WO2005041277A1 - 照明光学装置及び投影露光装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to illumination technology and exposure technology used in lithography for manufacturing various devices such as semiconductor integrated circuits (LSI etc.), imaging devices, or liquid crystal displays, and more specifically to a mask pattern.
  • the present invention relates to an illumination technique and an exposure technique for illuminating the light with light of a predetermined polarization state.
  • the present invention also relates to a device manufacturing technique using the exposure technique.
  • a reticle (or a photomask etc.) is drawn as a mask drawn by proportionately expanding the pattern to be formed by about 4 to 15 times.
  • a method is used in which the pattern of) is reduced and exposed and transferred onto a wafer (or a glass plate or the like) as a substrate to be exposed (photosensitive material) via a projection optical system.
  • projection exposure apparatuses such as a stationary exposure type such as a stepper and a scanning exposure type such as a scanning stepper are used.
  • the resolution of the projection optical system is proportional to the exposure wavelength divided by the numerical aperture (NA) of the projection optical system.
  • the numerical aperture (NA) of the projection optical system is obtained by multiplying the sine (sin) of the maximum incident angle of the illumination light for exposure onto the wafer by the refractive index of the medium through which the luminous flux passes.
  • the exposure wavelength of a projection exposure apparatus has been further shortened.
  • the main exposure wavelength is 248 mm of KrF excimer laser, but 193 nm of shorter wavelength ArF excimer laser is also in the stage of practical use.
  • NA of the current state-of-the-art projection optical system is about 0.8.
  • the pattern to be transferred is transferred.
  • a method using a so-called phase shift reticle, or so-called super resolution such as annular illumination, dipole illumination, and quadrupole illumination that controls the incident angle distribution of illumination light to the reticle to a predetermined distribution.
  • the technology is also put to practical use.
  • the annular illumination limits the incident angle range of the illumination light to the reticle to a predetermined angle, that is, the distribution of the illumination light in the pupil plane of the illumination optical system is centered on the optical axis of the illumination optical system.
  • a predetermined annular zone region it is effective to improve the resolution and the depth of focus (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-91662).
  • the incident direction of the illumination light when the pattern on the reticle, which is not present only in the incident angle range, is a pattern having a specific directionality, the incident direction of the illumination light also corresponds to the directionality of the pattern.
  • the contrast of the transferred image is obtained by setting the illumination light to a linearly polarized light having a polarization direction (electric field direction) in the direction orthogonal to the periodic direction of the pattern, ie, in the direction parallel to the longitudinal direction of the pattern.
  • a polarization direction electric field direction
  • the polarization direction of the illumination light is made to coincide with the circumferential direction in the annular zone in which the illumination light is distributed on the pupil plane of the illumination optical system.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-109601
  • Non-Patent Document 1 Thimothy A. Brunner, et al .: High NA Lithographic imaging at Brewster's angel ”, SPIE (US) Vol. 4691, pp. 1-24 (2002)
  • the polarization state of the illumination light is linearly polarized so as to substantially coincide with the circumferential direction of the annular zone. If this happens, the loss of the amount of illumination light will increase, and there is a problem that the illumination efficiency will decrease.
  • the illumination light emitted is uniform linearly polarized light. If this is guided to the reticle while maintaining its original polarization state, the reticle is illuminated with uniform linearly polarized light, so that it coincides with the circumferential direction of the annular zone of the pupil plane of the illumination optical system as described above. It is impossible to realize linearly polarized light, and it goes without saying! /.
  • the linearly polarized light emitted from the light source is once converted into randomly polarized light, and then the polarization filter, the polarized beam splitter, etc. It has been necessary to adopt a method or the like of selecting a desired polarization component from illumination light having random polarization power by using the polarization selection element of the above.
  • the energy of the randomly polarized illumination light contained in a predetermined linear polarization component that is, only about half of the energy can be used as illumination light for the reticle, so that the amount of illumination light can be reduced.
  • the throughput (throughput) of the exposure apparatus decreases, which causes a large loss and, consequently, a loss of exposure power to the wafer.
  • the polarization state of the illumination light in the 2-pole or 4-pole region is set to a predetermined state. There was a problem that the lighting efficiency decreased when trying to set it.
  • the present invention has been made in view of such problems, and provides an exposure technique capable of reducing the light quantity loss when illuminating a mask such as a reticle with illumination light of a predetermined polarization state. It is the first purpose.
  • the reduction of the illumination light quantity can be reduced. It is a second object of the present invention to provide an illumination technology and an exposure technology capable of improving resolution etc. with almost no decrease in processing capacity.
  • Another object of the present invention is to provide a device manufacturing technology capable of manufacturing a high performance device with high processing power by using the above-mentioned exposure technology.
  • Bracketed reference numerals attached to the following respective elements of the present invention correspond to the configuration of the embodiment of the present invention described later. Although each symbol is merely an example of the element, each element Not limited to the configuration of that embodiment.
  • a first projection exposure apparatus comprises an illumination optical system (ILS) for irradiating illumination light from a light source (1) onto a first object (R), and an image of a pattern on the first object as a second object (W) a projection exposure apparatus having a projection optical system (25) for projecting onto, the light source generating the illumination light in a substantially single polarization state, the illumination optical system It has a plurality of birefringent members (12, 13) arranged along the traveling direction of the illumination light, and the direction of the phase advancing axis of at least one of the plurality of birefringent members is the other Of the illumination light, the specific illumination light irradiated to the first object in the specific incident angle range is different from the direction of the fast axis of the birefringence member in the polarization state mainly composed of S-polarization. It is light.
  • ILS illumination optical system
  • a first illumination optical device is an illumination optical device for illuminating the first object (R) with illumination light from a light source (1), and along the traveling direction of the illumination light
  • the direction of the fast axis of at least one of the plurality of birefringent members (12, 13) disposed and the direction of the fast axis of at least one of the plurality of birefringent members is the fast phase of the other birefringent member
  • the specific illumination light to be emitted to the first object at a specific incident angle range is It is light of a polarized state mainly composed of polarized light.
  • the illumination light having the light source power emitted therefrom has the plurality of birefringences.
  • the polarization state after passing through the member can be, for example, in a ring-shaped zone centered on the optical axis mainly polarized in the circumferential direction centered on the optical axis.
  • the exit surfaces of the plurality of birefringent members for example, at a position close to the pupil plane of the illumination optical system, the illumination light (specific illumination light) that has passed through the annular region is With almost no light loss, the first object is illuminated in a predetermined polarization state mainly composed of s-polarization.
  • the first object may have a light flux limiting member (9a, 9b) for limiting the illumination light emitted to the first object to the specific illumination light.
  • a light flux limiting member (9a, 9b) for limiting the illumination light emitted to the first object to the specific illumination light.
  • This causes the first object to be illuminated at substantially annular illumination conditions.
  • the illumination light substantially S-polarized on the first object with this annular illumination, rays arranged at a fine pitch in any direction on the first object can be obtained. Since the projection image of the n &'space pattern is mainly imaged by illumination light whose polarization direction is parallel to the longitudinal direction of the line pattern, imaging characteristics such as contrast, resolution, and depth of focus are improved.
  • the light flux limiting member may further limit the incident direction of the illumination light emitted to the first object to a plurality of specific substantially discrete directions.
  • illumination is performed by two-pole illumination, four-pole illumination, etc., so that the imaging characteristics of the line-and-space pattern arranged at a fine pitch in a predetermined direction are improved.
  • a second projection exposure apparatus comprises an illumination optical system (ILS) for illuminating the first object (R) with illumination light from a light source (1) and an image of a pattern on the first object
  • ILS illumination optical system
  • a projection exposure apparatus comprising a projection optical system (25) for projecting onto a second object (W), the light source producing the illumination light in a substantially single polarization state, the illumination optical system Has a plurality of birefringent members (12, 13) disposed along the traveling direction of the illumination light, and a direction of a phase advance axis of at least one of the plurality of birefringent members.
  • the illumination light passing through at least a partial area in the specific annular area (36) which is the annular area is polarized in the circumferential direction of the specific annular area. It is those wherein the polarization state consisting primarily of linear polarization with.
  • the light source power of the plurality of birefringent members is also specified as the specific annular zone region among the emitted illumination light.
  • a state in which at least a part of the polarization state of the illumination light passing through is mainly composed of linearly polarized light whose polarization direction is the circumferential direction of the specific annular zone, with almost no light loss (predetermined polarization State).
  • the light flux limiting member may further limit the light flux to a plurality of substantially discrete regions within the particular annular zone region. In these cases, it is possible to realize ring-shaped illumination, 2-pole illumination, 4-pole illumination, etc., which hardly reduce the amount of illumination light.
  • the light flux limiting member is, for example, the light source (1) and the plurality of birefringent members (12 , 13) and includes a diffractive optical element.
  • a diffractive optical element By using a diffractive optical element, light quantity loss can be further reduced.
  • At least one member of the plurality of birefringent members is provided between the linearly polarized light component parallel to the fast axis and the linearly polarized light component parallel to the slow axis of the transmitted light.
  • An inhomogeneous waveplate (12, 13) in which the phase difference between polarizations varies nonlinearly with the position of the member.
  • the non-uniform wavelength plate has rotational symmetry twice around the optical axis of the illumination optical system with respect to the particular illumination light or the illumination light distributed in the particular annular zone region.
  • a first non-uniform wave plate (12) may be included to provide interphase retardation.
  • the non-uniform wavelength plate has a phase difference between polarized light having rotational symmetry about the optical axis of the illumination optical system with respect to the particular illumination light or the illumination light distributed in the particular annular zone region. It may further comprise a second non-uniform wave plate (13) to provide.
  • the directions of the fast axes are mutually offset by 45 ° with the optical axis of the illumination optical system as the rotation center. is there. This facilitates control of the polarization state of the illumination light after passing through the two nonuniform wavelength plates.
  • it may further include an optical integrator (14) disposed between the plurality of birefringent members and the first object. This improves the uniformity of the illuminance distribution on the first object.
  • it may further include a zoom optical system disposed between the plurality of birefringent members and the optical integrator, a conical prism group (41, 42) having a variable distance, or a polyhedral prism group.
  • a zoom optical system disposed between the plurality of birefringent members and the optical integrator, a conical prism group (41, 42) having a variable distance, or a polyhedral prism group.
  • the Optika Nole integrator is, for example, a fly's eye lens.
  • polarization control mechanism (4) disposed between the light source and the plurality of birefringent members to convert the polarization state of the illumination light as well as the light source power. According to this, The polarization state of the illumination light of the light source power can be converted into a polarization state suitable for a plurality of birefringent members without loss of light quantity.
  • a rotation mechanism may be provided to make some or all of the plurality of birefringent members rotatable about the optical axis of the illumination optical system.
  • the illumination light from the light source can be supplied to the birefringent member in a polarization state suitable for the birefringent member.
  • a plurality of sets of the plurality of birefringence members can be provided, and a plurality of the plurality of sets of the plurality of birefringence members can be exchangeably arranged in the illumination optical system. This can correspond to various patterns to be transferred.
  • an illumination optical system for irradiating illumination light from a light source (1) onto a first object (R), and a pattern on the first object
  • a projection optical system for projecting the image of the light onto the second object (W), the light source producing the illumination light in a substantially single polarization state
  • the illumination optical system has diffractive optical elements (9a, 9b) and birefringent members (12, 13) disposed in order along the traveling direction of the illumination light.
  • the second illumination optical device is an illumination optical device that illuminates the first object with illumination light of light source power, and is disposed in order along the traveling direction of the illumination light. It has an element and a birefringence member.
  • the birefringent member by using the birefringent member, it is possible to efficiently illuminate the first object in a predetermined polarization state having, for example, S polarized light as a main component. Further, the light quantity loss can be extremely reduced by restricting the light quantity distribution of the illumination light incident on the birefringent member to a ring shape or the like by using the diffractive optical element.
  • the diffractive optical element substantially limits the illumination light irradiated to the first object to the specific illumination light irradiated to the first object in a specific incident angle range.
  • the birefringent member makes the specific illumination light a light of polarization state mainly composed of S polarized light.
  • the diffractive optical element may further restrict the incident direction of the illumination light irradiated to the first object to a plurality of specific substantially discrete directions.
  • the diffractive optical element is configured to illuminate the illumination light in the pupil plane in the illumination optical system.
  • the birefringent member is designed to deflect the luminous flux in the circumferential direction. It is also possible to use a polarization state whose main component is linearly polarized light.
  • the diffractive optical element may further limit the light flux to a plurality of substantially discrete areas within the particular annular zone area.
  • the image of the pattern of the mask (R) as the first object is a photosensitive member as the second object (W (W) ) Is exposed.
  • the first object can be illuminated by annular illumination, 2-pole illumination, 4-pole illumination or the like, and the polarization state of the illumination light incident on the first object is substantially S-polarized. Can. Therefore, it is possible to transfer a pattern formed with a fine pitch in a predetermined direction on the mask with good imaging characteristics, with almost no light loss.
  • a device manufacturing method is a device manufacturing method including a lithography process, in which a pattern is transferred onto a photosensitive member using the exposure method of the present invention. According to the present invention, a pattern can be transferred with high throughput and high imaging characteristics.
  • the polarization state of the illumination light is controlled using a plurality of birefringence members, or a diffractive optical element and a birefringence member arranged in order along the traveling direction of the illumination light are used. Since the polarization state of the illumination light is controlled to be used, it is possible to reduce the light quantity loss when illuminating the first object (mask) with the illumination light of the predetermined polarization state.
  • At least one of the specific annular zones can be substantially reduced in illumination light quantity when illuminating the first object with annular illumination, 2-pole illumination, 4-pole illumination, etc.
  • the polarization state of the illumination light passing through the area of the part can be set to a state in which the linear polarization parallel to the circumferential direction of the specific annular area is the main component.
  • the imaging characteristics at the time of exposing a pattern in which a line pattern having a longitudinal direction along the direction of the linearly polarized light on the first object is arranged at a fine pitch are improved. Therefore, it is possible to provide an illumination optical apparatus, a projection exposure apparatus, and an exposure method that can realize improvement of imaging characteristics without a decrease in throughput (throughput).
  • FIG. 1 is a partially cutaway view showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to an example of an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 (A) is a view of the birefringent member 12 in FIG. 1 seen in the + Y direction
  • FIG. 2 (B) is a cross-sectional view taken along line AA 'in FIG.
  • FIG. 3 (A) is a view of the birefringence member 13 in FIG. 1 seen in the + Y direction
  • FIG. 3 (B) is a cross-sectional view taken along line BB 'of FIG. 3 (A).
  • FIG. 4 (A) is a view showing an example of the relationship between the phase difference ⁇ 1 of the first birefringent member 12 and the position X
  • FIG. 4 (B) is a diagram of the second birefringent member 13.
  • FIG. 4C is a view showing an example of the polarization state of the illumination light emitted from the second birefringent member 13.
  • FIG. 4C is a view showing an example of the relationship between the polarization phase difference ⁇ 2 and the position XZ.
  • FIG. 5 is a view showing an example of the polarization state of the illumination light emitted from the first birefringent member 12.
  • FIG. 6 (A) shows another example of the relationship between the polarization retardation ⁇ 1 and the position X in the first birefringent member 12, and FIG. 6 (B) shows the second birefringent member.
  • FIG. 6 (C) shows another example of the polarization state of the illumination light emitted from the second birefringent member 13.
  • FIG. 6 (C) shows another example of the relationship between the inter-polarization retardation ⁇ 2 and the position XZ in 13.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example of the fine periodic pattern PX formed on the reticle R of Fig. 1, and Fig. 7 (B) is the pattern of Fig. 7 (A) under predetermined conditions.
  • FIG. 7 (C) shows the conditions of annular illumination for illuminating the pattern PX of FIG. 7 (A), showing the distribution of diffracted light formed in the pupil plane 26 of the projection optical system when illuminated.
  • Fig. 8 is a perspective view simply showing the relationship between the pupil plane 15 of the illumination optical system ILS in Fig. 1 and the reticle R, and Fig. 8 (B) is a part of Fig. 8 (A). 8 (C) is a view of a part of FIG. 8 (A) in the ⁇ X direction.
  • FIG. 9 shows an embodiment of the present invention, which is disposed between the birefringent members 12 and 13 of FIG. 1 and the fly's eye lens 14 in order to make the radius of the specific annular zone variable. It is a figure which shows several cone prisms which can be done.
  • FIG. 11 is a view showing an example of a lithography process for manufacturing a semiconductor device using the projection exposure apparatus of the embodiment of the present invention.
  • R Reticle
  • W Wafer
  • ILS illumination optical system
  • AX2 illumination system optical axis
  • nf phase advance axis
  • ns slow axis
  • 1 exposure light source
  • 4 polarization control member
  • 9a, 9b diffractive optical element
  • 12 ... first birefringent member
  • 13 ... second birefringent member
  • 14 ⁇ ⁇ fly eye lens
  • 25 ⁇ ⁇ projection optical system
  • 41, 42 Conical prism
  • FIG. 1 is a partially cutaway view showing a schematic configuration of the projection exposure apparatus of the present embodiment.
  • the projection exposure apparatus of the present embodiment is provided with an illumination optical system ILS and a projection optical system 25.
  • the former illumination optical system ILS includes a plurality of optical members arranged along the optical axis (illumination system optical axis) AX1, AX2, AX3 from the exposure light source 1 (light source) to the condenser lens 20 (described in detail later)
  • the illumination field (exposure light) for exposure as the exposure beam from the exposure light source 1 illuminates the illumination field of the pattern surface (reticle surface) of the reticle R as the mask with a uniform illuminance distribution.
  • the latter projection optical system 25 forms an image of the pattern in the illumination field of the reticle R reduced by the projection magnification M (M is a reduction magnification such as 1Z4 or 1Z5) on the exposure substrate ( Project on the exposed area on one shot area on Weno, W coated with a photoresist as a substrate or a photosensitive body.
  • M is a reduction magnification such as 1Z4 or 1Z5
  • the reticle R and the wafer W can also be regarded as a first object and a second object, respectively.
  • Ueno, W is, for example, a disk-shaped substrate having a diameter of about 200 to 300 mm, such as a semiconductor (such as silicon) or S OK silicon on insulator.
  • the projection optical system 25 of this example is, for example, a dioptric system, but a catadioptric system or the like can also be used.
  • the Z axis is parallel to the optical axis AX4 of the projection optical system 25 and in a plane (XY plane) perpendicular to the Z axis
  • the Y axis is taken along the scanning direction of the reticle R and the wafer W (the direction parallel to the paper of FIG. 1) during scanning exposure
  • the X axis is taken along the non-scanning direction (the direction perpendicular to the paper of FIG. 1). Take it and explain.
  • the illumination field of the reticle R is an elongated region in the X direction which is the non-scanning direction
  • the exposure region on the wafer W is an elongated region conjugate to the illumination field.
  • the optical axis AX4 of the projection optical system 25 coincides with the illumination system optical axis AX3 on the reticle R.
  • the reticle R on which the pattern to be exposed and transferred is formed is held by suction on the reticle stage 21.
  • the reticle stage 21 moves in the Y direction on the reticle base 22 at a constant speed and corrects the synchronization error.
  • the reticle R is scanned by finely moving in the direction of rotation around the X, Y, and Z axes.
  • the position in the X direction and Y direction of the reticle stage 21 and the rotation angle are measured by a movable mirror 23 and a laser interferometer 24 provided thereon.
  • the reticle stage drive system 32 controls the position and velocity of the reticle stage 21 via a drive mechanism (not shown) such as a linear motor.
  • a reticle alignment reticle (not shown) for reticle alignment is disposed above the periphery of the reticle R.
  • the wafer W is held by suction on the wafer stage 27 via a wafer holder (not shown), and the wafer stage 27 can be moved at a constant speed in the Y direction onto the wafer base 30. It is placed so that it can be moved stepwise in the X and Y directions.
  • the wafer stage 27 also incorporates a Z leveling mechanism for aligning the surface of the wafer W with the image plane of the projection optical system 25 based on the measurement values of an autofocus sensor (not shown). The position of the wafer stage 27 in the X and Y directions and the rotation angle are measured by the movable mirror 28 and the laser interferometer 29 provided thereon.
  • the wafer stage drive system 33 controls the position and speed of the wafer stage 27 via a drive mechanism (not shown) such as a linear motor based on the measurement value and control information of the main control system 34. Also, in the vicinity of the projection optical system 25, for example, the alignment of an FIA (Field Image Alignment) method by an off-axis method for detecting the position of the alignment mark on the wafer W for wafer alignment. Sensor 31 is deployed!
  • FIA Field Image Alignment
  • alignment of reticle R is performed by the reticle alignment microscope described above, and alignment performed on the wafer W with the circuit pattern in the previous exposure step. Alignment of the wafer W is performed by detecting the position of the fork mark with the alignment sensor 31. Then the illumination field on the reticle R With the illumination light IL illuminated, the reticle stage 21 and Ueno, and the stage 27 are driven to synchronously scan the reticle R and one shot area on the wafer W in the Y direction, and the light emission of the illumination light IL. Is stopped, and the operation of stepping the wafer W in the X direction and the Y direction by driving the wafer stage 27 is repeated.
  • the ratio of scanning speeds of the reticle stage 21 and the wafer stage 27 at the time of the synchronous scanning is the same as that of the projection optical system 25 in order to maintain the imaging relationship between the reticle R and the wafer W through the projection optical system 25. It is equal to the projection magnification M.
  • an ArF (argon fluorine) excimer laser (wavelength 193 nm) is used as the exposure light source 1 of this example.
  • a KrF (krypton fluorine) excimer laser (wavelength 248 nm), an F (fluorine molecule) laser (wavelength 157 nm), or a Kr (tal
  • a laser light source such as a 2 2 -pton molecule laser (wavelength: 146 nm) can also be used.
  • These laser light sources are narrow banded lasers or wavelength-selected lasers, and the illumination light IL emitted from the exposure light source 1 is the above-mentioned narrow band or By the wavelength selection, it is in a polarization state mainly composed of linearly polarized light.
  • the illumination light IL immediately after being emitted from the exposure light source 1 is described to be mainly composed of linearly polarized light whose polarization direction (direction of the electric field) coincides with the X direction in FIG. Do.
  • the illumination light IL emitted from the exposure light source 1 is incident on a polarization control member 4 (details will be described later) as a polarization control mechanism via the relay lenses 2 and 3 along the illumination system optical axis AX1.
  • the illumination light IL emitted from the polarization control member 4 passes through the zoom optical system (5, 6) which is also a combined force of the concave lens 5 and the convex lens 6, and is reflected by the mirror 7 for bending the optical path to the illumination system optical axis AX2.
  • the light enters along the diffractive optical element (DOE) 9a.
  • the diffractive optical element 9a has a phase-type diffraction grating power, and the incident illumination light IL is diffracted and travels in a predetermined direction.
  • the diffraction angle and direction of each diffracted light from the diffractive optical element 9a as the light beam limiting member is determined by the position of the illumination light IL on the pupil plane 15 of the illumination optical system ILS, and the illumination light IL This corresponds to the incident angle and direction to the reticule R.
  • a plurality of diffractive optical elements 9 a and another diffractive optical element 9 b having a different diffraction function are arranged on the turret 8. There is. Then, for example, the member 8 is driven by the optical system 10 under the control of the main control system 34 to load the diffractive optical element 9a or the like at an arbitrary position on the member 8 at a position on the illumination system optical axis AX2.
  • the incident angle range and direction of the illumination light to the reticle R can be set to a desired range.
  • the incident angle range may be subtly adjusted by moving the concave lens 5 and the convex lens 6 constituting the above-mentioned zoom optical system (5, 6) in the direction of the illumination system optical axis AX1, respectively.
  • the illumination light (diffracted light) IL emitted from the diffractive optical element 9a passes through the relay lens 11 along the illumination system optical axis AX2, and the first birefringent member as a plurality of birefringent members of the present invention 12 and the second birefringent member 13 sequentially enter. Details of these birefringent members will be described later.
  • a fly's eye lens 14 which is an optical integrator (illumination equalizing member) is disposed.
  • the illumination light IL emitted from the fly's eye lens 14 passes through the relay lens 16, the field stop 17 and the condenser lens 18 and reaches the mirror 19 for bending the optical path, and the illumination light IL reflected here is the illumination system optical axis
  • the reticle R is illuminated through a condenser lens 20 along AX3. The pattern on the reticle R thus illuminated is projected and transferred onto the wafer W by the projection optical system 25 as described above.
  • the field stop 17 may be of a scanning type, and scanning may be performed in synchronization with the scanning of the reticle stage 21 and the wafer stage 27.
  • the field stop may be divided into a fixed field stop and a movable field stop.
  • the surface on the exit side of the fly's eye lens 14 is located near the pupil plane 15 of the illumination optical system ILS.
  • the pupil plane 15 is a reticle R via an optical member (relay lens 16, field stop 17, condenser lenses 18 and 20, and mirror 19) in the illumination optical system IL from the pupil plane 15 to the reticle R.
  • the incident angle and the incident direction depend on the position of the light flux on the pupil plane 15.
  • the mirrors 7 and 19 for bending the optical path are not essential for optical performance, but When the bright optical system ILS is disposed on a straight line, the overall height (height in the Z direction) of the exposure apparatus is increased, and therefore, it is disposed at a suitable position in the illumination optical system ILS for the purpose of space saving.
  • the illumination system optical axis AX1 coincides with the illumination system optical axis AX2 by the reflection of the mirror 7, and the illumination system optical axis AX2 coincides with the illumination system optical axis AX3 by the reflection of the mirror 19.
  • the first birefringence member 12 is a disk-shaped member which also has birefringence material power such as uniaxial crystal, and its optical axis is in the in-plane direction (a direction parallel to a plane perpendicular to the illumination system optical axis AX2) is there.
  • the size (diameter) of the first birefringent member 12 in the in-plane direction is larger than the diameter of the luminous flux of the illumination light IL at the position where the birefringent member 12 is disposed.
  • phase advance axis nf which is the axial direction that minimizes the refractive index for linearly polarized light with parallel polarization directions, is obtained from each coordinate axis (X axis and Z axis) at the XZ coordinate, which is the same coordinate axis as in FIG. ° It is turned in the rotated direction.
  • the slow axis ns which is the axial direction that maximizes the refractive index for linearly polarized light having a polarization direction parallel to this, is orthogonal to the above-mentioned fast axis nf and is also X and Z axes. It is turned 45 ° from both sides.
  • the thickness of the first birefringent member 12 changes in accordance with the X coordinate (position in the X direction) which is not uniform in a plane parallel to the paper surface of FIG. 2 (A).
  • Fig. 2 (B) is a cross-sectional view of the birefringent member 12 taken along the line AA 'of Fig. 2 (A).
  • the birefringent member 12 has a center in the X direction. It is thin in the illumination system (optical axis) and thick in the periphery.
  • the thickness of the first birefringent member 12 is uniform in the Z direction in FIG. 2 (A), and the birefringent member 12 is shaped like a negative cylinder lens as a whole. .
  • the polarization direction (that is, the “oscillation direction of the electric field of light”, and the same applies hereinafter) coincides with the direction of the fast axis nf.
  • An optical path difference (inter-polarization retardation) occurs between the linearly polarized light component and the linearly polarized light component coinciding with the direction of the slow axis ns.
  • the traveling speed of the same polarized light is fast, while for linearly polarized light parallel to the slow axis nS.
  • the first birefringent member 12 functions as a first nonuniform wavelength plate in which the interpolarization polarization difference given to the transmitted light differs depending on the place.
  • the optical path difference caused by the birefringent member 12 is made an integral multiple of the wavelength by optimizing the thickness of the first birefringent member 12, the phases of the two luminous fluxes can not be substantially distinguished. It is possible to form a state in which there is substantially no optical path difference.
  • the thickness T1 of the central portion of the birefringent member 12 is set to such a thickness.
  • the thickness TA of the birefringent member 12 is a thickness represented by the following function with respect to the position X in the X direction.
  • is a proportional coefficient, and the value of ⁇ differs depending on the refractive index difference between the above-mentioned fast axis and slow axis of the birefringent material to be used, as in the thickness T1 of the central portion.
  • the refractive index of quartz is the refractive index of the ordinary ray in ArF excimer laser light of wavelength 193 nm: 1.6638, extraordinary ray
  • the refractive index of is 1. 6774. From this, the fast axis is the polarization direction of the ordinary ray, and the slow axis is the polarization direction of the extraordinary ray.
  • the wavelengths of the ordinary ray and the extraordinary ray in the crystal are 116. OOl nm and 115. 056 nm, respectively, because they are the wavelength in vacuum (193 nm) divided by the respective refractive index.
  • the optical path difference is exactly one wavelength or an integral wavelength, it is equivalent to substantially no optical path difference between the two light fluxes. 122.
  • the thickness of the crystal for seven wavelengths is 14239 nm according to the calculation of 122.7 ⁇ 193 / 1.6638, which is equivalent to 14.239 m.
  • the inter-polarization phase difference ⁇ 1 formed by the first birefringent member 12 is expressed as follows as a function of the position X in the X direction.
  • the thickness of the first birefringent member 12 is the distance between the light incident surface 12a and the light emitting surface 12b, and the relationship between the thickness for forming the retardation and the position in the X direction is satisfied.
  • the shapes of the entrance surface 12a and the exit surface 12b may be arbitrary. However, in terms of surface shape processing, since it becomes easier to process either of the surfaces as a plane, in fact, as shown in FIG. 2 (B), for example, the injection surface 12b may be a plane. desirable.
  • the thickness TA of the entrance surface 12a when the value of the thickness TA at the exit surface 12b is 0 is as TA determined by the equation (1).
  • the incident surface 12a may be flat.
  • FIG. 4 (A) is a diagram showing the relationship between the polarization phase difference ⁇ P1 (the unit is the wavelength of the illumination light) expressed by equation (2) and the position X.
  • FIG. 5 is a diagram showing the polarization state of the illumination light emitted from the first birefringent member 12 of this example, and in FIG. 5 the polarization state of the illumination light distributed at each position on the XZ coordinate is , A line segment centered on each position, a circle, or an ellipse.
  • the illumination light is in a polarization state whose main component is linearly polarized light, and the direction of the line segments is its polarization direction. Show. Also, at the position where the ellipse is displayed, the illumination light is in a polarization state mainly composed of elliptical polarization, and in the long side direction of the ellipse, the linear polarization component contained in the elliptical polarization is the largest. Direction is shown. In addition, at the position where the circle is displayed, the illumination light is in a polarization state mainly composed of circular polarization.
  • the first birefringent member 1 is at a position separated by ⁇ 1 in the X direction from the center.
  • the illumination light IL that emits the exposure light source 1 in FIG. 1 is mainly composed of linearly polarized light polarized in the X direction as described above, and this 1Z2 wavelength plate has its fast axis nf and slow axis ns. , Rotated 45 ° with respect to the X direction, which is the polarization direction (of the illumination light) of the incident light. Therefore, as shown in FIG. 5, the polarization state of the illumination light transmitted near the position separated by ⁇ 1 (reference length) in the X direction from the center of the first birefringent member 12 is the action of this 1Z dual wavelength plate. As a result, the light is converted to a polarization state whose main component is linear polarization in the Z direction.
  • the phase difference ⁇ between polarizations is 1 is 0.25, and the first double refractor 12 acts as a so-called 1Z4 wave plate. For this reason, the illumination light transmitted through this portion is converted to a polarization state whose main component is circularly polarized light.
  • the illumination light IL having a different polarization state depending on the position where it has passed through the first birefringent member 12 is incident on the second birefringent member 13.
  • the second birefringent member 13 is also a disk-shaped member made of a birefringent material.
  • FIG. 3A is a view of the second birefringent member 13 of FIG. 1 along the illumination system optical axis AX2 in the + Y direction, which is different from the first birefringent member 12 described above in FIG.
  • the fast axis nf of the second birefringent member 13 is set parallel to the Z axis of the XZ coordinate which is the same coordinate axis as in FIG. 1, and the slow axis ns is set parallel to the X axis.
  • Ru also in the in-plane direction of the second birefringent member 13
  • the size (diameter) is larger than the luminous flux diameter of the illumination light IL at the position where the second birefringent member 13 is disposed.
  • FIG. 3 (B) is a cross-sectional view of the second birefringent member 13 taken along the line BB ′ of FIG. 3 (A), and as shown in FIG. 3 (B) It is thin in the vicinity of B) and thick at the right end (near ⁇ ').
  • the thickness of the second birefringent member 13 is uniform in the direction orthogonal to the ⁇ direction. Therefore, the second birefringent member 13 also functions as a second nonuniform wavelength plate in which the interpolarization polarization difference given to the transmitted light differs depending on the place.
  • j8 is a proportional coefficient, and the value of j8 differs depending on the refractive index difference between the above-mentioned fast axis and slow axis of the birefringent material to be used, as in the thickness T2 of the central portion.
  • the thickness T 2 of the central portion is such that the retardation ⁇ 2 of the second birefringent member 13 is 0.25 (the unit is the wavelength of the illumination light), ie, the central portion is a 1Z4 wavelength plate Set to work.
  • the retardation between polarizations ⁇ 2 is set to be +0.75 and 0.25, respectively, at positions +1 (reference length) and 1 in the XZ direction. . This means that, with respect to the center, the difference between the polarizations of +0.5 and 0.5 is formed respectively.
  • the thickness is set so that the inter-polarization phase difference ⁇ 2 is represented by the following equation.
  • FIG. 4B is a diagram showing the relationship between the polarization phase difference ⁇ 2 and the position ⁇ of equation (4). It is.
  • FIG. 1 the illumination light of which the polarization state is different according to the position where it has passed through the first birefringence member 12 is converted again by the second birefringence member 13 according to the position. Ru.
  • the polarization state of the illumination light IL emitted from the second birefringent member 13 is shown in FIG. 4 (C).
  • the display method of FIG. 4C is the same as the display method of FIG. 5 described above, and in FIG. 4C, the polarization state of the illumination light distributed at each position on the XZ coordinate is centered at each position. It is shown as a line segment (linear polarization) or an ellipse (elliptically polarized light).
  • the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 are disposed immediately in front of the fly's eye lens 14, and The surface on the light emission side is disposed near the pupil plane 15 in the illumination optical system ILS. Therefore, the first birefringence member 12 and the second birefringence member 13 are disposed substantially equivalently to the pupil drawing 15 in the illumination optical system ILS.
  • the outer circle C1 and the inner circle C2 shown in FIG. 4 (C) and FIG. 5 are boundaries of the distribution of illumination light for forming a predetermined annular illumination with respect to the reticle R.
  • the radius of each circle CI and C2 is the outer circle C1 in terms of the reference length used in the determination of the thickness profile (thickness distribution) of the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 described above.
  • the illumination light emitted from the second birefringent member 13 has an outer circle C1 and an outer circle C1.
  • the polarization state is mainly made of linearly polarized light whose polarization direction is the circumferential direction of the specific annular zone 36. Comparing Fig. 4 (C) and Fig. 5, the polarization states of the illumination light on the X axis and the Z axis are almost equal. However, the polarization states at positions away from each other by about 45 ° at each axial force (the upper right, upper left, lower left, lower right positions in Fig. 4 (C) and Fig. 5) are generally circular in FIG.
  • Polarized light is converted to linear polarized light in the circumferential direction of the specific annular zone in FIG. 4 (C). This is due to the action of the second birefringent member 13, and the second birefringent member 13 functions as a 1Z4 wave plate in the upper left and lower right regions in FIG. In the upper right region, they each function as a 1Z4 wave plate and an equivalent 3Z4 wave plate.
  • the actual radius of the outer circle C1 of the specific annular zone 36 is the numerical aperture (NA) on the reticle R side of the projection optical system 25 in FIG. 1, the illumination optical system ILS It is determined by the focal length of the optical system consisting of the relay lens 16 and the condenser lens 18 and 20 and the coherence factor (illumination .sigma.) To be set, and the radius of the inner circle C2 is a value determined by the ring ratio to be set further. is there. Then, with respect to the condition of the annular illumination, the first birefringence is made such that the polarization direction of the illumination light distributed in the specific annular region 36 coincides with the circumferential direction of the annular region at each position. It goes without saying that the thickness shape of the member 12 and the second birefringent member 13 will be determined.
  • NA numerical aperture
  • the thickness shape of the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 is determined by proportionally expanding or proportionally reducing the shape in the wedge surface, and Direction) means that the amount of unevenness is not changed.
  • the first and second non-uniform wavelength plates which do not reduce the luminous flux cause no loss of light quantity of the illumination luminous flux.
  • the polarization direction of the illumination light distributed in the specific annular zone can be made to coincide with the circumferential direction of the annular zone at each position.
  • the illumination light which passes through the specific annular area 36 and is irradiated to the reticle R that is, the specific illumination light which is irradiated to the reticle R in a specific incident angle range is polarized. It becomes light of polarization state whose main component is S polarization in the direction perpendicular to the incident plane.
  • the contrast, resolution, depth of focus, etc. of the transferred image may be improved due to the periodicity of the pattern to be transferred, etc. Details later).
  • FIG. 6 a second embodiment of the first and second birefringent members 12 and 13 in the illumination optical system ILS of FIG. 1 will be described.
  • the configurations of the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 are basically the same as those shown in the first embodiment described above. That is, the first birefringence member 12 has the fast axis direction and thickness shape as shown in FIG. 2 (A) and FIG. 2 (B), and the second double refracting member 13 is It has the fast axis direction and thickness as shown in Fig. 3 (A) and Fig. 3 (B). However, in this example, the form of the function related to the thickness of both birefringent members 12 and 13 is changed.
  • FIG. 6 (A) corresponds to FIG. 4 (A), and shows the characteristics with respect to the position in the X direction of the inter-polarization retardation ⁇ P1 formed by the first birefringent member 12 in this second embodiment. Show.
  • the phase difference ⁇ P1 between polarizations of FIG. 6 (A) is a function including a trigonometric function with respect to the position X as follows.
  • phase difference ⁇ PI between polarizations can be realized by representing the thickness TA of the first birefringent member 12 at the position X in the X direction by the following function.
  • y is a proportionality factor.
  • the center thickness T1 is set to an integral multiple of 14.239 / zm, and the proportional coefficient ⁇ is set to 3.77 m. Just do it.
  • the value 3. is a value obtained by multiplying the thickness 14.239 m of the crystal giving the phase difference between polarizations for one wavelength by 0.265 which is a factor of the above equation (5).
  • FIG. 6 (B) shows the retardation between polarizations formed by the second birefringent member 13 in the second embodiment.
  • phase difference ⁇ 2 between polarizations in FIG. 6 (B) can be expressed as a function including a trigonometric function with respect to the position XZ as follows.
  • phase difference ⁇ 2 between polarizations can be realized by expressing the thickness ⁇ of the second birefringent member 13 with respect to the position ⁇ in the ⁇ direction by the following function.
  • is a proportionality factor. If the second birefringent member 13 is made of quartz, the central thickness ⁇ Set 2 to 14. 239 / zm times (integer + 1Z4) and set the proportionality factor ⁇ to 7. 12 / zm.
  • first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 have first and second non-uniform wavelength plates, which have different phase differences between polarized light given to transmitted light depending on their locations. To function. Then, the linearly polarized light polarized in the X direction incident on the first birefringence member 12 is converted into a polarization distribution shown in FIG. 6C and emitted from the second birefringence member 13.
  • FIG. 6 (C) and FIG. 4 (C) show that the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 of the second embodiment are more
  • the polarization state of the illumination light distributed in the specific annular zone 36 surrounded by the outer circle C1 and the inner circle C2 is converted into a linearly polarized light parallel to the circumferential direction than that shown in the first embodiment. , Can be closer.
  • first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 of the second embodiment adopt a thickness shape (that is, a surface shape) determined by a high-order function such as a trigonometric function, This is because polarization control can be performed with higher accuracy.
  • first birefringence member 12 and the second birefringence member 13 shown in the first embodiment have a function force of up to at most five orders, the force which is slightly inferior in polarization control characteristics is obtained. It has the advantages of easy processing and low manufacturing cost.
  • the surface shape of the first birefringence member 12 may be a cylindrical surface (a surface whose cross section in the X direction is circular)
  • the surface shape of the second birefringent member 13 may be a tapered surface (inclined plane).
  • the polarization control characteristics in this case are inferior to those of the first embodiment, but some effects can be obtained depending on the application of the projection exposure apparatus, and the high performance is achieved while the above-mentioned manufacturing cost is reduced. Can be realized.
  • the phase difference between the polarizations of the light beams transmitted through the second double refracting member 13 is the second birefringent member 13. It means that it is determined by linear (linear function) according to the position in the plane of.
  • the shapes of the first birefringence member 12 and the second birefringence member 13 in FIG. 1 are not limited to the shapes shown in the above first and second embodiments, and the above-mentioned characteristics of the transmitted light are not limited. Any shape may be used as long as the polarization state in the fixed annular zone can be made to coincide with the circumferential direction in each part.
  • the shapes of the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 are formed stepwise at a predetermined position which is not a shape represented by the above-mentioned continuous and differential continuous function. It may be a step-like shape in which. Also, in order to form such a step-like shape, the formation by etching is suitable instead of the mechanical or mechanochemical polishing method.
  • the first birefringence member 12 is to provide a phase difference between polarizations having rotational symmetry twice around the illumination system optical axis AX2. This includes, of course, non-uniform waveplates having an even function thickness in the X direction and having a constant thickness in the Y direction as shown in the first and second embodiments described above. None ,.
  • the second birefringent member 13 be a non-uniform wavelength plate which gives a phase difference between polarized light having a one-time rotational symmetry around the illumination system optical axis AX2.
  • the one-time rotational symmetry refers to the distribution force of the phase difference between polarizations and the symmetry of one of two axes orthogonal to the illumination system optical axis AX2, and the other axis is generally antisymmetric.
  • antisymmetry refers to a function in which the absolute value is equal but the sign is reversed with respect to the inversion of the coordinate axes, but here it is assumed that a general antisymmetry function also includes a function in which a constant offset is added. Ru. This has a thickness determined by the odd function of offsetting in the XZ direction as shown in the first and second embodiments described above, and has a constant thickness in the direction orthogonal to that. It goes without saying that it includes a uniform wave plate.
  • the first birefringent member 12 and the second birefringent member 12 may be used. It is needless to say that the shape of the birefringent member 13 does not correspond to the above specific annular zone area, and there is no particular problem if the shape does not satisfy the above conditions.
  • first birefringence members 12 and second birefringence members 13 and the direction of the fast axis are not limited to those described in the first and second embodiments. . That is, even if three or more birefringent members are arranged in series along the traveling direction of the illumination light (along the illumination system optical axis AX2), rotation around the optical axis AX2 in the fast axis direction is good. Relationship is also limited to 45 ° It does not mean that In addition, when three or more birefringent members are arranged in series along the traveling direction of the illumination light, at least a part of the specific annular zone described above, and preferably about the entire circumference thereof.
  • the direction force of the fast axis of at least one of the plurality of birefringent members is the direction of the other birefringent member. It may be different from the direction of the advancing axis.
  • the material of the birefringence members 12 and 13 is not limited to the above-described quartz, and the intrinsic birefringence of fluorite that can be used even if other birefringence materials are used is utilized. It can also be formed.
  • materials provided with birefringence by applying stress or the like to materials such as synthetic quartz originally having no birefringence can also be used as the birefringence members 12 and 13 or the like.
  • the birefringent members 12 and 13 it is also possible to use one obtained by bonding a material having birefringence to a transmissive substrate having no birefringence.
  • the above-mentioned thickness refers to the thickness of the material having birefringence.
  • the bonding may be a method in which a thin film having birefringence is formed by means of vapor deposition or the like on a transparent substrate which is not only mechanical bonding such as adhesion or pressure bonding.
  • the thickness shapes and the like of the first birefringence member 12 and the second birefringence member 13 shown in the first and second embodiments vary depending on the magnitude of birefringence of the material used. It is needless to say that the above-described shape determination method can be applied and the shape is determined even when using materials other than quartz whose force is quartz.
  • the polarization state of the illumination light distributed in the annular zone is identical to the circumferential direction of the annular zone.
  • a brief description is given with reference to 7 and 8.
  • FIG. 7A shows an example of a fine periodic pattern PX formed on the reticle R of FIG.
  • the periodic pattern PX is a pattern having periodicity in the X direction in the same XYZ coordinate system as that of FIG. 1, and the pitch PT thereof is on the beam W in consideration of the projection magnification of the projection optical system 25 of FIG.
  • the value converted to scale is 140 nm.
  • Figure 7 (B) shows the wafer when this pattern is illuminated with annular light with a coherence factor (illumination ⁇ ) of 0.9 and an annular ratio of 0.74 using illumination light with a wavelength of 193 nm.
  • the distribution of diffracted light formed in the pupil plane 26 see FIG.
  • FIG. 7 (C) is a diagram showing conditions of annular illumination for illuminating the pattern PX, and in the pupil plane 15 of the illumination optical system ILS of FIG. 1, the conditions of the annular illumination are set.
  • An annular light that fills the ILO area illuminates the pattern PX.
  • the zeroth-order diffracted light DO in FIG. 7 (B) from the periodic pattern PX is all distributed in the pupil plane 26 and transmitted through the projection optical system 25 to reach Ueno, W, but the first-order diffracted light D1R and D1 L can only partially penetrate the pupil plane 26 and the projection optics 25.
  • the image of the pattern PX of the reticle R is formed on the wafer W as interference fringes between the zeroth-order diffracted light DO and the first-order diffracted lights D 1 R and D 1 L, but the interference fringes are formed by the pupil of the illumination optical system ILS
  • the plane 15 is limited to a pair of zero-order diffracted light and first-order diffracted light generated from illumination light emitted from the same position.
  • the first-order diffracted light D1L located at the left end of the pupil plane 26 in FIG. 7 (B) is paired with the portion located at the right end of the zero-order diffracted light DO, and those diffracted lights are The illumination light is illuminated from the rightmost partial region ILR in the annular region ILO in Fig. 7 (C).
  • the first-order diffracted light D1R located at the right end of the pupil plane 26 in FIG. 7B is paired with the portion located at the left end of the zero-order diffracted light DO, and these diffracted lights are shown in FIG. 7 (C) Ring zone zone The illumination light illuminated from the leftmost partial zone ILL in ILO.
  • the connection of the pattern PX is The luminous flux contributing to the image is limited to the partial area ILR and the partial area ILL, and the illumination light from which other area forces in the annular zone ILO are also emitted is an illumination light not contributing to the imaging of the pattern PX.
  • the illumination light distributed in the partial region ILR and the partial region ILL in FIG. 7 (C) is placed in the PR direction and the PL direction parallel to the Z direction in FIG. 7 (C) (in FIG. In the case of linearly polarized light polarized in the direction R) on the reticle R in consideration of the action of the mirror 19 of It is effective to improve the contrast of the projected image of the PX, and hence the resolution and the depth of focus.
  • the reticle pattern is a periodic pattern having a fine pitch in the Y direction rotated 90 ° from the pattern PX of FIG. 7A
  • the diffracted light distribution shown in FIG. 7B. Will also rotate 90 °.
  • the partial area through which the illumination light contributing to the imaging of the periodic pattern passes is also rotated by 90 ° between the partial area ILR and the partial area ILL shown in FIG. 7 (C) (ie, FIG.
  • the preferred polarization state is linearly polarized light whose polarization direction coincides with the X direction.
  • FIG. 8 (A) is a perspective view simply showing the relationship between the pupil surface 15 of the illumination optical system ILS of FIG. 1 and the reticle R, and the relay lens 16, the condenser lens 18, and the like in FIG. 20 mag is omitted.
  • the illumination light distributed in the annular zone ILO in FIG. 8A is the end ILL of the X direction in order to improve the imaging performance of the pattern PX having periodicity in the X direction.
  • the linearly polarized light be in the Y direction (in the paper surface depth direction in FIG. 8A) in the ILR.
  • the end of the direction be linearly polarized light in the X direction at IL U and ILD. That is, it is desirable to use linearly polarized light whose polarization direction is generally coincident with the circumferential direction of the annular zone ILO.
  • the polarization direction of these patterns is also taken into consideration. It is desirable to use linear polarization, which is perfectly coincident with the circumferential direction of the annular zone. By the way, the above-mentioned polarization state does not necessarily realize an effective polarization state for a pattern orthogonal to the directional pattern suitable for the polarization state of each part in the annular zone ILO.
  • the illumination light polarized in the X direction from the partial area ILU has a periodicity in the X direction, and is a polarization state that is not preferable for imaging the pattern PX in which the longitudinal direction is the Y direction.
  • FIG. 7 (C) showing the light source contributing to the imaging of a pattern having a fine pitch in the X direction
  • a partial region ILU corresponding to the upper end of the annular region ILO Is It does not contribute to the imaging of a pattern having a fine pitch in the X direction in the first place, and since it is a light source, whatever the polarization state of the partial area ILU is, it is caused by the polarization state. It is totally impossible to deteriorate the imaging characteristics.
  • S-polarized light means linearly polarized light whose polarization direction is orthogonal to an incident surface (a plane including the normal to the object and the light beam) where the light beam enters the object. That is, as shown in FIG. 8 (B), the illumination light ILL1 from the partial region ILL which is also a linearly polarized light force in the direction coincident with the circumferential direction of the annular region ILO has the polarization direction EF1 an incident surface (FIG.
  • the illumination light ILD1 on the similar partial region ILD also has the polarization direction EF2 as S-polarization perpendicular to the incident plane (the plane of the paper of FIG. 8C).
  • illumination light of the partial regions ILR and ILU at symmetrical positions with respect to the partial regions ILL and ILD and the optical axis AX41 of the illumination optical system is also illuminated on the partial regions ILR and ILU. Since the light has a polarization direction coincident with the circumferential direction of the annular zone ILO, the symmetry force is also S polarization and is incident on the reticle R.
  • the incident angle of the illumination light distributed on the annular zone ILO to the reticle R is centered on the angle ⁇ from the optical axis AX41 of the illumination optical system (that is, a perpendicular to the reticle R). It becomes a predetermined angle range.
  • the luminous flux irradiated onto the reticle R at this incident angle is hereinafter referred to as "specific illumination light".
  • the angle ⁇ and the angular range may be determined based on the wavelength of the illumination light, the pitch of the pattern to be transferred on the reticle R, and the like.
  • the first and second birefringence members 12 and 13 described above also determine the shape force inherent to the members.
  • the polarization state of the illumination light distributed in the specific annular zone is converted to the polarization state whose main component is linear polarization parallel to the circumferential direction of the specific annular zone, the radius (C2, C1) Is difficult to change easily. Therefore, as described above, when it is necessary to change the desired annular zone area based on the pitch etc. of the pattern to be transferred on the reticle R, the first and second birefringent members 12 of FIG. , 13 and the fly eye lens 14 etc., as shown in FIG.
  • a plurality of zoom type conical prisms 41 and 42 are a concave conical prism 41 having a concave conical surface 41 b and a convex conical prism 42 having a convex conical surface 42 a, with an interval DD being variable. It is disposed along the optical axis AX2.
  • the illumination light transmitted through the first and second birefringence members 12 and 13 and distributed in a specific annular zone centered on the average radius RI is obtained by the zoom conical prisms 41 and 42.
  • the incident surface of the fly eye lens 14 and the exit surface thereof, the pupil surface 15 of the illumination optical system, are enlarged to the radius RO.
  • the radius RO can be expanded by increasing the distance DD between the two conical prisms 41 and 42, and can be reduced by reducing the distance DD.
  • a zoom optical system may be used instead of the zoom conical prisms 41 and 42 described above.
  • the illumination light amount distribution formed on the pupil plane 15 of the illumination optical system ILS in FIG. 1 is the annular zone, that is, application to the annular zone illumination.
  • the illumination conditions that can be realized by the projection exposure apparatus of FIG. 1 are not necessarily limited to the annular illumination. That is, the zoom type conical prisms 41 and 42 of the birefringent members 12 and 13 of FIG. 1 and the zoom type prisms of FIG. 9 have the polarization state of the illumination light distributed in the specific annular zone in the pupil plane 15 of the illumination optical system.
  • the distribution of illumination light may be limited to a further specific partial region within the specific annular region, that is, for example, the partial region ILL in FIG. 7 (C). Even if it is limited to ILR, the illumination light distributed in the partial area is converted into illumination light mainly composed of linearly polarized light having a polarization direction parallel to the circumferential direction of the specific annular zone. Needless to say, it can be done.
  • the diffractive optical element 9a in FIG. 1 is replaced, and another diffractive optical element force is generated.
  • the light (illumination light) is transmitted to the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 in the specific annular zone region. It suffices to concentrate on a fixed discrete area. For example, although there are two places where the illumination light is concentrated at partial areas ILL and ILR in FIG. 7C, the present invention is not limited to this, and it may be concentrated at an arbitrary place in the specific annular zone. The number may be four. The selection may be determined according to the shape of the pattern to be exposed on the reticle R.
  • a convex polyhedron prism such as a pyramid type is used instead of the above-mentioned zoom type conical prisms 41 and 42. It is also possible to use an optical member group in which a concave polyhedron prism is combined with the same variable spacing.
  • illumination light distributed outside these specific regions is not suitable for the exposure of the pattern to be exposed, so it may be preferable to make the light quantity distribution substantially zero.
  • diffracted light hereinafter referred to as "error light"
  • error light diffracted light
  • a stop may be provided on the light incident surface side or the light emission surface side of the fly's eye lens 14 in FIG. 1 to block this error light.
  • the incident direction is also restricted only from the plurality of substantially discrete directions described above.
  • a configuration is provided in which error light distributed outside the specific annular zone is shielded by providing a stop on the incident surface side or the emission surface side of the fly eye lens 14 can do.
  • a fly's eye lens 14 is used as an optical integrator, and an internal reflection integrator (for example, a glass rod) can be used as an optical integrator.
  • the exit surface of the glass rod should be disposed in a conjugate plane with the reticle R which is not the pupil plane 14 of the illumination optical system. Become.
  • the laser light source as the exposure light source 1 emits linearly polarized light polarized in the X direction.
  • the Z direction in FIG. 1 may be used. It may be possible to emit linearly polarized light polarized into or light fluxes of other polarization states.
  • the exposure light source 1 in FIG. 1 emits light linearly polarized in the Y direction, that is, light linearly polarized in the Z direction at the positions of the birefringent members 12 and 13, the first and second embodiments described above By rotating the birefringent members 12 and 13 shown in FIG. 4 by 90.degree.
  • the polarization state almost similar to the polarization state shown in FIGS. 4 (C) and 6 (C). It is possible to obtain the illumination light of (ie, the illumination light in a state rotated 90 ° from the state shown in both figures).
  • the linear polarization in the Y direction emitted from the exposure light source 1 may be converted into linear polarization in the X direction by the polarization control member 4 (polarization control mechanism) in FIG.
  • a polarization control member 4 can be easily realized by a so-called 1Z dual wavelength plate. Even when the exposure light source 1 emits circularly polarized light or elliptically polarized light, similarly using a 1Z 2 wavelength plate or 1Z 4 wavelength plate as the polarization control member 4 converts it into a linearly polarized light in a desired Z direction. Can.
  • the polarization control member 4 can not convert the light flux of any polarization state emitted from the exposure light source 1 into the polarization in the Z direction without loss of light quantity. Therefore, the exposure light source 1 needs to generate a light beam (a light beam which can be converted into a linear polarization without loss of light quantity by a wave plate etc.) having a single polarization state such as a linear polarization, a circular polarization or an elliptical polarization.
  • the intensity of the luminous flux other than the above single polarization state is not so large with respect to the total intensity of the illumination light, the adverse effect on the imaging characteristics of the luminous flux other than the single polarization state will be minor. Therefore, the luminous flux emitted from the exposure light source 1 may include luminous fluxes other than the single polarization state, up to a certain extent (for example, about 20% or less of the total light quantity).
  • the polarization state of the illumination light is always arranged in the circumferential direction of the annular zone, the illumination light being distributed in the specific annular zone. It is not always the best to have parallel linearly polarized light, or to set the specific illumination light to enter the reticle R as S-polarized light. That is, depending on the pattern of the reticle size to be exposed, it may be preferable to adopt normal illumination (illumination having a circular illumination light intensity distribution on the pupil plane 15 of the illumination optical system) instead of annular illumination. To Is a force which may be preferable not to use the illumination light having the polarization state of the above embodiment.
  • the polarization control member 4 of FIG. 1 the polarization state of the light beam emitted from the light source of the laser etc. It is preferable to adopt an element or an optical system that can be converted. This can be realized, for example, by two polarized light beam splitters 4b and 4c as shown in FIG.
  • FIG. 10 shows a polarization control optical system which can be installed at the position of the polarization control member 4 of FIG. 1.
  • the illumination light flux ILO (corresponding to the illumination light IL of FIG. 1)
  • the light is incident on the 1Z two-wavelength plate or the rotating wavelength plate 4a having a 1Z four-wave plate force.
  • the illumination light beam IL 1 converted into linearly polarized light or circularly polarized light in a direction inclined by 45 ° in FIG. 10 also becomes P polarization component force with respect to its division plane by the first polarization beam splitter 4 b.
  • the light beam IL2 is divided into IL3 consisting of s-polarization components, and one light beam IL2 travels straight on the prism 4b upward in FIG. 10, and the other light beam IL3 is reflected to the right in FIG.
  • the light beam IL2 that has traveled straight is incident on the next polarized beam splitter 4c, but from its polarization characteristic, the light beam IL2 travels straight in the polarized beam splitter 4c, and becomes a light flux IL4, as shown in FIG. move on.
  • the reflected light beam IL3 is reflected by the mirrors 4d and 4e and enters the force polarization beam splitter 4c, and the light beam IL3 reflected again here rejoins with the straight light beam IL4.
  • an optical path length difference of 2 ⁇ DL is formed between the combined light beams IL3 and IL4. Then, if this optical path length difference 2 ⁇ DL is set to be longer than the coherent length of the illumination light flux, the coherence between the two light fluxes disappears, and the merged light flux can be made substantially random polarization.
  • the illumination light IL passing therethrough is always randomly polarized, and the polarization state of the above embodiment is realized.
  • the polarization state of the illumination light IL1 transmitted through the rotation wave plate 4a is converted into linearly polarized light all of which transmits the first beam splitter 4b by the rotation of the rotation wave plate 4a.
  • the above-mentioned failure does not occur.
  • the polarization beam splitter 4b, 4c Since it is not possible to avoid the occurrence of a certain light quantity loss due to reflection losses etc. in 4d and 4e, if it is not necessary to randomly polarize the illumination light, the beam splitters 4b and 4c and the rotating wavelength plate 4a are illuminated.
  • a mechanism may be provided to retract outside the optical path of the optical system.
  • the polarization control member 4 in the figure is composed of, for example, a 1Z two-wavelength plate, and the polarization state of the illumination light incident on the first birefringent member 12 is inclined 45.degree. From the X and Z axes as described above. It is also possible to obtain almost the same effect as randomly polarized illumination. Similarly, even if the polarization control member 4 is formed of, for example, a 1Z4 wavelength plate, and the polarization state of the illumination light incident on the first birefringent member 12 is circularly polarized, it is the same as random polarized illumination. You can also get the effect of
  • first birefringence member 12 and the second birefringence member 13 in FIG. 1 can be collectively rotated around the illumination system optical axis AX2, which is the optical axis of the illumination optical system I LS.
  • AX2 the optical axis of the illumination optical system I LS.
  • each birefringent member such as the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 of FIG.
  • the rotation direction of each birefringent member it is preferable to set the rotation direction of each birefringent member to. In this case, the illumination light travels through each of the birefringent members and is emitted while maintaining the linearly polarized light at the time of incidence which is not subject to any conversion of polarization state.
  • the first birefringent member 12 When setting the linear polarization state in one predetermined direction, the first birefringent member 12
  • the second birefringent member 13 and the like can be collectively accommodated to the outside of the optical path of the illumination optical system. That is, it is possible to correspond to the setting of the linear polarization state in a predetermined one direction by providing the optical system and exchanging the birefringent members etc. collectively.
  • a plurality of birefringent member groups in the optical system may be set, and they may be arranged on the position on the illumination system optical axis AX2 so as to be exchangeable. .
  • each birefringent member group has a characteristic of converting illumination light into linearly polarized light along its circumferential direction in a specific annular zone having different outer and inner radii. Needless to say.
  • the coherence factor ( ⁇ value) of the illumination light is desirably about 0.4 or less.
  • FIGS. 4 (C) and 6 (C) both the first embodiment (FIG. 4 (C)) and the second embodiment (FIG. 6 (C)) of the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 are shown.
  • the first birefringent member 12 and the second birefringent member 13 emit the linearly polarized light in the X direction which enters while maintaining the almost same polarization state .
  • the above-mentioned illumination ⁇ is approximately 0.45.
  • the polarization state of the illumination light beam can be ⁇ polarized.
  • the optical path of the illumination optical system is used.
  • the polarization direction of the incident light to the birefringent member which can not be retracted to the outside, is determined by the polarization control member 4 or the like described above.
  • An illumination light flux suitable for illumination on the above-mentioned spatial frequency modulation type phase shift reticle by switching is an illumination luminous flux having an illumination ⁇ of about 0.4 or less, and polarized in the X direction or in the ⁇ direction (on the reticle R in FIG. In the above, it is possible to realize illumination light in the X direction or the polarization direction).
  • FIG. 11 shows an example of a manufacturing process of a semiconductor device.
  • a wafer W is manufactured as well as silicon semiconductor isopower.
  • a photoresist is applied on the wafer W (step S10), and in the next step S12, a reticle (provisionally R1) is loaded on the reticle stage of the projection exposure apparatus of the above embodiment (FIG. 1).
  • the wafer W is loaded on the wafer stage, and the pattern (represented by symbol A) of the reticle R1 is transferred (exposed) onto the entire shot area SE on the wafer W by the scanning exposure method. At this time, double exposure is performed as necessary.
  • the wafer W is, for example, a wafer 300 mm in diameter (12-inch wafer), and the size of the shot area SE is, for example, a rectangular area having a width of 25 mm in the non-scanning direction and a width of 33 mm in the scanning direction.
  • a predetermined pattern is formed on each shot area SE of the wafer W by performing development, etching, ion implantation, and the like.
  • step S16 a photoresist is applied on the wafer W.
  • a reticle (provisionally R2) is placed on the reticle stage of the projection exposure apparatus of the above embodiment (FIG. 1). And loads the wafer W on the wafer stage, and transfers (exposed) the pattern (represented by symbol B) of the reticle R2 to each shot area SE on the wafer W by the scanning exposure method.
  • step S20 a predetermined pattern is formed on each shot area of the wafer W by performing development and etching of the wafer W, ion implantation, and the like.
  • the above exposure step / pattern formation step (step S16 to step S20) is repeated as many times as necessary to manufacture a desired semiconductor device.
  • the semiconductor device SP as a product is obtained through a dicing process (step S22) for separating each chip CP on the wafer W one by one, a bonding process, and a packaging process (step S24). Is manufactured.
  • the exposure is performed by the projection exposure apparatus of the above embodiment, in the exposure step, predetermined polarization is performed in a state where the utilization efficiency of the illumination light (exposure beam) is enhanced.
  • the reticle can be illuminated in the state. Accordingly, the resolution of the periodic pattern or the like with fine pitches is improved, so that a highly integrated and high-performance semiconductor integrated circuit can be manufactured inexpensively with high throughput.
  • an illumination optical system including a plurality of lenses, a projection optical system is incorporated in the exposure apparatus main body, and optical adjustment is performed to obtain a reticle stage including many mechanical parts. It can be manufactured by attaching the wafer stage to the main body of the exposure apparatus, connecting the wiring and piping, and performing general adjustment (electrical adjustment, operation check, etc.). It is desirable that the production of the projection exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature and the degree of cleanliness etc. are controlled.
  • the present invention can be applied not only to a scanning exposure type projection exposure apparatus but also to a batch exposure type projection exposure apparatus such as a stepper.
  • the magnification of the projection optical system used may be equal magnification or magnification as well as reduction magnification.
  • the present invention can also be applied to an immersion exposure apparatus disclosed in, for example, WO 99Z49504.
  • the application of the projection exposure apparatus of the present invention is not limited to the exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices.
  • the present invention can be widely applied to exposure apparatuses for producing various devices such as exposure devices for imaging, imaging devices (CCD etc.), micro machines, thin film magnetic heads, and DNA chips.
  • the present invention also applies to an exposure step (exposure apparatus) in manufacturing a mask (a photomask including an X-ray mask, a reticle, etc.) on which mask patterns of various devices are formed using a photolithographic process. It can apply.
  • the illumination optical system (2-20) included in the projection exposure apparatus described in the above embodiment is also applicable as an illumination optical apparatus for illuminating a first object such as a reticle R. Not to mention.
  • the utilization efficiency of the exposure beam (illumination light) can be enhanced, and the predetermined pattern can be formed with high accuracy. Therefore, various devices such as semiconductor integrated circuits can be manufactured with high accuracy and high throughput (throughput).

Abstract

 マスクを所定の偏光状態の照明光で照明する際の光量損失を少なくできる照明光学装置及び投影露光装置である。レチクル(R)を照明光(IL)で照明する照明光学系(ILS)と、レチクル(R)のパターンの像をウエハ(W)上に投影する投影光学系(PL)とを有する。照明光学系(ILS)において、露光光源(1)から直線偏光状態で射出された照明光(IL)は、進相軸の方向が異なる第1及び第2の複屈折部材(12,13)を通過して、ほぼ特定の輪帯状の領域で光軸を中心とする円周方向に実質的に直線偏光となる偏光状態に変換された後、フライアイレンズ(14)等を経てレチクル(R)を輪帯照明の条件で照明する。

Description

明 細 書
照明光学装置及び投影露光装置
技術分野
[0001] 本発明は、例えば半導体集積回路 (LSI等)、撮像素子、又は液晶ディスプレイ等 の各種デバイスを製造するためのリソグラフイエ程で使用される照明技術及び露光 技術に関し、更に詳しくはマスクパターンを所定の偏光状態の光で照明する照明技 術及び露光技術に関する。また、本発明はその露光技術を用いるデバイス製造技術 に関する。
背景技術
[0002] 半導体集積回路又は液晶ディスプレイ等の電子デバイスの微細パターンの形成に 際しては、形成すべきパターンを 4一 5倍程度に比例拡大して描画したマスクとして のレチクル (又はフォトマスク等)のパターンを、投影光学系を介して被露光基板 (感 光体)としてのウェハ(又はガラスプレート等)上に縮小して露光転写する方法が用い られている。その露光転写に際して、ステッパー等の静止露光型及びスキャニング · ステッパー等の走査露光型の投影露光装置が用いられている。投影光学系の解像 度は、露光波長を投影光学系の開口数 (NA)で割った値に比例する。投影光学系 の開口数 (NA)とは、露光用の照明光のウェハへの最大入射角の正弦 (sin)に、そ の光束の通過する媒質の屈折率を乗じたものである。
[0003] 従って、半導体集積回路等の微細化に対応するために、投影露光装置の露光波 長は、より短波長化されてきた。現在、露光波長は KrFエキシマーレーザーの 248η mが主流であるが、より短波長の ArFエキシマーレーザーの 193nmも実用化段階に 入りつつある。そして、更に短波長の波長 157nmの F レーザーや、波長 126nmの
2
Ar レーザー等の、いわゆる真空紫外域の露光光源を使用する投影露光装置の提
2
案も行なわれている。また、短波長化のみでなぐ投影光学系の大開口数化 (大 NA ィ匕)によっても高解像度化は可能であるので、投影光学系をより一層大 NA化するた めの開発もなされており、現在の最先端の投影光学系の NAは、 0. 8程度である。
[0004] 一方、同一の露光波長、同一 NAの投影光学系を使用しても、転写されるパターン の解像度を向上する技術として、いわゆる位相シフトレチクルを用いる方法や、照明 光のレチクルへの入射角度分布を所定分布に制御する輪帯照明、 2極照明、及び 4 極照明などのいわゆる超解像技術も実用化されている。
それらの内で、輪帯照明は、照明光のレチクルへの入射角度範囲を所定角度に制 限する、即ち照明光学系の瞳面における照明光の分布を、照明光学系の光軸を中 心とする所定の輪帯領域内に限定することにより、解像度及び焦点深度の向上に効 果を発揮するものである(例えば特開昭 61— 91662号公報参照)。一方、 2極照明, 4極照明は、入射角度範囲だけでは無ぐレチクル上のパターンが特定の方向性を 有するパターンである場合に、照明光の入射方向についてもそのパターンの方向性 に対応した方向に限定することで、解像度及び焦点深度を大幅に向上するものであ る(例えば特開平 4-101148号公報またはそれと同等な米国特許第 6233041号明 細書、特開平 4 225357号公報またはそれと同等な米国特許第 6211944号明細 書参照)。
[0005] なお、レチクル上のパターンの方向に対して照明光の偏光状態を最適化して、解 像度及び焦点深度を向上する試みも提案されている。この方法は、照明光を、バタ ーンの周期方向に直交する方向に、即ちパターンの長手方向に平行な方向に偏光 方向(電場方向)を有する直線偏光光とすることにより、転写像のコントラスト等を向上 するものである (例えば、特許文献 1、非特許文献 1参照)。
[0006] また、輪帯照明においても、照明光の偏光方向を、照明光学系の瞳面において照 明光が分布する輪帯領域においてその円周方向と合致させ、投影像の解像度ゃコ ントラスト等を向上させようとする試みも提案されている。
特許文献 1:特開平 5—109601号公報
非特干文献 1 :Thimothy A. Brunner, et al.: High NA Lithographic imaging at Brewster's angel", SPIE (米国) Vol.4691, pp.1- 24(2002)
[0007] 上記の如き従来の技術において、輪帯照明を行う場合に照明光学系の瞳面にお いて、照明光の偏光状態を輪帯領域の円周方向に実質的に一致する直線偏光にし ようとすると、照明光量の損失が多くなり、照明効率が低下するという問題があった。 これに関して詳述すると、近年主流である狭帯化 KrFエキシマーレーザー光源から 射出される照明光は一様な直線偏光である。これをそのままの偏光状態を保ってレ チクルに導くなら、レチクルは一様な直線偏光光で照明されるため、上記のような照 明光学系の瞳面の輪帯領域の円周方向に一致する直線偏光光を実現することがで きな 、ことは言うまでもな!/、。
[0008] 従って、上記の偏光状態を実現するには、光源から射出される直線偏光光を一度 ランダム偏光の光に変換した後に、その輪帯領域の各部において、偏光フィルター や偏光ビームスプリツター等の偏光選択素子を使用して、ランダム偏光力もなる照明 光から所望の偏光成分を選択するような方法等を採用する必要があった。この方法 では、ランダム偏光の照明光のエネルギーのうち所定の直線偏光成分に含まれるェ ネルギ一し力、即ちほぼ半分のエネルギーしかレチクルへの照明光として使用するこ とができないため、照明光量の損失が大きぐひいてはウェハへの露光パワーの損 失が大きぐ露光装置の処理能力(スループット)が低下してしまうという問題があった
[0009] 同様に、 2極照明又は 4極照明等の複数極照明を使用する場合にも、照明光学系 の瞳面において、 2極又は 4極の領域における照明光の偏光状態を所定状態に設 定しょうとすると、照明効率が低下するという問題があった。
発明の開示
[0010] 本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、レチクル等のマスクを所定 の偏光状態の照明光で照明する際の光量損失を少なくできる露光技術を提供するこ とを第 1の目的とする。
更に本発明は、照明光学系の瞳面上の輪帯、 2極、又は 4極等の領域における照 明光の偏光状態を所定の状態に設定するに際して、照明光量の低下を少なくでき、 その結果として処理能力を殆ど低下させることなく解像度等を向上できる照明技術及 び露光技術を提供することを第 2の目的とする。
また、本発明は、上記露光技術を用いて、高性能のデバイスを高い処理能力で製 造できるデバイス製造技術を提供することをも目的とする。
[0011] 以下の本発明の各要素に付した括弧付き符号は、後述の本発明の実施形態の構 成に対応するものである。し力しながら、各符号はその要素の例示に過ぎず、各要素 をその実施形態の構成に限定するものではな 、。
本発明による第 1の投影露光装置は、光源(1)からの照明光を第 1物体 (R)に照射 する照明光学系 (ILS)と、その第 1物体上のパターンの像を第 2物体 (W)上に投影 する投影光学系(25)とを有する投影露光装置であって、その光源は、その照明光を 実質的に単一の偏光状態で生成し、その照明光学系は、その照明光の進行方向に 沿って配置される複数の複屈折部材(12, 13)を有し、かつその複数の複屈折部材 のうち少なくとも 1つの複屈折部材の進相軸の方向が、他の複屈折部材の進相軸の 方向と異なるものであり、その照明光のうち、特定の入射角度範囲でその第 1物体に 照射される特定照明光を、 S偏光を主成分とする偏光状態の光とするものである。
[0012] また、本発明による第 1の照明光学装置は、光源(1)からの照明光を第 1物体 (R) に照射する照明光学装置であって、その照明光の進行方向に沿って配置される複 数の複屈折部材(12, 13)を有し、かつその複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つ の複屈折部材の進相軸の方向が、他の複屈折部材の進相軸の方向と異なるもので あり、その光源力 供給される実質的に単一の偏光状態である照明光のうち、その第 1物体に特定の入射角度範囲で照射される特定照明光を、 S偏光を主成分とする偏 光状態の光とするものである。
[0013] 斯カる本発明によれば、例えばその複数の複屈折部材の厚さ分布をそれぞれ所定 分布に設定しておくことによって、その光源力も射出された照明光が、その複数の複 屈折部材を通過した後の偏光状態を、例えば光軸を中心とする輪帯状の領域にお いてその光軸を中心とする円周方向に偏光した状態を主成分とするようにできる。そ こで、その複数の複屈折部材の射出面を例えば照明光学系の瞳面に近い位置に配 置しておくことによって、その輪帯状の領域を通過した照明光 (特定照明光)は、光量 損失の殆ど無い状態で、その第 1物体を s偏光を主成分とする所定の偏光状態で照 明する。
[0014] この場合、その第 1物体に照射されるその照明光を、その特定照明光に制限する 光束制限部材 (9a, 9b)を有してもよい。これによつて、その第 1物体はほぼ輪帯照 明の条件で照明される。この輪帯照明で、その第 1物体上でその照明光をほぼ S偏 光にすることによって、その第 1物体上で任意の方向に微細ピッチで配列されたライ ン ·アンド'スペースパターンの投影像は、主に偏光方向がラインパターンの長手方 向に平行な照明光によって結像されるため、コントラスト、解像度、焦点深度等の結 像特性が改善される。
[0015] また、その光束制限部材は、更にその第 1物体に照射されるその照明光の入射方 向を特定の実質的に離散的な複数の方向に制限してもよい。これによつて、 2極照明 や 4極照明等で照明が行われるため、所定方向に微細ピッチで配列されたライン ·ァ ンド.スペースパターンの結像特性が改善される。
次に、本発明による第 2の投影露光装置は、光源(1)からの照明光を第 1物体 (R) に照射する照明光学系 (ILS)と、その第 1物体上のパターンの像を第 2物体 (W)上 に投影する投影光学系(25)とを有する投影露光装置であって、その光源は、その照 明光を実質的に単一の偏光状態で生成し、その照明光学系は、その照明光の進行 方向に沿って配置される複数の複屈折部材(12, 13)を有し、かつその複数の複屈 折部材のうち少なくとも 1つの複屈折部材の進相軸の方向が、他の複屈折部材の進 相軸の方向と異なるものであり、その照明光学系中の瞳面又はその近傍の面内にお ける、その照明光学系の光軸を中心とする所定の輪帯領域である特定輪帯領域 (36 )内の少なくとも一部の領域を通過するその照明光が、その特定輪帯領域の円周方 向を偏光方向とする直線偏光を主成分とする偏光状態であるものである。
[0016] 斯かる本発明によれば、例えばその複数の複屈折部材の厚さ分布をそれぞれ所定 分布に設定しておくことによって、その光源力も射出された照明光のうちでその特定 輪帯領域を通過する照明光の少なくとも一部の偏光状態が、光量損失の殆ど無い状 態で、その特定輪帯領域の円周方向を偏光方向とする直線偏光を主成分とする状 態 (所定の偏光状態)となる。
[0017] この場合、その第 1物体に照射されるその照明光を、実質的にその特定輪帯領域 内に分布する光束に制限する光束制限部材 (9a, 9b)を有してもよい。また、その光 束制限部材は、その光束を更にその特定輪帯領域内の実質的に離散的な複数の領 域内に制限してもよい。これらの場合、照明光量を殆ど低下させることなぐ輪帯照明 、 2極照明、又は 4極照明等が実現できる。
[0018] また、その光束制限部材は、一例としてその光源(1)とその複数の複屈折部材(12 , 13)との間に配置される回折光学素子を含むものである。回折光学素子を用いるこ とによって、光量損失を更に減少できる。
また、一例として、その複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの部材は、透過光の うち進相軸に平行な直線偏光成分と遅相軸に平行な直線偏光成分との間に与える 位相差である偏光間位相差が、その部材の位置に対して非線形に変化する不均一 波長板(12, 13)である。これによつて、その複数の複屈折部材を通過した後の照明 光の偏光状態を高精度に所定の状態に制御できる。
[0019] この場合、その不均一波長板は、その特定照明光又はその特定輪帯領域に分布 する照明光に対して、その照明光学系の光軸を中心として 2回回転対称性を有する 偏光間位相差を与える第 1の不均一波長板(12)を含んでもよい。
また、その不均一波長板は、その特定照明光又はその特定輪帯領域に分布する 照明光に対して、その照明光学系の光軸を中心として 1回回転対称性を有する偏光 間位相差を与える第 2の不均一波長板(13)を更に含んでもよい。
[0020] また、一例として、その第 1及び第 2の不均一波長板は、その進相軸の方向が、そ の照明光学系の光軸を回転中心として、相互に 45° ずれたものである。これによつ て、 2つの不均一波長板を通過した後の照明光の偏光状態の制御が容易になる。 また、その複数の複屈折部材とその第 1物体との間に配置されたオプティカルイン テグレーター(14)を更に含んでいてもよい。これによつて、第 1物体上での照度分布 の均一性が向上する。
[0021] また、その複数の複屈折部材とそのオプティカルインテグレーターとの間に配置さ れたズーム光学系、間隔可変の円錐プリズム群 (41, 42)、又は多面体プリズム群を 更に含むことができる。その第 1物体上のパターンのピッチ等に応じてそのズーム光 学系等を用いてその特定輪帯領域 (又は輪帯状の領域若しくはその中の実質的に 離散的な部分領域)の大きさや位置を制御することで、種々のピッチのパターンを露 光する際の結像特性を向上できる。
[0022] また、そのォプティカノレインテグレーターは、一例としてフライアイレンズである。
また、その光源とその複数の複屈折部材との間に配置されてその光源力ものその 照明光の偏光状態を変換する偏光制御機構 (4)を有してもよい。これによつて、その 光源力 の照明光の偏光状態を光量損失の無い状態で、複数の複屈折部材に適し た偏光状態に変換できる。
[0023] また、その複数の複屈折部材の一部又は全部を、その照明光学系の光軸を中心と して回転可能ならしめる回転機構を有してもよい。これによつて、その光源からの照 明光を、その複屈折部材に適した偏光状態でその複屈折部材に供給できる。
また、その複数の複屈折部材を複数組備え、その複数組のその複数の複屈折部材 を、その照明光学系内に交換可能に配置する複屈折部材交 構を有することが できる。これで転写対象の種々のパターンに対応できる。
[0024] 次に、本発明による第 3の投影露光装置は、光源(1)からの照明光を第 1物体 (R) に照射する照明光学系 (ILS)と、その第 1物体上のパターンの像を第 2物体 (W)上 に投影する投影光学系(25)とを有する投影露光装置であって、その光源は、その照 明光を実質的に単一の偏光状態で生成し、その照明光学系は、その照明光の進行 方向に沿って順に配置される、回折光学素子(9a, 9b)と複屈折部材(12, 13)とを 有するものである。
また、本発明による第 2の照明光学装置は、光源力 の照明光を第 1物体に照射す る照明光学装置であって、その照明光の進行方向に沿って順に配置される、回折光 学素子と複屈折部材とを有するものである。
[0025] 本発明によれば、その複屈折部材を用いることによって、その第 1物体を例えば S 偏光を主成分とする所定の偏光状態で効率的に照明できる。更に、その回折光学素 子を用いてその複屈折部材に入射する照明光の光量分布を輪帯状等に制限するこ とによって、光量損失を極めて小さくできる。
本発明において、一例として、その回折光学素子は、その第 1物体に照射されるそ の照明光を、特定の入射角度範囲でその第 1物体に照射される特定照明光に実質 的に制限するとともに、その複屈折部材は、その特定照明光を S偏光を主成分とする 偏光状態の光とする。
[0026] また、その回折光学素子は、更にその第 1物体に照射されるその照明光の入射方 向を特定の実質的に離散的な複数の方向に制限してもよい。
また、その回折光学素子は、その照明光を、その照明光学系中の瞳面内の、その 照明光学系の光軸を中心とする所定の輪帯領域である特定輪帯領域内に分布する 光束に実質的に制限するとともに、その複屈折部材は、その光束を、円周方向を偏 向方向とする直線偏光を主成分とする偏光状態としてもよい。
また、その回折光学素子は、その光束を更にその特定輪帯領域内の実質的に離 散的な複数の領域内に制限してもょ 、。
[0027] 次に、本発明による露光方法は、本発明の投影露光装置を用いて、その第 1物体と してのマスク(R)のパターンの像でその第 2物体としての感光体 (W)を露光するもの である。本発明によって、その第 1物体を輪帯照明、 2極照明、又は 4極照明等で照 明できるとともに、その第 1物体に入射する照明光の偏光状態をほぼ S偏光を主成分 にすることができる。従って、光量損失の殆ど無い状態で、マスク上に所定方向に微 細ピッチで形成されたパターンを良好な結像特性で転写できる。
また、本発明によるデバイス製造方法は、リソグラフイエ程を含むデバイス製造方法 であって、そのリソグラフイエ程で本発明の露光方法を用いてパターンを感光体に転 写するものである。本発明によれば、高い処理能力で、かつ高い結像特性でパター ンを転写することができる。
[0028] 本発明によれば、複数の複屈折部材を用いて照明光の偏光状態を制御するか、又 は照明光の進行方向に沿って順に配置される回折光学素子と複屈折部材とを用い て照明光の偏光状態を制御しているため、第 1物体 (マスク)を所定の偏光状態の照 明光で照明する際の光量損失を少なくできる。
また、更に光束制限部材を用いることによって、第 1物体を輪帯照明、 2極照明、又 は 4極照明等で照明する際に、照明光量を殆ど低下させることなぐ特定輪帯領域の 少なくとも一部の領域を通過する照明光の偏光状態を、その特定輪帯領域の円周方 向に平行な直線偏光を主成分とする状態に設定することができる。
[0029] この場合、その第 1物体上のその直線偏光の方向に沿って長手方向を有するライ ンパターンを微細ピッチで配置したパターンを露光する際の結像特性が向上する。 従って、結像特性の向上を、処理能力 (スループット)の低下なく実現できる照明光 学装置、投影露光装置、及び露光方法を提供できる。
図面の簡単な説明 [図 1]図 1は、本発明の実施形態の一例の投影露光装置の概略構成を示す一部を切 り欠いた図である。
[図 2]図 2 (A)は図 1中の複屈折部材 12を +Y方向に見た図、図 2 (B)は図 2 (A)の AA'線に沿う断面図である。
[図 3]図 3 (A)は図 1中の複屈折部材 13を +Y方向に見た図、図 3 (B)は図 3 (A)の B B'線に沿う断面図である。
[図 4]図 4 (A)は第 1の複屈折部材 12における偏光間位相差 Δ Ρ1と位置 Xとの関係 の一例を示す図、図 4 (B)は第 2の複屈折部材 13における偏光間位相差 Δ Ρ2と位 置 XZとの関係の一例を示す図、図 4 (C)は第 2の複屈折部材 13から射出される照明 光の偏光状態の一例を示す図である。
[図 5]図 5は、第 1の複屈折部材 12から射出される照明光の偏光状態の一例を示す 図である。
[図 6]図 6 (A)は第 1の複屈折部材 12における偏光間位相差 Δ Ρ1と位置 Xとの関係 の他の例を示す図、図 6 (B)は第 2の複屈折部材 13における偏光間位相差 Δ Ρ2と 位置 XZとの関係の他の例を示す図、図 6 (C)は第 2の複屈折部材 13から射出される 照明光の偏光状態の他の例を示す図である。
[図 7]図 7 (A)は図 1のレチクル R上に形成された微細な周期パターン PXの一例を示 す平面図、図 7 (B)は図 7 (A)のパターンを所定条件で照明した場合に投影光学系 の瞳面 26内に形成される回折光の分布を示す図、図 7 (C)は図 7 (A)のパターン PX を照明するための輪帯照明の条件を示す図である。
[図 8]図 8 (A)は図 1の照明光学系 ILSの瞳面 15とレチクル Rとの関係を簡易的に示 す斜視図、図 8 (B)は図 8 (A)の一部を +Y方向に見た図、図 8 (C)は図 8 (A)の一 部を- X方向に見た図である。
[図 9]図 9は、本発明の実施形態の一例において、特定輪帯領域の半径を可変とす るために、図 1の複屈折部材 12, 13とフライアイレンズ 14との間に配置できる複数の 円錐プリズムを示す図である。
[図 10]図 10は、図 1の偏光制御部材 4の位置に配置できる偏光制御光学系の一例を 示す図である。 [図 11]図 11は、本発明の実施形態の投影露光装置を用 ヽて半導体デバイスを製造 するためのリソグラフイエ程の一例を示す図である。
符号の説明
[0031] R…レチクル、 W…ウェハ、 ILS…照明光学系、 AX2…照明系光軸、 nf…進相軸、 ns…遅相軸、 1…露光光源、 4…偏光制御部材、 9a, 9b…回折光学素子、 12…第 1 の複屈折部材、 13…第 2の複屈折部材、 14· ··フライアイレンズ、 25· ··投影光学系、 36· ··特定輪帯領域、 41, 42…円錐プリズム
発明を実施するための最良の形態
[0032] 以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は 、ステップ ·アンド'スキャン方式よりなる走査露光型の投影露光装置 (スキャニング'ス テッパー)で露光を行う場合に本発明を適用したものである。
図 1は、本例の投影露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図であり、この図 1において、本例の投影露光装置は、照明光学系 ILSと投影光学系 25とを備えてい る。前者の照明光学系 ILSは、露光光源 1 (光源)からコンデンサーレンズ 20までの 光軸(照明系光軸) AX1, AX2, AX3に沿って配置される複数の光学部材を備え( 詳細後述)、露光光源 1からの露光ビームとしての露光用の照明光 (露光光) ILでマ スクとしてのレチクル Rのパターン面(レチクル面)の照明視野を均一な照度分布で照 明する。後者の投影光学系 25は、その照明光のもとで、レチクル Rの照明視野内の パターンを投影倍率 M (Mは例えば 1Z4, 1Z5等の縮小倍率)で縮小した像を、被 露光基板 (基板)又は感光体としてのフォトレジストが塗布されたウエノ、 W上の一つの ショット領域上の露光領域に投影する。レチクル R及びウェハ Wはそれぞれ第 1物体 及び第 2物体ともみなすことができる。ウエノ、 Wは、例えば半導体 (シリコン等)又は S OKsilicon on insulator)等の直径が 200— 300mm程度の円板状の基板である。本 例の投影光学系 25は、例えば屈折光学系であるが、反射屈折系なども使用できる。
[0033] 以下、図 1において、投影光学系 25、レチクル R、及びウェハ Wに関しては、投影 光学系 25の光軸 AX4に平行に Z軸を取り、 Z軸に垂直な平面 (XY平面)内で走査 露光時のレチクル R及びウェハ Wの走査方向(図 1の紙面に平行な方向)に沿って Y 軸を取り、非走査方向(図 1の紙面に垂直な方向)に沿って X軸を取って説明する。こ の場合、レチクル Rの照明視野は、非走査方向である X方向に細長い領域であり、ゥ ェハ W上の露光領域は、その照明視野と共役な細長い領域である。また、投影光学 系 25の光軸 AX4は、レチクル R上で照明系光軸 AX3と合致している。
[0034] 先ず、露光転写すべきパターンの形成されたレチクル Rはレチクルステージ 21上に 吸着保持され、レチクルステージ 21はレチクルベース 22上で Y方向に一定速度で移 動するとともに、同期誤差を補正するように X方向、 Y方向、 Z軸の回りの回転方向に 微動して、レチクル Rの走査を行う。レチクルステージ 21の X方向、 Y方向の位置、及 び回転角は、この上に設けられた移動鏡 23及びレーザ干渉計 24によって計測され ている。この計測値及び主制御系 34からの制御情報に基づいて、レチクルステージ 駆動系 32はリニアモータ等の駆動機構 (不図示)を介してレチクルステージ 21の位 置及び速度を制御する。レチクル Rの周辺部の上方には、レチクルァライメント用のレ チクルァライメント顕微鏡 (不図示)が配置されている。
[0035] 一方、ウェハ Wは、ウェハホルダ(不図示)を介してウェハステージ 27上に吸着保 持され、ウェハステージ 27は、ウェハベース 30上に Y方向に一定速度で移動できる ととも〖こ、 X方向、 Y方向にステップ移動できるように載置されている。また、ウェハス テージ 27には、不図示のオートフォーカスセンサの計測値に基づいて、ウェハ Wの 表面を投影光学系 25の像面に合わせ込むための Zレべリング機構も組み込まれて いる。ウェハステージ 27の X方向、 Y方向の位置、及び回転角は、この上に設けられ た移動鏡 28及びレーザ干渉計 29によって計測されて 、る。この計測値及び主制御 系 34力もの制御情報に基づいて、ウェハステージ駆動系 33はリニアモータ等の駆 動機構 (不図示)を介してウェハステージ 27の位置及び速度を制御する。また、投影 光学系 25の近傍には、ウェハァライメントのために、ウェハ W上の位置合わせ用マ ークの位置を検出するオフ 'ァクシス方式で例えば FIA(Field Image Alignment )方 式のァライメントセンサ 31が配置されて!、る。
[0036] 本例の投影露光装置による露光に先立って、上記のレチクルァライメント顕微鏡に よってレチクル Rのァライメントが行われ、ウェハ W上に以前の露光工程で回路パタ ーンとともに形成された位置合わせ用マークの位置をァライメントセンサ 31で検出す ることによって、ウェハ Wのァライメントが行われる。その後、レチクル R上の照明視野 に照明光 ILを照射した状態で、レチクルステージ 21及びウエノ、ステージ 27を駆動し て、レチクル Rとウェハ W上の一つのショット領域とを Y方向に同期走査する動作と、 照明光 ILの発光を停止して、ウェハステージ 27を駆動してウェハ Wを X方向、 Y方 向にステップ移動する動作とが繰り返される。その同期走査時のレチクルステージ 21 とウェハステージ 27との走査速度の比は、投影光学系 25を介してのレチクル Rとゥェ ハ Wとの結像関係を保っために、投影光学系 25の投影倍率 Mと等しい。これらの動 作によって、ステップ 'アンド'スキャン方式でウェハ W上の全部のショット領域にレチ クル Rのパターン像が露光転写される。
[0037] 次に、本例の照明光学系 ILSの構成につき詳細に説明する。図 1において、本例 の露光光源 1としては、 ArF (アルゴンフッ素)エキシマーレーザー(波長 193nm)が 使用されている。なお、露光光源 1としては、その他に KrF (クリプトンフッ素)エキシマ 一レーザー(波長 248nm)、 F (フッ素分子)レーザー(波長 157nm)、又は Kr (タリ
2 2 プトン分子)レーザー(波長 146nm)等のレーザー光源なども使用できる。これらのレ 一ザ一光源 (露光光源 1を含む)は、狭帯化されたレーザー又は波長選択されたレー ザ一であり、露光光源 1から射出される照明光 ILは、上記狭帯化又は波長選択により 直線偏光を主成分とする偏光状態となっている。以下、図 1において、露光光源 1か ら射出された直後の照明光 ILは、偏光方向(電場の方向)が図 1中の X方向と一致す る直線偏光光を主成分とするものとして説明する。
[0038] 露光光源 1を発した照明光 ILは、照明系光軸 AX1に沿ってリレーレンズ 2, 3を介し て偏光制御機構としての偏光制御部材 4 (詳細後述)に入射する。偏光制御部材 4を 発した照明光 ILは、凹レンズ 5と凸レンズ 6との組み合わせ力もなるズーム光学系(5 , 6)を経て、光路折り曲げ用のミラー 7で反射されて、照明系光軸 AX2に沿って回折 光学素子 (DOE:Diflfractive Optical Element) 9aに入射する。回折光学素子 9aは位 相型の回折格子力 なり、入射した照明光 ILは、所定の方向に回折されて進む。
[0039] 後述する通り、光束制限部材としての回折光学素子 9aからの各回折光の回折角及 び方向は、照明光学系 ILSの瞳面 15上での照明光 ILの位置や、照明光 ILのレチク ル Rへの入射角度及び方向に対応する。また、回折光学素子 9a及びそれと異なる回 折作用を有する別の回折光学素子 9b等がターレット状の部材 8上に複数配列されて いる。そして、例えば主制御系 34の制御のもとで交 «構 10により部材 8を駆動して 、部材 8上の任意の位置の回折光学素子 9a等を照明系光軸 AX2上の位置に装填 することで、レチクル Rのパターンに応じて、レチクル Rへの照明光の入射角度範囲 及び方向(又は瞳面 15での照明光の位置)を、所望の範囲に設定できるように構成 されている。また、その入射角度範囲は、上述のズーム光学系(5, 6)を構成する凹 レンズ 5及び凸レンズ 6を、照明系光軸 AX1の方向にそれぞれ移動することによって 、補助的に微調整することができる。
[0040] 回折光学素子 9aを射出した照明光(回折光) ILは、照明系光軸 AX2に沿ってリレ 一レンズ 11を経て、本発明の複数の複屈折部材としての第 1の複屈折部材 12及び 第 2の複屈折部材 13に順次入射する。これらの複屈折部材の詳細については後述 する。本実施形態においては、複屈折部材 13の後に、オプティカルインテグレータ 一(照度均一化部材)であるフライアイレンズ 14が配置されて ヽる。フライアイレンズ 1 4を射出した照明光 ILは、リレーレンズ 16、視野絞り 17、及びコンデンサーレンズ 18 を経て光路折り曲げ用のミラー 19に至り、ここで反射された照明光 ILは、照明系光軸 AX3に沿ってコンデンサーレンズ 20を経てレチクル Rを照明する。このように照明さ れたレチクル R上のパターンは、上述のように投影光学系 25によりウェハ W上に投影 され転写される。
[0041] なお、必要に応じて視野絞り 17を走査型とし、レチクルステージ 21及びウェハステ ージ 27の走査に同期して、走査することもできる。この場合、その視野絞りを固定視 野絞りと可動視野絞りとに分けて構成してもよい。
この構成において、フライアイレンズ 14の射出側の面は照明光学系 ILSの瞳面 15 の近傍に位置している。瞳面 15は、瞳面 15からレチクル Rに至るまでの照明光学系 I LS中の光学部材(リレーレンズ 16、視野絞り 17、コンデンサーレンズ 18, 20、及びミ ラー 19)を介して、レチクル Rのパターン面(レチクル面)に対する光学的フーリエ変 換面として作用する。即ち、瞳面 15上の 1点を射出した照明光は、概ね平行光束と なって所定の入射角度及び入射方向でレチクル Rを照射する。その入射角度及び 入射方向は、その光束の瞳面 15上での位置に応じて定まる。
[0042] なお、光路折り曲げ用のミラー 7, 19は、光学性能的に必須のものではないが、照 明光学系 ILSを一直線上に配置すると露光装置の全高 (Z方向の高さ)が増大する ために、省スペース化を目的として照明光学系 ILS内の適所に配置したものである。 照明系光軸 AX1は、ミラー 7の反射により照明系光軸 AX2と一致し、更に照明系光 軸 AX2は、ミラー 19の反射により照明系光軸 AX3と一致する。
[0043] 以下、図 2—図 5を参照して、図 1中の第 1及び第 2の複屈折部材 12, 13の第 1実 施例につき説明する。
第 1の複屈折部材 12は、一軸結晶等の複屈折材料力もなる円板状の部材であり、 その光学軸はその面内方向(照明系光軸 AX2に垂直な平面に平行な方向)にある。 そして、その第 1の複屈折部材 12のその面内方向の大きさ(直径)は、当該複屈折部 材 12が配置される位置における照明光 ILの光束径より大きい。
図 2 (A)は、図 1の複屈折部材 12を照明系光軸 AX2に沿って +Y方向に見た図で あり、図 2 (A)に示す通り、複屈折部材 12において、これに平行な偏光方向を持つ 直線偏光光に対して屈折率を最低にする軸方向である進相軸 nfが、図 1と同じ座標 軸である XZ座標で各座標軸 (X軸及び Z軸)から 45° 回転した方向を向いている。ま た、これに平行な偏光方向を持つ直線偏光光に対して屈折率を最高にする軸方向 である遅相軸 nsは、当然ながら上記進相軸 nfと直交し、やはり X軸及び Z軸の双方 から 45° 回転した方向を向いている。
[0044] 第 1の複屈折部材 12の厚さは図 2 (A)の紙面に平行な面内で一様ではなぐ X座 標 (X方向の位置)に応じて変化する。図 2 (B)は図 2 (A)の AA'線に沿う複屈折部 材 12の断面図であり、図 2 (B)に示すように、複屈折部材 12は、 X方向において中 心 (照明系光軸)で薄く周辺で厚い形状である。一方、第 1の複屈折部材 12の厚さは 、図 2 (A)の Z方向には一様であり、複屈折部材 12は、全体として負のシリンダーレン ズのような形状をしている。
[0045] このような複屈折部材を透過した光束には、一般的には、その偏光方向(即ち「光 の電場の振動方向」であり、以下同じ。)が進相軸 nfの方向に一致する直線偏光成 分と、遅相軸 nsの方向に一致する直線偏光成分との間に光路差 (偏光間位相差)が 生じる。進相軸 nfに平行な直線偏光光に対しては複屈折部材の屈折率が低ぐ従つ て同偏光光の進行速度は速ぐ一方、遅相軸 nSに平行な直線偏光光に対しては複 屈折部材の屈折率が高ぐ従って同偏光光の進行速度は遅くなるため、両偏光光間 に光路差 (偏光間位相差)が生じるのである。従って、第 1の複屈折部材 12は透過光 に与える偏光間位相差が、場所に応じて異なる第 1の不均一波長板として機能する
[0046] ところで、第 1の複屈折部材 12の厚さを最適化することで、複屈折部材 12によって 生じる上記光路差を波長の整数倍とすると、両光束の位相は実質的に区別できず、 実質的に光路差がない状態を形成できる。本例では、複屈折部材 12の中心部の厚 さ T1をそのような厚さに設定する。以下では、図 2 (B)に示すように、 X軸の原点 (X =0)を複屈折部材 12の中心 (照明系光軸)とする。
[0047] 一方、第 1の複屈折部材 12の中心に対して X方向に ± 1離れた位置(1は基準長で あって、第 1の複屈折部材 12の外径より内側にある)では、偏光間位相差が 0. 5 (単 位は照明光の波長)だけ生じるように、その複屈折部材 12の形状を設定する。そのよ うな形状として、本例では複屈折部材 12の厚さ TAを、 X方向の位置 Xについて、次 の関数で表わされる厚さとしている。
[0048] TA=T1 + a X (1. 7 X X -0. 7 X X2) (1)
ここで、 αは比例係数であり、 αの値は中心部の厚さ T1と同様、使用する複屈折 材料の上述の進相軸と遅相軸との屈折率差等により異なる。
第 1の複屈折部材 12を構成する複屈折材料として一軸結晶である水晶を使用する なら、水晶の屈折率は、波長 193nmの ArFエキシマーレーザー光において常光線 の屈折率は 1. 6638、異常光線の屈折率は 1. 6774である。これより進相軸は常光 線の偏光方向であり、遅相軸は異常光線の偏光方向となる。
[0049] 水晶中での常光線、異常光線の波長は、真空中の波長(193nm)をそれぞれの屈 折率で割ったものであるから、それぞれ 116. OOlnm, 115. 056nmであり、水晶中 を 1波長分進行する毎に、両光束間に 0. 945nmの光路差が形成される。従って、 1 22. 7 ( = 116. 001/0. 945)波長分進行すると、両光束間には約 1波長分の光路 差が形成される。もっとも光路差がちょうど 1波長分又は整数波長分であると、両光束 には実質的に光路差が無いのと等価である。 122. 7波長分の水晶の厚さは、 122. 7 X 193/1. 6638の計算より 14239nm、良卩ち 14. 239 mにネ目当する。同様に、 常光線と異常光線とに半波長の光路差を形成するには、水晶の厚さを上記の半分 の 7. 12 mにすれば良いことになる。
[0050] これより、第 1の不均一波長板である第 1の複屈折部材 12を水晶で形成するには、 上記(1)式における中心部の厚さ T1を 14. 239 /z mの整数倍に設定し、周辺近傍 の基準位置 (X= l)での厚さを、それより 7. 厚くすれば良ぐ即ち上記比例 係数 αを 7. 12 mと設定すれば良い。
このとき、第 1の複屈折部材 12により形成される偏光間位相差 Δ Ρ1は、 X方向の位 置 Xの関数として次のように表わされる。
[0051] Δ Ρ1 = 0. 5 X (1. 7 XX4— 0. 7 XX2) (2)
なお、第 1の複屈折部材 12の厚さとは、その入射面 12aと射出面 12bとの間隔であ り、上記位相差を形成するための上記厚さと X方向の位置との関係を満たすのであ れば、入射面 12aと射出面 12bとの各形状は任意であっても構わない。ただし、面形 状の加工上は、どちらかの面を平面とした方が加工が容易になるので、実際には図 2 (B)に示した如ぐ例えば射出面 12bを平面とすることが望ましい。この場合には射出 面 12bでの厚さ TAの値を 0とした際の入射面 12aの厚さ TAの値は、(1)式で求まる TAの通りとなる。勿論、入射面 12aを平面としても良い。
[0052] 図 4 (A)は、 (2)式で表わされる偏光間位相差 Δ P1 (単位は照明光の波長)と位置 Xとの関係を示す図である。また、図 5は、本例の第 1の複屈折部材 12から射出され る照明光の偏光状態を表わす図であり、図 5において、 XZ座標上の各位置に分布 する照明光の偏光状態が、各位置を中心とする線分、円、又は楕円にて示されてい る。また、図 5の X軸及び Z軸の原点 (X=0, Z = 0)は、複屈折部材 12の中心に設定 されており、 X方向及び Z方向のスケールは、 X= ± l, Z= ± lの位置(共に原点 X =0, Z = 0から基準長離れた位置)が図 5中の四隅に位置するように設定されている
[0053] 図 5の各 XZ座標で識別される位置において、線分が表示された位置では照明光 は直線偏光を主成分とする偏光状態となっており、線分の方向がその偏光方向を示 す。また、楕円が表示された位置では照明光は楕円偏光を主成分とする偏光状態と なっており、楕円の長辺方向は、その楕円偏光に含まれる直線偏光成分が最大とな る方向を示している。また、円が表示された位置では照明光は円偏光を主成分とする 偏光状態となっている。
[0054] 図 4 (A)に示した通り、中心から X方向に ± 1離れた位置では、第 1の複屈折部材 1
2は、所謂 1Z2波長板として作用する。ここで、図 1の露光光源 1を発する照明光 IL は、前述の通り X方向に偏光した直線偏光光を主成分としており、この 1Z2波長板 は、その進相軸 nf及び遅相軸 nsが、入射光の(照明光の)偏光方向である X方向に 対して 45° 回転したものである。従って、図 5に示した通り、第 1の複屈折部材 12のう ち中心から X方向に ± 1 (基準長)離れた位置付近を透過する照明光の偏光状態は 、この 1Z2波長板の作用により、 Z方向の直線偏光を主成分とする偏光状態に変換 される。
[0055] また、図 4 (A)より、第 1の複屈折部材 12のうち中心力も X方向に ±0. 6離れた位 置付近を透過する照明光に対しては、偏光間位相差 Δ 1は 0. 25であり、第 1の複屈 折部材 12は所謂 1Z4波長板として作用する。このため、この部分を透過する照明光 は、円偏光を主成分とする偏光状態に変換されることになる。
一方、 X方向についての中心を透過する光束には、進相軸 nf方向及び遅相軸 ns 方向の各直線偏光間で光路差が生じないため、透過光の偏光状態が変換されること は無い。従って、 X方向についての中心で複屈折部材 12に入射する光束は、 X方向 の直線偏光状態を主成分とする状態を保ったまま複屈折部材 12を射出する。そして 、上記の X=0, ±0. 6, ± 1の各位置以外の位置を透過する光束は、位置に応じて 形状の異なる楕円偏光を主成分とする偏光状態となって、第 1の複屈折部材 12を透 過する。この偏光状態は図 5に示した通りである。
[0056] 図 1において、第 1の複屈折部材 12を透過した場所に応じて偏光状態の異なる照 明光 ILは、第 2の複屈折部材 13に入射する。第 2の複屈折部材 13も複屈折材料か らなる円板状の部材である。
図 3 (A)は、図 1の第 2の複屈折部材 13を照明系光軸 AX2に沿って +Y方向に見 た図であり、上述の第 1の複屈折部材 12と異なり、図 3 (A)に示す通り、第 2の複屈折 部材 13の進相軸 nfは図 1と同じ座標軸である XZ座標の Z軸と平行に設定され、遅相 軸 nsは X軸と平行に設定される。第 2の複屈折部材 13についても、その面内方向の 大きさ(直径)は、当該第 2の複屈折部材 13が配置される位置における照明光 ILの 光束径より大きい。
[0057] また、第 2の複屈折部材 13もその厚さは一様ではなぐその厚さは、図 3 (A)中の X Z座標系の関数 Z=Xの方向、即ち図 3(A)中の BB'線の方向(以下、これを「XZ方 向」と呼ぶ。)の位置に応じて変化する。図 3(B)は、図 3(A)の BB'線に沿った第 2の 複屈折部材 13の断面図であり、図 3(B)に示すように、複屈折部材 13は左端部(B の近傍)で薄く右端部 (Β'の近傍)で厚い形状である。一方、第 2の複屈折部材 13の 厚さは ΧΖ方向に直交する方向には一様である。従って、第 2の複屈折部材 13も透 過光に与える偏光間位相差が、場所に応じて異なる第 2の不均一波長板として機能 する。
[0058] 本例では第 2の複屈折部材 13の厚さ ΤΒを、 ΧΖ方向の位置 ΧΖについて、次の関 数で表わされるものとしている。なお、図 3(B)に示すように、 ΧΖ方向の原点(XZ = 0 )を複屈折部材 13の中心(照明系光軸)として、その中心での厚さを Τ2としている。
ΤΒ=Τ2+ β X (2. 5XXZ-1. 5ΧΧΖ3) (3)
ここで、 j8は比例係数であり、中心部の厚さ T2と同様、 j8の値は使用する複屈折 材料の上述の進相軸と遅相軸との屈折率差等により異なる。ここで、中心部の厚さ T 2は、第 2の複屈折部材 13の偏光間位相差 ΔΡ2が 0. 25 (単位は照明光の波長)と なるように、即ち中心部が 1Z4波長板として機能するように設定する。
[0059] また、複屈折部材 13において、 XZ方向に +1(基準長さ)及び 1離れた位置では 、偏光間位相差 ΔΡ2が、それぞれ +0. 75及び 0. 25となるように設定する。これ は、中心との間に、それぞれ +0. 5及び 0. 5の偏光間位相差の差を形成すること を意味する。
即ち、本例の第 2の複屈折部材 13においては、偏光間位相差 ΔΡ2が次式で表わ されるようにその厚さを設定する。
[0060] ΔΡ2 = 0. 25 + 0. 5X (2. 5XXZ5— 1. 5XXZ3) (4)
また、第 2の複屈折部材 13についても上述の例と同様に水晶で形成する場合には 、中心部の厚さ Τ2は 14. 239 111の(整数+174)倍とし、比例係数|8を7. 12μηι とすれば良い。図 4(B)は、(4)式の偏光間位相差 ΔΡ2と位置 ΧΖとの関係を示す図 である。
[0061] 図 1において、第 1の複屈折部材 12を透過した場所に応じて偏光状態の異なる照 明光は、第 2の複屈折部材 13により、再度、その偏光状態が場所に応じて変換され る。第 2の複屈折部材 13を射出した照明光 ILの偏光状態を図 4 (C)に示す。
図 4 (C)の表示方法は、前述の図 5での表示方法と同様であり、図 4 (C)において、 XZ座標上の各位置に分布する照明光の偏光状態が、各位置を中心とする線分 (直 線偏光)、又は楕円(楕円偏光)にて示されている。また、図 4 (C)の X軸及び Z軸の 原点 (X=0, Z = 0)も、複屈折部材 13の中心に設定されている。
[0062] なお、図 1に示す通り、本実施形態では、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折 部材 13がフライアイレンズ 14の直前に配置されており、かつフライアイレンズ 14の射 出側の面は、照明光学系 ILS中の瞳面 15の近傍に配置されている。そのため、第 1 の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13は、実質的に照明光学系 ILS中の瞳画 1 5とほぼ等価な場所に配置されて 、る。
[0063] 従って、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13を透過した照明光 ILは、そ の位置に応じて決まる入射角度及び入射方向で、レチクル Rに入射することになる。 即ち、図 4 (C)中で原点 (X=0, Z = 0の位置)上に分布する光束はレチクル Rに垂 直に入射し、原点から所定距離離れた位置に分布する光束は、この距離にほぼ比例 する入射角度でレチクル Rに傾いて入射する。また、その入射方向は、その点の原点 力 の方位角に等しい方向となる。
[0064] 図 4 (C)及び図 5に示した外円 C1及び内円 C2は、レチクル Rに対して所定の輪帯 照明を構成するための照明光の分布の境界である。各円 CI, C2の半径は、上記第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の厚さ形状 (厚さ分布)の決定で使用し た基準長さを単位として、外円 C1の半径を 1. 15、内円 C2の半径を 0. 85としてある 。即ち、輪帯照明の輪帯比(内円の半径 Z外円の半径)としては、 0. 74を想定して いる。これは一般的に使用される所謂「 3Z4輪帯照明(内半径:外半径 = 3: 4)」を想 定したものであるが、当然ながら本発明が適用されるべき輪帯照明の条件は、これに 限られるものではない。
[0065] 図 4 (C)より明らかな通り、第 2の複屈折部材 13を射出した照明光は、外円 C1及び 内円 C2に囲まれた輪帯領域である特定輪帯領域 36内において、その特定輪帯領 域 36の円周方向を偏光方向とする直線偏光を主成分とする偏光状態となっている。 図 4 (C)及び図 5を比較すると、 X軸上及び Z軸上の照明光の偏光状態はほぼ等し い。しかし、原点を中心に各軸力 45° 程度離れた位置(図 4 (C)及び図 5中で、右 上、左上、左下、右下の位置)での偏光状態は、図 5では概ね円偏光であるのに対し 、図 4 (C)では特定輪帯領域の円周方向の直線偏光に変換されている。これは、第 2 の複屈折部材 13の作用によるものであり、第 2の複屈折部材 13が、図 4 (C)中の左 上及び右下の領域では 1Z4波長板として機能し、左下及び右上の領域ではそれぞ れー 1Z4波長板及びそれと等価な 3Z4波長板として機能することによっている。
[0066] なお、実際の露光装置では、その特定輪帯領域 36の外円 C1の実際の半径は、図 1の投影光学系 25のレチクル R側の開口数 (NA)、照明光学系 ILS中のリレーレン ズ 16及びコンデンサーレンズ 18, 20よりなる光学系の焦点距離、並びに設定すべき コヒーレンスファクター(照明 σ )の値より決まり、内円 C2の半径は更に設定すべき輪 帯比により決まる値である。そして、この輪帯照明の条件に対して、その特定輪帯領 域 36に分布する照明光の偏光方向が、各位置における輪帯領域の円周方向と一致 するように、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の厚さ形状を決定するこ とになることは言うまでもない。
[0067] ここで、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の厚さ形状を決定するとは 、その形状を ΧΖ面内において比例拡大又は比例縮小し、 Υ方向(光の進行方向)に ついてはその凹凸量を変化させないことを意味する。
以上、第 1及び第 2の複屈折部材 12, 13の第 1実施例においては、光束を減光さ せることのない第 1及び第 2の不均一波長板により、照明光束の光量損失が無い状 態で、特定輪帯領域に分布する照明光の偏光方向を、各位置における輪帯領域の 円周方向と一致させることができる。この場合には、その照明光のうち、その特定輪 帯領域 36を通過してレチクル Rに照射される照明光、即ち特定の入射角度範囲でレ チクル Rに照射される特定照明光は、偏光方向が入射面に対して垂直な方向の S偏 光を主成分とする偏光状態の光となる。これによつて、転写対象のパターンの周期性 等によって、転写像のコントラスト、解像度、及び焦点深度等が向上する場合がある( 詳細後述)。
[0068] 次に、図 6を参照して、図 1の照明光学系 ILS中の第 1及び第 2の複屈折部材 12, 13の第 2実施例につき説明する。
本例においても、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の構成は、基本 的には上述の第 1実施例で示したものと同様である。即ち、第 1の複屈折部材 12は、 図 2(A)、及び図 2(B)に示した如きの進相軸方向及び厚さ形状を有し、第 2の複屈 折部材 13は、図 3(A)、及び図 3(B)に示した如きの進相軸方向及び厚さ形状を有 する。ただし、本例においては両複屈折部材 12, 13の厚さに関する関数の形式を変 更する。
[0069] 図 6(A)は、図 4(A)に対応させて、この第 2実施例において第 1の複屈折部材 12 が形成する偏光間位相差 Δ P1の X方向の位置に対する特性を示す。図 6 (A)の偏 光間位相差 Δ P1は、次のような位置 Xに関する三角関数を含む関数である。
ΔΡ1 = 0. 265X{1—COS( XX2)} (5)
このような偏光間位相差 Δ PIは、第 1の複屈折部材 12の厚さ TAを、 X方向の位置 Xにつ!/、て次の関数で表わすことで実現できる。
[0070] ΤΑ=Τ1+γ X{1— COS( XX2)} (6)
ここで、 yは比例係数である。第 1実施例と同様に、第 1の複屈折部材 12を水晶で 形成する場合、中心の厚さ T1を 14. 239 /zmの整数倍に設定し、比例係数 γを 3. 77 mと設定すれば良い。 3. とは、 1波長分の偏光間位相差を与える水晶 の厚さ 14. 239 mを、上記(5)式の係数倍である 0. 265倍した値である。
[0071] 図 6 (B)は、本第 2実施例における第 2の複屈折部材 13が形成する偏光間位相差
ΔΡ2の XZ方向の位置に対する特性を示す。図 6(B)の偏光間位相差 ΔΡ2は、次 のような位置 XZに関する三角関数を含む関数で表わすことができる。
ΔΡ2 = 0. 25 + 0. 5Xsin(0. 5X π ΧΧΖ3) (7)
このような偏光間位相差 ΔΡ2は、第 2の複屈折部材 13の厚さ ΤΒを、 ΧΖ方向の位 置 ΧΖについて次の関数で表わすことで実現できる。
[0072] ΤΒ=Τ2+ δ Xsin(0. 5X π XXZ3) (8)
ここで、 δは比例係数である。第 2の複屈折部材 13を水晶とするなら、中心の厚さ Τ 2を 14. 239 /z mの(整数 + 1Z4)倍に設定し、比例係数 δを 7. 12 /z mと設定すれ ば良い。
本例においても、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13は、透過光に与 える偏光間位相差が、それぞれ場所に応じて異なる第 1及び第 2の不均一波長板と して機能する。そして、第 1の複屈折部材 12に入射する X方向に偏光した直線偏光 光を、図 6 (C)に示す偏光分布に変換して、第 2の複屈折部材 13から射出する。
[0073] 図 6 (C)と図 4 (C)とを比較して分力る通り、本第 2実施例の第 1の複屈折部材 12及 び第 2の複屈折部材 13の方が、上記第 1実施例で示したものよりも、外円 C1及び内 円 C2で囲まれた特定輪帯領域 36内に分布する照明光の偏光状態を、その円周方 向に平行な直線偏光に、より近付けることができる。これは、本第 2実施例の第 1の複 屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13は、三角関数という高次な関数で定まる厚さ 形状 (即ち面形状)を採用しているため、より高精度な偏光制御ができるためである。
[0074] しかし、第 1実施例で示した第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13は、高 々5次までの関数力 なるものであるため、偏光制御特性ではやや劣る力 加工が容 易であり製造コストが低廉に抑えられるという利点がある。
なお、第 1、第 2の複屈折部材 12, 13の製造コストを更に抑えるためには、例えば 第 1の複屈折部材 12の表面形状をシリンドリカル面 (X方向についての断面が円形と なる面)とし、第 2の複屈折部材 13の表面形状をテーパー面 (傾斜した平面)としても 良い。この場合の偏光制御特性は、第 1の実施形態のものより劣化するが、投影露光 装置の用途によっては十分効果を得られるものであり、上記の製造コストの低廉ィ匕を 図りつつ、高性能な露光装置を実現できる。
[0075] このように第 2の複屈折部材 13の表面形状をテーパー面とすることは、第 2の複屈 折部材 13を透過した光束の偏光間位相差が、第 2の複屈折部材 13の面内の位置 に応じて線形(1次関数)で定まることを意味する。
ところで、図 1の第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の形状は、上記の 第 1及び第 2実施例に示した形状に限定されるものではなぐその透過光の上記特 定輪帯領域内での偏光状態を、その各部において、その円周方向に一致させること が出来る形状であれば、どのような形状であっても良い。 [0076] 例えば、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の形状は、上述の連続か つ微分連続である関数で表わされる形状では無ぐ所定の位置において段階的に形 状が変化する階段状の形状であっても構わない。また、このような階段状の形状の形 成には、機械的あるいは機械化学的な研磨方法に代えて、エッチングによる形成が 適することとなる。
[0077] なお、このような偏光状態を実現するには、第 1の複屈折部材 12に入射する光束 の偏光状態が直線偏光を主成分とする単一の偏光状態力 なる照明光である場合 には、第 1の複屈折部材 12は、照明系光軸 AX2を中心として 2回回転対称性を持つ 偏光間位相差を与えるものであるものが好ましい。これは、上述の第 1及び第 2実施 例に示した如き、 X方向について偶関数の厚さを有し、 Y方向については一定の厚さ を有する不均一波長板を含むことは言うまでも無 、。
[0078] また、第 2の複屈折部材 13は、照明系光軸 AX2を中心として 1回回転対称性を有 する偏光間位相差を与える不均一波長板であることが望ましい。 1回回転対称性とは 、偏光間位相差の分布力 照明系光軸 AX2にて直交する 2本の軸のうちの 1方の軸 については概ね対称であり、他方の軸については概ね反対称であることを言う。反対 称とは、一般的には座標軸の反転に対して絶対値は等しいが符号は反転する関数 をいうが、ここでは、一般的な反対称関数に、定数オフセットを加えた関数も含むとす る。これは上述の第 1及び第 2実施例に示した如き、 XZ方向についてのオフセット付 きの奇関数で決まる厚さを有し、それと直交する方向にっ 、ては一定の厚さを有する 不均一波長板を含むことは言うまでも無 、。
[0079] また、本実施形態においては、特に、上述の特定輪帯領域に分布する照明光を所 定の偏光状態に設定することが重要であるので、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複 屈折部材 13の形状につ 、ても、上記特定輪帯領域に対応しな!、箇所にっ 、ては、 その形状が上記の条件を満たさなくとも特に問題がないことは言うまでもない。
なお、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の、枚数や進相軸方向につ いても、上述の第 1、第 2実施例に示したものに限定されるわけではない。即ち、 3枚 以上の複屈折部材を照明光の進行方向に沿って (照明系光軸 AX2に沿って)直列 に配列しても良ぐその進相軸方向の光軸 AX2を中心とする回転関係も 45° に限ら れるわけではない。また、 3枚以上の複数の複屈折部材を照明光の進行方向に沿つ て直列に配置した場合に、上記の特定輪帯領域の少なくとも一部の領域で、そして 望ましくはほぼその全周の領域で照明光の偏光状態を円周方向にほぼ平行な直線 偏光とするためには、その複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの複屈折部材の進 相軸の方向力 他の複屈折部材の進相軸の方向と異なるものであればよい。
[0080] 同様に、複屈折部材 12, 13等の材質も上述の水晶に限られるわけではなぐ他の 複屈折材料を使用してもよぐ蛍石の真性複屈折 (Intrinsic Birefringnce)を利用して 形成することもできる。また、本来複屈折のない合成石英等の材料に応力を加える等 して複屈折性を持たせたものを、複屈折部材 12, 13等として使用することもできる。 更に、複屈折部材 12, 13としては、複屈折性のない透過性基板上に、複屈折性を 有する材料を貼り合わせたものを使用することもできる。この場合、上述の厚さとは、 複屈折性を有する材料の厚さを指すことはいうまでもない。ここで貼り合わせとは、接 着、圧着等の機械的な接合のみではなぐ透過性基板上に複屈折性を有する薄膜 を蒸着等の手段で成膜して形成する方法であっても構わない。上述のように、上記 第 1、第 2実施例で示した第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の厚さ形状 等は、使用する材料の複屈折の大きさにより変わるものである力 水晶以外の材料を 使用する場合であっても、上述の形状決定方法が適用でき、その形状が定まることは 言うまでもない。
[0081] ここで、上記のような輪帯照明であって、輪帯領域内に分布する照明光の偏光状 態が、その輪帯領域の円周方向に一致した照明光の利点について、図 7及び図 8を 参照して簡単に説明する。
図 7 (A)は、図 1のレチクル R上に形成された微細な周期パターン PXの一例を表わ す。周期パターン PXは、図 1と同一の XYZ座標系における X方向に周期性を有する パターンであり、そのピッチ PTは、図 1の投影光学系 25の投影倍率を考慮してゥェ ハ W上のスケールに換算した値として 140nmとする。図 7 (B)は、このパターンを、波 長 193nmの照明光を用いて、コヒーレンスファクター(照明 σ )が 0. 9、輪帯比が 0. 74の輪帯照明で照明した場合に、ウェハ側の開口数 (ΝΑ)が 0. 90の投影光学系 2 5の瞳面 26 (図 1参照)内に形成される回折光の分布を示す。 [0082] 図 7 (C)は、そのパターン PXを照明するための輪帯照明の条件を表わす図であり、 図 1の照明光学系 ILSの瞳面 15中で、上記輪帯照明の条件を満たす輪帯領域 ILO 力もの照明光がそのパターン PXを照明する。周期パターン PXからの図 7 (B)の 0次 回折光 DOは、その全てが瞳面 26内に分布し、投影光学系 25を透過してウエノ、 Wに 到達するが、 1次回折光 D1R及び D1Lは部分的にのみ、瞳面 26及び投影光学系 2 5を透過可能である。レチクル Rのパターン PXの像は、 0次回折光 DOと 1次回折光 D 1R, D1Lとの干渉縞としてウェハ W上に形成されるが、干渉縞が形成されるのは、 照明光学系 ILSの瞳面 15において同一位置から発せられた照明光から生成された 0次回折光と 1次回折光とのペアに限られる。
[0083] 図 7 (B)中で瞳面 26の左端部に位置する 1次回折光 D1Lは、 0次回折光 DOのうち 右端部に位置する部分とペアになるものであり、それらの回折光は図 7 (C)中の輪帯 領域 ILO中の右端の部分領域 ILRから照明された照明光である。一方、図 7 (B)中で 瞳面 26の右端部に位置する 1次回折光 D1Rは、 0次回折光 DOのうち左端部に位置 する部分とペアになるものであり、それらの回折光は図 7 (C)中の輪帯領域 ILO中の 左端の部分領域 ILLから照明された照明光である。
[0084] 即ち、このような X方向に微細なピッチを有するパターン PXの露光に際しては、照 明光学系 ILSの瞳面 15上の輪帯領域 ILOから発せられる照明光のうち、パターン PX の結像に寄与する光束は、部分領域 ILR及び部分領域 ILLに限られ、輪帯領域 ILO 内の他の領域力も発せられる照明光は、パターン PXの結像には寄与しない照明光 である。
[0085] ところで、パターン PXのように X方向に周期性を有し、 Y方向に長手方向を有する パターンの露光に際しては、レチクル R上で Y方向の偏光方向を有する直線偏光で 照明すると、投影像のコントラストが向上することが、前述の非特許文献 KThimothy A. Brunner, et al.: High NA Lithographic imaging at Brewster s angel , SPIE Vol.4691, pp.1- 24(2002))等で報告されている。
[0086] 従って、図 7 (C)の部分領域 ILR及び部分領域 ILL内に分布する照明光を、それ ぞれ図 7 (C)中の Z方向に平行な PR方向及び PL方向(図 1中のミラー 19の作用を 考慮するとレチクル R上では Y方向に対応する)に偏光した直線偏光光とすると、バタ ーン PXの投影像のコントラストの向上、ひいては解像度及び焦点深度の向上に効果 的である。
[0087] 次に、レチクルパターンが図 7 (A)のパターン PXとは 90° 回転した、 Y方向に微細 ピッチを有する周期パターンである場合には、図 7 (B)に示した回折光分布も 90° 回転することになる。この結果、周期パターンの像形成に寄与する照明光が通過す る部分領域も、図 7 (C)に示した部分領域 ILR及び部分領域 ILLを 90° 回転した位 置 (即ち、図 7 (C)中の上端及び下端)に配置され、かつ好ましい偏光状態は偏光方 向が X方向に一致する直線偏光となる。以上より、 X方向に微細な周期性を有するパ ターン PXと、 Y方向に微細な周期性を有するパターン PYとを共に含むレチクル Rを 露光する際には、図 8に示すような偏光状態を有する照明光の使用が効果的である
[0088] 図 8 (A)は、図 1の照明光学系 ILSの瞳面 15とレチクル Rとの関係を簡易的に示し た斜視図であり、図 1中のリレーレンズ 16、コンデンサーレンズ 18, 20等は省略して いる。上述の通り、図 8 (A)中の輪帯領域 ILO内に分布する照明光は、 X方向に周期 性を有するパターン PXの結像性能向上のためには、その X方向の端部 ILL, ILRに おいては Y方向(図 8 (A)の紙面奥行き方向)の直線偏光であることが望ましぐ Y方 向に周期性を有するパターン PYの結像性能向上のためには、その Y方向の端部 IL U, ILDにおいては X方向の直線偏光であることが望ましい。即ち、その偏光方向が 輪帯領域 ILOの円周方向と概ね一致した直線偏光を使用することが望ましい。
[0089] 更に、レチクル尺に、 X方向及び Y方向のみでなくその中間方向(45° 及び 135° 方向)のパターンを含む場合には、これらのパターンの方向性も考慮して、その偏光 方向が輪帯領域の円周方向と完全に一致した直線偏光を使用することが望ましい。 ところで、上記の偏光状態は、輪帯領域 ILO内各部の偏光状態に適した方向性の ノ ターンと直交するパターンに対しては、必ずしも効果的な偏光状態を実現して!/、な い。例えば、部分領域 ILUからの X方向に偏光した照明光は、 X方向に周期性を有 し長手方向が Y方向となるパターン PXの結像には好ましくない偏光状態である。た だし、 X方向に微細なピッチを有するパターンの結像に寄与する光源を示した図 7 (C )から明らかな通り、図 7 (C)では輪帯領域 ILOの上端に相当する部分領域 ILUは、 そもそも X方向に微細なピッチを有するパターンの結像には何ら寄与しな 、光源であ るから、部分領域 ILUの偏光状態がどのようなものであっても、その偏光状態に起因 してその結像特性を悪ィ匕させることは全くな 、。
[0090] なお、図 8 (A)に示した如ぐ照明光学系 ILSの瞳面 15において輪帯領域 ILOの円 周方向とほぼ一致した直線偏光は、レチクル Rに対して所謂 S偏光として入射する。 S偏光とは、光束が物体に入射する入射面 (物体の法線と光束とを含む平面)に対し て、その偏光方向が直交する直線偏光を意味する。即ち、輪帯領域 ILOの円周方向 と一致した方向の直線偏光光力もなる部分領域 ILLからの照明光 ILL1は、図 8 (B) に示した通り、偏光方向 EF1が入射面(図 8 (B)の紙面)に対して垂直な S偏光として レチクル Rに入射する。また、同様な部分領域 ILD上の照明光 ILD1についても、図 8 (C)に示した通り、偏光方向 EF2が入射面(図 8 (C)の紙面)に対して垂直な S偏光 としてレチクル Rに入射する。
[0091] 当然ながら、上記部分領域 ILL, ILDと照明光学系の光軸 AX41に対して対称な 位置にある部分領域 ILR, ILU力ゝらの照明光も、部分領域 ILR, ILU上で各照明光 が輪帯領域 ILOの円周方向に一致する偏光方向を有するため、対称性力 やはり S 偏光となってレチクル Rに入射する。輪帯照明の一般的な性質として、輪帯領域 ILO 上に分布する照明光のレチクル Rへの入射角度は、照明光学系の光軸 AX41 (即ち レチクル Rに対する垂線)から角度 φを中心とする所定の角度範囲となる。この入射 角度でレチクル Rに照射される光束を、以下では「特定照明光」と呼ぶ。この角度 φ 及び角度範囲は、照明光の波長ゃレチクル R上の転写すべきパターンのピッチ等に 基づいて決定するとよい。
[0092] ところで、上述の第 1、第 2の複屈折部材 12, 13は、その部材に固有の形状力も決 まる所定の外半径 (外円 C1)と内半径(内円 C2)との間の特定輪帯領域内に分布す る照明光の偏光状態を、当該特定輪帯領域の円周方向に平行な直線偏光を主成分 とする偏光状態に変換するが、その半径 (C2, C1)は、容易な変更が困難である。 そこで、上記のように、所望の輪帯領域をレチクル R上の転写すべきパターンのピッ チ等に基づいて変更する必要がある場合には、図 1の第 1、第 2の複屈折部材 12, 1 3とフライアイレンズ 14等のォプティカノレインテグレーターとの間に、図 9に示すように 、ズーム型の複数の円錐プリズム 41, 42を設け、上記の特定輪帯領域の半径を可 変とすることが望ましい。図 9において、ズーム型の複数の円錐プリズムとは、凹型の 円錐面 41 bを有する凹円錐プリズム 41と凸型の円錐面 42aを有する凸円錐プリズム 42とを、その間隔 DDを可変として照明系光軸 AX2に沿って配置したものである。
[0093] この場合、第 1、第 2の複屈折部材 12, 13を透過し、平均半径 RIを中心とする特定 輪帯領域に分布する照明光は、ズーム型の円錐プリズム 41, 42により、フライアイレ ンズ 14の入射面及びその射出面である照明光学系の瞳面 15においては、半径 RO に拡大される。この半径 ROは、両円錐プリズム 41, 42の間隔 DDを拡大することによ り拡大可能であり、その間隔 DDを縮小することにより縮小可能である。
[0094] これにより、照明光学系の瞳面 15において、その円周方向に平行な直線偏光から なる照明光が分布する特定輪帯領域を、任意の半径で形成することが可能となり、輪 帯照明の照明条件を、転写すべきレチクル R上のパターンに応じて変更することが可 能となる。
なお、上記ズーム型円錐プリズム 41, 42の代わりに、ズーム光学系を使用しても良 いことは勿論である。
[0095] ところで、以上の実施形態においては、図 1の照明光学系 ILSの瞳面 15に形成す る照明光量分布が輪帯領域であること、即ち輪帯照明へ適用することを前提に説明 したが、図 1の投影露光装置により実現できる照明条件は、必ずしも輪帯照明に限定 されるものではない。即ち、図 1の複屈折部材 12, 13や図 9のズーム型の円錐プリズ ム 41, 42は、照明光学系の瞳面 15内の特定輪帯領域内に分布する照明光の偏光 状態を上記所望の偏光状態に設定するものであるから、照明光の分布をその特定輪 帯領域内の更に特定の部分領域内に限る場合であっても、即ち例えば図 7 (C)中の 部分領域 ILL, ILRに限るような場合であっても、その部分領域内に分布する照明光 を、その特定輪帯領域の円周方向に平行な偏光方向を有する直線偏光を主成分と した照明光に変換できることは言うまでもない。
[0096] このように、照明光を特定輪帯領域内の更に特定の領域内にのみ集光するには、 図 1中の回折光学素子 9aを交換し、別の回折光学素子力 発生する回折光 (照明 光)を、第 1の複屈折部材 12、第 2の複屈折部材 13上の特定輪帯領域中の更に特 定の離散的な領域に集中させるようにすれば良い。照明光を集中させる箇所は、例 えば図 7 (C)中の部分領域 ILL, ILRの 2箇所であるが、これに限らず、特定輪帯領 域中の任意の箇所に集中させてよぐその個数も 4個であっても構わない。その選定 は、レチクル R上の露光対象とするパターンの形状に応じて決定すれば良 、。
なお、このように照明光を特定輪帯領域内の更に特定の領域内に集中させる場合 には、上述のズーム型の円錐プリズム 41, 42に代えて、ピラミッド型等の凸型の多面 体プリズムと凹型の多面体プリズムとを、同じく間隔可変に組み合わせた光学部材群 を使用することちできる。
[0097] なお、これらの特定領域以外に分布する照明光は、上記の露光対象とするパター ンの露光には適さないので、その光量分布を実質的に 0にした方が好ましい場合もあ る。一方、回折光学素子 9a等の製造誤差などによっては、回折光学素子 9a等からは 所望の方向以外にも回折光 (以下「誤差光」という。)が発生し、上記の部分領域以外 にも照明光が分布してしまう可能性もある。そこで、例えば図 1のフライアイレンズ 14 の入射面側又は射出面側に絞りを設けて、この誤差光を遮光する構成とすることもで きる。これにより上記の複数の特定領域の照明光量分布は完全に離散的なものとな る。ただし、レチクル R上には上記露光対象とするパターン以外のパターンも存在し、 上記誤差光が、これらの対象外のパターンの結像に有効である場合もあるので、必 ずしも特定領域以外の照明光量分布を 0にする必要がない場合もある。
[0098] ところで、照明光のレチクル Rへの入射に着目すると、瞳面 15上での照明光量の分 布を、特定輪帯領域内の更に特定の領域内に限定することは、輪帯照明による入射 角度の範囲の制限に加え、その入射方向についても上記の実質的に離散的な複数 の方向からにのみ制限されることになる。当然ながら、本発明を輪帯照明に適用する 場合にも、特定輪帯領域以外に分布する誤差光をフライアイレンズ 14の入射面側又 は射出面側に絞りを設けて、遮光する構成とすることができる。
[0099] なお、以上の実施形態にお!ヽては、オプティカルインテグレーターとしてフライアイ レンズ 14を使用するものとした力 オプティカルインテグレーターとして内面反射型ィ ンテグレーター(例えばガラスロッド)を使用することもできる。この場合、ガラスロッド の射出面は照明光学系の瞳面 14ではなぐレチクル Rとの共役面に配置することに なる。
[0100] また、以上の実施形態においては、露光光源 1としてのレーザー光源は、 X方向に 偏光した直線偏光光を射出するものとしたが、レーザー光源の形態によっては、図 1 中の Z方向に偏光した直線偏光光や他の偏光状態の光束を射出する場合もあり得る 。図 1中の露光光源 1が、 Y方向に直線偏光した光、即ち複屈折部材 12, 13の位置 において Z方向に直線偏光した光を射出する場合には、上記の第 1及び第 2実施例 に示した複屈折部材 12, 13を、照明系光軸 AX2を回転中心として 90° 回転するこ とにより、図 4 (C)及び図 6 (C)に示した偏光状態とほぼ同様な偏光状態の照明光( 正確には両図に示した状態を 90° 回転した状態の照明光)を得ることができる。
[0101] 或いは、図 1中の偏光制御部材 4 (偏光制御機構)により、露光光源 1から射出され た Y方向の直線偏光を X方向の直線偏光に変換しても良 ヽ。このような偏光制御部 材 4は、所謂 1Z2波長板により容易に実現できる。なお、露光光源 1が円偏光又は 楕円偏光を射出する場合にも、同様に 1Z2波長板や 1Z4波長板を偏光制御部材 4 として使用することで、所望の Z方向への直線偏光に変換することができる。
[0102] ただし、偏光制御部材 4は、露光光源 1から照射される任意の偏光状態の光束を、 光量損失無く Z方向の偏光に変換できるわけではない。従って、露光光源 1は直線 偏光、円偏光、楕円偏光など、単一の偏光状態を有する光束 (波長板等により光量 損失無く直線偏光に変換できる光束)を発生する必要がある。ただし、照明光の全体 強度に対して、上記の単一の偏光状態以外の光束の強度がそれ程大きくない場合 には、単一の偏光状態以外の光束の結像特性への悪影響は軽微となるので、或る 程度 (例えば全光量の 20%以下程度)までなら、露光光源 1から照射される光束は、 上記単一の偏光状態以外の光束を含んで 、ても構わな 、。
[0103] なお、上記の実施形態の投影露光装置の使用状態を考慮すると、照明光の偏光 状態を常に、上記特定輪帯領域に分布する照明光をその輪帯領域の円周方向に概 ね平行な直線偏光とする、又は上記特定照明光がレチクル Rに対して S偏光として入 射するように設定することが最良であるとは限らない。即ち、露光すべきレチクル尺の パターンによっては、輪帯照明ではなく通常照明(照明光学系の瞳面 15において、 円形の照明光量分布を有する照明)を採用する方が好ましい場合もあり、この場合に は上記の実施形態の偏光状態を有する照明光を使用しない方が好ましい場合もある 力 である。
[0104] そこで、このような使用状況にも対応するには、図 1の偏光制御部材 4として、レー ザ一等の光源から射出される光束の偏光状態を、必要に応じてランダム偏光等に変 換できる素子又は光学系を採用するとよい。これは例えば図 10に示すような 2個の偏 光ビームスプリツター 4b, 4c等により実現できる。
図 10は、図 1の偏光制御部材 4の位置に設置できる偏光制御光学系を示し、この 図 10において、例えば直線偏光光力もなる照明光束 ILO (図 1の照明光 ILに対応す る)は、 1Z2波長板又は 1Z4波長板力 なる回転波長板 4aに入射する。これにより 図 10の紙面力も 45° 傾いた方向の直線偏光又は円偏光に変換された照明光束 IL 1は、最初の偏光ビームスプリツター 4bによりその分割面に対して P偏光成分力もなる 光束 IL2及び S偏光成分からなる IL3に分割され、一方の光束 IL2はプリズム 4bを図 10中上方に直進し、他方の光束 IL3は図 10中右方に反射される。
[0105] 直進した光束 IL2は、次の偏光ビームスプリツター 4cに入射するが、その偏光特性 から、その光束 IL2は偏光ビームスプリツター 4c内を直進し、光束 IL4となって図 10 中上方に進む。一方、反射された光束 IL3は、ミラー 4d, 4eにより反射されて力 偏 光ビームスプリツター 4cに入射し、ここで再度反射された光束 IL3は上記の直進する 光束 IL4と再度合流する。このとき、偏光ビームスプリツター 4b及び 4cとミラー 4d及び 4eとの間隔をそれぞれ DLとすると、合流した両光束 IL3, IL4の間には、 2 X DLの 光路長差が形成されている。そして、この光路長差 2 X DLを照明光束のコヒーレント 長より長く設定すれば、両光束間の可干渉性は消失するため、合流した光束を実質 的にランダム偏光とすることができる。
[0106] なお、このような偏光制御光学系を図 1の照明光学系 ILS中に装填すると、これを 透過する照明光 ILが常にランダム偏光となり、上記の実施形態の偏光状態を実現す るためには障害となりかねない。ただし、図 10に示した光学系では、回転波長板 4a の回転により、回転波長板 4aを透過した照明光 IL1の偏光状態を、その全てが最初 のビームスプリツター 4bを透過する直線偏光に変換することができるため、上記の障 害は原理的に生じない。ただし、偏光ビームスプリツター 4b, 4cにおける吸収や、ミラ 一 4d, 4eにおける反射損失等による或る程度の光量損失が生じることは回避できな いため、照明光をランダム偏光化しなくて良い場合には、ビームスプリツター 4b, 4c 及び回転波長板 4aを照明光学系の光路外に待避させるような機構を設けても良い。
[0107] ところで、このような偏光ビームスプリツターを使用せずとも、以下の簡便な方法によ りランダム偏光照明とほぼ同様の効果を得ることもできる。これは、図 1の第 1の複屈 折部材 12に入射する照明光 ILの偏光状態を、図 1中の X方向及び Z方向から 45° 離れた方向とすることで、上記特定輪帯領域に分布する照明光を概ね円偏光に変 換することにより実現できる。従って、本実施形態の投影露光装置を、円偏光を近似 的にランダム偏光とみなせる用途で使用する場合には、即ち要求される結像性能が 比較的緩い用途で使用する場合には、図 1中の偏光制御部材 4を例えば 1Z2波長 板で構成し、第 1の複屈折部材 12に入射する照明光の偏光状態を、上記のように X 軸及び Z軸から 45° 傾斜した方向とすることで、ランダム偏光照明とほぼ同様の効果 を得ることもできる。また、同様に偏光制御部材 4を例えば 1Z4波長板で構成し、第 1の複屈折部材 12に入射する照明光の偏光状態を、円偏光とすることによつても、ラ ンダム偏光照明と同様の効果を得ることもできる。
[0108] 或いは、図 1中の第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13を、照明光学系 I LSの光軸である照明系光軸 AX2を中心として一括して回転可能とする機構により、 両複屈折部材 12, 13と照明光の直線偏光の方向との関係を、例えば 45° 回転する こととしても、ランダム偏光照明と同様の効果を得ることもできる。
ところで、上記通常照明においても、その偏光状態を所定の 1方向への直線偏光 に設定した方が好ましい場合もある。上記の実施形態の投影露光装置において、こ のような照明条件に対応するには、図 1の第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部 材 13等の各複屈折部材を、それぞれ独立して照明系光軸 AX2を中心として一括し て回転可能とする機構を設け、各複屈折部材の進相軸 (又は遅相軸)が、照明光の 直線偏光の方向と平行になるように各複屈折部材の回転方向を設定すると良い。こ の場合、照明光は各複屈折部材を進行しても偏光状態の変換作用を全く受けること が無ぐ入射時の直線偏光を保ったまま射出されることになる。
[0109] なお、所定の 1方向への直線偏光状態の設定に際しては、第 1の複屈折部材 12及 び第 2の複屈折部材 13等を一括して照明光学系の光路外に待避させることによって も対応可能である。即ち、交 構を設け、複屈折部材等を一括して交換することに より所定の 1方向への直線偏光状態の設定に対応しても良い。また、交換機構を設 けるのであれば、交 構中の複数組の複屈折部材群を設定可能とし、それらを交 換可能に照明系光軸 AX2上の位置上に配置可能な構成としてもよい。この場合、各 複屈折部材群は、それぞれ異なる外半径、内半径を有する特定輪帯領域で、照明 光をその周方向に沿った直線偏光に変換する特性を持たせておくことが好ましいこと は言うまでもない。
[0110] ところで、上記のような所定の 1方向への直線偏光の照明光を使用して好ましいの は、例えば、パターンの方向が揃った空間周波数変調型の位相シフトレチクルを露 光する場合である。そして、この場合には、露光転写されるパターンの解像度及び焦 点深度を一層向上するために、照明光のコヒーレンスファクタ( σ値)は、 0. 4程度以 下であることが望ましい。
ここで、本発明による複屈折部材 (第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13) の作用について、図 4 (C)及び図 6 (C)を参照して再考すると、両図にそれぞれ示し た通り、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13の第 1の実施例(図 4 (C) )と 第 2の実施例(図 6 (C) )とはともに、照明光学系の光軸 (Χ=0, Ζ=0)を中心とする、 特定輪帯領域の外半径 C1の半径の半分程度を半径とする円(不図示)の内側に分 布する照明光の偏光状態に、ほとんど影響を及ぼしていないことが分力る。
[0111] 外半径 C1の半径力 照明 σ ( σ値)として例えば 0. 9に相当するとすれば、照明 σ
=0. 45の照明光束の範囲内では、第 1の複屈折部材 12及び第 2の複屈折部材 13 は、入射する X方向の直線偏光を、ほぼそのままの偏光状態を保って射出している。 また、第 1の複屈折部材 12に Ζ方向の直線偏光 (Ζ偏光)を入射すれば、第 2の複屈 折部材 13から射出される光束のうち、上記の照明 σ =0. 45程度の照明光束の偏 光状態を Ζ偏光とできる。
[0112] 従って、上記第 1及び第 2の実施例の如き複屈折部材 (第 1の複屈折部材 12及び 第 2の複屈折部材 13)を使用するのであれば、これを照明光学系の光路外に退避さ せることなぐ複屈折部材への入射光の偏光方向を、上述の偏光制御部材 4等により 切り替えることにより、上述の空間周波数変調型位相シフトレチクルへの照明に適し た、照明 σが 0. 4程度以下の照明光束であって、かつ X方向又は Ζ方向の偏光(図 1のレチクル R上ではそれぞれ X方向又は Υ方向の偏光)の照明光を実現することが できる。
勿論、この場合にも、照明 σを 0. 4程度に制限するには、発生する回折光の方向 特性が、これに対応する角度分布となるような回折光学素子 9aを使用すると良いこと は言うまでもない。これにより、上記一括交 構を設けることなく各種の実用的な偏 光状態の照明光束を形成することができることも、本発明の利点である。
[0113] 次に、上記の実施の形態の投影露光装置を使用した半導体デバイスの製造工程 の一例につき図 11を参照して説明する。
図 11は、半導体デバイスの製造工程の一例を示し、この図 11において、まずシリコ ン半導体等力もウェハ Wが製造されている。その後、ウェハ W上にフォトレジストを塗 布し (ステップ S10)、次のステップ S12において、上記の実施形態(図 1)の投影露 光装置のレチクルステージ上にレチクル (仮に R1とする)をロードし、ウェハステージ 上にウェハ Wをロードして、走査露光方式でレチクル R1のパターン(符号 Aで表わす )をウェハ W上の全部のショット領域 SEに転写 (露光)する。この際に必要に応じて二 重露光が行われる。なお、ウェハ Wは例えば直径 300mmのウェハ(12インチウェハ )であり、ショット領域 SEの大きさは一例として非走査方向の幅が 25mmで走査方向 の幅が 33mmの矩形領域である。次に、ステップ S 14において、現像及びエッチング やイオン注入等を行うことにより、ウェハ Wの各ショット領域 SEに所定のパターンが形 成される。
[0114] 次に、ステップ S16において、ウェハ W上にフォトレジストを塗布し、その後ステップ S18において、上記の実施の形態(図 1)の投影露光装置のレチクルステージ上にレ チクル (仮に R2とする)をロードし、ウェハステージ上にウェハ Wをロードして、走査露 光方式でレチクル R2のパターン (符号 Bで表わす)をウェハ W上の各ショット領域 SE に転写(露光)する。そして、ステップ S 20において、ウェハ Wの現像及びエッチング やイオン注入等を行うことにより、ウェハ Wの各ショット領域に所定のパターンが形成 される。 [0115] 以上の露光工程一パターン形成工程 (ステップ S 16—ステップ S20)は所望の半導 体デバイスを製造するのに必要な回数だけ繰り返される。そして、ウェハ W上の各チ ップ CPを 1つ 1つ切り離すダイシング工程 (ステップ S22)や、ボンディング工程、及 びパッケージング工程等 (ステップ S24)を経ることによって、製品としての半導体デ バイス SPが製造される。
[0116] 本例のデバイス製造方法によれば、上記の実施形態の投影露光装置で露光を行 つているため、露光工程において、照明光 (露光ビーム)の利用効率を高めた状態で 所定の偏光状態でレチクルを照明できる。従って、微細ピッチの周期的なパターン等 の解像度等が向上しているため、より高集積で高性能な半導体集積回路を、高いス ループットで安価に製造することが可能となる。
[0117] また、上記の実施形態の投影露光装置は、複数のレンズから構成される照明光学 系、投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品から なるレチクルステージやウェハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を 接続し、更に総合調整 (電気調整、動作確認等)をすることにより製造することができ る。なお、その投影露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンル ームで行うことが望ましい。
[0118] また、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、ステッパー等の一括露 光型の投影露光装置にも適用することができる。また、使用される投影光学系の倍率 は、縮小倍率のみならず、等倍や拡大倍率であってもよい。更に、本発明は、例えば 国際公開 (WO)第 99Z49504号などに開示される液浸型露光装置にも適用するこ とがでさる。
また、本発明の投影露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に 限定されることなぐ例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若し くはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子 (CCD等 )、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及び DNAチップ等の各種デバイスを製造す るための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパタ ーンが形成されたマスク (X線マスクを含むフォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフ イエ程を用いて製造する際の、露光工程 (露光装置)にも適用することができる。 [0119] また、上述の実施形態に示した投影露光装置に含まれる照明光学系(2— 20)はレ チクル R等の第 1物体を照明するための照明光学装置としても適用可能であることは 言うまでも無い。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で 種々の構成を取り得ることは勿論である。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及 び要約を含む 2003年 10月 28日付け提出の日本国特願 2003— 367963の全ての 開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれて!/、る。
産業上の利用可能性
[0120] 本発明のデバイス製造方法によれば、露光ビーム (照明光)の利用効率を高めるこ とができるとともに、所定パターンを高精度に形成できる。従って、半導体集積回路 等の各種デバイスを高精度に、かつ高い処理能力(スループット)で製造できる。

Claims

請求の範囲
[1] 光源力 の照明光を第 1物体に照射する照明光学系と、前記第 1物体上のパター ンの像を第 2物体上に投影する投影光学系とを有する投影露光装置であって、 前記光源は、前記照明光を実質的に単一の偏光状態で生成し、
前記照明光学系は、前記照明光の進行方向に沿って配置される複数の複屈折部 材を有し、
かつ前記複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの複屈折部材の進相軸の方向が 、他の複屈折部材の進相軸の方向と異なるものであり、
前記照明光のうち、特定の入射角度範囲で前記第 1物体に照射される特定照明光 を、 S偏光を主成分とする偏光状態の光とすることを特徴とする投影露光装置。
[2] 前記第 1物体に照射される前記照明光を、前記特定照明光に制限する光束制限 部材を有することを特徴とする請求項 1に記載の投影露光装置。
[3] 前記光束制限部材は、更に前記第 1物体に照射される前記照明光の入射方向を 特定の実質的に離散的な複数の方向に制限することを特徴とする請求項 2に記載の 投影露光装置。
[4] 光源力 の照明光を第 1物体に照射する照明光学系と、前記第 1物体上のパター ンの像を第 2物体上に投影する投影光学系とを有する投影露光装置であって、 前記光源は、前記照明光を実質的に単一の偏光状態で生成し、
前記照明光学系は、前記照明光の進行方向に沿って配置される複数の複屈折部 材を有し、
かつ前記複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの複屈折部材の進相軸の方向が 、他の複屈折部材の進相軸の方向と異なるものであり、
前記照明光学系中の瞳面またはその近傍の面内における、前記照明光学系の光 軸を中心とする所定の輪帯領域である特定輪帯領域内の少なくとも一部の領域を通 過する前記照明光が、前記特定輪帯領域の円周方向を偏光方向とする直線偏光を 主成分とする偏光状態であることを特徴とする投影露光装置。
[5] 前記第 1物体に照射される前記照明光を、実質的に前記特定輪帯領域内に分布 する光束に制限する光束制限部材を有することを特徴とする請求項 4に記載の投影 露光装置。
[6] 前記光束制限部材は、前記光束を更に前記特定輪帯領域内の実質的に離散的な 複数の領域内に制限することを特徴とする請求項 5に記載の投影露光装置。
[7] 前記光束制限部材は、前記光源と前記複数の複屈折部材との間に配置される回 折光学素子を含むことを特徴とする請求項 2、 3、 5、または 6に記載の投影露光装置
[8] 前記複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの部材は、透過光のうち進相軸に平行 な直線偏光成分と遅相軸に平行な直線偏光成分との間に与える位相差である偏光 間位相差が、前記部材の位置に対して非線形に変化する不均一波長板であることを 特徴とする請求項 1から 6のいずれか一項に記載の投影露光装置。
[9] 前記不均一波長板は、前記特定照明光または前記特定輪帯領域に分布する照明 光に対して、前記照明光学系の光軸を中心として 2回回転対称性を有する偏光間位 相差を与える第 1の不均一波長板を含むことを特徴とする請求項 8に記載の投影露 光装置。
[10] 前記不均一波長板は、前記特定照明光または前記特定輪帯領域に分布する照明 光に対して、前記照明光学系の光軸を中心として 1回回転対称性を有する偏光間位 相差を与える第 2の不均一波長板を更に含むことを特徴とする請求項 9に記載の投 影露光装置。
[11] 前記第 1及び第 2の不均一波長板は、前記進相軸の方向が、前記照明光学系の 光軸を回転中心として、相互に 45° ずれたものであることを特徴とする請求項 10に 記載の投影露光装置。
[12] 前記複数の複屈折部材と前記第 1物体との間に配置されたオプティカルインテグレ 一ターを更に含むことを特徴とする請求項 1から 6のいずれか一項に記載の投影露 光装置。
[13] 前記複数の複屈折部材と前記オプティカルインテグレーターとの間に配置されたズ ーム光学系、間隔可変の円錐プリズム群、または多面体プリズム群を更に含むことを 特徴とする請求項 12に記載の投影露光装置。
[14] 前記オプティカルインテグレーターは、フライアイレンズであることを特徴とする請求 項 12または 13に記載の投影露光装置。
[15] 前記光源と前記複数の複屈折部材との間に配置されて前記光源からの前記照明 光の偏光状態を変換する偏光制御機構を有することを特徴とする請求項 1から 6のい ずれか一項に記載の投影露光装置。
[16] 前記複数の複屈折部材の一部または全部を、前記照明光学系の光軸を中心とし て回転可能ならしめる回転機構を有することを特徴とする請求項 1から 6のいずれか 一項に記載の投影露光装置。
[17] 前記複数の複屈折部材を複数組備え、前記複数組の前記複数の複屈折部材を、 前記照明光学系内に交換可能に配置する複屈折部材交 構を有することを特徴 とする請求項 1から 6のいずれか一項に記載の投影露光装置。
[18] 請求項 1から 6のいずれか一項に記載の投影露光装置を用いて、前記第 1物体とし てのマスクのパターンの像で前記第 2物体としての感光体を露光することを特徴とす る露光方法。
[19] リソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフイエ程で請求項 18に記載の露光方法を用いてパターンを感光体に 転写することを特徴とするデバイス製造方法。
[20] 請求項 7に記載の投影露光装置を用いて、前記第 1物体としてのマスクのパターン の像で前記第 2物体としての感光体を露光することを特徴とする露光方法。
[21] リソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフイエ程で請求項 20に記載の露光方法を用いてパターンを感光体に 転写することを特徴とするデバイス製造方法。
[22] 光源力 の照明光を第 1物体に照射する照明光学系と、前記第 1物体上のパター ンの像を第 2物体上に投影する投影光学系とを有する投影露光装置であって、 前記光源は、前記照明光を実質的に単一の偏光状態で生成し、
前記照明光学系は、前記照明光の進行方向に沿って順に配置される、回折光学 素子と複屈折部材とを有することを特徴とする投影露光装置。
[23] 前記回折光学素子は、前記第 1物体に照射される前記照明光を、特定の入射角度 範囲で前記第 1物体に照射される特定照明光に実質的に制限するとともに、 前記複屈折部材は、前記特定照明光を S偏光を主成分とする偏光状態の光とする ことを特徴とする請求項 22に記載の投影露光装置。
[24] 前記回折光学素子は、更に前記第 1物体に照射される前記照明光の入射方向を 特定の実質的に離散的な複数の方向に制限することを特徴とする請求項 23に記載 の投影露光装置。
[25] 前記回折光学素子は、前記照明光を、前記照明光学系中の瞳面内の、前記照明 光学系の光軸を中心とする所定の輪帯領域である特定輪帯領域内に分布する光束 に実質的に制限するとともに、
前記複屈折部材は、前記光束を、円周方向を偏向方向とする直線偏光を主成分と する偏光状態とすることを特徴とする請求項 22に記載の投影露光装置。
[26] 前記回折光学素子は、前記光束を更に前記特定輪帯領域内の実質的に離散的な 複数の領域内に制限することを特徴とする請求項 25に記載の投影露光装置。
[27] 請求項 22から 26のいずれか一項に記載の投影露光装置を用いて、前記第 1物体 としてのマスクのパターンの像で前記第 2物体としての感光体を露光することを特徴と する露光方法。
[28] リソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフイエ程で請求項 27に記載の露光方法を用いてパターンを感光体に 転写することを特徴とするデバイス製造方法。
[29] 光源力 の照明光を第 1物体に照射する照明光学装置であって、
前記照明光の進行方向に沿って配置される複数の複屈折部材を有し、 かつ前記複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの複屈折部材の進相軸の方向が 、他の複屈折部材の進相軸の方向と異なるものであり、
前記光源から供給される実質的に単一の偏光状態である照明光のうち、前記第 1 物体に特定の入射角度範囲で照射される特定照明光を、 S偏光を主成分とする偏光 状態の光とすることを特徴とする照明光学装置。
[30] 前記第 1物体に照射される前記照明光を、前記特定照明光に制限する光束制限 部材を有することを特徴とする請求項 29に記載の照明光学装置。
[31] 前記光束制限部材は、更に前記第 1物体に照射される前記照明光の入射方向を 特定の実質的に離散的な複数の方向に制限することを特徴とする請求項 30に記載 の照明光学装置。
[32] 前記光束制限部材は、回折光学素子を含むことを特徴とする請求項 30または 31 に記載の照明光学装置。
[33] 前記複数の複屈折部材のうち少なくとも 1つの部材は、透過光のうち進相軸に平行 な直線偏光成分と遅相軸に平行な直線偏光成分との間に与える位相差である偏光 間位相差が、前記部材の位置に対して非線形に変化する不均一波長板であることを 特徴とする請求項 29から 31のいずれか一項に記載の照明光学装置。
[34] 前記不均一波長板は、前記特定照明光または前記特定輪帯領域に分布する照明 光に対して、前記照明光学系の光軸を中心として 2回回転対称性を有する偏光間位 相差を与える第 1の不均一波長板を含むことを特徴とする請求項 33に記載の照明光 学装置。
[35] 前記不均一波長板は、前記特定照明光または前記特定輪帯領域に分布する照明 光に対して、前記照明光学系の光軸を中心として 1回回転対称性を有する偏光間位 相差を与える第 2の不均一波長板を更に含むことを特徴とする請求項 34に記載の照 明光学装置。
[36] 前記第 1及び第 2の不均一波長板は、前記進相軸の方向が、前記照明光学系の 光軸を回転中心として、相互に 45° ずれたものであることを特徴とする請求項 35〖こ 記載の照明光学装置。
[37] 前記複数の複屈折部材と前記第 1物体との間に配置されたオプティカルインテグレ 一ターを更に含むことを特徴とする請求項 29から 31のいずれか一項に記載の照明 光学装置。
[38] 前記光束制限部材は、回折光学素子であるとともに、
前記複数の複屈折部材と前記第 1物体との間に配置されたオプティカルインテグレ 一ターを含むことを特徴とする請求項 30または 31に記載の照明光学装置。
[39] 光源力 の照明光を第 1物体に照射する照明光学装置であって、
前記照明光の進行方向に沿って順に配置される、回折光学素子と複屈折部材とを 有することを特徴とする照明光学装置。
[40] 前記回折光学素子は、前記第 1物体に照射される前記照明光を、特定の入射角度 範囲で前記第 1物体に照射される特定照明光に実質的に制限するとともに、 前記複屈折部材は、前記特定照明光を S偏光を主成分とする偏光状態の光とする ことを特徴とする請求項 39に記載の照明光学装置。
[41] 前記回折光学素子は、更に前記第 1物体に照射される前記照明光の入射方向を 特定の実質的に離散的な複数の方向に制限することを特徴とする請求項 40に記載 の照明光学装置。
[42] 前記複屈折部材と前記第 1物体との間に配置されたオプティカルインテグレーター を含むことを特徴とする請求項 39から 41のいずれか一項に記載の照明光学装置。
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