WO2005036622A1

WO2005036622A1 - 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法

Info

Publication number: WO2005036622A1
Application number: PCT/JP2004/014856
Authority: WO
Inventors: Kei Sato; Takashi Horiuchi
Original assignee: Zao Nikon Co., Ltd.; Nikon Corporation
Priority date: 2003-10-08
Filing date: 2004-10-07
Publication date: 2005-04-21
Also published as: US20060250602A1; JPWO2005036622A1; JP2005136364A; KR20060120658A; US7515249B2

Abstract

　基板搬送装置は、投影光学系と液体を介した露光処理を行う露光処理部に対して、基板を搬入する第１搬送機構と、基板を露光処理部から搬出する第２搬送機構と、第１搬送機構と該第１搬送機構が搬送する基板との少なくとも一方に対し、第２搬送機構と第２搬送機構が搬送する基板との少なくとも一方からの液体の飛散を抑制する飛散抑制機構とを備える。

Description

明細書

基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たし、投影光学系と液体とを介して基板にパターンを露光する技術に関し、特に、基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法に関する。

本願は、 2003年 10月 8日に出願された特願 2003— 349551号ならびに 2003年 1 2月 15日に出願された特願 2003— 416714号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。

背景技術

[0002] 半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積ィ匕に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は、 KrFエキシマレーザの 248nmであるが、更に短波長の ArFェキシマレーザの 193nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度 (DOF)も重要となる。解像度及び焦点深度 δはそれぞれ以下の式で表される。

[0003] R=k · λ /ΝΑ … (1)

δ = ±k - λ /ΝΑ² … (2)

2

ここで、 λは露光波長、 ΝΑは投影光学系の開口数、 k、 kはプロセス係数である。

1 2

(1)式、（2)式より、解像度 Rを高めるために、露光波長えを短くして、開口数 NAを大きくすると、焦点深度 δが狭くなることが分力る。

[0004] 焦点深度 δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足する恐れがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献 1に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長力空気中の lZn (nは液体の屈折率で通常 1. 2-1. 6程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約 η倍に拡大するというものである。

特許文献 1：国際公開第 99Ζ49504号パンフレット

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] ところで、露光装置では、装置のコンパクトィ匕などを目的として、露光処理部に基板を搬入する搬入経路 (ローダ空間）と露光処理部から基板を搬出する搬出経路 (アンローダ空間）とを近づけて配置する場合が多い。ところが、上記液浸法では、露光処理後の基板に液体が付着している可能性があり、この液体が基板搬送中に飛散し、露光処理部に向けて搬送中の基板や露光処理前の基板を搬送する搬送部材に付着するおそれがある。

[0006] 露光処理後の基板やこの基板を搬送する搬送部材から飛散した液体が、露光処理前の基板に付着すると、付着した液体が周囲の気体中に含まれる不純物を集めてしまい、露光処理前の基板を汚染してしまう。また、ロード用の搬送部材に液体が付着すると、次の露光処理前の基板を汚染してしまう可能性がある。また、基板に付着した液体が露光処理前に乾燥した場合も、その痕が基板表面に残ることにより、露光精度の低下を招きやすい。

[0007] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、液浸法に基づく露光処理前の基板や露光処理前の基板を搬送する部材に液体が付着するのを防止することができる基板搬送装置を提供することを目的とする。

[0008] また、本発明の他の目的は、液浸法に基づいて高精度に露光処理を行うことができる露光装置を提供することにある。 [0009] また、本発明の別の目的は、高品質のデバイスを製造することが可能なデバイス製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0010] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1一図 10に対応付けした以下の構成を採用している。

[0011] 本発明の基板搬送装置 (H)は、投影光学系 (PL)と液体 (LQ)を介した露光処理を行う露光処理部 (EX)に対して、基板 (P)を搬入する第 1搬送機構 (HI)と、前記基板を前記露光処理部 (EX)から搬出する第 2搬送機構 (H2)と、前記第 1搬送機構 (HI)と該第 1搬送機構が搬送する基板 (P)との少なくとも一方に対し、前記第 2搬送機構 (H2)と前記第 2搬送機構が搬送する基板 (P)との少なくとも一方からの前記液体の飛散を抑制する飛散抑制機構（110)とを備えることを特徴とする。

[0012] ここで、前記飛散抑制機構 (110)は、例えば、前記第 1搬送機構 (HI)の搬送空間と、前記第 2搬送機構 (H2)の搬送空間との間に設けられた仕切部材 (111)を有するものである。

[0013] あるいは、前記飛散抑制機構 (110)は、前記第 1搬送機構 (HI)の搬送空間と、前記第 2搬送機構 (H2)の搬送空間との少なくとも一部を連通する開口部（112)が形成された仕切部材 (111)と、前記開口部（112)を開閉する開閉部材 (113)とを有するものであってもよい。

[0014] また、前記飛散抑制機構 (110)は、前記第 2搬送機構 (H2)が前記液体が付着した前記基板 (P)を搬送する間、前記液体が付着する前の基板 (P)を搬送する前記第 1搬送機構 (HI)を前記第 2搬送機構 (H2)の搬送経路力も隔離する隔離機構 (130 )を有するものであってもよ、。

[0015] また、前記飛散抑制機構 (110)は、前記第 1搬送機構 (HI)の搬送空間と、前記第 2搬送機構 (H2)の搬送空間との間に、エアーカーテンを形成するものであってもよい。

[0016] また、前記飛散抑制機構 (110)は、前記第 1搬送機構 (HI)に設けられ、前記液体が付着する前の基板 (P)を収容する第 1基板収容容器（140)を有するものであってちょい。 [0017] また、前記飛散抑制機構 (110)は、前記第 2搬送機構 (H2)に設けられ、前記液体が付着した後の基板を収容する第 2基板収容容器（141)を有するものであってもよい。

[0018] 本発明の基板搬送装置によれば、飛散抑制機構によって、第 1搬送機構と第 1搬送機構が搬送する基板との少なくとも一方に対し、第 2搬送機構と第 2搬送機構が搬送する前記基板との少なくとも一方力の液体の飛散が抑制されることから、第 1搬送機構や第 1搬送機構で搬送される基板に液体が付着するのが防止される。すなわち、液浸法に基づく露光処理の前に、基板に液体や異物が付着するのが防止される

[0019] また、本発明の基板搬送装置 (H)は、液体 (LQ)が付着した基板 (P)を収容する第 1の収容容器（ 150)と、液体 (LQ)が付着して、な、基板 (P)を収容する第 2の収容容器 (151)とを備えることを特徴とする。

また、本発明の露光装置 (EX— SYS)は、投影光学系（PL)と基板 (P)との間の少なくとも一部を液体 (LQ)で満たした状態で、マスク（M)に形成されたパターンの像を前記基板 (P)上に投影して、前記基板 (P)を露光する露光処理部 (EX)を備える露光装置において、上記記載の基板搬送装置 (H)を備えることを特徴とする。

[0020] また、本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置を用いることを特徴とする。

発明の効果

[0021] 本発明の基板搬送装置によれば、飛散抑制機構を備えることにより、液浸法に基づく露光処理前の基板に液体や異物が付着するのを防止することができる。

[0022] また、本発明の露光装置によれば、基板搬送時において、液浸法に基づく露光処理前の基板に液体や異物が付着するのが防止されることから、精度よく露光処理を行うことができる。

[0023] また、本発明のデバイス製造方法によれば、液浸法に基づく露光処理により高品質のデバイスを製造することができる。図面の簡単な説明

[0024] [図 1]本発明の露光装置を備えたデバイス製造システムの一実施形態を示す概略構成図である。

[図 2]図 1を上方から見た図である。

[図 3]飛散抑制機構の構成例を模式的に示す図である。

[図 4]露光処理を行う露光装置本体の一実施形態を示す概略構成図である。

[図 5]供給ノズル及び回収ノズルの配置例を示す図である。

[図 6]液体除去システムの構成例を模式的に示す図である。

[図 7]飛散抑制機構の他の構成例を模式的に示す図である。

[図 8A]飛散抑制機構の他の構成例を模式的に示す図である。

[図 8B]飛散抑制機構の他の構成例を模式的に示す図である。

[図 8C]飛散抑制機構の他の構成例を模式的に示す図である。

[図 9]飛散抑制機構の他の構成例を模式的に示す図である。

[図 10]基板カセットを用いる場合の構成例を示す図である。

[図 11]基板カセットを用いる場合の他の構成例を示す図である。

[図 12]半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

[0025] H…基板搬送システム (基板搬送装置）、 SYS…デバイス製造システム、 EX-SYS …露光装置、 EX…露光装置本体 (露光処理部）、 CZD - SYS…コータ，デベロッパ装置、 IF…インターフェース部、 CONT…制御装置、 PST…基板ステージ (露光処理部）、 LQ…液体、 P…基板、 Μ· ··マスク、 Η1· ··第 1アーム (第 1搬送機構)、 Η2· ·· 第 2アーム (第 2搬送機構)、 100· ··液体除去システム、 110· ··飛散抑制機構、 111 …仕切部材、 112· ··開口部、 113…開閉部材、 121…気体供給装置、 123· ··ノズル、 130…隔離機構、 131· ··収容容器、 140…第 1基板収容容器、 141…第 2基板収容容器、 142、 143· ··開閉機構。

発明を実施するための最良の形態

[0026] 以下、本発明の基板搬送装置及び露光装置について図面を参照しながら説明する。図 1は本発明の露光装置を備えたデバイス製造システムの一実施形態を示す図であって側方から見た概略構成図、図 2は図 1を上方から見た図である。

[0027] 図 1、図 2において、デバイス製造システム SYSは、露光装置 EX— SYSと、コータ' デベロツバ装置 CZD— SYSとを備えている。露光装置 EX— SYSは、コータ 'デベロツバ装置 CZD— SYSとの接続部を形成するインターフェース部 IFと、投影光学系 P Lと基板 Pとの間を液体 LQで満たし、投影光学系 PLと液体 LQとを介して、マスクに形成されたパターンを基板 P上に投影して基板 Pを露光する露光装置本体 EXと、ィンターフェース部 IFと露光装置本体 EXとの間で基板 Pを搬送する基板搬送装置としての搬送システム Hと、搬送システム Hの搬送経路の途中に設けられ、基板 Pの表面に付着した液体 LQを除去する液体除去システム 100と、露光装置 EX— SYS全体の動作を統括制御する制御装置 CONTとを備えて、る。コータ ·デベロツバ装置 CZD —SYSは、露光処理される前の基板 Pの基材に対してフォトレジスト (感光剤）を塗布する塗布装置 Cと、露光装置本体 EXにおヽて露光処理された後の基板 Pを現像処理する現像装置 (処理装置) Dとを備えて、る。露光装置本体 EXはクリーン度が管理された第 1チャンバ装置 CH1内部に配置されている。一方、塗布装置 C及び現像装置 Dは第 1チャンバ装置 CH1とは別の第 2チャンバ装置 CH2内部に配置されている。そして、露光装置本体 EXを収容する第 1チャンバ装置 CH1と、塗布装置 C及び現像装置 Dを収容する第 2チャンバ装置 CH2とは、インターフェース部 IFを介して接続されている。ここで、以下の説明において、第 2チャンバ装置 CH2内部に収容されて Vヽる塗布装置 C及び現像装置 Dを合わせて「コータ ·デベロツバ本体 CZD」と適宜称する。

図 1に示すように、露光装置本体 EXは、露光光 ELでマスクステージ MSTに支持されているマスク Mを照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターンの像を基板 P上に投影する投影光学系 PLと、基板 Pを支持する基板ステージ PSTとを備えている。また、本実施形態における露光装置本体 EXは、マスク Mと基板 Pとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに露光する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ )である。以下の説明において、水平面内においてマスク Mと基板 Pとの同期移動方向（走査方向）を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸方向（非走査方向）、 X軸及び Y軸方向に垂直で投影光学系 PLの光軸 AXと一致する方向を Z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及び θ Ζ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。

[0029] 搬送システム Ηは、露光処理される前の基板 Ρを基板ステージ PSTに搬入 (ロード）する第 1搬送機構としての第 1アーム HIと、露光処理された後の基板 Pを基板ステージ PSTから搬出（アンロード)する第 2搬送機構としての第 2アーム H2とを備えて、る。塗布装置 C力搬送された露光処理前の基板 Pはインターフェース部 IFを介して第 3アーム H3に渡される。第 3アーム H3は、基板 Pをブリアライメント部 PALに渡す。ブリアライメント部 PALは、基板ステージ PSTに対して基板 Pの大まかな位置合わせを行う。ブリアライメント部 PALで位置合わせされた基板 Pは第 1アーム HIによって基板ステージ PSTにロードされる。露光処理を終えた基板 Pは第 2アーム H2によって基板ステージ PSTよりアンロードされる。第 2アーム H2は露光処理後の基板 Pを、その基板 Pの搬送経路の途中に設けられた保持テーブル HTに渡す。保持テーブル H Tは、液体除去システム 100の一部を構成するものであって、渡された基板 Pを一時保持する。保持テーブル HTはカバー部材 70内部に配置されており、カバー部材 70 には、搬送される基板 Pを通過させるための開口部 71、 72が設けられている。開口部 71、 72にはシャツタ部 71A、 72Aが設けられており、開口部 71、 72を開閉する。保持テーブル HTは基板 Pを保持して回転可能であって、その保持テーブル HTの回転によって向きを変えられた基板 Pは、第 4アーム H4に保持され、インターフエ一ス部 IFまで搬送される。インターフェース部 IFに搬送された基板 Pは現像装置 Dに渡される。現像装置 Dは渡された基板 Pに対して現像処理を施す。

[0030] そして、第 1一第 4アーム HI— H4、プリアライメント部 PAL、及び保持テーブル HT も第 1チャンバ装置 CHI内部に配置されている。ここで、第 1、第 2チャンバ装置 CH 1、 CH2それぞれのインターフェース部 IFと対面する部分には開口部及びこの開口部を開閉するシャツタが設けられて、る。基板 Pのインターフェース部 IFに対する搬送動作中にはシャツタが開放される。

[0031] 第 1アーム HIは露光処理される前の基板 Pを保持して基板ステージ PSTにロードする。一方、第 2アーム H2は液浸露光処理された後の液体 LQが付着している可能性のある基板 Pを保持して基板ステージ PSTよりアンロードする。このように、露光処理前の基板 Pを搬送する第 1アーム HIと、液体 LQが付着している可能性のある露光処理後の基板 Pを搬送する第 2アーム H2とを使、分けて、るので、第 1アーム HI には液体 LQが付着することなぐ基板ステージ PSTにロードされる基板 Pの裏面などへの液体 LQや異物の付着を防止することができる。したがって、基板ステージ PST の基板ホルダが基板 Pを真空吸着保持する構成であっても、基板ホルダの吸着穴を介して真空ポンプなどの真空系に液体 LQが浸入する不都合の発生を防止することができる。

[0032] ここで、本例の搬送システム Hでは、露光処理部の一部としての基板ステージ PST に基板を搬入する第 1アーム HIに対して、基板ステージ PSTから基板を搬出する第 2アーム H2が下方に配置されている。これは、第 2アーム H2で搬送する露光処理後の基板に付着した液体が第 1アーム HI又は第 1アーム HIが搬送する露光処理前の基板 Pの少なくとも一方に落下し、第 1アーム HIで搬送する露光処理前の基板にその液体が付着するのを防止するためである。また、本例の搬送システム Hは、第 1ァーム HIと第 1アーム HIが搬送する基板 Pとの少なくとも一方に対し、第 2アーム H2と第 2アーム H2が搬送する基板との少なくとも一方からの液体の飛散を抑制する飛散抑制機構 110を備えている。

[0033] 図 3は、飛散抑制機構 110の構成例を模式的に示している。

[0034] 図 3において、飛散抑制機構 110は、第 1アーム HIの搬送空間と、第 2アーム H2 の搬送空間との間に設けられた仕切部材 111と、この仕切部材 111に形成された開口部 112を開閉する開閉部材 113と、開閉部材 113を駆動する駆動装置 114とを含んで構成されている。

[0035] 仕切部材 111は、板状部材からなり、第 1アーム HIの搬送空間と、第 2アーム H2 の搬送空間との間に壁を設け、両空間の間での直接的な気体の流れを遮るものである。また、仕切部材 111は、各アーム HI、 H2の移動の妨げとならないように配設される一方で、仕切部材 111には、第 1アーム HIの搬送空間と第 2アーム H2の搬送空間との一部を連通する開口部 112が形成されている。この開口部 112は、基板の受け渡し時などにおける各アーム H1、H2と仕切部材 111との干渉を避けるためのものであり、第 1アーム HI及び第 2アーム H2の各動作に基づいて、形成される位置ゃ大きさ、数等が適宜定められる。また、仕切部材 111の開口部 112には、開閉部材 113 が摺動自在に配設されており、この開閉部材 113は、駆動装置 114により駆動される。なお、開閉部材 113などの摺動部に摺動性改善剤を使用する場合は、揮散物 (炭化物などの有機物質)の発生が抑制された物質、例えばフッ素系グリース等が用いられる。

[0036] 上記構成の搬送システム Hでは、チャンバ CH1 (図 2参照）内の気流の影響などで第 2アーム H2で搬送中の露光処理後の基板から液体が飛散するおそれがあるものの、飛散抑制機構 110によって、第 1アーム HIあるいは第 1アーム HIで搬送中の基板への液体の付着が防止される。すなわち、仮に第 2アーム H2上の基板力液体が飛散しても、仕切部材 111によって、その液体の空気中での移動が遮られ、第 1ァーム H 1あるいは第 1アーム H 1で搬送中の基板への液体の付着が防止される。

[0037] なお、基板の受け渡し時などにおいて、開口部 112の開閉部材 113が適宜開状態となり、開口部 112を介してアーム Hl、 H2の移動動作が行われる。これにより、ァーム Hl、 H2と仕切部材 111との干渉が回避される。

[0038] 図 4は、露光装置本体 EXの概略構成図である。

[0039] 照明光学系 ILは、マスクステージ MSTに支持されているマスク Mを露光光 ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光 ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 ELによるマスク M上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 ILにより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 IL力射出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプ力射出される紫外域の輝線 (g線、 h 線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）や、 Ar Fエキシマレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（波長 157nm)等の真空紫外光

2

(VUV光)などが用いられる。本実施形態では、 ArFエキシマレーザ光を用いた場合を例に挙げて説明する。

[0040] マスクステージ MSTは、マスク Mを支持するものであって、投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回転可能である。マスクステージ MSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置 MS TDにより駆動される。マスクステージ駆動装置 MSTDは制御装置 CONTにより制御される。マスクステージ MST上には移動鏡 56が設けられ、移動鏡 56に対向する位置にはレーザ干渉計 57が設けられて!/、る。マスク Mを保持したマスクステージ MST の 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTはレーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置 MSTDを駆動することでマスクステージ M STに支持されて!、るマスク Mの位置決めを行う。

[0041] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 13で基板 Pに投影露光するものであって、複数の光学素子（レンズやミラー）で構成されており、これら光学素子は鏡筒 PK内に収容されている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 j8が例えば 1Z4あるいは 1Z5の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系 PLの先端側 (基板 P側）には、光学素子（レンズ) 2が鏡筒 PKより露出している。この光学素子 2は鏡筒 PKに対して着脱 (交換)可能に設けられて、る。

[0042] 光学素子 2は蛍石で形成されて、る。蛍石は純水との親和性が高!、ので、光学素子 2の先端面 (液体接触面） 2aのほぼ全面に液体 LQを密着させることができる。すなわち、本実施形態にぉ、ては光学素子 2の液体接触面 2aとの親和性が高、液体（水) LQを供給するようにしているので、光学素子 2の液体接触面 2aと液体 LQとの密着性が高い。

なお、光学素子 2は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子 2の液体接触面 2aに親水化 (親液化)処理を施して、液体 LQとの親和性をより高めるようにしてもよい。

[0043] 基板ステージ PSTは、基板 Pを支持するものであって、基板 Pを基板ホルダを介して保持する Zステージ 51と、 Zステージ 51を支持する XYステージ 52と、 XYステージ 52を支持するベース 53とを備えて、る。基板ステージ PSTはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置 PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動装置 PSTDは制御装置 CONTにより制御される。 Zステージ 51を駆動することにより、 Zステージ 51に保持されている基板 Pの Z軸方向における位置（フォーカス位置）、及び Θ X、 Θ Y方向における位置が制御される。また、 XYステージ 52を駆動することにより、基板 Pの XY方向における位置 (投影光学系 PLの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、 Zステージ 51は、基板 Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板 P の表面をオートフォーカス方式、及びオートレべリング方式で投影光学系 PLの像面に合わせ込み、 XYステージ 52は基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決めを行う。なお、 Zステージと XYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。

[0044] 基板ステージ PST(Zステージ 51)上には移動鏡 54が設けられている。また、移動鏡 54に対向する位置にはレーザ干渉計 55が設けられている。基板ステージ PST上の基板 Pの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 55によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTはレーザ干渉計 55の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置 PSTDを駆動することで基板ステージ PSTに支持されている基板 Pの位置決めを行う。

[0045] 本実施形態では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに、焦点深度を実質的に広くするために、液浸法を適用する。そのため、少なくともマスク Mのパターンの像を基板 P上に転写している間は、基板 Pの表面と投影光学系 PLの光学素子 2の先端面 2aとの間に所定の液体 LQが満たされる。上述したように、投影光学系 PLの先端側には光学素子 2が露出しており、液体 LQは光学素子 2のみに接触するように構成されている。これにより、金属からなる鏡筒 PKの腐蝕等が防止されている。本実施形態において、液体 LQには純水が用いられる。純水は、 ArFエキシマレーザ光のみならず、露光光 ELを例えば水銀ランプ力射出される紫外域の輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）とした場合にも、この露光光 ELを透過可能である。

[0046] 露光装置本体 EXは、投影光学系 PLの光学素子 2の先端面 2aと基板 Pとの間に液体 LQを供給する液体供給機構 10と、基板 P上の液体 LQを回収する液体回収機構 20とを備えている。液体供給機構 10は、基板 P上に液浸領域 AR2を形成するために所定の液体 LQを供給するものであって、液体 LQを送出可能な液体供給装置 11 と、液体供給装置 11に供給管 12を介して接続され、この液体供給装置 11から送出された液体 LQを基板 P上に供給する供給口を有する供給ノズル 13とを備えて、る。供給ノズル 13は基板 Pの表面に近接して配置されている。

[0047] 液体供給装置 11は、液体 LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えており、供給管 12及び供給ノズル 13を介して基板 P上に液体 LQを供給する。また、液体供給装置 11の液体供給動作は制御装置 CONTにより制御され、制御装置 CONTは液体供給装置 11による基板 P上に対する単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。また、液体供給装置 11は液体 LQの温度調整機構を有しており、装置が収容されるチャンバ内の温度とほぼ同じ温度 (例えば 23°C)の液体 LQを基板 P上に供給するようになっている。

[0048] 液体回収機構 20は基板 P上の液体 LQを回収するものであって、基板 Pの表面に接触することなぐ近接して配置された回収ノズル 23と、この回収ノズル 23に回収管 22を介して接続された液体回収装置 21とを備えている。液体回収装置 21は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置)及び回収した液体 LQを収容するタンク等を備えており、基板 P上の液体 LQを回収ノズル 23及び回収管 22を介して回収する。液体回収装置 21の液体回収動作は制御装置 CONTにより制御され、制御装置 CONT は液体回収装置 21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。

[0049] 走査露光時には、投影光学系 PLの先端の光学素子 2の直下の投影領域 AR1にマスク Mの一部のパターン像が投影され、投影光学系 PLに対して、マスク Mがー X方向（又は +X方向）に速度 Vで移動するのに同期して、 XYステージ 52を介して基板 Pが +X方向（又は- X方向）に速度 β ·ν ( βは投影倍率)で移動する。そして、 1つのショット領域への露光終了後に、基板 Ρのステッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ ·アンド'スキャン方式で各ショット領域に対する露光処理が順次行われる。本実施形態では、基板 Ρの移動方向に沿って液体 L Qを流すように設定されて、る。

[0050] 図 5は、投影光学系 PLの投影領域 AR1と、液体 LQを X軸方向に供給する供給ノズル 13 (13A— 13C)と、液体 LQを回収する回収ノズル 23 (23A、 23B)との位置関係を示す図である。図 5において、投影光学系 PLの投影領域 AR1の形状は Y軸方向に細長い矩形状となっており、その投影領域 AR1を X軸方向に挟むように、 +X方向側に 3つの供給ノズル 13A— 13Cが配置され、 X方向側に 2つの回収ノズル 23 A、 23Bが配置されている。そして、供給ノズル 13 A— 13Cは供給管 12を介して液体供給装置 11に接続され、回収ノズル 23A、 23Bは回収管 22を介して液体回収装置 21に接続されている。また、供給ノズル 13A— 13Cと回収ノズル 23A、 23Bとをほぼ 180° 回転した位置関係で、供給ノズル 15A— 15Cと、回収ノズル 25A、 25Bとが配置されている。供給ノズル 13A— 13Cと回収ノズル 25A、 25Bとは Y軸方向に交互に配列され、供給ノズル 15A— 15Cと回収ノズル 23A、 23Bとは Y軸方向に交互に配列され、供給ノズル 15A— 15Cは供給管 14を介して液体供給装置 11に接続され、回収ノズル 25A、 25Bは回収管 24を介して液体回収装置 21に接続されている。

そして、矢印 Xaで示す走査方向（一 X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管 12、供給ノズル 13A— 13C、回収管 22、及び回収ノズル 23A、 2 3Bを用いて、液体供給装置 11及び液体回収装置 21により液体 LQの供給及び回収が行われる。すなわち、基板 Pがー X方向に移動する際には、供給管 12及び供給ノズル 13 (13A— 13C)を介して液体供給装置 11から液体 LQが基板 P上に供給されるとともに、回収ノズル 23 (23A、 23B)及び回収管 22を介して液体 LQが液体回収装置 21に回収され、投影光学系 PLと基板 Pとの間を満たすように X方向に液体 LQが流れる。一方、矢印 Xbで示す走査方向（+X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管 14、供給ノズル 15A— 15C、回収管 24、及び回収ノズル 25A、 25Bを用いて、液体供給装置 11及び液体回収装置 21により液体 LQの供給及び回収が行われる。すなわち、基板 Pが +X方向に移動する際には、供給管 14 及び供給ノズル 15 (15A— 15C)を介して液体供給装置 11から液体 LQが基板 P上に供給されるとともに、回収ノズル 25 (25A、 25B)及び回収管 24を介して液体 LQ が液体回収装置 21に回収され、投影光学系 PLと基板 Pとの間を満たすように +X方向に液体 LQが流れる。このように、制御装置 CONTは、液体供給装置 11及び液体回収装置 21を用いて、基板 Pの移動方向に沿つて基板 Pの移動方向と同一方向へ液体 LQを流す。この場合、例えば液体供給装置 11から供給ノズル 13を介して供給される液体 LQは基板 Pの X方向への移動に伴って投影光学系 PLと基板 Pとの間に引き込まれるようにして流れるので、液体供給装置 11の供給エネルギーが小さくでも液体 LQを投影光学系 PLと基板 Pとの間に容易に供給できる。そして、走査方向に応じて液体 LQを流す方向を切り替えることにより、 +X方向、又は X方向のどちらの方向に基板 Pを走査する場合にも、投影光学系 PLと基板 Pとの間を液体 LQで満たすことができ、高、解像度及び広、焦点深度を得ることができる。

[0052] 図 6は、液体除去システム 100を示す図である。液浸露光後の基板 Pを保持した第 2アーム H2は、保持テーブル HTを収容したカバー部材 70の内部に開口部 71より進入する。このとき制御装置 CONTはシャツタ部 71Aを駆動して開口部 71を開放している。一方、開口部 72はシャツタ部 72Aにより閉じられている。そして、保持テープル HTに基板 Pを渡す前に、不図示の吹付ノズルが基板 Pの裏面に気体を吹き付けて、その基板 Pの裏面に付着している液体を除去する。次いで、第 2アーム H2は基板 Pを保持テーブル HTに渡す。保持テーブル HTは渡された基板 Pを真空吸着保持する。

[0053] カバー部材 70内部には、液体除去システム 100の一部を構成する吹付ノズル 103 が配置されており、吹付ノズル 103には流路 105を介して気体供給系 104が接続されている。流路 105には、基板 Pに対して吹き付ける気体中の異物（ゴミやオイルミスト）を除去するフィルタが設けられている。そして、気体供給系 104が駆動すること〖こより、流路 105を介して吹付ノズル 103より所定の気体が基板 Pの表面に吹き付けられ、基板 Pの表面に付着して、る液体 LQは吹き付けられた気体によって飛ばされて除去される。

[0054] カバー部材 70には、液体回収部 80が回収管 81を介して接続されている。回収管 81にはその回収管 81の流路を開閉するバルブ 82が設けられている。基板 Pから飛ばされた液体 LQはカバー部材 70に接続されている液体回収部 80により回収される。液体回収部 80はカバー部材 70内部の気体を飛散した液体 LQとともに吸引することで、基板 Pから飛ばされた液体 LQを回収する。ここで、液体回収部 80は、カバー部材 70内部の気体及び飛散した液体 LQの吸弓 I動作を継続的に行う。これにより、カバー部材 70の内壁や底などカバー部材 70内部に液体 LQが留まらないので、力バー部材 70内部の湿度が大きく変動することはない。また、シャツタ部 71A、 72Aが開放されたときにも、カバー部材 70内の湿った気体がカバー部材 70の外へ流れ出ることちない。

[0055] 以上説明したように、本例のデバイス製造システム SYSでは、露光装置本体 EXにおいて、液浸法に基づく露光処理を行う。露光処理後の基板には液体が付着しているものの、飛散抑制機構 110により、その液体が露光処理前の基板やその基板を搬送する第 1アーム HIに付着するのが防止される。その結果、露光処理前の基板に液体が付着することによる露光精度の低下が防止されるとともに、第 1アーム HIに液体が付着することによる動作不良や環境変化が防止される。したがって、このデバイス製造システム SYSでは、高精度に露光処理を行うことができる。

[0056] 図 7—図 9は、飛散抑制機構 110の他の形態例を示している。

[0057] 図 7の飛散抑制機構 110は、気体供給装置 121と、気体供給装置 121に配管 122 を介して接続され、気体を吹き出すノズル 123とを備えている。ノズル 123は、第 1ァーム HIと第 2アーム H2との間に配置されるとともに、アーム Hl、 H2の移動方向に複数配置されている。また、ノズル 123は、下向きに気体を吹き出すように配置されている。ここで、ノズル 123としては、吹き出し口がスリット状のもの、複数の孔が形成されたものなど、様々な形態のものが適用可能である。また、配管 122には、気体中の不純物（パーティクルあるはオイルミストなど）を除去する不図示のフィルタが設けられている。本例では、ノズル 123から吹き出す気体として、乾燥空気が用いられる。この他、窒素ガス、ヘリウムガスなどの他の気体を用いてもよい。

[0058] 図 7の飛散抑制機構 110では、気体供給装置 121が駆動され、ノズル 123が気体を吹き出すことにより、第 1アーム HIの搬送空間と第 2アーム H2の搬送空間との間にエアーカーテンを形成する。すなわち、第 1アーム HIの搬送空間と第 2アーム H2 の搬送空間との間に、気体の流れによる壁を形成する。その結果、この飛散抑制機構 110を備える搬送システム Hでは、第 2アーム H2や第 2アーム H2で搬送中の基板力液体が飛散しても、エアカーテンによってその液体の移動が遮られ、第 1アーム HIで搬送中の基板への液体の付着が防止される。エアカーテンの形成方向は、第 1アーム HIから第 2アームに流れる方向や第 1アーム Hl、第 2アーム H2の移動方向であってもよい。

[0059] なお、図 7の飛散抑制機構 110では、エアーカーテンによって液体の飛散を抑制することから、先の図 3に示した板状部材を用いて飛散抑制する構成に比べて、構成の簡素化やコンパクトィ匕が図りやすいという利点がある。なお、エアーカーテンの形成は、液体の飛散の可能性が高いときに限定して行ってもよい。例えば、第 2アーム H2によって露光処理後の基板が搬送される間にのみ、エアーカーテンを形成するとよい。

[0060] 図 8A— Cに示す飛散抑制機構 110は、第 2アーム H2の搬送経路から第 1アーム HIを隔離する隔離機構 130を備えている。隔離機構 130は、第 2アーム H2を収容する収容容器 131と、収容容器 131に設けられ、第 2アーム H2を出し入れするための開閉機構 132とを含んで構成されている。

[0061] 図 8Aに示すように、第 1アーム HIは、露光処理前の基板 (第 1の基板と称する）を基板ステージ PSTに搬入する。第 1アーム HIが第 1の基板を基板ステージ PSTに搬入している間、ブリアライメント部 PALでは、露光処理前の次の基板 (第 2の基板と称する）が基板ステージ PSTに対して大まかな位置合わせを行う。そして、ブリアライメント部 PALで位置合わせされた第 2の基板は第 1アーム HIによって基板ステージ PSTにロードされる。第 1アーム HIによって第 2の基板をロードする際に、露光処理後の第 1の基板が第 2アーム H2によって基板ステージ PSTよりアンロードされる。すなわち、第 2の基板をロードする第 1アーム HIと、第 1の基板をアンロードする第 2ァーム H2とが搬送経路途中ですれ違う際に、第 2アーム H2及び第 2アーム H2が搬送する第 1の基板の少なくとも一方力飛散した液体が第 1アーム HI及び第 1アーム H 1が搬送する第 2基板の少なくとも一方に付着するおそれがある。第 1アーム HI及び第 1アーム HIが搬送する第 2の基板の少なくとも一方に対する液体の付着を防止するために、本例では、図 8Bに示すように、第 1アーム HIと第 2アーム H2とがすれ違う際に、第 1アーム HIを収容容器 131の内部に退避する。第 2アーム H2が収容容器 131、すなわち、第 1アーム HIから離れていった後、第 1アーム HIは、再び収容容器 131から出て、基板ステージ PSTに第 2の基板をロードする。

[0062] このように、本例の搬送システム Hでは、露光処理後の基板を第 2アーム H2で搬送している間、第 1アーム HIを収容容器 131内に隔離する。そのため、第 2アーム H2 及び露光処理後の基板力飛散した液体が、第 1アーム HI又は露光処理前の基板の少なくとも一方に付着するのが防止される。

[0063] なお、第 2アーム H2の搬送経路力第 1アーム HIを隔離する方法は上述したものに限らない。例えば、箱状の容器に限らず、他の形態の部材で第 1アーム HIの隔離を行ってもよい。あるいは、第 2アーム H2によって基板を搬送する間、第 1アーム HI を第 2アーム H2に対して退避させ、液体が飛散しない位置で第 2アーム H2を待機させてもよい。

[0064] 図 9の飛散抑制機構 110は、第 1アーム HIに設けられ、基板を収容する第 1基板収容容器 140と、第 2アーム H2に設けられ、基板を収容する第 2基板収容容器 141 とを備えている。第 1基板収容容器 140は、第 1アーム HIとともに移動し、第 2基板収容容器 141は、第 2アーム H2とともに移動する。また、各収容容器 140、 141には、基板の出し入れを行うための開閉機構 142、 143が配設されている。開閉機構 142、 143は、収容容器 140、 141に設けられた開口部を開閉するように配設され、不図示の駆動装置によって駆動される。

[0065] 第 1アーム HIで露光処理前の基板を搬送する際、その基板は第 1基板収容容器 1 40に収容される。第 1アーム HIによる基板搬送中、第 1基板収容容器 140は、第 1 アーム HIとともに移動する。なお、基板の受け渡しは、第 1基板収容容器 140に設けられた開閉機構 142を介して行われる。露光処理前の基板が第 1基板収容容器 1 40に収容された状態で搬送されることにより、露光処理前の基板への液体の付着が防止される。

[0066] また、第 2アーム H2で露光処理後の基板を搬送する際、その基板は第 2基板収容容器 141に収容される。第 2アーム H2による基板搬送中、第 2基板収容容器 141は、基板を搬送する第 2アーム H2とともに移動する。なお、基板の受け渡しは、第 2基板収容容器 141に設けられた開閉機構 143を介して行われる。露光処理後の基板が第 2基板収容容器 141に収容された状態で搬送されることにより、露光処理後の基板力周囲への液体の飛散が防止される。

[0067] このように、図 9の飛散抑制機構 110では、第 1基板収容容器 140によって露光処理前の基板に対する液体の付着が防止され、また、第 2基板収容容器 141によって露光処理後の基板力周囲への液体の飛散が防止される。そのため、露光処理前の基板への液体の付着が確実に防止される。また、本例では、液体の飛散を抑制する各収容容器 140、 141がアーム Hl、 H2とともに移動するので、基板の搬送動作に無駄が少ない。

[0068] なお、本例では、第 1アーム HI及び第 2アーム H2の双方に基板を収容する基板収容容器を設けてヽるが、基板収容容器は、ずれか一方のアームにだけ設ける構成としてもよい。また、基板収容容器は、液体の侵入や飛散が防げるように例えば箱状に形成されるが、この形態も任意に変形可能である。また、基板の出し入れを行うための開閉機構の代わりに、基板収容容器の開口部にエアーカーテンを形成する構成にしてもよい。開口部にエアーカーテンを形成する構成では、摺動機構を省くことができ、清浄度の管理の点で利点がある。

[0069] 図 10は、露光装置 EX— SYSに対して、基板カセット 150, 151を介して基板の受け渡しを行う場合の構成例を示している。ここで、基板カセット 150, 151はそれぞれ、複数の基板を収容可能に構成されており、複数の露光処理工程間あるいは試験的な露光処理にぉ、て複数の基板を一括ある、は 1枚毎に搬送する場合等に用いられる。

[0070] 本例の露光装置 EX— SYSには、基板カセット 150, 151を設置するための設置部 152, 153が設けられている。設置部 152には、露光処理前の基板を収容するための基板カセット 150が設置され、設置部 153には、露光処理後の基板すなわち、液体が付着した基板を収容するための基板カセット 151が設置されている。すなわち、本例では、露光処理前と露光処理後との間で基板カセットを使!ヽ分けて！/ヽる。

[0071] 図 10の露光装置 EX— SYSにおいて、露光処理前の基板 Pは、設置部 152に設置された基板カセット 150から一枚ずつ取り出される。第 1アーム HIは、基板カセット 1 50から基板 Pを取り出すと、その基板 Pを基板ステージ PSTに搬送する（ロード)。液浸露光後の基板 Pは、基板ステージ PSTから第 2アーム H2によって搬出される。第 2 アーム H2は、基板ステージ PSTから液浸露光後の基板 Pを保持すると、その基板 P を、設置部 153に設置された基板カセット 151に収容する（アンロード)。基板カセット 151に所定枚数の基板が収容されると、その基板カセット 151は例えば現像処理用の装置等に送られる。

[0072] このように、本例の露光装置 EX— SYSでは、液浸露光後の基板を、露光処理前の基板を収容する基板カセット 150とは別の基板カセット 151に戻す。これにより、露光処理前の基板に対し、液浸露光後の基板に付着した液体の飛散が防止される。

[0073] なお、本例の露光装置 EX— SYSにお、て、先に説明したような、基板に付着した液体を除去する液体除去システムを備える場合は、液浸露光後の基板の液体を除去した後にその基板を基板カセット 151に送ってもよい。また、液体除去システムを備える場合、液体除去システムで液体を除去した基板を、露光処理前の基板を収容している基板カセット 150に戻し、液体が付着した基板を、液体除去システムを介さずに他方の基板カセット 151に戻すようにしてもよ!、。

[0074] 図 11は、図 2に示す露光装置 EX— SYSに、基板カセット 160, 161の設置部 162 , 163を設けた構成例を示している。設置部 162には、ロード系（第 1アーム Hl、第 3 アーム H3など)力送られる基板 Pを収容する基板カセット 160が設置され、設置部 163には、アンロード系（第 2アーム H2、第 4アーム H4など）から送られる基板 Pを収容する基板カセット 161が設置されて、る。

[0075] 図 11の露光装置 EX— SYSでは、例えば、結像性能が悪化する等の不具合が発生した際において、基板カセット 160, 161が用いられる。具体的には、不具合発生時、ロード系（第 1アーム Hl、第 3アーム H3など）が保持する基板 Pは基板カセット 160 に回収され、アンロード系（第 2アーム H2、第 4アーム H4など）が保持する基板 Pは基板カセット 161に回収される。不具合発生時において、ロード系が保持する基板 P は露光処理前であるので液体が付着して、な、可能性が高、のに対し、アンロード系が保持する基板 Pは露光処理後であるので液体が付着している可能性が高い。そのため、本例のように、ロード系とアンロード系とで基板を回収する基板カセットを使い分けることにより、ロード系から回収される露光処理前の基板に対し、アンロード系力回収した基板からの液体の飛散が防止される。これにより、ロード系から回収した基板の再利用化が図られる。

[0076] この構成にぉ、て、前述した液体除去システムを備える場合には、液体除去システムで基板に付着した液体を除去した後、基板カセット 161に回収してもよい。

[0077] ただし、回収された基板 Pに対して再び露光処理を行う際には、露光処理を速やかに行うために、基板表面に液体が付着した状態にあるほうが望ましい場合がある。この場合には、液体除去システムを介さずに基板カセット 161に回収すればよい。

[0078] また、この構成にぉ、て、液体除去システムの代わりに、基板表面上に付着した液体の有無を検出する検出機構を備える場合には、検出機構の検出結果に基づいて

、基板を回収する基板カセット 160を使、分けてもょ、。

[0079] ここで、液浸法による露光処理に関して、本実施形態では、露光処理で用いる液体

LQとして純水を用いている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや光学素子 (レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。

また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。

[0080] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。

[0081] なお、本実施形態では、投影光学系 PLの先端にレンズ 2が取り付けられているが、投影光学系 PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コマ収差等）の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよ、。

[0082] また、液体 LQの流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧力によって光学素子が動かな、ように堅固に固定してもよ、。

[0083] また、本実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 LQで満たされている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板力もなるカバーガラスを取り付けた状態で液体 LQを満たす構成であってもよヽ。

[0084] また、露光光として Fレーザ光を用いる場合は、液体として Fレーザ光を透過可能

2 2

なフッ素系の液体、例えば、フッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル（PFPE)などを用いればよい。

[0085] また、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミツクウエノ、、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。

[0086] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間を局所的に液体で満たす露光装置を採用している力特開平 6— 124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、特開平 10— 303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。

[0087] 露光装置 (露光装置本体) EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク M のパターンを走査露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキヤニンダステッノ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ'アンド'リピート方式の投影露光装置 (ステツパ）にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2 つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる。

[0088] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

[0089] 基板ステージ PSTやマスクステージ MSTにリニアモータ（USP5,623,853または

USP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ PST、 MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよぐガイドを設けないガイドレスタイプであってもよ、。

[0090] 各ステージ PST、 MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュ-ットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ PST、 MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ PST、 MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ュニットとの他方をステージ PST、 MSTの移動面側に設ければよ!、。

[0091] 基板ステージ PSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないように、特開平 8— 166475号公報（USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。マスクステージ MSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないように、特開平 8— 330224号公報（ US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

[0092] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

[0093] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 12に示すように、マイクロデバイスの機能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージェ程を含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するちのと了解される。

Claims

請求の範囲

[1] 投影光学系と液体を介した露光処理を行う露光処理部に対して、基板を搬入する第 1搬送機構と、

前記基板を前記露光処理部から搬出する第 2搬送機構と、

前記第 1搬送機構と該第 1搬送機構が搬送する基板との少なくとも一方に対し、前記第 2搬送機構と前記第 2搬送機構が搬送する基板との少なくとも一方力の前記液体の飛散を抑制する飛散抑制機構とを備えることを特徴とする基板搬送装置。

[2] 前記飛散抑制機構は、前記第 1搬送機構の搬送空間と、前記第 2搬送機構の搬送空間との間に設けられた仕切部材を有することを特徴とする請求項 1に記載の基板

[3] 前記仕切部材は、前記第 1搬送機構の搬送空間と、前記第 2搬送機構の搬送空間との少なくとも一部を連通する開口部と、前記開口部を開閉する開閉部材とを有することを特徴とする請求項 2に記載の基板搬送装置。

[4] 前記飛散抑制機構は、前記第 2搬送機構が前記液体が付着した前記基板を搬送する間、前記液体が付着する前の基板を搬送する前記第 1搬送機構を前記第 2搬送機構の搬送経路から隔離する隔離機構を有することを特徴とする請求項 1に記載の

[5] 前記飛散抑制機構は、前記第 1搬送機構の搬送空間と、前記第 2搬送機構の搬送間との間に、エアーカーテンを形成することを特徴とする請求項 1に記載の基板搬

[6] 前記飛散抑制機構は、前記第 1搬送機構に設けられ、前記液体が付着する前の基板を収容する第 1基板収容容器を有することを特徴とする請求項 1に記載の基板搬

[7] 前記飛散抑制機構は、前記第 2搬送機構に設けられ、前記液体が付着した後の基板を収容する第 2基板収容容器を有することを特徴とする請求項 1又は請求項 6に記載の基板搬送装置。

[8] 前記第 1基板収容容器及び前記第 2基板収容容器は、前記基板の出入れを行うための開閉機構を備えることを特徴とする請求項 6又は請求項 7に記載の基板搬送装

[9] 投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置において、

前記液体が付着した基板を収容する第 1の収容容器と、

前記液体が付着してヽなヽ基板を収容する第 2の収容容器とを備えることを特徴とする基板搬送装置。

[10] 前記液体が付着した基板を収容する第 1搬送機構と、

前記液体が付着して!/ヽなヽ基板を収容する第 2搬送機構と、

前記第 1搬送機構と該第 1搬送機構が搬送する前記基板との少なくとも一方に対し

、前記第 2搬送機構と前記第 2搬送機構が搬送する前記基板との少なくとも一方からの前記液体の飛散を抑制する飛散抑制機構とを備えることを特徴とする請求項 9に記載の基板搬送装置。

[11] 投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たした状態で、マスクに形成されたパターンの像を前記基板上に投影して、前記基板を露光する露光処理部を備える露光装置において、

請求項 1から請求項 10のいずれか一項に記載の基板搬送装置を備えることを特徴とする露光装置。

[12] 請求項 11に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。