WO2005010962A1 - 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

　露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと液体１とを介してパターン像を基板Ｐ上に投影することによって基板Ｐを露光する。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間へ液体１を供給する液体供給機構１０を備えている。液体供給機構１０は、異常が検出されたときに液体１の供給を停止する。液浸領域を形成する液体の漏洩により基板周辺の装置・部材が受ける影響を抑え、良好に露光処理できる。

Description

明細書 露光装置及びデバイス製造方法、 並びに露光装置の制御方法 技術分野

本発明は、 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置、 この露光装 置を用いるデバイス製造方法、 及び、 露光装置の制御方法に関するものである。 背景技術

半導体デノ 'ィスや液晶表示デノ 'イスは、 マスク上に形成されたパターンを感光' 性の基板上に転写する、 所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。 この フォトリソグラフイエ程で使用される露光装置は、 マスクを支持するマスクステ —ジと基板を支持する基板ステージとを有し、 マスクステージ及び基板ステージ を逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するもの である。 近年、 デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光 学系の更なる高解像度化が望まれている。 投影光学系の解像度は、 使用する露光 波長が短いほど、 また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 そのため、 露 光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、 投影光学系の開口数も増 大している。 そして、 現在主流の露光波長は K r Fエキシマレ一ザの 248 n m であるが、 更に短波長の A r Fエキシマレーザの 1 93 n mも実用化されつつあ る。 また、 露光を行う際には、 解像度と同様に焦点深度 （DOF) も重要となる。 解像度 R、 及び焦点深度 <5はそれぞれ以下の式で表される。

R = k, - λ/Ν A … ( 1 )

<5 = ± k₂ ■ λ/Ν A² … ( 2)

ここで、 λは露光波長、 Ν Αは投影光学系の開口数、 k，、 k ₂はプロセス係数 である。 （ 1 ) 式、 （ 2) 式より、 解像度 Rを高めるために、 露光波長 λを短く して、 開口数 Ν Αを大きくすると、 焦点深度 <5が狭くなることが分かる。 焦点深度 <5が狭〈なり過ぎると、 投影光学系の像面に対して基板表面を合致さ せることが困難となり、 露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがあ る。 そこで、 実質的に露光波長を短く して、 且つ焦点深度を広くする方法として、 例えば国際公開第 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されている液浸法が提案されて いる。 この液浸法は、 投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液 体で満たして液浸領域を形成し、 液体中での露光光の波長が空気中の 1 / n ( n は液体の屈折率で通常 1 . 2〜1 . 6程度） になることを利用して解像度を向上 するとともに、 焦点深度を約 n倍に拡大するというものである。 ころで、 液浸露光装置においては、 露光用の液体が漏洩あるいは浸入すると、 その液体により装置 ·部材の故障、 漏電あるいは請び等といった不都合を引き起 こす可能性がある。 また、 それによつて露光処理を良好に行うことができなくな る o , 発明の開示 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、 液浸法を用いる場合 にも良好に露光処理できる露光装置及びデバイス製造方法、 並びに露光装置の制 御方法を提供することを目的とする。 また、 露光用の液体の漏洩や浸入による影 響を抑え、 良好に露光処理できる露光装置及びデバイス製造方法、 並びに露光装 置の制御方法を提供することを目的とする。 上記の課題を解決するため、 本発明は実施の形態に示す図 1〜図 2 2に対応付 けした以下の構成を採用している。 但し、 各要素に付した括弧付き符号はその要 素の例示に過ぎず、 各要素を限定するものではない。 本発明の第 1の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P ) に露光光 （E L ) を照射して基板 （P ) を露光する露光装置であって：

パターン像を基板 （P ) 上に投影する投影光学系 （P L ) と ； 投影光学系 （P L) と基板 （P) との間へ液体 （ 1 ) を供給する液体供給機構 ( 1 0) を備え；

液体供給機構 （ 1 0) は、 異常が検出されたときに液体 （ 1 ) の供給を停止す る露光装置 （EX) が提供される。 本発明によれば、 異常が検出されたときに、 液体供給機構による液体の供給を 停止するようにしたので、 液体の漏洩や浸入の防止、 あるいはそれらの被害拡大 を防止できる。 したがって、 液体による周辺装置 ·部材の故障や請び、 あるいは 基板がおかれている環境の変動といった不都合の発生を防止する、 あるいはその ような不都合の影響を低減することができる。 本発明の第 2の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P) に露光光 （E L) を照射しで基板 （P) を露光する露光装置であって： ： ,

パターン像を液体 （ 1 ) を介して基板 （P) 上に投影する投影光学系 （P L) と ；

¾気機器 （47、 48) を備え；

液体 （ 1 ) の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が検出されたときに、 電気機器 （47、 48) への電力供給を停止する露光装置 （EX) が提供される。 本発明によれば、 異常が検出されたときに、 電気機器への電力供給を停止して、 液体の付着に起因する漏電を防止するようにしたので、 漏電による周辺の装置に 対する影響や電気機器自体の故障等の不都合の発生を抑制する、 あるいはそれに よる被害を低減することができる。 本発明の第 3の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P) に露光光 （E L) を照射して基板 （P) を露光する露光装置であって：

パターン像を液体 （ 1 ) を介して基板 （P) 上に投影する投影光学系 （P L) と ；

吸引系 （25) に流通する吸気口 （42 A、 66) とを備え、 液体 （ 1 ) の流入を防止するために、 異常が検出されたときに、 吸気口 （42 A、 66 ) からの吸気を停止する露光装置 （EX) が提供される。 露光装置は、 例えばステージ装置をガイ ド面に対して非接触支持するためのェ ァベアリング （気体軸受） の吸気口やマスク及び基板を吸着保持す'るホルダ装置 の吸気口等をはじめとする種々の吸気口を備えているが、 それらの吸気口に液体 が流入するとそれらの吸気口と流通する真空ポンプ等の真空系 （吸引系） の故障 を引き起こす。 本発明によれば、 異常が検出されたときに、 吸気口からの吸気を 停止するようにしたので、 吸気口を介して真空系に液体が流入する不都合を防止 することができる。 なお、 本発明の第 1〜第 3の態様において、 句 「異常が検出- された」 とは、 液体を介した基板の露光、 すなわち、 液浸露光に悪影響を及ぼす 状況が検知されたことを意味し、 液体の流通に係わる異常のみならず、 基板を保 持して移動する 'ステージの動作に関する異常などが検知されたこと _:を,も含み、 さ らには露光装置に接続される関連装置における異常が検出されたことをも含む概 念である。例えば、 関連装置として露光装置に供給する液体を製造する液体製造 装置における異常信号 （アラーム） が検出された場合も含む。 本発明の第 4の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P) に露光光 （E L) を照射して基板 （P) を露光する露光装置であって：

パターン像を液体 （ 1 ) を介して基板 （P) 上に投影する投影光学系 （P L) と；

吸引系 （ 25、 70、 74) に流通された吸引口 （2 1、 61、 66) と ； 吸引口 （2 1、 6 1、 66 ) から吸い込まれた液体 （ 1 ) と気体とを分離する 分離器 （22、 7 1、 75) と ；

分離器 （22、 7 1、 75) によって分離された気体を乾燥させる乾燥器 （ 2

3、 72、 76 ) とを備えた露光装置 （EX) が提供される。 例えば液体回収機構の液体吸引口 （回収口） から真空系を使って液体を吸引す る際、 回収した液体成分が真空系 （吸引系） に流入するとその真空系の故障等を 引き起こすことになる。 本発明によれば、 吸引口から吸い込んだ液体と気体とを 分離器で気液分離し、 分離器によって分離した気体を更に乾燥器で乾燥すること により、 真空系に対して液体成分 （湿った気体を含む） が流入する不都合を防止 できる。 したがって、 真空系 （吸引系） の故障等といった不都合の発生を防止し つつ、 液体回収機構による液体回収動作を長期間良好に維持するごとができ、 液 体回収機構の回収動作不能に起因する液体の漏洩を防止することができる。 本発明の第 5の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P) に露光光 （E L) を照射して基板 （P) を露光する露光装置であって：

基板 （P) を保持して移動可能な基板ステージ （P S T) であって、 その上に 第 1領域 （LA 1 ) を有する基板ステージ （P S T) と ；

基板 （P) にパターン像を投影する投影光学系 （P L) であって、 像面側先端 部 （ 2 a ) を含み、 第 1領域 （ L A 1 ) と対向して第 1領域 （ L A 1.) の少なく とも一部との間に液体 （ 1 ) を保持する第 2領域 （L A 2) を有する投影光学系 (P U と ； '

•第 1領域 （LA 1 ) と第 2領域 （LA 2) との位置関係に応じて、 基板ステ— ジ （P S T) の移動を制限する制御装置 （CON T) を備える露光装置 （EX) が提供される。 本発明によれば、 第 1領域と第 2領域との間に液体を保持する構成の場合、 例 えば第 1領域と第 2領域との間に液体を保持できない位置関係とならないように 基板ステージの移動を制限することで、 液体の漏洩等の不都合を防止できる。 本発明の第 6の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P) に露光光 （E L) を照射して基板 （P) を露光する露光装置であって：

基板 （P) 上に液体 （ 1 ) を介してパターン像を投影する投影光学系 （P L) と ；

基板 （P) を保持して移動可能な基板ステージ （P S T) と ；

基板ステージ （P S T) を移動可能に支持するべ一ス部材 （41 ) と ； 基板ステージ （P S T) に設けられ、 液体 （ 1 ) を検知する第 1検出器 （80 C) と ；

ベース部材 （41 ) に設けられ、 液体 （ 1 ) を検知する第 2検出器 （80 D) と ；

第 1検出器 （80C) と第 2検出器 （80 D) との検出結果に応じて、 露光装 置の動作を制御する制御装置 （CON T) とを備える露光装置 （EX) が提供さ れる o 本発明によれば、 互いに別の位置に設けられた第 1検出器及び第 2検出器の検 出結果に応じて露光装置の動作を制御するようにしたので、 漏洩した液体の拡散' 範囲に応じた適切な処置を講ずることができる。 したがって、 液体の漏洩が発生 した後の復帰作業にかかる時間を短縮することができ、 露光装置の稼働率の低下 を防止できる。'例えば基板ステージに設けられた第 1検出器が液体の存在を検知 したときは、 制御装置は、 漏洩した液体の拡散範囲が比較的狭い範囲であると判 断し、 例えば液体供給機構による液体供給を停止するなど、 その範囲に応じた適 切な処置を施す。 こうすることにより、 復帰作業にかかる時間を最小限に抑える ことができる。 一方、 ベース部材に設けられた第 2検出器が液体の存在を検知し たときは、 漏洩した液体の拡散範囲が比較的広い領域であると判断し、 制御装置 は、 例えば基板ステージを駆動する駆動装置をはじめとする電気機器への電力供 給を停止する。 こうすることにより、 広い範囲に漏洩した液体が拡散しても、 電 気機器の漏電や故障などといつた損害が生じることを防止できる。 本発明の第 7の態様に従えば、 液体 （ 1 ) を介して基板 （P) に露光光 （E L) を照射して基板 （P) を露光する露光装置であって：

パターン像を基板上に投影する投影光学系 （P L) と ；

投影光学系 （P L) と基板 （P) との間へ液体 （ 1 ) を供給する液体供給機構 ( 1 0) と；

基板 （P) を保持して移動可能な基板ステージ （P S T) と ； 液体供給機構 （ 1 0) が液体 （ 1 ) を供給している間は、 基板ステージ （P S T ) の移動範囲を第 1の範囲 （ S R 1 ) に制限し、 液体供給機構 （ 1 0) が液体 ( 1 ) の供給を停止している間は、 基板ステージ （P S T) の移動範囲を第 1の 範囲 （S R 1 ) より広い第 2の範囲 （S R 2) に制限する制御装置 （CON T) とを備えた露光装置 （EX) が提供される。 本発明によれば、 液体供給機構が液体を供給している間は、 基板ステージの移 動範囲を、 例えば基板ステージ上に液体を保持可能な第 1の範囲に制限すること で、 液体の漏洩等の不都合を防止できる。 一方、 液体供給機構が液体の供給を停 止している間は、 基板ステージの移動範囲を第 1の範囲よりも広い第 2の範囲と することで、 基板ステージを基板交換位置に移動するなど基板ステージに関する 所定の動作を円滑に行うことができる。 本発明の第 8の態様に従えば、 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露 光する露光装置であって：

—パターン像を基板上に投影する投影光学系と （P L) と ；

投影光学系の像面側に液体を供給する液体供給機構 （ 1 0) と ；

投影光学系の像面側で移動可能なステージ （ P S T ) と ；

ステージの移動範囲を制御する制御装置 （CON T) とを備え；

該制御装置が、 投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのス テージの移動範囲を、 投影光学系とステージとの間に液体を保持されていないと きのステージの移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置が提供される。 本発明の第 8の態様によれば、 例えばステージ上の基板の露光中は、 投影光学 系とステ一ジとの間に液体を良好に保持しつづけることが可能となり、 投影光学 系とステージとの間に液体を保持していない場合には、 基板交換などの他の動作 を円滑に行うことができる。 本発明の第 9の態様に従えば、 上記態様の露光装置 （EX) を用いることを特 徴とするデバイス製造方法が提供される。 本発明によれば、 異常を検出したとき に、 所定の装置の駆動を停止するようにしたので、 装置の故障等の不都合の発生 を防止し、 良好な装置環境でデバイス製造を行うことができる。 本発明の第 1 0の態様に従えば、 液体を介して基板に露光光を照射して基板を 露光する露光装置 （EX) を制御する方法であって、 パターン像を基板上に投影 する投影光学系 （P L) と、 投影光学系の像面側へ液体 （ 1 ) を供給する液体供 給機構 （ 1 0) と、 電気エネルギーを駆動力とする機器 （47、 48) と、 気体 を吸引する機能を有する機器 （42、 P H) を含む露光装置のコンポーネントか ら構成され且つ外部関連装置と接続される露光装置の制御方法であって：

投影光学系の像面側へ液体を供給することと ；

前記コンポ一-ネン卜及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信 号信号を受信することと；

前記信号に基づいて、 液体供給機構 （ 1 0) 、 電気エネルギーを駆動力とする 機器 （ 47、 48) 及び気体を吸引する機能を有する機器 （42、 P H) の少な <とも一種の動作を制限することを含む露光装置の制御方法が提供される。 本発明の露光装置の制御方法によれば、 露光装置内部または露光装置外部の関 連装置に異常が生じ、 その異常が基板の露光などに影響を及ぼすような異常を知 らせる信号である場合には、 液体供給機構 （ 1 0) 、 電気エネルギーを駆動力と する機器 （47、 48) 及び気体を吸引する機能を有する機器 （42、 P H ) の 少なくとも一種の動作を制限することで、 液漏れ、 それに起因して発生する漏電、 吸引装置による液体の吸弓 Iなどを防止することができる。 図面の簡単な説明 図 1は、 本発明の露光装置の第 1実施形態を示す概略構成図である。

図 2は、 基板ステージを示す斜視図である。 図 3は、 投影光学系の先端部近傍、 液体供給機構、 及び液体回収機構を示す概 略構成図である。

図 4は、 投影光学系の投影領域と液体供給機構及び液体回収機構との位置関係 を示す平面図である。

図 5は、 基板ステージに設けられた回収装置を説明するための断面模式図であ る o

図 6は、 本発明の露光装置の第 2実施形態に係る光ファィバを備えた検出器を 説明するための模式図である。

図 7は、 本発明の露光装置の第 2実施形態に係る光ファィバを備えた検出器を 説明するための模式図である。

図 8は、 光ファィバを備えた検出器の配置例を示す側面図である。

図 9は、 図 8の平面図である。

図 1 0は、 光ファイバを備えた検出器の他の配置例を示す側面図である。

図 1 1は、 光ファイバを備えた検出器の他の実施例を示す平面図である。

図 1 2は、 光ファイバを備えた検出器の他の配置例を示す斜視図である。

'図 1 3は、 光ファイバを備えた検出器の他の実施例を示す模式図である。

図 1 4は、 本発明の露光装置の第 3実施形態に係るプリズムを備えた検出器を 説明するための模式図である。

図 1 5は、 本発明の露光装置の第 3実施形態に係るプリズムを備えた検出器を 説明するための模式図である。

図 1 6は、 プリズムを備えた検出器の配置例を示す平面図である。

図 1 7は、 プリズムを備えた検出器の他の使用例を示す図である。

図 1 8は、 プリズムを備えた検出器の他の配置例を示す概略構成図である。

図 1 9 ( a ) 及び （b ) は、 光ファイバを備えた検出器の他の実施例を示す図 る。

図 2 0 ( a ) 及び （ b ) は、 本発明の別の実施形態を説明するための図である。 図 2 1 ( a ) 及び （ b ) は、 本発明の別の実施形態を説明するための図である。 図 2 2は、 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチヤ一卜図である。 図 2 3は、 本発明の露光装置の各種検出器からの検出信号に基づいて制御装置 が制御する露光装置外部の関連装置及び露光装置内部の諸装置と制御装置の接続 関係を示すプロック図である。

図 2 4は、 本発明の露光装置の制御装置の制御内容を示すフローチヤ一卜であ

発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の露光装置の実施形態について図面を参照しながら説明するが、 本発明はこれに限定されない。 図 1は本発明の露光装置の第 1実施形態を示す概略構成図である。 図 1におい て、 露光装置 E.Xは、 マスク Mを支持するマスクステージ M S Tと、.,基板 Pを支 持する基板ステージ P S Tと、 マスクステージ M S Tに支持されているマスク M を露光光 E Lで照明する照明光学系 Iしと、 露光光 E Lで照明されたマスク Mの バタ一ン像を基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pに投影露光する投影光 学系 P Lと、 露光装置 E X全体の動作を統括制御する制御装置 C 0 Tとを備え ている。 制御装置 C O N Tには、 露光処理に関して異常が生じたときに警報を発 する警報装置 Kが接続されている。 更に、 露光装置 E Xは、 マスクステージ M S T及び投影光学系 P Lを支持するメインコラム 3を備えている。 メインコラム 3 は、 床面に水平に載置されたベースプレート 4上に設置されている。 メインコラ 厶 3には、 内側に向けて突出する上側段部 3 A及び下側段部 3 Bが形成されてい る。 なお、 制御装置は、 図 2 3に示したように、 露光装置を構成する種々のコン ポーネン卜及び露光装置の外部の関連装置と接続されており、 制御装置の制御内 容は後述する。 本実施形態の露光装置 E Xは、 露光波長を実質的に短く して解像度を向上する とともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であ つて、 基板 P上に液体 1を供給する液体供給機構 1 0と、 基板 P上の液体 1を回 収する液体回収機構 2 0とを備えている。 露光装置 E Xは、 少なくともマスク M のパターン像を基板 P上に転写している間、 液体供給機構 1 0から供給した液体 1により投影光学系 P Lの投影領域 A R 1を含む基板 P上の一部に液浸領域 A R 2を形成する _P 具体的には、 露光装置 E Xは、 投影光学系 P Lの先端部 （終端 部） の光学素子 2と基板 Pの表面との間に液体 1を満たし、 この投影光学系 P L と基板 Pとの間の液体 1及び投影光学系 P Lを介してマスク Mのバタ一ン像を基 板 P上に投影することによってこの基板 Pを露光する。 本実施形態では、 露光装置 E Xとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向における 互いに異なる向き （逆方向） に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを 基板 Pに露光する走査型露光装置 （所謂スキャニングステツパ） を使用する場合 を例にして説明する。 以下の説明において、 投影光学系 P Lの光軸 A Xと一致す る方向を Z軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同期移動方 向 （走査方向） を X軸方向、 Z軸方向及び X軸方向に垂直な方向 （非走査方向） を Y軸方向とする。 また、 X軸、 Y軸、 及び Z軸まわりの回転 （傾斜） 方向をそ れそれ、 0 Χ、 Θ Ί、 及び 方向とする。 なお、 ここでいう 「基板」 は半導体 ウェハ上に感光性材料であるフォトレジス卜を塗布したものを含み、 「マスク」 は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 照明光学系 I Lは、 メインコラム 3の上部に固定された支持コラム 5により支 持されている。 照明光学系 I Lは、 マスクステージ M S Tに支持されているマス ク Mを露光光 E Lで照明するものであり、 露光用光源、 露光用光源から射出され た光束の照度を均一化するオプティカルィンテグレー夕、 オプティカルィンテグ レ一夕からの露光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、 リレーレンズ系、 及び露 光光 E Lによるマスク M上の照明領域をスリッ 卜状に設定する可変視野絞り等を 有している。 マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分 布の露光光 Eしで照明される。 照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとして は、 例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線 （g線、 h線、 i線） 及び K r Fエキシマレーザ光 （波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光 （D U V光） や、 A r F エキシマレーザ光 （波長 1 9 3 n m ) 及び F ₂レーザ光 （波長 1 5 7 n m ) 等の真 空紫外光 （V U V光） 等が用いられる。 本実施形態においては A r Fエキシマレ 一ザ光が用いられる。 本実施形態において、 液体 1には純水が用いられる。 純水は A r Fエキシマレ —ザ光のみならず、 例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線 （9線、 h線、 i線） 及び K r Fエキシマレ—ザ光 （波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光 （D U V 光） も透過可能である。 マスクステージ M S Tは、 マスク Mを支持するものであって、 その中央部にマ スク Mのパターン像を通過させる開口部 3 4 Aを備えている。 メインコラム 3の 上側段部 3 Aには、 防振ュニッ 卜 6を介してマスク定盤 3 1が支持されている。 マスク定盤 3 1.の中央部にも、 マスク Mのパターン像を通過させる開口部 3 4 B が形成されている。 マスクステージ M S Tの下面には非接触ベアリングである気 体軸受 （エアベアリング） 3 2が複数設けられている。 マスクステージ M S Tは ΐアベァリング 3 2によりマスク定盤 3 1の上面 （ガイ ド面） 3 1 Αに対して非 接触支持されており、 リニアモータ等のマスクステージ駆動機構により、 投影光 学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、 すなわち X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。 マスクステージ M S T上にはマスクステージ M S Tとともに投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 3 5が設けられている。 ま た、 移動鏡 3 5に対向する位置にはレーザ干渉計 3 6が設けられている。 マスク ステージ M S T上のマスク Mの 2次元方向の位置、 及び 方向の回転角 （場合 によっては 0 X、 方向の回転角も含む） はレーザ干渉計 3 6によりリアル夕 ィ厶で計測され、 計測結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N T は、 レーザ干渉計 3 6の計測結果に基づいてマスクステージ駆動機構を駆動する ことでマスクステージ M S Tに支持されているマスク Mの位置を制御する。 投影光学系 P Lは、 マスク Mのバタ—ンを所定の投影倍率/?で基板 Pに投影露 光するものであって、 基板 P側の先端部に設けられた光学素子 （レンズ） 2を含 む複数の光学素子で構成されており、 これら光学素子は鏡筒 P κで支持されてい る。 本実施形態において、 投影光学系 P Lは、 投影倍率 3が例えば 1 / 4あるい は 1 / 5の縮小系である。 なお、 投影光学系 P Lは等倍系及び拡大系のいずれで もよい。 鏡筒 P Kの外周部にはフランジ部 F L Gが設けられている。 また、 メイ ンコラム 3の下側段部 3 Bには、 防振ュニッ 卜 7を介して鏡筒定盤' 8が支持され ている。 そして、 投影光学系 P Lのフランジ部 F L Gが鏡筒定盤 8に係合するこ とによって、 投影光学系 P Lが鏡筒定盤 8に支持されている。 本実施形態の投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2は鏡筒 P Kに対して着脱 (交換） 可能に設けられている。 光学素子 2には液浸領域 A R 2の液体 1が接角 する。 光学素子 2は蛍石で形成されている。 蛍石は水との親和性が高いので、 光 学素子 2の液体接触面 2 aのほぼ全面に液体 1を密着させることができる。 すな わち、 本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2 aとの親和性が高い液体 (水） 1を供給するようにしているので、 光学素子 2の液体接触面 2 aと液体 1 との密着性が高く、 光学素子 2と基板 Pとの間の光路を液体 1で確実に満たすこ どができる。 なお、 光学素子 2は、 水との親和性が高い石英であってもよい。 ま た、 光学素子 2の液体接触面 2 aに親水化 （親液化） 処理を施して、 液体 1 との 親和性をより高めるようにしてもよい。 光学素子 2を囲むようにプレート部材 2 Pが設けられている。 プレー卜部材 2 Pの基板 Pと対向する面 （すなわち下面） は平坦面となっている。 光学素子 2の 下面 （液体接触面） 2 aも平坦面となっており、 プレー卜部材 2 Pの下面と光学 素子 2の下面とはほぼ面一となつている。 これにより、 広い範囲で液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。 また、 プレー卜部材 2 Pの下面に、 光学素子 2同様、 表面処理 （親液化処理） を施すことができる。 基板ステージ （可動部材） P S Tは、 基板ホルダ （基板保持部材） P Hを介し て基板 Pを吸着保持して移動可能に設けられており、 その下面には複数の非接触 ベアリングである気体軸受 （エアベアリング） 4 2が設けられている。 ベースプ レー卜 4上には、 防振ュニッ 卜 9を介して基板定盤 4 1が支持されている。 エア ベアリング 4 2は、 基板定盤 4 1の上面 （ガイ ド面） 4 1 Aに対して気体 （ェ ァ） を吹き出す吹出口 4 2 Bと、 基板ステージ P S T下面 （軸受面） とガイ ド面 4 1 Aとの間の気体を吸引する吸気口 4 2 Aとを備えており、 吹出口 4 2巳から の気体の吹き出しによる反発力と吸気口 4 2 Aによる吸引力との釣り合いにより、 基板ステージ P S T下面とガイ ド面 4 1 Aとの間に一定の隙間を保持する。 つま り、 基板ステージ P S Tはエアベアリング 4 2により基板定盤 （ベース部材） 4 1の上面 （ガイ ド面） 4 1 Aに対して非接触支持されており、 リニアモータ等の 基板ステージ駆動機構により、 投影光学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、 すな わち X Y平面内で 2次元移動可能及び 方向に微小回転可能である。 更に、 基' 板ホルダ P Hは、 Z軸方向、 方向、 及び 方向にも移動可能に設けられて いる。 基板ステージ駆動機構は制御装置 C O N Tにより制御される。 すなわち、 基板ホルダ P H'は、 基板 Pのフォーカス位置 （Z位置） 及び傾斜角を制御して基 板 Pの表面を才ートフォーカス方式、 及び才ートレベリング方式で投影光学系 P しの像面に合わせ込むとともに、 基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決 め'を ϊ丁つ。 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 上には、 基板ステージ P S Tとともに 投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 4 5が設けられている。 また、 移動鏡 4 5に対向する位置にはレーザ干渉計 4 6が設けられている。 基板ステージ P S T 上の基板 Pの 2次元方向の位置、 及び回転角はレーザ干渉計 4 6によりリアル夕 ィムで計測され、 計測結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N T はレ—ザ干渉計 4 6の計測結果に基づいてリニアモータを含む基板ステ一ジ駆動 機構を駆動することで基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの位置決めを 行う。 また、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 上には、 基板 Pを囲むように補 助プレー卜 4 3が設けられている （図 2参照） 。 補助プレート 4 3は基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さの平面を有している。 基板 Pのェ ッジ領域を露光する場合にも、 補助プレー卜 4 3により投影光学系 P Lの下に液 体 1 を保持することができる。 また、 基板ホルダ P Hのうち補助プレート 4 3の外側には、 基板 Pの外側に流 出した液体 1 を回収する回収装置 6 0の回収口 （吸引口） 6 1 が設けられている。 回収口 6 1は補助プレー卜 4 3を囲むように形成された環状の溝部であって、 そ の内部にはスポンジ状部材ゃ多孔質体等からなる液体吸収部材 6 2が配置されて いる。 図 2は、 基板ステージ P S T及びこの基板ステージ P S Tを駆動する基板ステ- ージ駆動機構を示す概略斜視図である。 図 2において、 基板ステージ P S Tは、 Xガイ ドステージ 4 4により X軸方向に移動自在に支持されている。 基板ステ— ジ P S Tは、 X'ガイ ドステージ 4 4に案内されつつ Xリニアモータ 4 ,7により X 軸方向に所定スト口一クで移動可能である。 Xリニアモータ 4 7は、 Xガイ ドス テ一ジ 4 4に X軸方向に延びるように設けられた固定子 4 7 Aと、 この固定子 4 77\に対応して設けられ基板ステージ P S Tに固定された可動子 4 7 Bとを備え ている。 そして、 可動子 4 7 Bが固定子 4 7 Aに対して駆動することで基板ステ —ジ P S Tが X軸方向に移動する。 ここで、 基板ステージ P S Tは、 Xガイ ドス テージ 4 4に対して Z軸方向に所定量のギャップを維持する磁石及びァクチユエ 一夕からなる磁気ガイ ドにより非接触で支持されている。 基板ステージ P S Tは Xガイ ドステージ 4 4に非接触支持された状態で Xリニアモータ 4 7により X軸 方向に移動する。

Xガイ ドステージ 4 4の長手方向両端には、 この Xガイ ドステージ 4 4を基板 ステージ P S Tとともに Y軸方向に移動可能な一対の Yリニアモータ 4 8が設け られている。 Yリニアモータ 4 8のそれぞれは、 Xガイ ドステージ 4 4の長手方 向両端に設けられた可動子 4 8 Bと、 この可動子 4 8 Bに対応して設けられた固 定子 4 8 Aとを備えている。 そして、 可動子 4 8 Bが固定子 4 8 Aに対して駆動 することで Xガイ ドステージ 4 4が基板ステージ P S Tとともに Y軸方向に移動 する。 また、 Yリニアモータ 4 8のそれぞれの駆動を調整することで Xガイ ドス テージ 4 4は 0 Ζ方向にも回転移動可能となっている。 したがって、 この Υリニ ァモータ 4 8により基板ステージ P S Τが Xガイ ドステージ 4 4とほぼ一体的に Υ軸方向及び 0 Ζ方向に移動可能となっている。 基板定盤 4 1の X軸方向両側のそれぞれには、 正面視 L字状に形成され、 Xガ ィ ドステージ 4 4の Υ軸方向への移動を案内するガイ ド部 4 9が設けられている。 ガイ ド部 4 9はべ—スプレー卜 4 (図 1 ) 上に支持されている。 本実施形態にお いて、 ガイ ド部 4 9の平坦部 4 9 Β上に、 Υリニアモータ 4 8の固定子 4 8 Αが 設けられている。 一方、 Xガイ ドステージ 4 4の下面の長手方向両端部のそれぞ れには凹形状の被ガイ ド部材 5 0が設けられている。 ガイ ド部 4 9は被ガイ ド部

5 0と係合し、 ガイ ド部 4 9の上面 （ガイ ド面） 4 9 Aと被ガイ ド部材 5 0の内 面とが対向するように設けられている。 ガイ ド部 4 9のガイ ド面 4_: 9> Aには非接 触ベアリングである気体軸受 （エアベアリング） 5 1が設けられており、 Xガイ ドステージ 4 4はガイ ド面 4 9 Aに対して非接触支持されている。 また、 Yリニアモータ 4 8の固定子 4 8 Aとガイ ド部 4 9の平坦部 4 9 Bとの 間には非接触ベアリングである気体軸受 （エアベアリング） 5 2が介在されてお り、 固定子 4 8 Aはエアべァリング 5 2によりガイ ド部 4 9の平坦部 4 9 Bに対 して非接触支持される。 このため、 運動量保存の法則により Xガイ ドステージ 4 4及び基板ステージ P S Tの + Y方向 （― Y方向） の移動に応じて固定子 4 8 A がー Y方向 （+ Y方向） に移動する。 この固定子 4 8 Aの移動により Xガイ ドス テージ 4 4及び基板ステージ P S Tの移動に伴う反力が相殺されるとともに重心 位置の変化を防ぐことができる。 すなわち、 固定子 4 8 Aは所謂カウンタマスと しての機能を有している。 図 3は、 液体供給機構 1 0、 液体回収機構 2 0、 及び投影光学系 P L先端部近 傍を示す拡大図である。 液体供給機構 1 0は、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間へ 液体 1を供給するものであって、 液体 1を送出可能な液体供給部 1 1 と、 液体供 給部 1 1に供給管 1 5を介して接続され、 この液体供給部 1 1から送出された液 体 1を基板 P上に供給する供給ノズル 1 4とを備えている。 供給ノズル 1 4は基 板 Pの表面に近接して配置されている。 液体供給部 1 1は、 液体 1を収容するタ ンク、 及び加圧ポンプ等を備えており、 供給管 1 5及び供給ノズル 1 4を介して 基板 P上に液体 1 を供給する。 液体供給部 1 1の液体供給動作は制御装置 C O N Tにより制御され、 制御装置 C O N Tは液体供給部 1 1による基板 P上に対する 単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。 供給管 1 5の途中には、 液体供給部 1 1より基板 P上に供給される液体 1の量 (単位時間あたりの液体供給量） を計測する流量計 1 2が設けられている。 流量' 計 1 2は基板 P上に供給される液体 1の量を常時モニタし、 その計測結果を制御 装置 C O N Tに出力する。 また、 供給管 1 5のうち流量計 1 2と供給ノズル 1 4 との間には、 供給管 1 5の流路を開閉するバルブ 1 3が設けられてい 。 バルブ 1 3の開閉動作は制御装置 C〇 N Tにより制御されるようになっている。 なお、 本実施形態におけるバルブ 1 3は、 例えば停電等により露光装置 E X (制御装置 CO N T ) の駆動源 （電源） が停止した場合に供給管 1 5の流路を機械的に閉塞 する所謂ノ一マルオフ方式となっている。 液体回収機構 2 0は、 液体供給機構 1 0によって供給された基板 P上の液体 1 を回収するものであって、 基板 Pの表面に近接して配置された回収ノズル （吸引 口） 2 1 と、 回収ノズル 2 1に回収管 2 4を介して接続された真空系 （吸引系） 2 5とを備えている。 真空系 2 5は真空ポンプを含んで構成されており、 その動 作は制御装置 C O N Tに制御される。 真空系 2 5が駆動することにより、 基板 P 上の液体 1はその周囲の気体 （空気） とともに回収ノズル 2 1を介して回収され る。 なお、 真空系 2 5として、 露光装置に真空ポンプを設けずに、 露光装置 E X が配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。 回収管 2 4の途中には、 回収ノズル 2 1から吸い込まれた液体 1 と気体とを分 離する気液分離器 2 2が設けられている。 ここで、 上述したように、 回収ノズル 2 1からは基板 P上の液体 1 とともにその周囲の気体も回収される。 気液分離器 2 2は、 回収ノズル 2 1より回収した液体 1 と気体とを分離する。 気液分離器 2 2としては、 例えば複数の穴部を有する管部材に回収した液体と気体とを流通さ せ、 液体を重力作用により前記穴部を介して落下させることで液体と気体とを分 離する重力分離方式の装置や、 回収した液体と気体とを遠心力を使って分離する 遠心分離方式の装置等を採用可能である。 そして、 真空系 2 5は、 気液分離器 2 2で分離された気体を吸引するようになっている。 回収管 2 4のうち、 真空系 2 5と気液分離器 2 2との間には、 気液分離器 2 2 によって分離された気体を乾燥させる乾燥器 2 3が設けられている。仮に気液分 離器 2 2で分離された気体に液体成分が混在していても、 乾燥器 2 3により気体 を乾燥し、 その乾燥した気体を真空系 2 5に流入させることで、 液体成分が流入 することに起因する真空系 2 5の故障等の不都合の発生を防止することができる。 乾燥器 2 3としては、 例えば気液分離器 2 2より供給された気体 （液体成分が混 在している気体） を、 その液体の露点以下に冷却することで液体成分を除く方式 の装置、 例えば冷却器や、 その液体の沸点以上に加熱することで液体成分を除く 方式の装置、 例えばヒーター等を採用可能である。 一方、 気液分離器 2 2で分離された液体 1は第 2回収管 2 6を介して液体回収 部 2 8に回収される。 液体回収部 2 8は、 回収された液体 1 を収容するタンク等 を備えている。 液体回収部 2 8に回収された液体 1は、 例えば廃棄されたり、 あ るいはクリーン化されて液体供給部 1 1等に戻され再利用される。 また、 第 2回 収管 2 6の途中であつて気液分離器 2 2と液体回収部 2 8との間には、 回収され た液体 1の量 （単位時間あたりの液体回収量） を計測する流量計 2 7が設けられ ている。 流量計 2 7は基板 P上から回収された液体 1の量を常時モニタし、 その 計測結果を制御装置 C O N Tに出力する。 上述したように、 回収ノズル 2 1から は基板 P上の液体 1 とともにその周囲の気体も回収されるが、 気液分離器 2 2で 液体 1 と気体とを分離し、 液体成分のみを流量計 2 7に送ることにより、 流量計 2 7は基板 P上より回収した液体 1の量を正確に計測可能となる。 また、 露光装置 E Xは、 基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの表面の 位置を検出するフォーカス検出系 5 6を備えている。 フォーカス検出系 5 6は、 基板 P上に液体 1 を介して斜め上方より検出用光束を投射する投光部 5 6 Aと、 基板 Pで反射した前記検出用光束の反射光を受光する受光部 5 6 B'とを備えてい る。 フォーカス検出系 5 6 (受光部 5 6 B ) の受光結果は制御装置 C O N Tに出 力される。 制御装置 C O N Tはフォーカス検出系 5 6の検出結果に基づいて、 基 板 P表面の Z軸方向の位置情報を検出することができる。 また、 投光部 5 6 Aよ り複数の検出用光束を投射することにより、 基板 Pの 0 X及び 0 Y方向の傾斜情 報を検出することができる。 なお、 フォーカス検出系 5 6は、 基板 Pに限らず、 投影光学系 P Lの像面側に 配置された物体の表面位置情報を検出することができる。 また、 フォーカス検出 系 5 6は液体 1 を介して物体 （基板 P ) の表面位置情報を検出するものであるが、 液浸領域 A R 2の外側で液体 1を介さずに物体 （基板 P ) の表面位置情報を検出 するフォーカス検出系を採用することもできる。 なお、 図 1の一部断面図に示すように、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0は、 鏡筒定盤 8に対して分離支持されている。 これにより、 液体供給機構 1 0 及び液体回収機構 2 0で生じた振動が、 鏡筒定盤 8を介して投影光学系 P Lに伝 わることがない。 図 4は、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0と投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 との位置関係を示す平面図である。 投影光学系 P Lの投影領域 A R 1は Y 軸方向に細長い矩形状 （スリツ 卜状） となっており、 その投影領域 A R 1を X軸 方向に挟むように、 + X側に 3つの供給ノズル 1 4 A〜1 4 Cが配置され、 —X 側に 2つの回収ノズル 2 1 A、 2 1 Bが配置されている。 そして、 供給ノズル 1 4 A〜1 4 Cは供給管 1 5を介して液体供給部 1 1に接続され、 回収ノズル 2 1 A、 2 1 Bは回収管 2 4を介して真空系 2 5に接続されている。 また、 供給ノズ ル 1 4 A~1 4Cと回収ノズル 2 1 A、 2 1 Bとをほぼ 1 80° 回転した位置に、 供給ノズル 1 4 A' 〜1 4C' と、 回収ノズル 2 1 A' 、 2 1 Β' とが配置され ている。 供給ノズル 1 4Α〜1 4 Cと回収ノズル 2 1 A' 、 2 1 B' とは Υ軸方 向に交互に配列され、 供給ノズル 1 4 A' 〜1 4 C' と回収ノズル 21 Α、 2 1 Βとは Υ軸方向に交互に配列され、 供給ノズル 1 4A' 〜1 4C' 'は供給管 1 5' を介して液体供給部 1 1に接続され、 回収ノズル 2 1 A' 、 2 1 B' は回収 管 24' を介して真空系 25に接続されている。 なお、 供給管 1 5 ' の途中には、 供給管 1 5同様、 流量計 1 2' 及びバルブ 1 3' が設けられている。 また、 回収 管 24' の途中には、 回收管 24同様、 気液分離器 22' 及び乾燥器 23， が設 けられている。 図 5は、 基板 Ρの外側に流出した液体 1を回収する回収装置 60を示す図であ る。 図 5において、 回収装置 60は、 基板ホルダ Ρ Η上において補助プレ—卜 4 3を囲むように環状に形成された回収口 （吸引口） 61 と、 回収口 61に配置さ れ、 スポンジ状部材ゃ多孔質セラミックス等の多孔質体からなる液体吸収部材 6 Ζとを備えている。 液体吸収部材 62は所定幅を有する環状部材であり、 液体 1 を所定量保持可能である。 基板ホルダ Ρ Ηの内部には、 回収口 6 1 と連通する流 路 63が形成されており、 回収口 6 1に配置されている液体吸収部材 62の底部 は流路 63に接触している。 また、 基板ホルダ Ρ Η上の基板 Ρと補助プレート 4 3との間には複数の液体回収孔 64が設けられている。 これら液体回収孔 64も 流路 63に接続している。 基板 Ρを保持する基板ホルダ （基板保持部材） Ρ Ηの上面には、 基板 Ρの裏面 を支持するための複数の突出部 65が設けられている。 これら突出部 65のそれ それには、 基板 Ρを吸着保持するための吸着孔 66が設けられている。 そして、 吸着孔 66のそれぞれは、 基板ホルダ Ρ Η内部に形成された管路 67に接続して いる。 回収口 6 1及び液体回収孔 6 4のそれぞれに接続されている流路 6 3は、 基板 ホルダ P H外部に設けられている管路 6 8の一端部に接続されている。 一方、 管 路 6 8の他端部は真空ポンプを含む真空系 7 0に接続されている。 管路 6 8の途 中には気液分離器 7 1が設けられており、 気液分離器 7 1 と真空系 7 0との間に は乾燥器 7 2が設けられている。 真空系 7 0の駆動により回収口 6 1から液体 1 がその周囲の気体とともに回収される。 また、 液体 1が基板 Pと補助プレー卜 4 3との間から浸入して、 基板 Pの裏面側に回り込んだとしても、 その液体は回収 口 6 4から周囲の気体とともに回収される。 真空系 7 0には、 気液分離器 7 1に よって分離され、 乾燥器 7 2によって乾燥された気体が流入する。 一方、 気液分 離器 7 1によって分離された液体 1は、 液体 1を収容可能なタンク等を備える液 体回収部 7 3に流入する。 なお、 液体回収部 7 3に回収された液体 1は、 例えば 廃棄されたり、 あるいはクリーン化されて液体供給部 1 1等に戻され再利用され る また、 吸着孔 6 6に接続されている管路 6 7は、 基板ホルダ P H外部に設けら れている管路 6 9の一端部に接続されている。 一方、 管路 6 9の他端部は、 基板 ホルダ P H外部に設けられた真空ポンプを含む真空系 7 4に接続されている。 真 空系 7 4の駆動により、 突出部 6 5に支持された基板 Pは吸着孔 6 6に吸着保持 される。 管路 6 9の途中には気液分離器 7 5が設けられており、 気液分離器 7 5 と真空系 7 4との間には乾燥器 7 6が設けられている。 また、 気液分離器 7 5に は、 液体 1を収容可能なタンク等を備える液体回収部 7 3が接続されている。 次に、 上述した露光装置 E Xを用いてマスク Mのパターンを基板 Pに露光する 手順について、 図 1等を参照しながら説明する。 マスク Mがマスクステージ M S Tに口一ドされるとともに'、 基板 Pが基板ステ ージ P S Tにロードされた後、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供 給部 1 1を駆動し、 供給管 1 5及び供給ノズル 1 4を介して単位時間あたり所定 量の液体 1を基板 P上に供給する。 また、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0による液体 1の供給に伴って液体回収機構 20の真空系 25を駆動し、 回收ノ ズル 2 1及び回収管 24を介して単位時間あたり所定量の液体 1を回収する。 こ れにより、 投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2と基板 Pとの間に液体 1の液浸 領域 A R 2が形成される。 ここで、 液浸領域 A R 2を形成するために、 制御装置 CON Tは、 基板 P上に対する液体供給量と基板 P上からの液体回収量とがほぼ 同じ量になるように、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20のそれぞれを制御 する。 そして、 制御装置 CO N Tは、 照明光学系 I Lによりマスク Mを露光光 E Lで照明し、 マスク Mのパターンの像を投影光学系 P L及び液体 1 を介して基板 Pに投影する。 走査露光時には、 投影領域 A R 1にマスク Mの一部のパターン像が投影され、 投影光学系 P Lに対して、 マスク Mが— X方向 （又は +X方向） に速度 Vで移動 するのに同期して、 基板ステージ P S Tを介して基板 Pが +X方向 （又は— X方 向） に速度/? · V ( 3は投影倍率） で移動する。 そして、 1つのショッ 卜領域へ の露光終了後に、 基板 Pのステッピングによって次のショッ 卜領域が走査開始位 置に移動し、 以下、 ステップ■アンド ·スキャン方式で各ショッ 卜領域に対する 露光処理が順次行われる。 本実施形態では、 基板 Pの移動方向と平行に、 基板 P の移動方向と同一方向に液体 1を流すように設定されている。 つまり、 矢印 X a (図 4参照） で示す走査方向 '（一 X方向） に基板 Pを移動させて走査露光を行う 場合には、 供給管 1 5、 供給ノズル 1 4 A〜1 4C、 回収管 24、 及び回収ノズ ル 21 A、 21 Bを用いて、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20による液体 1の供給及び回収が行われる。 すなわち、 基板 Pが— X方向に移動する際には、 供給ノズル 1 4 ( 1 4A〜1 4C) より液体 1が投影光学系 P Lと基板 Pとの間 に供給されるとともに、 回収ノズル 21 (2 1 A、 21 B) より基板 P上の液体 1がその周囲の気体とともに回収され、 投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2と 基板 Pとの間を満たすように— X方向に液体 1が流れる。 一方、 矢印 X b (図 4 参照） で示す走査方向 （+ X方向） に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合に は、 供給管 1 5 ' 、 供給ノズル 1 4 A ' 〜 1 4 C ' 、 回収管 24' 、 及び回収ノ ズル 2 1 A' 、 2 1 B' を用いて、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20によ る液体 1の供給及び回収が行われる。 すなわち、 基板 Pが + X方向に移動する際 には、 供給ノズル 1 4 ' ( 1 4 A ' 〜1 4 C ' ) より液体 1が投影光学系 Pしと 基板 Pとの間に供給されるとともに、 回収ノズル 2 ( 2 1 A ' 、 2 1 B， ） より基板 P上の液体 1がその周囲の気体ともに回収され、 投影光学系 P Lの先端 部の光学素子 2と基板 Pとの間を満たすように + X方向に液体 1が流れる。 この 場合、 例えば供給ノズル 1 4を介して供給される液体 1は基板 Pの一 X方向への 移動に伴って光学素子 2と基板 Pとの間に引き込まれるようにして流れるので、 液体供給機構 1 0 (液体供給部 1 1 ) の供給エネルギーが小さくても液体 1 を光 学素子 2と基板 Pとの間に容易に供給できる。 そして、 走査方向に応じて液体 1 を流す方向を切り替えることにより、 + X方向、 又は一 X方向のどちらの方向に 基板 Pを走査する場合にも、 光学素子 2と基板 Pとの間を液体 1で満たすことが でき、 高い解像度及び広い焦点深度で露光を行うことができる。 露光処理中、 液体供給機構 1 0に設けられている流量計 1 2の計測結果、 及び 液体回収機構 2 0に設けられている流量計 2 7の計測結果は、 常時、 制御装置 C ひ N Tに出力されている。 制御装置 C O N Tは、 流量計 1 2の計測結果、 すなわ ち液体供給機構 1 0によって基板 P上に供給される液体の量と、 流量計 2 7の計 測結果、 すなわち液体回収機構 2 0によって基板 P上より回収された液体の量と を比較し、 その比較した結果に基づいて液体供給機構 1 0のバルブ 1 3を制御す る。 具体的には、 制御装置 C O N Tは、 基板 P上への液体供給量 （流量計 1 2の 計測結果） と基板 P上からの液体回収量 （流量計 2 7の計測結果） との差を求め、 その求めた差が予め設定されている許容値 （しきい値） を越えたかどうかの判断 に基づいて、 バルブ 1 3を制御する。 ここで、 上述したように、 制御装置 C O N Tは、 基板 P上に対する液体供給量と基板 P上からの液体回収量とがぼぼ同じに なるように、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0のそれぞれを制御している ため、 液体供給機構 1 0による液体供給動作及び液体回収機構 2 0による液体回 収動作のそれそれが正常に行われている状況であれば、 上記求めた差はほぼゼロ となる。 制御装置 C O N Tは、 求めた差が許容値以上である場合、 すなわち液体回収量 が液体供給量に比べて極端に少ない場合、 液体回収機構 2 0の回収動作に異常が 生じて十分に液体 1を回収できていないと判断する。 このとき、 制御装置 C O N Tは、 例えば液体回収機構 2 0の真空系 2 5に故障等の異常が生じたと判断し、 液体回収機構 2 0によって液体 1を正常に回収できないことに起因^"る液体 1の 漏洩を防止するために、 液体供給機構 1 0のバルブ 1 3を作動して供給管 1 5の 流路を遮断し、 液体供給機構 1 0による基板 P上に対する液体 1の供給を停止す る。 このように、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0から基板卩上に供給さ れた液体量と、 液体回収機構 2 0で回収された液体量とを比較し、 その比較結果 に基づいて液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出し、 液体 1が供給過剰にな り、 異常が検出されたときに基板 P上に対する液体 1の供給を停止する。 これに より、 基板 Pや基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側への液体 1の漏洩、 又は不所望箇所への液体 1の浸入、 あるいはそのような漏洩や浸入による被害の 拡大を防止することができる。

—また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 漏洩あるいは浸入した液体 1の付着に起因する漏電を防止するために、 露 光装置 E Xを構成する電気機器への電力供給を停止する。 ここで、 電気機器とし ては、 基板ステージ P S Tを動かすためのリニアモータ 4 7、 4 8等が挙げられ る。 これらリニアモータ 4 7、 4 8は、 基板ステージ P S Tの外側に漏洩した液 体 1が付着 ·浸入しやすい位置にあるため、 制御装置 C O N Tは、 これらリニア モータ 4 7、 4 8に対する電力供給を停止することで、 液体 1の付着に起因する 漏電を防止することができる。 また、 電気機器としては、 リニアモータ 4 7、 4 8の他に、 例えば基板ステージ P S T上に設けられ、 基板ステージ P S Tに対す る露光光 E Lを受光するためのセンサ （フ才卜マルなど） が挙げられる。 あるい は電気機器として、 基板ホルダ P Hの Z軸方向及び傾斜方向の位置調整をするた めの例えばピエゾ素子等の各種ァクチユエ一夕が挙げられる。 また、 異常を検出 したときに、 露光装置 E Xを構成する全ての電気機器への電力供給を停止するこ とも可能であるし、 一部の電気機器への電力供給を停止することも可能である。 ここで、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 例えばリニアモータや、 0〜1 5 0 V付近で使用されるピエゾ素子や、 3 0 0〜9 0 0 V付近で使用されるフォトマル （センサ） などの電気機器 （高電圧 機器） に対する電力供給を停止することで、 漏電の発生を防止し、 漏電に起因す る周辺装置に対する影響を抑えることができる。 また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 例えば基板ステージ P S Tを基板定盤 4 1のガイ ド面 4 1 Aに対して非接 触で移動させるためのエアべァリング 4 2の駆動を停止する。 エアべァリング 4 2は、 基板定盤 4 1の上面 （ガイ ド面） 4 1 Aに対して気体 （エア） を吹き出す- 吹出口 4 2 Bと、 基板ステージ P S T下面 （軸受面） とガイ ド面 4 1 Aとの間の 気体を吸引する吸気口 4 2 Aとを備えており、 吹出口 4 2 Bからの気体の吹き出 しによる反発力と吸気口 4 2 Aによる吸引力との釣り合いにより、 基板ステージ P S T下面とガイ ド面 4 1 Aとの間に一定の隙間を保持するようになっているが、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したときに、 漏 洩'した液体 1がエアベアリング 4 2の吸気口 4 2 Aに流入 （浸入） することを防 止するために、 エアベアリング 4 2の動作、 特に吸気口 4 2 Aからの吸気を停止 する。 これにより、 その吸気口 4 2 Aに接続する真空系に対して液体 1が流入す ることを防止でき、 液体 1の流入に起因する真空系の故障等の不都合の発生を防 止できる。 また、 基板 Pを保持する突起部 6 5や吸着孔 6 6を別部材に設けて、 その別部 材を基板ホルダ P Hに吸着保持している場合には、 制御装置 C O N Tがその別部 材を吸着保持するための吸着孔 （吸気口） からの吸気を停止するようにしてもよ い o また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 警報装置 Kを駆動する。 警報装置 Kは、 警告灯、 アラーム音、 ディスプレ ィなどを使って警報を発し、 これにより、 例えば作業者は、 露光装置 E Xに液体 1の漏洩や浸入が発生したことを知ることができる。 また、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したとき、 制御装置 C O N T は、 回収装置 6 0の液体回収量を多くする。 具体的には、 回収装置' 6 0の真空系 7 0の駆動量 （駆動力） を上昇する。 回収装置 6 0 (真空系 7 0 ) の駆動は振動 源となるため、 露光処理中においては、 回収装置 6 0の駆動力を低下あるいは 止していることが好ましいが、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出し、 液 体 1の漏洩の可能性が生じたとき、 制御装置 C O N Tは、 回収装置 6 0の駆動力 を上昇することで、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側 （少な〈とも- 回収口 6 1より外側） への液体 1の漏洩を防止、 あるいは漏洩の拡大を防止する ことができる。 また、 基板 Pの中央付近のショッ 卜領域を露光している間は、 液体供給機構 1 0から供給された液体 1は液体回収機構 2 0により回収される。 一方、 図 5に示 ずように、 基板 Pのエツジ領域を露光処理することによって、 液浸領域 A R 2が 基板 Pのェッジ領域付近にあるとき、 補助プレート 4 3により投影光学系 P Lと 基板 Pとの間に液体 1を保持し続けることができるが、 流体 1の一部が補助プレ ―卜 4 3の外側に流出する場合があり、 流出した流体 1は、 液体吸収部材 6 2を 配置した回収口 6 1より回収される。 ここで、 制御装置 C O N Tは、 上記液体供 給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の駆動開始とともに、 回収装置 6 0の動作を開 始している。 したがって、 回収口 6 1より回収された液体 1は、 真空系 7 0の吸 引により、 周囲の空気とともに流路 6 3及び管路 6 8を介して回収される。 また、 基板 Pと補助プレー卜 4 3との隙間に流入した液体 1は、 液体回収孔 6 4を介し て周囲の空気とともに流路 6 3及び管路 6 8を介して回収される。 このとき、 気 液分離器 7 1は、 回収口 6 1から回収された液体 1 と気体とを分離する。 気液分 離器 7 1によって分離された気体は乾燥器 7 2で乾燥された後に真空系 7 0に流 入する。 これにより、 真空系 7 0に液体成分が流入する不都合を防止できる。一 方、 気液分離器 7 1によって分離された液体は液体回収部 7 3に回収される。 なおこのとき、 回収装置 6 0により液体供給機構 1 0から供給された液体 1の 一部が回収されるため、 液体回収機構 2 0により回収される液体量が減少し、 そ の結果、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7で計測される液体回収量が減少する。 こ の場合、 液体 1が漏洩していないにもかかわらず、 制御装置 C O N Tは、 液体供 給機構 1 0の流量計 1 2及び液体回収機構 2 0の流量計 2 7それそれの計測結果 を比較した結果に基づいて、 液体回収機構 2 0の回収動作に異常が生じたと誤つ た判断を下す可能性がある。 そこで、 回収装置 6 0のうち気液分離器 7 1 と液体 回収部 7 3との間に回収した液体の量を計測する流量計を設けておき、 制御装置 C 0 N Tは、 その回収装置 6 0の流量計の計測結果と液体回収機構 2 0の流量計- 2 7の計測結果とに基づいて全体の液体回収量を求め、 求めた全体の液体回収量 と液体供給機構 1 0の流量計 1 2の計測結果とを比較する。 そして、 その比較し た結果に基づいて、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の液体,回収動作に異 常が生じたかどうかを判断し、 その判断した結果に基づいて、 液体供給機構 1 0 による液体供給動作の停止、 電力供給の停止、 吸気口から吸気動作の停止などの 対-処を実行することができる。 また、 回収装置 6 0に設けられた流量計の計測値が予め設定された許容値に対 して過剰に大きい値となったどき、 制御装置 C O N Tは、 多量の液体 1が基板 P の外側に流出していると判断し、 液体 1の基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側への漏洩などを防止するために、 液体供給機構 1 0を停止するように してもよい。 基板 Pの外側に流出した液体 1は、 基板 Pと補助プレート 4 3との隙間から浸 入して基板 Pの裏面側に達する場合も考えられる。 そして、 基板 Pの裏面側に入 り込んだ液体 1が基板 Pを吸着保持するための吸着孔 （吸引口） 6 6に流入する 可能性もある。 この場合、 基板 Pを吸着保持するために基板ホルダ P Hに設けら れている吸着孔 6 6は、 管路 6 7及び管路 6 9を介して真空系 7 4に接続され、 その途中には気液分離器 7 5、 及び気液分離器 7 5で分離された気体を乾燥する 乾燥器 7 6が設けられている。 したがって、 仮に吸着孔 6 6に液体 1が流入して も、 吸着孔 6 6から流入した液体 1は液体回収部 7 3に回収され、 真空系 7 4に 液体成分が流入する不都合を防止することができる。 なお、 吸着孔 6 6から液体 1が浸入した場合には基板 Pの保持などに不具合が 生じる可能性があるので、 管路 6 9あるいは気液分離器 7 5と液体回収部 7 3と の間に流量計を配置して、 その流量計によって吸着孔 6 6からの液体の浸入が検 知された場合には異常事態と判断して、 上述のような液体供給動作め停止、 電力 供給停止、 吸気口からの吸気の停止の少なくとも一つを実行することもできる。 なお、 吸着孔 6 6に接続する管路 6 9に気液分離器 7 5が設けられていない構 成の場合は、 液体回収機構 2 0や回収装置 6 0の回収動作の異常を検出したとき に、 吸着孔 （吸気口） 6 6への液体 1の流入を防止するために、 真空系 7 4 (吸 引系） の駆動を停止して吸着孔 6 6からの吸気を停止するようにしてもよい。

—以上説明したように、 液体 1が漏洩あるいは浸入するような異常を検出したと きに、 液体供給機構 1 0による基板 P上への液体.1の供給を停止するようにした ので、 液体 1の漏洩を防止、 あるいは漏洩の拡大や浸水などを防止することがで きる。 また、 液体 1が漏洩あるいは浸入するような異常が起きた場合でも、 露光 装置 E Xを構成するリニァモ一夕 4 7、 4 8をはじめとする電気機器への電力供 給を停止することで、 漏電の発生や漏電による被害の拡大を防止することができ る。.また、 エアベアリング 4 2の吸気口 4 2 Aや、 基板 Pを吸着保持するために 基板ホルダ P Hに設けられた吸着孔 6 6等の真空系に流通する各吸気口からの吸 気を停止することで、 この吸気口に接続する真空系に対して液体 1が流入すると いった不都合の発生を防止することができる。 また、 回収ノズル 2 1や回収口 6 1、 あるいは吸着孔 6 6等の吸引口から液体とともにその周囲の気体を回収する 際、 吸引口から吸い込まれた液体と気体とを気液分離器で気液分離し、 気液分離 器によって分離した気体を更に乾燥器で乾燥することにより、 真空系に対して液 体成分 （湿った気体など） が流入する不都合を防止でき、 液体が真空系に与える 影響を抑えることができる。 また、 本実施形態は、 吸引口から液体をその周囲の 気体とともに回収する構成であるが、 気液分離器によって回収した液体と気体と を分離することにより、 回収した液体量を正確に計測することができる。 なお、 上記実施形態において、 液体回収機構 2 0の回収動作の S常として、 真 空系 2 5の故障 （動作異常） を例にして説明したが、 真空系 2 5の故障の他に、 例えば気液分離器 2 2の動作異常も挙げられる。 つまり、 回収ノズル 2 1を介し て基板 P上の液体 1を回収できたとしても、 気液分離器 2 2が回収ノズル 2 1よ り回収した液体と気体とを十分に分離できず、 流量計 2 7で計測される液体量が 所定値より少なくなる状況が生じることが考えられる。 この場合、 真空系 2 5に 流入する液体成分が多くなるので、 真空系 2 5の故障等を招ぐため、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止するとともに、 液体回収機構 2 0 (真空系 2. 5 ) の液体回収動作を停止することで、 液体 1の漏洩を防止でき るとともに、 真空系 2 5の故障を防止することもできる。

-なお、 本実施形態において、 制御装置 C O N Tは、 基板 P上に対する液体供給 量と基板 P上からの液体回収量とがほぼ同じになるように、 液体供給機構 1 0及 び液体回収機構 2 0のそれぞれを制御している。 そのため、 液体供給機構 1 0に よる液体供給動作及び液体回收機構 2 0による液体回収動作のそれぞれが正常に 行われている状況であれば、 上記求めた差はほぼゼロであり、 上記許容値はそれ に応じて小さい値に予め設定される。 一方で、 例えば使用する液体 1が高い揮発 性を有している場合、 液体供給機構 1 0による液体供給動作及び液体回収機構 2 0による液体回収動作のそれぞれが正常に行われている状況であっても、 基板 P 上において液体 1が揮発し、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7による計測値が液体 供給機構 1 0の流量計 1 2による計測値に対して小さ〈なることが考えられる。 したがって、 制御装置 C O N Tは、 使用する液体 1 (揮発性） あるいは基板 Pの おかれている環境に応じて、 上記許容値を予め設定し、 設定した許容値と上記求 めた差との比較結果に基づいて、 バルブ 1 3を制御すればよい。 また、 上述の実施形態においては、 液体供給機構 1 0の液体の供給量と液体回 收機構 2 0による液体の回収量とを比較して、 液体 1の流通状態の異常を検知し ているが、 液体供給機構 1 0の供給量のみ、 あるいは液体回収機構 2 0による回 収量のみに基づいて、 それぞれの異常を検知するようにしてもよい。 また、 液体 の流量に限らず、 液体供給機構 1 0や液体回収機構 2 0の機械的あ ¾いは電気的 な異常が検知された場合にも、 制御装置 C O N Tは液体供給機構 1 0による液体 供給動作の停止、 電力供給の停止、 吸気口から吸気動作の停止などの対処を実行 することができる。 本実施形態では、 回収ノズル 2 1からは液体 1 とともにその周囲の気体も回収- されるため、 より正確な液体回収量を計測するために、 気液分離器 2 2を使って 回収した液体と気体とを分離し、 分離した液体量を流量計 2 7で計測するように している。 そのため、 気液分離器 2 2の気液分離能力によっても、 流量計 2 7で 計測される液体量が変動する可能性がある。 そこで、 制御装置 C O N Tは、 使用 する気液分離器 2 2 (気液分離能力） に応じて、 上記許容値を設定することもで きる。 なお、 本実施形態において、 液体回収機構 2 0の液体回収動作の異常が検出さ れたときに、 液体供給機構 1 0Ίこよる液体供給動作の停止、 電気機器への電力供 給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止を全て行うように説明したが、 少な くともいずれか 1つを実行する構成であってもよい。 なお、 本実施形態において、 液体回収機構 2 0の回収ノズル 2 1からは、 液体 1 とともにその周囲の気体も回収するため、 流量計 2 7で回収した液体量を精度 良〈計測可能とするために、 気液分離器 2 2を使って液体と気体とに分離する構 成であるが、 液体回収機構 2 0が、 回収ノズル 2 1から液体 1のみを回収する構 成である場合、 気液分離器 2 2で液体と気体とを分離することなく、 回収した液 体の圧力を測定することによって、 液体回収量を求めることができる。 ところで、 本実施形態では、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常が検出された ときに、 液体供給機構 1 0による液体供給動作を停止したり、 電気機器への電力 供給を停止したり、 吸気口からの吸気動作を停止する構成であるが、 基板 Pを保 持して移動可能な基板ステージ （可動部材） P S Tと投影光学系 P Lとの位置関 係の異常が検出されたときに、 液体供給動作の停止、 電力供給の停止、 及び吸気 口からの吸気動作の停止のうちの少なくともいずれか 1つを実行するようにして もよい。 ここで、 基板ステージ P S Tと投影光学系 P Lとの異常な位置関係とは、 投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できない状態であり、 Z軸方向及び X Y方向 のうちの少な〈とも一方の位置関係の異常を含む。 つまり、 たとえ液体供給機構 1 0の供給動作と液体回収機構 2 0の回収動作が正常であっても、 例えば基板ステージ P S Tの動作に異常が生じ、 基板ステージ P S Tが投影光学系 P Lに対す る所望位置に対して X Y方向に関してずれた位置に配置された場合、 投影光学系 P Lと基板ステ ジ P S Tに保持された基板 Pとの間に液体 1の液浸領域 A R 2 が良好に形成できない状態 （投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できない状態） が生じる。 この場合、 液体 1が基板 Pの外側、 基板ホルダ P Hの外側に漏洩した り'、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の移動鏡 4 5が浸水する状況が発生 する。 すると、 液体回収機構 2 0は所定量の液体 1を回収できないため、 液体回 收機構 2 0の流量計 2 7は所定値に対して少ない値の計測結果を制御装置 C 0 N Tに出力する。 制御装置 C O N Tは、 その流量計 2 7の計測結果に基づいて、 液 体 1の漏洩などが発生するような基板ステージ P S Tの位置の異常を検出するこ とができる。 そして、 制御装置 C O N Tは、 その異常を検出したときに、 液体供 給動作の停止、 電力供給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止等を実行する。 また、 液浸領域 A R 2は、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間の距離を、 液体 1の 表面張力により液浸領域 A R 2を形成可能な程度の所定距離 （ 0 . 1 m m〜 1 m m程度） に設定することで形成されるが、 例えば、 基板ステージ P S Tが Z軸方 向に関して位置制御に不具合が生じた場合、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T上の基板 Pとの距離が大き〈なり、 投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できな 〈なる状況が生じ得る。 この場合も、 基板 Pの外側や基板ステージ P S T (基板 ホルダ P H ) の外側に液体 1が漏洩するなどし、 液体回収機構 2 0は所定量の液 体 1を回収できないため、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7は所定値に対して少な い値の計測結果を制御装置 C O N Tに出力する。 制御装置 C O N Tは、 その流量 計 2 7の計測結果に基づいて、 液体 1の漏洩が発生するような基板ステージ P S Tの位置の異常を検出することができる。 そして、 制御装置 C O N 'Tは、 その異 常を検出したときに、 液体供給動作の停止、 電力供給の停止、 及び吸気口からの 吸気動作の停止等を実行する。 なお、 投影光学系 P Lに対する基板ステージ P S Tの位置関係の異常を検出す るために、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7の計測結果を用いずに、 例えば干渉計- 4 6により基板ステージ P S Tの X Y方向の位置を検出し、 その位置検出結果に 基づいて、 位置関係の異常を検出することができる。 制御装置 C O N Tは、 干渉 計 4 6による基板ステージ位置検出結果と予め設定されている許容値とを比較し、 干渉計 4 6のステージ位置検出結果が前記許容値を超えたときに、 液体 1の供給 動作の停止等を実行するようにしてもよい。 また、 フォーカス検出系 5 6により 基板ステージ P S Tの Z軸方向の位置を検出し、 フォーカス検出系 5 6によるス テ一ジ位置検出結果と予め設定されている許容値とを比較し、 フォーカス検出系 5 6の検出結果が許容値を超えたときに、 制御装置 C O N Tは、 液体 1の供給動 作の停止等を実行するようにじてもよい。 このように、 制御装置 C O N Tは、 干 渉計 4 6及びフォーカス検出系 5 6を含む基板ステ一ジ位置検出装置の検出結果 に基づいて、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S Tとの位置関係の異常を検出し、 異常が検出されたときに、 液体供給動作の停止、 電気機器に対する電力供給の停 止、 及び吸気口からの吸気動作の停止等を実行することができる。 また、 干渉計 4 6がエラ一を発生したときに、 制御装置 C O N Tは、 液体供給 機構 1 0による液体供給動作を停止するようにしてもよい。 ここで、 干渉計 4 6 のエラーとは、 干渉計 4 6自体の故障や、 干渉計の測定光の光路上に異物が配置 されたなど何らかの原因で基板ステージ P S Tの位置計測を行うことができなく なった状態を含む。 干渉計 4 6がエラーを発生すると、 制御装置 C O N Tは、 基 板ステージ P S Tの位置を把握することができず、 同時に基板ステージ P S丁の 位置を制御するこどができなくなる。 この場合、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S Τとの位置関係に異常が生じ、 液体 1が漏洩 ·流出するおそれがある。 そこ で、 干渉計 4 6がエラ—を発生したときに、 液体供給機構 1 0による液体供給を 停止することで、 液体 1が漏洩する不都合を防止することができる。 同様に、 基板ステージ P S Τの Ζ軸方向の位置を制御するための計測系 （本実 施形態においてはフォーカス検出系 5 6 ) がエラ一を発生した場合に、 投影光学 系 P Lと基板ステージ P S Τとの位置関係に異常が生じて、 液体 1が漏洩■流出 する虞があるので、 制御装置 C O N Tはフォーカス検出 5 6がエラ一を発生した- 場合に、 液体供給機構 1 0による液体供給動作を停止することができる。 なお、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) と投影光学系 P Lと,の Z軸方向 の位置関係の異常は、 フォーカス検出系 5 6に限らず、 静電容量センサなどの非 光学式の検出系を用いるようにしてもよい。 また、 投影光学系 P Lの像面と基板ステージ P S T (基板 P ) 表面との位置関 係を、 干渉計を用いて管理することもできる。 なお、 投影光学系 P Lの像面と機 基板ステージ P S T (基板 P )^;表面との位置関係の管理を干渉計を用いて行うこ とは、 例えば米国特許 6， 0 2 0 , 9 6 4に開示されており、 本国際出願で指定 または選択された国の法令で許容される限りにおいて、 それらの開示を援用して 本文の記載の一部とする。 また、 上述の実施形態では、 露光動作中に異常が生じた場合を説明したが、 基 板 Pの露光を行っていないときに異常が発生した場合も同様である。 また、 上述の実施形態では、 液体の供給中に異常が検出されたときに液体の供 給を停止するようにしたが、 液体の供給を開始するときに、 投影光学系 P Lと基 板ステージ P S Tとの位置関係などの異常が検出された場合にも、 液体の供給開 始を停止するようにするとよい。 次に、 本発明の露光装置 ΕΧの第 2実施形態について説明する。 以下の説明に おいて、 上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付 し、 その説明を簡略若しくは省略する。 本実施形態では、 基板 Ρあるいは基板ス テ一ジ P S T (基板ホルダ ΡΗ) の外側などへの液体 1の漏れを光ファイバを含 む検出器を使って光学的に検出し、 液体 1の漏れや浸入を検出したときに、 液体 供給機構 1 0による液体供給動作の停止、 電気機器への電力供給の停止、 及び吸 気口からの吸気動作の停止のうちの少なくとも 1つを実行する。 図 6及び図 7を参照しながら、 液体 1の漏れを検出する検出器の検出原理につ いて説明する。'.本実施形態では検出器として光ファイバを用いる。 図 6は一般的 な光ファイバを示す概略構成図である。 図 6において、 光ファイバ 80' は、 光 を伝搬するコア部 81 と、 コア部 81の周囲に設けられ、 コア部 81より小さい 屈折率を有するクラッ ド部 82とを備えている。 光ファイバ 80' では、 光はク ラッ ド部 82より高い屈折率を有するコア部 81に閉じ込められて伝搬される。 図 7は、 本実施形態に係る光ファイバ 80を示す概略構成図である。 図 7にお いて、 光ファイバ 80は、 光を伝搬するコア部 81を有しており、 その周囲には クラッ ド部が設けられていない光ファイバ （クラッ ドレスファイバ） である。 光 ファイバ 80のコア部 81は、 その周囲の気体 （本実施形態では空気） の屈折率 naより高い屈折率 ncを有し、 且つ液体 （本実施形態では純水） 1の屈折率 nw より低い屈折率を有している （na<nc<nw) 。 そのため、 光ファイバ 80の周 囲が空気で満たされている場合、 光の入射角 0。が全反射条件 s i n0。>na/ ncを満たしている限り、 光は空気より高い屈折率 ncを有するコア部 81に閉じ 込められて伝搬される。 つまり、 光ファイバ 80の入射端部から入射した光はそ の光量を大き〈減衰せずに射出端部より射出する。 ところが、 液体 （純水） 1が 光ファイバ 80の表面に付着した場合、 nc<nwであるので、 水が付着している 箇所ではいずれの入射角でも全反射条件 s i n 0。= n w/ n cを満たすことがで きず、 その液体 1 と光ファイバ 8 0との界面で全反射が生じないため、 光は光フ アイバ 8 0の液体付着部分から外部に漏洩する。 したがって、 光ファイバ 8 0の 入射端部から入射した光の光量は射出端部より射出する際に減少している。 そこ で、 露光装置 E Xの所定位置にこの光ファイバ 8 0を設置しておき； この光ファ ィバ 8 0の射出端部の光量を計測することで、 制御装置 C O N Tは、 光ファイバ 8 0に液体 1が付着したかどうか、 つまり液体 1が漏洩したかどうかを検出する ことができる。 なお、 空気の屈折率は 1程度であり、 水の屈折率は 1 . 4〜1 . 6程度であるため、 コア部 8 1は例えば 1 . 2程度の屈折率を有する材料 （石英、 特定組成のガラス等） により構成されていることが好ましい。 また、 光ファイバ 8 0の射出端部より射出する光の減衰量によって、 光フアイ バ 8 0に付着レた液体 1の量についても求めることができる。 すなわあ、 光の減 衰量は光ファイバに液体 1が付着している部分の面積に依存し、 光ファイバ 8 0 の周囲に少量の液体 1が付着した場合には射出端部における光の減衰量は小さく、 大量の液体 1が付着した場合には減衰量は大きい。 したがって、 液体 1が付着し ている部分の面積は液体の漏洩量に依存すると考えられるので、 光ファイバ 8 0 の射出端部における光量を計測することによって、 液体 1の漏洩量を求めること ができる。 更に、 光ファイバ射出端部における光量の計測値を予め設定した複数 のしきい値 （基準値） と比較し、 各しきい値を越えた場合にそれぞれ特定の信号 を発するようにすることにより、 液体 1の漏洩量を段階的に検出することができ る o 図 8は、 上記検出器の光ファイバ 8 0を基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の周囲に配置した状態を示す側面図であり、 図 9は平面図である。 図 8及び 図 9に示すように、 光ファイバ 8 0は、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の周囲を巻くように配置されている。 そして、 光ファイバ 8 0の入射端部には、 光ファイバ 8 0に対して光を入射可能な投光部 8 3が接続され、 光ファイバ 8 0 の射出端部には、 光ファイバ 8 0を伝搬して射出端部より射出した光を受光可能 な受光部 8 4が接続されている。 制御装置 C 0 N Tは、 投光部 8 3から光フアイ バ 8 0に入射したときの光の光量と、 受光部 8 4で受光した光の光量とに基づい て、 光ファイバ 8 0の入射端部に対する射出端部の光の減衰率を求め、 その求め た結果に基づいて、 光ファイバ 8 0に液体 1が付着したかどうか、 すなわち基板 ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側に液体 1が漏洩したかどうかを判断す る。 そして、 制御装置 C O N Tは、 液体 1が漏洩したと判断したとき、 液体供給 機構 1 0による液体の供給動作の停止、 電気機器に対する電力供給の停止、 及び 吸気口からの吸気動作の停止等を実行する。 なお、 光ファイバ 8 0を基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の上面、 特に 回収口 6 1の周りに配置するようにしてもよいし、 移動鏡 4 5の浸水 （浸液） を チェックするために、 移動鏡 4 5またはその周囲に配置してもよい。 図 1 0は、 光ファイバ 8 0を、 基板ステージ P S Tの下面に設けられたエアべ ァリング 4 2の周囲、 及び基板ステージ P S Tを移動可能に支持する基板定盤 (ベース部材） 4 1の周囲に配置した例を示す図である。 光ファイバ 8 0は任意 に屈曲可能であるため、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 、 エアべアリン グ 4 2、 及び基板定盤 4 1等の液体 1が漏洩し易い任意の位置に巻きつけるよう にして取り付けることができ、' 自由に引き回して任意の形態で配置可能である。 特に、 エアベアリング 4 2の周りに光ファイバ 8 0を取り付けることで、 エアべ ァリング 4 2近傍に液体 1が付着 （漏洩） したかどうかを良好に検出することが でき、 エアベアリング 4 2の吸気口 4 2 Aに液体 1が流入する不都合を未然に防 止することができる。 ところで、 上述した光ファイバ 8 0においては、 入射端から射出端までの距離 が長いと、 光ファイバ 8 0に液体 1が付着した位置、 すなわち液体 1の漏洩位置 を特定することが困難な場合がある。 そこで、 図 1 1に示すように、 複数の光フ アイバ 8 0をマトリクス状に 2次元的に配置することによって、 液体 1の漏洩位 置を特定することができる。 図 1 1において、 検出器 9 0は、 第 1の方向 （Y軸 方向） を長手方向とし、 第 1の方向と直交する第 2の方向 （X軸方向） に複数並 んで設けられた第 1光ファイバ 8 O Aと、 第 2の方向を長手方向とし、 第 1の方 向に複数並んで設けられた第 2光ファイバ 8 0 Bとを備えている。 これら複数の 第 1、 第 2光ファイバ 8 0 A、 8 0 Bがマトリクス状 （網目状） に配置されてい る。 複数の第 1光ファイバ 8 O Aそれぞれの入射端部は集合しており、 その集合 部と集合ファイバ 8 5 Aの射出端部とが接続されている。 そして、 集合ファイバ 8 5 Aの入射端部は投光部 8 3 Aに接続されている。 一方、 複数の第 1光フアイ バ 8 0 Aそれぞれの射出端部は、 例えば 1次元 C C Dラインセンサ等からなる受 光部 8 4 Aに接続されている。 同様に、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bそれぞれの 入射端部は集合しており、 その集合部と集合ファイバ 8 5 Bの射出端部とが接続- されている。 そして、 集合ファイバ 8 5 Bの入射端部は投光部 8 3 Bに接続され ている。 一方、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bそれぞれの射出端部は、 例えば 1次 元 C C Dラインセンサ等からなる受光部 8 4 Bに接続されている。 ， ， 投光部 8 3 Aから射出された光は、 集合ファイバ 8 5 Aを伝搬した後、 複数の 第 1光ファイバ 8 0 Aのそれぞれに分岐される。 第 1光ファイバ 8 0 Aそれぞれ の入射端部から入射した光は、 第 1光ファイバ 8 0 Aを伝搬した後、 射出端部よ り射出され、 受光部 8 4 Aに受光される。 受光部 8 4 Aは複数の第 1光ファイバ 8 0 Aそれぞれの射出端部より射出された光の光量のそれぞれを検出する。 ここ で、 図 1 1に示すように、 複数の第 1光ファイバ 8 0 Aのうち特定の第 1光ファ イノ、' 8 0 A L上に液体 1が付着している場合、 その第 1光ファイバ 8 0 A Lの射 出端部での光量が低下する。 受光部 8 4 Aの受光結果は制御装置 C 0 N Tに出力 される。 同様に、 投光部 8 3 Bから射出された光は、 集合ファイバ 8 5 Bを伝搬 した後、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bのそれぞれに分岐される。 第 2光ファイバ 8 0 Bそれぞれの入射端部から入射した光は、 第 2光ファイバ 8 0 Bを伝搬した 後、 射出端部より射出され、 受光部 8 4 Bに受光される。 受光部 8 4 Bは複数の 第 2光ファイバ 8 0 Bそれそれの射出端部より射出された光の光量のそれぞれを 検出する。 ここで、 図 1 1に示すように、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bのうち特 定の第 2光ファイバ 8 0 B L上に液体 1が付着している場合、 その第 2光フアイ バ 8 0 B Lの射出端部での光量が低下する。 受光部 8 4 Bの受光結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N Tは、 受光部 8 4 A、 8 4 Bそれぞれの 受光結果に基づいて、 液体 1の漏洩位置 （検出器 9 0に対して漏洩した液体 1が 付着した位置） が、 第 1光ファイバ 8 O A Lと第 2光ファイバ 8 0 B Lとの交点 付近であることを特定することができる。 図 1 2は、 マトリクス状に配置された光ファイバ 8 0 A、 8 0 Bを有する検出 器 9 0が、 基板ステージ P S Tを駆動する電磁駆動源であるリニアモータ 4 7 (固定子 4 7 A ) に配置されている例を示す図である。 検出器 9 0をリニアモー タ 4 7に配置することにより、 基板ステージ P S Tの外側に漏洩し、 リニアモ一 タ 4 7上に付着した液体 1の位置を特定することができる。 漏洩した液体 1の位 置が特定されることにより、 例えば漏洩した液体 1の除去作業を効率良〈行うこ とができる。 '. , , なお、 液体 1が水であってその漏洩した液体 （水） を除去する場合、 無水アル コールを使って除去作業 （拭き取り作業） を行うことにより、 水を良好に除去す ることができ、 またアルコールは直ちに揮発するため、 除去作業を円滑に行うこ とができる。 なお、 図 1 3に示す模式図のように、 光ファイバ 8 0の入射端部よりパルス光 を入射することで、 光ファイバ 8 0の表面に付着した液体 1の位置を特定するこ とができる。 光ファイバ 8 0の表面に液体 1が付着している場合、 光ファイバ 8 0の入射端部から入射したパルス光 L 1が液体 1の付着位置で反射し、 その反射 光 L 2が再び入射端部側に戻ってくる現象が生じる。 そこで、 入射側に偏光ビー ムスプリッタ—などの光学素子を設け、 反射光を光学素子で受光器に導いて検出 する。 検出結果から、 パルス光 L 1 を光ファイバ 8 0に入射したタイミングと反 射光し 2が入射端部で受光されるタイミングとの時間差、 及び光ファイバ 8 0を 伝搬する光速度に基づいて、 入射端部と液体 1の付着位置との距離を求めること ができ、 これにより液体 1の付着位置 （液体 1の漏洩位置） を特定することがで きる。 なお、 光ファイバ 8 0を伝搬する光速度は、 光ファイバ 8 0 (コア部 8 1 ) の形成材料に応じて変化するため、 この光ファイバ 8 0の形成材料に基づい て求めることができる。 次に、 本発明の露光装置 E Xの第 3実施形態について説明する。 '本実施形態で は、 液体 1の漏れをプリズム （光学素子） を含む検出器を使って光学的に検出し、 液体 1の漏れを検出したときに、 液体供給機構 1 0による液体供給動作の停止、 電気機器への電力供給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止のうちの少なく とも 1つを実行する。 図 1 4及び図 1 5を参照しながら、 液体 1の漏れを検出する検出器の検出原理 について説明する。 本実施形態では検出器としてプリズムを用いる。 図 1 4は、 プリズムを使った検出器 1 0 0の概略構成を示す図である。 図 1 4において、 検 出器 1 0 0は、 プリズム 1 0 1 と、 プリズム 1 0 1の第 1面 1 0 1 Aに取り付け られ、 プリズム 1 0 1に対して光を投射する投光部 1 0 2と、 プリズム 1 0 1の 第 2面 1 0 1 Bに取り付けられ、 投光部 1 0 2から射出された光のプリズム 1 0 1の第 3面 1 0 1 Cでの反射光を受光する受光部 1 0 3とを備えている。 なお、 第 1面 1 0 1 Aと第 2面 1 0 1 Bとはぼぼ直角となっている。 プリズム 1 0 1は、 その周囲の気体 （本実施形態では空気） より高い屈折率を 有し、 且つ液体 （本実施形態では純水） 1 より低い屈折率を有している。 そして、 プリズム 1 0 1の周囲が空気で満たされている場合、 投光部 1 0 2から第 3面 1 0 1 Cに投射された光は、 第 3面 1 0 1 Cで全反射するようにプリズムの屈折率 が選定されている。 そのため、 投光部 1 0 2から射出した光はその光量を大きく 減衰せずに受光部 1 0 3に受光される。 図 1 5は、 検出器 1 0 0のプリズム 1 0 1の第 3面 1 0 1 Cに液体 1が付着し た状態を示す図である。 図 1 5において、 投光部 1 0 2から第 3面 1 0 1 Cに投 射された光は、 液体 1の存在により第 3面 1 0 1 Cで全反射せず、 一部 （又は全 部） の光成分がプリズム 1 01の液体付着部分から外部に漏洩する。 そのため、 投光部 1 02から射出した光のうち第 2面 1 01 Bに達する光成分の光量が減衰 するため、 受光部 1 03は、 受光した光量 （光情報） に基づいて、 プリズム 1 0 1の第 3面 1 01 Cに液体 1が付着したかどうかを検出することができる。 そこ で、 露光装置 EXの所定位置にこのプリズム 1 01を備えた検出 00を設置 してお〈ことで、 制御装置 CO N Tは、 受光部 1 03の受光結果に基づいて、 プ リズム 1 01に液体 1が付着したかどうか、 つまり液体 1が漏洩したかどうかを 検出することができる。 図 1 6は、 上記プリズム 1 01を有する検出器 1 00を基板ステージ P S Tの 周囲に配置した例を示す平面図である。 図 1 6において、 検出器 1 ひ 0は、 プリ ズム 1 01の第 3面 1 01 Cを上側に向けた状態で基板ステージ P S T (基板ホ ルダ P H) の周囲に所定間隔で複数取り付けられている。 制御装 SCO N Tは、 各検出器 1 00の投光部 1 02からプリズム 1 0 1に入射したときの光の光量と、 受光部 1 03で受光した光の光量とに基づいて、 プリズム 1 01への入射光量に 対する射出光量の減衰率を求め、 その求めた結果に基づいて、 プリズム 1 01に 液体 1が付着したかどうか、 すなわち基板ステージ P S T (基板ホルダ P H) の 外側に液体 1が漏洩したかどうかを判断する。 そして、 制御装置 CON Tは、 液 体 1が漏洩したと判断したとき、 液体供給機構 1 0による液体の供給動作の停止、 電気機器に対する電力供給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止等を実行す o 本実施形態では、 制御装置 CO N Tは、 複数の検出器 1 00それぞれの検出結 果と、 それら検出器 1 00の取り付け位置情報とに基づいて、 液体 1の漏洩位置 を容易に特定することができる。 また、 プリズム 1 01は比較的小さいため、 露 光装置 E Xの任意の位置に容易に取り付けることができ、 設置作業性も良い。 上述した検出器 1 00は、 水位計 （液位計） にも適用可能である。 図 1 7は、 液体 （水） 1を収容可能なタンク 1 1 0の壁面に、 高さ方向 （Z軸方向） に検出 器 1 0 0が複数並んで取り付けられている例を示す模式図である。 タンク 1 1 0 の壁面は透明であり、 検出器 1 0 0はプリズム 1 0 1の第 3面 1 0 1 Cをタンク 1 1 0の壁面に接するように取り付けられている。複数の検出器 1 0 0のうち、 タンク 1 1 0内の液体 1 を検出した検出器 1 0 0 (受光部 1 0 3 ) の受光信号は、 液体 1を検出していない検出器 1 0 0 (受光部 1 0 3 ) 受光信号より低い値を示 すため、 制御装置 C O N Tは、 複数の検出器 1 0 0それぞれの検出結果 （受光結 果） と、 その複数の検出器 1 0 0それぞれのタンク 1 1 0に対する取り付け位置 情報とに基づいて、 タンク 1 1 0内の液体 1の液位 （水位） を求めることができ、 これによりタンク 1 1 0内の液体量を求めることができる。 図 1 8は、 水位計を構成する検出器 1 0 0を備えたタンク 1 1 0を、 液体回収 機構 2 0の一部に適用した例を示す概略構成図である。 図 1 8に示す液体回収機 構 2 0は、 回収ノズル 2 1 と、 回収ノズル 2 1に回収管 2 4を介して接続された 真空系 2 5と、 回収管 2 4の途中に設けられた気液分離器 2 2及び乾燥器 2 3と を備えている。 そして、 気液分離器 2 2で分離された液体 1は第 2回収管 2 6を 介して、 検出器 1 0 0を備えたタンク 1 1 0に収容されるようになっている。 つ まり、 本実施形態では、 図 3を参照して説明した液体回収機構 2 0の流量計 2 7 に代えて、 タンク 1 1 0が設けられた構成となっている。 検出器 1 0 0の検出結 果は制御装置 C O N Tに出力きれ、 制御装置 C O N Tは検出器 1 0 0の検出結果 に基づいて、 回収ノズル 2 1 を介して回収した液体量を求める。 そして、 制御装 置 C O N Tは、 回収ノズル 2 1より回収した液体量と、 液体供給機構 1 0から供 給した液体量とを比較することによって、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を 検出することができる。 また、 タンク 1 1 0には管路 2 8 Aを介して液体回収部 2 8が接続されており、 その管路 2 8 Aの途中にはバルブ 2 8 Bが設けられてい る。 制御装置 C O N Tは、 タンク 1 1 0が所定量以上に満たされたときに （ある いは定期的に） バルブ 2 8 Bを作動して流路 2 8 Aを開放し、 タンク 1 1 0内の 液体 1を液体回収部 2 8で回収する。 また、 図 1 8に示す実施形態においては、 供給管 1 5及び回収管 2 4のそれぞ れに検出器 1 0 0が取り付けられている。 ここで、 供給管 1 5及び回収管 2 4の それぞれは透明材料により形成されており、 それらの管の外表面に検出器 1 0 0 の検出面 1 0 0 cが密着するように検出器 1 0 0が取り付けられている。 供給管 1 5に取り付けられている検出器 1 0 0の受光部 1 0 3の受光結果に基づいて、 制御装置 C O N Tは、 供給管 1 5に液体 1が流通しているかどうかを検出するこ とができる。 つまり、 供給管 1 5に液体 1が流通していない場合に比べて、 流通 している場合の方が、 受光部 1 0 3の受光信号の値は小さくなるため、 制御装置 C 0 N Tは、 受光部 1 0 3の受光結果に基づいて、 供給管 1 5に液体 1が流通し ているかどうか、 すなわち液体供給機構 1 0の供給動作が正常に行われているか どうかを検出することができる。 同様に、 制御装置 C O N Tは、 回収管 2 4に取 り付けられている検出器 1 0 0の受光部 1 0 3の受光結果に基づいて、 回収管 2 4に液体 1が流通しているかどうか、 すなわち液体回収機構 2 0の ,回；]又動作が正 常に行われているかどうかを検出することができる。 このように、 検出器 1 0 0 は、 供給管あるいは回収管に液体 1が流通しているかどうかを光学的に検出する 液^:有無センサとして用いることもできる。 また、 プリズム 1 0 1 を有する検出器 1 0 0を、 例えば投影光学系 P Lの先端 部近傍 （光学素子 2の近傍） 取り付けることにより、 この検出器 1 0 0を使つ て、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間に液体 1が満たされているかどうかを検出す ることも可能である。 なお、 上記実施形態では、 液体 1の漏れや液体 1の有無を光ファイバ 8 0ゃプ リズム 1 0 1を使って光学的に検出しているが、 静電容量センサ等を使って電気 的に検出するようにしてもよい。 また、 液体 1が水である場合、 一定間隔離間した 2本の電線からなり、 該 2本 の電線間の導通の有無により液体 1の漏れを検出する漏水センサによって液体 1 の漏れや液体 1の有無を電気的に検出することもできる。 本実施形態においては 液体 1 として水を用いているので、 上記構成の漏水センサを用いることができる。 なお、 液体 1 として超純水を用いる場合、 超純水は導電性がないため上記構成の 漏水センサでは液体 1の有無を検出することができない。 その場合、 離間した 2 本の電線の被覆に予め電解物質を含有させておけば、 超純水が浸潤した時点で導 電性を得るので、 上記構成の漏水センサで超純水である液体 1 を検出することが できる。 なお、 上記各実施形態の特徴部分を組み合わせて使用可能であることは言うま でもない。例えば、 リニアモータ周辺に光ファイバ 8 0を敷設し、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 周りにプリズム 1 0 1を有する検出器 1 0 0を配置す- るといったことが可能である。 また、 光ファイバやプリズムは、 上述した全ての位置に設置しな,ぐてもよく、 また、 基板ステージ P S Tの内部や、 光電検出器やピエゾ素子などのァクチユエ

—夕の近くなど必要に応じて設置すればよい。 また、 図 8〜図 1 0を参照して説明したように、 光ファイバ 8 0を基板ステー ジ P S Tの周囲や基板定盤 4 1の周囲を巻くように配置することができるが、 図 1 9 ( b ) の側面図に示すよ に、 基板ステージ P S Tの周囲に第 1光ファイバ 8 0 Cを設け、 基板定盤 4 1の周囲に第 2光ファイバ 8 0 Dを設けるといったよ うに、 組み合わせて設けることももちろん可能である。 更に、 光ファイバ 8 0 ( 8 0 E ) は、 基板ステージ P S T上に設けられた回収口 6 1の内部に配置され てもよい。 上述した実施形態同様、 図 1 9において、 基板ステージ P S Tは、 基 板ホルダ P Hに保持された基板 Pの周囲を囲むように形成された補助プレー卜 4 3と、 その外側に設けられた回収口 6 1 とを備えている。補助プレー卜 4 3は、 基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの周囲に設けられ、 この基板 Pの表面とほぼ 面一な平坦面 （平坦部） 4 3 Aを有している。 平坦面 4 3 Aは基板 Pの周囲を囲 むように環状に設けられている。 また、 補助プレー卜 4 3 (平坦面 4 3 A ) の外 側には回収口 6 1が設けられている。 回収口 6 1は、 補助プレー卜 4 3 (基板 P) を囲むように形成された環状の溝部である。 本実施形態においては、 回収口 61の内側には液体吸収部材 （62) は配置されていない。 そして、 図 1 9 (a) の平面図に示すように、 光ファイバ 80 Eは、 環状に形成された回収口 6 1の全周に亘つて配置されている。 回収口 61の内部に、 液体 1の有無を検出す る光ファイバ 80 Eを設けたことにより、 基板 P上から液体 1が漏洩しても、 漏 洩した液体 1が拡散する前に、 光ファイバ 80 Eで漏洩した液体 1 を検出するこ とができる。 したがって、 制御装置 CON Tは、 光ファイバ 80 Eが液体 1の存 在を検出したときに、 バルブ 1 3を使って液体供給機構 1 0の液体供給動作を停 止する等の適切な処置を講ずることで、 液体 1の拡散や基板ステージ P S T上か らの漏洩を防止することができる。 なお、 光ファイバ 80 Eを回収口 61の内部 に配置したとき、 その回収口 6 1に液体吸収部材 （62) を配置してもよい。 また、 図 1 9. (b) に示すように、 液体 1の有無を検知する光 7ァ,ィバ 80が 露光装置 EX (基板ステージ P S T) の複数の所定位置のそれそれに設けられて いる場合、 これら複数の光ファイバ 80の検出結果に応じて、 制御装置 C 0 N T は、 露光装置 EXの動作を制御するようにしてもよい。 例えば制御装置 CON T は、 複数の光ファイバ 80のうち、 液体 1を検出した光ファイバ 80の位置に応 じて、 液体供給機構 1 0による液体供給の停止と、 電気機器への電力供給の停止 との少なくとも一方の動作を達択する。 具体的には、 制御装置 CON Tは、 基板ステージ P S Tに設けられた第 1光フ アイバ 80 Cが液体 1の存在を検知したときに、 液体供給機構 1 0の液体供給動 作を停止し、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を 検知したときに、 所定の電気機器への電力供給を停止する。 ここで、 所定の電気 機器とは、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモータ 47、 48や、 基板定盤 41を防振支持する防振ュニッ 卜 9等が挙げられる。 基板ステージ P S Tに設けられた第 1光ファイバ 80Cが液体 1の存在を検知 し、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を検知して いないときは、 制御装置 CO N Tは、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモー 夕 47、 48や防振ュニッ 卜 9までは漏洩した液体 1が及んでいないと判断する。 つまり、 制御装置 C 0 N Tは、 漏洩した液体 1の拡散範囲は比較的狭い範囲であ ると判断する。 この場合、 制御装置 CO N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動 作の停止は実行するが、 リニアモータ 47、 48や防振ユニット 9への電力供給 は継続する。 一方、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の 存在を検知したときは、 制御装置 CON Tは、 リニアモータ 47、 48や防振ュ ニッ 卜 9にまで漏洩した液体 1が及んでいると判断する。 つまり、 制御装置 CO NTは、 漏洩した液体 1の拡散範囲は比較的広い範囲であると判断する。 この場 合、 制御装置 CONTは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止するとともに、 リニアモータ 47、 48と防振ュニッ 卜 9との少なくとも一方への電力供給を停 止する。 なお、 第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を検知したとき、 制御装置 CO NTは、 リ'こァモータ 47、 48あるいは防振ユニッ ト 9への電力供給の停 止は実行するが、 露光装置 E X全体への電力供給の停止は実行しないことが好ま しい。 露光装置 EX全体への電力供給を停止すると、 その後の復帰作業及び安定 化に長時間を要するためである。 このように、 互いに別の位置に設けられた第 1光ファイバ 80 C及び第 2光フ アイバ 80 Dの検出結果に応じて、 露光装置 EXの動作を制御するようにしたの で、 漏洩した液体 1の拡散範囲に応じた適切な処置を講ずることができる。 した がって、 液体 1の漏洩が発生した後の復帰作業にかかる時間を短縮することがで き、 露光装置 EXの稼働率の低下を防止できる。 そして、 基板ステージ P S丁に 設けられた第 1光ファイバ 80Cが液体 1の存在を検知したときは、 制御装置 C 0N Tは、 液体供給機構 1 0による液体供給を停止し、 電気機器への電力供給は 継続することで、 復帰作業や安定化にかかる時間を最小限に抑えることができる。 —方、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を検知し たときは、 制御装置 CO N Tは、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモータ 4 7、 48や防振ユニッ ト 9への電力供給を停止する。 こうすることにより、 広い 範囲に漏洩した液体が拡散しても、 漏電や故障などといつた損害が生じることを 防止できる。 また、 制御装置 C O N Tは、 光ファイバ 8 0で検出した液体 1の量に応じて、 露光装置 E Xの動作を制御するようにしてもよい。 例えば制御装置' C 0 N Tは、 光ファイバ 8 0で検出した液体 1の量に応じて、 液体供給機構 1 0の液体供給動 作の停止と、 電気機器への電力供給の停止との少なくとも一方の動作を選択する。 具体的には、 制御装置 C O N Tは、 第 1光ファイバ 8 0 Cと第 2光ファイバ 8 0 Dとの少なくとも一方が、 予め定められている第 1基準値以上の量の液体 1を- 検知したときに、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止し、 第 2基準値以上の 量の液体 1を検知したときに、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモータ 4 7、 4 8や、 基板定盤 4 1を防振支持する防振ュニッ 卜 9等の電気機器,への電力供給 を停止する。 ここで、 第 2基準値のほうが第 1基準値よりも大きい値である。

—制御装置 C O N Tは、 第 1光ファイバ 8 0 C及び第 2光ファイバ 8 0 Dの少な <ともいずれか一方で検出した液体 1の量が、 第 1基準値以上であって第 2基準 値未満であると判断したとき、 漏洩した液体 1の量は比較的少量であると判断す る。 この場合、 制御装置 C O Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作の停止は 実行するが、 リニアモ一夕 4 7、 4 8や防振ユニッ ト 9への電力供給は継続する。 —方、 制御装置 C O N Tは、 第 1光ファイバ 8 0 C及び第 2光ファイバ 8 0 Dの 少な〈ともいずれか一方で検出した液体 1の量が、 第 2基準値以上であると判断 したとき、 漏洩した液体 1の量は多量であると判断する。 この場合、 制御装置 C 0 N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止するとともに、 リニアモータ 4 7 , 4 8と防振ュニッ 卜 9との少なくとも一方への電力供給を停止する。 なお、 光ファイバ 8 0 C、 8 0 Dが第 2基準値以上の量の液体 1を検知したとき、 制御 装置 C 0 N Tは、 リニアモータ 4 7、 4 8あるいは防振ユニッ ト 9への電力供給 の停止は実行するが、 露光装置 E X全体への電力供給の停止は実行しないことが 好ましい。 露光装置 E X全体への電力供給を停止すると、 その後の復帰作業及び 安定化に長時間を要するためである。 このように、 光ファイバ 8 0で検出した液体 1の量に応じて、 露光装置 E Xの 動作を制御することも可能であり、 この場合においても、 漏洩した'液体 1の量に 応じた適切な処置を講ずることができる。 したがって、 液体 1の漏洩が発生した 後の復帰作業にかかる時間を短縮することができ、 露光装置 E Xの稼働率の低下 を防止できる。 なお、 上述した実施形態では、 1本の光ファイバ 8 0を基板ステージ P S T及 び基板定盤 4 1の周囲を囲むように配置したが、 複数の光ファイバで基板ステ— ジ P S T及び基板定盤 4 1の周囲を囲むようにすることもできる。 例えば、 基板 定盤 4 1の 4辺-に 1本ずつ光ファイバ 8 0を配置し、 計 4本の光フ,ァ.,ィバ 8 0で 基板定盤 4 1の周囲を囲むことができる。 このようにすれば、 そのうちの 1本の 光ファイバが液体 1 を検出した場合、 どの光ファイバが反応しているかを調べる ごとにより液体 1の漏洩場所を容易に特定することができる。 また、 上述したように、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S Tとの位置関係が 異常となったときなどに、 投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できず、 液体 1が 漏洩する不都合が生じる。 そこで、 液体 1の漏洩を防止するために、 基板ステー ジ P S Tの移動範囲を制限するようにしてもよい。 このことについて図 2 0を参 照しながら説明する。 図 2 0において、 基板ステージ P S Tは、 基板ホルダ P Hに保持された基板 P (あるいはダミー基板 D P ) 表面及びこの基板 P表面と面一な補助プレー卜 4 3 の平坦面 4 3 Aを含む平坦領域である第 1領域 L A 1 を有している。 また、 この 第 1領域 L A 1 と対向する位置には、 投影光学系 P Lの像面側先端面 （下面） 2 a及びこの下面 2 aと面一なプレート部材 2 Pの下面の一部を含む平坦領域であ る第 2領域 L A 2が設けられている。 ここで液体 1は、 基板ステージ P S T上の 第 1の平坦面と、 投影光学系 P Lの先端面 2 aを含み前記第 1の平坦面と対向す る第 2の平坦面との間に保持されて液浸領域 A R 2を形成する。 したがって、 上 記基板ステージ P S T上の第 1領域 LA 1 と、 この第 1領域 L A 1 と対向し投影 光学系 P Lの先端面 2 aを含む第 2領域 L A 2とが液体保持可能領域である。 そ して、 液体 1は、 第 1領域 LA 1の一部と第 2領域 LA 2との間に ί呆持されて液 浸領域 A R 2を形成する。 なお、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2は必ずしも平 坦面である必要はなく、 液体 1が保持可能であれば、 表面に曲面や凹凸があって あよい。 本実施形態においては、 液浸領域 A R 2の液体 1は、 投影光学系 P Lの先端部- の光学素子 2の周囲に配置された液体供給口 1 4 Kを有する供給ノズル 1 4及び 液体回収口 21 Kを有する回収ノズル 2 1の一部にも接触している。 つまり、 液 体 1を保持可能な第 2領域 L A 2は、 供給ノズル 1 4及び回収ノズル., 21の液体 接触面を含んで構成されている。

'そして、 本実施形態においては、 制御装置 CON Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2 領域 L A 2との位置関係に応じて、 基板ステージ P S Tの移動を制限する。 具体 的には、 図 20 (a) に示すように、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との間に 液体 1を保持している場合において、 図 20 (b) に示すような第 1領域 L A 1 と第 2領域 L A 2との位置関係までは液体 1を保持することができる。 しかし、 図 20 (b) に示す位置関係よりも基板ステージ P S Tが +X方向に移動した場 合には、 液浸領域 A R 2の一部が第 1領域 L A 1よりも外側に出て、 第 1領域し A 1 と第 2領域 L A 2との間に液体 1 を保持できない状況が発生する。 このとき、 制御装置 CON Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との位置関係に異常が生 じたと判断し、 基板ステージ P S Tの移動を制限する。 具体的には、 制御装置 C ON Tは、 基板ステージ P S Tの移動を停止する。 これにより、 液体 1の流出な どの不都合を防止できる。 ここで、 制御装置 CO N Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 LA 2との位置関係 に異常が生じたか否かを、 干渉計 46の計測結果によって判断することができる。 制御装置 CON Tは、 干渉計 46によって基板ステージ P S Tの X Y方向の位置 を検出し、 その位置検出結果に基づいて、 第 2領域 L A 2に対する第 1領域 L A 1の位置情報、 すなわち第 1領域 L A 1 と第 2領域 L A 2との位啬関係を求める。 第 1領域 L A 1及び第 2領域 L A 2それぞれの大きさに関する情報は、 制御装置 CON Tに予め記憶されている。 また、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 LA 2との間 に形成される液浸領域 A R 2の大きさに関する情報も、 例えば実験ゃシミュレ一 シヨンによって予め求められており、 制御装置 CON Tに記憶されている。 更に は、 制御装置 CON Tには、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との位置関係に関- する異常値が予め求められており、 制御装置 CO N Tに記憶されている。 ここで、 前記異常値とは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との間に液体 1を保持できな い位置関係となる値 （相対距離） であり、 第 2領域 LA 2に対して第, 1領域 LA 1が上記異常値を超えたときには、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 LA 2との間に液 体 1を保持することができない。 制御装置 CON Tは、 干渉計 46の計測結果に基づいて、 第 2領域 LA 2に対 する第 1領域 L A 1の位置が前記異常値を超えたときに、 基板ステージ P S丁の 移動を制限 （停止） する。 こうすることにより、 液体 1の流出等の不都合を防止 できる。 また、 制御装置 CON Tは、 干渉計 46の計測結果に基づいて、 第 2領域 LA 2に対する第 1領域 L A 1の位置が前記異常値を超えたときに、 基板ステージ P S Tの移動を停止するかわりに、 基板ステージ P S Tの移動方向を変えるように してもよい。 具体的には、 図 20において、 基板ステージ P S Tが +X方向に移 動することによって、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1に対して異常な位置関係 になったとき、 制御装置 CONTは、 基板ステージ P S Tを例えば— X方向に移 動させる。 こうすることによつても、 液体 1の流出等の不都合を防止できる。 また、 制御装置 CO N Tは、 第 1領域 L A 1と第 2領域 L A 2との位置関係に 異常が生じて、 第 2領域 L A 2に対する第 1領域 L A 1の位置が前記異常値を超 えたときに、 液体供給機構 （ 1 0) の動作を制限するようにしてもよい。 具体的 には、 制御装置 CON Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との位置関係に異 常が生じたとき、 液体供給機構 （ 1 0) による液体供給動作を停止 る。 こうす ることによつても、 液体 1の流出等の不都合を防止できる。 あるいは、 制御装置 CONTは、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1に対して異常な位置関係になった とき、 液体供給機構 （ 1 0) による液体供給量 （単位時間あたりの液体供給量） を低減する。 あるいは、 制御装置 CO N Tは、 第 1領域 LA 1と第 2領域 L A 2 との位置関係に異常が生じたとき、 リニアモータ （47、 48) や防振装置

(9) への電力供給を停止したり、 吸気口 （42A) からの吸気を停止するよう にしてもよい。 一方で、 例えば基板 Pの液浸露光終了後、 液体供給機構 （ 1 0) による液体供 給を停止し、 液体回収機構 （20) によって基板 Pi (基板ステージ P ST) 上 の液体 1を回収した後は、 第 1領域 LA 1と第 2領域 L A 2との間には液体 1は 保持されていない。 その場合、 制御装置 CO NTは、 基板ステージ PSTの移動 の制限を解除する。 つまり、 制御装置 CO NTは、 液体供給機構 （ 1 0) が液体 1を供給している間は、 基板ズテ一ジ P S Tの移動範囲を、 第 1領域 L A 1と第 2領域 L A 2との間に液体 1を保持できる第 1の範囲に制限し、 液体供給機構

( 1 0) が液体 1の供給を停止している間は、 前記第 1の範囲より広い第 2の範 囲に制限する。 すなわち、 制御装置 CO NTは、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T (基板 P) との間に液体 1を保持している場合には、 基板ステージ P ST の移動範囲を第 1の範囲に制限し、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T (基板 P) との間に液体 1を保持していない場合には、 第 1範囲よりも広い第 2範囲内 での基板ステージ P S Tの移動を許容している。 こうすることにより、 例えば基 板 Pの露光中に、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T (基板 P) との間に液体 1を良好に保持しつづけることが可能となり、 例えばその後の動作である基板ス テ―ジ P S Tが基板 Ρのロード 'アン口—ド位置まで移動する動作などの所定の 動作を円滑に行うことができる。 図 2 1は本発明の別の実施形態を示す図であって、 図 21 (a) は側面図、 図 2 1 (b) は基板ステージを上方から見た平面図である。 図 2 1 (a) において、 投影光学系 P Lの光学素子 2の周囲には、 液体供給口 1 4 K及び液体回収口 2 1 Kを有するノズル部材 1 8が設けられている。 本実施形態において、 ノズル部材 1 8は、 基板 P (基板ステージ P S T) の上方において、 光学素子 2の側面を囲 むように設けられた環状部材である。 ノズル部材 1 8と光学素子 2との間には隙 間が設けられており、 ノズル部材 1 8は光学素子 2の振動から孤立されるように' 所定の支持機構で支持されている。 ノズル部材 1.8は、 基板 P (基板ステージ P S T) の上方に設け,ら>れ、 その基 板 P表面に対向するように配置された液体供給口 1 4 Kを備えている。 本実施形 態において、 ノズル部材 1 8は 2つの液体供給口 1 4 Kを有している。 液体供給 口 1 4 Kはノズル部材 1 8の下面 1 8 aに設けられている。 更に、 ノズル部材 1 8は、 基板 P (基板ステージ P S T) の上方に設けられ、 その基板 P表面に対向するように配置された液体回収口 2 1 Kを備えている。 本 実施形態において、 ノズル部材 1 8は 2つの液体回収口 2 1 Kを有している。 液 体回収口 21 Kはノズル部材 1 8の下面 1 8 aに設けられている。 液体供給口 1 4 K、 1 4 Κは、 投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 を挟んだ X軸 方向両側のそれぞれの位置に設けられており、 液体回収口 2 1 K、 21 Κは、 投 影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して液体供給口 1 4 K、 1 4 Kよりも外側に 設けられている。 なお、 本実施形態における投影光学系 P Lの投影領域 A R 1は、 Y軸方向を長手方向とし、 X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されて いる。 ノズル部材 1 8の下面 （基板 P側を向く面） 1 8 aはぼぼ平坦面であり、 光学 素子 2の下面 （液体接触面） 2 aも平坦面となっており、 ノズル部材 1 8の下面 1 8 aと光学素子 2の下面 2 aとはほぼ面一となつている。 これにより、 広い範 囲で液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。 そして、 液体 1を保持可能 な第 2領域 L A 2は、 光学素子 2の下面 2 a及びノズル部材 1 8の卞面 1 8 aの うち回収口 2 1 Kよりも内側の領域となっている。 基板ステージ P S T上には凹部 5 5が設けられており、 基板ホルダ P Hは凹部 5 5に配置されている。 そして、 基板ステージ P S Tのうち凹部 5 5以外の上面 5 7は、 基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ （面一） にな · るような平坦面 （平坦部） となっている。 そして、 液体 1 を保持可能な第 1領域 L A 1は、 基板 P表面及び上面 5 7を含む領域となっている。 図 2 1 ( b ) に示すように、 平面視矩形状の基板ステージ P S Tの互いに垂直 な 2つの縁部に移動鏡 4 5が配置されている。 また、 基板ステージ P S T上にお し て、 基板 Pの外側の所定位置には、 基準部材 3 0 0が配置されている。 基準部 材 3 0 0には、 不図示の基板ァライメン 卜系により検出される基準マーク P F M と、 マスクァライメント系により検出される基準マーク M F Mとが所定の位置関 係で設けられている。 なお本美施形態の基板ァライメン卜系では、 例えば特開平 4 - 6 5 6 0 3号公報に開示されているような、 基板ステージ P S Tを静止させ てマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、 得られたマ一 クの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、 画像処理によってマーク の位置を計測する F I A (フィールド · イメージ 'ァライメン卜） 方式が採用さ れている。 また本実施形態のマスクァライメン 卜系では、 例えば特開平 7— 1 7 6 4 6 8号公報に開示されているような、 マークに対して光を照射し、 C C D力 メラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出する V R A (ビジュアル . レチクル ·ァライメン卜） 方式が採用されている。 基準部材 3 0 0の上面 3 0 1 Aはほぼ平坦面となっており、 基板ステージ P S Tに保持され た基板 P表面、 及び基板ステージ P S Tの上面 5 7とほぼ同じ高さ （面一） に設 けられている。 基準部材 3 0 0の上面 3 0 1 Aは、 フォーカス検出系 5 6の基準 面としての役割も果たすことができる。 また、 基板ァライメント系は、 基板 P上に形成されたァライメン卜マーク A M も検出する。 図 2 1 ( b ) に示すように、 基板 P上には複数のショッ 卜領域 S 1 〜S 2 4が形成されており、 ァライメントマ一ク A Mは複数のショッ ト領域 S 1 〜S 2 4に対応して基板 P上に複数設けられている。 また、 基板ステージ P S T上のうち、 基板 Pの外側の所定位置には、 計測用セ ンサとして例えば特開昭 5 7— 1 1 7 2 3 8号公報に開示されているような照度 ムラセンサ 4 0 0が配置されている。 照度ムラセンサ 4 0 0は平面視^ ¾形状の上 板 4 0 1を備えている。 上板 4 0 1の上面 4 0 1 Aはほぼ平坦面となっており、 基板ステ—ジ Ρ· S Tに保持された基板 P表面、 及び基板ステージ Ρ, S , Τの上面 5 7とほぼ同じ高さ （面一） に設けられている。 上板 4 0 1の上面 4 0 1 Αには、 光を通過可能なピンホール部 4 7 0が設けられている。 上面 4 0 1 Aのうち、 ピ ンホール部 4 7 0以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。 また、 基板ステージ P S T上のうち、 基板 Pの外側の所定位置には、 計測用セ ンサとして例えば特開 2 0 0 2 - 1 4 0 0 5号公報に開示されているような空間 像計測センサ 5 0 0が設けられている。 空間像計測センサ 5 0 0は平面視矩形状 の上板 5 0 1を備えている。 上板 5 0 1の上面 5 0 1 Aはほぼ平坦面となってお り、 基板ステージ P S Tに保持された基板 P表面、 及び基板ステージ P S Tの上 面 5 7とほぼ同じ高さ （面一） に設けられている。 上板 5 0 1の上面 5 0 1 Aに は、 光を通過可能なスリッ 卜部 5 7 0が設けられている。 上面 5 0 1 Aのうち、 スリッ ト部 5 7 0以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。 また、 基板ステージ P S T上には、 例えば特開平 1 1 — 1 6 8 1 6号公報に開 示されているような照射量センサ （照度センサ） 6 0 0も設けられており、 その 照射量センサ 6 0 0の上板 6 0 1の上面 6 0 1 Aは基板ステージ P S Tに保持さ れた基板 P表面や基板ステージ P S Tの上面 57とほぼ同じ高さ （面一） に設け られている。 また、 基板ステージ P S Τの側面には、 この基板ステージ P S Τを囲むように 樋部材 89が設けられている。 樋部材 89は基板 Ρ上や基板ステージ P S Τ上か ら漏出した液体 1を回収可能 （保持可能） であって、 基板ステージ P S Tの上面 (平坦面） 57の外側に設けられている。 そして、 その樋部材 89の内部には、 液体 1の有無を検知可能な光ファイバ 80が配置されている。 樋部材 89の光フ アイバ 80が液体 1の存在を検知したとき、 制御装置 CONTは、 上述した実施 形態同様、 液体供給機構 （ 1 0) の液体供給動作を停止するなどの適切な処置を- 施す。 本実施形態に'おいては、 基板 Ρを露光するときに基板 Ρ上に液浸^域 A R 2が 形成されることはもちろん、 基準部材 300の例えば基準マーク MFMを計測す るときや、 センサ 400、 500、 600を使った計測処理を行うとき、 上板 3 0Ί、 401、 501、 601上のそれぞれに液浸領域 A R 2が形成される。 そ して、 液体 1を介した計測処理が行われる。 例えば基準部材 300上の基準マー ク MFMを液体 1を介して計測するときは、 第 1領域 L A 1のうち基準部材 30 0の上面 301 Aを含む領域ど第 2領域 L A 2とが対向し、 その第 1領域 L A 1 の一部と第 2領域 L A 2との間に液体 1が満たされる。 照度ムラセンサ 400を 使って液体 1を介した計測処理を行うときには、 第 1領域 L A 1のうち上板 40 1の上面 401 Aを含む領域と第 2領域 L A 2とが対向し、 その第 1領域 L A 1 の一部と第 2領域 LA 2との間に液体 1が満たされる。 同様に、 センサ 500、 600を使って液体 1を介した計測処理を行うときには、 第 1領域 L A 1のうち 上板 501、 601の上面 501 A、 601 Aを含む領域と第 2領域 L A 2とが 対向し、 その第 1領域 L A 1の一部と第 2領域 L A 2との間に液体 1が満たされ そして、 制御装置 CO N Tは、 基板ステージ P S T上 （第 1領域 LA 1上） に 液浸領域 A R 2を形成するために液体供給機構 （ 1 0) が液体 1を供給している 間は、 基板ステージ P S Tの移動範囲を、 図 2 1 (b) に示す第 1の範囲 S R 1 に制限する。 図 21 (b) において、 符号 LA 2 aは、 液体 1を保持可能な範囲 において、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1のうち最も + Y側且つ _ X側に配置 されたときの位置を示している。 ここで図 2 1 (b) においては、 説明を簡単に するために、 基板ステージ P S T (第 1領域 LA 1 ) に対して投影光学系 P Lの 光軸 AX (第 2領域 LA 2) が移動するものとして説明する。 同様に、 符号 LA 2 bは、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1のうち最も + Y側且つ + X側に配置さ れたときの位置を示している。 符号 L A 2。は、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A- 1のうち最も— Y側且つ +X側に配置されたときの位置を示している。 符号 L A 2 dは、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1のうち最も— Y側且つ― X側に配置さ れたときの位置を示している。 ， ， そして、 各第 2領域 LA 2 a〜し A 2 dそれぞれの中心 （ここでは投影光学系 P—しの光軸 AX) を結んだ内側の領域が、 第 1の範囲 S R 1である。 このように、 液体供給機構 （ 1 0) が液体 1 を供給している間は、 基板ステージ P S Tの移動 範囲を第 1の範囲 S R 1に制限することで、 常に第 1領域 A L 1 と第 2領域 A L 2との間に液体 1 を保持する とができ、 液体 1の漏出等の不都合を防止できる。 一方、 液体供給機構 （ 1 0) が液体 1を供給していない間は、 制御装置 CON Tは、 基板ステージ P S Tの移動範囲を、 第 1の範囲 S R 1よりも広い第 2の範 囲 S R 2に制限する。 ここで、 第 1の範囲 S R 1は第 2の範囲 S R 2に含まれて いる。 このように、 液体供給機構 （ 1 0) が液体 1の供給を停止している間は、 前記第 1の範囲 S R 1より広い第 2の範囲 S R 2に制限することにより、 基板ス テ―ジ P S Tが基板 Pのロード .アン口一ド位置まで移動する動作などの所定の 動作を円滑に行うことができる。 以上、 本発明の各実施形態を具体的に説明してきたが、 本発明では露光装置に 設けられた制御装置により異常が検知されたときには、 制御装置が露光装置の適 切な機構や装置を制御して、 漏水などに基づく漏電、 漏水吸引などを未然に防止 することができる。 ここで、 異常を検出する検出部位と、 制御装置と、 制御装置 により制御される被制御部の関係を図 2 3のブロック図にまとめて す。 露光装 置の制御装置は、 露光装置内部に設けられた各種検出装置、 例えば、 前述のよう に、 供給側流量計若しくは回収側流量計の単独またはそれらの流量差から異常 (液体流通） の異常を検知する供給側/回収側流量計、 基板ステージのステージ 位置を計測してステージ位置異常 （それによる漏水発生） を検知するステージ干 渉計、 基板ステージのフォーカス状況を計測してステージ位置異常 （それによる- 漏水発生） を検知するフォーカス検出系、 基板ステージやベースプレー卜に設け られた光ファイバやプリズムに付着した漏水 （異常） を検出する漏れ検出器 1 , 2、 回収夕ンク'の水位からの回収量の異常を検知する水位計などの ,各種検出系と 接続されている。 制御装置は、 それらの検出系から異常信号を受けることができ る。 この際、 制御装置は、 所定の基準信号と各検出器から受信した信号とを比較 じて正常な信号か異常な信号かを判定することができる。 露光装置の制御装置は、 また、 露光装置外部の各種関連装置、 例えば、 液体 (純水） 製造装置、 液体 （純永） 温調装置、 現像装置、 基板搬送装置などと接続 されており、 それらの関連装置の異常を知らせる信号を受信することができる。 また、 露光装置の制御装置は、 露光装置が設置されている工場の異常を知らせる 信号を受信することもできる。 露光装置が設置されている工場などの異常は、 露 光装置が配置されているクリーンルームの異常、 露光装置に供給される純水ゃ電 力などの容量の異常、 地震や火災などが挙げられる。 制御装置は、 所定の基準信 号と各関連装置から受信した信号とを比較して正常な信号か異常な信号かを判定 してもよい。 露光装置の制御装置は、 さらに、 前述の各実施形態で説明したように、 被制御 装置、 例えば、 液体供給機構、 液体回収機構、 ステージ装置、 特にステージエア ベアリング、 ステージリニアモ一夕、 基板ホルダ吸着系、 フォトマルなどのセン サ、 防振ュニッ 卜、 ァクチユエ一夕などの種々のコンポ一ネン卜と接続されてお り、 各コンポーネントの異常を知らせる信号を受信することができる。 また、 地 震を検知するためのセンサを備えている場合には、 制御装置はその地震センサか らも異常信号を受けることができる。 また、 液体 1の品質 （温度、'溶存酸素濃度、 有機物などの不純物の割合） を測定するための水質センザを備えている場合には、 その水質センサからも異常信号を受け取ることができる。 制御装置の制御動作を図 2 4を参照しながら、 簡単に説明する。 制御装置は、 露光装置内部の検出系または露光装置の外部の関連装置 1〜 4などから異常を示- す信号を受信する。 異常を示す信号は、 例えば、 液浸露光のために供給される (さらに回収される） 液体の流通に影響を与える信号である。 この際、 制御装置 は、 受信した信号と基準信号とを比較して、 受信した信号が異常信号.であること を判断しても良い。 次いで、 制御装置は異常信号から異常が生じた部位を特定す る。 この際、 制御装置は、 警報装置で警報を発してもよい。 そして、 制御装置は、 異常が生じた部位に応じていずれの装置を制御すべきかを判断し、 その装置に制 御信号を送り、 異常な状況に対処させる。例えば、 基板ステージに設けられた漏 れ検出器 1 (光ファイバなど） で液漏れが検出された場合には、 制御装置はその 検出信号に応じて液体供給機 «による液体供給、 ステ—ジ制御系によるステージ 移動、 ステージエアベアリング及び基板ホルダ吸着系による吸気、 さらに、 ステ —ジリニアモータ、 基板ホルダ吸着系、 センサ、 防振ュニッ 卜、 ァクチユエ一タ への給電をそれそれ停止し、 一方で、 液体回収機構の液体回収のみを継続させる ことができる。 いずれの装置の動作を停止するかは、 液体が漏洩した場所やその 度合い （信号の大きさ） に応じて制御装置が判断する。 検出信号の大きさによつ ては、 ステージリニアモータやセンサなどの電気機器はそのまま作動させておき、 液体供給機構の動作のみを停止させ得る。 上述したように、 本実施形態における液体 1は純水を用いた。 純水は、 半導体 製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、 基板 P上のフ才卜レジス卜や光 学素子 （レンズ） 等に対する悪影響がない利点がある。 また、 純水は環境に対す る悪影響がないとともに、 不純物の含有量が極めて低いため、 基板 Pの表面、 及 び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期 待できる。 そして、 波長が 1 9 3 n m程度の露光光 Eしに対する純水 （水） の屈折率 nは ほぼ 1 . 4 4程度と言われており、 露光光 E Lの光源として A r Fエキシマレ一 ザ光 （波長 1 9 3 n m ) を用いた場合、 基板 P上では 1 / n、 すなわち約 1 3 4 n m程度に短波長化されて高い解像度が得られる。 更に、 焦点深度は空気中に比 ベて約 n倍、 すなわち約 1 . 4 4倍程度に拡大されるため、 空気中で使用する場 合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 P Lの開口数を より増加させることができ、 この点でも解像度が向上する。 本実施形態では、 投影光学系 P Lの先端に光学素子 2が取り付けられているが—、 投影光学系 P Lの先端に取り付ける光学素子としては、 投影光学系 P Lの光学特 性、 例えば収差 （球面収差、 コマ収差等） の調整に用いる光学プレー卜であって もよい。 あるいは露光光 E Lを透過可能な平行平面板であってもよい。 液体 1 と 接触する光学素子を、 レンズより安価な平行平面板とすることにより、 露光装置 E Xの運搬、 組立、 調整時等 I おいて投影光学系 P Lの透過率、 基板 P上での露 光光 E Lの照度、 及び照度分布の均一性を低下させる物質 （例えばシリコン系有 機物等） がその平行平面板に付着しても、 液体 1 を供給する直前にその平行平面 板を交換するだけでよく、 液体 1 と接触する光学素子をレンズとする場合に比べ てその交換コストが低くなるという利点がある。 即ち、 露光光 E Lの照射により レジス卜から発生する飛散粒子、 または液体 1中の不純物の付着などに起因して 液体 1に接触する光学素子の表面が汚れるため、 その光学素子を定期的に交換す る必要があるが、 この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、 レンズに 比べて交換部品のコス卜が低く、 且つ交換に要する時間を短〈することができ、 メンテナンスコス卜 （ランニングコス卜） の上昇やスループッ 卜の低下を抑える ことができる。 なお、 本実施形態の液体 1は水であるが、 水以外の液体であってもよい、 例え ば、 露光光 E Lの光源が F ₂レーザである場合、 この F ₂レーザ光は水を透過しな いので、 この場合、 液体 1 としては F ₂レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイ ルゃ過フッ化ポリエーテル （P F P E ) 等のフッ素系の液体を用いればよい。 ま た、 液体 1 としては、 その他にも、 露光光 E Lに対する透過性があってできるだ け屈折率が高く、 投影光学系 P Lや基板 P表面に塗布されているフォ卜レジス卜 に対して安定なもの （例えばセダ一油） を用いることも可能である。 上記各実施形態において、 上述したノズルの形状は特に限定されるものでなく、 例えば投影領域 A R 1の長辺について 2対のノズルで液体 1の供給又は回収を行 うようにしてもよい。 なお、 この場合には、 + X方向、 又は一 X方向のどちらの 方向からも液体' .1の供給及び回収を行うことができるようにするため、 供給ノズ ルと回収ノズルと上下に並べて配置してもよい。 なお、 上記各実施形態の基板 Pとしては、 半導体デバイス製造用の半導体ゥェ ハのみならず、 ディスプレイデバイス用のガラス基板や、 薄膜磁気へッ ド用のセ ラミックウェハ、 あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版

(合成石英、 シリコンウェハ） 等が適用される。 また、 上述の実施形態においては、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間を局所的に 液体で満たす露光装置を採用しているが、 露光対象の基板を保持したステージを 液槽の中で移動させる液浸露光装置や、 ステージ上に所定深さの液体槽を形成し、 その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。 露光対象の 基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置の構造及び露光動 作は、 例えば特開平 6— 1 2 4 8 7 3号公報に詳細に記載されており、 また、 ス テージ上に所定深さの液体槽を形成し、 その中に基板を保持する液浸露光装置の 構造及び露光動作は、 例えば特開平 1 0— 3 0 3 1 1 4号公報や米国特許 5， 8 2 5 , 0 4 3に詳細に記載されており、 それぞれ本国際出願で指定または選択さ れた国の法令で許容される限りにおいて、 これらの文献の記載内容を援用して本 文の記載の一部とする。 露光装置 E Xとしては、 マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパター ンを走査露光するステップ ·アンド ·スキャン方式の走査型露光装置 （スキヤ二 ングステツパ） の他に、 マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパター ンを一括露光し、 基板 Pを順次ステップ移動させるステップ■アンド ' リピート 方式の投影露光装置 （ステツパ） にも適用することができる。 また、 本発明は基 板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ■アン ド -スティツチ方式の露光装置にも適用できる。 また、 本発明は、 ウェハ等の被処理基板を別々に載置して XY方向に独立に移 動可能な 2つのステージを備えたツインステ一ジ型の露光装置にも適用できる。 ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、 例えば特開平 1 0— 1 63 099号及び特開平 1 0— 21 4783号 （対応米国特許 6 , 341 , 007、 6', 400, 441、 6, 549, 269及び 6, 590, 634) 、 特表 200 0— 505958号 （対応米国特許 5, 969, 441 ) あるいは米国特許 6 , 208, 407に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の法令 で許容される限りにおいて、 れらの開示を援用して本文の記載の一部とする。 また、 特開平 1 1 — 1 35400号公報に開示されているように、 基板 Pを保 持する基板ステージと、 各種計測部材やセンサなどを備えた計測ステージとを備 えた露光装置にも本発明を適用することができる。 この場合、 投影光学系と計測 ステージの上面との間にも液体を保持することが可能であり、 この計測ステ一ジ にも上述の漏水検知器などの対策を施すことができる。 露光装置 E Xの種類としては、 基板 Pに半導体素子バターンを露光する半導体 素子製造用の露光装置に限られず、 液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用 の露光装置や、 薄膜磁気へッ ド、 撮像素子 （CC D) あるいはレチクル又はマス ク等を製造するための露光装置等にも広く適用できる。 基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモータを用いる場合は、 エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリァ'クタンスカを 用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 また、 各ステージ P S T、 M S Tは、 ガイ ドに沿って移動するタイプでもよく、 ガイ ドを設けないガイ ドレスタイプで あってもよい。 ステージにリニアモータを用いた例は、 米国特許 5， 623, 8 53及び 5, 528, 1 1 8に開示されており、 それぞれ本国際出願で指定また は選択された国の法令で許容される限りにおいて、 これらの文献の記載内容を援 用して本文の記載の一部とする。 各ステージ P-S T、 MS Tの駆動機構としては、 二次元に磁石を配置した磁石 ュニッ 卜と、 二次元にコイルを配置した電機子ュニッ 卜とを対向させ電磁力によ り各ステージ P S T、 MS Tを駆動する平面モータを用いてもよい。 この場合、 磁石ュニッ 卜と電機子ュニッ 卜とのいずれか一方をステ一ジ P S T、 MS Tに接 続し、 磁石ュニヅ 卜と電機子ュニッ 卜との他方をステージ P S T、 MS Τの移動 面側に設ければよい。 基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わらな いように、 フレー厶部材を用いて機械的に床 （大地） に逃がしてもよい。 この反 力の処理方法は、 例えば、 米国特許 5 , 528， 1 1 8 (特開平 8— 1 6647 5号公報） に詳細に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の法 令で許容される限りにおいて、 この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部 とする。 マスクステージ M S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わら ないように、 フレーム部材を用いて機械的に床 （大地） に逃がしてもよい。 この 反力の処理方法は、 例えば、 米国特許第 5, 874, 820 (特開平 8 _ 3302 2 4号公報） に詳細に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の 法令で許容される限りにおいて、 この文献の開示を援用して本文の記載の一部と する。 本実施形態の露光装置 E Xは、 本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を 含む各種サブシステムを、 所定の機械的精度、 電気的精度、 光学的精度を保つよ うに、 組み立てることで製造される。 これら各種精度を確保するために、 この組 み立ての前後には、 各種光学系については光学的精度を達成するための調整、 各 種機械系については機械的精度を達成するための調整、 各種電気系については電 気的精度を達成するための調整が行われる。 各種サブシステムから露光装置への · 組み立て工程は、 各種サブシステム相互の、 機械的接続、 電気回路の配線接続、 気圧回路の配管接続等が含まれる。 この各種サブシステムから露光装置への組み 立て工程の前に' 各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもな い。 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、 総合調整が行 われ、 露光装置全体としての各種精度が確保される。 なお、 露光装置の製造は、 溫度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、 図 2 2に示すように、 マイクロデバ イスの機能■性能設計を行うズテツプ 2 0 1、 この設計ステップに基づいたレチ クル （マスク） を製作するステップ 2 0 2、 デバイスの基材である基板を製造す るステップ 2 0 3、 前述した実施形態の露光装置 E Xによりレチクルのパターン を基板に露光する基板処理ステップ 2 0 4、 デバイス組み立てステップ （ダイシ ング工程、 ボンディング工程、 パッケージ工程を含む） 2 0 5、 検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。 産業上の利用可能性 本発明によれば、 液浸露光に影響を与える露光装置の内部装置または外部の関 連装置の異常を検知して、 露光用の液体の漏洩や浸入による周辺装置 ·部材ゃ露 光動作に与える影響を抑える、 あるいは低減することができるので、 高価な露光 装置の良好な状態を維持し、 精度良い液浸露光処理を行うことができる。 これに より、 所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって： パターン像を基板上に投影する投影光学系と ；

投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構を備え； '

液体供給機構は、 異常が検出されたときに液体の供給を停止する露光装置。

2 . さらに、 電気機器を備え、 液体の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が検出されたときに、 前記電気機器への電力供給を停止する請求項 1に記載 の ¾光¾¾ o

3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって： パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と ； ， ， 電気機器を備え；

液体の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が検出されたときに、 電気 機'器への電力供給を停止する露光装置。

4 . 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、 前記電気機器は、 前 記基板ステージを動かすためめリニアモータを含む請求項 2または 3に記載の露

5 . 吸気口を備え、 液体の流入を防止するために、 前記異常が検出されたとき に、 前記吸気口からの吸気を停止する請求項 1 または 3に記載の露光装置。

6 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって： パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と ；

吸引系に流通する吸気口とを備え、

液体の流入を防止するために、 異常が検出されたときに、 吸気口からの吸気を 停止する露光装置。

7 . 前記基板を保持して移動可能な可動部材と、 前記吸気口を有し、 前記可動 部材をガイ ド面に対して非接触で移動させるためのエアベアリングとを備え、 前 記吸気口は、 前記可動部材と前記ガイ ド面との間の気体を吸気する請求項 5また は 6に記載の露光装置。

8 . 前記異常は、 前記基板を保持して移動可能な可動部材と前記投影光学系と の位置関係の異常を含む請求項 1、 3及び 6のいずれか一項に記載の露光装置。

9 . 前記異常な位置関係は、 前記投影光学系の下に液体を保持できない状態で ある請求項 8に記載の露光装置。

1 0 . 前記可動部材上の第 1領域と、 前記投影光学系の像面側先 i¾部を含み、 前記第 1領域に対向する第 2領域とを備え、 前記液体は、 前記第 1領域の少なく とも一部と前記第 2領域との間に保持されて液浸領域を形成し、 前記異常は、 前 記第 1領域と前記第 2領域との位置関係の異常を含む請求項 9に記載の露光装置。

1 1 . 前記異常な位置関係は、 前記液浸領域の少なくとも一部が前記第 1領域 よりも外側に出た状態を含む ffc求項 1 0に記載の露光装置。

1 2 . 前記第 1領域と前記第 2領域との位置関係の異常が検出されたときに、 前記可動部材の移動が停止される請求項 9に記載の露光装置。

1 3 . 前記異常は、 液体の漏れを含む請求項 1、 3及び 6のいずれか一項に記 載の露光装置。

1 4 . 液体の漏れを検出する検出器と、 前記検出器の検出結果に基づいて、 前 記露光装置の動作を制御する制御装置とを備えた請求項 1 3に記載の露光装置。

1 5 . 前記検出器は、 複数の所定位置のそれぞれに設けられ、 前記制御装置は、 前記液体を検出した検出器の位置に応じて、 前記液体供給の停止と前記電力供給 の停止との少な〈とも一方の動作を選択する請求項 1 4に記載の露光装置。

1 6 . 前記制御装置は、 前記検出器で検出した液体の量に応じて、 前記液体供 給の停止と前記電力供給の停止との少なくとも一方の動作を選択する請求項 1 4 に記載の露光装置。

1 7 . 前記検出器は、 前記基板を保持する基板ステージに配置される請求項 1 4に記載の露光装置。

1 8 . 前記検出器は、 前記基板を保持する基板ステージを移動可能に支持する ベース部材に配置される請求項 1 4に記載の露光装置。 ： .

1 9 . 前記検出器は、 電磁駆動源の周辺に配置される請求項 1 4に記載の露光 装置。

2 0 . 前記検出器は、 前記基板を保持する基板ステージに設けられた液体回収 口の内部に配置される請求項 1 4に記載の露光装置。

2 1 . 前記基板ステージに保持された基板の周囲に該基板の表面とほぼ面一な 平坦部を有し、 前記液体回収口は、 前記平坦部の外側に設けられている請求項 2 0に記載の露光装置。

2 2 . 前記液体回収口は、 前記基板の周囲を囲むように形成された溝部を含む 請求項 2 0に記載の露光装置。 前記検出器は、 液体の漏れを光学的に検出する請求項 1 4に記載の露光

2 4 . 前記検出器は、 光ファイバを含む請求項 1 4に記載の露光装置。

2 5 . 前記液体供給機構によって供給された液体を回収する液体回収機構を備 え、 前記異常は、 前記液体回収機構の回収動作の異常を含む請求項' 1、 3及び 6 のいずれか一項に記載の露光装置。

2 6 . 前記液体回収機構の動作異常は、 前記液体供給機構から供給された液体 の量と前記液体回収機構で回収された液体の量とを比較することによって検知さ れる請求項 2 5に記載の露光装置。

2 7 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て： '. ， '

パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と ；

吸引系に流通された吸引口と；

-吸引口から吸い込まれた液体と気体とを分離する分離器と；

分離器によって分離された気体を乾燥させる乾燥器とを備えた露光装置。

2 8 . 前記乾燥器で乾燥し 気体が前記吸引系に流入する請求項 2 7に記載の 路尤衣 ifio

2 9 . 前記吸引口は液体を回収するために設けられている請求項 2 7に記載の

3 0 . 前記基板を保持する基板保持部材を備え、 前記吸引口は、 前記基板を吸 着保持するために前記基板保持部材に設けられている請求項 2 7に記載の露光装

3 1 . 電気機器を備え、 液体の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が 検出されたときに、 前記電気機器への電力供給を停止する請求項 2 7に記載の露 光装置。

3 2 . 前記投影光学系と前記基板との間へ液体を供給する液体供給機構を備え、 前記液体供給機構は、 異常が検出されたときに液体の供給を停止する請求項 2 7 に記載の露光装置。

3 3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て：

基板を保持して移動可能な基板ステージであって、 その上に第 1領域を有する 基板ステージと ；

基板にバタ ン像を投影する投影光学系であって、 像面側先端部を含み、 第 1 領域と対向して第 1領域の少なくとも一部との間に液体を保持する第 2領域を有 する投影光学系と ；

—第 1領域と第 2領域との位置関係に応じて、 基板ステージの移動を制限する制 御装置を備える露光装置。

3 4 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との間に液体を保持して し、る場合に前記制限を行う請求項 3 3に記載の露光装置。

3 5 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との間に液体を保持して いない場合に前記制限を解除する請求項 3 3に記載の露光装置。

3 6 . 前記基板ステージは、 前記基板ステージ上に保持した前記基板表面とほ ぼ面一な平坦部を有し、 前記第 1領域は、 前記基板表面及び前記平坦部のうち少 な〈とも一方を含む請求項 3 3に記載の露光装置。

3 7 . 前記投影光学系の先端部の周囲に設けられ、 前記液体を供給する供給口 及び前記液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部 材を有し、 前記第 2領域は、 前記ノズル部材の少な〈とも一部を含む請求項 3 3 に記載の露光装置。

3 8 . 前記回収口は、 前記投影光学系の投影領域に対して前記供給口よりも外 側に設けられ、 前記第 2領域は、 前記回収口よりも内側の領域である請求項 3 7 に記載の露光装置。

3 9 . 前記第 2領域に対する前記第 1領域の位置情報を計測する計測装置を備 え、 前記制御装置は、 前記計測装置の計測結果に基づいて、 前記基板ステージの 移動範囲を制限する請求項 3 3に記載の露光装置。

4 0 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との位置関係に関する異 常値を予め記憶し、 前記第 2領域に対する前記第 1領域の位置が前記異常値を越 えたときに、 前記基板ステージの移動を停止する請求項 3 3に記載の露光装置。

4 1 . 液体を供給する液体供給機構を備え、 前記制御装置は、 前記第 1領域と 前記第 2領域との位置関係に≤づいて、 前記液体供給機構の動作を制限する請求 項 3 3に記載の露光装置。

4 2 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との位置関係に関する異 常値を予め記憶し、 前記第 2領域に対する前記第 1領域の位置が前記異常値を越 えたときに、 前記液体供給機構による液体供給を停止する請求項 4 1に記載の露 光装置。

4 3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て：

基板上に液体を介してパターン像を投影する投影光学系と ； 基板を保持して移動可能な基板ステージと ；

基板ステージを移動可能に支持するベース部材と ；

基板ステージに設けられ、 液体を検知する第 1検出器と ；

ベース部材に設けられ、 液体を検知する第 2検出器と ；

第 1検出器及び第 2検出器の検出結果に応じて、 露光装置の動作を制御する制 御装置とを備える露光装置。

4 4 . 前記基板上に前記液体を供給する液体供給機構を備え、 前記制御装置は、 前記第 1検出器が液体を検知したときに、 前記液体供給機構の液体供給動作を停 止する請求項 4 3に記載の露光装置。

4 5 . 前記基板ステージを駆動する駆動装置と、 前記べ—ス部材を防振支持す る防振装置とを備え、 前記制御装置は、 前記第 2検出器が液体を検知したときに、 前記駆動装置と前記防振装置との少なくとも一方への電力供給を停止する請求項 4 3に記載の露光装置。

4 6 . 前記基板ステージを駆動する駆動装置と、 前記ベース部材を防振支持す る防振装置とを備え、 前記制御装置は、 前記第 1検出器と前記第 2検出器との少 なくとも一方が第 1基準値以上の液体を検知したときに前記液体供給機構の液体 供給動作を停止し、 第 2基準値以上の液体を検知したときに前記駆動装置と前記 防振装置との少なくとも一方への電力供給を停止する請求項 4 3に記載の露光装

4 7 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て：

パターン像を基板上に投影する投影光学系と ；

投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構と；

基板を保持して移動可能な基板ステージと ； 液体供給機構が液体を供給している間は、 基板ステージの移動範囲を第 1の範 囲に制限し、 液体供給機構が液体の供給を停止している間は、 基板ステージの移 動範囲を第 1の範囲より広い第 2の範囲に制限する制御装置とを備えた露光装置。

4 8 . 前記第 1の範囲は、 前記第 2の範囲に含まれる請求項 4 7に記載の露光 装置。

4 9 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て：

パターン像を基板上に投影する投影光学系と ；

投影光学系の像面側に液体を供給するための液体供給機構と；

投影光学系の像面側で移動可能なステージと ；

ステージの移動範囲を制御する制御装置とを備え； .

該制御装置が、 投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのス テ一ジの移動範囲を、 投影光学系とステージとの間に液体を保持されていないと ぎのステージの移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置。

5 0 . 前記ステージは、 前記基板を保持して、 前記投影光学系の像面側で移動 可能である請求項 4 9に記載 ώ露光装置。

5 1 . 前記制御装置は、 ステージの上面の液体保持可能な領域の大きさと、 そ のステージ上面に対向するように配置された液体保持面の大きさとに基づいて、 投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのステ一ジの移動範囲 を制限する請求項 4 9に記載の露光装置。

5 2 . 請求項 1、 3、 6、 2 7、 3 3、 4 3、 4 7及び 4 9のいずれか一項に 記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。

5 3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置を制御す る方法であって、 パターン像を基板上に投影する投影光学系と、 投影光学系の像 面側へ液体を供給する液体供給機構と、 電気工ネルギ—を駆動力とする機器と、 気体を吸引する機能を有する機器を含むコンポーネントから構成され且つ外部関 連装置と接続される露光装置の制御方法であって：

前記投影光学系の像面側へ液体を供給することと；

前記コンポーネント及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信 号を受信することと；

前記受信した信号に基づいて、 液体供給機構、 電気エネルギーを駆動力とする 機器及び気体を吸引する機能を有する機器の少な〈とも一種の動作を制限するこ とを含む露光装置の制御方法。

5 4 . 前記信号を受信したときに、 液体漏れの場所を同定し、 同定んた場所に 応じて、 液体供給機構、 電気エネルギーを駆動力とする機器及び気体を吸引する 機能を有する機器のうちの動作を制限する機構又は機器を選択することを含む請 求項 5 3に記載の露光装置の制御方法。

5 5 . さらに、 露光装置のコンポーネン卜が液体回収装置を含み、 前記信号を 受信したときに液体回収装置め回収能力を増大する請求項 5 3に記載の露光装置 の制御方法。

5 6 . 前記信号を受信したときにアラームを発する請求項 5 3に記載の露光装 置の制御方法。

5 7 . 前記液体供給機構は、 異常が検出されたときに液体の供給を停止する請 求項 5 3に記載の露光装置の制御方法。