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であつて、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

露光された基板を処理する処理装置との接続部と、

前記接続部を介して基板が処理装置へ搬出される前に、基板に付着した液体を除去する液体除去装置とを備える露光装置。

2 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であつて、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

露光された基板に付着した液体を除去する液体除去装置と、

露光された基板を液体除去装置に搬送する第 1搬送部材と、

液体除去装置により液体が除去された基板を液体除去装置から搬送する第 2搬送部材とを備える露光装置。

3 . 前記第 1搬送部材は、その表面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項 2に記載の露光装置。

4 . ノターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であつて、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

露光された基板を搬送する搬送システムと、

基板の搬送経路に設けられ、基板に付着した液体を除去する液体除去装置とを備え、

液体除去装置は、液体の除去を行うときに液体が飛散することを防止するように基板周囲の少な〈とも一部を覆うカバーを有する露光装置。

5 . 前記カバー機構はチャンバを含むことを特徴とする請求項 4に記載の露光装

6 . 前記液体除去装置は、前記露光後の基板を洗浄する洗浄装置を備え、前記洗浄装置による前記基板の洗浄後に、前記基板に付着した洗浄液を除去することを特徴とする請求項 1、 2及び 4のいずれか一項に記載の露光装置。

7 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であつて、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

基板を保持する基板ステージと、

基板ステージから露光された基板を搬出する前に、基板に付着した液体を除去する液体除去装置とを備える露光装置。

8 . 前記露光後に、前言己液体が付着した基板は水平面に対して所定角度で搬送されることを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

9 . 前記液体除去装置は、前記基板上の液体を吸引することを特徴とする請求項

I、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 0 . 前記液体除去装置は、前記基板上の液体を乾燥させることを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

I I . 前記液体除去装置は、前記基板上の液体を飛ばすことを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 2 . 前記液体除去装置は、前記液体が付着した基板を回転させる回転機構を含むことを特徴とする請求項 1 1に記載の露光装置。

1 3 . 前記液体除去装置は、前記液体が付着した基板を傾けることを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 4 . 前記液体除去装置は、前記基板の両面に付着した液体を除去することを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 5 . 前記液体除去装置は、前記基板の裏面に付着した液体を除去することを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 6 . 前記液体を供給する液体供給装置と、前記液体供給装置によって供給された液体を回収する液体回収装置とをさらに備え、前記液体除去装置は、前記基板の露光完了後に、前記液体回収装置によって回収されずに、前記基板表面に残留した液体の除去を行うことを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 7 . 基板を保持する第 1保持部材と、基板を保持する第 2保持部材とをさらに備え、前記液体除去装置は、一方の保持部材に保持された基板の露光中に、他方の保持部材に保持された基板に付着した液体の除去を行うことを特徴とする請求項 1 6に記載の露光装置。

1 8 . 基板を保持する第 1保持部材と、基板を保持する第 2保持部材とをさらに備え、前記液体除去装置は、一方の保持部材に保持された基板の露光中に、他方の保持部材に保持された基板に付着した液体の除去を行うこ'とを特徴とする請求項 1、 2、 4及び 7のいずれか一項に記載の露光装置。

1 9 . さらに、基板ステージを備え、基板ステージに前記液体除去装置が設けられている請求項 1に記載の露光装置。

2 0 . 前記基板ステージに前記液体除去装置が設けられている請求項 7に記載の

2 1 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

露光された基板を搬送する搬送システムと、

基板の搬送経路の下の少なくとも一部に、露光後の基板から落下した液体を処理する液体処理機構とを備える露光装置。

2 2 . 前記液体処理機構は、前記搬送経路の下の少なくとも一部に配置された樋部材と、該樋部材を介して回収された液体を排出する排出機構とを有することを特徴とする請求項 2 1に記載の露光装置。 .

2 3 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置とを備える露光装置。

2 4 . 前記洗浄装置は、洗浄液を使って前記基板の洗浄を行うことを特徴とする請求項 2 3に記載の露光装置。

2 5 . 前記洗浄装置は、前記露光後の基板の搬送経路中に設けられていることを特徴とする請求項 2 3に記載の露光装置。

2 6 . 前記液体は、水とは異なることを特徴とする請求項 2 3〜2 5のいずれか一項に記載の露光装置。

2 7 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって、

パターンの像を基板に投影する投影光学系と、

液体が付着した基板を搬送する第 1搬送部材と、

液体が付着していなし、基板を搬送する第 2搬送部材とを備える露光装置。

2 8 . 基板上に存在する露光用の液体を除去する液体除去装置をさらに備え、前記第 1搬送部材は、液体が付着した基板を、前記液体除去装置へ搬送することを特徴とする請求項 2 7に記載の露光装置。

2 9 . 前記第 1搬送部材の少なくとも一部の表面は撥液性であることを特徴とする請求項 2 7に記載の露光装置。

3 0 . 前記第 1搬送部材による基板の搬送経路の下の少なくとも一部に配置され、基板から落下した液体を処理する液体処理機構をさらに備えることを特徴とする請求項 2 7に記載の露光装置。

3 1 . 液体を介して基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって、基板を保持して移動可能な第 1保持部材と、

基板を保持して移動可能な第 2保持部材と、

前記第 1保持部材に保持された基板が露光されているときに、前記第 2保持部材に保持された、露光を終えた基板に付着した液体の除去を行う液体除去装置とを備ん光 ¾Slio

3 2 . 請求項 1、 2、 4、 7、 2 1、 2 3、 2 7及び 3 1のいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。

3 3 . パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置と共に用いられる液体除去装置であって、

露光された基板を保持する保持部と、基板上に存在する露光用の液体を除去する液体除去機構とを備える液体除去装置 c

34. さらに、液体除去機構を包囲するカバーを備える請求項 33に記載の液体除去装置。

35. さらに、前記保持部に基板を搬送する搬送装置を備える請求項 33または 34に記載の液体除去装置。

36. 請求項 1、 2、 4、 7、 21、 23、 27及び 31のいずれか一項に記載の露光装置と、

露光した基板を処理を行う処理装置とを備える露光システム。

37. 前記処理装置が、基板の基材に感光性材料を塗布する塗布装置及び露光された基板を現像する現像装置の少なくとも一方を含む請求項 36に記載の露光システム。