WO2004112108A1 - 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

投影光学系PLと液体1とを介してパターンの像を基板P上に投影することによって基板Pを露光する際、基板Pの側面PB、裏面PCを撥液処理する。このような構成により基板のエッジ領域を液浸露光する場合に良好に液浸領域を形成し、液体の基板ステージ外部への流出を抑えた状態で露光できる露光方法を提供する。

Description

明 細 書 露光方法、 基板ステージ、 露光装置、 及びデバイス製造方法 本出願は特願 2003-169904号（2003年 6月 13日出願）、特願 2003-383887号（2003 年 11月 13 日出願）、 および特顋 2004— 039654号 （2004年 2月 17 日出願） を基 礎出願とし、 その内容を取り込むものとする。 技術分野

本発明は、 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板に露光する露光方 法、 基板を支持する基板ステージ、 露光装置、 及びデバイス製造方法に関するも のである。 背景技術 '

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、 マスク上に形成されたパターンを感光 性の基板上に転写する、 いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。 このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、 マスクを支持するマスク ステージと基板を支持する基板ステージとを有し、 マスクステージ及び基板ステ 一ジを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写す るものである。 近年、 デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために 投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。 投影光学系の解像度は、 使用す る露光波長が短いほど、 また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 そのた め、 露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、 投影光学系の開口 数も増大している。 そして、 現在主流の露光波長は K r Fエキシマレーザの 2 4 8 n mであるが、 更に短波長の A r Fエキシマレ一ザの 1 9 3 n mも実用化され つつある。

また、 露光を行う際には、 解像度と同様に焦点深度 （D O F ) も重要となる。 解 像度 R、 及び焦点深度 δ はそれぞれ以下の式で表される。

R = k , · λ /'Ν Α ■■■ ( 1 ) δ = ± k ₂ · λ Ν Α ² … （2 )

ここで、 え は露光波長、 Ν Αは投影光学系の開口数、 k ₂はプロセス係数 である。 （1 ) 式、 （2 ) 式より、 解像度 Rを高めるために、 露光波長 λ を短く して、 開口数 Ν Αを大きくすると、 焦点深度 δ が狭くなることが分かる。

焦点深度 δ が狭くなり過ぎると、 投影光学系の像面に対して基板表面を合致 させることが困難となり、 露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれが ある。 そこで、 実質的に露光波長を短く して、 且つ焦点深度を広くする方法とし て、 例えば国際公開第 9 9 /' 4 9 5 0 4号パンフレツトに開示されている液浸法 が提案されている。 この液浸法は、 投影光学系の下面と基板表面との間を水や有 機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、 液体中での露光光の波長が空気中 の l /' n ( nは液体の屈折率で通常 1 . 2〜1 . 6程度） になることを利用して 解像度を向上するとともに、 焦点深度を約 11倍に拡大するというものである。 ところで、 上記従来技術には以下に述べる問題が存在する。 上記従来技術は、 投影光学系の像面側の端面と基板 （ウェハ） との間を局所的に液体で満たす構成 であり、 基板の中央付近のショット領域'を露光する場合には液体の基板外側への 流出は生じない。 しかしながら、 図 2 7に示す模式図のように、 基板 Pの周辺領 域 （ェッジ領域） Eに投影光学系の投影領域 1 0 0をあててこの基板 Pのエツジ 領域 Eを露光しょうとすると、 液体は基板 Pの外側へ流出し、 液浸領域が良好に 形成されずに投影されるパターン像を劣化させるという不都合が生じる。 また、 流出した液体により、 基板 Pを支持する基板ステージ周辺の機械部品等に锖ぴを 生じさせたり、 あるいはステージ駆動系等の漏電を引き起こすといった不都合も 生じる。更に、流出した液体が基板の裏面に回り込んで、基板と基板ステージ（基 板ホルダ） との間に浸入すると、 基板ステージは基板を良好に保持できないとい う不都合も生じる。 また、 基板 Pと基板ステージとの間の段差や隙間等に起因し て液体中に気泡が混入する場合もあり、 この場合、 気泡の影響により露光光が散 乱したり、 気泡により基板 P上にパターンが結像しない等の不都合が生じる。 ま た、前記隙間に液体が浸入した場合にも、鳍ぴゃ漏電を引き起こす可能性がある。 発明の開示 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、 投影光学系と基板と の間を液体で満たして露光処理する場合において、 基板のェッジ領域を露光する 場合にも良好に液浸髌域を形成した状態で露光できる露光方法、 基板ステージ、 露光装置、 及びデバィス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、 本発明は実施の形態に示す図 1〜図 26に対応付 けした以下の構成を採用している。

本発明の露光方法は、 投影光学系 （PL) と液体 （1) とを介してパターンの 像を基板 （P) 上に投影することによって基板 （P) を露光する露光方法におい て、 基板 （P) の側面 （PB) が撥液処理されていることを特徴とする。

本発明によれば、 基板の側面が撥液処理されていることにより、 例えば基板を 囲むように配置された部材 （基板ステージ） と基板の側面との間への液体の浸入 を防止できる。 したがって、 基板の裏面側への液体の浸入を防止することができ る。 また、 液体への気泡の混入等も防止され、 液浸領域を良好に形成した状態で 基板のェッジ領域を露光することができる。 '

本発明の露光方法は、 投影光学系 （PL) と液体 （1) とを介してパターンの 像を基板 （P) 上に投影することによって基板 （P) を露光する露光方法におい て、 基板 （P) の裏面 （PC) が撥液処理されていることを特徴とする。

本発明によれば、 基板の裏面が撥液処理されていることにより、 例えば基板の 裏面を保持する基板ホルダと基板の裏面との間への液体の浸入を防止すること ができる。 したがって、 基板を良好に保持しつつ露光することができる。

本発明の基板ステージ （P ST) は、 投影光学系 （PL) と液体 （1) とを介 してパターンの像を基板 （P) 上に投影することによって基板 （P) を露光する 液浸露光に用いられ、 基板 （P) を保持して移動可能な基板ステージにおいて、 少なくとも一部の表面 （3 1、 33A、 36、 37) が撥液性であることを特徴 とする。

本発明によれば、 基板ステージの表面を撥液性にすることで、 液体の飛散や基 板ステージ外部への液体の流出、 液体への気泡の混入や基板ステージ内部への液 体の浸入などを抑制しつつ、 液浸領域を良好に形成した状態で基板のエッジ領域 を露光することができる。 本発明の基板ステージ （P ST) は、 基板 （P) 上の一部に液浸領域 （AR2) を形成し、 投影光学系 （PL) と液体 （1) とを介して基板 （P) 上にパターン 像を投影することによって基板 （P) を露光する液浸露光に用いられ、 基板 （P) を保持する基板ステージにおいて、 基板 （P) の周囲に基板 （P) とほぼ同じ高 さの平坦部 （31) を有し、 平坦部 （31) の内側に基板 （P) が配置される凹 部 （32) が形成され、 平坦部 （32) と基板 （P) とのギャップ （A) を液体 (1) で満たした状態で基板 （P) の露光が行われることを特徴とする。

本発明によれば、 基板のエッジ付近に液浸領域が形成される場合にも、 液浸領 域を良好に維持することができるばかりでなく、 基板上の一部に形成されている 液浸領域の液体に気泡が混入することを防止することができる。 その結果、 基板 上のエツジ付近にも、 良好なパターン像を基板上に形成することが可能となる。 本発明の露光装置 （EX) は、 上記記載の基板ステージ （P ST) を備えたこ とを特徴とする。 本発明のデバイス製造方法は、 上記記載の露光方法、 あるいは 上記記載の基板ステージ （P ST) を備えた露光装置 （EX) を用いることを特 徴とする。

本発明によれば、 良好に液浸領域を形成した状態で基板のエッジ領域を液浸露 光することができ、 所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

本発明の基板ステージ （P ST) は、 被露光対象としての基板 （P) を保持し て移動可能な基板ステージにおいて、 第 1周壁 （33) と、 第 1周壁 （33) の 内側に形成された第 2周壁 （46) と、 第 2周壁 （46) の内側に形成された支 持部 （34) とを備え、 第 2周壁 （46) に囲まれた空間 （38) を負圧にする ことによって、 支持部 （34) に基板 （P) を保持することを特徴とする。

本発明によれば、 基板を支持する支持部の周囲に少なくとも二重の周壁を設け たので、 基板を囲むように配置された部材と基板の側面との間に液体が浸入して も、 基板の裏面側や、 空間を負圧にするための真空系への液体の浸入を防止する ことができる。

本発明の基板ステージ （PST) は、 被露光対象としての基板 （P) を保持し て移動可能な基板ステージにおいて、 基板 （P) を支持する支持部 （34) と、 支持部 （34) に支持された基板 （P) の周囲に配置され、 基板 （P) の表面と ほぼ面一の平坦部 （31) と、 支持部 （34) に支持された基板 （P) の切欠部 (NT、 OF) と平坦部 （31) とのギャップを小さくするためのギャップ調整 部 （1 50、 15 1、 1 52、 1 53) とを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、 基板の切欠部とその周囲の平坦部とのギャップをギヤップ調 整部によって小さくすることで、 基板の切欠部と平坦部との間への液体の浸入を 抑えることができる。 したがって、 基板の裏面側などへの液体の浸入を防止する ことができる。

本発明の基板ステージ （P ST) は、 被露光対象としての基板 （P) を保持し て移動可能な基板ステージにおいて、周壁（33、 33N、 33 F) と該周壁 （3 3、 33N、 33 F) の内側に形成された支持部 （34) とを備え、 周壁 （33、 33N、 33 F) は、 基板 （P) の切欠部 （NT、 OF) の形状に合わせて形成 されており、 周壁 （33、 33N、 33 F) に囲まれた空間 （38) を負圧にす ることによって、 支持部 （34) に基板 （P) を保持することを特徴とする。 本発明によれば、 基板の切欠部の形状に合わせて周壁を形成することで、 基板 と周壁との間に大きなギャップが形成される不都合を抑え、 周壁に囲まれた空間 を円滑に負圧にすることができる。 したがって、 基板を支持部で良好に保持する ことができるとともに、 基板の裏面側や空間への液体の浸入を抑えることができ る。

本発明の基板ステージ （P ST) は、 被露光対象としての基板 （P) を保持し て移動可能な基板ステージにおいて、 基板 （P) を支持するための支持部 （34) と、 支持部 （34).に基板 （P) を吸着するための複数の吸気口 （41、 41 ' ) とを備え、 基板 （P) の切欠部 （NT、 OF) 近傍の吸気力を、 その周りの吸気 力よりも小さくしたことを特徴とする。

本発明によれば、 基板と基板ステージとの間に大きなギヤップが形成されやす い切欠部近傍の吸気口を介した吸気力を、 その周りの吸気口を介した吸気力より も小さくする （弱くする） ことで、 基板の切欠部と基板ステージとの間に液体が 浸入する不都合を抑えることができる。 したがって、 基板の裏面側や吸気口に液 体が浸入することを防止できる。

本発明の露光装置 （EX) は、 上記記載の基板ステージ （P ST) に保持され た基板 （P ) 上に投影光学系 （P L ) と液体 （L Q) とを介して露光光 （E L ) を照射して、 その基板 （P ) を液浸露光することを特徴とする。 本発明のデバイ ス製造方法は、 上記記載の露光装置 （E X) を用いることを特徴とする。

本発明によれば、 基板の裏面側や基板ステージ内部、 あるいは真空系への液体 の浸入を抑えつつ基板を液浸露光することができ、 所望の性能を有するデバイス を製造することができる。 図面の簡単な説明

図 1は、 本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。

図 2は、 液体供給機構及び液体回収機構を示す概略構成図である。

図 3は、 基板ステージの平面図である。

図 4は、 本発明の基板ステージの一実施形態を示す要部断面図である。

図 5は、 基板ステージに対して着脱される基板ホルダを示す模式図である。 図 6は、 本発明の基板ステージの他の実施形態を示す要部断面図である。 図 7 A〜 7 Cは、 空間に液体を配置する手順の一例を示す模式図である。 図 8は、 本発明の基板ステージの他の実施形態を示す要部断面図である。 図 9は、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。

図 1 0は、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。

図 1 1は、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。

図 1 2は、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。

図 1 3は、 本発明の露光方法に係る基板の一実施形態を示す図である。

図 1 4 A〜 1 4 Bは、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図であ る。

図 1 5 A〜 1 5 Bは、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図であ る。

図 1 6 A〜1 6 Bは、 本発明の露光方法に係る基板の一実施形態を示す図であ る。

図 1 7は、 本発明の露光方法に係る基板の一実施形態を示す図である。

図 1 8は、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの平面図である。 図 1 9 A〜1 9 Bは、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの要部断面図 である。

図 2 0 A〜2 0 Bは、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの要部断面図 である。

図 2 1 A〜2 1 Bは、 本発明に係るギャップ調整部の別の実施形態を示す図で める。

図 2 2は、 本発明に係るギャップ調整部の別の実施形態を示す図である。

図 2 3は、 本発明に係るギャップ調整部の別の実施形態を示す図である。

図 2 4は、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの要部断面図である。 図 2 5 A〜2 5 Bは、 本発明の別の実施形態に係る基板ステージの図である。 図 2 6は、 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチヤ一ト図である。 図 2 7は、 従来の露光方法の課題を説明するための模式図である。 発明を実施するための最良の形態 '

以下、 本発明の基板ステージを備えた'露光装置について図面を参照しながら説 明する。

図 1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。

図 1において、露光装置 E Xは、マスク Mを支持するマスクステージ M S Tと、 基板 Pを支持する基板ステージ P S Tと、 マスクステージ M S Tに支持されてい るマスク Mを露光光 E Lで照明する照明光学系 I Lと、 露光光 E Lで照明された マスク Mのパターン像を基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pに投影露 光する投影光学系 P Lと、 露光装置 E X全体の動作を統括制御する制御装置 C O N Tとを備えている。

本実施形態の露光装置 E Xは、 露光波長を実質的に短く して解像度を向上する とともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置で あって、 基板 P上に液体 1を供給する液体供給機構 1 0と、 基板 P上の液体 1を 回収する液体回収機構 2 0とを備えている。 本実施形態において、 液体 1には純 水が用いられる。 露光装置 E Xは、 少なくともマスク M [のパターン像を基板 P上 に転写している間、 液体供給機構 1 0から供給した液体 1により投影光学系 P L の投影領域 A R 1を含む基板 P上の少なくとも一部に液浸領域 A R 2を形成す る。 具体的には、 露光装置 E Xは、 投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2と基板 Pの表面 （露光面） との間に液体 1を満たし、 この投影光学系 P Lと基板 Pとの 間の液体 1及び投影光学系 P Lを介してマスク Mのパターン像を基板 P上に投 影し、 基板 Pを露光する。

ここで、 本実施形態では、 露光装置 E Xとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向 における互いに異なる向き （逆方向） に同期移動しつつマスク Mに形成されたパ ターンを基板 Pに露光する走査型露光装置 （所謂スキャニングステツパ） を使用 する場合を例にして説明する。 以下の説明において、 投影光学系 P Lの光軸 A X と一致する方向を Z軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同 期移動方向 （走査方向） を X軸方向、 Z軸方向及び Y軸方向に垂直な方向 （非走 查方向） を Y軸方向とする。 また、 X軸、 Y軸、及ぴ Z軸まわり方向をそれぞれ、 θ X , Θ Υ、 及び 方向とする。 なお、 ここでいう 「基板」 は半導体ウェハ上 に感光性材料であるフォ トレジス トを塗布したものを含み、 「マスク」 は基板上 に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。

照明光学系 I Lはマスクステージ M S Τに支持されているマスク Μを露光光 E Lで照明するものであり、 露光用光源、 露光用光源から射出された光束の照度 を均一化するォプティ力ルインテグレータ、 ォプティ力ルインテグレータからの 露光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、 リ レーレンズ系、 露光光 E Lによるマ スク M上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。 マス ク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分布の露光光 E L で照明される。 照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとしては、 例えば水銀 ランプから射出される紫外域の輝線 （ g線、 h線、 i線） 及び K r Fェキシマレ 一ザ光 （波長 2 4 8 n m) 等の遠紫外光 （D U V光） や、 A r Fエキシマレーザ 光 （波長 1 9 3 n m) 及ぴ？₂レーザ光 （波長 1 5 7 n m) 等の真空紫外光 （V U V光） などが用いられる。 本実施形態においては A r Fエキシマレ一ザ光が用 いられる。 上述したように、 本実施形態における液体 1は純水であって、 露光光 E Lが A r Fエキシマレーザ光であっても透過可能である。 また、 純水は紫外域 の輝線 （g線、 h線、 i線） 及び K r Fエキシマレーザ光 （波長 2 4 8 n m) 等 の遠紫外光 （DUV光） も透過可能である。

マスクステージ MS Tはマスク Mを支持するものであって、 投影光学系 Pしの 光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に 微小回転可能である。 マスクステージ MSTはリエアモータ等のマスクステージ 駆動装置 MSTDにより駆動される。 マスクステージ駆動装置 MS TDは制御装 置 CONTにより制御される。 マスクステージ MS T上には移動鏡 50が設けら れている。 また、 移動鏡 50に対向する位置にはレーザ干渉計 51が設けられて いる。 マスクステージ MS T上のマスク Mの 2次元方向の位置、 及び回転角はレ 一ザ干渉計 5 1によりリアルタイムで計測され、 計測結果は制御装置 C O N Tに 出力される。 制御装置 CONTはレーザ干渉計 51の計測結果に基づいてマスク ステージ駆動装置 M STDを駆動することでマスクステ一ジ M S Tに支持され ているマスク Mの位置決めを行う。

投影光学系 P Lはマスク Mのパターンを所定の投影倍率 β で基板 Ρに投影露 光するものであって、 基板 Ρ側の先端部に設けられた光学素 （レンズ） 2を含 む複数の光学素子で構成されており、 これら光学素子は鏡筒 ΡΚで支持されてい る。 本実施形態において、 投影光学系 PLは、 投影倍率 が例えば 1Z4ある いは 1/5の縮小系である。 なお、 投影光学系 PLは等倍系及び拡大系のいずれ でもよい。 また、 本実施形態の投影光学系 PLの先端部の光学素子 2は鏡筒 PK に対して着脱 （交換） 可能に設けられており、 光学素子 2には液浸領域 AR 2の 液体 1が接触する。

光学素子 2は螢石で形成されている。 螢石は水との親和性が高いので、 光学素 子.2の液体接触面 2 aのほぼ全面に液体 1を密着させることができる。 すなわち、 本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2 aとの親和性が高い液体 （水） 1を供給するようにしているので、 光学素子 2の液体接触面 2 aと液体 1との密 着性が高く、 光学素子 2と基板 Pとの間の光路を液体 1で確実に満たすことがで きる。 なお、 光学素子 2は水との親和性が高い石英であってもよい。 また光学素 子 2の液体接触面 2 aに親水化 （親液化） 処理を施して、 液体 1との親和性をよ り高めるようにしてもよレ、。 また、 鏡筒 PKは、 その先端付近が液体 （水） 1に 接することになるので、 少なくとも先端付近は T i (チタン'） 等の鲭びに対して 耐性のある金属で形成される。

基板ステージ PSTは、 被露光対象としての基板 Pを支持 （保持） して移動可 能なものであって、 基板 Pを基板ホルダ PHを介して保持する Zステージ 52と、 Zステージ 52を支持する XYステージ 53と、 XYステージ 53を支持するべ —ス 54とを備えている。 基板ステージ P STはリニアモータ等の基板ステージ 駆動装置 PSTDにより駆動される。 基板ステージ駆動装置 P S T Dは制御装置 CONTにより制御される。 Zステージ 52を駆動することにより、 Zステージ 52に保持されている基板 Pの Z軸方向における位置 （フォーカス位置）、 及び Θ X、 θ Y方向における位置が制御される。 また、 XYステージ 53を駆動する ことにより、 基板 Pの XY方向における位置 （投影光学系 P Lの像面と実質的に 平行な方向の位置） が制御される。 すなわち、 Zステージ 52は、 基板 Pのフォ 一力ス位置及び傾斜角を制御して基板 Pの表面をォートフオーカス方式、 及びォ 一トレべリング方式で投影光学系 P Lの像面に合わせ込み、 X Yステージ 53は 基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決めを行う。 な fe、 Zステージと X Yステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。

基板ステージ PST (Zステージ 52) 上には移動鏡 55が設けられている。 また、 移動鏡 55に対向する位置にはレーザ干渉計 56が設けられている。 基板 ステージ P ST上の基板 Pの 2次元方向の位置、 及び回転角はレーザ干渉計 56 によりリアルタイムで計測され、 計測結果は制御装置 CONTに出力される。 制 御装置 C◦ N Tはレ一ザ干渉計 56の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装 置 P STDを駆動することで基板ステージ P STに支持されている基板 Pの位 置決めを行う。

また、 基板ステージ PST (Zスデ一ジ 52) 上には基板 Pを囲むプレート 3 0が設けられている。 プレート部 30は Zステージ 52と一体で設けられており、 プレート部 30の內側には凹部 32が形成されている。 なお、 プレート部 30と Zステージ 52とは別々に設けられていてもよい。 基板 Pを保持する基板ホルダ PHは凹部 32に配置されている。 プレート部 30は、 部 32に配置された基 板ホルダ P Hに保持されている基板 Pの表面とほぼ同じ高さの平坦面 （平坦部） 31を有している。 液体供給機構 1 0は所定の液体 1を基板 P上に供給するものであって、 液体 1 を供給可能な第 1液体供給部 1 1及び第 2液体供給部 1 2と、 第 1液体供給部 1 1に流路を有する供給管 1 1 Aを介して接続され、 この第 1液体供給部 1 1から 送出された液体 1を基板 P上に供給する供給口 1 3 Aを有する第 1供給部材 1 3と、 第 2液体供給部 1 2に流路を有する供給管 1 2 Aを介して接続され、 この 第 2液体供給部 1 2から送出された液体 1を基板 P上に供給する供給口 1 4 A を有する第 2供給部材 1 4とを備えている。 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4は基 板 Pの表面に近接して配置されており、 基板 Pの面方向において互いに異なる位 置に設けられている。 具体的には、 液体供給機構 1 0の第 1供給部材 1 3は投影 領域 A R 1に対して走査方向一方側 （一 X側） に設けられ、 第 2供給部材 1 4は 他方側 （+ X側） に設けられている。

第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれは、 液体 1を収容するタンク、 及 び加圧ポンプ等を備えており、 供給管 1 1 A、 1 2 A及び供給部材 1 3、 1 4の それぞれを介して基板 P上に液体 1を供給する。 また、 第 1 '、 第 2液体供給部 1 1、 1 2の液体供給動作は制御装置 C O N Tにより制御され、 制御装置 C O N T は第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2による基板 P上に対する単位時間あたりの液 体供給量をそれぞれ独立して制御可能である。また、第 1、第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれは液体の温度調整機構を有しており、 装置が収容されるチャンバ 内の温度とほぼ同じ温度 （例えば 2 3 °C) の液体 1を基板 P上に供給するように なっている。

液体回収機構 2 0は基板 P上の液体 1を回収するものであって、 基板 Pの表面 に近接して配置された回収口 2 3 A、 2 4 Aを有する第 1、 第 2回収部材 2 3、 2 4と、 この第 1、 第 2回収部材 ·2 3、 2 4に流路を有する回収管 2 1 Α、 2 2 Αを介してそれぞれ接続された第 1、第 2液体回収部 2 1、 2 2とを備えている。 第 1、 第 2液体回収部 2 1、 2 2は例えば真空ポンプ等の吸引装置、 及び回収し た液体 1を収容するタンク等を備えており、 基板 P上の液体 1を第 1、 第 2回収 部材 2 3、 2 4、 及び回収管 2 1 A、 2 2 Aを介して回収する。 第 1、 第 2液体 回収部 2 1、 2 2の液体回収動作は制御装置 C O N Tにより制御され、 制御装置 C〇 N Tは第 1、 第 2液体回収部 2 1、 2 2による単位時間あたりの液体回収量 を制御可能である。

上記第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4、 及び第 1、 第 2回収部材 2 3、 24のう ち少なくとも液体に接触する部分は、 ステンレス鋼を含む材料によって形成され ている。 本実施形態においては、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4、 及び第 1、 第 2回収部材 2 3、 24は、 ステンレス鋼のうち SUS 3 1 6によって形成されて いる。 また、 ステンレス鋼 （SUS 3 1 6) によって形成された第 1、 第 2供給 部材 1 3、 1 4、 及び第 1、 第 2回収部材 2 3、 24のうち少なくとも液体に接 触する液体接触面は表面処理を施されている。 そのような表面処理として、 例え ば祌鋼パンテック社の 「G0LDEP」 処理あるいは 「G0LDEP WHITE」 処理が挙げられ る。

図 2は液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20の概略構成を示す平面図であ る。 図 2に示すように、 投影光学系 P Lの投影領域 AR 1は Y軸方向 （非走查方 向） を長手方向とするスリット状 （矩形状） に設定されており、 液体 1が満たさ れた液浸領域 A R 2は投影領域 A R 1を含むように基板 Pi:の一部に形成され る。 そして、 投影領域 A R 1の液浸領域 A R 2を形成するための液体供給機構 1 0の第 1供給部材 1 3は投影領域 A R 1に対して走査方向一方側 （一 X側） に設 けられ、 第 2供給部材 1 4は他方側 （ + X側） に設けられている。

第 1、第 2供給部材 1 3、 1 4のそれぞれは乎面視略円弧状に形成されており、 その供給口 1 3A、 1 4 Aの Y軸方向におけるサイズは、 少なくとも投影領域 A R 1の Y軸方向におけるサイズより大きくなるように設定されている。 そして、 平面視略円弧状に形成されている供給口 1 3 A、 1 4 Aは、 走査方向 （X軸方向） に関して投影領域 AR 1を挟むように配置されている。 液体供給機構 1 0は、 第 1、 第 2供給部本す 1 3、 1 4の供給口 1 3A、 1 4 Aを介して投影領域 AR 1の 両側で液体 1を同時に供給する。

液体回収機構 20の第 1、 第 2回収部材 2 3、 24のそれぞれは基板 Pの表面 に向くように円弧状に連続的に形成された回収口 2 3 A、 24 Aを有している。 そして、 互いに向き合うように配置された第 1、 第 2回収部材 2 3、 24により 略円環状の回収口が形成されている。 第 1、 第 2.回収部材 2 3、 24それぞれの 回収口 2 3 A、 24 Aは液体供給機構 1 0の第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4、 及 び投影領域 AR lを取り囲むように配置されている。 また、 投影領域 AR 1を取 り囲むように連続的に形成された回収口の内部に複数の仕切部材 25が設けら れている。

第 1、 第 2供給部材 1 3、 14の供給口 1 3A、 14 Aから基板 P上に供給さ れた液体 1は、 投影光学系 PLの先端部 （光学素子 2) の下端面と基板 Pとの間 に濡れ拡がるように供給される。 また、 投影領域 AR 1に対して第 1、 第 2供給 部材 1 3、 14の外側に流出した液体 1は、 この第 1、 第 2供給部材 1 3、 14 より投影領域 AR 1に対して外側に配置されている第 1、 第 2回収部材 23、 2 4の回収口 23A、 24Aより回収される。

本実施形態において、 基板 Pを走査露光する際、 走査方向に関して投影領域 A R 1の手前から供給する単位時間あたりの液体供給量が、 その反対側で供給する 液体供給量よりも多く設定される。 例えば、 基板 Pを + X方向に移動しつつ露光 処理する場合、 制御装置 CONTは、 投影領域 AR 1に対して一 X側 （すなわち 供給口 1 3A) からの液体量を + X側 （すなわち供給口 14 からの液体量よ り多くし、 一方、 基板 Pを一 X方向に移動しつつ露光処理する場合、 投影領域 A R 1に対して + X側からの液体量を一 X側からの液体量より多くする。 また、 走 查方向に関して、 投影領域 AR 1の手前での単位時間あたりの液体回収量が、 そ の反対側での液体回収量よりも少なく設定される。 例えば、 基板 Pが +X方向に 移動しているときには、投影領域 AR 1に対して +X側（すなわち回収口 24A) からの回収量を一 X側 （すなわち回収口 23 A) からの回収量より多くする。 図 3は基板ステージ P STの Zステージ 52を上方から見た平面図である。 平 面視矩形状の Zステージ 52の互いに垂直な 2つの縁部に移動鏡 55が配置さ れている。 また、 Zステージ 52のほぼ中央部に凹部 32が形成されており、 こ の凹部 32に基板 Pを保持する基板ホルダ PHが配置されている。 基板 Pの周囲 には、 基板 Pの表面とほぼ同じ高さの平坦面 （平坦部） 31を有するプレート部 30が Zステージ 52と一体で設けられている。

基板ホルダ PHは、 略円環状の周壁部 33と、 この周壁部 33の内側に配置さ れ、 基板 Pを保持 （支持） する複数の支持部 34とを備えている。 周壁部 33は 支持部 34の周囲に配置されており、 支持部 34は周壁部 33の内側において一 様に配置されている。 プレート部 3 0の平坦面 3 1は、.支持部 3 4に支持された 基板 Pの周囲に配置され、 支持部 3 4に支持された基板 Pの表面とほぼ面一にな るように設けられている。 また、 基板ホルダ P Hに保持されている基板 Pの側面 P Bとプレート部 3 0との間には所定のギャップ Aが形成されている。 なお、 図 においては、 周壁部 3 3の上端面は比較的広い幅を有しているが、 実際には 1〜 2 mm程度の幅しか有していない。

プレート部 3 0の平坦面 3 1の 2つのコーナーは幅広になっており、 その幅広 部の 1つに、 マスク M及び基板 Pを所定位置に対してァライメントする際に使う 基準マーク F Mが設けられている。 また、 基板ステージ P S T上の基板 Pの周囲 には、 照度センサ等の各種センサも設けられている。 なお、 本実施形態では、 基 準マーク F Mはプレート部 3 0に設けられているが、 プレート部 3 0とは別に基 準マーク F Mを配置するための基準マーク部材を基板ステージ P S T上に設け てもよい。

図 4は基板 Pを保持した基板ステ一ジ P S Tの要部拡大断面図である。 図 4に おいて、 Zステージ 5 2 (プレート部 3 0 ) の凹部 3 2内部に、 基板 Pを保持す る基板ホルダ P Hが配置されている。 凹部 3 2は平坦面 3 1の内側に形成されて おり、 凹部 3 2の内側面 3 6は平坦面 3 1に隣接している。 周壁部 3 3及ぴその 周壁部 3 3の内側に形成された支持部 3 4は、 基板ホルダ P Hの一部を構成する 略円板状のベース部 3 5上に設けられている。 支持部 3 4のそれぞれは断面視台 形状であり、 基板 Pはその裏面 P Cを複数の支持部 3 4の上端面 3 4 Aに保持さ れる。 なお、 図において支持部 3 4は比較的大きく示されているが、 実際には非 常に小さなピン状の支持部が周壁部 3 3の内側に多数形成されている。

また、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aは平坦面となっている。 周壁部 3 3の高さは支持 部 3 4の高さよりも低くなつており、 支持部 3 4に支持'された基板 Pと周壁部 3 3との間にはギャップ Bが形成されている。 ギャップ Bは、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板 Pの側面 P Bとの間のギャップ Aより小さい。 例えば、 ギャップ Aは、 基板 Pの外形の製造誤差や基板 Pの載置精度等を考慮すると、 0 . 1〜1 . 0 m m程度が好ましく、 ギャップ Bは 2 . 0〜5 . Ο μ ηι程度である。 また、 凹部 3 2の内側面 3 6と、 この内側面 3 6に対向する基板ホルダ Ρ Ηの側面 3 7との間 にギャップ Cが形成されている。 ここで、 基板ホルダ P Hの径は基板 Pの径より 小さく形成されており、 ギャップ Aはギヤップ Cより小さい。 なお、 本実施形態 においては、 基板 Pには位置合わせのための切り欠き （オリフラ、 ノッチ等） は 形成されておらず、 基板 Pはほぼ円形であり、 その全周にわたってギャップ Aは 0 . l mn！〜 1 . O mmになっているため、 液体の流入を防止できる。

基板 Pの露光面である表面 P Aにはフォトレジスト （感光材） 9 0が塗布され ている。

本実施形態において、 感光材 9 0は A r Fエキシマレーザ用の感光材 （例えば、 東京応化工業株式会社製 TARF-P6100) であって撥液性 （撥水性） を有しており、 その接触角は 7 0〜8 0 ° 程度である。

また、 本実施形態において、 基板 Pの側面 P Bは撥液処理 （撥水処理） されて いる。 具体的には、 基板 Pの側面 P Bにも、 撥液性を有する上記感光材 9◦が塗 布されている。 更に、 基板 Pの裏面 P Cにも上記感光材 9 0が塗布されて撥液処 理されている。

Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T )' の一部の表面は撥液処理されて撥液性 となっている。 本実施形態において、 Zステージ 5 2のうち、 平坦面 3 1、 及び 内側面 3 6が撥液性を有している。 更に、 基板ホルダ P Hの一部の表面も撥液処 理されて撥液性となっている。 本実施形態において、 基板ホルダ P Hのうち、 周 壁部 3 3の上面 3 3 A、 及び側面 3 7が撥液性を有している。 Zステージ 5 2及 ぴ基板ホルダ P Hの撥液処理としては、 例えば、 フッ素系樹脂材料あるいはァク リル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、 あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を 貼付する。 撥液性にするための撥液性材料としては液体 1に対して非溶解性の材 料が用いられる。 なお、 Zステージ 5 2や基板ホルダ P H全体を撥液性を有する 材料 （フッ素系樹脂など） で形成してもよレ、。

基板ステージ P S Tは、 基板ホルダ P Hの周壁部 3 3に囲まれた第 1空間 3 8 を負圧にする吸引装置 4 0を備えている。 吸引装置 4 0は、 基板ホルダ P Hのべ ース部 3 5上面に設けられた複数の吸引口 4 1と、 基板ステージ P S T外部に設 けられた真空ポンプを含むバキューム部 4 2と、 ベ一ス部 3 5内部に形成され、 複数の吸引口 4 1のそれぞれとバキューム部 4 2とを接続する流路 4 3とを備 えている。 吸引口 4 1はべ一ス部 3 5上面のうち支持部 3 4以外の複数の所定位 置にそれぞれ設けられている。吸引装置 4 0は、周壁部 3 3と、ベース部 3 5と、 支持部 3 4に支持された基板 Pとの間に形成された第 1空間 3 8内部のガス （空 気） を吸引してこの第 1空間 3 8を負圧にすることで、 支持部 3 4に基板 Pを吸 着保持する。 なお、 基板 Pの裏面 P Cと周壁部 3 3の上面 3 3 Aとのギャップ B は僅かであるので、 第 1空間 3 8の負圧は維持される。

基板ステージ P S Tは、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板ホルダ P Hの側面 3 7と の間の第 2空間 3 9に流入した液体 1を回収する回収部 （回収手段） 6 0を備え ている。本実施形態において、回収部 6 0は、液体 1を収容可能なタンク 6 1と、 Zステージ 5 2内部に設けられ、 空間 3 9とタンク 6 1とを接続する流路 6 2と を有している。 そして、 この流路 6 2の内壁面にも撥液処理が施されている。

Zステージ 5 2には、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板ホルダ P Hの側面 3 7との 間の第 2空間 3 9と、 Zステージ 5 2外部の空間 （大気空間） とを接続する流路 4 5が形成されている。 ガス （空気） は流路 4 5を介して第 2空間 3 9と Zステ ージ 5 2外部とを流通可能となっており、 第 2空間 3 9はほぼ大気圧に設定され る。

図 5に示すように、 本実施形態において、 基板ホルダ P Hは Zステージ 5 2に 対して着脱可能に設けられている。 そして、 Zステージ 5 2のうち基板ホルダ P Hとの接触面 5 7が撥液処理されて撥液性であるとともに、 Zステージ 5 2に対 する接触面である基板ホルダ P Hの裏面 5 8も撥液処理されて撥液性を有して いる。 接触面 5 7や裏面 5 8に対する撥液処理としては、 上述したように、 フッ 素系樹脂材料ゃァクリル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布する等して行うこと ができる。

次に、 上述した構成を有する露光装置 E Xにより基板 Pのェッジ镇域 Eを液浸 露光する方法について説明する。

図 4に示すように、 基板 Pのエッジ領域 Eを液浸露光する際、 液体 1の液浸領 域 A R 2が、 基板 Pの表面 P Aの一部及びプレート部 3 0の平坦面 3 1の一部を 覆うように形成される。 このとき、 基板 Pの側面 P B及びこの側面 P Bに対向す る内側面 3 6は撥液処理されているので、 液浸領域 A R 2の液体 1はギヤップ A に浸入し難く、 その表面張力によりギヤップ Aに流れ込むことがほとんどない。 したがって、 基板 Pのエッジ領域 Eを露光する場合にも、 投影光学系 P Lの下に 液体 1を良好に保持しつつ液浸露光できる。 このとき、 プレート部 3 0の平坦面 3 1も撥液処理されているので、 液浸領域 A R 2を形成する液体 1のプレート部 3 0外側への過剰な濡れ拡がりが防止され、 液浸領域 A R 2を良好に形成可能で あるとともに、 液体 1の流出や飛散等の不都合を防止することができる。 また、 基板 Pには、 ノッチ等の切り欠きが無いので、 その切り欠きから液体 1が流れ込 むこともなレ、。

また、 液浸領域 A R 2の液体 1がギヤップ Aを介して第 2空間 3 9に僅かに流 入した場合でも、 基板 Pの裏面 P C及び周壁部 3 3の上面 3 3 Aのそれぞれには 撥液処理が施され、 ギャップ Bは十分小さいので、 基板 Pを支持部 3 4に対して 吸着保持するために負圧に設定されている第 1空間 3 8に液体 1は流入しない。 これにより、 吸引口 4 1に液体 1が流入して基板 Pを吸着保持できなくなるとい つた不都合を防止することができる。 '

そして、 第 2空間 3 9に流入した液体 1は、 流路 6 2を介して回収部 6 0のタ ンク 6 1に回収され、 周辺装置への液体 1の流出 （漏洩） や飛散等を抑えること ができる。 このとき、 第 2空間 3 9を形成する凹部 3 2の内側面 3 6や基板ホル ダ P Hの側面 3 7、 あるいは流路 6 2は撥液性となっているので、 第 2空間 3 9 に流入した液体 1はこの第 2空間 3 9に留まることなく、 流路 6 2を円滑に流れ てタンク 6 1に回 ij又さォ 1る。

ところで、 吸引装置 4 0の吸引動作により、 第 2空間 3 9のガス （空気） がギ ヤップ Bを介して第 1空間 3 8に流入し、 これに伴つて液浸領域 A R 2の液体 1 がギヤップ Aを介して第 2空間 3 9に浸入して液浸領域 A R 2の形成が不安定 になる可能性が考えられる。

しかしながら、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板ホルダ P Hの側面 3 7との間のギヤ ップ C力 基板 Pの側面 P Bと凹部 3 2の内側面 3 6との間のギャップ Aより大 きく設定されており第 2空間 3 9は流路 4 5を介して大気開放されているので、 ギャップ Bを通過する空気は、 流路 4 5を介して外部から流入しギャップ Cを通 過した空気が大部分であり、ギヤップ Aを通過した空気（液体 1 )は僅かである。 08578

18 したがってギヤップ Aを介して液体にかかる吸引力を^体 1の表面張力より小 さくすることができ、 ギヤップ Aを介して液浸領域 A R 2の液体 1が第 2空間 3 9に流入する不都合を抑制することができる。

なお、 流路 4 5の第 2空間 3 9に接続する一端部とは反対の他端部にガス （空 気） 供給装置 4 5 ' を接続し、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板ホルダ P Hの側面 3 7との間の第 2空間 3 9を陽圧化、 具体的には大気圧より僅かに高く設定するよ うにしてもよレ、。 これ,により、 液浸領域 A R 2の液体 1がギャップ Aを介して空 間 3 9に流入する不都合を抑えることができる。 なおこの場合、 第 2空間 3 9を 過剰に陽圧化すると、 第 2空間 3 9内部のガス （空気） がギャップ Aを介して液 浸領域 A R 2の液体 1に流入し、 液体 1に気泡が混入する不都合が生じるため、 第 2空間 3 9はほぼ大気圧 （大気圧より僅かに高い程度） に設定されることが好 ましい。

以上説明したように、 基板 Pの側面 P B及びこれに対向する凹部 3 2の内側面 3 6を撥液性にしたことにより、 ギヤップ Aを介して Zステージ 5 2と基板ホノレ ダ P Hとの間の第 2空間 3 9に液体 1が浸入する不都合を防止することができ る。 したがって、 基板 Pのエッジ領域 Eを露光する際、 液体 1への気泡の混入等 を抑えつつ液浸領域 A R 2を良好に形成した状態で露光することができる。 また、 基板ステージ P S T内部の第 2空間 3 9に対する液体 1の流入を防止できるの で、 装置の鲭びゃ漏電の発生を防止することができる。

また、 基板 Pの裏面 P C及びこれに対向する周壁部 3 3の上面 3 3 Aを撥液性 にしたことにより、 ギャップ Bを介して第 1空間 3 8に液体 1が浸入する不都合 を防止することができる。 したがって、 吸引口 4 1に液体 1が流入する不都合の 発生を回避し、 基板 Pを良好に吸着保持した状態で露光処理できる。

また、 本実施形態では、 Zステージ 5 2に対して着脱可能な基板ホルダ P Hの 裏面 5 8や、 Zステージ 5 2のうち基板ホルダ P Hとの接触面 5 7に撥液処理を 施したことにより、 第 2空間 3 9に液体 1が流入した場合でも、 基板ホルダ P H の裏面 5 8と Zステージ 5 2の接触面 5 7との間に対する液体 1の流入を抑え ることができる。 したがって、 基板ホルダ P Hの裏面 5 8や Zステージ 5 2の接 触面 5 7における鲭びの発生等を防止することができる。 また、 基板ホルダ P H の裏面 5 8と Zステージ 5 2の接触面 5 7との間に液^: 1が浸入すると、 基板ホ ルダ P Hと Zステージ 5 2とが接着して分離し難くなる状況が生じるが、 撥液性 にすることで分離し易くなる。

なお、 本実施形態では、 基板ホルダ P Hと基板ステージ P S T ( Zステージ 5 2 ) とは着脱可能であるが、 基板ホルダ P Hを基板ステージ P S Tと一体で設け てもよい。

なお、 本実施形態では、 基板 Pの表面 P A、 側面 P B、 及び裏面 P Cの全面に 撥液処理のために感光材 9 0が塗布されているが、 ギャップ Aを形成する領域、 すなわち基板 Pの側面 P Bと、 ギャップ Bを形成する領域、 すなわち基板 Pの裏 面 P Cのうち周壁部 3 3の上面 3 3 Aに対向する領域のみを撥液処理する構成 であってもよい。 更に、 ギャップ Aが十分に小さく、 また撥液処理するために塗 布する材料の撥液性 （接触角） が十分に大きければ、 ギャップ Aを介して第 2空 間 3 9に液体 1が流入する可能性が更に低くなるため、 ギヤップ Bを形成する基 板 Pの裏面 P Cには撥液処理を施さず、 基板 Pの側面 P B みを撥液処理する構 成であってもよい。

同様に、 基板ステージ P S Tの凹部 3 2の内側面 3 6の全面を撥液処理する構 成の他に、 内側面 3 6のうち、 基板 Pの側面 P Bと対向する一部の領域のみを撥 液処理するようにしてもよい。 また、 周壁部 3 3の上面 3 3. Aの全面を撥液処理 する構成の他に、 上面 3 3 Aのうち例えば内側の一部の領域を環状に撥液処理す るようにしてもよい。 また、 基板ホルダ P Hの側面 3 7の全面を撥液処理する構 成の他に、 一部の領域のみを撥液処理するようにしてもよい。

また上述の実施形態においては、 基板 Pの側面とそれに対向する基板ステージ P S Tの内側面 3 6、 基板ホルダ P Hの側面 37とそれに対向する基板ステージ P S Tの内側面 3 6、 及ぴ基板 Pの裏面とそれに対向する周壁部 3 3の上面 3 3 Aとを撥液処理しているが、 対向する面のうちのどちらか一方だけを撥液処理す るようにしてもよい。

また本実施形態において、 プレート部 3 0の平坦面 3 1は撥液処理されている f 例えばプレート部 3 0の平坦面 3 1が十分大きい場合や、 基板 Pの液体 1に 対する走査速度が十分に小さい場合には、 液浸領域 A R 2の液体 1がプレート部 3 0外部に流出する可能性は低いので、 平坦面 3 1を禪液処理しなくても、 液体 1の流出や飛散等を防止することができる。 また、 撥液処理を平坦面 3 1の全面 に施す構成の他に、 例えば基板 P直近の一部の領域を環状に撥液処理するように してもよレ、。

また、 基板ステージ P S Tの平坦面 3 1の撥液性と内側面 3 6の撥液性とが異 なっていてもよい。 すなわち、 平坦面 3 1における液体 1の接触角と内側面 3 6 における液体 1の接触角とが異なっていてもよレ、。

なお、 本実施形態では、 周壁部 3 3の高さは支持部 3 4の高さより低く、 基板 Pの裏面 P Cと周壁部 3 3の上面 3 3 Aとの間にギヤップ Bが形成されている が、 基板 Pの裏面 P Cと周壁部 3 3の上面 3 3 Aとが接触してもよレ、。

本実施形態において、 基板 Pの側面 P B及び裏面 P Cの撥液処理として、 撥液 性を有する感光材 9 0を塗布しているが、 側面 P Bや裏面 P Cには感光材 9 0以 外の撥液性（撥水性）を有する所定の材料を塗布するようにしてもよレ、。例えば、 基板 Pの露光面である表面 P Aに塗布された感光材 9 0の上'層にトップコート 層と呼ばれる保護層 （液体から感光材 9 0を保護する膜） を塗布する場合がある 力 S、 このトップコート層の形成材料 （例えばフッ素系樹脂材料） は、 例えば接触 角 1 1 0 ° 程度で撥液性 （撥水性） を有する。 したがって、 基板 Pの側面 P Bや 裏面 P Cにこのトップコ一ト層形成材料を塗布するようにしてもよレ、。 もちろん、 感光材 9 0ゃトップコ一ト層形成用材料以外の撥液性を有する材料を塗布する ようにしてもよレ、。

また、 本実施形態では、 基板ステージ P S Tや基板ホルダ P Hの撥液処理とし て、 フッ素系樹脂材料やアクリル系樹脂材料を塗布する等しているが、 上記感光 材ゃトップコ一ト層形成材料を基板ステージ P S Tや基板ホルダ P Hに塗布す るようにしてもよいし、 逆に、 基板 Pの側面 P Bや裏面 P Cに、 基板ステージ P S Tや基板ホルダ P Hの撥液処理に用いた材料を塗布するようにしてもよい。 上記トップコート層は、 液浸領域 A R 2の液体 1が感光材 9 0に浸透するのを 防止するために設けられる場合が多いが、 例えばトップコ一ト層上に液体 1の付 着跡 （所謂ウォーターマーク） が形成されても、 液浸露光後にこのトップコート 層を除去することにより、 ウォーターマークをトップコート層とともに除去した 後に現像処理等の所定のプロセス処理を行うことができる。 ここで、 トップコー ト層が例えばフッ素系樹脂材料から形成されている場合、 フッ素系溶剤を使つて 除去することができる。これにより、ウォーターマークを除去するための装置（例 えばウォーターマーク除去用基板洗浄装置） 等が不要となり、 トップコート層を 溶剤で除去するといつた簡易な構成で、 ウォーターマークを除去した後に所定の プロセス処理を良好に行うことができる。

次に、 本発明の基板ステージを備えた露光装置の他の実施形態について図 6を 参照しながら説明する。 ここで、 以下の説明において、 上述した実施形態と同一 又は同等の構成部分については同一の符号を付し、 その説明を簡略若しくは省略 する。

図 6に示す基板ステージ P S Tにおいて、 凹部 3 2の內側面 3 6と基板ホルダ P Hの側面 3 7との間の第 2空間 3 9には液体 1が保持可能となっている。 ここ で、 本実施形態おける基板 Pの側面 P Bには撥液処理が施されていない。 また、 基板 Pの裏面 P Cに対しては、 基板ホルダ P Hの周壁部 3 3 'の上面 3 3 Aに対向 する一部の領域にのみ撥液処理が施されている。 なお、 基板 Pの露光面である表 面 P Aには感光材 9 0が塗布されている。 また、 本実施形態において、 基板ステ 一ジ P S Tのうち内側面 3 6及び基板ホルダ P Hの側面 3 7に撥液処理は施さ れておらず、 基板ホルダ P Hの周壁部 3 3の上面 3 3 Aにのみ撥液処理が施され ている。

基板ホルダ P Hにおいて、 周壁部 3 3の内側には、 第 2周壁部 4 6が形成され ている。

基板 Pを支持する支持部 3 4は第 2周壁部 4 6の内側に形成されている。 周壁部 3 3の高さと第 2周壁部 4 6の高さとはほぼ同じ高さに形成されている。 周壁部 3 3の高さ及び第 2周壁部 4 6の高さは、 支持部 3 4よりも低くなつている。 な お、 第 2周壁部 4 6の上面 4 6 Aの幅は、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aの幅より小さ くなつているが、 同一でもよいし、 第 2周壁部 4 6の上面 4 6 Aの幅を周壁部 3 3の上面 3 3 Aの幅より大きく してもよレ、。

また周壁部 4 6の上面 4 6 Aの高さは、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aの高さと異なら せてもよく、 第 2周壁部 4 6の上面 4 6 Aは基板 Pの裏面に接触していてもよレ、。 そして、 周壁部 3 3と第 2周壁部 4 6との間には、 環 のバッファ空間 4 7が形 成されている。 バッファ空間 4 7には流路 4 8が接続されている。 この流路 4 8 は一端部をバッファ空間 4 7に接続し、 他端部を基板ステージ P S T外部の空間 (大気空間） に接続している。 これにより、 周壁部 3 3と第 2周壁部 4 6との間 のバッファ空間 4 7は大気開放され、 このバッファ空間 4 7の圧力はほぼ大気圧 に設定される。

また、 基板ステージ P S Tは、 第 2空間 3 9に液体を供給可能な液体供給装置 7 0を備えている。 液体供給装置 7 0は、 液体を送出可能な供給部 7 1と、 Zス テージ 5 2内部に形成され、 一端部を第 2空間 3 9に接続し他端部を供給部 7 1 に接続する流路 7 2とを備えている。 ここで、 液体供給装置 7 0は、 第 2空間 3 9の液体 1を回収する機能も有している。

図 7 A〜 7 Cは第 2空間 3 9に液体 1を満たす手順を示す図である。 図 7 Aに 示すように、 基板 Pが基板ステージ P S Tにロード （載置） される前に、 第 2空 間 3 9における液体 1の水位 （高さ） が周壁部 3 3の高さよ'り低く設定される。 なお、 この状態において第 2空間 3 9から液体 1を除去しておいてもよい。 次い で、 図 7 Bに示すように、 基板 Pが不図示のローダ装置により基板ホルダ P Hに ロードされた後、 吸引装置 4 0力 S、 第 2周壁部 4 6で囲まれた第 1空間 3 8のガ ス （空気） を吸引し、 その第 1空間 3 8を負圧にすることによって、 基板 Pは基 板ホルダ P Hの支持部 3 4に吸着保持される。 次いで、 図 7 Cに示すように、 液 体供給装置 7 0により第 2空間 3 9に液体 1が供給され、 これにより第 2空間 3 9に液体 1が満たされる。 ここで、 液体供給装置 7 0は、 プレート部 3 0の平坦 面 3 1及ぴ基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ （水位） に なるまで液体 1を第 2空間 3 9に供給する。

なお、 液浸露光終了後は、 図 7 A〜7 Cを参照して説明した動作と反対の動作 を行えばよい。 すなわち、 液浸露光終了後、 液体回収機能を兼ね備えた液体供給 装置 7 0が第 2空間 3 9の液体 1を回収する。 次いで、 吸引装置 4 0が基板ホル ダ P Hによる基板 Pに対する吸着保持を解除する。 次いで、 不図示のアンローダ 装置が基板ホルダ P H上の基板 Pをアンロード （搬出） する。

空間 3 9に液体 1を満たすことにより、 プレート部 3 0の平坦面 3 1と基板 P の表面 P Aとは空間 3 9の液体 1を介してほぼ面一となる。 すなわち、 平坦部 3 1と基板 Pとの隙間が液体 1で満たされることになる。 これにより、 基板 Pのェ ッジ領域 Eを液浸露光するために、 ギャップ A上に液体 1を配置しても、 液浸領 域 A R 2の液体 1に気泡が混入する等の不都合を防止し、 良好に液浸領域 A R 2 を形成した状態で露光することができる。

このとき、 ギャップ Bは十分に小さく、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aとこれに対向 する基板 Pの裏面 P Cの一部の領域とが撥液処理されているので、 第 2空間 3 9 の液体 1がギャップ Bを介してバッファ空間 4 7に流入することがない。 更に、 バッファ空間 4 7は流路 4 8を介して大気開放され、 ほぼ大気圧に設定されてい るので、 吸引装置 4 0が第 1空間 3 8を負圧にした状態でも、 第 2空間 3 9に満 たされている液体 1のバッファ空間 4 7側への流入を防止することができる。 仮 にギヤップ Bを液体が僅かに通過したとしても、 バッファ空間 4 7でその浸入し た液体を捕らえることができる。

本実施形態に係る基板ステージ P S Tは、 第 2空間 3 9に液体 1を供給可能で あるとともに第 2空間 3 9の液体 1を回収可能な液体供給装置 7 0を備えた構 成である。 これにより、 基板 Pが基板ホルダ P Hに載置されているかどうかに応 じて液体 1を自在に供給あるいは回収できるので、 液体 1の周辺装置への流出を 防止することができる。 すなわち、 第 2空間 3 9に液体 1を満たす場合、 例えば ギヤップ A上に液浸領域 A R 2の液体 1を配置し、 流路 4 8を介してバッファ空 間 4 7を負圧にすることで、 ギヤップ A上の液体 1を第 2空間 3 9に満たすこと も考えられるが、 この場合、 液浸露光処理終了後、 基板 Pをアンロードするとき に、 第 2空間 3 9の液体 1の水位は周壁部 3 3の高さより高いので、 液体 1が例 えば周壁部 3 3の上面 3 3 Aゃバッファ空間 4 7側に流れ込んでしまう不都合 が生じる。 しかしながら、 第 2空間 3 9に対する液体 1の供給及び回収可能な液 体供給装置 7 0を設けたことにより、 基板 Pをアンロードする前に、 第 2空間 3 9の液体 1を回収すればよいので、 液体 1の流出を防止することができる。

なお、 流路 4 8のうちバッファ空間 4 7に接続する一端部とは反対の他端部に ガス供給装置 4 8 ' を接続し、 バッファ空間 4 7を陽圧化、 具体的には大気圧よ り僅かに高く設定するようにしてもよい。 これにより、 第 2空間 3 9の液体 1が ギャップ Bを介してバッファ空間 4 7、 ひいては第 1 ^間 3 8に流入する不都合 を防止することができる。 なおこの場合、 バッファ空間 4 7を過剰に陽圧化する と、 第 2空間 3 9内部の液体 1がバッファ空間 4 7内部のガス （空気） とともに ギヤップ Aを介して液浸領域 A R 2の液体 1に流入し、 液体 1に気泡が混入する 不都合が生じるため、 バッファ空間 4 7はほぼ大気圧 （大気圧より僅かに高い程 度） に設定されることが好ましレ、。 また、 ガス供給装置 4 8 ' に吸引機能を持た せ、 ガス供給装置 4 8 ' によって、 周壁部 3 3と第 2周壁部 4 6との間のバッフ ァ空間 4 7の圧力を、 例えば大気圧よりも僅かに低く （低負圧）、 且つ第 1空間 3 8の圧力よりも高く設定するなど、 バッファ空間 4 7の圧力を任意に調整可能 にしてもよい。

なお、 本実施形態において、 基板 Pは裏面 P Cの一部を撥液処理されている構 成であるが、 裏面 P C全面が撥液処理されてもよいし、 側面 P Bが撥液処理され てもよい。 更に、 基板ホルダ P Hの側面 3 7や凹部 3 2の内側面 3 6が撥液処理 されてもよい。 また、 基板 Pの裏面 P C.とそれに対向する周^部 3 3の上面 3 3 Aのどちらか一方のみを撥液性にしてもよい。 また、 第 2周壁部 4 6の上面 4 6 Aに撥液処理を施すなどして、 第 2周壁部 4 6の上面を撥液性にしてもよい。 当 然のことながら、 上述の第 1の実施形態やその変形例と同様に基板 P、 基板ホル ダ P H、 基板ステージ P S Tに撥液性を持たせてもよい。

図 8は本発明の基板ステージ P S Tの他の実施形態を示す図である。 図 8にお いて、 基板ステージ P S Tは、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板ホルダ P Hの側面 3 7との間の第 2空間 3 9の圧力を、 周壁部 3 3に囲まれた第 1空間 3 8の圧力よ りも低く設定する第 2吸引装置 8 0を備えている。 第 2吸引装置 8 0は、 第 2空 間 3 9に流路 6 2を介して接続され、 液体 1を収容可能なタンク 6 1と、 タンク 6 1にバルブ 6 3を介して接続されたポンプ 6 4とを備えている。 第 2吸引装置 8 0及び吸引装置 4 0の動作は制御装置 C O N Tに制御される。

本実施形態において、 基板 Pの側面 P B及び裏面 P Cに撥液処理は施されてい ない。 また、 凹部 3 2の内側面 3 6や、 基板ホルダ P Hの側面 3 7及び周壁部 3 3の上面 3 3 Aにも撥液処理は施されていない。

基板 pのェッジ領域 Eを露光する際、 制御装置 C O N Tは吸引装置 4 0及び第 2吸引装置 8 0の動作を制御し、 第 2空間 3 9の圧力を第 1空間 3 8の圧力より 低くする。 これにより、 ギャップ A上の液浸領域 A R 2の液体 1は、 ギャップ A を介して第 2空間 3 9に流入した後、 ギャップ Bを介して第 1空間 3 8側に流入 せずに、 第 2吸引装置 8 0のタンク 6 1に回収される。 タンク 6 1には排出流路 6 1 Aが設けられており、 液体 1が所定量溜まったら排出流路 6 1 Aより排出さ れるようになっている。

このように、 第 2空間 3 9の圧力を第 1空間 3 8の圧力より低くすることで、 ギャップ Aを通過した液体 1は、 第 1空間 3 8側に浸入せずに、 第 2吸引装置 8 0のタンク 6 1に回収される。 したがって、 吸引口 4 1に対する液体 1の流入を 防止しつつ基板 Pを良好に吸着保持した状態で液浸露光することができる。 そし て、 ギャップ Aを通過した液体 1はタンク 6 1で回収されるので、 装置外部への 液体 1の流出や飛散等の不都合の発生を回避することができる。

図 8の実施形態においても、 上述の実施形態やその変形例で説明したように、 基板 P (側面など）、 基板ホルダ P H (周壁部 3 3の上面 3 3 Aなど）、 基板ステ ージ P S T (平坦面 3 1、 內側面 3 6など） の各面の少なくとも一部を撥液性と することができる。

また、 上述の図 1〜8の実施形態においては、 基板ステージ P S Tの一部や基 板ホルダ P Hの一部表面に撥液処理を施しているが、 それらの全ての表面を撥液 処理するようにしてもよレ、。 ― 例えば、 基板ホルダ P Hの支持部 3 4の上面 3 4 Aを撥液処理してもよい。 こ れにより、 支持部 3 4の上面 3 4 Aでの液体の付着痕 （ウォーターマーク） の形 成が抑制され、 複数の支持部 3 4で規定される支持面の平坦性を維持することが できる。

要は液体 （水） との接触や付着が考えられる表面を撥液処理することにより、 液 体の浸入、 流出、 飛散が抑制される。 また、 液体が付着しても容易に除去するこ とが可能となる。

ところで、 上記各実施形態においては基板 Pはほぼ円形であり、 その周りに略 円環状のプレート部 3 0を配置することでプレート部 3 0 (凹部 3 2の内側面 3 6 ) と基板 Pの側面 P Bとの間に所定値以下のギャップ Aを形成しているが、 基 板 Pにノッチ部やオリエンテーションフラット部 （オリフラ部） などの切欠部が ある場合、 プレート部 30 (凹部 32の内側面 36) の形状を基板 Pの切欠部に 応じて設定することで、 その切欠部においてもギヤップ Aを所定値以下に保つこ とができる。

図 9は、 ノッチ部 NTを有する基板 Pを支持している基板ステージ P STを上 方から見た平面図である。 図 9に示すように、 プレート部 30には、 基板 Pのノ ツチ部 NTの形状に対応した突起部 1 50が設けられており、 Zステージ 51の 凹部 32の内側面 36には、 突起部 1 50を形成するように凸部 36 Nが形成さ れている。 突起部 1 50は、 支持部 34に支持された基板 Pのノッチ部 NTとプ レート部 30の平坦面 3 1とのギャップを小さくするためのギヤップ調整部と しての機能を有しており、 平坦面 31 (プレート部 30) と一体的に形成されて いる。 そして、 ノッチ部 NTと突起部 1 50との間にはギャップ Aが形成されて いる。 突起部 1 50のうち、 基板 P (ノッチ部 NT) と対向する面や上面には、 先の実施形態と同様に撥液処理が施されており、 基板 Pのノッチ部 NTの側面に も撥液処理が施されている。 なお突起部 1 50の撥液処理としては、 上述したよ うにフッ素系樹脂材料などを塗布することによつて行われ、 ノッチ部 N Tの撥液 処理としては感光材を塗布することによって行われる。 もちろん、 ノッチ部 NT にも上述したようなトップコート層形成材料 （フッ素系樹脂材料など） を塗布す るようにしてもよレ、。

また、 基板ホルダ PHの側面 37には、 凹部 32の内側面 36の凸部 36Nと 所定のギャップで対向するように、 ノッチ部 NTの形状に合わせて凹部 37Nが 形成されている。

更に、 基板 Pを保持する基板ホルダ PHの上面には、 ノッチ部 NTの形状に合わ せて形成された周壁部 33 Nが設けられており、 この周壁部 33 Nの内側には、 図 3と同様に、複数の支持部 34や吸引口 4 1が設けられている （図 9では省略）。 また、 上述した実施形態同様、 周壁部 33Nの上面は撥液性となっている。 支持 部 34に基板 Pを保持する際には、 吸引口 41を介してガスを吸引し、 周壁部 3 3 Nに囲まれた第 1空間 38 (図 9では省略） を負圧にする。 このように、 基板 ホルダ PHの周壁部 33 Nの形状もノツチ部 NTに合わせることで、 仮にノツチ 部 NTのギャップ Aから液体が浸入したとしても、 浸 した液体が周壁部 33 N の内側に流れ込むことを防止することができる。 なお、 図 9においては、 ノッチ 部 NTを誇張して示しているが、 実際には 2〜3mm程度であり、 ノッチ部 NT の形状も図 9の形状に限るものではない。

図 10は、 オリフラ部 OFを有する基板 Pを支持している基板ステージ P ST を上方から見た平面図である。 図 10に示すように、 プレート部 30には、 基板 Pのオリフラ部〇Fの形状に対応したフラット部 1 51が設けられており、 Zス テージ 51の凹部 32の内側面 36には、 フラット咅 1 5 1を形成するように平 坦部 36 Fが形成されている。 フラット部 1 5 1は、 支持部 34に支持された基 板 Pのオリフラ部 OFとプレート部 30の平坦面 3 1 とのギャップを小さくす るためのギャップ調整部としての機能を有しており、 平坦面 31 (プレート部 3 0) と一体的に形成されている。 そして、 オリフラ部 OFとフラット部 1 5 1と の間にはギャップ Aが形成されている。 フラット部 1 51のうち、 基板 P (オリ フラ部 OF) と対向する面や上面には撥液処理が施されており、 オリフラ部 OF にも撥液処理が施されている。 なおフラット部 1 51の撥液処理としては、 上述 したようにフッ素系樹脂材料などを塗布することによって行われ、 オリフラ部 o

Fの撥液処理としては感光材を塗布することによって行われる。

また、 基板ホルダ P Hの側面 37には、 凹部 32の内側面 36の平坦部と所定 のギヤヅプで対向するように、 オリフラ部 OFの形状に合わせてフラット部 3 7 Fが形成されている。 更に、 基板 Pを保持する基板ホルダ PHの上面には、 オリ フラ部 OFの形状に合わせた周壁部 33 Fが設けられており、 この周壁部 33 F の内側には、図 3と同様に、複数の支持部 34や吸引口 4 1が設けられている（図 10では省略）。 このように、 基板ホルダ PHの周壁部 33 Fの形状もオリフラ 部 O Fに合わせることで、 仮にオリフラ部 O Fのギヤップ Aから液体が浸入した としても、 浸入した液体が周壁部 33 Fの内側に流れ込むことを防止することが できる。

以上説明したように、 基板 Pの切欠部 （ノッチ部、 オリフラ部） の形状に応じ てプレート部 30の形状を設定することによりギヤップ Aを所定値以下に保つ ことができ、 基板 Pと基板ステージ P ST (プレート部 30) との間への液体 1 の浸入を防止することができる。

ところで、 複数の基板 Pを露光するに際し、 切欠部 （ノッチ部、 オリフラ部） の大きさや形状などが基板 Pによって変化する場合があり、 その場合、 基板 Pの 切欠部とプレート部 3 0との間のギヤップ Aを所定値以下に保つことができな い可能性がある。 また、 基板 Pの外形の製造誤差や基板 Pの基板ステージ P S T に対する載置精度などによって、 基板 Pの切欠部とプレート部 3 0との間のギヤ ップ Aを所定値以下に保つことができない可能性もある。

そこで、 図 1 1に示すように、 基板 Pのノッチ部 N Tの形状に応じた突起部 1 5 2 Aを有する突起部材 1 5 2を移動可能に設け、 基板 Pに対して接近及び離間 方向に移動することで、 ノッチ部 N Tの大きさなどが変化しても、 ノッチ部 N T と突起部材 1 5 2との間のギャップ Aを所定値以下に保つことができる。 図 1 1 に示す例では、 突起部材 1 5 2はプレート部 3 0の一部に設けられた凹部 3 0 D に配置されており、 不図示の駆動機構によって X Y平面に沿って移動するように なっている。 制御装置 C O N Tは前記駆動機構を介して突起'部材 1 5 2を移動す ることで、 突起部材 1 5 2とノッチ部 N Tとの間に所定のギャップ Aを形成する。 そして、 上述同様、 突起部材 1 5 2のうち、 基板 P (ノッチ部 N T ) と対向する 面や上面、 及びプレート部 3 0の凹部 3 0 Dに対向する側面には撥液処理が施さ れており、 ノッチ部 N Tにも撥液処理が施されている。 ここで、 突起部材 1 5 2 とプレート部 3 0 . (凹部 3 0 D ) との間にはギャップ Dが形成されているが、 こ のギャップ Dはギャップ Aよりも小さく、 プレート部 3 0の凹部 3 0 Dや突起部 材 1 5 2のうちプレート部 3 0の凹部 3 0 Dに対向する側面は撥液性であるの で、 ギャップ Dに対する液体 1の浸入が防止されている。 なお、 図 9と共通する 部分については説明を省略する。

図 1 2は、 基板 Pのオリフラ部 O Fの形状に応じたフラット面 1 5 3 Aを有す る移動可能に設けられたフラット部材 1 5 3を示す図である。 フラット部材 1 5 3を基板 Pに対して接近及び離間方向に移動することで、 オリフラ部 O Fの大き さなどが変化しても、 オリフラ部 O Fとフラット部材 1 5 3との間のギヤップ A を所定値以下に保つことができる。

図 1 2に示す例では、 フラット部材 1 5 3はプレート部 3 0の一部に設けられた 凹部 3 ODに配置されており、 不図示の駆動機構によって XY平面に沿って移動 するようになつている。 制御装置 CO NTは前記駆動機構を介してフラット部材 1 53を移動することで、 フラット部木す 153とオリフラ部 OFとの間に所定の ギャップ Aを形成する。 そして、 上述同様、 フラット部材 1 53のうち、 基板 P (オリフラ部 OF) と対向する面や上面、 及びプレート部 30の凹部 30Dに対 向する側面には撥液処理が施されており、 オリフラ部 OFにも撥液処理が施され ている。 ここで、 フラット部材 1 53とプレート部 30 (凹部 30D) との間に はギヤップ Dが形成されているが、 このギヤップ Dはギヤップ Aよりも小さく、 プレート部 30の凹部 30Dやフラッ ト部材 1 53のうちプレート部 30の凹 部 30 Dに対向する側面は撥液性であるので、 ギヤップ Dに対する液体 1の浸入 が防止されている。 なお、 図 1 0と共通する部分については説明を省略する。 なお、 突起部材 1 52 (フラット部材 1 53) を基板ステージ P STに対して 交換可能に設けるとともに、 互いに異なる形状あるいは大きさを有する突起部材 1 52 (フラット部材 1 53) を予め複数用意しておくこと'により、 基板ステー ジ P STに載置される基板 Pの切欠部の形状や大きさなどに応じて突起部材 1 52 (フラット部材 1 53) を交換することで、 ギヤップ Aを所定値以下に保つ ことができる。

また、 突起部材 1 52 (フラット部材 1 53) の大きさや形状のみならず、 移 動方向などの動き方も、 上述の実施形態に限られず、 基板 Pの切欠部付近のギヤ ップ Aが所定値以下になればよい。

なお本実施形態においては、 基板 Pの切欠部 （ノッチ部、 オリフラ部） との間 でギャップ Aを形成するように突起部材 1 52 (フラット部材 1 53) を移動す る構成であるが、 基板 Pの周囲に設けられたプレート部 30を XY平面に沿って 移動可能に設け、 基板 Pとプレート部 30との間のギヤップ Aを所定値以下に調 整することもできる。 この場合、 例えばプレート部 30を複数に分割し、 その分 割された分割部材のそれぞれを基板 Pに対して X Y平面に沿つて接近及び離間 方向に移動する構成を採用することができる。 このとき、 各分割部材どうしの間 のギヤップを、 液体が浸入しない程度に設定しておくことにより、 基板ステージ

P ST内部に液体が浸入する不都合を回避することができる。 更に基板 Pを基板ステージ P S T上に搬入 （ロード）.する前に基板 Pの大きさ や形状 （歪み）、 あるいは基板 Pの切欠部の大きさや形状を計測しておき、 その 計測結果に基づいてギヤップ Aが所定値以下となるように各部材を動かすよう にしてもよレ、。 これによりギヤップ Aからの液体の浸入をより確実に防止できる ばかりでなく、 基板 Pのエッジの破損を防止することもできる。

また上述の図 6の実施形態においては、 周壁部 3 3 ( 4 6 ) の上面 3 3 Aを液 体が越えてしまう可能性もあるが、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aを越えた液体はバッ ファ空間 4 7で捕らえることができるので、 第 1空間 3 8への液体の浸入を防止 することができる。 なお、 そのような場合に備えて、 バッファ空間 4 7に浸入し た液体を回収する構造にしてもよい。

以下、 本発明の別の実施形態について説明する。'図 9〜図 1 2を参照して説明 した上記実施形態においては、 支持部 3 4に支持された基板 Pの切欠部 （ノッチ 部、 ォリフラ部） とプレート部 3 0の平坦面 3 1との間への液体 1の浸入を防止 するために、 ギャップ調整部としての突起部 1 5 0、 フラッ¹ト部 1 5 1、 可動な 突起部材 1 5 2、 フラッ ト部材 1 5 3を設けた構成である。 一方で、 図 1 3の符 号 N T， で示すように、 液体 1が浸入しない程度に、 基板 Pのノッチ部 N T ' を できるだけ小さくすることによつても、 基板 Pのノツチ部と基板ステージ P S T (プレート部 3 0 ) との間への液体 1の浸入を防止することができる。 なお、 図 1 3に示すノッチ部は、 鋭角部を有しない丸みを帯びた形状となっている。 ところで、 基板ステージ P S Tに基板 Pを载置するとき、 基板 P上に形成する 回路のプロセス条件やマスク Mのパターンに応じて、 切欠部の位置を異ならせて 基板ステージ P S Tに载置する場合がある。 例えば第 1の基板を基板ステージ P S Tに载置するときは、 切欠部を一 Y側に向けた状態で载置し、 第 2の基板を基 板ステージ P S Tに載置するときは、 切欠部を + X側に向けた状態で載置する場 合がある。 そこで、 突起部 1 5 0を有するプレート部 3 0を回転可能に設けてお き、 支持部 3 4に支持される基板 Pの切欠部の位置に応じて、 プレート部 3 0を 回転させるようにしてもよレ、。 例えば、 図 1 4 Aに示すように、 ノッチ部 N Tを 一 Y側を向けて支持部 3 4に基板 Pを保持させるときは、 ノツチ部 N Tの位置に 合わせて突起部 1 5 0を一 Y側に配置させるようにプレート部 3 0を回転し、 図 14 Bに示すように、 ノツチ部 NTを + X側に向けて 持部 34に基板 Pを保持 させるときは、 ノツチ部 NTの位置に合わせて突起部 1 50を + X側に配置させ るようにプレート部 30を回転する。 この場合、 図 14 A〜l 4 Bには示されて いないが、 凹部 37Nを有する周壁部 33Nが形成された基板ホルダ PHも、 ノ ツチ部 NTの位置に合わせて回転する。 このように、 ギャップ調整部である突起 部 1 50 (及ぴ凸部 36 N) を回転方向 （Θ Ζ方向） に可動に設けるようにして もよい。 同様に、 フラット部 1 51を有するプレート部 30及びフラット部 37 Fを有する周壁部 33 Fが形成された基板ホルダ PHも、 オリフラ部 OFの位置 に合わせて回転可能に設けることができる。 こうすることによつても、 基板 Pの 切欠部の位置に関係なく、 プレート部 30と基板 P (切欠部） との間への液体 1 の浸入を防止することができる。

あるいは、 支持部 34に支持された基板 Pのノツチ部 NTの位置にプレ一ト部 30の突起部 1 50を合わせるように、 基板ステージ P ST全体を回転させるよ うにしてもよい。 '

図 1 5 Aには、 ノツチ部 NTがー Y側に向けられた状態が示されており、 図 1 5 Bには、 ノッチ部 NTが + X側に向けられた状態が示されている。 ここで、 図 1 5A〜1 5 Bに示すように、 基板ステージ P STの例えば +X側に離れた位置に レーザ干渉計 56 Xが配置され、 +Y側に離れた位置にレーザ干渉計 56Yが配 置されている場合、 平面視矩形状に形成された基板ステージ P S Tの少なくとも 3つの縁部のそれぞれに移動鏡 55を配置することで、 基板ステージ P STが回 転した際にも、 レーザ干渉計 56 X、 56 Yのそれぞれに対していずれかの移動 鏡 55を対向させることができる。

ところで、 基板 Pの切欠部は、 基板 Pを基板ステージ P STに載置するときの 大まかな位置合わせ処理であるブリアライメント処理時に主に使用される。 具体 的には、 切欠部の位置を光学的に検出し、 その検出結果に基づいてブリアライメ ント処理が行われる。 そこで、 図 16 Aに示すように、 基板 Pに形成されたノッ チ部 （切欠部） NTに光透過性を有する被覆部材 300を被せることにより、 ノ ツチ部 NTを被覆部材 300を介して光学的に検出可能であるとともに、 基板 P を基板ステージ P STに載置した際にも、 プレート部 30とノッチ部 NT (被覆 部材 300) との間に大きなギャップが形成される不都合を防止できる。同様に、 オリフラ部 OFにも被覆部材を被せることが可能である。

なお、 図 16 Bに示すように、 ノッチ部 （切欠部） NTが基板 Pの複数位置の それぞれに形成されている場合には、 その複数のノツチ部 NTのそれぞれに被覆 部材 300を被せることができる。 また、 ノツチ部 NTが基板 Pの複数位置のそ れぞれに形成されている場合には、 被覆部材 300を被せる代わりに、 複数のノ ツチ部 NTに応じて、 プレート部 30 (基板ステージ PST) に複数の突起部 1 50を設けるようにしてもよい。 こうすることによつても、 プレート部 30と基 板 P (切欠部） との間への液体 1の浸入を防止することができる。

また、 基板 pに切欠部を形成する代わりに、 基板 pの所定位置に穴部を設ける ことによつても、 その穴部を光学的に検出して基板 Pをブリアライメントするこ- とができる。 この場合の穴部は、 液体 LQを通過させない程度の小径の貫通穴で あってもよいし、基板 Pを貫通しないディンプル状の穴（凹部）であってもよい。 図 1 7には、 基板 Pの所定位置に形成された、 例えば直径 0： 5 m m程度の複数 の小さな貫通穴部 301が形成されている例が示されている。

図 18は本発明の別の実施形態を示す平面図である。 なお、 図 4と同一の部材 については同一の符号を付して詳細説明は省略する。 図 18において、 ギャップ 調整部としての突起部材 152が、 支持部 34に支持された基板 Pの縁部近傍の 複数位置のそれぞれに設けられている。 図 18に示す例では、 基板 Pの一 Y側縁 部の近傍に第 1の突起部材 152 Yが設けられ、 +X側縁部の近傍に第 2の突起 部材 152 Xが設けられている。 これら突起部材 152Y、 152 Xのそれぞれ は、 Ζ軸方向に （上下方向に.) 移動可能に設けられている。 また、 基板 Ρには、 一 Υ側の縁部近傍に一箇所切欠部 （ノッチ部 NT) が形成されている。

図 1 9 Aは第 1の突起部材 152 Y近傍の断面図、 図 19 Bは第 2の突起部材 152 X近傍の断面図である。 図 19 A〜 19 Bに示すように、 突起部材 152 (152Y、 1 52 X) は弾性部材 302によって支持されている。 図 19Α〜 1 9 Βに示す例では、 弾性部材はコィルバネ部材によつて構成されており、 突起 部材 152はコイル 'パネ部材を介して Ζステージ 52の上面 （接触面） 57に支 持されている。 一Υ側に向けられた基板 Ρのノッチ部 NTと突起部材 152Yと が位置合わせされた状態においては、 図 1 9 Aに示すように、 突起部材 1 5 2 Y は基板 Pに押さえ付けられずに、 コイルバネ部材 3 0 2の上方への付勢力によつ て、 ノッチ部 N Tの内側に配置される。 この突起部材 1 5 2 Yによって、 支持部 3 4に支持された基板 Pのノツチ部 N Tとプレート部 3 0の平坦面 3 1とのギ ヤップを小さくすることができる。 一方、 図 1 9 Bに示すように、 ノッチ部 N T が無い位置に配置されている突起部材 1 5 2 Xは基板 Pによって上から押さえ 付けられ、 コイルバネ部材 3 0 2が縮む。 これにより、 突起部材 1 5 2 Xは基板 Pの下側に配置される。 一方、 ノッチ部 N Tを + X側に向けた状態で基板 Pを支 持部 3 4に支持したときには、 突起部材 1 5 2 Xがノッチ部 N Tの内側に配置さ れ、 突起部材 1 5 2 Yが基板 Pの下側に配置される。

こうすることによつても、 支持部 3 4に支持された基板 Pのノツチ部 N Tとプレ ート部 3 0の平坦面 3 1とのギャップを小さくすることができる。 更に、 プレー ト部 3 0の平坦面 3 1と内側面 3 6と同様に、 突起部木す 1 5 2の上面や側面を撥 液処理するなどして撥液性にすることで、 液体 1の浸入をよ'り効果的に防止する ことができる。

図 2 0 A〜 2 0 Bは本発明の別の実施形態を示す断面図である。 図 2 0 A〜 2 O Bの実施形態は、 図 1 9 A〜 1 9 Bの実施形態の変形例であって、 同一部材に は同一の符号を付してある。 図 2 0において、 突起部材 1 5 2の下面は棒状の支 持部材 3 0 3の上端部に接続されている。 Zステージ 5 2の一部には貫通穴 5 2 Kが設けられており、 支持部材 3 0 3は貫通穴 5 2 Kの内側に Z軸方向に移動可 能に配置されている。 支持部材 3 0 3の下端部は Zステージ 5 2の下側に露出し ており、 その支持部材 3 0 3の下端部は鍔部材 3 0 4と接続している。 また、 鍔 部材 3 0 4の下面には、 Zステージ 5 2の下面に取り付けられた板バネ部材 3 0 5が当接している。 図 1 9 A〜l 9 Bの実施形態と同様に、 図 2 O Aに示すよう に、 基板 Pのノツチ部 N Tと突起部材 1 5 2とが位置合わせされている状態にお いては、 板パネ部材 3 0 5の付勢力によって突起部材 1 5 2が上方に持ち上げら れ、 ノッチ部 N Tの内側に配置される。 一方、 図 2 0 Bに示すように、 基板 Pの ノツチ部 N Tと突起部材 1 5 2とが位置合わせされていない状態においては、 突 起部材 1 5 2は基板 Pによって押さえ付けられて、 基板 Pの下側に配置される。 この場合においても、 突起部材 1 5 2の上面や側面を撵液性にすることで、 液体 1の浸入を効果的に防止することができる。

図 2 1 A〜 2 1 Bは本発明の別の実施形態を示す断面図である。 図 2 1 A〜 2 I Bにおいて、 突起部材 1 5 2は、 ヒンジ部 3 0 6を介してプレート部 3 0 (あ るいは基板ステージ P S Tの所定位置） に接続されている。 図 2 1 A〜 2 1 Bに おいて、 ヒンジ部 3 0 6は、 突起部材 1 5 2を θ Y方向に回動可能に支持してい る。 また、 ヒンジ部 3 0 6はパネ部材を内蔵しており、 突起部材 1 5 2を図 2 1 B中、矢印 y 1方向に付勢するように支持している。つまり、ヒンジ部 3 0 6は、 突起部材 1 5 2の上面と基板 P表面とがほぼ面一になる方向に、 突起部材 1 5 2 に対する付勢力を有している。 .なお、. ヒンジ部 3 0 6にはストッパーが設けられ ており、 突起部 1 5 2の上面と基板 P表面とがほぼ面一になつた状態で、 突起部 材 1 5 2の回動が停止される。 そして、 図 2 1 Aに示すように、 基板 Pのノッチ 部 N Tと突起部材 1 5 2とが位置合わせされている状態においては、 突起部材 1 5 2がノッチ部 N Tの內側に配置される。 一方、 図 2 1 Bに示すように、 基板 P のノツチ部 N Tと突起部材 1 5 2とが位置合わせされていない状態においては、 突起部材 1 5 2は基板 Pによって押さえ付けられて、 基板 Pの下側に配置される。 この場合においても、 突起部材 1 5 2の上面や側面を撥液性にすることで、 液体 1の浸入を効果的に防止することができる。

なお、 上述した実施形態においては、 突起部材 1 5 2はパネ部材 （弾性部材） によって移動する構成であるが、 所定のァクチユエータを使って突起部材 1 5 2 を移動するようにしてもよい。 この場合、 例えば基板ステージ P S Tに基板 Pを 載置する前に、 ノッチ部 N Tの位置情報を求めておく。 そして、 基板 Pを基板ス テージ P S Tに載置した後、 前記求めた位置情報に基づいて、 基板ステージ P S Tに設けられた複数の突起部材 1 5 2のうち所定の突起部材 1 5 2をァクチュ エータを使って駆動し、 ノッチ部 N Tの内側に突起部材 1 5 2を配置するように してもよレ、。 あるいは、 突起部材 1 5 2を基板ステージ P S Tに対して脱着可能 に設けておき、 ァクチユエータを使わずに、 例えば作業者などが手動で基板ステ ージ P S T上の基板 Pのノッチ部 N Tの内側に突起部材 1 5 2を配置するよう にしてもよい。 あるいは、 基板ステージ P S Tに対して脱着可能な突起部材 1 5 2を保持可能なロボットァ一ムが、 基板ステージ P Sて上の基板 Pのノッチ部 N Tの內側に突起部材 1 5 2を配置するようにしてもよい。

図 2 2は、 ァクチユエ一タを使って突起部材 1 5 2をノツチ部 N Tの内側に配 置する一例を示す図である。 図 2 2において、 突起部材 1 5 2は棒状の支持部材 3 0 7の一端部 （先端部） に取り付けられており、 支持部材 3 0 7の他端部 （基 端部） はァクチユエータ 3 0 8に接続されている。 ァクチユエータ 3 0 8は支持 部材 3 0 7の基端部を回動中心として、 突起部材 1 5 2を取り付けられた支持部 材 3 0 7を回動可能である。 図 2 2において、 ァクチユエータ 3 0 8は支持部材 3 0 7を θ Y方向に回動する。 ァクチユエータ 3 0 8は、 支持部材 3 0 7を回動 することで、 支持部材 3 0 7の先端部に取り付けられた突起部材 1 5 2をノッチ 部 N Tの内側に配置可能である。 この場合においても、 突起部材 1 5 2の上面や 側面を撥液性にすることで、 液体 1の浸入を効果的に防止することができる。 ま た、 基板 Pの液浸露光終了後には、 ァクチユエータ 3 0 8は、 支持部材 3 0 7を 反対方向に回動することで、 突起部材 1 5 2を基板 Pのノッチ部 N Tより外すこ とができる。

図 2 3に示すように、 ノッチ部 N Tにシート状部材 3 0 9を被せることで、 ノ ツチ部 N Tとプレート部 3 0 (平坦面 3 1 ) との間への液体 1の浸入を抑制する ことも可能である。 シ'一ト状部材 3 0 9としては撥液性であることが好ましく、 例えばポリ四フッ化工チレン （テフロン （登録商標）） からなるシート状部材 （テ フロンシート） を用いることができる。

なお、 シート状部材 3 0 9を輪帯状に形成し、 基板 Pと平坦面 3 1との隙間全 体をシート状部材 3 0 9で覆うようにしてもよレ、。

なお、 上述した各実施形態において、 突起部材 1 5 2は交換可能であることが 好ましレ、。 突起部材 1 5 2は撥液性であることが好ましいが、 その撥液性は経時 的に劣化する可能性がある。 そこで、 撥液性の劣化に応じて突起部材 1 5 2を交 換することで、 所望の撥液性を有する突起部材 1 5 2を用いて液体 1の浸入を効 果的に防止することができる。

なお、 上述した各実施形態においては、 ノッチ部 N Tに突起部材 1 5 2を配置 する場合を例にして説明したが、 もちろん'、 基板 Pに形成されたオリフラ部〇F に対応するフラット部材についても適用可能である。 そして、 弾性部材 （パネ部 材） ゃァクチユエータを使って、 フラッ ト部材を所定の位置に配置し、 支持部 3 4に支持された基板 Pのオリフラ部〇Fとプレート部 3 0の平坦面 3 1とのギ ャップを小さくすることで、 液体 1の浸入を防止することができる。

なお、 図 1〜図 8を用いて説明した実施形態やその変形例と、 図 9〜図 2 3を 用いて説明した実施形態やその変形例とを適宜組み合わせてよいことは言うま でもない。

図 2 4は本発明の別の実施形態を示す断面図である。 なお、 図 4、 図 6、 図 8 と同一部材については同一の符号を付して、 詳細説明は省略する。 図 2 4におい て、 基板ステージ P S Tは、 周壁部 3 3と、 周壁部 3 3の内側に形成,された第 2 周壁部 4 6と、 第 2周壁部 4 6の内側に形成された支持部 3 4とを備えている。 吸引装置 4 0が吸引口 4 1を介して吸引動作を行い、 第 2'周壁部 4 6に囲まれた 第 1空間 3 8を負圧にすることによって、 基板 Pが支持部 3 4に吸着保持される _c また、 周壁部 3 3と第 2周壁部 4 6との間のバッファ空間 4 7の圧力は、 第 2 周壁部 4 6に囲まれた第 1空間 3 8の圧力よりも高く設定されている。 具体的に は、 図 6を参照して説明した実施形態同様、 バッファ空間 4 7は流路 4 8を介し て大気開放されており、 バッファ空間 4 7の圧力はほぼ大気圧に設定されている _c あるいは、 バッファ空間 4 7は、 圧力調整機能を有するガス供給装置 4 8 ' によ つて、 大気圧よりも僅かに高く設定されてもよいし、 大気圧よりも低く、 且つ第 1空間 3 8の圧力よりも高い程度の圧力 （低負圧） に設定されていてもよい。 周壁部 3 3の高さは、 支持部 3 4よりも低く設けられている。 第 2周壁部 4 6 の高さも、 支持部 3 4よりも低く設けられている。 また、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aは、 撥液処理されて撥液性を有している。 第 2周壁部 4 6の表面 4 6 Aも、 撥 液処理されて撥液性を有している。

なお、 第 1周壁部 3 3の上面 3 3 Aと第 2周壁部 3 6の上面 3 6 Aのどちらか 一方のみを撥液性とすることもできる。

本実施形態において、 図 6と異なり、 凹部 3 2の内側面 3 6と基板ホルダ P H の側面 3 7との間の第 2空間 3 9には、 液体 L Qは満たされていない。 また、 第 2空間 3 9には、 第 2空間 3 9の圧力調整を行うとともに、 ギャップ Aを介して 第 2空間 3 9に流入した液体 L Qを回収するための第 2吸引装置 8 0が接続さ れている。 第 2吸引装置 8 0は、 図 8を参照して説明したものと同等の構成を有 し、 第 2空間 3 9の圧力をバッファ空間 4 7の圧力よりも低くすることができる。 これにより、 ギャップ Aから液体 1が僅かに浸入しても、 その液体 1が第 1周壁 部 3 3の上面 3 3 Aと基板 Pとの間のギヤップ Bからバッフ了空間 4 7へ浸入 するのを抑制することができる。 さらに第 2空間 3 9に浸入した液体を回収する こともできる。

なお、 ポンプ 6 4やバルブ 6 3を設けずに、 図 4のようにタンク 6 1を設ける だけでもよい。 更に、 図 4のように第 2空間 3 9を大気開放するような構成にし てもよい。

この場合、 バッファ空間 4 7の圧力はガス供給装置 4 8， を使って大気圧より も僅かに高く設定しておくのが望ましい。 これにより、 ギャップ Aから液体 1が 僅かに浸入しても、 その液体 1が第 1周壁部 3 3の上面 3 3 Aと基板 Pとの間の ギャップ Bからバッファ空間 4 7へ浸入するのを抑制するこ'とができる。 さらに 第 2空間 3 9に浸入した液体を回収することもできる。

基板 Pを支持部 3 4に保持する際には、 第 1空間 3 8を負圧にするとともに、 バッファ空間 4 7の圧力を第 1空間 3 8よりも高くする。 好ましくは、 バッファ 空間 4 7の圧力をほぼ大気圧、 又は大気圧よりも高くする。 これにより、 ギヤッ プ Aから第 2空間 3 9に液体 1が浸入しても、 バッファ空間 4 7の圧力が高く設 定されているので、 液体 1がバッファ空間 4 7を介して第 1空間 3 8、 ひいては 基板 Pの裏面側や吸引口 4 1に浸入する不都合が防止される。 また、 本実施形態 においては、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aに基板 Pの切欠部が配置された場合であつ ても、 切欠部と平坦面 3 1との間から浸入した液体 1がバッファ空間 4 7や第 1 空間 3 8側に浸入する不都合を低減することができる。

また、 基板 Pの切欠部の大きさによっては、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aを液体が 越えてしまう可能性もあるが、 周壁部 3 3の上面 3 3 Aを越えた液体はバッファ 空間 4 7で捕らえることができるので、 第 1空間 3 8への液体の浸入を防止する ことができる。 なお、 そのような場合に備えて、 バッファ空間 4 7に浸入した液 体を回収する構造にしてもよい。 また、 詳細な説明は省略したが、 図 4に示した実施 態のように、 基板 Pの側 面 PBや裏面 PCや、 プレート部 30の平坦面 3 1や内側面 36を撥液性にして もよい。

すなわち、 図 4の実施形態やその変形例で説明した基板 P、 基板ホルダ PH、 基板ステージ P S Tの各面の少なくとも一部の撥液処理は、 図 24で説明した実 施形態と適宜組み合わせることができる。

なお、 図 24の実施形態においては、 第 1空間 38の負圧は第 2周壁部 46で 維持することが可能なので、 第 1周壁部 33の一部にバッファ空間 47と第 2空 間 39とを連通させる切欠部を設けてもよい。

図 25 A〜25 Bは本発明の別の実施形態を示す図であって、 図 25Aは平面 図、 図 25 Bは図 25 Aの A— A断面矢視図である。 なお、 図 3に示した実施形 態と同一の部材については同一の符号を付して詳細説明は省略する。 図 25 A〜

25 Bにおいて、 基板ステージ PSTは、 支持部 34に基板 Pを吸着保持するた めの複数の吸引口 （吸気口） 41を備えている。 また、 周壁 ¾33の内側の一部 には、 第 2周壁部 46' が局所的に形成きれている。

図 25 Aに示すように、 第 2周壁部 46 ' は、 支持部 34に支持された基板 Pの ノッチ部 NT (又はオリフラ部） に対応する位置に設けられている。 第 2周壁部 46' は平面視略円弧状の上面 46 A' を有しており、 両端部を周壁部 33に接 続している。 そして、 周壁部 33と第 2周壁部 46 ' との間には、 バッファ空間 47' が形成されている。 バッファ空間 47' は、 支持部 34に支持された基板 Pのノッチ部 NTの近傍に形成されている。 なお本実施形態においても、 周壁部

33及び第 2周壁部 46' のそれぞれの高さは、 支持部 34よりも低く設けられ ており、 それらの上面は撥液性を有している。

第 1空間 38に設けられた複数の吸引口 4 1は、 流路 43を介してバキューム 部 （真空系） 42に接続されている。 一方、 基板 Pのノッチ部 NTの近傍である バッファ空間 47' に設けられた吸引口 41 ' は、 第 2流路 43' を介して、 パ キューム部 42とは独立した第 2バキューム部 （第 2真空系） 42' に接続され ている。 第 2バキューム部 42' の吸引力 （単位時間当たりの気体吸引量） は、 バキューム部 42の吸引力よりも弱くなるように設定されている。 すなわち、 基 板ステージ P S Tに設けられた複数の吸引口のうち、 碁板 Pのノツチ部 N T近傍 の吸引口 4 1 ' を介した吸気力は、 その周りの吸引口 4 1を介した吸気力よりも 小さくなってレ、る。

このように、 基板 Pのノッチ部 N T近傍の吸引口 4 1， を介した吸気力を、 他 の吸引口 4 1を介した吸気力よりも小さくしたので、 基板 Pのノツチ部 N Tと平 坦面 3 1 (プレート部 3 0 ) との間のギヤップが、 ノッチ部 N T以外の基板 Pの 側面 P Bと平坦面 3 1との間のギャップよりも大きく、 液体 1が浸入しゃすレ、構 成であっても、 ノッチ部 N Tと平坦面 3 1との間に液体 1が浸入する不都合を抑 制できる。

また、 仮に基板 Pの切欠部 N Tから周壁部 3 3の上面 3 3 Aを越えて液体が基 板 Pの裏面側へ浸入したとしても、 その液体をパッファ空間 4 7 ' で捕らえるこ とができるので、 第 1空間 3 8への液体の浸入を阻止することができる。 なお、 そのような場合に備えて、 バッファ空間 4 7 ' に浸入した液体を回収する構造に なお、 吸引口 4 1 ' に接続されている真空系を、 他の吸引口 4 1に接続された 真空系と別々にせずに、 基板 Pのノツチ部 N T近傍の吸引力を小さくするように してもよレ、。 例えば、 基板 Pのノッチ部 N T近傍の吸引口 4 1 ' の口径を、 他の 吸引口 4 1よりも小さくするようにしてもよい。 あるレ、は、複数の吸引口のうち、 ノツチ部 N T近傍の吸引口の配置の密度を、 その周りの吸引口の配置の密度より も小さく してもよい。 あるいは、 基板 Pのノッチ部 N Tの近傍には吸引口を設け ない構成としてもよい。 更には、 例えば吸引口 4 1 ' に接続する流路 4 3 ' をバ ルブなどを使って閉じることで、 基板 Pのノツチ部 N Tの近傍に設けられた吸引 口からは吸気を行わないようにしてもよレ、。

また、 基板 Pの切欠部 （ノッチ部） N T近傍での吸引力を小さくすることによ つて、 基板 Pの裏面側への液体の浸入が防止できる場合には、 第 2周壁部 4 6 ' を形成しなくてもよい。

また、 図 2 5 A〜2 5 Bの実施形態においても、 図 4に示した実施形態のよう に、 基板 Pの側面 P Bや裏面 P Cや、 プレート部 3 0の平坦面 3 1や内側面 3 6 を撥液性にしてもよいことは言うまでもない。 なお、 上述の実施形態において、 液浸領域 A R 2を形成する液体の圧力が大き い場合には、 基板ステージ P S T上に存在する隙間 （基板 P周囲の隙間など） か ら液体が浸入しやすくなるので、 液浸領域 A R 2が基板ステージ P S T上の隙間 上に形成されているときには、 液体の圧力を下げるようにしてもよい。 特に液体 供給機構 1 0の供給口 1 3 A、 1 4 Aの直下は液体の圧力が大きくなる可能性が あるので、 液体供給機構 1 0の供給口 1 3 A、 1 4 Aが基板ステージ P S T上の 隙間と対向しているときは、 液体の圧力を小さくするようにすると、 その隙間か らの液体の浸入を抑制することができる。

なお、 図 2 4及び図 2 5を使って説明した実施形態と、 図 9〜図 2 3を用いて 説明した実施形態とを適宜組み合わせてよいことは言うまでもない。

上記各実施形態において、 液体 1は純水により構成されている。 純水は、 半導 体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、 基板 P上のフォトレジストゃ 光学素子 （レンズ） 等に対する悪影響がない利点がある。 また、 純水は環境に対 する悪影響がないとともに、 不純物の含有量が極めて低い め、 基板 Pの表面、 及び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用 も期待できる。 なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、 露光装置 が超純水製造器を持つようにしてもよい。

そして、 波長が 1 9 3 n m程度の露光光 E Lに対する純水 （水） の屈折率 nは ほぼ 1 . 4 4と言われており、 露光光 E Lの光源として A r Fエキシマレーザ光 (波長 1 9 3 n m) を用いた場合、 基板 P上では 1 . /' n、 すなわち約 1 3 4 n m に短波長化されて高い解像度が得られる。 更に、 焦点深度は空気中に比べて約 n 倍、 すなわち約 1 . 4 4倍に拡大されるため、 空気中で使用する場合と同程度の 焦点深度が確保できればょレ、場合には、 投影光学系 P Lの開口数をより増加させ ることができ、 この点でも解像度が向上する。

なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 N Aが 0 . 9〜1 . 3になることもある。 このように投影光学系の開口数 N Aが大きくなる 場合には、 従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果に よって結像性能が悪化することもあるので、 偏光照明を用いるのが望ましい。 そ の場合、 マスク （レチクル） のライン · アンド · スペースパターンのラインパタ 一ンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、 マス （レチクル） のパターン からは、 S偏光成分 （T E偏光成分）、 すなわちラインパターンの長手方向に沿 つた偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。 投影光学系 P L と基板 P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、 投影光 学系 P Lと基;^ P表面に塗布されたレジス トとの間が空気 （気体） で満たされて レ、る場合に比べて、 コントラス トの向上に寄与する S偏光成分 （T E偏光成分） の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、 投影光学系の開口数 N Aが 1 . 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。 また、 位相シ フトマスクゃ特開平 6— 1 8 8 1 6 9号公報に開示されているようなラインソ、" ターンの長手方向に合わせた斜入射照明法 （特にダイボール照明法） 等を適宜組 み合わせると更に効果的である。

また、 例えば A r Fエキシマレーザを露光光とし、 1 Z 4程度の縮小倍率の投 影光学系 P Lを使って、 微細なライン · アンド ·スペースパターン （例えば 2 5 〜5 0 n m程度のライン · ·アンド'スペース）を基板 P上に露 ¾するような場合、 マスク Mの構造 （例えばパターンの微細度やクロムの厚み） によっては、 Wave guide効果によりマスク Mが偏光板として作用し、 コントラストを低下させる P 偏光成分 （TM偏光成分） の回折光より S偏光成分 （T E偏光成分） の回折光が 多くマスク Mから射出されるようになるので、 上述の直線偏光照明を用いること が望ましいが、 ランダム偏光光でマスク Mを照明しても、 投影光学系 P Lの開口 数 N Aが 0 . 9〜1 . 3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができ る。 また、 マスク M上の極微細なライン · アンド · スペースパターンを基板 P上 に露光するような場合、 Wire Grid効果により P偏光成分 （TM偏光成分） が S 偏光成分 （T E偏光成分） よりも大きくなる可能性もあるが、 例えば A r Fェキ シマレーザを露光光とし、 1 / 4程度の縮小倍率の投影光学系 P Lを使って、 2 5 n mより大きいライン ·アンド ·スペースパターンを基板 P上に露光するよう な場合には、 S偏光成分 （T E偏光成分） の回折光が P偏光成分 （TM偏光成分） の回折光よりも多くマスク Mから射出されるので、 投影光学系 P Lの開口数 N A が 0 . 9〜1 . 3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。 更に、 マスク （レチクル） のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照 明 （S偏光照明） だけでなく、 特開平 6— 5 3 1 2 0号公報に開示されているよ うに、 光軸を中心とした円の接線 （周） 方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射 照明法との組み合わせも効果的である。 特に、 マスク （レチクル'） のパターンが 所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、 複数の異なる方向に延びるラ インパターンが混在する場合には、 同じく特開平 6— 5 3 1 2 0号公報に開示さ れているように、 光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪 帯照明法とを併用することによって、 投影光学系の開口数 N Aが大きレ、場合でも 高い結像性能を得ることができる。

本実施形態では、 投影光学系 P Lの先端に光学素子 2が取り付けられており、 このレンズにより投影光学系 P Lの光学特性、 例えば収差 （球面収差、 コマ収差 等） の調整を行うことができる。 なお、 投影光学系 P Lの先端に取り付ける光学 素子としては、 投影光学系 P Lの光学特性の調整に用いる光学プレートであって もよい。 あるいは露光光 E Lを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、 液体 1の流れによって生じる投影光学系 P Lの先端の光学素子と基板 P との間の圧力が大きい場合には、 その光学素子を交換可能とするのではなく、 そ の圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、 本実施形態では、 投影光学系 P Lと基板 P表面との間は液体 1で満たさ れている構成であるが、 例えば基板 Pの表面に平行平面板からなる力バーガラス を取り付けた状態で液体 1を満たす構成であつてもよい。

なお、 本実施形態の液体 1は水であるが水以外の液体であってもよい。 例え'ば 露光光 E Lの光源が F ₂レーザである場合、 この F ₂レーザ光は水を透過しないの で、 液体 1としては F ₂レーザ光を透過可能な例えば過フッ化ポリエーテル （P F P E ) やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 また、 液体 1とし ては、その他にも、露光光 E Lに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、 投影光学系 P Lや基板 P表面に塗布されているフォトレジス卜に対して安定な もの （例えばセダ一油） を用いることも可能である。 この場合も表面処理は用い る液体 1の極性に応じて行われる。

なお、 上記各実施形態の基板 Pとしては、 半導体デバイス製造用の半導体ゥェ ハのみならず、 ディスプレイデバイス用のガラス基板や、 薄膜磁気ヘッド用のセ ラミックウェハ、 あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、 シリコンウェハ） 等が適用される。

露光装置 EXとしては、 マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパター ンを走査露光するステップ 'アンド.スキャン方式の走査型露光装置 （スキヤ- ングステツパ） の他に、 マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパター ンを一括露光し、 基板 Pを順次ステップ移動させるステップ.アンド ' リピート 方式の投影露光装置 （ステツパ） にも適用することができる。 また、 本発明は基 板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ ·アン ド ·スティツチ方式の露光装置にも適用できる。

また、 第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 1パターンの縮小像を 投影光学系 （例えば 1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系） を 用いて基板 P上に一括露光し、 その後に、 第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止し た状態で第 2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、 第 1パターンと部分 的に重ねて基板 P上に一括露光するスティツチ方式の一括 光装置にも適用で きる。

また、 本発明は、 特開平 10— 163099号公報、 特開平 10— 21478 3号公報、 特表 2000-505958号公報などに開示されているツインステ 一ジ型の露光装置にも適用できる。

• 露光装 SEXの種類としては、 基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体 素子製造用の露光装置に限られず、 液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用 の露光装置や、 薄膜磁気ヘッド、 撮像素子 （CCD) あるいはレチクル又はマス クなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモータ （USP5, 623, 853ま たは USP5，528， 118参照） を用いる場合は、 エアベアリングを用いたエア浮上型 およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用い てもよレ、。 また、 各ステージ PST、 MSTは、 ガイ ドに沿って移動するタイプ でもよく、 ガイ ドを設けないガイ ドレスタイプであってもよい。

各ステージ PST、 MSTの駆動機構としては、 二次元に磁石を配置した磁石 ュニットと、 二次元にコイルを配置した電機子ュニッ卜とを対向させ電磁力によ り各ステージ P S T、 M S Τを駆動する平面モータを fflいてもよい。 この場合、 磁石ュニットと電機子ュニットとのいずれか一方をステージ P S T、 M S Τに接 続し、 磁石ユニットと電機子ユニッ トとの他方をステージ P S T、 M S Tの移動 面側に設ければよい。

基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わらな いように、 特開平 8— 1 6 6 4 7 5号公報 （USP5，528， 118) に記載されているよ うに、 フレーム部材を用いて機械的に床 （大地） に逃がしてもよい。

マスクステージ M S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わら ないように、 特開平 8— 3 3 0 2 2 4号公報 （US S/N 08/416, 558) に記載され ているように、 フレーム部材を用いて機械的に床 （大地） に逃がしてもよい。 本願実施形態の露光装置 E Xは、 本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素 を含む各種サブシステムを、 所定の機械的精度、 電気的精度、，光学的精度を保つ ように、 組み立てることで製造される。 これら各種精度を確保するために、 この 組み立ての前後には、 各種光学系については光学的精度を逢成するための調整、 各種機械系については機械的精度を達成するための調整、 各種電気系については 電気的精度を達成するための調整が行われる。 各種サブシステムから露光装置へ の組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、 気圧回路の配管接続等が含まれる。 この各種サブシステムから露光装置への組み 立て工程の前に、 各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもな い。 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、 総合調整が行 われ、 露光装置全体としての各種精度が確保される。 なお、 露光装置の製造は温 度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、 図 2 6に示すように、 マイクロデバ ィスの機能 ·性能設計を行うステップ 2 0 1、 この設計ステップに基づいたマス ク （レチクル） を製作するステップ 2 0 2、 デバイスの基材である基板を製造す るステップ 2 0 3、 前述した実施形態の露光装置 E Xによりマスクのパターンを 基板に露光する露光処理ステップ 2 0 4、 デバイス組み立てステップ （ダイシン グ工程、 ボンディング工程、 パッケージ工程を含む） 2 0 5、 検查ステップ 2 0 6等を経て製造される。 産業上の利用の可能性

本発明によれば、 基板のエッジ領域を露光する場合にも良好に液浸領域を形成 し、 液体の浸入や液体の基板ステージ外部への流出を抑えた状態で露光でき、 所 望の性能を有するデバイスを製造できる。

Claims

請求の範囲

1 . 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することによって 前記基板を露光する露光方法において、

前記基板の側面が撥液処理されていることを特徴とする露光方法。

2 . 前記基板の裏面が撥液処理されていることを特徴とする請求項 1記載の露光 ' 方法。

3 . 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することによって 前記基板を露光する露光方法において、

前記基板の裏面が撥液処理されていることを特徴とする露光方法。

4 . 請求項 1〜請求項 3のいずれか一項記載の露光方法を用' 、ることを特徴とす るデバイス製造方法。

5 . 投影光学系と液体とを介してパターンの像を基板上に投影することによって 前記基板を露光する液浸露光に用いられ、 前記基板を保持して移動可能な基板ス テージにおいて、

少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする基板ステージ。

6 . 周壁とその内側に配置された複数の支持部とを備え、

前記基板は、 前記周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって前記支持部に 保持され、

前記周壁の上面は撥液性であることを特徴とする請求項 5記載の基板ステー 、、

7 . 前記周壁の高さは前記支持部の高さよりも低いことを特徴とする請求項 6記 載の基板ステージ。

8 . 前記基板の周囲に前記基板の表面とほぼ同じ高さの平坦部を有し、 前記平坦部の少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする請求項 5に記載の基板ステージ。

9 . 前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、

前記凹部は、 前記平坦部に隣接する内側面を備え、

前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項 8記載 の基板ステージ。

1 0 . 前記基板を保持するための基板ホルダを備え、

前記基板ホルダは、 周壁とその內側に配置された支持部とを備え、

前記周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって前記支持部に前記基板を 保持することを特徴とする請求項 5記載の基板ステ一ジ。 '

1 1 . 前記基板ホルダの少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする 請求項 1 0記載の基板ステージ。

1 2 . 前記周壁の上面が撥液性であることを特徴とする請求項 1 1記載の基板ス

、、、

ァーン'。

1 3 . 前記基板ホルダは着脱可能であり、

前記基板ホルダとの接触面が撥液性であることを特徴とする請求項 1 0に記 載の基板ステージ。

1 4 . 前記基板ホルダは着脱可能であり、

前記基板ホルダの裏面が撥液性であることを特徴とする請求項 1 0に記載の 基板ステージ。

1 5 . 前記基板の周囲に前記基板の表面とほぼ同じ高さの平坦部を有し、 前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、

前記凹部は、 前記平坦部に隣接する内側面を有することを特徴とする請求項 1

0に記載の基板ステージ。

1 6 . 前記平坦部の少なくとも一部の表面が撥液性であることを特徴とする請求 項 1 5記載の基板ステージ。

1 7 . 前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項 1 5 又は 1 6記載の基板ステージ。

1 8 . 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、

前記凹部の內側面に対向する前記基板ホルダの側面の少なくとも一部が撥液 性であることを特徴とする請求項 1 5に記載の基板ステージ。

1 9 . 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、

前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間を陽圧化することを 特徴とする請求項 1 5に記載の基板ステージ。

2 0 . 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、

前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間に液体を保持可能で あることを特徴とする請求項 1 5に記載の基板ステージ。

2 1 . 前記凹部に前記基板ホルダが配置され、

前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間に流入した液体を回 収する回収手段を備えたことを特徴とする請求項 1 5に記載の基板ステージ。

2 2 . 前記凹部の内側面と前記基板ホルダの側面との間の空間の圧力を、 前記周 壁に囲まれた空間の圧力よりも低くすることを特徴とする請求項 1 5に記載の 基板ステージ。

2 3 . 基板上の一部に液浸領域を形成し、 投影光学系と液体とを介して前記基板 上にパターン像を投影することによって前記基板を露光する液浸露光に用いら れ、 前記基板を保持する基板ステージにおいて、

前記基板の周囲に前記基板とほぼ同じ高さの平坦部を有し、

前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、

前記平坦部と前記基板とのギヤップを液体で満たした状態で前記基板の露光 が行われることを特徴とする基板ステージ。

2 4 . 前記基板の側面が撥液処理されていることを特徴とする請求項 5に記載の 基板ステージ。

2 5 . 前記基板の裏面が撥液処理されていることを特徴とする請求項 5に記載の 基板ステージ。

2 6 . 前記基板は、 位置合わせのための切り欠きが形成されていないことを特徴 とする請求項 5記載の基板ステージ。

2 7 . 周壁とその内側に形成された支持部とを備え、

前記周壁に囲まれた空間を負圧することによって、 前記支持部に前記基板を保 持することを特徴とする請求項 8記載の基板ステージ。

2 8 . 前記基板と前記平坦部との間から前記周壁の外側の空間に浸入した液体を 回収する回収部を備えたことを特徴とする請求項 2 7記載の基板ステージ。

2 9 . 前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、

前記凹部は、 前記基板の側面と対向する内側面を有し、

前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項 2 8記 載の基板ステージ。

3 0 . 前記周壁の上面は、 撥液性であることを特徴とする請求項 2 9記載の基板 ステ一、ン。

3 1 . 前記周壁は、 前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項 3 0記載の基 板ステージ。

3 2 . 周壁とその内側に形成された支持部とを備え、

前記周壁に囲まれた空間を負圧することによって、 前記支持部に前記基板を保 持することを特徴とする請求項 5記載の基板ステージ。

3 3 . 前記支持部に支持された前記基板の周囲に、 前記基板の表面とほぼ面一の 面を形成する平坦部と、 '

前記平坦部の内側に前記基板が配置される凹部が形成され、

前記凹部は、 前記基板の側面と対向する内側面を有し、

前記内側面の少なくとも一部が撥液性であることを特徴とする請求項 3 2記 載の基板ステージ。

3 4 . 前記基板と前記平坦部との間から前記周壁の外側の空間に浸入した液体を 回収する回収部を有することを特徴とする請求項 3 3記載の基板ステージ。

3 5 . 前記周壁の上面は、 撥液性であることを特徴とする請求項 3 4記載の基板 ステージ。

3 6 . 前記周壁は、 前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項 3 5記載の基 板ステージ。

3 7 . 請求項 5〜請求項 3 6のいずれか一項記載の基板ステージを備えたことを 特徴とする露光装置。

3 8 . 請求項 3 7に記載の基板ステージを備えた露光装置を用いることを特徴と するデバイス製造方法。

3 9 . 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、 第 1周壁と、

前記第 1周壁の內側に形成された第 2周壁と、

前記第 2周壁の内側に形成された支持部とを備え、

前記第 2周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって、 前記支持部に前記基 板を保持する とを特徴とする基板ステージ。

4 0 . 前記第 1周壁と前記第 2周壁との間の空間の圧力は、 前記第 2周壁に囲ま れた空間の圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項 3 9記載の 基板ステージ。

4 1 . 前記第 1周壁と前記第 2周壁との間の空間も負圧にすることを特徴とする 請求項 4 0記載の基板ステージ。

4 2 . 前記第 1周壁と前記第 2周壁との間の空間の圧力はほぼ大気圧、 又は大気 圧よりも高く設定されていることを特徴とする請求項 4 0記載の基板ステージ。

4 3 . 前記第 1周壁と前記第 2周壁との間の空間の圧力を調整可能であることを 特徴とする請求項 4 0に記載の基板ステージ。

4 4 . 前記第 1周壁と前期第 2周壁との間の空間の圧力は、 前記第 1周壁の外側 の空間の圧力よりも高く設定されていることを特徴とする請求項 4 0に記載の 基板ステージ。

4 5 . 前記第 2周壁の高さは、 前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項 3 9に記載の基板ステージ。

4 6 . 前記第 1周壁の高さは、 前記支持部よりも低いことを特徴とする請求項 4 5記載の基板ステージ。

4 7 . 前記第 2周壁の上部は撥液性であることを特徴とする請求項 3 9に記載の 基板ステージ。

4 8 . 前記第 1周壁の上部は撥液性であることを特徴とする請求項 4 7記載の基 板ステージ。

4 9 . 前記支持部に支持された基板の表面とほぼ面一の平坦部を備えたことを特 徴とする請求項 3 9に記載の基板ステ一ジ。 '

5 0 . 前記支持部に支持された基板の切欠部と前記平坦部とのギャップを小さく するためのギャップ調整部を備えたことを特徴とする請求項 4 9記載の基板ス

― - 、、、

アーレ。

5 1 . 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、 前記基板を支持する支持部と、

前記支持部に支持された前記基板の周囲に配置され、 前記基板の表面とほぼ面 一の平坦部と、

前記支持部に支持された前記基板の切欠部と前記平坦部とのギヤップを小さ くするためのギヤップ調整部とを備えたことを特徴とする基板ステージ。

5 2 . 前記ギャップ調整部は、 前記平坦部と一体的に形成されていることを特徴 とする請求項 5 1に記載の基板ステージ。

5 3 . 前記ギャップ調整部は可動であることを特徴とする請求項 5 1に記載の基 板ステージ。

5 4 . 前記支持部の周囲に配置された周壁を備え、

前記周壁で囲まれた空間を負圧にすることによって、 前記基板が前記支持部に 支持されることを特徴とする請求項 5 1に記載の基板ステ一ジ。

5 5 . 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、 周壁と該周壁の内側に形成された支持部とを備え、

前記周壁は、 前記基板の切欠部の形状に合わせて形成されており、

前記周壁に囲まれた空間を負圧にすることによって、 前記支持部に前記基板を 保持することを特徴とする基板ステージ。

5 6 . 前記周壁の上部は撥液性であることを特徴とする請^項 5 5に記載の基板 ステージ。

5 7 . 被露光対象としての基板を保持して移動可能な基板ステージにおいて、 前記基板を支持するための支持部と、

前記支持部に前記基板を吸着するための複数の吸気口とを備え、

前記基板の切欠部近傍の吸気力を、 その周りの吸気力よりも小さくしたことを 特徴とする基板ステージ。

5 8 . 前記複数の吸気口のうち、 前記基板の前記切欠部近傍の吸気口は、 他の吸 気口とは独立した真空系に接続されていることを特徴とする請求項 5 7記載の 基板ステージ。

5 9 . 前記複数の吸気口のうち、 前記基板の切欠部近傍の吸気口の口径を、 他の 吸気口の口径よりも小さく したことを特徴とする請求項 5 7に記載の基板ステ ージ。

6 0 . 請求項 3 9〜請求項 4 9のいずれか一項記載の基板ステージに保持された 基板上に投影光学系と液体とを介して露光光を照射して、 その基板を液浸露光す ることを特徴とする露光装置。

6 1 . 請求項 6 0記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。