WO2005122645A1 - 表示パネルの製造方法および表示パネル - Google Patents

表示パネルの製造方法および表示パネル Download PDF

Info

Publication number
WO2005122645A1
WO2005122645A1 PCT/JP2005/010804 JP2005010804W WO2005122645A1 WO 2005122645 A1 WO2005122645 A1 WO 2005122645A1 JP 2005010804 W JP2005010804 W JP 2005010804W WO 2005122645 A1 WO2005122645 A1 WO 2005122645A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display panel
groove
sealing substrate
low
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/010804
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tetsuji Omura
Ryuji Nishikawa
Original Assignee
Sanyo Electric Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co., Ltd. filed Critical Sanyo Electric Co., Ltd.
Priority to US10/586,821 priority Critical patent/US7572162B2/en
Priority to JP2006519600A priority patent/JPWO2005122645A1/ja
Publication of WO2005122645A1 publication Critical patent/WO2005122645A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity

Definitions

  • the present invention relates to a display panel including an element substrate on which an electorifice luminescence element is formed, and a sealing substrate for sealing a space on the element substrate.
  • This organic element uses an organic material as its light emitting material and the like, and its life is shortened when the organic material contains moisture. For this reason, the sealing substrate is opposed to the EL substrate on which the EL elements are formed in a matrix at a predetermined interval, and the peripheral portion of the substrate is hermetically sealed with a resin sealing material. To keep out water. A desiccant is contained in the internal space sealed by the sealing substrate to remove moisture.
  • the sealing material an epoxy-based UV-curable resin is usually used.
  • a low melting point glass such as a solder glass (see, for example, JP-A-2001-319775).
  • each pixel of the organic EL panel an EL element, a switching TFT for controlling current to the EL element, a current drive TFT, and the like are formed.
  • the pixels are formed in a matrix on the element substrate, and the display of each pixel is controlled to display the entire panel.
  • Organic EL panels are classified into a bottom emission type and a top emission type, depending on the direction of emission.
  • the bottom emission type extracts light from the light emitting layer of the organic EL element on the element substrate side.
  • the top emission extracts light from the sealing substrate side.
  • the top emission type is disclosed in, for example, JP-A-2002-299044.
  • the top emission type has the advantage that the light from the light emitting layer is not blocked by each TFT in the pixel, so that the aperture ratio of the pixel can be increased and the brightness can be increased.
  • a color filter system in which one type (white) of a light emitting layer and a color filter are combined. In the case of a top emission structure, the color filter is formed on a sealing substrate.
  • a low-melting glass for bonding is sandwiched between glass substrates (element substrate and sealing substrate), and then heat-welded.
  • a method of disposing the low-melting glass at a desired position a method of applying a paste-like glass paste obtained by mixing a powder of the low-melting glass and a resin binder is used. After applying the glass paste to the substrate, it is generally necessary to perform a heat treatment at 450 ° C or higher for several tens of minutes to remove and solidify the solvent contained in the glass paste.
  • a color filter used in an organic EL panel is made of an organic resin, and thus is sensitive to heat, and generally has a heat resistant temperature of 200 ° C. or less.
  • a glass paste after forming a color filter on a substrate and heat-treat the substrate.
  • a projection made of the glass paste is formed on the substrate surface. If the surface on which one of the color filters is formed has protrusions, the color filter formed by patterning with a resist or the like cannot be accurately formed at a predetermined position.
  • a black matrix may be placed between pixels to avoid mixing of light at each pixel, or a retardation plate or a polarizing plate may be provided to prevent glare and reflection.
  • the black matrix, the phase difference plate, the polarizing plate, and the like are also provided on the sealing substrate side like the color filter, and a resin material is often used. In this case, the black matrix is similar to the color filter.
  • the present invention provides a sealing device for bonding an element substrate on which an electroluminescent element is formed, a peripheral panel bonding portion, and a peripheral portion of the element substrate to seal a space on the element substrate.
  • a manufacturing method of a display panel including a substrate, a groove forming step of forming a frame-shaped groove in a panel bonding portion of the sealing substrate, and introducing a paste containing a low-melting glass powder and a solvent into the groove.
  • a glass paste layer forming step of forming a frame-shaped glass paste layer; and evaporating a solvent contained in the glass paste layer by heat treatment A heat treatment step of forming a melting point glass frame; a low heat resistance layer forming step of forming a low heat resistance layer made of a material having a heat resistance lower than the heat treatment temperature on the surface of the sealing substrate; By irradiating the low-melting glass frame with a laser in a state where the low-melting glass frame is opposed to the glass substrate at a predetermined interval, the low-melting glass is heated and melted, and the low-melting glass is raised toward the element substrate. And a sealing step of glass-welding the element substrate and the sealing substrate at peripheral portions to seal a space sandwiched between the two substrates.
  • the paste in the glass paste layer forming step, is introduced into the frame-shaped groove beyond its volume, and the solvent is volatilized in the heat treatment step.
  • the method further includes a flattening step of removing a portion of the low-melting glass frame that has run out of the sealing substrate surface force and flattening the surface of the bonded portion of the sealing substrate.
  • the low heat-resistant layer formed in the low heat-resistant layer forming step is at least one of a color filter, a resin black matrix, a polarizing plate, and a retardation plate. Or one.
  • the removal of the low melting point glass frame protruding from the surface of the sealing substrate in the flattening step is performed by polishing.
  • the flattening step includes removing the low-melting-point glass frame protruding from the surface of the sealing substrate to form a bonding portion of the sealing substrate.
  • the surface is flattened to have a thickness of 1Z10 or less, which is the thickness of the low heat-resistant layer formed after this step.
  • the groove formed in the groove forming step is a tapered cross section in which the groove width gradually decreases in the depth direction of the sealing substrate surface force groove. It is a shape.
  • the bottom of the groove to be formed has a smooth curved cross-sectional shape.
  • the display panel according to the present invention is characterized in that an element substrate on which an electorifice luminescence element is formed and a peripheral panel bonding portion are bonded to a peripheral portion of the element substrate.
  • a display panel including a sealing substrate for sealing a space on the sub-substrate, wherein the element substrate and the sealing substrate are welded and sealed with low-melting glass in peripheral portions thereof, and the low-melting glass is A part thereof is introduced into a frame-shaped groove formed in the sealing substrate.
  • At least a part of the sealing substrate on the surface facing the element substrate includes a color filter, a resin black matrix, a polarizing plate, and a retardation plate. At least one of them is provided.
  • the groove has a tapered cross-sectional shape in which the groove width gradually becomes narrower in the depth direction of the groove from the surface of the sealing substrate.
  • the groove has a cross-sectional shape in which the bottom has a smooth curved surface.
  • a thickness of the low melting glass in which the element substrate and the sealing substrate are bonded to each other in a width direction of the groove is smaller than a width of the groove.
  • the glass paste is filled in the frame-shaped groove of the sealing substrate, and after the solvent contained in the glass paste is volatilized, the low-melting glass frame protruding from the surface of the sealing substrate is removed. Then, the bonding surface of the sealing substrate is flattened. After that, a color filter, a resin black matrix, a polarizing plate, a retardation plate, and the like are formed. As described above, in order to remove the low-melting-point glass frame protruding from the sealing substrate surface and flatten the bonding surface of the sealing substrate, a color filter, a resin black matrix, a polarizing plate, A retardation plate or the like can be formed. Glass has very low moisture permeability. Therefore, according to the glass sealing, it is possible to reliably prevent moisture from entering the inside of the pixel space, and it is possible to reduce or eliminate the amount of the desiccant sealed inside.
  • FIG. 1 is a view showing a procedure of a method of manufacturing a display panel according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a procedure of a method of manufacturing a display panel subsequent to the manufacturing process shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a view showing a state where a plurality of sealing substrates 10 are provided on one glass substrate.
  • an electorifice luminescence element is formed in each pixel arranged in a matrix.
  • FIG. 1 and FIG. 2 show a procedure of a method for manufacturing a display panel according to the embodiment.
  • a film 12 is formed on the entire surface of the sealing substrate 10 including the bonded portion of the glass sealing substrate 10 with a substance which is not etched by a hydrofluoric acid-based solution such as Cr. I do.
  • the film 12 is made of a material that is not etched by a hydrofluoric acid-based solution such as Cr.
  • a photoresist 14 was applied to the upper surface of the film 12, exposed through a predetermined mask pattern, and developed, so that the photoresist 14 corresponded to the mask pattern as shown in FIG.
  • a frame-like etching mask opening 16 is formed. As a result, a portion of the film 12 corresponding to the bottom of the etching mask opening 16 of the photoresist 14 is exposed.
  • the exposed portion of the film 12 is etched.
  • the film 12 is a Cr film
  • the exposed portion is etched by a wet etching method using a general Cr etching solution.
  • the etching mask opening 16 extends to the surface of the sealing substrate 10.
  • the etching mask opening 16 is formed by one photolithography method, the etching mask opening 16 is formed with a predetermined size at a predetermined position and with high accuracy.
  • the etching mask opening 16 is formed with a width of about 0.5 to 1 mm.
  • the sealing substrate 10 is etched from the etching mask opening 16.
  • the etching may be a wet etching method using a hydrogen fluoride-based etchant or a dry etching method using a hydrogen fluoride-based gas.
  • a groove 18 having a depth of about 300 m is formed in the sealing substrate 10 by an etching method using any one or a combination thereof.
  • the photoresist 14 is preferably removed in advance, but may be removed together with the etching of the sealing substrate 10.
  • the groove 18 has a tapered cross-sectional shape in which the surface force of the sealing substrate 10 has a narrow groove width in the depth direction of the groove so that the glass powder paste can be completely filled in the groove 18 in a subsequent step. Further, it is preferable that the bottom of the groove 18 has a cross-sectional shape forming a smooth curved surface.
  • the etching for realizing such a shape of the groove 18 can be realized by appropriately selecting the etching conditions in each of the above-described etching methods.
  • the film 12 is removed.
  • a paste containing a low-melting glass powder is poured into the groove 18 to fill the groove 18. Fill the groove 18 so that no space remains.
  • the glass paste is applied so as to fill the grooves 18 and further increase the surface strength of the sealing substrate 10.
  • the glass paste also does not spread the opening force of the groove 18 to the periphery, has a viscosity and surface tension enough to maintain the raised shape, and has a certain amount of flow so that no space remains in the groove 18. Solvent is solubilized in the solvent. Thus, a frame-shaped glass paste layer 20 is formed along the groove 18.
  • the sealing substrate 10 on which the glass paste layer 20 is formed is subjected to a heat treatment to volatilize the solvent contained in the glass paste layer 20.
  • the temperature and time of the heat treatment are appropriately determined according to the properties of the glass paste 20 used.
  • the heat treatment for volatilizing this solvent the low-melting glass powder paste layer for bonding is solidified to form the low-melting glass frame 22.
  • the low melting point glass frame 22 protruding from the surface of the sealing substrate 10 of the low melting point glass frame 22 is polished, and the surface of the bonded portion of the sealing substrate 10 is polished. Is flattened.
  • a color filter film is generally required to have a thickness variation of 10% or less of the film thickness in order to obtain predetermined optical characteristics.
  • the unevenness on the surface of the bonding surface is required to be 1Z10 or less of the film thickness of the color filter film.
  • the flatness can be improved.
  • the dagger process can be omitted.
  • a color filter 24 is formed on the surface of the sealing substrate 10 including the surface of the flattened bonded portion.
  • the color filter 24 is formed by transferring the color filter layer provided on the transfer film to the surface of the sealing substrate 10.
  • the color filter layer formed on the transfer film is applied to the surface of the sealing substrate 10 by, for example, a transfer roller.
  • the color filter layer is transferred to a region corresponding to each pixel by pressing and bonding while moving.
  • the R, G, and B color filters 24 are formed, they are formed one by one on the surface of the sealing substrate 10 in order.
  • the color filter material a material obtained by mixing a pigment with a negative photoresist material is preferable. When such a material is used, unnecessary positional force can be reduced by exposing and developing the filter material. Can be removed.
  • the color filter layer can be uniformly pressed on the surface of the sealing substrate 10, and the deviation of the filter characteristics due to the uneven pressing causes the color. Separation or the like of the filter 24 can be prevented.
  • a transfer method has been described as an example of a method of forming the color filter 24.
  • a method of forming a film-like color filter for example, a color resist spin coating method or a liquid color filter may be used.
  • An ink-jet coating method of the material may be used.
  • the flatness of the surface of the bonding portion of the sealing substrate 10 is as important as in the transfer method. Since the bonding surface strength of the sealing substrate 10 on which the color filter 24 is formed is flat, the color filter 24 can be uniformly formed without unevenness.
  • the color filter 24 is formed in a region corresponding to the pixel region, and the emission color of the electroluminescent element of the force element substrate 26, the display color required for the display panel, and the like. Accordingly, the color filter 24 may be formed only in at least a part of the surface of the sealing substrate facing the element substrate.
  • the sealing substrate 10 and the element substrate 26 are fixed at an interval of 4 to LO m, preferably about 8 m.
  • This fixing can be performed, for example, by arranging at least three spacers of a predetermined height on the element substrate 26 and supporting the sealing substrate 10 via the spacers.
  • the low melting point glass frame 22 is irradiated with laser light via the element substrate 26.
  • the laser beam is absorbed by the low melting point glass frame 22, and this portion is heated and melted.
  • the low-melting glass frame 22 expands when it melts and rises until it contacts the element substrate 26.
  • the melted low-melting glass forms a welding area having a predetermined contact width on the surface of the element substrate 26.
  • the scanning speed and output of the laser beam are controlled to be appropriate, and the outer periphery of the panel is securely welded.
  • the element substrate 26 and the sealing substrate 10 are connected by a low-melting-point glass at the peripheral bonded portion.
  • the thickness of the low melting glass frame 22 connecting the element substrate 26 and the sealing substrate 10 in the width direction of the groove 18 is smaller than the width of the groove 18.
  • the laser light for example, output light (wavelength: 1064 nm) of a YAG laser or the like is employed.
  • the laser beam is focused so as to have a spot diameter slightly larger than the width of the low-melting glass frame 22, and the portion is heated and melted.
  • the required welding seal is performed by scanning along the frame 22.
  • the element substrate 26 and the sealing substrate 10 on which the color filters 24 are formed can be connected by glass.
  • sealing performance is higher than that of a conventional method of sealing with epoxy resin or the like. For this reason, even if the desiccant does not need to be accommodated in the pixel space where the amount of permeation of moisture is small, or the desiccant does not need to be accommodated, the amount can be extremely small. Since the color filter 24 is formed after the solvent contained in the bonding low-melting glass powder paste layer 20 is volatilized, the color filter 24 having low heat resistance and solvent resistance is not exposed to a high temperature and a solvent atmosphere.
  • the space above the element substrate 26, which does not deteriorate the characteristics of the color filter 24, can be sealed.
  • the color filter 24 since the color filter 24 is formed on the flat sealing substrate 10, the color filter 24 can be formed uniformly without unevenness, and the filter characteristics can be made uniform within the display area.
  • the irradiation of the laser beam for melting the low-melting glass frame 22 is performed via the element substrate 26, but the sealing substrate 10 side may also be irradiated with the laser beam.
  • the laser beam is focused on the vicinity of the surface of the low-melting glass frame 22 so that the laser beam expands and easily contacts the element substrate 26.
  • the grooves 18 of the sealing substrate 10 which is a force glass in which the grooves 18 of the sealing substrate 10 are formed by a wet etching method or a dry etching method, are also formed by a sandblast method. can do.
  • the film 12 as a mask for patterning uses a resin film that is usually used in the sandblasting method instead of a material that is not etched by a hydrofluoric acid-based solution such as Cr.
  • the color filter 24 is formed after the solvent contained in the glass paste layer 20 is volatilized by heat treatment.
  • the resin black matrix is a black matrix formed by patterning a resin film with a black pigment containing, for example, carbon, and is used to isolate pixels.
  • the polarizing plate is formed by, for example, dyeing PVA (polyvinyl alcohol) with iodine and stretching.
  • the retardation plate is formed of, for example, uniaxially or biaxially stretched PVA. It is used to prevent reflection on the surface. Resin black matrices, polarizing plates, retarders, etc.
  • the resin black matrix, the polarizing plate, the retardation plate, and the like are formed by applying resin, transferring, pressing, or the like in the same manner as the color filter 24, so that the surface of the sealing substrate 10 needs to be flat. . Therefore, the low heat-resistant layer constituting the resin black matrix, the polarizing plate, the phase difference plate, etc. is formed on the surface of the sealing substrate including the surface of the flattened bonded portion, thereby forming the layer with high precision. be able to.
  • a resin black matrix, a polarizing plate, a retardation plate, and the like having low heat resistance and solvent resistance are not exposed to a high temperature and a solvent atmosphere. Therefore, the space above the element substrate 26 can be sealed without deteriorating the characteristics of the resin black matrix, the polarizing plate, the phase difference plate, and the like.
  • the present invention is not limited to these functional layers and the resin layer.
  • the present invention can be suitably applied to a functional layer made of a material having a heat resistance temperature equal to or lower than the heat treatment temperature of the glass paste layer 20.
  • FIG. 3 shows a state in which a plurality of (six in this case) sealing substrates 10 are provided on one large glass substrate as viewed from the top surface of the surface including the bonded portion.
  • the rectangular low-melting glass frames 22 are formed on one glass substrate at predetermined intervals.
  • a plurality of element substrates 26 are similarly formed on one glass substrate.
  • a plurality of element substrates 26 can be manufactured together. And after bonding both, Separate each display panel using a mond cutter or laser cutter. Thus, bonding and cutting can be performed efficiently as one process.

Abstract

 封止基板(10)のパネル貼り合わせ部分に枠状の溝を形成し、その溝に低融点ガラス粉末を含むペーストを埋め、枠状のガラスペースト層を形成する。ガラスペースト層に含まれる溶剤を揮発させて固化し、低融点ガラス枠(22)とする。次に、封止基板(10)の表面にはみ出した低融点ガラス枠(22)を除去して、封止基板(10)の貼り合わせ部分の表面を含む面の表面を平坦化する。次に封止基板(10)の平坦化された貼り合わせ面上に低耐熱性層(24)を形成する。封止基板(10)を素子基板26に所定間隔をおいて対向して配置し、レーザ光を素子基板(26)を介し、低融点ガラス枠(22)に照射して、この部分を加熱する。これによって、その低融点ガラスが盛り上がり封止基板(10)と素子基板が溶接される。

Description

明 細 書
表示パネルの製造方法および表示パネル 技術分野
[0001] エレクト口ルミネッセンス素子が形成された素子基板と、素子基板上の空間を封止 する封止基板とを含む表示パネルに関する。
背景技術
[0002] 薄型のフラットディスプレイパネルとして、プラズマディスプレイ(PDP)、液晶ディス プレイ (LCD)などが普及しており、有機エレクト口ルミネッセンス (EL)素子を用いた 有機 ELパネルも実用化されるようになってきて ヽる。
[0003] この有機素子は、その発光材料などに有機材料を利用しており、この有機材料が 水分を含むと寿命が短くなる。このため、 EL素子がマトリクス状に形成された EL基板 に対して、封止基板を所定間隔をおいて対向させ、これら基板の周辺部分を榭脂製 のシール材によって気密に封止し、内部に水分が侵入しないようにしている。また、 封止基板で封止された内部空間には、乾燥剤を収容し水分を除去している。
[0004] ここで、シール材としては、通常エポキシ系の紫外線硬化榭脂などが用いられて!/ヽ る。しかし、さらに気密性を向上させるために、ハンダガラスなどの低融点ガラスを用 V、ることも提案されて 、る(例えば、特開 2001— 319775号公報参照)。
[0005] また、有機 ELパネルの各画素には、 EL素子およびこの EL素子への電流を制御す るためのスイッチング TFTや、電流ドライブ TFTなどが形成される。そして、この画素 が素子基板上にマトリクス状に形成され、各画素の表示を制御してパネル全体の表 示が行われる。
[0006] また、有機 ELパネルは、その射出方向により、ボトムェミッションタイプと、トップエミ ッシヨンタイプがある。ボトムェミッションタイプは、素子基板側に有機 EL素子の発光 層からの光を取り出す力 トップェミッションは、封止基板側から光を取り出す。トップ ェミッションタイプは、例えば、特開 2002— 299044号公報に示されている。トップェ ミッションタイプでは、発光層からの光が画素内の各 TFTに遮られることがないので、 画素の開口率を大きくでき、高輝度化が可能になるという利点がある。 [0007] また、有機 ELパネルにおいて、カラー表示を行うための方法として、 1種類(白色) の発光層とカラーフィルターを組み合わせるカラーフィルター方式がある。トップェミツ シヨン構造の場合、カラーフィルタ一は、封止基板に形成される。
[0008] ここで、特開 2001— 319775号公報では、接合用の低融点ガラスをガラス基板 (素 子基板と封止基板)間に挟み込み、その後、加熱溶接している。低融点ガラスを所望 の位置に配する方法として、低融点ガラスの粉末と榭脂バインダとが混合されてなる ペースト状のガラスペーストを塗る方法が用いられる。ガラスペーストを基板に塗布し た後、ガラスペーストに含まれる溶剤を除去して固化するためには、一般に 450°C以 上で数十分以上の熱処理をする必要がある。
[0009] 一方、有機 ELパネルにおいて用いられるカラーフィルタは、有機榭脂により構成さ れるため、熱に弱ぐ一般に耐熱温度は 200°C以下である。
[0010] したがって、例えば、基板にカラーフィルターを形成した後にガラスペーストを塗布 し、その基板を熱処理することはできない。逆に基板に先にガラスペーストを塗布した 場合、基板表面にガラスペーストによる凸部が形成される。このようにカラーフィルタ 一形成面に凸部があると、レジスト等のパターユングにより形成するカラーフィルター を所定位置に正確に形成することができない。また、各画素力もの光の混合を避ける ため、画素間にブラックマトリクスを配置したり、ぎらつき感ゃ反射防止のために位相 差板や偏光板を設ける場合があり、トップェミッションタイプの場合、このブラックマトリ タス、位相差板、偏光板などもカラーフィルタと同様に封止基板側に設けられ、また 榭脂製のものが利用される場合が多い。この場合には、ブラックマトリクスについても カラーフィルタと同様である。
発明の開示
[0011] 本発明は、エレクト口ルミネッセンス素子が形成された素子基板と、周辺のパネル貼 り合わせ部分にぉ 、て素子基板の周辺部分に貼り合わされ、素子基板上の空間を 封止する封止基板とを含む表示パネルの製造方法であって、前記封止基板のパネ ル貼り合わせ部分に枠状の溝を形成する溝形成工程と、前記溝に低融点ガラス粉末 および溶剤を含むペーストを導入し、枠状のガラスペースト層を形成するガラスペ一 スト層形成工程と、前記ガラスペースト層に含まれる溶剤を熱処理により揮発させ、低 融点ガラス枠を形成する熱処理工程と、前記封止基板表面上に前記熱処理温度より 耐熱温度が低 ヽ材料からなる低耐熱層を形成する低耐熱層形成工程と、前記素子 基板を前記封止基板に対し、所定間隔をおいて対向配置させた状態で、前記低融 点ガラス枠にレーザを照射することで、この低融点ガラスを加熱溶融させ、該低融点 ガラスを前記素子基板に向けて盛り上がらせて、前記素子基板と封止基板とを周辺 部分でガラス溶接して両基板で挟まれる空間を密閉する封止工程と、を有することを 特徴とする。
[0012] また、本発明の他の態様によれば、前記ガラスペースト層形成工程において、前記 ペーストを前記枠状の溝にその体積を超えて導入するとともに、前記熱処理工程に おいて溶剤を揮発させた前記低融点ガラス枠のうち、前記封止基板表面力 はみ出 した部分を除去し、この封止基板の貼り合わせ部分の表面を平坦ィ匕する平坦ィ匕工程 をさらに有する。
[0013] また、本発明の他の態様によれば、前記低耐熱層形成工程により形成される前記 低耐熱層は、カラーフィルタ、榭脂ブラックマトリクス、偏光板、および位相差板のうち 少なくともいずれか 1つである。
[0014] また、本発明の他の態様によれば、前記平坦化工程における前記封止基板表面か らはみ出した前記低融点ガラス枠の除去は、研磨により行う。
[0015] また、本発明の他の態様によれば、前記平坦化工程は、前記封止基板表面からは み出した前記低融点ガラス枠を除去することにより、前記封止基板の貼り合わせ部分 の表面をこの工程後に形成される前記低耐熱層の膜厚の 1Z10以下の大きさの凹 凸に平坦化する。
[0016] また、本発明の他の態様によれば、前記溝形成工程にお!ヽて形成する溝は、前記 封止基板表面力 溝の深さ方向において徐々に溝幅が狭くなるテーパ断面形状で ある。
[0017] また、本発明の他の態様によれば、前記溝形成工程にお!、て形成する溝の底部は 滑らかな曲面をなす断面形状である。
[0018] また、本発明の表示パネルは、エレクト口ルミネッセンス素子が形成された素子基板 と、周辺のパネル貼り合わせ部分において素子基板の周辺部分に貼り合わされ、素 子基板上の空間を封止する封止基板とを含む表示パネルであって、前記素子基板 と封止基板は、その周辺部分において、低融点ガラスによって溶接封止され、該低 融点ガラスは、その一部が前記封止基板に形成された枠状の溝に導入されて!ヽる。
[0019] また、本発明の他の態様によれば、前記封止基板の前記素子基板に対向する面 上の少なくとも一部にカラーフィルタ、榭脂ブラックマトリクス、偏光板、および位相差 板のうち少なくともいずれか 1つを備える。
[0020] また、本発明の他の態様によれば、前記溝は、前記封止基板表面から溝の深さ方 向にお 、て徐々に溝幅が狭くなるテーパ断面形状である。
[0021] また、本発明の他の態様によれば、前記溝は、その底部が滑らかな曲面をなす断 面形状である。
[0022] また、本発明の他の態様によれば、前記素子基板と封止基板を貼り合わせる低融 点ガラスの、前記溝の幅方向における厚みは、前記溝の幅より小さい。
[0023] 本発明によれば、封止基板の枠状の溝にガラスペーストを埋め、ガラスペーストに 含まれる溶剤を揮発させた後、封止基板表面にはみ出た低融点ガラス枠を除去して 、この封止基板の貼り合わせ面表面を平坦ィ匕する。そして、その後、カラーフィルタ、 榭脂ブラックマトリクス、偏光板、および位相差板等を形成する。このように、封止基 板表面にはみ出た低融点ガラス枠を除去して、該封止基板の貼り合わせ面表面を平 坦化するため、カラーフィルタ、榭脂ブラックマトリクス、偏光板、および位相差板等を 形成することができる。また、ガラスは、透湿性が非常に低い。従ってガラスによる溶 接封止によれば、画素空間内部への水分の侵入を確実に防止することができ、内部 に封入する乾燥剤の量を減少またはなしにできる。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]実施形態に係る表示パネルの製造方法の手順を示す図である。
[図 2]図 1に示す製造工程に後続する表示パネルの製造方法の手順を示す図である
[図 3]1つのガラス基板に複数の封止基板 10を設けた状態を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。本実施形態の表示 パネルでは、マトリクス状に配置された各画素にエレクト口ルミネッセンス素子が形成 される。
[0026] 図 1および図 2に、実施形態に係る表示パネルの製造方法の手順を示す。まず、図 1 (a)に示すようにガラス製の封止基板 10の貼り合わせ部分を含む封止基板 10の表 面全面に、 Cr等のフッ酸系溶液でエッチングされない物質で膜 12を形成する。この 膜 12は、 Cr等のフッ酸系溶液でエッチングされない物質を使用する。次に、膜 12の 上面にフォトレジスト 14を塗布し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像するこ とによって、図 1(b)に示すように、フォトレジスト 14にマスクパターンに対応した枠状の エッチングマスク開口 16を形成する。これによつて、膜 12のフォトレジスト 14のエッチ ングマスク開口 16の底面に当たる部分が露出する。
[0027] 次に、膜 12の露出した部分のエッチングを行う。膜 12が Cr膜である場合には、一 般的な Crエッチング液によるウエットエッチング法により露出部のエッチングを行う。 これによつて、図 1 (c)に示すように、エッチングマスク開口 16は、封止基板 10の表面 まで伸びる。このように、エッチングマスク開口 16は、フォトリソグラフィ一法によって形 成されるため、所定の位置に定められた大きさで、精度よく形成される。エッチングマ スク開口 16は、 0. 5〜 lmm程度の幅で形成される。
[0028] 次に、図 1 (d)に示すように、エッチングマスク開口 16から、封止基板 10をエツチン グする。エッチングは、フッ化水素系のエツチャントを用いたウエットエッチング法であ つてもよいし、フッ化水素系のガスを用いたドライエッチング法によってもよい。これら のいずれかの、もしくは組み合わせによるエッチング方法により、封止基板 10に深さ 300 m程度の溝 18を形成する。なお、フォトレジスト 14は、予め除去しておくことが 好ましいが、封止基板 10のエッチングの際に一緒に除去してもよい。
[0029] 溝 18は、後続工程において、溝 18内部にガラス粉末ペーストが隙間無く埋めること ができるように、封止基板 10の表面力も溝の深さ方向に溝幅が狭くなるテーパ断面 形状とし、さらに、溝 18の底部は滑らかな曲面をなす断面形状であることが好ましい 。そのような溝 18の形状を実現させるエッチングは、前述した各エッチング方法にお けるエッチング条件を適宜選ぶことにより実現することができる。
[0030] 次に、図 1 (e)に示すように、膜 12を除去する。 [0031] 次に、図 1 (f)に示すように、溝 18に低融点ガラス粉末を含むペーストを流し込んで 、溝 18を埋める。溝 18内に空間が残留しないように埋める。また、ガラスペーストは、 溝 18を埋め、さらに封止基板 10表面力も盛り上がるように塗布する。
[0032] ガラスペーストは、溝 18の開口力も周辺に広がらず、盛り上げた形状を保持する程 度の粘性と表面張力を有し、かつ溝 18の内部に空間が残らないようにある程度の流 動性を有するように溶剤に溶力されている。これによつて、枠形状のガラスペースト層 20が溝 18に沿って、形成される。
[0033] 次に、図 2 (a)に示すように、ガラスペースト層 20が形成された封止基板 10を熱処 理し、ガラスペースト層 20に含まれる溶剤を揮発させる。熱処理の温度、時間は、用 いたガラスペースト 20の特性により適宜決められる。この溶剤を揮発させる熱処理に より、接合用低融点ガラス粉末ペースト層は固化し、低融点ガラス枠 22となる。
[0034] 次に図 2 (b)に示すように、低融点ガラス枠 22の封止基板 10表面上にはみ出た低 融点ガラス枠 22を研磨して、封止基板 10の貼り合わせ部分の表面を平坦ィ匕する。 低融点ガラス枠 22は、封止基板 10表面に数百/ z m程度はみ出る。研磨はメカ-力 ルポリツシュ法でもよいし、ケミカルメカ-カルポリッシュ法でもよい。この研磨によって 、封止基板 10の貼り合わせ面の凹凸を、後続工程において形成する低耐熱層の膜 厚の 1Z10以下とすることが好ましい。例えば、カラーフィルタ膜は、所定の光学的 特性を得るために、一般に膜厚ばらつきを膜厚の 10%以下にすることが要求される 。カラーフィルタ膜における、膜厚ばらつき 10%以下という精度を実現させるために は、貼り合わせ面表面の凹凸は、カラーフィルタ膜の膜厚の 1Z10以下であることが 要求される。
[0035] なお、溝 18へのガラスペーストの導入量を適切に調整し、熱処理後における低融 点ガラス枠 22の表面の凹凸を低耐熱層の膜厚の 1Z10以下に抑制すれば、平坦ィ匕 工程を省略することができる。
[0036] 次に、図 2 (c)に示すように、平坦化された貼り合わせ部分の表面を含む封止基板 10表面上にカラーフィルタ 24を形成する。カラーフィルタ 24は、転写フィルムに設け られたカラーフィルタ層を封止基板 10の表面に転写することにより形成する。封止基 板 10の表面に対し、転写フィルムに形成されたカラーフィルタ層を例えば転写ローラ を移動しながら圧着することで、カラーフィルタ層を各画素に対応する領域に転写す る。 R, G, Bのカラーフィルタ 24を形成する場合には、 1色ずつ順に封止基板 10の 表面上に形成していく。なお、カラーフィルタ材料としては、ネガ型フォトレジスト材料 に顔料を混入した材料が好適であり、このような材料を用いた場合、該フィルタ材料 を露光 ·現像することで不要な位置力もカラーフィルタ材料を除去することができる。
[0037] 封止基板 10の貼り合わせ部分の表面は平坦ィ匕されているので、封止基板 10の表 面にカラーフィルタ層を均一に圧着でき、圧着ムラに起因するフィルター特性のずれ 、カラーフィルタ 24の剥離等を防ぐことができる。
[0038] 上記では、カラーフィルタ 24の形成方法として、転写方法を例に説明したが、膜状 のカラーフィルタを形成する方法であれば例えば、カラーレジストのスピンコーティン グ法や、液状のカラーフィルタ材料のインクジェット塗布法によってもよい。これらの方 法によるカラーフィルタ 24の形成においても、封止基板 10の貼り合わせ部分の表面 の平坦性は、転写方法による場合と同様に重要である。カラーフィルタ 24の形成面 である封止基板 10の貼り合わせ面力 平坦であることにより、カラーフィルタ 24を均 一にムラ無く形成することができる。
[0039] また、本実施形態にぉ 、て、カラーフィルタ 24を画素領域に対応する領域に形成 するものとした力 素子基板 26のエレクト口ルミネッセンス素子の発光色、表示パネル に要求させる表示色等によって、カラーフィルタ 24は、封止基板の前記素子基板に 対向する面上の少なくとも一部の領域に形成するだけでも良い。
[0040] そして、図 2 (d)に示すように、封止基板 10と素子基板 26とを 4〜: LO m、好ましく は 8 m程度の間隔を隔てて固定する。この固定は、例えば、素子基板 26に所定の 高さのスぺーサを少なくとも 3つ配置させ、そのスぺーサを介して封止基板 10を支持 させることで行うことができる。この状態で、素子基板 26を介し、低融点ガラス枠 22に レーザ光を照射する。レーザ光は、低融点ガラス枠 22で吸収され、この部分が加熱 溶融する。低融点ガラス枠 22は、溶融すると膨張し、素子基板 26に接触するまで盛 り上がる。溶けた低融点ガラスが、素子基板 26表面で所定の接触幅の溶接領域を形 成する。この時、レーザ光のスキャン速度および出力を適切なものに制御し、パネル 外周部を確実に溶接する。 [0041] このようにして、図 2 (e)に示すように、素子基板 26と封止基板 10がその周辺の貼り 合わせ部分で、低融点ガラスによって接続される。なお、素子基板 26と封止基板 10 を接続している低融点ガラス枠 22の溝 18の幅方向における厚みは、溝 18の幅より 小さくなつている。
[0042] なお、レーザ光は、例えば、 YAGレーザの出力光 (波長: 1064nm)等が採用され る。低融点ガラス枠 22の表面部分で、レーザ光を低融点ガラス枠 22の幅よりやや大 きめのスポット径となるように集光してその部分を加熱、溶融させ、このスポットを低融 点ガラス枠 22に沿ってスキャンすることにより、必要な溶接封止を行う。
[0043] このようにして、素子基板 26と、カラーフィルタ 24を形成した封止基板 10をガラスに より接続することができる。本実施形態によれば、封止をガラスで行うので、従来のェ ポキシ榭脂等で封止をする方法に比べ、封止性能が高い。このため、水分の透過量 が少なぐ画素空間内部に乾燥剤を収容しなくてもよぐまた収容する場合でも、その 量を非常に少ない量にできる。接合用低融点ガラス粉末ペースト層 20に含まれる溶 剤を揮発させた後にカラーフィルタ 24を形成するので、耐熱性および耐溶剤性が低 いカラーフィルタ 24を高温および溶剤雰囲気にさらすことが無い。したがって、カラー フィルタ 24の特性を劣化させることがなぐ素子基板 26の上方空間を封止できる。ま た、カラーフィルタ 24を平坦な封止基板 10上に形成するので、カラーフィルタ 24を 均一にムラ無く形成することができ、フィルター特性を表示領域内で均一化すること ができる。
[0044] 本実施形態では、低融点ガラス枠 22を溶融させるためのレーザ光の照射を素子基 板 26を介して行うものとしたが、封止基板 10側力もレーザ光を照射しても良い。その 場合、レーザ光のフォーカスを低融点ガラス枠 22の表面近傍に合わせるようにするこ とにより、素子基板 26に向力つて膨張、接触しやすいようにする。
[0045] また、本実施形態では、封止基板 10の溝 18形成をウエットエッチング法もしくはド ライエッチング法によるものとした力 ガラスである封止基板 10の溝 18は、サンドブラ スト法によっても形成することができる。サンドブラスト法による場合には、パターニン グのマスクとしての膜 12は、 Cr等のフッ酸系溶液でエッチングされない物質に代わり 、サンドブラスト法に通常用いられる榭脂膜を用いる。 [0046] また、本実施形態では、ガラスペースト層 20に含まれる溶剤を熱処理により揮発さ せた後にカラーフィルタ 24を形成するものとした力 このカラーフィルタ 24に代わり、 もしくは、このカラーフィルタ 24とともに、榭脂ブラックマトリクス、偏光板、位相差板等 の少なくともいずれか 1つを形成することができる。榭脂ブラックマトリクスは、例えば カーボン等を含む黒色顔料を榭脂膜をパターンィ匕して形成したブラックマトリクスであ り、画素同士の隔離のために用いられる。また、偏光板は、例えば PVA(polyvinyla lchol)にヨウ素を染めて延伸して形成され、位相差板は、例えば一軸もしくはニ軸延 伸した PVAで形成され、これら偏光板、位相差板は、表面における反射防止などの ために利用される。榭脂ブラックマトリクス、偏光板、位相差板等も、カラーフィルタ 24 と同様に有機榭脂を含むため耐熱性および耐溶剤性が低ぐその耐熱温度は、ガラ スペースト層 20に含まれる溶剤を揮発させる熱処理温度より低い。さらに、榭脂ブラ ックマトリクス、偏光板、位相差板等は、カラーフィルタ 24と同様に、榭脂の塗布、転 写'圧着等により形成するため、封止基板 10表面は平坦である必要がある。したがつ て、榭脂ブラックマトリクス、偏光板、位相差板等を構成する低耐熱層を平坦化された 貼り合わせ部分の表面を含む封止基板表面上に形成することにより、精度よく形成 することができる。また、熱処理後に形成することで、耐熱性および耐溶剤性が低い 榭脂ブラックマトリクス、偏光板、位相差板等を高温および溶剤雰囲気にさらすことが 無い。したがって、榭脂ブラックマトリクス、偏光板、位相差板等の特性を劣化させる ことがなぐ素子基板 26の上方空間を封止できる。
[0047] また、低耐熱層である榭脂層で構成する機能層として、榭脂ブラックマトリクス、偏 光板、位相差板を例に挙げたが、これらの機能層、榭脂層に限らず、ガラスペースト 層 20の熱処理温度以下の耐熱温度である材料で構成される機能層であれば、本発 明を好適に適用することができる。
[0048] 図 3には、 1つの大きなガラス基板に複数 (この場合は 6つ)の封止基板 10を設けた 状態を貼り合わせ部分を含む面の上面力 見た状態として示してある。このように、 1 枚のガラス基板に、四角枠状の低融点ガラス枠 22を所定間隔をおいて、形成する。 一方、素子基板 26も同様に 1枚のガラス基板に複数形成する。これによつて、複数の 素子基板 26を一緒に作製することができる。そして、両者を貼り合わせた後、ダイヤ モンドカッターやレーザカッター等によって、それぞれの表示パネルを切り離す。これ によって、貼り合わせ、カットも 1つの工程として効率的に行うことができる。

Claims

請求の範囲
[1] エレクト口ルミネッセンス素子が形成された素子基板と、周辺のパネル貼り合わせ部 分にぉ 、て素子基板の周辺部分に貼り合わされ、素子基板上の空間を封止する封 止基板とを含む表示パネルの製造方法であって、
前記封止基板のパネル貼り合わせ部分に枠状の溝を形成する溝形成工程と、 前記溝に低融点ガラス粉末および溶剤を含むペーストを導入し、枠状のガラスべ一 スト層を形成するガラスペースト層形成工程と、
前記ガラスペースト層に含まれる溶剤を熱処理により揮発させ、低融点ガラス枠を 形成する熱処理工程と、
前記封止基板表面上に前記熱処理温度より耐熱温度が低い材料からなる低耐熱 層を形成する低耐熱層形成工程と、
前記素子基板を前記封止基板に対し、所定間隔をお!/、て対向配置させた状態で、 前記低融点ガラス枠にレーザを照射することで、この低融点ガラスを加熱溶融させ、 該低融点ガラスを前記素子基板に向けて盛り上がらせて、前記素子基板と封止基板 とを周辺部分でガラス溶接して両基板で挟まれる空間を密閉する封止工程と、 を有する表示パネルの製造方法。
[2] 請求項 1に記載の製造方法において、
前記ガラスペースト層形成工程にぉ 、て、前記ペーストを前記枠状の溝にその体 積を超えて導入するとともに、
前記熱処理工程にお!、て溶剤を揮発させた前記低融点ガラス枠のうち、前記封止 基板表面からはみ出した部分を除去し、この封止基板の貼り合わせ部分の表面を平 坦化する平坦化工程をさらに有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
[3] 請求項 1に記載の表示パネルの製造方法にぉ 、て、
前記低耐熱層形成工程により形成される前記低耐熱層は、カラーフィルタ、榭脂ブ ラックマトリクス、偏光板、および位相差板のうち少なくともいずれか 1つである表示パ ネルの製造方法。
[4] 請求項 1に記載の表示パネルの製造方法にぉ 、て、
前記平坦化工程における前記封止基板表面からはみ出した前記低融点ガラス枠 の除去は、研磨により行う表示パネルの製造方法。
[5] 請求項 1に記載の表示パネルの製造方法にぉ 、て、
前記平坦化工程は、前記封止基板表面からはみ出した前記低融点ガラス枠を除 去することにより、前記封止基板の貼り合わせ部分の表面をこの工程後に形成される 前記低耐熱層の膜厚の 1Z10以下の大きさの凹凸に平坦ィ匕する表示パネルの製造 方法。
[6] 請求項 1に記載の表示パネルの製造方法にぉ 、て、
前記溝形成工程において形成する溝は、前記封止基板表面から溝の深さ方向に ぉ 、て徐々に溝幅が狭くなるテーパ断面形状である表示パネルの製造方法。
[7] 請求項 1に記載の表示パネルの製造方法にぉ 、て、
前記溝形成工程において形成する溝の底部は滑らかな曲面をなす断面形状であ ることを特徴とする表示パネルの製造方法。
[8] エレクト口ルミネッセンス素子が形成された素子基板と、周辺のパネル貼り合わせ部 分にぉ 、て素子基板の周辺部分に貼り合わされ、素子基板上の空間を封止する封 止基板とを含む表示パネルであって、
前記素子基板と封止基板は、その周辺部分において、低融点ガラスによって溶接 封止され、
該低融点ガラスは、その一部が前記封止基板に形成された枠状の溝に導入されて いる表示パネル。
[9] 請求項 8に記載の表示パネルにおいて、
前記封止基板の前記素子基板に対向する面上の少なくとも一部にカラーフィルタ、 榭脂ブラックマトリクス、偏光板、および位相差板のうち少なくともいずれか 1つを備え る表示ノ ネノレ。
[10] 請求項 8に記載の表示パネルにおいて、
前記溝は、前記封止基板表面から溝の深さ方向において徐々に溝幅が狭くなるテ ーパ断面形状である表示パネル。
[11] 請求項 8に記載の表示パネルにおいて、
前記溝は、その底部が滑らかな曲面をなす断面形状であることを特徴とする表示パ ネノレ。
請求項 8に記載の表示パネルにおいて、
前記素子基板と封止基板を貼り合わせる低融点ガラスの、前記溝の幅方向におけ る厚みは、前記溝の幅より小さ 1ヽことを特徴とする表示パネル。
PCT/JP2005/010804 2004-06-11 2005-06-13 表示パネルの製造方法および表示パネル WO2005122645A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/586,821 US7572162B2 (en) 2004-06-11 2005-06-13 Display panel manufacturing method and display panel
JP2006519600A JPWO2005122645A1 (ja) 2004-06-11 2005-06-13 表示パネルの製造方法および表示パネル

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174162 2004-06-11
JP2004-174162 2004-06-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005122645A1 true WO2005122645A1 (ja) 2005-12-22

Family

ID=35503546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/010804 WO2005122645A1 (ja) 2004-06-11 2005-06-13 表示パネルの製造方法および表示パネル

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7572162B2 (ja)
JP (1) JPWO2005122645A1 (ja)
KR (1) KR100798244B1 (ja)
CN (1) CN100525559C (ja)
TW (1) TW200605710A (ja)
WO (1) WO2005122645A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007123039A1 (ja) * 2006-04-18 2009-09-03 小松精練株式会社 ホットメルト型部材及び有機el表示パネル
JP2012513079A (ja) * 2008-12-18 2012-06-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法および有機オプトエレクトロニクス素子
JP2013090228A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Kyocera Corp 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法
JP2013541158A (ja) * 2010-09-27 2013-11-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 可撓性の被覆層を持つoled
JP2013258006A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Shin-Nippon Stainless Industry Co Ltd 表示パネルの製造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7431628B2 (en) * 2005-11-18 2008-10-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device
KR101233144B1 (ko) * 2006-06-12 2013-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
KR100838077B1 (ko) * 2007-01-12 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치의 제조방법
PT104282A (pt) * 2008-12-05 2010-06-07 Univ Do Porto Processo de selagem com vidro de células solares dsc
CN102237496A (zh) * 2011-06-30 2011-11-09 彩虹(佛山)平板显示有限公司 一种有机电致发光二极管显示器件的封装方法
CN102255056A (zh) * 2011-07-12 2011-11-23 上海大学 一种增强玻璃料密封oled器件密封性能的方法
CN102298875B (zh) * 2011-09-01 2015-08-05 友达光电(苏州)有限公司 一种显示装置
CN102530844B (zh) * 2012-02-03 2015-02-18 厦门大学 一种微器件的真空封装方法
DE102012109258B4 (de) * 2012-09-28 2020-02-06 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
CN103311445B (zh) 2012-12-24 2016-03-16 上海天马微电子有限公司 有机发光二极管封装结构及其形成方法
US9368748B2 (en) 2013-05-09 2016-06-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN103280540A (zh) * 2013-05-09 2013-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置及其制造方法
KR101427689B1 (ko) * 2013-05-22 2014-08-07 주식회사 엘티에스 곡면기판의 프릿 실링장치 및 방법
CN104362167A (zh) * 2014-10-27 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板、基板及其制作方法、显示装置
CN104716275A (zh) * 2015-03-20 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 电子器件的封装方法和封装系统
US10401689B2 (en) 2016-01-08 2019-09-03 Apple Inc. Electronic device displays with laser-welded edges
US11251224B2 (en) * 2018-10-31 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
CN110729311B (zh) * 2019-10-31 2023-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
KR20210113503A (ko) 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220000440A (ko) * 2020-06-25 2022-01-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222369A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置
JPH10125463A (ja) * 1995-12-28 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JP2001189191A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Tokki Corp 有機el表示素子の封止板および封止方法
JP2003297558A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器
JP2004055355A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ、色変換層およびそれらを用いた色変換発光デバイス
JP2004079408A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Ntt Advanced Technology Corp 有機elディスプレイの封止構造

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01234339A (ja) * 1988-03-11 1989-09-19 Murata Mfg Co Ltd ガラス膜形成方法
JP2808480B2 (ja) * 1990-07-18 1998-10-08 キヤノン株式会社 液晶カラー表示素子用基板の製造方法
DE69623443T2 (de) 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
US5867149A (en) * 1995-08-14 1999-02-02 Intertactile Technologies Corporation Switch key image display and operator/circuit interface
US5997377A (en) * 1995-11-17 1999-12-07 Hoya Corporation Process for the production of spacered substrate for use in self-emitting display
US6195142B1 (en) 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
US20020030437A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-14 Nobuhiro Shimizu Light-emitting device and backlight for flat display
FR2815374B1 (fr) * 2000-10-18 2003-06-06 Saint Gobain Vitrage feuillete et ses moyens d'etancheification peripherique
US6554672B2 (en) * 2001-03-12 2003-04-29 Micron Technology, Inc. Flat panel display, method of high vacuum sealing
US6967441B2 (en) * 2002-12-31 2005-11-22 Ningbo Tianming Electronic Co. Ltd Plasma display panel for multi-screen system
US7229703B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
US7300829B2 (en) * 2003-06-02 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Low temperature process for TFT fabrication
AU2003242415A1 (en) * 2003-06-13 2005-01-04 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Organic el display
KR20050019289A (ko) * 2003-08-18 2005-03-03 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222369A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置
JPH10125463A (ja) * 1995-12-28 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JP2001189191A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Tokki Corp 有機el表示素子の封止板および封止方法
JP2003297558A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器
JP2004055355A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ、色変換層およびそれらを用いた色変換発光デバイス
JP2004079408A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Ntt Advanced Technology Corp 有機elディスプレイの封止構造

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007123039A1 (ja) * 2006-04-18 2009-09-03 小松精練株式会社 ホットメルト型部材及び有機el表示パネル
JP5676848B2 (ja) * 2006-04-18 2015-02-25 小松精練株式会社 ホットメルト型部材及び有機el表示パネル
JP2012513079A (ja) * 2008-12-18 2012-06-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法および有機オプトエレクトロニクス素子
JP2013541158A (ja) * 2010-09-27 2013-11-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 可撓性の被覆層を持つoled
JP2013090228A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Kyocera Corp 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法
JP2013258006A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Shin-Nippon Stainless Industry Co Ltd 表示パネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070164672A1 (en) 2007-07-19
JPWO2005122645A1 (ja) 2008-04-10
KR20060135732A (ko) 2006-12-29
KR100798244B1 (ko) 2008-01-24
CN1951154A (zh) 2007-04-18
CN100525559C (zh) 2009-08-05
US7572162B2 (en) 2009-08-11
TW200605710A (en) 2006-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005122645A1 (ja) 表示パネルの製造方法および表示パネル
TWI451610B (zh) 發光裝置之母板結構以及發光裝置及其製造方法
JP4841031B2 (ja) 液晶装置の製造方法
US7491557B2 (en) Thin film etching method and method of fabricating liquid crystal display device using the same
KR100707544B1 (ko) 유기 이엘 표시 장치
KR20060044289A (ko) 디스플레이 패널의 제조 방법 및 디스플레이 패널
KR100982099B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US9997324B2 (en) Apparatus for fabricating flat panel display
JP2005128536A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法及び液晶表示装置製造用貼り合わせ装置
JP2008233720A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2009015131A (ja) 表示装置の製造方法及び表示装置
JP3550027B2 (ja) 平面型表示パネルの製造方法
JP2010275598A (ja) 蒸着マスク、及び蒸着マスクの製造方法
JP2008233721A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2005001313A (ja) 間隙制御のための突起物を持った光学素子の製造方法
US20050151457A1 (en) Method of manufacturing a flat panel display
US20230220534A1 (en) Mask-integrated frame and method of manufacturing the same
JP2006106036A (ja) パネルの製造方法
CN109300935B (zh) Oled面板的制作方法、临时配对结构
JP2006162877A (ja) 反射型液晶表示素子の製造方法
KR101794550B1 (ko) 지지기판과 그 제조방법 및 디스플레이 장치용 기판의 제조방법
KR20230107079A (ko) 프레임 일체형 마스크 및 그 제조 방법
JP2002148643A (ja) 液晶装置およびその製造方法
JP2006318738A (ja) 表示装置の製造装置
JPH11212104A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006519600

Country of ref document: JP

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007164672

Country of ref document: US

Ref document number: 10586821

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067015543

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580013684.8

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067015543

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10586821

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase