WO2005093791A1 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

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Hideaki Hara
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    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
  • Semiconductor devices and liquid crystal display devices are manufactured by a so-called photolithography technique in which a pattern formed on a mask is transferred onto a photosensitive substrate.
  • the exposure apparatus used in the photolithography process has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate, and a projection optical system for projecting a mask pattern while sequentially moving the mask stage and the substrate stage. Transfer to the substrate via
  • further improvement in the resolution of the projection optical system has been desired in order to cope with higher integration of device patterns.
  • the resolution of the projection optical system increases as the exposure wavelength used decreases and as the numerical aperture of the projection optical system increases.
  • the exposure wavelength used in the exposure apparatus is becoming shorter year by year, and the numerical aperture of the projection optical system is also increasing.
  • the mainstream exposure wavelength is 248 nm of KrF excimer laser, and 193 nm of short wavelength ArF excimer laser is being put to practical use.
  • the depth of focus (DOF) is as important as the resolution.
  • the resolution and the depth of focus ⁇ are respectively expressed by the following equations.
  • ⁇ is the exposure wavelength
  • ⁇ is the numerical aperture of the projection optical system
  • k is the process coefficient
  • Patent Document 1 International Publication No. 99Z49504 pamphlet
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and can supply and recover a liquid in a desired state, and can suppress deterioration of a pattern image projected on a substrate.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
  • the present invention employs the following configuration corresponding to Figs.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention collects a supply port (12) for supplying a liquid (LQ) and a liquid (LQ) in an exposure apparatus that exposes a substrate (P) via a liquid (LQ).
  • the vibration isolating mechanism for supporting the nozzle member with vibration isolation with respect to the predetermined support member is provided, it is possible to suppress the influence of the vibration generated by the nozzle member on the exposure accuracy. Therefore, deterioration of the pattern image projected on the substrate can be prevented.
  • An exposure apparatus (EX) of the present invention provides a supply port (12) for supplying a liquid (LQ) and a liquid (LQ) in an exposure apparatus that exposes a substrate (P) via a liquid (LQ).
  • Member (70) having at least one of a collection port (22) for collecting the nozzle, a support member (7, 1) for supporting the nozzle member (70), and a support member (7, 1).
  • An adjusting mechanism (60) for adjusting a positional relationship with the nozzle member (70) is provided.
  • the position of the nozzle member with respect to the support member can be adjusted by the adjustment mechanism, and supply and recovery of liquid for forming a liquid immersion area with the nozzle member arranged at an optimum position. It can be performed. Therefore, the liquid immersion area can be formed well and the liquid immersion exposure can be performed with high accuracy.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention is an exposure apparatus that exposes a substrate (P) through an optical system (PL) and a liquid (LQ).
  • An adjusting mechanism (60) for adjusting a positional relationship with the nozzle member (70) is provided.
  • the position of the nozzle member with respect to the optical system can be adjusted by the adjustment mechanism, and supply and recovery of the liquid for forming the liquid immersion area with the nozzle member arranged at the optimum position. It can be performed. Therefore, the immersion area can be formed favorably and the immersion exposure can be performed with high accuracy.
  • the exposure apparatus (EX) of the present invention provides a supply port (12) for supplying a liquid (LQ) and a liquid (LQ) in an exposure apparatus that exposes a substrate (P) via a liquid (LQ).
  • a nozzle member (70) having at least one of a recovery port (22) for recovering the substrate and supported by a predetermined support member (7, 1), and a substrate stage (PST) holding the substrate (P) )
  • a driving device (61, 62, 63) for driving the nozzle member (70) with respect to the support member (7, 1), and the position of the substrate stage (PST) and the nozzle member (70)
  • the position of the nozzle member with respect to the substrate stage is adjusted by the adjustment mechanism.
  • the liquid for forming the liquid immersion area can be supplied and recovered with the nozzle member arranged at the optimum position. Therefore, it is possible to form the liquid immersion area well and perform the liquid immersion exposure with high accuracy.
  • An exposure apparatus (EX) is an exposure apparatus that exposes a substrate (P) via a liquid (LQ), and includes a supply port (12) for supplying the liquid (LQ) and a liquid (LQ).
  • a nozzle member (70) having at least one of a collection port (22) for collecting (LQ), and at least a part of the nozzle member (70) has an optical axis (AX) of exposure light for exposing the substrate (P). It is configured to be movable in the direction.
  • a device manufacturing method uses the above-described exposure apparatus (EX). According to the present invention, since a pattern image can be transferred onto a substrate with high accuracy, a device having desired performance can be manufactured.
  • supply and recovery of a liquid can be performed in a desired state, and deterioration of a pattern image projected on a substrate can be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a side view showing the vicinity of a nozzle member.
  • FIG. 3 is a plan view showing a nozzle member.
  • FIG. 4 is a side view showing another embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 5 is a side view showing another embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 6 is a flowchart showing an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • the exposure apparatus EX includes a mask stage MST supporting a mask M, a substrate stage PST supporting a substrate P, and a mask M supported by the mask stage MST.
  • An illumination optical system IL for illuminating with the exposure light EL
  • a projection optical system PL for projecting and exposing a pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto a substrate P supported by the substrate stage PST
  • an exposure device It has a control device CONT that controls the overall operation of the EX.
  • the control device CONT includes various measuring means of the exposure apparatus EX (for example, interferometers 35 and 45, a focus leveling detection system, a nozzle position measuring device 84-86, etc.) and a driving device (for example, a mass These are connected to a stage drive, a substrate stage drive, a nozzle drive 61-63, etc.), and are configured to be able to transmit measurement results and drive commands between them.
  • various measuring means of the exposure apparatus EX for example, interferometers 35 and 45, a focus leveling detection system, a nozzle position measuring device 84-86, etc.
  • a driving device for example, a mass
  • the exposure apparatus EX further includes a main column 1 that supports the mask stage MST and the projection optical system PL.
  • the main column 1 is set on a base plate BP placed horizontally on the floor.
  • the main column 1 has an upper step 3 and a lower step 7 protruding inward.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which the immersion method is applied in order to improve the resolution by substantially shortening the exposure wavelength and to substantially increase the depth of focus.
  • the exposure apparatus EX uses the liquid LQ supplied from the liquid supply mechanism 10 to at least partially transfer the pattern image of the mask M onto the substrate P including the projection area AR1 of the projection optical system PL while transferring the pattern image of the mask M onto the substrate P.
  • the immersion area AR2 is formed.
  • the exposure apparatus EX fills the liquid LQ between the optical element 2 at the image-side tip of the projection optical system PL and the surface of the substrate P, and fills the space between the projection optical system PL and the substrate P with the liquid LQ.
  • the substrate P is exposed by projecting the pattern image of the mask M onto the substrate P via the liquid LQ and the projection optical system PL.
  • the mask M and the substrate P are mutually moved in the scanning direction.
  • a scanning exposure apparatus a so-called scanning stepper
  • a scanning exposure apparatus that exposes a pattern formed on a mask M to a substrate P while synchronously moving in different directions (reverse directions) will be described as an example.
  • the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction
  • the direction of synchronous movement (scanning direction) between the mask M and the substrate P in a plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis direction
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction and the X-axis direction (non-scanning direction) is the Y-axis direction.
  • the directions of rotation (tilt) around the X axis, Y axis, and Z axis are the ⁇ , 0 ⁇ , and 0 ⁇ directions, respectively.
  • the “substrate” used herein includes a semiconductor wafer coated with a photoresist as a photosensitive material
  • the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
  • the illumination optical system IL is supported by a support column 4 fixed above the main column 1.
  • the illumination optical system IL illuminates the mask ⁇ supported by the mask stage MST with the exposure light EL, and includes an exposure light source, an optical integrator for equalizing the illuminance of a light beam emitted from the exposure light source, and an optical integrator. It has a condenser lens that condenses the exposure light EL from the camera, a relay lens system, and a variable field stop that sets the illumination area on the mask ⁇ ⁇ ⁇ with the exposure light EL in a slit shape. A predetermined illumination area on the mask ⁇ is illuminated by the illumination optical system IL with exposure light EL having a uniform illuminance distribution.
  • the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL is, for example, ultraviolet rays (g-rays, h-rays, i-rays) and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) such as a mercury lamp. (DUV light), ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F laser light (wavelength 157 nm)
  • Vacuum ultraviolet light (VUV light) or the like is used.
  • ArF excimer laser light is used.
  • pure water is used for the liquid LQ. Pure water is used not only for ArF excimer laser light, but also for ultraviolet light (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) such as ultraviolet rays emitted from a mercury lamp. ) Is also permeable
  • the mask stage MST supports the mask M, and has an opening 36 at the center thereof through which the pattern image of the mask M passes.
  • a mask surface plate 31 is supported via an anti-vibration unit 33.
  • an opening 37 for passing the pattern image of the mask M is formed.
  • a plurality of gas bearings (air bearings) 32 which are non-contact bearings, are provided on the lower surface of the mask stage MST.
  • the mask stage MST is supported in a non-contact manner with respect to the upper surface (guide surface) 31 A of the mask surface plate 31 by an air bearing 32 and is perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL by a mask stage driving device such as a linear motor. It can be moved two-dimensionally in a simple plane, that is, in the XY plane, and can be slightly rotated in the ⁇ Z direction.
  • a movable mirror 34 is provided at a predetermined position on the + X side on the mask stage MST.
  • a laser interferometer 35 is provided at a position facing the movable mirror 34.
  • a movable mirror is also provided on the + Y side on the mask stage MST, and a laser interferometer is provided at a position facing the movable mirror.
  • the position of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction and the rotation angle in the ⁇ Z direction are measured in real time by the laser interferometer 35 and measured.
  • the result is output to the control unit CONT.
  • the control device CONT is connected to the laser interferometer 35 and the mask stage driving device, and is supported by the mask stage MST by driving the mask stage driving device based on the measurement result of the laser interferometer 35, The mask M to be positioned.
  • the projection optical system PL is for projecting and exposing the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification of 13, and is provided at the terminal end of the substrate P side (the image plane side of the projection optical system PL). And a plurality of optical elements including an optical element (lens) 2. These optical elements are supported by a barrel PK.
  • the projection optical system PL is a reduction system whose projection magnification j8 is, for example, 1 Z4 or 1Z5. Note that the projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system.
  • the optical element (lens) 2 at the distal end of the projection optical system PL of the present embodiment is provided so as to be detachable (replaceable) from the lens barrel PK, and the optical element 2 has a liquid LQ in the liquid immersion area AR2. Contact.
  • the optical element 2 is formed of fluorite. Since fluorite has a high affinity for water, the liquid LQ can be brought into close contact with almost the entire liquid contact surface 2A of the optical element 2. That is, in the present embodiment, since the affinity for the liquid contact surface 2A of the optical element 2 is high and the liquid (water) LQ is supplied, the liquid contact surface 2A of the optical element 2 is supplied. High adhesion between liquid and liquid LQ In addition, the optical path between the optical element 2 and the substrate P can be reliably filled with the liquid LQ. Note that the optical element 2 has a high affinity for water and may be quartz.
  • the liquid contact surface 2A of the optical element 2 is subjected to a hydrophilic (lyophilic) treatment such as adhesion of MgF, AlO, SiO, etc.
  • a flange portion 8 is provided on the outer peripheral portion of the lens barrel PK.
  • a lens barrel base 5 is supported on the upper surface of the lower step 7 of the main column 1 via an anti-vibration unit 6.
  • the flange PK engages with the barrel base 5 to support the barrel PK on the barrel base 5.
  • the projection optical system PL is supported on the lower step 7 of the main column 1 via a lens barrel base 5 and a vibration isolation unit 6.
  • the substrate stage PST is provided movably while holding the substrate P via a substrate holder PH.
  • a concave portion 46 is provided on the substrate stage PST, and the substrate holder PH is disposed in the concave portion 46.
  • the upper surface 47 of the substrate stage PST other than the concave portion 46 is a flat surface (flat portion) which is almost the same height (flat) as the surface of the substrate P held by the substrate holder PH.
  • the image plane of the projection optical system PL can be used even when the edge area E of the substrate P is subjected to immersion exposure.
  • the liquid immersion area AR2 can be favorably formed while holding the liquid LQ on the side.
  • the liquid LQ hardly flows into the gap due to the surface tension of the liquid LQ. In this case, the liquid LQ can be held below the projection optical system PL by the upper surface 47.
  • the upper surface 47 of the substrate stage PST has been subjected to a liquid repelling treatment and has liquid repellency.
  • a liquid-repellent treatment of the upper surface 47 for example, a fluorine resin material is applied, or a liquid-repellent material such as an acrylic resin material is applied, or a thin film made of the liquid-repellent material is applied.
  • a material that is insoluble in the liquid LQ is used as the liquid-repellent material for making the liquid-repellent.
  • the whole or a part of the substrate stage PST may be formed of a liquid-repellent material such as a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)).
  • a plurality of gas bearings (air bearings) 42 which are non-contact bearings, are provided on the lower surface of the substrate stage PST.
  • the substrate On the base plate BP, the substrate is Surface plate 41 is supported.
  • the substrate stage PST is supported by an air bearing 42 in a non-contact manner with respect to the upper surface (guide surface) 41A of the substrate surface plate (base portion) 41. It can be two-dimensionally moved in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane, and can be slightly rotated in the ⁇ Z direction. Further, the substrate stage PST is provided so as to be movable in the Z-axis direction, the 0X direction, and the Y direction.
  • the substrate stage PST is supported by the X guide stage 54 so as to be movable in the X-axis direction.
  • the substrate stage PST is supported in a non-contact manner by a magnet and a magnetic guide such as an actuator that maintains a predetermined amount of gear in the Z-axis direction with respect to the X guide stage 54.
  • the substrate stage PST can be moved at a predetermined stroke in the X-axis direction by the X linear motor 53 while being guided by the X guide stage 54.
  • the X linear motor 53 includes a stator 53A provided on the X guide stage 54 so as to extend in the X-axis direction, and a mover 53B provided corresponding to the stator 53A and fixed to the substrate stage PST. ing.
  • the substrate stage PST moves in the X-axis direction.
  • the substrate stage PST is moved in the X-axis direction by the X linear motor 53 while being supported by the X guide stage 54 in a non-contact manner.
  • a pair of Y linear motors 51 and 52 capable of moving the X guide stage 54 in the Y axis direction together with the substrate stage PST are provided.
  • Each of the ⁇ linear motors 51 and 52 includes movers 51B and 52B provided at both ends in the longitudinal direction of the X guide stage 54, and stators 51A and 52A provided corresponding to the movers 51B and 52B. Have.
  • the stators 51A and 51B are supported on a base plate BP.
  • the X guide stage 54 can be rotated in the ⁇ Z direction. Accordingly, the substrate stage PST can be moved in the Y-axis direction and the ⁇ Z direction almost integrally with the X guide stage 54 by the Y linear motors 51 and 52.
  • Guide portions 55, 55 for guiding the movement of the X guide stage 54 in the Y-axis direction are provided on both sides in the X-axis direction with the substrate surface plate 41 interposed therebetween.
  • Guide 55 Supported on the BP.
  • a concave guided member 57 is provided at each of both longitudinal ends of the lower surface of the X guide stage 54.
  • the guide portion 55 is engaged with the guided member 57, and is provided such that the upper surface (guide surface) of the guide portion 55 and the inner surface of the guided member 57 face each other.
  • a gas bearing (air bearing) 56 as a non-contact bearing is provided on the guide surface of the guide portion 55, and the X guide stage 54 is supported in a non-contact manner with respect to the guide surface.
  • the substrate stage driving device including the linear motors 51, 52, and 53 is connected to a control device CONT, and the control device CONT controls the substrate stage driving device.
  • the exposure apparatus EX also has a focus leveling detection system (not shown) for detecting the position of the surface of the substrate P supported by the substrate stage PST.
  • the focus 'leveling detection system is connected to the control device CONT, and the control device CONT is based on the detection result of the focus' leveling detection system! /, And the focus position of the substrate P on the substrate stage PST (Z Position) and the tilt angle are controlled so that the surface of the substrate P is aligned with the image plane of the projection optical system PL by the autofocus method and the autoleveling method.
  • a movable mirror 44 is provided on the substrate stage PST.
  • the upper surface of the movable mirror 44 is substantially flush with the upper surface 47 of the substrate stage PST.
  • the upper surface of the movable mirror 44 is also subjected to lyophobic treatment and has lyophobicity.
  • a laser interferometer 45 is provided at a position facing the movable mirror 44. The position and the rotation angle of the substrate P on the substrate stage PST in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 45, and the measurement result is output to the control device CONT.
  • the laser interferometer 45 and the substrate stage driving device are connected to the control device CONT.
  • the control device CONT is supported by the substrate stage PST by driving the substrate stage driving device based on the measurement result of the laser interferometer 45.
  • the substrate P in the XY plane.
  • the liquid supply mechanism 10 is for supplying a predetermined liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL, and includes a liquid supply unit 11 capable of sending out the liquid LQ, and a liquid supply unit 11. And a supply pipe 13 (13A, 13B) for connecting one end!
  • the liquid supply unit 11 includes a tank for storing the liquid LQ, a pressure pump, and the like.
  • the control device CONT is connected to the liquid supply unit 11, and the liquid supply operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control device CONT.
  • the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid LQ onto the substrate P.
  • the liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL, and includes a liquid recovery unit 21 capable of recovering the liquid LQ, and one end of the liquid recovery unit 21. And a collection pipe 23 (23A, 23B) for connecting the tubing.
  • the liquid recovery unit 21 includes, for example, a vacuum system (suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid LQ and gas, a tank that stores the recovered liquid LQ, and the like.
  • a vacuum system suction device
  • a vacuum system of a factory where the exposure apparatus EX is disposed may be used without providing a vacuum pump in the exposure apparatus EX.
  • the control device CONT is connected to the liquid recovery unit 21, and the liquid recovery operation of the liquid recovery unit 21 is controlled by the control device CONT.
  • the liquid recovery mechanism 20 recovers a predetermined amount of the liquid LQ on the substrate P supplied from the liquid supply mechanism 10.
  • a nozzle member 70 is disposed near the optical element 2 that is in contact with the liquid LQ.
  • the nozzle member 70 is supported by the vibration isolator 60 on the lower step 7 of the main column 1.
  • the nozzle member 70 is an annular member provided so as to surround the side surface of the optical element 2 above the substrate P (substrate stage PST), and constitutes a part of each of the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20. It is a thing.
  • the nozzle member 70 is made of, for example, aluminum, titanium, stainless steel, duralumin, and an alloy containing these.
  • the nozzle member 70 may be formed of a transparent member (optical member) having a light transmitting property such as glass (quartz).
  • FIGS. 2 and 3 is an enlarged side view of the vicinity of the nozzle member 70
  • FIG. 3 is a plan view of the nozzle member 70 as viewed from above.
  • the nozzle member 70 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and has the liquid supply port 12 (12A, 12B) arranged to face the surface of the substrate P.
  • the nozzle member 70 has two liquid supply ports 12A and 12B.
  • the liquid supply ports 12A and 12B are provided on the lower surface 70A of the nozzle member 70.
  • the nozzle member 70 has a supply flow corresponding to the liquid supply port 12 (12A, 12B) inside. It has a road 14 (14A, 14B). A plurality (two) of the supply pipes 13 (13A, 13B) are provided so as to correspond to the liquid supply ports 12A, 12B and the supply flow paths 14A, 14B.
  • the nozzle member 70 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and has a liquid recovery port 22 (22A, 22B) arranged to face the surface of the substrate P.
  • the nozzle member 70 has two liquid recovery ports 22A and 22B.
  • the liquid recovery ports 22A and 22B are provided on the lower surface 70A of the nozzle member 70!
  • the nozzle member 70 has a recovery channel 24 corresponding to the liquid recovery ports 22A and 22B therein.
  • a plurality (two) of the recovery pipes 23 are provided so as to correspond to the liquid recovery ports 22A, 22B and the recovery flow paths 24A, 24B! /
  • the other ends of the supply pipes 13A and 13B are connected to one ends of tube members 16 (16A and 16B) which are extendable and flexible.
  • One ends of the supply channels 14A, 14B are connected to the other ends of the tube members 16A, 16B, and the other ends of the supply channels 14A, 14B are connected to the liquid supply ports 12A, 12B.
  • the other ends of the collection tubes 23A and 23B are connected to one ends of tube members 26 (26A and 26B) which are stretchable and flexible.
  • One ends of the recovery channels 24A and 24B are connected to the other ends of the tube members 26A and 26B, and the other ends of the recovery channels 24A and 24B are connected to the liquid recovery ports 22A and 22B.
  • the liquid supply ports 12A and 12B constituting the liquid supply mechanism 10 are provided at respective positions on both sides in the X-axis direction across the projection area AR1 of the projection optical system PL.
  • the liquid recovery ports 22A and 22B that are configured are provided outside the liquid supply ports 12A and 12B of the liquid supply mechanism 10 with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL.
  • the projection area AR1 of the projection optical system PL in the present embodiment is set to have a rectangular shape in plan view with the Y-axis direction as the long direction and the X-axis direction as the short direction.
  • Each of the liquid supply ports 12A and 12B is formed in a slit shape whose longitudinal direction is in the Y-axis direction and whose both ends are bent inward.
  • Each of the liquid recovery ports 22A and 22B is formed in a slit shape with the longitudinal direction in the Y-axis direction and both ends bent inward, and provided so as to surround the liquid supply ports 12A and 12B and the projection area ARl.
  • the lower surface (liquid contact surface) 70 A of the nozzle member 70 has lyophilicity (hydrophilicity), like the liquid contact surface 2 A of the optical element 2.
  • the lower surface 70A of the nozzle member 70 is substantially flat, the lower surface 2A of the optical element 2 is also flat, and the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the lower surface 2A of the optical element 2 are substantially flush. I have.
  • the liquid immersion area AR2 can be favorably formed in a wide range.
  • the nozzle member 70 includes a main body 70B in which the supply flow path 14 and the recovery flow path 24 are formed, and a flange 70T outside the main body 70B.
  • the lower step 7 of the main column 1 is formed with a concave portion 7H facing inward where the flange 70T of the nozzle member 70 can be arranged.
  • the anti-vibration mechanism 60 supports the nozzle member 70 in anti-vibration with respect to the lower step 7 of the main column 1, and has a concave portion 7 H of the lower step 7 and a flange 70 T of the nozzle member 70. And a plurality of nozzle driving devices 61 (61A-61C), 62 (62A), and 63 (63A-63C), which actively prevent the nozzle member 70 against the lower step 7 of the main column 1.
  • the active vibration isolating mechanism 65 that vibrates and the passive vibration isolating mechanism 72 (72A-72C) that passively supports and supports the flange 70T of the nozzle member 70 against the bottom surface 7A of the recess 7H of the lower step 7 Have.
  • the nozzle driving devices 61-63 are configured by, for example, a voice coil motor / peripheral motor driven by Lorentz force or the like.
  • a voice coil motor or the like driven by Lorentz force has a coil part and a magnet part, and the coil part and the magnet part are driven in a non-contact state. Therefore, generation of vibration can be suppressed by configuring the nozzle driving devices 61 to 63 by a driving device driven by Lorentz force such as a voice coil motor.
  • the noisy vibration isolating mechanism 72 is composed of, for example, an air panel (air cylinder, air bellows) or the like, and supports the nozzle member 70 in a vibration isolating manner by the elastic action of gas (air).
  • a plurality (three) of passive vibration isolating mechanisms 72 72A to 72C are provided so as to surround the projection optical system PL.
  • the anti-vibration mechanism 60 supports the projection optical system PL (optical element 2) while keeping the nozzle member 70 apart. Since the nozzle member 70 and the projection optical system PL (optical element 2) are supported apart from each other, the vibration generated in the nozzle member 70 is not directly transmitted to the projection optical system PL.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are provided with a predetermined support mechanism so that the lens barrel is fixed. It is supported separately from panel 5. Thus, the vibration generated in the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 is not transmitted to the projection optical system PL via the lens barrel base 5.
  • the active anti-vibration mechanism 65 connects the X-side inner side surface 7B of the concave portion 7H of the lower step portion 7 and the X-side side surface of the nozzle member 70 to form an inner side surface 7B (lower step portion 7).
  • the X drive 61 (61A-61C) that drives the nozzle member 70 in the X-axis direction, the Y-side inner surface 7B of the recess 7H of the lower step 7 and the Y-side surface of the nozzle member 70
  • a Y drive device 62 (62A) for driving the nozzle member 70 in the Y-axis direction with respect to the inner side surface 7B (lower step portion 7), and a ceiling surface 7C of the concave portion 7H of the lower step portion 7.
  • Each of these driving devices 61-63 is connected to the control device CONT, and the control device CONT controls the driving of each of the driving devices 61-63.
  • the anti-vibration mechanism 60 includes a plurality (three) of X drive devices 61.
  • the anti-vibration mechanism 60 is provided on two X drives 61 A and 6 IB arranged side by side in the Y-axis direction on the + X side of the nozzle member 70 and on the X side of the nozzle member 70.
  • X drive 61C The control device CONT can move (translate) the nozzle member 70 in the X-axis direction by driving the plurality of X drive devices 61A to 61C with the same drive amount. Further, by driving the plurality of X driving devices 61A-61C with different driving amounts, the nozzle member 70 can be moved (rotated) in the ⁇ Z direction.
  • the anti-vibration mechanism 60 includes one Y drive device 62.
  • the anti-vibration mechanism 60 includes a Y drive device 62A provided on the Y side of the nozzle member 70.
  • the control device CONT can move (translate) the nozzle member 70 in the Y-axis direction by driving the Y drive device 62A.
  • the anti-vibration mechanism 60 includes a plurality (three) of Z drive devices 63.
  • the anti-vibration mechanism 60 includes three Z driving devices 63A, 63B, and 63C provided on the + Z side of the nozzle member 70 and surrounding the projection optical system PL.
  • the control device CONT can move (translate) the nozzle member 70 in the Z-axis direction by driving the plurality of Z drive devices 63A to 63C with the same drive amount.
  • the nozzle member 70 is moved in the ⁇ X direction and the ⁇ Y direction. Can be moved (rotated).
  • the vibration isolation mechanism 60 uses the plurality of driving devices 61-63 to control the nozzles in the directions of six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, 0X, ⁇ Y, and ⁇ Z directions).
  • the member 60 can be driven.
  • each of the noisy drive mechanisms 72A to 72C and each of the Z drive devices 63A to 63C are arranged close to each other.
  • the number and arrangement of the X drive device 61, the Y drive device 62, and the Z drive device 63 can be arbitrarily set.
  • the Z drive device 63 may be provided so as to connect the lower surface of the flange portion 70T of the nozzle member 70 and the bottom surface 7A of the concave portion 7T of the lower step portion 7.
  • one X drive device 61 may be provided and two Y drive devices 62 may be provided.
  • the nozzle member 70 be configured to be able to be driven in directions of six degrees of freedom using a plurality of driving devices 61-63.
  • the points of action of the passive drive mechanism 72 (72A-72C) on the nozzle member 70 and the points of action of the Z drive 63 (63A-63C) on the nozzle member 70 are defined on the XY plane.
  • the respective action points may be set so as to coincide with each other and to be located on the same line (axis).
  • the exposure apparatus EX includes a temperature control system (cooling system) (not shown) for adjusting (cooling) the temperature of the driving devices 61-63. Since the drive units 61-63 are heat sources, they can be cooled by using a cooling system to reduce fluctuations in the environment (temperature) of the exposure unit EX.
  • the cooling system may be cooled using the liquid LQ for immersion exposure, or may be cooled using a predetermined cooling liquid (refrigerant) different from the liquid LQ for immersion light.
  • the exposure apparatus EX also includes a nozzle position measuring device 80 that measures the positional relationship between the lower step 7 of the main column 1 and the nozzle member 70.
  • the nozzle position measuring device 80 is constituted by a laser interferometer.
  • the nozzle position measuring device 80 measures the distance (relative position) between the X-side inner surface 7B of the recess 7H of the lower step 7 and the X-side surface of the nozzle member 70 (81A, 81B).
  • a Y interferometer 82 (82A) for measuring the distance (relative position) between the Y-side inner surface 7B of the recess 7H of the lower step 7 and the Y-side surface of the nozzle member 70
  • a Z interferometer 83 (83A-83C) for measuring a distance between the ceiling surface 7C of the concave portion 7H of the lower step portion 7 and the upper surface of the nozzle member 70 (a position relative to the ceiling).
  • the nozzle position measuring device 80 includes a plurality (two) of X interferometers 81.
  • the nozzle position measuring device 80 includes two X interferometers 81A and 81B provided side by side in the Y-axis direction on the + X side inner side surface 7B of the concave portion 7H of the lower step portion 7. .
  • reflection surfaces 84A and 84B are provided at positions facing the X interferometers 81A and 81B, respectively.
  • the control device CONT can obtain the position of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 in the X-axis direction based on the measurement result of at least one of the X interferometers 81A and 81B. Further, the control device CONT can determine the position of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 in the ⁇ Z direction based on the measurement results of the plurality of X interferometers 81A and 8IB.
  • the nozzle position measuring device 80 includes one Y interferometer 82.
  • the nozzle position measuring device 80 includes a Y interferometer 82A provided on the ⁇ Y side inner side surface 7B of the concave portion 7H of the lower step portion 7.
  • a reflection surface 85A is provided at a position facing the Y interferometer 82A on the Y side surface of the nozzle member 70.
  • the controller CONT can determine the position of the nozzle member 70 in the Y-axis direction with respect to the lower step 7 based on the measurement result of the Y interferometer 82A.
  • the nozzle position measuring device 80 includes a plurality (three) of Z interferometers 83. Specifically, the nozzle position measuring device 80 is provided for the Z interferometers 83A and 83B provided in the X-axis direction on the ceiling surface 7C of the concave portion 7H of the lower step portion 7 and the Z interferometer 83B. And a Z interferometer 83C provided at a position aligned in the Y-axis direction. Further, on the upper surface of the nozzle member 70, reflection surfaces 86A, 86B, 86C are provided at positions facing the Z interferometers 83A, 83B, 83C, respectively.
  • the control device CONT can determine the position of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 in the Z-axis direction based on at least one measurement result of the Z interferometers 83A, 83B, and 83C. In addition, the controller CONT has at least one of two Z interferometers 83A, 83B, and 83C. Based on the measurement results, the positions of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 in the ⁇ X direction and the ⁇ Y direction can be obtained.
  • the control device CONT controls the directions of six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, 0X, 0Y, and 0Z).
  • the position of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 (main column 1) with respect to the direction can be determined.
  • the number and arrangement of X interferometer 81, Y interferometer 82, and Z interferometer 83 can be set arbitrarily.
  • the Z interferometer 83 may be provided to measure the distance (relative position) between the lower surface of the flange 70T of the nozzle member 70 and the bottom surface 7A of the concave portion 7T of the lower step 7!
  • one X interferometer 81 and two Y interferometers 82 may be provided. In short, it is only necessary that the configuration is such that the position of the nozzle member 70 in the directions of six degrees of freedom can be measured using the plurality of interferometers 81-83.
  • the nozzle position measuring device 80 is not limited to an interferometer, and a position measuring device having another configuration such as, for example, a capacitance sensor or an encoder can be used.
  • the exposure apparatus EX includes an acceleration measuring device 90 for measuring acceleration information of the nozzle member 70.
  • the acceleration measuring device 90 measures the acceleration of the nozzle member 70 in the X-axis direction
  • the X acceleration measuring device 91 (91A, 91B) measures the acceleration of the nozzle member 70 in the Y-axis direction.
  • the accelerometer 92 (92A) and the Z accelerometer 93 (93A-93C) for measuring the acceleration of the nozzle member 70 in the Z-axis direction are provided.
  • the measurement results of the acceleration measuring devices 91-93 are output to the control device CONT.
  • the acceleration measuring device 90 includes a plurality (two) of X acceleration measuring devices 91.
  • the acceleration measuring device 90 includes two X acceleration measuring devices 91A and 91B provided side by side in the Y-axis direction on the + X side surface of the nozzle member 70.
  • the control device CONT can obtain the acceleration of the nozzle member 70 in the X-axis direction based on the measurement result of at least one of the X acceleration measuring devices 91A and 91B. Further, the control device CONT can determine the acceleration of the nozzle member 70 in the ⁇ Z direction based on the measurement results of the plurality of X acceleration measuring devices 91A and 9IB. Further, in the present embodiment, the acceleration measuring device 90 includes one Y acceleration measuring device 92.
  • the acceleration measuring device 90 includes a Y acceleration measuring device 92A provided on the Y-side side surface of the nozzle member 70.
  • the control device CONT can obtain the acceleration of the nozzle member 70 in the Y-axis direction based on the measurement result of the Y acceleration measuring device 92A.
  • the acceleration measuring device 90 includes a plurality (three) of Z acceleration measuring devices 93.
  • the accelerometer 90 is provided with Z accelerometers 93A and 93B provided side by side in the X-axis direction on the upper surface of the nozzle member 70, and a position aligned with the Z-accelerometer 93B in the Y-axis direction.
  • a Z-acceleration measuring instrument 93C provided in the facility.
  • the controller CONT can determine the acceleration of the nozzle member 70 in the Z-axis direction based on at least one measurement result of the Z acceleration measuring devices 93A, 93B, and 93C.
  • the control device CONT can determine the acceleration of the nozzle member 70 in the 0X direction and the 0Y direction based on at least any two of the measurement results of the plurality of Z acceleration measuring devices 93A, 93B, and 93C.
  • the control device CONT determines the directions of six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, 0X, 0Y, and The acceleration of the nozzle member 70 with respect to (0 Z direction) can be obtained.
  • the number and arrangement of the X acceleration measuring device 91, the Y acceleration measuring device 92, and the Z acceleration measuring device 93 can be arbitrarily set.
  • the Z acceleration measuring device 93 may be provided on the lower surface of the flange 70T of the nozzle member 70.
  • one X acceleration measuring device 91 and two Y acceleration measuring devices 92 may be provided. The point is that it is sufficient if the acceleration member 91-93 can be used to measure the acceleration of the nozzle member 70 in the directions of six degrees of freedom.
  • the control device CONT supports the substrate P while collecting the liquid LQ on the substrate P by the liquid recovery mechanism 20 in parallel with the supply of the liquid LQ onto the substrate P by the liquid supply mechanism 10. While moving the substrate stage PST in the X-axis direction (scanning direction), the pattern image of the mask M is projected through the liquid LQ between the projection optical system PL and the substrate P and the substrate P via the projection optical system PL. Projection exposure on top.
  • the liquid LQ supplied from the liquid supply unit 11 of the liquid supply mechanism 10 to form the liquid immersion area AR2 flows through the supply pipes 13A and 13B and the tube members 16A and 16B.
  • the liquid is supplied onto the substrate P from the liquid supply ports 12A and 12B via supply channels 14A and 14B formed inside.
  • the liquid LQ supplied onto the substrate P from the liquid supply ports 12A and 12B is supplied so as to spread between the substrate P and the lower end surface of the front end portion (optical element 2) of the projection optical system PL, and the projection area AR1
  • a liquid immersion area AR2 smaller than the substrate P and larger than the projection area AR1 is locally formed on a part of the substrate P including.
  • the control device CONT sends the liquid from the liquid supply ports 12A and 12B arranged on both sides of the projection area AR1 in the X-axis direction (scanning direction) of the liquid supply mechanism 10 from both sides of the projection area AR1 in the scanning direction.
  • the supply of the liquid LQ onto the substrate P is performed simultaneously.
  • the liquid immersion area AR2 is formed uniformly and well.
  • the control device CONT can control the liquid recovery amount per unit time by the liquid recovery unit 21, and the liquid LQ of the substrate P is recovered by a predetermined amount per unit time.
  • the exposure apparatus EX in the present embodiment projects and exposes the pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction). Then, a part of the pattern image of the mask M is projected into the projection area AR1 via the liquid LQ in the immersion area AR2 and the projection optical system PL, and the mask M is moved in the ⁇ X direction (or + X direction) at a velocity V. In synchronization with the movement, the substrate P moves with respect to the projection area AR1 in the + X direction (or the X direction) at a speed ⁇ ′ ⁇ where a projection magnification is used. A plurality of shot areas are set on the substrate ⁇ . After the exposure of one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping movement of the substrate ⁇ . Scanning exposure processing is sequentially performed on each shot area while moving the substrate by the AND scan method.
  • Supply and recovery of the liquid LQ may cause the nozzle member 70 to vibrate.
  • the substrate stage PST for scanning exposure is Vibration component force generated on the substrate P side due to movement in the Z axis direction and tilt direction (0X, 0Y direction) for leveling adjustment Transmitted to the nozzle member 70 via the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 In some cases.
  • the nozzle member 70 may be moved by viscous resistance of the liquid LQ in the liquid immersion area AR2. That is, the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 may exert a force on the nozzle member 70.
  • the lower step 7 (main column 1) that supports the nozzle member 70 also supports the projection optical system PL, so that the vibration generated by the nozzle member 70 may be transmitted to the projection optical system PL. There is.
  • the control device CONT uses the anti-vibration mechanism 60 to prevent vibration of the nozzle member 70 from being transmitted to the projection optical system PL.
  • the control device CONT performs protection based on the measurement result of the nozzle position measuring device 80.
  • the driving device 61-63 of the vibration mechanism 60 is driven.
  • the position of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 is measured by a nozzle position measuring device 80.
  • the control device CONT maintains the position of the nozzle member 70 with respect to the lower step 7 in a desired state based on the measurement result of the nozzle position measuring device 80, that is, the lower step 7 and the nozzle member 70.
  • the driving devices 61-63 of the vibration isolating mechanism 60 are driven so as to keep the positional relationship with the constant.
  • the control device CONT performs arithmetic processing based on the measurement results of the X, Y, and ⁇ position measuring devices 81, 82, and 83, and calculates the six degrees of freedom of the nozzle member 70 with respect to the lower step portion 7.
  • the position information for each direction (X-axis, ⁇ -axis, ⁇ -axis, 0X, ⁇ , and ⁇ directions) is obtained.
  • the control device CONT drives each of the X, Y, ⁇ driving devices 61, 62, 63 based on the obtained position information on the directions of the six degrees of freedom, thereby forming the nozzle member 70 for the lower step portion 7.
  • Each position is controlled in the six degrees of freedom directions (X axis, ⁇ axis, ⁇ axis, 0 ⁇ , 0 ⁇ , and 0 ⁇ directions).
  • the vibration transmitted from the nozzle member 70 to the lower step 7 by the elastic action of the gas of the air panel. can be reduced.
  • the drive 61 By reducing the relatively low frequency components (for example, 1 Hz-1 OHz) of the vibration by the active vibration isolation mechanism 65 including 63, the vibration isolation mechanism 60 can obtain the vibration isolation effect in a wide frequency band. In this way, by combining active vibration isolation (active vibration isolation) using the drive units 61-63 and passive vibration isolation (passive vibration isolation) using the elastic action of gas, the nozzle member 70 The transmission of the applied vibration to the projection optical system PL via the lower step 7 can be effectively suppressed.
  • vibration components of the nozzle member 70 very low frequency components (for example, frequency components of 1 Hz or less) are considered to have little effect on the pattern transfer accuracy on the substrate P, and therefore, vibration control for the frequency components is performed.
  • the control system of the vibration isolation mechanism 60 can be constructed so as not to perform the control. By doing so, inconveniences such as oscillation of the control system can be prevented, and the control system can be constructed with a relatively simple configuration.
  • the vibration isolation mechanism 60 prevents the vibration generated by the nozzle member 70 from being transmitted to the projection optical system PL via the lower step 7 (main column 1). it can. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the pattern image projected on the substrate P via the projection optical system PL and the liquid LQ.
  • the anti-vibration mechanism 60 supports the projection optical system PL (optical element 2) with the nozzle member 70 separated. Since the nozzle member 70 and the projection optical system PL (optical element 2) are supported apart from each other, the vibration generated in the nozzle member 70 is not directly transmitted to the projection optical system PL.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are separately supported by the lens barrel base 5 by a predetermined support mechanism. Thus, the vibration generated in the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 is not transmitted to the projection optical system PL via the lens barrel base 5.
  • the supply pipes 13A and 13B and the supply flow paths 14A and 14B of the nozzle member 70 are connected via extendable and flexible tube members 16A and 16B.
  • the recovery pipes 23A and 23B and the recovery flow paths 24A and 24B of the nozzle member are connected via extendable and flexible tube members 26A and 26B. Therefore, even when the nozzle members 70 are driven using the driving devices 61 to 63, the driving of the nozzle members 70 is not hindered. Therefore, the anti-vibration mechanism 60 can satisfactorily support the nozzle member 70 against the lower step 7.
  • a configuration in which a reference mirror (fixed mirror) of the interferometer system for measuring the position information of the substrate stage PST can be attached to the lens barrel PK of the projection optical system PL is considered.
  • the position information of the substrate stage PST can be obtained. Measurement and position control based on the measurement results can be performed with high accuracy.
  • the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 may exert a force on the nozzle member 70, and the position of the nozzle member 70 fluctuates due to the force, and the substrate P, the projection area AR1, and the like.
  • the control device CONT adjusts the positional relationship between the lower step 7 (main column 1) and the nozzle member 70 by using the drive device 61-63 of the vibration isolating mechanism 60, and thereby controls the nozzle member 70.
  • the liquid LQ for forming the liquid immersion area AR2 can be supplied and recovered in a state where the liquid LQ is arranged at the optimum position. Therefore, the liquid immersion area AR2 can be formed favorably, and the liquid immersion exposure can be performed accurately.
  • the control device CONT can adjust the position of the nozzle member 70 by using the driving devices 61-63. Therefore, for example, after liquid immersion exposure of the substrate P is completed, the nozzle member 70 is moved in the Z direction (downward) to collect the liquid LQ on the substrate P (on the substrate stage PST). When liquid is collected with the port 22 and the substrate P close to each other, it is easy to recover!
  • the substrate P and the nozzle member including the distance between the surface of the substrate P and the lower surface 70A of the nozzle member 70 according to the immersion exposure conditions (the scanning speed of the substrate P, the physical properties (viscosity) of the liquid LQ, etc.) It is also possible to adjust the positional relationship with 70 using the driving devices 61-63 and perform immersion exposure.
  • the nozzle member 70 is moved in the + Z direction (upward) so that the nozzle member 70 contacts the substrate P or the nozzle member 70 contacts the substrate stage PST. You can prevent it!
  • the control device CONT includes the nozzle position measuring device 80. Drives 61-63 are driven based on the measurement results of The driving devices 61-63 may be driven based on the result. At this time, the control device CONT performs arithmetic processing based on the measurement results of the X, Y, and ⁇ acceleration measuring devices 91, 92, and 93, and determines the directions of the six degrees of freedom of the nozzle member 70 (X axis, ⁇ axis, ⁇ Find the acceleration information for the axis, 0 °, ⁇ , and RX ⁇ directions).
  • the control device CONT drives each of the X, ⁇ , and ⁇ driving devices 61, 62, and 63 based on the obtained acceleration information on the directions of the six degrees of freedom, thereby controlling the directions of the six degrees of freedom of the nozzle member 70 ( X-axis, ⁇ -axis, ⁇ -axis, ⁇ ⁇ , ⁇ ⁇ , and ⁇ ⁇ directions).
  • the control device CONT may drive the driving devices 61 to 63 in consideration of both the measurement result of the nozzle position measuring device 80 and the measurement result of the acceleration measuring device 90.
  • the anti-vibration mechanism 60 can be configured with only the passive anti-vibration mechanism 72 without providing the active anti-vibration mechanism 65, or can be configured without providing the noise / siv anti-vibration mechanism 72. However, it is also possible to configure only the active vibration isolation mechanism 65.
  • the nozzle member 70 has both the liquid supply port 12 and the liquid recovery port 22.
  • the nozzle member 70 having the liquid supply port 12 (supply The nozzle) and the nozzle member (recovery nozzle) having the liquid recovery port 22 may be provided separately!
  • the vibration isolating mechanism (adjusting mechanism) 60 may be provided on both the supply nozzle and the recovery nozzle!
  • the position control of the nozzle member 70 (active vibration control for the lower step 7) is based on the position measurement result of the nozzle member 70 by the position measuring device 80. Force, which is feedback control performed based on that, in that case, control may be delayed. Therefore, before exposure, a physical quantity relating to the behavior of the exposure apparatus EX and the liquid LQ at the time of scanning exposure is obtained in advance, and the driving device 61-63 is driven at the time of exposure based on the obtained physical quantity to thereby form the nozzle member 70. Adopting feed-forward control to control the attitude, it is also possible to perform active vibration isolation. Note that it is also possible to combine feedback control and feedforward control.
  • test exposure is performed in advance to derive a plurality of physical quantities. That is, an identification experiment of the system of the exposure apparatus EX is performed, and dynamic characteristics including physical quantities of the system are obtained.
  • the nozzle section by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 The liquid LQ is supplied and recovered through the liquid supply port 12 and the liquid recovery port 22 of the material 70, and the substrate is formed in a state where the liquid immersion area AR2 is formed between the optical element 2 and the nozzle member 70 and the substrate P.
  • the stage PST is scanned, and the physical quantity is detected using the nozzle position measuring device 80. It should be noted that the driving devices 61-63 are not driven during the identification experiment.
  • the physical quantities to be detected include the time during the exposure sequence, the position, speed, and acceleration of the substrate P, the position, speed, and acceleration of the nozzle member 70, the relative position between the nozzle member 70 and the substrate P, the relative speed, and the like. And relative acceleration. For these positions, velocities, and accelerations, values relating to all (six degrees of freedom) in the X-axis, Y-axis, Z-axis, 0X, 0Y, and 0Z directions are detected. Further, the physical quantities to be detected include the quantity (volume, mass) and physical properties (viscosity, etc.) of the supplied liquid LQ. The plurality of physical quantities detected in the identification experiment are stored in the controller CONT.
  • the control device CONT determines a control amount for driving the drive devices 61 to 63 based on the detected physical amount, and performs vibration isolation for the lower step 7 based on the determined physical amount.
  • the main exposure is performed while driving the driving devices 61-63.
  • the control device CONT can perform vibration isolation according to the dynamic characteristics (movement) of the exposure apparatus EX itself by using the drive units 61-63. In a desired state.
  • FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
  • the exposure apparatus EX includes a nozzle position measuring device 100 that measures the positional relationship between the projection optical system PL supported on the lower step 7 of the main column 1 and the nozzle member 70.
  • the nozzle position measuring device 100 measures the positional relationship between the projection optical system PL and the nozzle member 70 in the X-axis direction, and the X interferometer 101 (101A, 101B), and the Y axis between the projection optical system PL and the nozzle member 70.
  • a Y interferometer 102 (not shown in FIG.
  • each of these interferometers 101-103 is mounted on the barrel PK of the projection optical system PL.
  • Each interferometer 101-103 and control unit CONT Are connected to each other, and the measurement results of the interferometers 101 to 103 are output to the control device CONT.
  • the controller CONT Based on the measurement results of the plurality of interferometers 101-103, the controller CONT performs projections in six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, 0X, ⁇ Y, and ⁇ Z directions).
  • the position of the nozzle member 70 with respect to the optical system PL (barrel PK) can be obtained.
  • the control device CONT drives the driving devices 61 to 63 based on the obtained position information so that the vibration of the nozzle member 70 is not transmitted to the projection optical system PL.
  • the control device CONT drives the driving devices 61 to 63 based on the obtained positional information to adjust the positional relationship between the projection optical system PL and the nozzle member 70.
  • FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
  • the exposure apparatus EX includes a nozzle position measuring device 110 that measures the positional relationship between the substrate stage PST and the nozzle member 70.
  • the nozzle position measuring device 110 measures the positional relationship between the substrate stage PST and the nozzle member 70 in the X-axis direction.
  • the X interferometer 111 (111A, 111B) and the position of the substrate stage PST and the nozzle member 70 in the Y-axis direction.
  • a Y interferometer 112 (not shown in FIG. 5) for measuring the relationship
  • a Z interferometer 113 113A-113C; ZA) for measuring the positional relationship between the substrate stage PST and the nozzle member 70 in the Z-axis direction.
  • each of these interferometers 111-113 is attached to a predetermined position of the substrate stage PST which does not hinder the exposure processing.
  • each interferometer 111-113 is attached to the side surface of the substrate stage PST.
  • Each interferometer 111-113 is connected to the control device CONT, and the measurement result of each interferometer 111-113 is output to the control device CONT.
  • the control device CONT controls the substrate in the directions of six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, 0X, 0Y, and 0Z directions).
  • the position of the nozzle member 70 with respect to the stage PST can be obtained.
  • the control device CONT drives the driving devices 61 to 63 based on the obtained position information to adjust the positional relationship between the substrate stage PST and the nozzle member 70.
  • the liquid LQ in the present embodiment is composed of pure water. Pure water can be easily obtained in large quantities at semiconductor manufacturing plants, etc. There is an advantage that there is no adverse effect on optical elements (lenses) and the like. In addition, pure water has no adverse effect on the environment and has an extremely low impurity content, so it is expected to have the effect of cleaning the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. it can. If the purity of pure water supplied by the factory is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water maker.
  • the refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be approximately 1.44.
  • ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL. If used, the wavelength is shortened to lZn, that is, about 134 nm on the substrate P, and high resolution is obtained. Furthermore, since the depth of focus is expanded to about n times, that is, about 1.44 times as compared to that in the air, if it is sufficient to secure the same depth of focus as that used in the air, the projection optical system PL Can further increase the numerical aperture, and in this regard, the resolution is also improved.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9-11.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is increased as described above, it has been conventionally used as the exposure light! /, Since the random polarization light may deteriorate the imaging performance due to the polarization effect, It is desirable to use polarized illumination.
  • linearly polarized illumination is performed according to the longitudinal direction of the line pattern of the line 'and' space pattern of the mask (reticle). From the pattern of the mask (reticle), the S-polarized component (TE-polarized component), It is preferable that a large amount of diffracted light of the polarization direction component along the longitudinal direction of the line pattern is emitted.
  • the space between the projection optical system PL and the resist applied to the surface of the substrate P is filled with air (gas).
  • the transmittance of the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component), which contributes to the improvement of contrast, on the resist surface is higher than that of the case where the numerical aperture NA of the projection optical system is 1.0. Higher imaging performance can be obtained even in the case of exceeding. Further, it is more effective to appropriately combine a phase shift mask such as an oblique incidence illumination method (particularly a dipole illumination method) adapted to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-188169.
  • a dipole is formed on the pupil plane of the illumination system.
  • the illumination ⁇ defined by the tangent circle is 0.95
  • the radius of each light beam on the pupil plane is 0.125 ⁇
  • random polarized light is used.
  • the depth of focus (DOF) can be increased by about 150 nm.
  • a fine line 'and' space pattern for example, a line 'and' space of about 25-50 nm
  • the mask M acts as a polarizing plate due to the wave guide effect, and reduces the contrast.
  • the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) is larger than the diffracted light of the (TM-polarized component), and the mask M force is also emitted.
  • the P polarization component (TM polarization component) is changed to the S polarization component (TE polarization component) by the Wire Grid effect.
  • TM polarization component the S polarization component
  • TE polarization component the S polarization component
  • Wire Grid effect For example, using an ArF excimer laser as the exposure light, and using a projection optical system PL with a reduction ratio of about 1/4, a line 'and' space pattern larger than 25 nm is formed on the substrate P.
  • more diffraction light of the S-polarized light component (TE-polarized light component) is emitted to the mask M than the diffracted light of the P-polarized light component (TM-polarized light component).
  • NA the numerical value
  • the depth of focus (DOF) is increased by about 250 nm compared to using randomly polarized light.
  • NA l.2 with a pattern having a half pitch of about 55 nm
  • the depth of focus can be increased by about 100 nm.
  • the optical element 2 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the lens is used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberrations (spherical aberration, coma, etc.). be able to.
  • the optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane-parallel plate that can transmit the exposed light EL.
  • the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ.
  • a cover glass that also has a plane-parallel plate force is attached to the surface of the substrate P. It may be configured to fill the liquid LQ in the closed state.
  • the liquid LQ of the present embodiment may be a liquid other than water, which is water.
  • the light source of the exposure light EL is an F laser
  • the F laser light does not transmit water.
  • liquid LQ for example, perfluoropolyether (PFPE) or
  • the part in contact with the liquid LQ has a small polarity, for example, containing fluorine! ⁇ ⁇ Lyophilization treatment is performed by forming a thin film using a substance with a molecular structure.
  • other liquid LQs that are transparent to the exposure optical system EL and have a refractive index as high as possible and are stable to the photo resist coated on the surface of the substrate P (for example, Cedar) Oil) can also be used.
  • the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid LQ used.
  • the substrate P in each of the above embodiments is not limited to a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but may be a glass substrate for a display device or a ceramic for a thin film magnetic head. Wafers, masks or reticles used in exposure equipment (synthetic quartz, silicon wafers), etc. are applied.
  • the exposure apparatus EX is a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by synchronously moving the mask M and the substrate P.
  • a step-and-repeat projection exposure apparatus (a step-and-repeat type projection exposure apparatus in which the pattern of the mask M is exposed collectively while the M and the substrate P are stationary, and the substrate P is sequentially moved stepwise.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus of the step 'and' stitch type in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P.
  • a reduced image of the first pattern is projected using a projection optical system (for example, a refraction projection optical system that does not include a reflective element at 1Z8 reduction magnification) while the first pattern and the substrate P are almost stationary.
  • a projection optical system for example, a refraction projection optical system that does not include a reflective element at 1Z8 reduction magnification
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs a batch exposure on the plate P. In this case, after that, while the second pattern and the substrate P are almost stationary, the reduced image of the second pattern is partially overlapped with the first pattern by using the projection optical system and collectively exposed on the substrate P. It is also applicable to a stitch type batch exposure apparatus.
  • the present invention relates to, for example, JP-A-10-163099, JP-A-10-214783 and US Pat. No. 6,400,441 corresponding thereto, and JP-T-2000-505958 and It is also applicable to the twin-stage type exposure apparatus described in the corresponding US Pat. No. 5,969,441 and US Pat. No. 6,262,796.
  • national legislation in the designated country (or selected elected country) specified in this international application, the disclosures in the above publications or US patents are hereby incorporated by reference.
  • an exposure stage capable of holding and moving a substrate to be processed, such as a wafer, and a measurement stage including various measurement members and sensors.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus having: To the extent permitted by national law of the designated country (or selected elected country) designated in this international application, the disclosures in the above publications and corresponding US patents are incorporated by reference.
  • a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or a phase pattern 'a dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate
  • the force using a predetermined reflection pattern light reflection type mask is not limited thereto.
  • an electronic mask (a type of optical system) for forming a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used.
  • Such an electronic mask is disclosed, for example, in US Pat. No. 6,778,257. To the extent permitted by national law in the designated country (or selected elected country) specified in this international application, the disclosures in the above US patents are hereby incorporated by reference. Note that the above-described electronic mask is a concept that includes both a non-light emitting image display element and a self light emitting image display element.
  • the present invention can be applied to an exposure apparatus that exposes interference fringes generated by interference of a plurality of light beams to a substrate, such as what is called two-beam interference exposure.
  • an exposure method and an exposure apparatus are disclosed, for example, in WO 01Z35168.
  • national laws of the designated country (or selected elected country) designated in this international application the disclosure in the above pamphlet shall be incorporated by reference into the present specification.
  • the exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is used.
  • the stage holding the substrate to be exposed is moved in the liquid tank.
  • the present invention is also applicable to a liquid immersion exposure apparatus for moving a liquid tank or a liquid tank of a predetermined depth formed on a stage and holding a substrate therein.
  • the structure and exposure operation of an immersion exposure apparatus for moving a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-124873.
  • An immersion exposure apparatus in which a liquid tank is formed and a substrate is held therein is disclosed in, for example, JP-A-10-303114 and US Pat. No. 5,825,043.
  • national legislation in the designated country (or selected elected country) specified in this international application, the disclosures in the above publications or US patents are incorporated herein by reference.
  • the exposure apparatus to which the above-described liquid immersion method is applied has a configuration in which the optical path space on the exit side of the terminal optical member of the projection optical system PL is filled with liquid (pure water) to expose the wafer W (substrate P).
  • the optical path space on the entrance side of the terminal optical member of the projection optical system may be filled with liquid (pure water).
  • the type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element for exposing a semiconductor element pattern onto a substrate P, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, or the like. It can be widely applied to an image pickup device (CCD), an exposure apparatus for manufacturing a reticle or a mask, and the like.
  • CCD image pickup device
  • a linear motor (USP5,623,853 or
  • each stage PST and MST may be of a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide.
  • each stage PST, MST is such that a magnet cut in which a two-dimensional magnet is arranged and an armature unit in which a two-dimensional coil is arranged face each other, and each stage PST, MST is driven by electromagnetic force. May be used.
  • one of the magnet unit and the armature unit should be connected to the stages PST and MST, and the other of the magnet unit and the armature unit should be provided on the moving surface side of the stages PST and MST!
  • the reaction force generated by the movement of the substrate stage PST is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-166475 and US Pat. No. 5,528,118 corresponding thereto so as not to be transmitted to the projection optical system PL. It may be possible to mechanically escape to the floor (ground) by using a frame member like this. To the extent permitted by national legislation in the designated country (or selected elected country) specified in this international application, the disclosures in the above publications or US patents are incorporated herein by reference.
  • reaction force generated by the movement of the mask stage MST is described in JP-A-8-330224 and the corresponding US Pat. No. 5,874,820 so that the reaction force generated by the movement of the mask stage MST is not transmitted to the projection optical system PL.
  • a mechanical frame member may be used to mechanically escape to the floor (ground).
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is capable of controlling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling to keep. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electrical For, adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • Various subsystems The process of assembling into the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, and pneumatic circuit piping connection between the various subsystems. Needless to say, there is an assembling process for each subsystem before the assembling process into the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room in which the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
  • a micro device such as a semiconductor device includes a step 201 for designing the function and performance of the micro device, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, Step 203 of manufacturing a substrate as a base material, Step 204 of exposing a mask pattern to the substrate using the exposure apparatus EX of the above-described embodiment 204, Step of assembling a device (including dicing, bonding, and package steps) 205 It is manufactured through an inspection step 206 and the like.

Abstract

　液体の供給及び回収を所望状態で行うことができ、基板上に投影されるパターン像の劣化を抑えることができる露光装置を提供する。露光装置は、液体（ＬＱ）を供給する供給口（１２）及び液体（ＬＱ）を回収する回収口（２２）を有するノズル部材（７０）と、メインコラム（１）の下側段部（７）に対してノズル部材（７０）を防振支持する防振機構（６０）とを備えている。  

Description

明 細 書
露光装置及びデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、及びこの露光装置を用いるデ バイス製造方法に関するものである。
本願は、 2004年 3月 25日に出願された特願 2004— 89348号に対し優先権を主 張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の 基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソダラ フイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持す る基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスク のパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパター ンのより一層の高集積ィ匕に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望ま れている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光 学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は 年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の 露光波長は、 KrFエキシマレーザの 248nmである力 更に短波長の ArFエキシマレ 一ザの 193nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦 点深度 (DOF)も重要となる。解像度 及び焦点深度 δはそれぞれ以下の式で表 される。
R=k · λ /ΝΑ … (1)
δ = ±k - λ /ΝΑ2
2 … (2)
ここで、 λは露光波長、 ΝΑは投影光学系の開口数、 k ロセス係数である。
1、 kはプ
2
(1)式、（2)式より、解像度 Rを高めるために、露光波長えを短くして、開口数 NAを 大きくすると、焦点深度 δが狭くなることが分力る。
[0003] 焦点深度 δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させる ことが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足する恐れがある。そこで、 実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特 許文献 1に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の 先端面 (下面)と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露 光光の波長が、空気中の lZn (nは液体の屈折率で通常 1. 2-1. 6程度）になるこ とを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約 n倍に拡大するというものであ る。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令で許される限り において、下記パンフレットの開示を援用して本明細書の一部とする。
特許文献 1：国際公開第 99Z49504号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] ところで、上記従来技術にお!、ては、液体の供給及び回収はノズルを使って行わ れるが、上記ノズルで生じた振動が例えば投影光学系に伝わると、投影光学系と液 体とを介して基板上に投影されるパターン像が劣化する可能性がある。また、液体の 圧力変化によりノズルの位置が変動する可能性もあり、液体の供給及び回収を所望 状態で行うことが困難となる可能性もある。
[0005] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体の供給及び回収を所 望状態で行うことができ、基板上に投影されるパターン像の劣化を抑えることができる 露光装置、及びこの露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とす る。
課題を解決するための手段
[0006] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1一図 6に対応付けし た以下の構成を採用している。
本発明の露光装置 (EX)は、液体 (LQ)を介して基板 (P)を露光する露光装置に おいて、液体 (LQ)を供給する供給口（12)及び液体 (LQ)を回収する回収口（22) のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材（70)と、所定の支持部材（7、 1) に対してノズル部材 (70)を防振支持する防振機構 (60)とを備えたことを特徴とする [0007] 本発明によれば、所定の支持部材に対してノズル部材を防振支持する防振機構を 設けたので、ノズル部材で発生した振動が露光精度に与える影響を抑えることができ る。したがって、基板上に投影されるパターン像の劣化を防止することができる。
[0008] 本発明の露光装置 (EX)は、液体 (LQ)を介して基板 (P)を露光する露光装置に おいて、液体 (LQ)を供給する供給口（12)及び液体 (LQ)を回収する回収口（22) のうち少なくとも ヽずれか一方を有するノズル部材（70)と、ノズル部材 (70)を支持す る支持部材 (7、 1)と、支持部材 (7、 1)とノズル部材 (70)との位置関係を調整する調 整機構 (60)とを備えたことを特徴とする。
[0009] 本発明によれば、調整機構によって支持部材に対するノズル部材の位置を調整す ることができ、ノズル部材を最適位置に配置した状態で液浸領域を形成するための 液体の供給及び回収を行うことができる。したがって、液浸領域を良好に形成して精 度良く液浸露光することができる。
[0010] 本発明の露光装置 (EX)は、光学系（PL)と液体 (LQ)を介して基板 (P)を露光す る露光装置において、液体 (LQ)を供給する供給口（12)及び液体 (LQ)を回収する 回収口（22)のうち少なくともいずれか一方を有し、所定の支持部材（7、 1)に支持さ れたノズル部材 (70)と、光学系（PL)とノズル部材 (70)との位置関係を調整する調 整機構 (60)とを備えたことを特徴とする。
[0011] 本発明によれば、調整機構によって光学系に対するノズル部材の位置を調整する ことができ、ノズル部材を最適位置に配置した状態で液浸領域を形成するための液 体の供給及び回収を行うことができる。したがって、液浸領域を良好に形成して精度 良く液浸露光することができる。
[0012] 本発明の露光装置 (EX)は、液体 (LQ)を介して基板 (P)を露光する露光装置に おいて、液体 (LQ)を供給する供給口（12)及び液体 (LQ)を回収する回収口（22) のうち少なくともいずれか一方を有し、所定の支持部材（7、 1)に支持されたノズル部 材 (70)と、基板 (P)を保持する基板ステージ (PST)と、支持部材 (7、 1)に対してノ ズル部材 (70)を駆動する駆動装置 (61、 62、 63)を有し、基板ステージ (PST)とノ ズル部材 (70)との位置関係を調整する調整機構 (60)とを備えたことを特徴とする。
[0013] 本発明によれば、調整機構によって基板ステージに対するノズル部材の位置を調 整することができ、ノズル部材を最適位置に配置した状態で液浸領域を形成するた めの液体の供給及び回収を行うことができる。したがって、液浸領域を良好に形成し て精度良く液浸露光することができる。
また、本発明の異なる態様の露光装置 (EX)は、液体 (LQ)を介して基板 (P)を露 光する露光装置であって、液体 (LQ)を供給する供給口（ 12)及び液体 (LQ)を回収 する回収口（22)の少なくとも一方を有するノズル部材（70)を備え、ノズル部材 (70) の少なくとも一部が基板 (P)を露光する露光光の光軸 (AX)の方向に移動可能であ るように構成した。
[0014] 本発明のデバイス製造方法は、上記記載の露光装置 (EX)を用いることを特徴とす る。本発明によれば、基板上にパターン像を精度良く転写することができるので、所 望性能を有するデバイスを製造することができる。
発明の効果
[0015] 本発明によれば、液体の供給及び回収を所望状態で行うことができ、基板上に投 影されるパターン像の劣化を抑えることができる。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
[図 2]ノズル部材近傍を示す側面図である。
[図 3]ノズル部材を示す平面図である。
[図 4]本発明の露光装置の別の実施形態を示す側面図である。
[図 5]本発明の露光装置の別の実施形態を示す側面図である。
[図 6]半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
[0017] 1…メインコラム (支持部材)、 2…光学素子、 7…下側段部 (支持部材)、 12· ··液体供 給口、 22· ··液体回収口、 60…防振機構 (調整機構)、 61— 63…駆動装置、 65· ··ァ クティブ防振機構、 70…ノズル部材、 72· ··パッシブ防振機構、 80、 100、 110…位 置計測器、 90· ··加速度計測器、 AR1…投影領域、 AR2 液浸領域、 EX…露光装 置、 LQ…液体、 P…基板、 PL…投影光学系、 PST…基板ステージ 発明を実施するための最良の形態
[0018] 以下、本発明の露光装置及びデバイス製造方法について図面を参照しながら説明 する。図 1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
[0019] 図 1にお!/、て、露光装置 EXは、マスク Mを支持するマスクステージ MSTと、基板 P を支持する基板ステージ PSTと、マスクステージ MSTに支持されて!、るマスク Mを露 光光 ELで照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターン像 を基板ステージ PSTに支持されて ヽる基板 Pに投影露光する投影光学系 PLと、露 光装置 EX全体の動作を統括制御する制御装置 CONTとを備えている。
[0020] 制御装置 CONTは、露光装置 EXの各種測定手段 (例えば、干渉計 35、 45、フォ 一カス'レべリング検出系、ノズル位置計測器 84— 86等)や駆動装置 (例えば、マス クステージ駆動装置、基板ステージ駆動装置、ノズル駆動装置 61— 63等)等に接続 されており、それらとの間で測定結果や駆動指令の伝達が可能なように構成されてい る。
[0021] 更に、露光装置 EXは、マスクステージ MST及び投影光学系 PLを支持するメイン コラム 1を備えている。メインコラム 1は床面に水平に載置されたベースプレート BP上 に設置されている。メインコラム 1には、内側に向けて突出する上側段部 3及び下側 段部 7が形成されている。
[0022] 本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとと もに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、 基板 P上に液体 LQを供給する液体供給機構 10と、基板 P上の液体 LQを回収する 液体回収機構 20とを備えている。露光装置 EXは、少なくともマスク Mのパターン像 を基板 P上に転写している間、液体供給機構 10から供給した液体 LQにより投影光 学系 PLの投影領域 AR1を含む基板 P上の一部に液浸領域 AR2を形成する。具体 的には、露光装置 EXは、投影光学系 PLの像面側先端部の光学素子 2と基板 Pの表 面との間に液体 LQを満たし、この投影光学系 PLと基板 Pとの間の液体 LQ及び投影 光学系 PLを介してマスク Mのパターン像を基板 P上に投影することによってこの基板 Pを露光する。
[0023] 本実施形態では、露光装置 EXとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向における互 、 に異なる向き (逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに 露光する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ）を使用する場合を例にして説 明する。以下の説明において、投影光学系 PLの光軸 AXと一致する方向を Z軸方向 、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同期移動方向（走査方向）を X軸 方向、 Z軸方向及び X軸方向に垂直な方向（非走査方向）を Y軸方向とする。また、 X 軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向をそれぞれ、 Θ Χ、 0丫、及び0∑方向と する。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ上に感光性材料であるフォトレジストを 塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成さ れたレチクルを含む。
[0024] 照明光学系 ILは、メインコラム 1の上部に固定された支持コラム 4により支持されて いる。照明光学系 ILは、マスクステージ MSTに支持されているマスク Μを露光光 EL で照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一 化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光 ELを 集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光 ELによるマスク Μ上の照明 領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスク Μ上の所定の照明 領域は照明光学系 ILにより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 ILから射出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプ力も射出される紫外域の輝 線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV 光）や、 ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（波長 157nm)等の
2
真空紫外光 (VUV光)等が用いられる。本実施形態にぉ ヽては ArFエキシマレーザ 光が用いられる。
[0025] 本実施形態において、液体 LQには純水が用いられる。純水は ArFエキシマレー ザ光のみならず、例えば水銀ランプ力 射出される紫外域の輝線 (g線、 h線、 i線)及 び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光)も透過可能である
[0026] マスクステージ MSTは、マスク Mを支持するものであって、その中央部にマスク M のパターン像を通過させる開口部 36を備えている。メインコラム 1の上側段部 3には、 防振ユニット 33を介してマスク定盤 31が支持されて ヽる。マスク定盤 31の中央部に も、マスク Mのパターン像を通過させる開口部 37が形成されている。マスクステージ MSTの下面には非接触軸受である気体軸受（エアベアリング） 32が複数設けられて いる。
マスクステージ MSTはエアベアリング 32によりマスク定盤 31の上面（ガイド面） 31 Aに対して非接触支持されており、リニアモータ等のマスクステージ駆動装置により、 投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能 及び θ Z方向に微小回転可能である。マスクステージ MST上の +X側の所定位置 には移動鏡 34が設けられている。また、移動鏡 34に対向する位置にはレーザ干渉 計 35が設けられている。同様に、不図示ではあるが、マスクステージ MST上の +Y 側にも移動鏡が設けられ、これに対向する位置にはレーザ干渉計が設けられている 。マスクステージ MST上のマスク Mの 2次元方向の位置、及び θ Z方向の回転角（場 合によっては Θ X、 θ Y方向の回転角も含む）はレーザ干渉計 35によりリアルタイム で計測され、計測結果は制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTは、レー ザ干渉計 35及び前記マスクステージ駆動装置に接続されており、レーザ干渉計 35 の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を駆動することでマスクステージ MS Tに支持されて 、るマスク Mの位置決めを行う。
[0027] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 13で基板 Pに投影露光 するものであって、基板 P側（投影光学系 PLの像面側）の終端部に設けられた光学 素子 (レンズ) 2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒 PK で支持されている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 j8が例えば 1 Z4あるいは 1Z5の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍系及び拡大系のい ずれでもよい。また、本実施形態の投影光学系 PLの先端部の光学素子 (レンズ) 2は 鏡筒 PKに対して着脱 (交換)可能に設けられており、光学素子 2には液浸領域 AR2 の液体 LQが接触する。
[0028] 光学素子 2は螢石で形成されて 、る。螢石は水との親和性が高 、ので、光学素子 2 の液体接触面 2Aのほぼ全面に液体 LQを密着させることができる。すなわち、本実 施形態にぉ 、ては光学素子 2の液体接触面 2Aとの親和性が高 、液体 (水) LQを供 給するようにして ヽるので、光学素子 2の液体接触面 2Aと液体 LQとの密着性が高く 、光学素子 2と基板 Pとの間の光路を液体 LQで確実に満たすことができる。なお、光 学素子 2は水との親和性が高 、石英であってもよ 、。また光学素子 2の液体接触面 2 Aに、 MgF、 Al O、 SiO等を付着させる等の親水 (親液)処理を施して、液体 LQと
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の親和性をより高めるようにしてもよい。
[0029] 鏡筒 PKの外周部にはフランジ部 8が設けられている。また、メインコラム 1の下側段 部 7の上面には、防振ユニット 6を介して鏡筒定盤 5が支持されている。そして、フラン ジ部 8が鏡筒定盤 5に係合することによって、鏡筒 PKが鏡筒定盤 5に支持される。投 影光学系 PLは、鏡筒定盤 5及び防振ユニット 6を介してメインコラム 1の下側段部 7に 支持された構成となって 、る。
[0030] 基板ステージ PSTは、基板ホルダ PHを介して基板 Pを保持して移動可能に設けら れている。基板ステージ PST上には凹部 46が設けられており、基板ホルダ PHは凹 部 46に配置されている。基板ステージ PSTのうち凹部 46以外の上面 47は、基板ホ ルダ PHに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面（平坦 部）となっている。
[0031] 基板 Pの周囲に基板 P表面とほぼ面一の上面 47を設けたことにより、基板 Pのエツ ジ領域 Eを液浸露光するときにお 、ても、投影光学系 PLの像面側に液体 LQを保持 して液浸領域 AR2を良好に形成することができる。また、基板 Pのエッジ部と上面 47 との間には 0. 1— 2mm程度の隙間がある力 液体 LQの表面張力によりその隙間に 液体 LQが流れ込むことはほとんどなぐ基板 Pの周縁近傍を露光する場合にも、上 面 47により投影光学系 PLの下に液体 LQを保持することができる。
[0032] 基板ステージ PSTの上面 47は撥液ィ匕処理されて撥液性を有している。上面 47の 撥液化処理としては、例えばフッ素系榭脂材料ある!ヽはアクリル系榭脂材料等の撥 液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料カゝらなる薄膜を貼付する。撥液性にする ための撥液性材料としては液体 LQに対して非溶解性の材料が用いられる。なお、基 板ステージ PST全体又は一部を例えばポリ四フッ化工チレン (テフロン (登録商標） ) 等のフッ素系榭脂をはじめとする撥液性を有する材料で形成してもよい。
[0033] 基板ステージ PSTの下面には複数の非接触ベアリングである気体軸受（エアべァリ ング) 42が設けられている。ベースプレート BP上には、防振ユニット 43を介して基板 定盤 41が支持されている。基板ステージ PSTはエアベアリング 42により基板定盤（ ベース部) 41の上面 (ガイド面) 41Aに対して非接触支持されており、後述するリニア モータ 51、 52、 53等を含む基板ステージ駆動装置により、投影光学系 PLの光軸 A Xに垂直な平面内、すなわち XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微小回転 可能である。更に、基板ステージ PSTは、 Z軸方向、 0 X方向、及び Θ Y方向にも移 動可能に設けられている。
[0034] 基板ステージ PSTは、 Xガイドステージ 54により X軸方向に移動自在に支持されて いる。基板ステージ PSTは、 Xガイドステージ 54に対して Z軸方向に所定量のギヤッ プを維持する磁石及びァクチユエ一タカゝらなる磁気ガイドにより非接触で支持されて いる。基板ステージ PSTは、 Xガイドステージ 54に案内されつつ Xリニアモータ 53に より X軸方向に所定ストロークで移動可能である。 Xリニアモータ 53は、 Xガイドステー ジ 54に X軸方向に延びるように設けられた固定子 53Aと、この固定子 53Aに対応し て設けられ基板ステージ PSTに固定された可動子 53Bとを備えている。そして、可動 子 53Bが固定子 53Aに対して駆動することで基板ステージ PSTが X軸方向に移動 する。基板ステージ PSTは Xガイドステージ 54に非接触支持された状態で Xリニアモ ータ 53により X軸方向に移動する。
[0035] Xガイドステージ 54の長手方向両端には、この Xガイドステージ 54を基板ステージ PSTとともに Y軸方向に移動可能な一対の Yリニアモータ 51、 52が設けられている。 γリニアモータ 51、 52のそれぞれは、 Xガイドステージ 54の長手方向両端に設けら れた可動子 51B、 52Bと、この可動子 51B、 52Bに対応して設けられた固定子 51A 、 52Aとを備えている。固定子 51A、 51Bはベースプレート BP上に支持されている。 そして、可動子 51B、 52Bが固定子 51A、 52Aに対して駆動することで Xガイドステ ージ 54が基板ステージ PSTとともに Y軸方向に移動する。また、 Yリニアモータ 51、 5 2のそれぞれの駆動を調整することで Xガイドステージ 54は θ Z方向にも回転移動可 能となっている。したがって、この Yリニアモータ 51、 52により基板ステージ PSTが X ガイドステージ 54とほぼ一体的に Y軸方向及び θ Z方向に移動可能となっている。
[0036] 基板定盤 41を挟んで X軸方向両側のそれぞれには、 Xガイドステージ 54の Y軸方 向への移動を案内するガイド部 55、 55が設けられている。ガイド部 55はベースプレ ート BP上に支持されている。一方、 Xガイドステージ 54の下面の長手方向両端部の それぞれには凹形状の被ガイド部材 57が設けられて 、る。ガイド部 55は被ガイド部 材 57と係合し、ガイド部 55の上面 (ガイド面）と被ガイド部材 57の内面とが対向するよ うに設けられて 、る。ガイド部 55のガイド面には非接触ベアリングである気体軸受（ェ アベァリング） 56が設けられており、 Xガイドステージ 54はガイド面に対して非接触支 持されている。
[0037] 上記リニアモータ 51、 52、 53を含む基板ステージ駆動装置は制御装置 CONTに 接続されており、制御装置 CONTは基板ステージ駆動装置を制御する。また露光装 置 EXは、基板ステージ PSTに支持されて ヽる基板 Pの表面の位置を検出するフォ 一カス'レべリング検出系（不図示）を備えている。フォーカス'レベリング検出系は制 御装置 CONTに接続されており、制御装置 CONTはフォーカス'レべリング検出系 の検出結果に基づ!/、て、基板ステージ PST上の基板 Pのフォーカス位置 (Z位置)及 び傾斜角を制御して基板 Pの表面をオートフォーカス方式、及びオートレべリング方 式で投影光学系 PLの像面に合わせ込む。
[0038] 基板ステージ PSTには移動鏡 44が設けられている。移動鏡 44の上面は基板ステ ージ PSTの上面 47とほぼ面一となつている。移動鏡 44の上面も、基板ステージ PST の上面 47同様、撥液化処理されて撥液性を有している。また、移動鏡 44に対向する 位置にはレーザ干渉計 45が設けられて 、る。基板ステージ PST上の基板 Pの 2次元 方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 45によりリアルタイムで計測され、計測結 果は制御装置 CONTに出力される。レーザ干渉計 45及び基板ステージ駆動装置は 制御装置 CONTに接続されており、制御装置 CONTはレーザ干渉計 45の計測結 果に基づいて基板ステージ駆動装置を駆動することで基板ステージ PSTに支持され て 、る基板 Pの XY平面内での位置決めを行う。
[0039] 液体供給機構 10は、所定の液体 LQを投影光学系 PLの像面側に供給するための ものであって、液体 LQを送出可能な液体供給部 11と、液体供給部 11にその一端部 を接続する供給管 13 ( 13A、 13B)とを備えて!/、る。液体供給部 11は、液体 LQを収 容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。制御装置 CONTは液体供給部 11に 接続しており、液体供給部 11の液体供給動作は制御装置 CONTにより制御される。 基板 P上に液浸領域 AR2を形成する際、液体供給機構 10は液体 LQを基板 P上に 供給する。
[0040] 液体回収機構 20は、投影光学系 PLの像面側の液体 LQを回収するためのもので あって、液体 LQを回収可能な液体回収部 21と、液体回収部 21にその一端部を接 続する回収管 23 (23A、 23B)とを備えている。液体回収部 21は例えば真空ポンプ 等の真空系（吸引装置)、回収された液体 LQと気体とを分離する気液分離器、及び 回収した液体 LQを収容するタンク等を備えている。なお真空系として、露光装置 EX に真空ポンプを設けずに、露光装置 EXが配置される工場の真空系を用いるようにし てもよい。制御装置 CONTは液体回収部 21に接続しており、液体回収部 21の液体 回収動作は制御装置 CONTにより制御される。基板 P上に液浸領域 AR2を形成す るために、液体回収機構 20は液体供給機構 10より供給された基板 P上の液体 LQを 所定量回収する。
[0041] 投影光学系 PLを構成する複数の光学素子のうち、液体 LQに接する光学素子 2の 近傍にはノズル部材 70が配置されている。ノズル部材 70は、メインコラム 1の下側段 部 7に対して防振機構 60により防振支持されている。ノズル部材 70は、基板 P (基板 ステージ PST)の上方において、光学素子 2の側面を囲むように設けられた環状部 材であり、液体供給機構 10及び液体回収機構 20それぞれの一部を構成するもので ある。
[0042] なお、ノズル部材 70は、例えばアルミニウム、チタン、ステンレス鋼、ジュラルミン、 及びこれらを含む合金によって形成されている。あるいは、ノズル部材 70は、ガラス（ 石英)等の光透過性を有する透明部材 (光学部材）によって構成されてもょ ヽ。
[0043] 次に、図 2及び図 3を参照しながらノズル部材 70について説明する。図 2はノズル 部材 70近傍の拡大側面図、図 3はノズル部材 70を上方から見た平面図である。
[0044] ノズル部材 70は、基板 P (基板ステージ PST)の上方に設けられ、その基板 P表面 に対向するように配置された液体供給口 12 (12A、 12B)を備えている。本実施形態 において、ノズル部材 70は 2つの液体供給口 12A、 12Bを有している。液体供給口 12A、 12Bは、ノズル部材 70の下面 70Aに設けられている。
[0045] また、ノズル部材 70は、その内部に液体供給口 12 ( 12A、 12B)に対応した供給流 路 14 (14A、 14B)を有している。前記供給管 13 (13A、 13B)は、液体供給口 12A 、 12B及び供給流路 14A、 14Bに対応するように複数（2つ)設けられている。
[0046] 更に、ノズル部材 70は、基板 P (基板ステージ PST)の上方に設けられ、その基板 P 表面に対向するように配置された液体回収口 22 (22A、 22B)を備えている。本実施 形態において、ノズル部材 70は 2つの液体回収口 22A、 22Bを有している。液体回 収口 22A、 22Bはノズル部材 70の下面 70Aに設けられて!/、る。
[0047] また、ノズル部材 70は、その内部に液体回収口 22A、 22Bに対応した回収流路 24
(24A、 24B)を有している。前記回収管 23 (23A、 23B)は、液体回収口 22A、 22B 及び回収流路 24A、 24Bに対応するように複数（2つ)設けられて！/、る。
[0048] 上記供給管 13A、 13Bの他端部は、伸縮可能で可撓性を有するチューブ部材 16 ( 16A、 16B)の一端部に接続されている。供給流路 14A、 14Bの一端部は前記チュ 一ブ部材 16A、 16Bの他端部に接続され、供給流路 14A、 14Bの他端部は液体供 給口 12A、 12Bに接続されている。
[0049] また、上記回収管 23A、 23Bの他端部は、伸縮可能で可撓性を有するチューブ部 材 26 (26A、 26B)の一端部に接続されている。回収流路 24A、 24Bの一端部は前 記チューブ部材 26A、 26Bの他端部に接続され、回収流路 24A、 24Bの他端部は 液体回収口 22A、 22Bに接続されている。
[0050] 液体供給機構 10を構成する液体供給口 12A、 12Bは、投影光学系 PLの投影領 域 AR1を挟んだ X軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、液体回収機構 2 0を構成する液体回収口 22A、 22Bは、投影光学系 PLの投影領域 AR1に対して液 体供給機構 10の液体供給口 12A、 12Bの外側に設けられている。図 3に示すように 、本実施形態における投影光学系 PLの投影領域 AR1は、 Y軸方向を長手方向とし 、 X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。液体供給口 12A、 12 Bのそれぞれは、 Y軸方向を長手方向とし、その両端部を内側に曲げたスリット状に 形成されている。
液体回収口 22A、 22Bのそれぞれは、 Y軸方向を長手方向とし、その両端部を内 側に曲げたスリット状に形成されており、液体供給口 12A、 12B及び投影領域 ARl を囲むように設けられている。 [0051] ノズル部材 70の下面 (液体接触面） 70Aは、光学素子 2の液体接触面 2A同様、親 液性 (親水性）を有している。また、ノズル部材 70の下面 70Aはほぼ平坦面であり、 光学素子 2の下面 2Aも平坦面となっており、ノズル部材 70の下面 70Aと光学素子 2 の下面 2Aとはほぼ面一となつている。これにより、広い範囲で液浸領域 AR2を良好 に形成することができる。
[0052] ノズル部材 70は、上記供給流路 14及び回収流路 24を形成された本体部 70Bと、 本体部 70Bの外側の鍔部 70Tとを備えている。また、メインコラム 1の下側段部 7には 、ノズル部材 70の鍔部 70Tを配置可能な内側を向く凹部 7Hが形成されて 、る。
[0053] 防振機構 60は、ノズル部材 70をメインコラム 1の下側段部 7に対して防振支持する ものであって、下側段部 7の凹部 7Hとノズル部材 70の鍔部 70Tとを連結する複数の ノズル駆動装置 61 (61A—61C)、 62 (62A)、 63 (63A— 63C)を含み、メインコラ ム 1の下側段部 7に対してノズル部材 70を能動的に防振するアクティブ防振機構 65 と、下側段部 7の凹部 7Hの底面 7Aに対してノズル部材 70の鍔部 70Tを受動的に防 振支持するパッシブ防振機構 72 (72A— 72C)とを備えている。
[0054] ノズル駆動装置 61— 63は、例えばローレンツ力で駆動するボイスコイルモータゃリ ユアモータ等によって構成されて 、る。ローレンツ力で駆動するボイスコイルモータ等 はコイル部とマグネット部とを有し、それらコイル部とマグネット部とは非接触状態で駆 動する。そのため、ノズル駆動装置 61— 63を、ボイスコイルモータ等のローレンツ力 で駆動する駆動装置によって構成することで、振動の発生を抑制することができる。
[0055] また、ノ ッシブ防振機構 72は、例えば空気パネ (エアシリンダ、エアべローズ)など によって構成され、気体 (空気)の弾性作用によってノズル部材 70を防振支持する。 本実施形態においては、図 3に示すように、パッシブ防振機構 72 (72A— 72C)は、 投影光学系 PLを囲むように複数 (3つ)設けられて ヽる。
[0056] また、防振機構 60は、投影光学系 PL (光学素子 2)に対してノズル部材 70を離した 状態で支持して 、る。ノズル部材 70と投影光学系 PL (光学素子 2)とが離れて支持さ れて 、ることにより、ノズル部材 70で発生した振動は投影光学系 PLに直接的に伝達 されない。
[0057] また、液体供給機構 10及び液体回収機構 20は、所定の支持機構により、鏡筒定 盤 5に対して分離して支持されている。これにより、液体供給機構 10及び液体回収 機構 20で生じた振動が、鏡筒定盤 5を介して投影光学系 PLに伝わることがない。
[0058] アクティブ防振機構 65は、下側段部 7の凹部 7Hの X側の内側面 7Bとノズル部材 7 0の X側の側面とを連結し、内側面 7B (下側段部 7)に対してノズル部材 70を X軸方 向に駆動する X駆動装置 61 (61A-61C)と、下側段部 7の凹部 7Hの Y側の内側面 7Bとノズル部材 70の Y側の側面とを連結し、内側面 7B (下側段部 7)に対してノズル 部材 70を Y軸方向に駆動する Y駆動装置 62 (62A)と、下側段部 7の凹部 7Hの天 井面 7Cとノズル部材 70の上面とを連結し、天井面 7C (下側段部 7)に対してノズル 部材 70を Z軸方向に駆動する Z駆動装置 63 (63A— 63C)とを備えている。
これら各駆動装置 61— 63と制御装置 CONTとは接続されており、制御装置 CON Tは、各駆動装置 61— 63の駆動を制御する。
[0059] 本実施形態においては、防振機構 60は複数 (3つ）の X駆動装置 61を備えている。
具体的には、防振機構 60は、ノズル部材 70の +X側において Y軸方向に並んで設 けられた 2つの X駆動装置 61 A、 6 IBと、ノズル部材 70の X側に設けられた X駆動 装置 61Cとを備えている。制御装置 CONTは、複数の X駆動装置 61A— 61Cを同じ 駆動量で駆動することで、ノズル部材 70を X軸方向に移動（並進)することができる。 また、複数の X駆動装置 61A— 61Cを互いに異なる駆動量で駆動することで、ノズ ル部材 70を θ Z方向に移動（回転)することができる。
[0060] また、本実施形態においては、防振機構 60は Y駆動装置 62を 1つ備えている。具 体的には、防振機構 60は、ノズル部材 70の Y側に設けられた Y駆動装置 62Aを備 えている。制御装置 CONTは、 Y駆動装置 62Aを駆動することで、ノズル部材 70を Y軸方向に移動（並進)することができる。
[0061] また、本実施形態においては、防振機構 60は複数 (3つ）の Z駆動装置 63を備えて いる。具体的には、防振機構 60は、ノズル部材 70の +Z側に設けられ、投影光学系 PLを囲むように設けられた 3つの Z駆動装置 63A、 63B、 63Cを備えている。制御装 置 CONTは、複数の Z駆動装置 63A— 63Cを同じ駆動量で駆動することで、ノズル 部材 70を Z軸方向に移動（並進)することができる。また、複数の Z駆動装置 63A— 6 3Cを互いに異なる駆動量で駆動することで、ノズル部材 70を θ X方向及び θ Y方向 に移動（回転)することができる。
[0062] このように、防振機構 60は、複数の駆動装置 61— 63によって、 6自由度の方向（X 軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 θ Y,及び θ Z方向）に関してノズル部材 60を駆動することがで きる。
[0063] なお本実施形態においては、パッシブ駆動機構 72 (72A— 72C)と Z駆動装置 63 ( 63A— 63C)とは同じ数だけ設けられている。また、図 3に示すように、ノッシブ駆動 機構 72A— 72Cのそれぞれと Z駆動装置 63A— 63Cのそれぞれとは、互いに近接 して配置されている。
[0064] なお、 X駆動装置 61、 Y駆動装置 62、及び Z駆動装置 63の数及び配置は任意に 設定可能である。例えば Z駆動装置 63を、ノズル部材 70の鍔部 70Tの下面と下側 段部 7の凹部 7Tの底面 7Aとを連結するように設けてもよい。あるいは、 X駆動装置 6 1を 1つとし、 Y駆動装置 62を 2つ設けてもよい。要は、複数の駆動装置 61— 63を用 いてノズル部材 70を 6自由度の方向に駆動可能なように構成されていればよい。
[0065] また、パッシブ駆動機構 72 (72A-72C)のノズル部材 70への各作用点と、 Z駆動 装置 63 (63A— 63C)のノズル部材 70への各作用点とを、 XY平面上でそれぞれ一 致させるようにして、対応する各作用点が同一線 (軸)上に位置するように設定しても よい。
[0066] なお、露光装置 EXは、駆動装置 61— 63の温度調整 (冷却)を行う不図示の温調 系（冷却系）を備えている。駆動装置 61— 63は発熱源となるため、冷却系を使って 冷却することで、露光装置 EXのおかれて 、る環境 (温度）の変動を抑えることができ る。なお、冷却系は、液浸露光用の液体 LQを使って冷却を行ってもよいし、液浸露 光用の液体 LQとは別の所定の冷却用液体 (冷媒)を使って冷却を行ってもよ!、。
[0067] また、露光装置 EXは、メインコラム 1の下側段部 7とノズル部材 70との位置関係を 計測するノズル位置計測器 80を備えている。本実施形態においては、ノズル位置計 測器 80はレーザ干渉計によって構成されている。ノズル位置計測器 80は、下側段 部 7の凹部 7Hの X側の内側面 7Bとノズル部材 70の X側の側面との距離 (相対位置） を計測する X干渉計 81 (81 A、 81B)と、下側段部 7の凹部 7Hの Y側の内側面 7Bと ノズル部材 70の Y側の側面との距離 (相対位置）を計測する Y干渉計 82 (82A)と、 下側段部 7の凹部 7Hの天井面 7Cとノズル部材 70の上面との距離湘対位置)を計 測する Z干渉計 83 (83A— 83C)とを備えている。これら各干渉計 81— 83と制御装 置 CONTとは接続されており、各干渉計 81— 83の計測結果は、制御装置 CONTに 出力される。
[0068] 本実施形態にぉ 、ては、ノズル位置計測器 80は複数（2つ）の X干渉計 81を備え ている。具体的には、ノズル位置計測器 80は、下側段部 7の凹部 7Hの +X側の内 側面 7Bにおいて Y軸方向に並んで設けられた 2つの X干渉計 81A、 81Bを備えてい る。また、ノズル部材 70の +X側の側面において、前記 X干渉計 81A、 81Bのそれ ぞれに対向する位置には、反射面 84A、 84Bが設けられている。制御装置 CONT は、 X干渉計 81A、 81Bのうち少なくともいずれか一方の計測結果に基づいて、下側 段部 7に対するノズル部材 70の X軸方向に関する位置を求めることができる。また制 御装置 CONTは、複数の X干渉計 81A、 8 IBのそれぞれの計測結果に基づいて、 下側段部 7に対するノズル部材 70の θ Z方向に関する位置を求めることができる。
[0069] また、本実施形態にぉ 、ては、ノズル位置計測器 80は Y干渉計 82を 1つ備えて ヽ る。具体的には、ノズル位置計測器 80は、下側段部 7の凹部 7Hの- Y側の内側面 7 Bに設けられた Y干渉計 82Aを備えている。また、ノズル部材 70の Y側の側面にお いて、前記 Y干渉計 82 Aに対向する位置には、反射面 85Aが設けられている。制御 装置 CONTは、 Y干渉計 82Aの計測結果に基づいて、下側段部 7に対するノズル 部材 70の Y軸方向に関する位置を求めることができる。
[0070] また、本実施形態にぉ 、ては、ノズル位置計測器 80は複数（3つ）の Z干渉計 83を 備えている。具体的には、ノズル位置計測器 80は、下側段部 7の凹部 7Hの天井面 7 Cにおいて X軸方向に並んで設けられた Z干渉計 83A、 83Bと、その Z干渉計 83Bに 対して Y軸方向に関して並ぶ位置に設けられた Z干渉計 83Cとを備えている。また、 ノズル部材 70の上面において、前記 Z干渉計 83A、 83B、 83Cのそれぞれに対向 する位置には、反射面 86A、 86B、 86Cが設けられている。制御装置 CONTは、 Z 干渉計 83A、 83B、 83Cのうち少なくともいずれか一つの計測結果に基づいて、下 側段部 7に対するノズル部材 70の Z軸方向に関する位置を求めることができる。また 制御装置 CONTは、複数の Z干渉計 83A、 83B、 83Cのうち少なくともいずれ力 2つ の計測結果に基づいて、下側段部 7に対するノズル部材 70の θ X方向及び θ Y方 向に関する位置を求めることができる。
[0071] このように、制御装置 CONTは、複数の干渉計 81— 83の計測結果に基づいて、 6 自由度の方向（X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向）に関する下側段部 7 (メイ ンコラム 1)に対するノズル部材 70の位置を求めることができる。
[0072] なお、 X干渉計 81、 Y干渉計 82、及び Z干渉計 83の数及び配置は任意に設定可 能である。例えば Z干渉計 83を、ノズル部材 70の鍔部 70Tの下面と下側段部 7の凹 部 7Tの底面 7Aとの距離 (相対位置）を計測するように設けてもよ!ヽ。あるいは、 X干 渉計 81を 1つとし、 Y干渉計 82を 2つ設けてもよい。要は、複数の干渉計 81— 83を 用いてノズル部材 70の 6自由度の方向に関する位置を計測可能なように構成されて いればよい。
[0073] なお、ノズル位置計測器 80としては、干渉計に限られず、例えば静電容量センサ、 エンコーダ等、他の構成を有する位置計測器を用いることも可能である。
[0074] また、露光装置 EXは、ノズル部材 70の加速度情報を計測する加速度計測器 90を 備えている。本実施形態においては、加速度計測器 90は、ノズル部材 70の X軸方 向に関する加速度を計測する X加速度計測器 91 (91A、 91B)と、ノズル部材 70の Y 軸方向に関する加速度を計測する Y加速度計測器 92 (92A)と、ノズル部材 70の Z 軸方向に関する加速度を計測する Z加速度計測器 93 (93A-93C)とを備えている これら各加速度計測器 91一 93と制御装置 CONTとは接続されており、各加速度 計測器 91一 93の計測結果は、制御装置 CONTに出力される。
[0075] 本実施形態にぉ 、ては、加速度計測器 90は複数（2つ）の X加速度計測器 91を備 えている。具体的には、加速度計測器 90は、ノズル部材 70の +X側の側面において Y軸方向に並んで設けられた 2つの X加速度計測器 91 A、 91Bを備えている。制御 装置 CONTは、 X加速度計測器 91A、 91Bのうち少なくともいずれか一方の計測結 果に基づいて、ノズル部材 70の X軸方向に関する加速度を求めることができる。また 制御装置 CONTは、複数の X加速度計測器 91 A、 9 IBのそれぞれの計測結果に基 づいて、ノズル部材 70の θ Z方向に関する加速度を求めることができる。 [0076] また、本実施形態にぉ 、ては、加速度計測器 90は Y加速度計測器 92を 1つ備え ている。具体的には、加速度計測器 90は、ノズル部材 70の Y側の側面に設けられ た Y加速度計測器 92Aを備えている。制御装置 CONTは、 Y加速度計測器 92Aの 計測結果に基づ 、て、ノズル部材 70の Y軸方向に関する加速度を求めることができ る。
[0077] また、本実施形態にぉ 、ては、加速度計測器 90は複数（3つ）の Z加速度計測器 9 3を備えている。具体的には、加速度計測器 90は、ノズル部材 70の上面において X 軸方向に並んで設けられた Z加速度計測器 93A、 93Bと、その Z加速度計測器 93B に対して Y軸方向に関して並ぶ位置に設けられた Z加速度計測器 93Cとを備えてい る。制御装置 CONTは、 Z加速度計測器 93A、 93B、 93Cのうち少なくともいずれか 一つの計測結果に基づいて、ノズル部材 70の Z軸方向に関する加速度を求めること ができる。また制御装置 CONTは、複数の Z加速度計測器 93A、 93B、 93Cのうち 少なくともいずれ力 2つの計測結果に基づいて、ノズル部材 70の 0 X方向及び 0 Y 方向に関する加速度を求めることができる。
[0078] このように、制御装置 CONTは、複数の加速度計測器 91一 93の計測結果に基づ いて、 6自由度の方向（X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向）に関するノズル 部材 70の加速度を求めることができる。
[0079] なお、 X加速度計測器 91、 Y加速度計測器 92、及び Z加速度計測器 93の数及び 配置は任意に設定可能である。例えば Z加速度計測器 93を、ノズル部材 70の鍔部 7 0Tの下面に設けてもよい。あるいは、 X加速度計測器 91を 1つとし、 Y加速度計測器 92を 2つ設けてもよい。要は、複数の加速度計測器 91一 93を用いてノズル部材 70 の 6自由度の方向に関する加速度を計測可能なように構成されていればよい。
[0080] 次に、上述した構成を有する露光装置 EXを用いてマスク Mのパターン像を基板 P に露光する方法にっ 、て説明する。
[0081] 制御装置 CONTは、液体供給機構 10による基板 P上に対する液体 LQの供給と並 行して、液体回収機構 20による基板 P上の液体 LQの回収を行いつつ、基板 Pを支 持する基板ステージ PSTを X軸方向（走査方向）に移動しながら、マスク Mのパター ン像を投影光学系 PLと基板 Pとの間の液体 LQ及び投影光学系 PLを介して基板 P 上に投影露光する。
[0082] 液浸領域 AR2を形成するために液体供給機構 10の液体供給部 11から供給され た液体 LQは、供給管 13A、 13B、及びチューブ部材 16A、 16Bを流通した後、ノズ ル部材 70内部に形成された供給流路 14A、 14Bを介して液体供給口 12A、 12Bよ り基板 P上に供給される。液体供給口 12A、 12Bから基板 P上に供給された液体 LQ は、投影光学系 PLの先端部 (光学素子 2)の下端面と基板 Pとの間に濡れ拡がるよう に供給され、投影領域 AR1を含む基板 P上の一部に、基板 Pよりも小さく且つ投影領 域 AR1よりも大きい液浸領域 AR2を局所的に形成する。このとき、制御装置 CONT は、液体供給機構 10のうち投影領域 AR1の X軸方向（走査方向）両側に配置された 液体供給口 12A、 12Bのそれぞれより、走査方向に関して投影領域 AR1の両側か ら基板 P上への液体 LQの供給を同時に行う。これにより、液浸領域 AR2は均一且つ 良好に形成されている。
[0083] また、基板 P上の液体 LQは、ノズル部材 70の液体回収口 22A、 22Bより回収され た後、回収流路 24A、 24B、チューブ部材 26A、 26B、及び回収管 23A、 23Bを介 して液体回収部 21に回収される。このとき、制御装置 CONTは液体回収部 21による 単位時間あたりの液体回収量を制御可能であり、基板 Pの液体 LQは単位時間あたり 所定量だけ回収される。
[0084] 本実施形態における露光装置 EXは、マスク Mと基板 Pとを X軸方向（走査方向）に 移動しながらマスク Mのパターン像を基板 Pに投影露光するものであって、走査露光 時には、液浸領域 AR2の液体 LQ及び投影光学系 PLを介してマスク Mの一部のパ ターン像が投影領域 AR1内に投影され、マスク Mがー X方向（又は +X方向）に速度 Vで移動するのに同期して、基板 Pが投影領域 AR1に対して +X方向（又は X方向 )に速度 β 'Υ βは投影倍率)で移動する。基板 Ρ上には複数のショット領域が設定 されており、 1つのショット領域への露光終了後に、基板 Ρのステッピング移動によつ て次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ'アンド'スキャン方式で 基板 Ρを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。
[0085] 液体 LQの供給及び回収を行うことにより、ノズル部材 70に振動が生じる場合があ る。また、走査露光するための基板ステージ PSTの ΧΥ方向への移動やフォーカス' レべリング調整のための Z軸方向及び傾斜方向（ 0 X、 0 Y方向）への移動により基 板 P側で生じる振動成分力 液浸領域 AR2の液体 LQを介してノズル部材 70に伝わ る場合もある。また、基板 Pを走査した場合、液浸領域 AR2の液体 LQの粘性抵抗に よりノズル部材 70を動かす場合も考えられる。すなわち、液浸領域 AR2の液体 LQが ノズル部材 70に力を及ぼす可能性もある。
[0086] ノズル部材 70を支持する下側段部 7 (メインコラム 1)は投影光学系 PLも支持して 、 るため、ノズル部材 70で生じた振動は投影光学系 PLに伝達される可能性がある。ノ ズル部材 70で生じた振動が、投影光学系 PLに伝達されると、投影光学系 PL及び液 体 LQを介して基板 P上に投影されるノターン像が劣化する。そこで、制御装置 CON Tは、防振機構 60を使って、ノズル部材 70の振動が投影光学系 PLに伝わらないよう に防振する。
[0087] ノズル部材 70が振動したとき、メインコラム 1の下側段部 7に対するノズル部材 70の 位置が変動するため、制御装置 CONTは、ノズル位置計測器 80の計測結果に基づ いて、防振機構 60の駆動装置 61— 63を駆動する。下側段部 7に対するノズル部材 70の位置はノズル位置計測器 80によって計測される。制御装置 CONTは、ノズル 位置計測器 80の計測結果に基づ 、て、下側段部 7に対するノズル部材 70の位置を 所望状態に維持するように、すなわち、下側段部 7とノズル部材 70との位置関係を一 定に保つように、防振機構 60の駆動装置 61— 63を駆動する。
[0088] このとき、制御装置 CONTは、 X、 Y、 Ζ位置計測器 81、 82、 83それぞれの計測結 果に基づいて演算処理を行い、下側段部 7に対するノズル部材 70の 6自由度の方 向（X軸、 Υ軸、 Ζ軸、 0 X、 θ Υ,及び θ Ζ方向）に関する各位置情報を求める。制御 装置 CONTは、前記求めた 6自由度の方向に関する位置情報に基づいて、 X、 Y、 Ζ 駆動装置 61、 62、 63のそれぞれを駆動することにより、下側段部 7に対するノズル部 材 70の 6自由度の方向（X軸、 Υ軸、 Ζ軸、 0 Χ、 0 Υ、及び 0 Ζ方向）に関する各位 置を制御する。
[0089] また、ノズル部材 70は空気パネを含むパッシブ防振機構 72によって支持されてい るため、その空気パネの気体の弾性作用によって、ノズル部材 70側から下側段部 7 に伝わろうとする振動の高周波成分を低減することができる。そして、駆動装置 61— 63を含むアクティブ防振機構 65により、振動の比較的低周波成分 (例えば 1Hz— 1 OHz)を低減することで、防振機構 60は、広い周波数帯域において除振効果を得る ことができる。このように、駆動装置 61— 63を使ったアクティブ防振 (能動的防振)と、 気体の弾性作用を使ったパッシブ防振 (受動的防振)とを組み合わせることで、ノズ ル部材 70に作用した振動が下側段部 7を介して投影光学系 PLに伝わることを効果 的に抑えることができる。また、ノズル部材 70の振動成分のうち、非常に低い周波数 成分 (例えば 1Hz以下の周波数成分）は、基板 P上へのパターン転写精度に影響が 少ないと考えられるため、その周波数成分に対する防振制御は行わないように防振 機構 60の制御系を構築することもできる。こうすることにより、制御系の発振などの不 都合を防止し、制御系を比較的簡易な構成で構築することができる。
[0090] 以上説明したように、防振機構 60によって、ノズル部材 70で生じた振動が、下側段 部 7 (メインコラム 1)を介して投影光学系 PLに伝達することを防止することができる。 したがって、投影光学系 PL及び液体 LQを介して基板 P上に投影されるパターン像 の劣化を防止することができる。
[0091] また、防振機構 60は、投影光学系 PL (光学素子 2)に対してノズル部材 70を離した 状態で支持して 、る。ノズル部材 70と投影光学系 PL (光学素子 2)とが離れて支持さ れて 、ることにより、ノズル部材 70で発生した振動は投影光学系 PLに直接的に伝達 されない。
[0092] また、液体供給機構 10及び液体回収機構 20は、所定の支持機構により、鏡筒定 盤 5に対して分離して支持されている。これにより、液体供給機構 10及び液体回収 機構 20で生じた振動が、鏡筒定盤 5を介して投影光学系 PLに伝わることがない。
[0093] また、本実施形態においては、供給管 13A、 13Bとノズル部材 70の供給流路 14A 、 14Bとは、伸縮可能で可撓性を有するチューブ部材 16A、 16Bを介して接続され ている。同様に、回収管 23A、 23Bとノズル部材の回収流路 24A、 24Bとは、伸縮可 能で可撓性を有するチューブ部材 26A、 26Bを介して接続されている。そのため、駆 動装置 61— 63を使ってノズル部材 70を駆動するときも、そのノズル部材 70の駆動 は妨げられないようになつている。したがって、防振機構 60は、下側段部 7に対してノ ズル部材 70を良好に防振支持することができる。 [0094] また、基板ステージ PSTの位置情報を計測するための干渉計システムの参照鏡（ 固定鏡)を投影光学系 PLの鏡筒 PKに取り付けられる構成が考えられるが、投影光 学系 PLに振動が伝わらな 、ようにすることで、基板ステージ PSTの位置情報を計測 するための干渉計システムの参照鏡（固定鏡）が鏡筒 PKに取り付けられていても、基 板ステージ PSTの位置情報の計測、及びその計測結果に基づ!/、た位置制御を精度 良く行うことができる。
[0095] また、上述したように、液浸領域 AR2の液体 LQがノズル部材 70に力を及ぼす可能 性もあり、その力によってノズル部材 70の位置が変動し、基板 Pや投影領域 AR1、あ るいは液浸領域 AR2に対してノズル部材 70が最適な位置に配置されな 、状態で、 液体 LQの供給及び回収を行ってしまう可能性もある。その場合、制御装置 CONT は、防振機構 60の駆動装置 61— 63を使って、下側段部 7 (メインコラム 1)とノズル部 材 70との位置関係を調整することによって、ノズル部材 70を最適位置に配置した状 態で液浸領域 AR2を形成するための液体 LQの供給及び回収を行うことができる。し たがって、液浸領域 AR2を良好に形成して精度良く液浸露光することができる。
[0096] また、制御装置 CONTは、駆動装置 61— 63を使って、ノズル部材 70の位置を調 整可能である。そのため、例えば基板 Pの液浸露光終了後、基板 P上 (基板ステージ PST上）の液体 LQを回収するために、ノズル部材 70を Z方向（下方向）に移動して ノズル部材 70の液体回収口 22と基板 Pとを近づけた状態で、液体回収を行うと!ヽっ たことちでさる。
[0097] あるいは、液浸露光条件 (基板 Pの走査速度、液体 LQの物性 (粘性)など）に応じ て、基板 P表面とノズル部材 70の下面 70Aとの距離を含む、基板 Pとノズル部材 70と の位置関係を、駆動装置 61— 63を使って調整し、液浸露光することも可能である。 また、ノズル部材 70を使用しないときは、ノズル部材 70を +Z方向（上方向）に移動さ せてぉ 、て、ノズル部材 70と基板 Pまたはノズル部材 70と基板ステージ PSTとの接 触を防止するようにしてもよ!、。
[0098] なお、上述した実施形態にお!、ては、ノズル部材 70の振動が下側段部 7を介して 投影光学系 PLに伝わらないように、制御装置 CONTは、ノズル位置計測器 80の計 測結果に基づいて、駆動装置 61— 63を駆動しているが、加速度計測器 90の計測 結果に基づいて、駆動装置 61— 63を駆動するようにしてもよい。このとき、制御装置 CONTは、 X、 Y、 Ζ加速度計測器 91、 92、 93それぞれの計測結果に基づいて演算 処理を行い、ノズル部材 70の 6自由度の方向（X軸、 Υ軸、 Ζ軸、 0 Χ、 θ Υ, RX θ Ζ 方向）に関する各加速度情報を求める。制御装置 CONTは、前記求めた 6自由度の 方向に関する加速度情報に基づいて、 X、 Υ、 Ζ駆動装置 61、 62、 63のそれぞれを 駆動することにより、ノズル部材 70の 6自由度の方向（X軸、 Υ軸、 Ζ軸、 Θ Χ、 Θ Υ、 及び θ Ζ方向）に関する振動成分を抑える。
[0099] また、制御装置 CONTは、ノズル位置計測器 80の計測結果と加速度計測器 90の 計測結果との双方を考慮して、駆動装置 61— 63を駆動するようにしてもよい。
[0100] また、防振機構 60としては、アクティブ防振機構 65を設けずに、パッシブ防振機構 72のみによって構成することが可能であるし、ノ¾ /シブ防振機構 72を設けずに、ァク ティブ防振機構 65のみによって構成することも可能である。
[0101] なお、上述した実施形態にお!ヽては、ノズル部材 70は液体供給口 12及び液体回 収口 22の双方を有して 、るが、液体供給口 12を有するノズル部材 (供給ノズル）と液 体回収口 22を有するノズル部材（回収ノズル）とを分けて設けてもよ!ヽ。その場合、防 振機構 (調整機構) 60は、供給ノズル及び回収ノズルの双方に設けられてもよ!/ヽし、 Vヽずれか一方に設けられてもよ ヽ。
[0102] なお、上述した実施形態にお!、て、ノズル部材 70の位置制御（下側段部 7に対す るアクティブ防振制御）は、位置計測器 80によるノズル部材 70の位置計測結果に基 づいて行われるフィードバック制御である力 その場合、制御に遅れが生じる可能性 がある。そこで、露光前に、走査露光時における露光装置 EXや液体 LQの挙動に関 する物理量を予め求め、その求めた物理量に基づいて、露光時に駆動装置 61— 63 を駆動することでノズル部材 70の姿勢制御を行うフィードフォワード制御を採用し、ァ クティブ防振することも可能である。なお、フィードバック制御とフィードフォワード制御 とを組み合わせることも可能である。
[0103] フィードフォワード制御を行う場合、予めテスト露光を行い、複数の物理量の導出を 行う。すなわち、露光装置 EXの系の同定実験を行い、その系の物理量を含む動特 性を求める。同定実験では、液体供給機構 10及び液体回収機構 20によるノズル部 材 70の液体供給口 12及び液体回収口 22を介した液体 LQの供給及び回収を行 ヽ 、光学素子 2及びノズル部材 70と基板 Pとの間に液浸領域 AR2を形成した状態で基 板ステージ PSTを走査し、ノズル位置計測器 80を使って物理量を検出する。なお、 同定実験中においては当然のことながら駆動装置 61— 63は駆動されない。検出す る物理量としては、露光シーケンス中での時刻、基板 Pの位置、速度、及び加速度、 ノズル部材 70の位置、速度、及び加速度、ノズル部材 70と基板 Pとの相対位置、相 対速度、及び相対加速度等が挙げられる。これら位置、速度、及び加速度は、 X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向の全て（6自由度）に関する値が検出される。更 に、検出する物理量として、供給する液体 LQの量 (体積、質量)や物性 (粘性など） 等も挙げられる。同定実験で検出された上記複数の物理量は制御装置 CONTに記 憶される。制御装置 CONTは、検出した物理量に基づいて、駆動装置 61— 63を駆 動するための制御量を決定し、その決定した物理量に基づいて、下側段部 7に対す る防振を行うように駆動装置 61— 63を駆動しつつ本露光を行う。このように、制御装 置 CONTは、駆動装置 61— 63を使って、露光装置 EX自身の動特性 (動作）に応じ て防振を行うが可能であり、下側段部 7とノズル部材 70との位置関係を所望状態に 維持することができる。
[0104] 次に、本発明の別の実施形態について説明する。以下の説明において、上述した 実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡 略もしくは省略する。
[0105] 図 4は本発明の別の実施形態を示す図である。図 4において、露光装置 EXは、メイ ンコラム 1の下側段部 7に支持された投影光学系 PLとノズル部材 70との位置関係を 計測するノズル位置計測器 100を備えている。ノズル位置計測器 100は、投影光学 系 PLとノズル部材 70との X軸方向に関する位置関係を計測する X干渉計 101 (101 A、 101B)と、投影光学系 PLとノズル部材 70との Y軸方向に関する位置関係を計測 する Y干渉計 102 (但し、図 4には図示されていない）と、投影光学系 PLとノズル部材 70との Z軸方向に関する位置関係を計測する Z干渉計 103 (103A— 103C、但し 10 3Cは図 4には図示されていない）とを備えている。これら各干渉計 101— 103は投影 光学系 PLの鏡筒 PKに取り付けられている。各干渉計 101— 103と制御装置 CONT とは接続されており、各干渉計 101— 103の計測結果は、制御装置 CONTに出力さ れる。
[0106] 制御装置 CONTは、複数の干渉計 101— 103の計測結果に基づいて、 6自由度 の方向（X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 θ Y,及び θ Z方向）に関する投影光学系 PL (鏡筒 P K)に対するノズル部材 70の位置を求めることができる。制御装置 CONTは、求めた 前記位置情報に基づ 、て、ノズル部材 70の振動が投影光学系 PLに伝わらな 、よう に駆動装置 61— 63を駆動する。あるいは、制御装置 CONTは、求めた前記位置情 報に基づいて、駆動装置 61— 63を駆動して、投影光学系 PLとノズル部材 70との位 置関係を調整する。
[0107] 図 5は本発明の別の実施形態を示す図である。図 5において、露光装置 EXは、基 板ステージ PSTとノズル部材 70との位置関係を計測するノズル位置計測器 110を備 えている。ノズル位置計測器 110は、基板ステージ PSTとノズル部材 70との X軸方向 に関する位置関係を計測する X干渉計 111 (111A、 111B)と、基板ステージ PSTと ノズル部材 70との Y軸方向に関する位置関係を計測する Y干渉計 112 (但し、図 5に は図示されていない）と、基板ステージ PSTとノズル部材 70との Z軸方向に関する位 置関係を計測する Z干渉計 113 (113A—113C、但し 113Cは図 5には図示されて Vヽな 、）とを備えて 、る。これら各干渉計 111一 113は基板ステージ PSTのうち露光 処理を妨げない所定位置に取り付けられている。図 5においては、各干渉計 111一 1 13は基板ステージ PSTの側面に取り付けられて 、る。各干渉計 111一 113と制御装 置 CONTとは接続されており、各干渉計 111一 113の計測結果は、制御装置 CON Tに出力される。
[0108] 制御装置 CONTは、複数の干渉計 111一 103の計測結果に基づいて、 6自由度 の方向（X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向）に関する基板ステージ PSTに 対するノズル部材 70の位置を求めることができる。制御装置 CONTは、求めた前記 位置情報に基づいて、駆動装置 61— 63を駆動して、基板ステージ PSTとノズル部 材 70との位置関係を調整する。
[0109] 上述したように、本実施形態における液体 LQは純水により構成されている。純水は 、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや 光学素子 (レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する 悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投 影光学系 PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待でき る。なお工場等力 供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製 造器を持つようにしてもよい。
[0110] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用 いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が 得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大され るため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。
[0111] なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 NAが 0. 9 一 1. 3になることもある。このように投影光学系の開口数 NAが大きくなる場合には、 従来から露光光として用いられて!/、るランダム偏光光では偏光効果によって結像性 能が悪ィ匕することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク (レ チクル）のライン 'アンド'スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた 直線偏光照明を行い、マスク（レチクル)のパターンからは、 S偏光成分 (TE偏光成 分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射 出されるようにするとよい。投影光学系 PLと基板 P表面に塗布されたレジストとの間が 液体で満たされて ヽる場合、投影光学系 PLと基板 P表面に塗布されたレジストとの 間が空気 (気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与する S偏 光成分 (TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光 学系の開口数 NAが 1. 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。 また、位相シフトマスクゃ特開平 6— 188169号公報に開示されているようなラインパ ターンの長手方向に合わせた斜入射照明法 (特にダイポール照明法)等を適宜組み 合わせると更に効果的である。例えば、透過率 6%のハーフトーン型の位相シフトマ スク (ノヽーフピッチ 45nm程度のパターン)を、直線偏光照明法とダイポール照明法と を併用して照明する場合、照明系の瞳面においてダイポールを形成する二光束の外 接円で規定される照明 σを 0. 95、その瞳面における各光束の半径を 0. 125 σ、投 影光学系 PLの開口数を ΝΑ= 1. 2とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深 度（DOF)を 150nm程度増加させることができる。
[0112] また、例えば ArFエキシマレーザを露光光とし、 1Z4程度の縮小倍率の投影光学 系 PLを使って、微細なライン 'アンド'スペースパターン（例えば 25— 50nm程度のラ イン 'アンド'スペース）を基板 P上に露光するような場合、マスク Mの構造 (例えばパ ターンの微細度やクロムの厚み）によっては、 Wave guide効果によりマスク Mが偏光 板として作用し、コントラストを低下させる P偏光成分 (TM偏光成分)の回折光より S 偏光成分 (TE偏光成分)の回折光が多くマスク M力も射出されるようになる。この場 合、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスク Mを照 明しても、投影光学系 PLの開口数 NAが 0. 9-1. 3のように大きい場合でも高い解 像性能を得ることができる。
[0113] また、マスク M上の極微細なライン 'アンド'スペースパターンを基板 P上に露光する ような場合、 Wire Grid効果により P偏光成分 (TM偏光成分）が S偏光成分 (TE偏光 成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えば ArFエキシマレーザを露光光とし、 1/ 4程度の縮小倍率の投影光学系 PLを使って、 25nmより大きいライン 'アンド'スぺー スパターンを基板 P上に露光するような場合には、 S偏光成分 (TE偏光成分)の回折 光が P偏光成分 (TM偏光成分)の回折光よりも多くマスク M力 射出されるので、投 影光学系 PLの開口数 NAが 0. 9-1. 3のように大きい場合でも高い解像性能を得 ることがでさる。
[0114] 更に、マスク（レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（S 偏光照明）だけでなぐ特開平 6-53120号公報に開示されているように、光軸を中 心とした円の接線 (周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合 わせも効果的である。特に、マスク（レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラ インパターンだけでなぐ複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合 には、同じく特開平 6— 53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の 接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影 光学系の開口数 NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。例えば、透 過率 6%のハーフトーン型の位相シフトマスク（ノヽーフピッチ 63nm程度のパターン） を、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法 (輪帯 比 3Z4)とを併用して照明する場合、照明 σを 0. 95、投影光学系 PLの開口数を Ν A= l. 00とすると、ランダム偏光光を用いるよりも、焦点深度 (DOF)を 250nm程度 増加させることができ、ハーフピッチ 55nm程度のパターンで投影光学系の開口数 N A= l. 2では、焦点深度を lOOnm程度増加させることができる。
[0115] 本実施形態では、投影光学系 PLの先端に光学素子 2が取り付けられており、この レンズにより投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コマ収差等)の調 整を行うことができる。なお、投影光学系 PLの先端に取り付ける光学素子としては、 投影光学系 PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露 光光 ELを透過可能な平行平面板であってもよ ヽ。
[0116] なお、液体 LQの流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pと の間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧 力によって光学素子が動かな 、ように堅固に固定してもよ 、。
[0117] なお、本実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 LQで満たされ ている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板力もなるカバーガラスを取り 付けた状態で液体 LQを満たす構成であってもよ ヽ。
[0118] なお、本実施形態の液体 LQは水である力 水以外の液体であってもよい、例えば 、露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過しないので、
2 2
液体 LQとしては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)や
2
フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 LQと接触する部分 には、例えばフッ素を含む極性の小さ！ヽ分子構造の物質で薄膜を形成することで親 液化処理する。また、液体 LQとしては、その他にも、露光光 ELに対する透過性があ つてできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや基板 P表面に塗布されているフオトレ ジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表 面処理は用いる液体 LQの極性に応じて行われる。
[0119] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック ウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリ コンウェハ）等が適用される。
[0120] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走 查露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツパ） の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基 板 Pを順次ステップ移動させるステップ ·アンド ·リピート方式の投影露光装置 (ステツ ノ にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2つのパターンを 部分的に重ねて転写するステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる
[0121] また、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 1パターンの縮小像を投影光 学系 (例えば 1Z8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基 板 P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、 第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 2パターンの縮小像をその投影光学 系を用いて、第 1パターンと部分的に重ねて基板 P上に一括露光するスティツチ方式 の一括露光装置にも適用できる。
[0122] 本発明は、例えは、特開平 10-163099号公報、特開平 10—214783号公報及び これらに対応する米国特許 6, 400, 441号と、特表 2000— 505958号公報及びこれ に対応する米国特許 5, 969, 441号及び米国特許 6, 262, 796号に記載されてい るツインステージ型の露光装置にも適用できる。本国際出願で指定した指定国 (又は 選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許に おける開示を援用して本明細書の一部とする。
また、本発明は、特開平 11— 135400号に開示されているように、ウェハ等の被処 理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の計測部材ゃセンサを備えた計 測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。本国際出願で指定した指 定国 (又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報及び対 応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (または位 相パターン '減光パターン)を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上 に所定の反射パターン光反射型マスクを用いた力 それらに限定されるものではな い。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づい て透過パターンまたは反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（ 光学系の一種とする）を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米 国特許第 6, 778, 257号公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又 は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記米国特許における開 示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、上述の電子マスクとは、非発光型 画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
また、例えば、 2光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生 じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することができる。そのような露 光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第 01Z35168号パンフレットに開示さ れている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令で許さ れる限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部 とする。
また、上述の実施形態では、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体を満た す露光装置を採用しているが、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移 動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を 保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したス テージを液槽の中で移動させる液浸露光装置の構造及び露光動作にっ 、ては、例 えば、特開平 6— 124873号公報に、ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその 中に基板を保持する液浸露光装置にっ ヽては、例えは特開平 10— 303114号公報 や米国特許第 5, 825, 043号にそれぞれ開示されている。本国際出願で指定した 指定国 (又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または 米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系 PLの終端光学部材の射 出側の光路空間を液体 (純水）で満たしてウェハ W (基板 P)を露光する構成になって いる力 国際公開第 2004Z019128号パンフレットに開示されているように、投影光 学系の終端光学部材の入射側の光路空間も液体 (純水)で満たすようにしてもょ ヽ。 本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令で許される限りに おいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
[0124] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の 露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを 製造するための露光装置などにも広く適用できる。
[0125] 基板ステージ PSTやマスクステージ MSTにリニアモータ（USP5,623,853または
USP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびロー レンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各 ステージ PST、 MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよぐガイドを設けないガ イドレスタイプであってもよ 、。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国） の国内法令で許される限りにお ヽて、上記米国特許における開示を援用して本明細 書の一部とする。
[0126] 各ステージ PST、 MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュ-ッ トと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ PST、 MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子 ユニットとのいずれか一方をステージ PST、 MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ュ ニットとの他方をステージ PST、 MSTの移動面側に設ければよ!、。
[0127] 基板ステージ PSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わらないよう に、特開平 8— 166475号公報及びこれに対応する米国特許 5, 528, 118号に記載 されて 、るようなフレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がすようにしてもょ 、 。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令で許される限りに おいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部 とする。
また、マスクステージ MSTの移動により発生する反力は、投影光学系 PLに伝わら ないように、特開平 8— 330224号公報及びこれに対応する米国特許 5, 874, 820 号に記載されているようなフレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がすようにし てもよい。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の国内法令で許さ れる限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の記 載の一部とする。
[0128] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願特許請求の範囲に挙げられ た各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的 精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、 この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調 整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系につい ては電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置 への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接 続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組 み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない 。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ 、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0129] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 6に示すように、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した 実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージェ 程を含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
[1] 液体を介して基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも ヽず れか一方を有するノズル部材と、
所定の支持部材に対して前記ノズル部材を防振支持する防振機構とを備えたこと を特徴とする露光装置。
[2] 光学系を備え、
前記光学系は、前記支持部材に支持されることを特徴とする請求項 1記載の露光 装置。
[3] 前記防振機構は、前記ノズル部材の振動が前記光学系に伝わらな 、ように防振す ることを特徴とする請求項 2記載の露光装置。
[4] 前記ノズル部材は、前記光学系を囲むように環状に形成され、
前記ノズル部材と前記光学系とは離れて支持されていることを特徴とする請求項 2 又は 3記載の露光装置。
[5] 前記防振機構は、前記支持部材に対して前記ノズル部材を能動的に防振するァク ティブ防振機構を含むことを特徴とする請求項 1一 4のいずれか一項記載の露光装 置。
[6] 前記防振機構は、前記支持部材に対して前記ノズル部材を駆動する駆動装置を 有することを特徴とする請求項 1一 5のいずれか一項記載の露光装置。
[7] 前記駆動装置は、 6自由度の方向に関して前記ノズル部材を駆動可能であることを 特徴とする請求項 6記載の露光装置。
[8] 前記支持部材と前記ノズル部材との位置関係を計測する位置計測器を備え、 前記駆動装置は、前記位置計測器の計測結果に基づ 、て駆動することを特徴とす る請求項 6又は 7記載の露光装置。
[9] 前記支持部材に支持された光学系と前記ノズル部材との位置関係を計測する位置 計測器を備え、
前記駆動装置は、前記位置計測器の計測結果に基づ 、て駆動することを特徴とす る請求項 6又は 7記載の露光装置。
[10] 前記ノズル部材の加速度情報を計測する加速度計測器を備え、
前記駆動装置は、前記加速度計測器の計測結果に基づ 、て駆動することを特徴と する請求項 6— 9のいずれか一項記載の露光装置。
[11] 前記防振機構は、前記支持部材に対して前記ノズル部材を受動的に防振するパッ シブ防振機構を含むことを特徴とする請求項 1一 10のいずれか一項記載の露光装 置。
[12] 液体を介して基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも ヽず れか一方を有するノズル部材と、
前記ノズル部材を支持する支持部材と、
前記支持部材と前記ノズル部材との位置関係を調整する調整機構とを備えたことを 特徴とする露光装置。
[13] 前記調整機構は、前記支持部材に対して前記ノズル部材を駆動する駆動装置を 有することを特徴とする請求項 12記載の露光装置。
[14] 前記支持部材と前記ノズル部材との位置関係を計測する位置計測器を備え、 前記駆動装置は、前記位置計測器の計測結果に基づ 、て駆動することを特徴とす る請求項 13記載の露光装置。
[15] 光学系を備え、
前記光学系は、前記支持部材に支持されることを特徴とする請求項 12— 14のい ずれか一項記載の露光装置。
[16] 光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも ヽず れか一方を有し、所定の支持部材に支持されたノズル部材と、
前記光学系と前記ノズル部材との位置関係を調整する調整機構とを備えたことを特 徴とする露光装置。
[17] 前記光学系は前記支持部材に支持され、
前記調整機構は、前記支持部材に対して前記ノズル部材を駆動する駆動装置を 有することを特徴とする請求項 16記載の露光装置。
[18] 前記光学系と前記ノズル部材との位置関係を計測する位置計測器を備え、 前記駆動装置は、前記位置計測器の計測結果に基づ 、て駆動することを特徴とす る請求項 17記載の露光装置。
[19] 液体を介して基板を露光する露光装置にぉ 、て、
前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも ヽず れか一方を有し、所定の支持部材に支持されたノズル部材と、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記支持部材に対して前記ノズル部材を駆動する駆動装置を有し、前記基板ステ ージと前記ノズル部材との位置関係を調整する調整機構とを備えたことを特徴とする 露光装置。
[20] 前記基板ステージと前記ノズル部材との位置関係を計測する位置計測器を備え、 前記駆動装置は、前記位置計測器の計測結果に基づ 、て駆動することを特徴とす る請求項 19記載の露光装置。
[21] 液体を介して基板を露光する露光装置であって、
前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口の少なくとも一方を有 するノズル部材を備え、
前記ノズル部材は、少なくとも一部が前記基板を露光する露光光の光軸方向に移 動可能であることを特徴とする露光装置。
[22] 前記ノズル部材の位置に関する情報を検出する少なくとも 1つの位置計測器を備え
、前記ノズル部材の位置は、前記位置計測器の計測結果に基づいて制御されること を特徴とする請求項 21記載の露光装置。
[23] 前記液体に関する情報に基づ 、て前記ノズル部材の位置が制御されることを特徴 とする請求項 22記載の露光装置。
[24] リソグラフイエ程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフイエ程におい て請求項 1一 23のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデ バイスの製造方法。
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