WO2006041100A1 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006041100A1
WO2006041100A1 PCT/JP2005/018803 JP2005018803W WO2006041100A1 WO 2006041100 A1 WO2006041100 A1 WO 2006041100A1 JP 2005018803 W JP2005018803 W JP 2005018803W WO 2006041100 A1 WO2006041100 A1 WO 2006041100A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
stage
liquid
substrate
exposure apparatus
light
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/018803
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Makoto Shibuta
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to KR1020127007256A priority Critical patent/KR101331631B1/ko
Priority to KR1020077002533A priority patent/KR101364347B1/ko
Priority to US11/665,273 priority patent/US7456929B2/en
Priority to JP2006540953A priority patent/JP4488006B2/ja
Priority to EP05793142.0A priority patent/EP1806772B1/en
Publication of WO2006041100A1 publication Critical patent/WO2006041100A1/ja
Priority to US12/289,321 priority patent/US8456609B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through an optical system and a device manufacturing method.
  • an exposure apparatus that projects a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate is used.
  • This exposure apparatus has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate, and projects a mask pattern image onto a substrate via a projection optical system while sequentially moving the mask stage and the substrate stage. It is.
  • Some of these exposure apparatuses include two stages that can move independently of each other on the image plane side of the projection optical system.
  • miniaturization of patterns formed on a substrate is required in order to increase the density of devices. In order to meet this demand, it is desired to further increase the resolution of the exposure apparatus.
  • Patent Document 1 As one of means for realizing the high resolution, as shown in Patent Document 1 below, a liquid is filled between the projection optical system and the substrate to form an immersion region, An immersion exposure apparatus has been devised that performs exposure processing of a substrate through liquid in the immersion area.
  • Patent Document 1 Pamphlet of International Publication No. 99Z49504
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides an exposure apparatus and a device manufacturing method capable of preventing the spread of damage caused by leaked liquid and maintaining exposure accuracy and measurement accuracy. With the goal.
  • the present invention employs the following configurations corresponding to FIGS. 1 to 8 shown in the embodiments.
  • the reference numerals in parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
  • the image plane on the image plane side of the projection optical system (PL) is substantially the same as the image plane.
  • Liquid immersion mechanism such as 70 that forms a liquid (LQ) liquid immersion area (LR) on the upper surface (Fl, F2) of at least one of the first stage (ST1) and second stage (ST2) And the first stage (ST1) and the second stage (ST2) together, the liquid (LQ) is placed between the projection optical system (PL) and the upper surface (Fl, F2) of at least one stage.
  • LQ liquid immersion area
  • the detection device for detecting the leaked liquid when the detection device detects the liquid, it is possible to quickly take an appropriate measure for suppressing the expansion of damage caused by the leaked liquid. Therefore, good exposure accuracy and measurement accuracy can be maintained.
  • a device is manufactured using the exposure apparatus (EX) of the above aspect.
  • a method is provided.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to a first embodiment.
  • FIG. 2 A plan view of the substrate stage and the measurement stage in which the upward force is also viewed.
  • FIG. 3A is a diagram for explaining operations of a substrate stage and a measurement stage.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the operation of the substrate stage and the measurement stage.
  • FIG. 4A is a diagram for explaining operations of a substrate stage and a measurement stage.
  • FIG. 4B is a diagram for explaining the operation of the substrate stage and the measurement stage.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a state in which the detection device detects a liquid.
  • FIG. 6 is an enlarged view of a main part of an exposure apparatus according to a second embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to a third embodiment.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a microdevice manufacturing process.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to the first embodiment.
  • the exposure apparatus EX is equipped with a mask stage MST that can move while holding the mask M, a substrate stage ST1 that can move while holding the substrate P, and a measuring instrument that performs measurements related to exposure processing.
  • Movable measurement stage ST2 and mask stage MST hold the illumination optical system IL that illuminates the mask M with exposure light EL, and the pattern image of the mask M illuminated with exposure light EL is the substrate stage ST1.
  • a projection optical system PL that projects onto the substrate P and a control device CONT that controls the overall operation of the exposure apparatus EX.
  • Each of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 is supported so as to be movable on the base member BP, and is movable independently of each other.
  • the lower surface U1 of the substrate stage ST1 is provided with a gas bearing 41 for supporting the substrate stage ST1 in a non-contact manner with respect to the upper surface BT of the base member BP.
  • the lower surface U2 of the measurement stage ST2 is provided with a gas bearing 42 for supporting the measurement stage ST2 in a non-contact manner with respect to the upper surface BT of the base member BP.
  • Each of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 can move independently of each other in a two-dimensional plane (in the XY plane) substantially parallel to the image plane on the image plane side of the projection optical system PL. .
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to improve the resolution by substantially shortening the exposure wavelength and to substantially increase the depth of focus.
  • the exposure apparatus EX also includes an immersion mechanism 1 for forming an immersion area LR for the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL.
  • the liquid immersion mechanism 1 is provided in the vicinity of the image plane side of the projection optical system PL, and is provided in the nozzle member 70 having a supply port 12 for supplying the liquid LQ and a recovery port 22 for recovering the liquid LQ, and the nozzle member 70.
  • the liquid supply mechanism 10 that supplies the liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL through the supply port 12 and the liquid on the image plane side of the projection optical system PL through the recovery port 22 provided in the nozzle member 70 And a liquid recovery mechanism 20 for recovering LQ.
  • the nozzle member 70 is formed in an annular shape so as to surround the image surface side tip of the projection optical system PL. While transferring at least the pattern image of the mask M onto the substrate P, the exposure apparatus EX uses a liquid LQ supplied from the liquid supply mechanism 10 to a part of the substrate P including the projection area AR of the projection optical system PL.
  • a liquid LQ immersion area LR that is larger than the projection area AR and smaller than the substrate P is locally formed.
  • the exposure apparatus EX is an image plane of the projection optical system PL.
  • the local immersion method is used to fill the optical path space between the first optical element LS 1 closest to LS 1 and a part of the surface of the substrate P arranged on the image plane side of the projection optical system PL with the liquid LQ.
  • the pattern of the mask M is projected onto the substrate P by irradiating the substrate P with the exposure light EL that has passed through the mask M via the liquid LQ between the optical system PL and the substrate P and the projection optical system PL. Exposure.
  • the mask M and the substrate P as the exposure apparatus EX are synchronously moved in the respective scanning directions in different directions (reverse directions), and an image of the pattern formed on the mask M is applied to the substrate P.
  • An explanation will be given by taking as an example the case of using a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) for projection.
  • the synchronous movement direction (scanning direction) between the mask M and the substrate P in the horizontal plane is the X-axis direction
  • the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction (non-scanning direction)
  • the X-axis and The direction perpendicular to the Y-axis direction and coincident with the optical axis AX of the projection optical system PL is defined as the Z-axis direction.
  • the rotation (tilt) directions around the X, Y, and Z axes are defined as 0 X, ⁇ , and ⁇ Z directions, respectively.
  • the “substrate” includes a substrate in which a photosensitive material (resist) is coated on a base material such as a semiconductor wafer, and the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
  • a photosensitive material resist
  • a mask includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
  • Each of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 is movable by driving a drive mechanism SD including a linear motor and the like.
  • the control device CONT controls the drive mechanism SD, so that the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are within a predetermined area including directly under the projection optical system PL in a state where the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are close to or in contact with each other. And can be moved together in the XY plane.
  • the controller CONT moves the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 together so that the projection optical system PL and at least one of the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2 are located. With the liquid LQ held, the immersion area LR can be moved between the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the second stage ST2.
  • an overhang portion HI that protrudes outward from the central portion of the upper surface F1 of the substrate stage ST1 is provided on the upper portion of the side surface of the substrate stage ST1.
  • the upper surface of this overhang portion HI is also a part of the upper surface F1 of the substrate stage ST1.
  • the upper part of the side surface of the measurement stage ST2 is located in the upper surface F2 of the measurement stage ST2.
  • An overhang H2 projecting outward from the central part is provided.
  • the upper surface of this overhang H2 is also a part of the upper surface F2 of the measurement stage ST2.
  • the area on the + Y side of the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the Y of the upper surface F2 of the measurement stage ST2 Adjacent or in contact with the side area.
  • the state in which the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are "close” means that the immersion region LR is moved between the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the second stage ST2.
  • the exposure apparatus EX includes one upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2.
  • a detection device 60 is provided for detecting the liquid LQ leaked from between the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 when the immersion region LR is moved from (F2) to the other upper surface F2 (F1).
  • the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are controlled to move together in a state where they are close to or in contact with each other while maintaining a relative positional relationship so that the liquid LQ does not leak. If the liquid LQ leaks, the detection device 60 can detect the leaked liquid LQ.
  • the detection device 60 includes a light projecting unit 61 that emits the detection light La, and a light receiving unit 62 that is disposed at a predetermined position with respect to the detection light La.
  • the light projecting unit 61 is provided on the second side surface T2 of the measurement stage ST2.
  • the light receiving unit 62 is provided on the first side surface T1 of the substrate stage ST1.
  • the first side surface T1 of the substrate stage ST1 is a region below the overhang portion HI and is a surface facing the + Y side.
  • the second side surface T2 of the measurement stage ST2 is a region below the overhang portion H2 and is a surface facing the ⁇ Y side.
  • the first side surface T1 of the substrate stage ST1 and the second side surface T2 of the measurement stage ST2 face each other.
  • the side surface 42T of the gas bearing 42 that supports the measurement stage ST2 in a non-contact manner with respect to the base member BP is also provided with a light projecting unit 63 that emits the detection light Lb, and the substrate stage ST1 is attached to the base member BP.
  • a light receiving portion 64 corresponding to the light projecting portion 63 is provided on the side surface 41T of the gas bearing 41 that is supported in a non-contact manner.
  • Side 41T of gas bearing 41 is the surface facing the + Y side.
  • the side surface 42T of the gas bearing 41 faces the Y side, and the side surface 41T of the gas bearing 41 and the side surface 42 of the gas bearing 42 face each other.
  • the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are provided with the overhang portions HI and H2, respectively, even when the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2 are close to or in contact with each other.
  • the second side surface T2 provided with the light projecting unit 61 and the first side surface T1 provided with the light receiving unit 62 are separated by a predetermined distance, and the side surface 42T provided with the light projecting unit 63 and the light receiving unit 64 are provided. Separated from the other side 41T by a predetermined distance.
  • the illumination optical system IL includes an exposure light source, an optical integrator that equalizes the illuminance of a light beam emitted from the exposure light source, a condenser lens that collects exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, and an exposure. It has a field stop to set the illumination area on the mask M with light EL. The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL.
  • Illumination optical system IL force Emission exposure light EL includes, for example, emission lines emitted from mercury lamps (g-line, h-line, i-line) and far ultraviolet light (DUV) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) Light), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F laser light (wavelength 157 nm)
  • pure water is used as the liquid LQ.
  • Pure water is not only ArF excimer laser light, but also far ultraviolet light (DUV light) such as emission lines (g-line, h-line, i-line) emitted from mercury lamp force and KrF excimer laser light (wavelength 248nm). Can also be transmitted.
  • DUV light far ultraviolet light
  • emission lines g-line, h-line, i-line
  • KrF excimer laser light wavelength 248nm
  • Mask stage MST is movable while holding mask M.
  • the mask stage MST holds the mask M by vacuum suction (or electrostatic suction).
  • Mask stage MST 2-dimensional movement in the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane, while holding the mask M by driving the drive mechanism MD including the linear motor controlled by the control device CONT Possible and can be rotated slightly in the ⁇ Z direction.
  • a movable mirror 31 is provided on the mask stage MST.
  • a laser interferometer 32 is provided at a position facing the movable mirror 31.
  • the position of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction and the rotation angle in the ⁇ Z direction are measured in real time by the laser interferometer 32.
  • the measurement result of the laser interferometer 32 is output to the control device C ONT.
  • the control device CONT drives the drive mechanism MD based on the measurement result of the laser interferometer 32, and controls the position of the mask M held by the mask stage MST.
  • the projection optical system PL projects the pattern of the mask M onto the substrate ⁇ at a predetermined projection magnification ⁇ , and is composed of a plurality of optical elements, which are held by the lens barrel ⁇ . It is.
  • the projection optical system PL is a reduction system in which the projection magnification j8 is 1Z4, 1Z5, or 1Z8, for example.
  • the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system.
  • the first optical element LSI is exposed from the barrel PK closest to the image plane of the projection optical system PL.
  • the substrate stage ST1 has a substrate holder PH that holds the substrate P, and the substrate holder PH can be moved on the image plane side of the projection optical system PL.
  • the substrate holder PH holds the substrate P by, for example, vacuum adsorption.
  • a recess 36 is provided on the substrate stage ST1, and a substrate holder PH for holding the substrate P is disposed in the recess 36.
  • the upper surface F1 around the recess 36 of the substrate stage ST1 is a flat surface (flat portion) that is almost the same height (flat surface) as the surface of the substrate P held by the substrate holder PH! / RU
  • Substrate stage ST1 is an image plane of projection optical system PL in a state where substrate P is held via substrate holder PH by driving a drive mechanism SD including a linear motor and the like controlled by control device CONT. On the side, it can be moved two-dimensionally in the XY plane almost parallel to the image plane of the projection optical system PL and can be rotated slightly in the ⁇ Z direction. Furthermore, the substrate stage ST1 is also movable in the Z-axis direction, ⁇ X direction, and ⁇ Y direction. Therefore, the surface of the substrate P supported by the substrate stage ST1 has six degrees of freedom in the X-axis, Y-axis, Z-axis, 0 X, ⁇ ⁇ and ⁇ Z directions.
  • a movable mirror 33 is provided on the side surface of the substrate stage ST1.
  • a laser interferometer 34 is provided at a position facing the movable mirror 33. The position and rotation angle of the substrate P on the substrate stage ST1 in the two-dimensional direction are measured by the laser interferometer 34 in real time.
  • the exposure apparatus EX is an oblique incidence method that detects surface position information of the surface of the substrate P supported by the substrate stage ST1, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-37149!
  • a focus leveling detection system (not shown) is provided. The focus leveling detection system detects surface position information (position information in the Z-axis direction and inclination information of the substrate P in the ⁇ X and ⁇ Y directions).
  • the focus / leveling detection system may employ a system using a capacitive sensor.
  • the measurement result of the laser interferometer 34 is output to the control device CONT.
  • the detection result of the focus leveling detection system is also output to the control device CONT.
  • the control device CONT drives the drive mechanism SD based on the detection result of the focus leveling detection system, and controls the focus position (Z position) and tilt angle ( ⁇ X, ⁇ ⁇ ) of the substrate P surface. Is adjusted to the image plane of the projection optical system PL, and the position control of the substrate P in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the ⁇ Z direction is performed based on the measurement result of the laser interferometer 34.
  • Measurement stage ST2 is mounted with various measuring instruments (including measurement members) that perform measurements related to exposure processing, and is movable on the image plane side of projection optical system PL.
  • a measuring instrument a reference mark plate in which a plurality of reference marks are formed, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-21314, for example, disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 57-117238.
  • the upper surface F2 of the measurement stage ST2 is a flat surface (flat part) that is almost the same height (flat surface) as the upper surface F1 of the substrate stage ST1!
  • the present embodiment is used for measurement using the exposure light EL, corresponding to the immersion exposure for exposing the substrate P by the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid LQ.
  • the exposure light EL is received through the body LQ.
  • only a part of the optical system may be mounted on the measurement stage ST2, and the entire sensor may be placed on the measurement stage ST2.
  • Measurement stage ST2 is a projection optical system on the image plane side of projection optical system PL in a state where a measuring instrument is mounted by driving a drive mechanism SD including a linear motor controlled by a control device CONT. It can move two-dimensionally in the XY plane almost parallel to the image plane of the PL and can rotate in the ⁇ Z direction. Furthermore, the measurement stage ST2 can move in the Z-axis direction, ⁇ X direction, and ⁇ Y direction. That is, the measurement stage ST2 can also move in directions of six degrees of freedom in the X axis, Y axis, Z axis, 0 X, ⁇ Y, and 0 Z directions, like the substrate stage ST1.
  • a movable mirror 37 is provided on the side surface of the measurement stage ST2.
  • a laser interferometer 38 is provided at a position facing the moving mirror 37. The position and rotation angle of the measurement stage ST2 in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 38.
  • the movable mirrors 33 and 37 may be provided on the lower side surface of the force overhang portion provided in the overhang portions H1 and H2 of the stages ST1 and ST2. By doing so, even if the liquid LQ flows out from the upper surfaces Fl and F2, it is possible to prevent the liquid LQ from adhering to the movable mirrors 33 and 37 by the overhang portions Hl and H2.
  • an off-axis alignment system ALG for detecting alignment marks on the substrate P and reference marks on the reference mark plate is provided.
  • the alignment type ALG of this embodiment for example, disclosed in JP-A-4-65603, do not expose the photosensitive material on the substrate P, such as V !, and irradiate the target mark with a broadband detection light beam.
  • the FIA (Field Image Alignment) method is used to measure the position of the mark by processing the captured image and processing the image signals.
  • the liquid supply mechanism 10 is for supplying the liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL.
  • the liquid supply unit 11 is capable of delivering the liquid LQ, and one end of the liquid supply unit 11 is connected to the liquid supply unit 11. And a supply pipe 13 to be provided. The other end of the supply pipe 13 is connected to the nozzle member 70. Inside the nozzle member 70, an internal flow path (supply flow path) that connects the other end of the supply pipe 13 and the supply port 12 is formed.
  • the liquid supply unit 11 includes a tank that stores the liquid LQ, a pressure pump, a filter unit that removes foreign matter in the liquid LQ, and the like. The liquid supply operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control device CONT.
  • the liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL, and includes a liquid recovery unit 21 that can recover the liquid LQ, and one end of the liquid recovery unit 21. And a recovery pipe 23 for connecting the The other end of the recovery pipe 23 is connected to the nozzle member 70. Inside the nozzle member 70, an internal flow path (recovery flow path) that connects the other end of the recovery pipe 23 and the recovery port 22 is formed.
  • the liquid recovery unit 21 includes, for example, a vacuum system (a suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid LQ and gas, and a tank that stores the recovered liquid LQ.
  • the supply port 12 for supplying the liquid LQ and the recovery port 22 for recovering the liquid LQ are formed on the lower surface 70A of the nozzle member 70.
  • the lower surface 70A of the nozzle member 70 is provided at a position facing the surface of the substrate P and the upper surfaces Fl and F2 of the stages ST1 and ST2.
  • the nozzle member 70 is an annular member provided so as to surround the side surface of the first optical element LSI
  • the supply port 12 is provided on the lower surface 70A of the nozzle member 70 on the first optical element LSI (projection) of the projection optical system PL.
  • a plurality of optical systems PL are provided so as to surround the optical axis AX).
  • the recovery port 22 is provided outside the supply port 12 with respect to the first optical element LSI on the lower surface 70A of the nozzle member 70, and is provided so as to surround the first optical element LSI and the supply port 12. It has been.
  • the control device CONT uses the liquid supply mechanism 10 to predetermine the liquid LQ on the substrate P.
  • a liquid LQ on the substrate P is recovered by using the liquid recovery mechanism 20 and a predetermined amount of the liquid LQ on the substrate P is recovered to locally form the liquid LQ immersion region LR on the substrate P.
  • the control device CONT drives each of the liquid supply unit 11 and the liquid recovery unit 21.
  • the liquid LQ is delivered from the liquid supply unit 11 under the control of the control device CONT
  • the liquid LQ delivered from the liquid supply unit 11 flows through the supply pipe 13 and then the supply flow path of the nozzle member 70. And is supplied from the supply port 12 to the image plane side of the projection optical system PL.
  • the liquid recovery unit 21 When the liquid recovery unit 21 is driven under the control of the control device CONT, the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL flows into the recovery flow path of the nozzle member 70 via the recovery port 22. Then, after flowing through the recovery pipe 23, it is recovered by the liquid recovery unit 21.
  • FIG. 2 is a view of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 as viewed from above.
  • the drive mechanism SD for driving the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 includes linear motors 80, 81, 82, 83, 84, and 85! /. Equipped with a pair of Y-axis linear guides 91 and 93 extending in the Y-axis direction. Each of the Y-axis linear guides 91 and 93 is arranged at a predetermined interval in the X-axis direction.
  • Each of the Y-axis linear guides 91 and 93 includes, for example, a magnet unit incorporating a permanent magnet group composed of a plurality of sets of N-pole magnets and S-pole magnets arranged alternately at predetermined intervals along the Y-axis direction. It is constituted by.
  • a magnet unit incorporating a permanent magnet group composed of a plurality of sets of N-pole magnets and S-pole magnets arranged alternately at predetermined intervals along the Y-axis direction. It is constituted by.
  • two sliders 90 and 94 are supported so as to be movable in the Y-axis direction in a non-contact state.
  • two sliders 92 and 95 are supported on the other Y-axis linear guide 93 so as to be movable in the Y-axis direction in a non-contact state.
  • Each of the sliders 90, 92, 94, and 95 is constituted by a coil unit that incorporates, for example, armature coils arranged at predetermined intervals along the Y axis. That is, in the present embodiment, the moving coil type Y-axis linear motors 82 and 84 are configured by the sliders 90 and 94 formed of a coil unit and the Y-axis linear guide 91 formed of a magnet unit, respectively. Similarly, the sliders 92 and 95 and the Y-axis linear guide 93 constitute moving coil type Y-axis linear motors 83 and 85, respectively.
  • the sliders 90 and 92 constituting the Y-axis linear motors 82 and 83 are fixed to one end and the other end in the longitudinal direction of the X-axis linear guide 87 extending in the X-axis direction.
  • the sliders 94 and 95 that make up the Y-axis linear motors 84 and 85 are the X-axis linear gears that extend in the X-axis direction.
  • the id 89 is fixed to one end and the other end in the longitudinal direction.
  • the X-axis linear guide 87 can be moved in the Y-axis direction by the Y-axis linear motors 82 and 83, and the X-axis linear guide 89 can be moved in the Y-axis direction by the Y-axis linear motors 84 and 85.
  • Each of the X-axis linear guides 87 and 89 is constituted by a coil unit that incorporates armature coils arranged at predetermined intervals along the X-axis direction, for example.
  • the X-axis linear guide 89 is provided in an inserted state in an opening formed in the substrate stage ST1. Inside the opening of this substrate stage ST1, for example, a magnet having a permanent magnet group consisting of a plurality of sets of N-pole magnets and S-pole magnets arranged alternately at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • Unit 88 is provided inside the opening of this substrate stage ST1.
  • the magnet unit 88 and the X-axis linear guide 89 constitute a moving magnet type X-axis linear motor 81 that drives the substrate stage ST1 in the X-axis direction.
  • the X-axis linear guide 87 is provided in an inserted state in an opening formed in the measurement stage ST2.
  • a magnet unit 86 is provided in the opening of the measurement stage ST2.
  • the magnet unit 86 and the X-axis linear guide 87 constitute a moving magnet type X-axis linear motor 80 that drives the measurement stage ST2 in the X-axis direction.
  • each of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 is shown as a single stage.
  • the XY stage is driven by a Y-axis linear motor, and the upper part of the XY stage. Equipped with a Z leveling drive mechanism (for example, a voice coil motor), and a Z tilt stage that is relatively finely driven in the Z-axis direction and 0 X and ⁇ Y directions with respect to the XY stage. ing.
  • a substrate holder PH (see FIG. 1) that holds the substrate P is supported by the Z tilt stage.
  • the control device CONT causes the measurement stage ST2 to wait at a predetermined standby position where it does not collide with the substrate stage ST1. And the control device CONT performs step-and-scan type immersion exposure on the substrate P supported by the substrate stage ST1, with the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 separated from each other.
  • the controller CONT uses the immersion mechanism 1 to form the immersion region LR of the liquid LQ on the substrate stage ST1.
  • the control device CONT moves the measurement stage ST2 using the drive mechanism SD, and as shown in FIG. 3A, the control device CONT moves to the substrate stage ST1. To bring measurement stage ST2 into contact (or close proximity).
  • the control device CONT uses the drive mechanism SD to maintain the relative positional relationship between the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 in the Y-axis direction, and the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2. Move in the Y direction at the same time. That is, the control device CONT makes the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 Y in a predetermined area including the position directly below the projection optical system PL in a state where the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are in contact (or close proximity). Move together in the direction.
  • the control device CONT moves the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 together to move the liquid LQ held between the first optical element LSI of the projection optical system PL and the substrate P.
  • the immersion area LR is moved to the upper surface F2 of the measurement stage ST2 through the upper surface F1 of the substrate stage ST1.
  • the immersion area LR of the liquid LQ formed between the first optical element LSI of the projection optical system PL and the substrate P is moved along with the movement of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 in the Y direction. Move in the order of substrate P surface, substrate stage ST1 top surface Fl, measurement stage ST2 top surface F2.
  • the liquid region LR is arranged so as to straddle and.
  • the control device CONT uses the drive mechanism SD to move the substrate stage ST1 to a predetermined base. While moving to the board exchange position, the board P is exchanged, and at the same time, a predetermined measurement process using the measurement stage ST2 is executed as necessary.
  • An example of this measurement is the baseline measurement of alignment ALG.
  • the above-described mask alignment is performed by combining a pair of first reference marks on the reference mark plate FM provided on the measurement stage ST2 and the corresponding mask alignment marks on the mask M. Detection is performed simultaneously using systems RAa and RAb, and the positional relationship between the first reference mark and the corresponding mask alignment mark is detected.
  • control device CONT detects the second reference mark on the reference mark plate FM by the alignment system ALG, thereby detecting the positional relationship between the detection reference position of the alignment system ALG and the second reference mark. Then, the control device CONT has a positional relationship between the first reference mark and the corresponding mask alignment mark, a positional relationship between the alignment reference position of the alignment ALG and the second reference mark, and a known first reference mark. Based on the positional relationship between the mark and the second reference mark, the distance between the projection center of the mask pattern by the projection optical system PL and the detection reference position of the alignment system ALG, that is, the baseline of the alignment system ALG is obtained. Figure 4B shows this situation.
  • the control device CONT brings the measurement stage ST2 and the substrate stage ST1 into contact (or close proximity) and their relative positional relationship. While maintaining the above, move in the XY plane and perform alignment processing on the replaced substrate P.
  • a plurality of shot areas are provided on the substrate P, and alignment marks are provided in association with each of the plurality of shot areas.
  • the control device CONT detects the alignment mark on the substrate P after replacement by the alignment system ALG, and calculates the position coordinates of the plurality of shot areas provided on the substrate P with respect to the alignment reference position of the alignment system ALG. .
  • the control device CONT maintains the relative positional relationship between the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 in the Y-axis direction, and moves both stages ST1 and ST2 in the + Y direction. Then, the substrate stage ST1 (substrate P) is moved below the projection optical system PL, and then the measurement stage ST2 is retracted to a predetermined position. Thereby, the immersion area LR is arranged on the upper surface F1 of the substrate stage ST1.
  • Measurement stage ST2 top surface F2 to substrate stage In the middle of moving the liquid LQ immersion area LR to the upper surface F1 of the stage ST1, the immersion area LR is arranged so as to straddle the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2.
  • control device CONT performs a step-and-scan type liquid immersion exposure operation on the substrate P, and sequentially transfers the pattern of the mask M to each of a plurality of shot regions on the substrate P.
  • the movement (position) of the substrate stage ST1 for exposure of each shot area on the substrate P was measured immediately before the position coordinates of the plurality of shot areas on the substrate P obtained as a result of the above-mentioned substrate alignment. Controlled based on baseline.
  • the measurement operation is not limited to the above-described baseline measurement, and the measurement stage ST2 is used to perform illuminance measurement, illuminance unevenness measurement, aerial image measurement, etc., for example, in parallel with substrate replacement.
  • the projection optical system PL may be calibrated, for example, and reflected in the subsequent exposure of the substrate P.
  • the alignment process for the substrate P after replacement is performed in a state where the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 are in contact (or close to each other).
  • the immersion stage LR may be moved by bringing the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 into contact (or close proximity).
  • the liquid LQ is completely recovered, supplied again, and again! /.
  • the liquid LQ immersion area LR without going through the above steps is used for the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2.
  • the time from the end of the exposure operation at the substrate stage ST1 to the start of the measurement operation at the measurement stage ST2 and the measurement end force at the measurement stage ST2 Exposure at the substrate stage ST1 can be shortened and the throughput can be improved.
  • the liquid LQ is always present on the image plane side of the projection optical system PL, it is possible to effectively prevent the adhesion mark (so-called watermark) of the liquid LQ from being generated.
  • the liquid immersion area LR of the liquid LQ is moved from the upper surface F1 of the substrate stage ST1 to the upper surface F2 of the measurement stage ST2, or from the upper surface F2 of the measurement stage ST2 to the upper surface F1 of the substrate stage ST1.
  • the immersion area LR force is placed so as to straddle the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2.
  • FIG. 5 is a side view showing a state in which the immersion region LR straddles the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2. In this state, the liquid LQ in the liquid immersion region LR may leak from between the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2.
  • the detection device 60 detects the leaked liquid LQ in a non-contact manner.
  • each of the substrate stage ST1 and the measurement stage ST2 has the overhang portions HI and H2, even when the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2 are close to or in contact with each other, A space H is formed below the gap G where the upper surface F1 and the upper surface F2 are close (or in contact). Therefore, after the gap G force leaked liquid LQ passes through the space H, it falls onto the base member BP. Further, even when the upper surface F1 of the substrate stage ST1 and the upper surface F2 of the measurement stage ST2 are close to or in contact with each other, the optical path space for the detection light La and Lb is secured by the space H.
  • the detection lights La and Lb emitted from the light projecting units 61 and 63 are irradiated substantially parallel to the XY plane.
  • the detection light Lb emitted from the light projecting unit 63 is irradiated almost parallel to the upper surface BT of the base member BP in the vicinity of the base member BP.
  • the detection device 60 detects whether or not the liquid LQ is present in the space H based on the light reception result of the light receiving unit 62. Specifically, the detection device 60 can detect the liquid LQ that leaks and drops the gap G force based on the light reception result of the light receiving unit 62 and passes through the space H. Further, the detection device 60 can detect whether or not the liquid LQ is present on the upper surface BT of the base member BP based on the light reception result of the light receiving unit 64.
  • the light projecting unit 61 and the light receiving unit 62 are opposed to each other, and the detection light La emitted from the light projecting unit 61 reaches the light receiving unit 62, and the light receiving unit 62 has a predetermined light amount (light intensity). It is designed to receive light.
  • the detection light La is refracted, scattered, or absorbed by the liquid LQ. . Therefore, when the liquid LQ is present on the optical path of the detection light La, the amount of light (light intensity) received by the light receiving unit 62 decreases, or the detection light La does not reach the light receiving unit 62.
  • the detection device 60 detects based on the light reception result (light reception amount) of the light receiving unit 62. It is possible to detect whether or not there is a liquid LQ in the optical path of the light La. Then, by detecting whether or not the liquid La is present on the optical path of the detection light La, the detection device 60 can detect whether or not the liquid LQ has leaked from the gap G.
  • the light projecting unit 63 and the light receiving unit 64 are opposed to each other, and the detection light Lb emitted from the light projecting unit 63 reaches the light receiving unit 64 and has a predetermined light amount (light) (Intensity).
  • the detection light La is caused by the liquid LQ. Refraction or scattering or absorption. Therefore, the detection device 60 can detect whether or not the liquid Lb is present on the optical path of the detection light Lb based on the light reception result (light reception amount) of the light receiving unit 64. It is possible to detect whether liquid LQ is present on the top BT.
  • the detection lights La and Lb are irradiated so as to be aligned in the X-axis direction. Therefore, the detection device 60 can detect leakage of the liquid LQ in a wide area on the space H or the base member BP.
  • the control device CONT determines that the liquid LQ has leaked based on the detection result of the detection device 60, for example, the control device CONT reduces the amount of liquid supplied per unit time by the liquid supply mechanism 10, or the liquid supply mechanism 10 Stop supply of liquid LQ.
  • the control device CONT increases the liquid recovery amount per unit time by the liquid recovery mechanism 20 based on the detection result of the detection device 60.
  • the control device CONT stops the exposure operation on the substrate P and the movement of the stages ST1 and ST2 based on the detection result of the detection device 60. In this way, when the leakage of the liquid LQ is detected, the control device CONT takes appropriate measures, so that the liquid LQ is installed, for example, the exposure apparatus EX! It is possible to prevent enlargement.
  • the control device CONT may stop the intake operation from the intake ports of the gas bearings 41 and 42.
  • Liquid LQ can be detected using the detection light Lb, and by taking appropriate measures according to the detection result, the liquid LQ force that has flowed out on the base member BP flows into the air inlets of the gas bearings 41 and 42. Can be prevented in advance.
  • liquid LQ enters between the lower surface (bearing surface) of the gas bearings 41 and 42 and the upper surface BT of the base member BP, the position of the stages ST1 and ST2 in the Z-axis direction changes due to the liquid LQ.
  • Possible actions can be taken based on the detection results of the force detector 60. Further, when it is determined that the liquid LQ has leaked based on the detection result of the detection device 60, the control device CONT can also drive a warning device (not shown) to issue a warning. As a result, for example, the operator can grasp that the liquid LQ has leaked, and therefore can take appropriate measures.
  • An alarm device can issue an alarm using a warning light, warning sound, or display.
  • the detection device 60 is configured to detect the liquid LQ optically in a non-contact manner, for example, wiring and various devices are arranged near the base member BP and the drive mechanism SD. There is no need. Therefore, the influence on the movement of stages ST1 and ST2 can be reduced.
  • FIG. 6 is a diagram showing a second embodiment.
  • the detection device 60 ′ shown in FIG. 6 has both functions of a light projecting unit that emits the detection light La ′ and a light receiving unit that receives the light.
  • the detection device 60 is provided in the overhang part H2 of the measurement stage ST2.
  • a reflecting member 66 having a reflecting surface 65 is provided at a position facing the detection device 60 ′ in the overhang portion HI of the substrate stage ST1.
  • the detection device 60 ′ irradiates the reflection surface 65 with the detection light La, receives the reflection light from the reflection surface 65, and detects whether the liquid LQ leaks from the gap G based on the light reception result. To do.
  • the liquid LQ is not present on the optical path of the detection light La ′
  • the reflected light of the detection light La ′ emitted from the detection device 60 ′ is received by the detection device 60 ′ with a predetermined light intensity.
  • the detection light La is scattered or absorbed by the liquid LQ, so that the reflected light has a light intensity lower than the predetermined light intensity. Received by '.
  • the detection device 60 ′ is arranged on the optical path of the detection light La ′ based on the reception result of the reflected light. It is possible to detect whether or not the liquid LQ has a force, and thus whether or not the liquid LQ has leaked. Since the reflection surface 65 is provided, the difference in the light intensity received by the detection device 60 ′ increases with and without the liquid LQ on the optical path of the detection light La ′. Whether or not the liquid LQ is present on the optical path of the detection light La ′ can be detected with high accuracy.
  • the optical path of the detection light La ′ emitted from the detection light 60 ′ exists in the gap G between the upper surface F1 and the upper surface F2.
  • the detection device 60 ' having the functions of the light projecting unit and the light receiving unit is provided on the first side surface T1 (second side surface T2) described with reference to FIG. It may be provided on the side surface T2 (first side surface T1).
  • the detection device 60 ′ may be provided in the gas bearing 41 (42) described with reference to FIG. 5, and the reflection member 66 may be provided in the gas bearing 42 (41).
  • the light projecting part 61 described with reference to FIG. 5 may be provided in the overhang part HI (or H2), and the light receiving part 62 may be provided in the overhang part H2 (or HI)!
  • FIG. 7 is a view showing an exposure apparatus EX ′ according to the third embodiment.
  • the exposure apparatus EX shown in FIG. 7 holds a substrate P as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-163099, 10-214783, and 2000-505958.
  • This is a so-called twin stage type exposure apparatus having two movable substrate stages ST1 'and ST2'.
  • the immersion area LR can be moved between the upper surface F1 ′ of the first substrate stage ST1 ′ and the upper surface F2 ′ of the second substrate stage ST2 ′.
  • liquid is transferred from the upper surface of one stage to the upper surface of the other stage of the first substrate stage ST1 and the second substrate stage ST2 ′.
  • the liquid LQ leaked from between the first substrate stage ST1 and the second substrate stage ST2 ′ can be detected.
  • the liquid LQ in the present embodiment is pure water.
  • Pure water has the advantage that it can be easily obtained in large quantities at semiconductor manufacturing factories and the like, and has no adverse effect on the photoresist or optical elements (lenses) on the substrate P.
  • pure water has no adverse effects on the environment and the content of impurities is extremely low.
  • cleans the surface of the optical element provided in the front end surface of this can also be anticipated. If the purity of pure water supplied by the factory is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.
  • the refractive index n of pure water (water) for exposure light EL with a wavelength of about 193 nm is said to be approximately 1. 44, and ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of exposure light EL.
  • ArF excimer laser light wavelength 193 nm
  • the wavelength is shortened to about 134 nm to obtain a high resolution.
  • the projection optical system PL can be used if it is sufficient to ensure the same depth of focus as in the air.
  • the numerical aperture can be increased further, and the resolution is improved in this respect as well.
  • the liquid LQ of the present embodiment may be a liquid other than water, which is water.
  • the light source of the exposure light EL is an F laser
  • the F laser light does not transmit water. So
  • liquid LQ for example, perfluorinated polyether (PFPE) and F laser light can be transmitted.
  • PFPE perfluorinated polyether
  • F laser light can be transmitted.
  • the part that comes into contact with the liquid LQ may be a fluorine-based fluid such as fluorine-based oil.
  • the part that comes into contact with the liquid LQ for example, has a small polarity including fluorine!
  • the film is made lyophilic by forming a thin film with a molecular structure.
  • the liquid LQ is stable to the projection optical system PL that is transmissive to the exposure light EL and has a refractive index as high as possible, and to the photoresist applied to the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used.
  • the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid LQ used.
  • the exposure apparatus to which the above-described immersion method is applied is configured to expose the substrate P by filling the light path space on the emission side of the optical element LSI of the projection optical system PL with liquid (pure water).
  • liquid pure water
  • the optical path space on the incident side of the optical element LS 1 of the projection optical system PL may be filled with liquid (pure water).
  • the substrate P in each of the above embodiments is not limited to a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask used in an exposure apparatus.
  • Reticle masters synthetic quartz, silicon wafers are applied.
  • a step-and-scan type scanning exposure apparatus that performs mask exposure by moving the mask M and the substrate P in synchronization with each other.
  • a step-and-repeat projection exposure apparatus steno
  • the mask M and the substrate P are stationary and the pattern of the mask M is collectively exposed and the substrate P is sequentially moved stepwise.
  • a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P substantially stationary. It can also be applied to an exposure apparatus that uses a projection optical system) to perform batch exposure on the substrate P. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P almost stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed on the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. In addition, the stitch type exposure apparatus can also be applied to a step 'and' stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
  • a light transmissive mask in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern 'dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate is used.
  • a predetermined light shielding pattern or phase pattern 'dimming pattern
  • an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed can be used. Good.
  • an exposure apparatus (lithography system) that forms a line 'and' space pattern on a wafer W by forming interference fringes on the wafer W.
  • the invention can be applied.
  • an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed.
  • the entire surface of the substrate to be exposed is used.
  • the present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus that is covered with a liquid.
  • the structure and exposure operation of an immersion exposure apparatus in which the entire surface of a substrate to be exposed is covered with a liquid are disclosed in, for example, JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043. It is described in. .
  • the type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, An image sensor (CCD) or a reticle or mask
  • the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing.
  • the exposure apparatus EX assembles various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. It is manufactured by. In order to ensure these various accuracies, before and after this assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, For electrical systems, adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • Various subsystem powers The assembly process to the exposure equipment includes mechanical connections, electrical circuit wiring connections, and pneumatic circuit piping connections between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem prior to the assembly process to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustments are performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.
  • a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, Step 203 for manufacturing a substrate as a base material, substrate processing step 204 for exposing a mask pattern onto the substrate by the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, device assembly step (including dicing process, bonding process, and packaging process) 205 It is manufactured through inspection step 206 and the like.

Abstract

　漏出した液体による被害の拡大を防止し、露光精度及び計測精度を維持できる露光装置を提供する。露光装置は、投影光学系（ＰＬ）の像面側においてＸＹ平面内で互いに独立して移動可能な第１、第２ステージ（ＳＴ１、ＳＴ２）と、第１ステージと第２ステージとを近接又は接触した状態で、一緒に移動する駆動機構（ＳＤ）と、第１ステージ及び第２ステージの少なくとも一方のステージの上面に液体の液浸領域を形成する液浸機構（１）と、第１ステージと第２ステージとの間から漏れた液体を検出する検出装置（６０）とを備えている。

Description

明 細 書
露光装置及びデバイス製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、光学系を介して基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関 するものである。
本願は、 2004年 10月 15日に出願された特願 2004— 301639号に対し優先権を 主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであ るフォトリソグラフイエ程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投 影する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを支持するマスクステージと 基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動 しながらマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影するものである。ま た、このような露光装置には、投影光学系の像面側で互いに独立して移動可能な 2 つのステージを備えたものもある。また、マイクロデバイスの製造においては、デバイ スの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。 この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。その高解像 度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献 1に開示されているような、 投影光学系と基板との間を液体で満たして液浸領域を形成し、その液浸領域の液体 を介して基板の露光処理を行う液浸露光装置が案出されている。
特許文献 1：国際公開第 99Z49504号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 液体が漏出すると、その漏出した液体により露光装置の置かれている環境 (湿度等 )が変動し、露光精度や計測精度に影響を及ぼす虞がある。また、漏出した液体を放 置しておくと、露光装置を構成する各種機器が故障したり鲭びが発生する等、被害 が拡大する虞がある。 [0004] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、漏出した液体による被害 の拡大を防止し、露光精度及び計測精度を維持できる露光装置、及びデバイス製造 方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1〜図 8に対応付けし た以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例 示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
[0006] 本発明の第 1の態様に従えば、投影光学系（PL)を介して基板 (P)を露光する露光 装置において、投影光学系（PL)の像面側においてその像面とほぼ平行な 2次元平 面内 (XY平面内）で互いに独立して移動可能な第 1ステージ (ST1)及び第 2ステー ジ (ST2)と、第 1ステージ (ST1)と第 2ステージ (ST2)とを近接又は接触した状態で 、投影光学系（PL)の直下の位置を含む所定領域内で第 1ステージ (ST1)と第 2ス テージ (ST2)とを一緒に移動する駆動機構 (SD)と、第 1ステージ (ST1)及び第 2ス テージ（ST2)の少なくとも一方のステージの上面（Fl、 F2)に液体 (LQ)の液浸領 域 (LR)を形成する液浸機構 (70など）と、第 1ステージ (ST1)と第 2ステージ (ST2) とを一緒に移動することによって、投影光学系（PL)と少なくとも一方のステージの上 面 (Fl、 F2)との間に液体 (LQ)を保持した状態で、液浸領域 (LR)を第 1ステージ（ ST1)の上面 (F1)と第 2ステージ (ST2)の上面 (F2)との間で移動させる制御装置（ CONT)と、第 1ステージ（ST1)及び第 2ステージ（ST2)のうち、一方のステージの 上面力 他方のステージの上面へ液浸領域 (LR)を移動するときに、第 1ステージ (S T1)と第 2ステージ (ST2)との間から漏れた液体 (LQ)を検出する検出装置（60)を と備えた露光装置 (EX)が提供される。
[0007] 本発明の第 1の態様によれば、第 1ステージの上面と第 2ステージの上面との間で 液体の液浸領域を移動したとき、第 1ステージと第 2ステージとの間から漏れた液体を 検出する検出装置を設けたので、検出装置が液体を検出した場合には、漏れた液 体に起因する被害の拡大を抑制するための適切な処置を迅速に講ずることができる 。したがって、良好な露光精度及び計測精度を維持することができる。
[0008] 本発明の第 2の態様に従えば、上記態様の露光装置 (EX)を用いるデバイス製造 方法が提供される。
[0009] 本発明の第 2の態様によれば、露光処理及び計測処理を良好に行うことができるの で、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
発明の効果
[0010] 本発明によれば、漏出した液体による被害の拡大を抑制できるので、露光精度及 び計測精度を維持することができる。
図面の簡単な説明
[0011] [図 1]第 1の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
[図 2]基板ステージ及び計測ステージを上方力も見た平面図である。
[図 3A]基板ステージ及び計測ステージの動作を説明するための図である。
[図 3B]基板ステージ及び計測ステージの動作を説明するための図である。
[図 4A]基板ステージ及び計測ステージの動作を説明するための図である。
[図 4B]基板ステージ及び計測ステージの動作を説明するための図である。
[図 5]検出装置が液体を検出している状態を説明するための図である。
[図 6]第 2の実施形態に係る露光装置の要部拡大図である。
[図 7]第 3の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
[図 8]マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
[0012] 1…液浸機構、 41· ··気体軸受、 42· ··気体軸受、 60…検出装置、 61· ··投光部、 62 …受光部、 63· ··投光部、 64· ··受光部、 BP…ベース部材、 CONT…制御装置、 EX …露光装置、 F1…上面、 F2—上面、 La…検出光、 Lb…検出光、 LQ…液体、 LR …液浸領域、 P…基板、 PL…投影光学系、 SD…駆動機構、 ST1…基板ステージ、 ST2"'計測ステージ、丁1"'第1側面、 Τ2· ··第 2側面
発明を実施するための最良の形態
[0013] 以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれ に限定されない。
[0014] <第 1の実施形態 > 図 1は第 1の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。図 1において、露 光装置 EXは、マスク Mを保持して移動可能なマスクステージ MSTと、基板 Pを保持 して移動可能な基板ステージ ST1と、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載し て移動可能な計測ステージ ST2と、マスクステージ MSTに保持されて!、るマスク M を露光光 ELで照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパター ン像を基板ステージ ST1に保持されて 、る基板 Pに投影する投影光学系 PLと、露光 装置 EX全体の動作を統括制御する制御装置 CONTとを備えて 、る。基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2のそれぞれは、ベース部材 BP上に移動可能に支持され 、互いに独立して移動可能である。基板ステージ ST1の下面 U1には、ベース部材 B Pの上面 BTに対して基板ステージ ST1を非接触支持するための気体軸受 41が設け られている。同様に、計測ステージ ST2の下面 U2にも、ベース部材 BPの上面 BTに 対して計測ステージ ST2を非接触支持するための気体軸受 42が設けられて 、る。基 板ステージ ST1及び計測ステージ ST2のそれぞれは、投影光学系 PLの像面側に おいて、その像面とほぼ平行な 2次元平面内 (XY平面内）で互いに独立して移動可 能である。
本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとと もに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置である。ま た露光装置 EXは、投影光学系 PLの像面側に液体 LQの液浸領域 LRを形成するた めの液浸機構 1を備えている。液浸機構 1は、投影光学系 PLの像面側近傍に設けら れ、液体 LQを供給する供給口 12及び液体 LQを回収する回収口 22を有するノズル 部材 70と、ノズル部材 70に設けられた供給口 12を介して投影光学系 PLの像面側 に液体 LQを供給する液体供給機構 10と、ノズル部材 70に設けられた回収口 22を 介して投影光学系 PLの像面側の液体 LQを回収する液体回収機構 20とを備えてい る。ノズル部材 70は、投影光学系 PLの像面側先端を囲むように環状に形成されて いる。露光装置 EXは、少なくともマスク Mのパターン像を基板 P上に転写している間 、液体供給機構 10から供給した液体 LQにより投影光学系 PLの投影領域 ARを含む 基板 P上の一部に、投影領域 ARよりも大きく且つ基板 Pよりも小さい液体 LQの液浸 領域 LRを局所的に形成する。具体的には、露光装置 EXは、投影光学系 PLの像面 に最も近い第 1光学素子 LS 1と、投影光学系 PLの像面側に配置された基板 P表面 の一部との間の光路空間を液体 LQで満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学 系 PLと基板 Pとの間の液体 LQ及び投影光学系 PLを介してマスク Mを通過した露光 光 ELを基板 Pに照射することによってマスク Mのパターンを基板 Pに投影し、基板 P を露光する。
[0016] 本実施形態では、露光装置 EXとしてマスク Mと基板 Pとをそれぞれの走査方向に、 互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンの像を 基板 Pに投影する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ)を使用する場合を例 にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスク Mと基板 Pとの同期 移動方向（走査方向）を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸 方向（非走査方向）、 X軸及び Y軸方向に垂直で投影光学系 PLの光軸 AXと一致す る方向を Z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向をそれ ぞれ、 0 X、 Θ Υ 及び Θ Z方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ等の 基材上に感光材 (レジスト）を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影さ れるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
[0017] 基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2のそれぞれは、リニアモータ等を含む駆 動機構 SDの駆動によって移動可能である。制御装置 CONTは、駆動機構 SDを制 御することで、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とを近接又は接触した状態で、 投影光学系 PLの直下を含む所定領域内で基板ステージ ST1と計測ステージ ST2と を、 XY平面内で一緒に移動することができる。制御装置 CONTは、基板ステージ S T1と計測ステージ ST2とを一緒に移動することによって、投影光学系 PLと基板ステ ージ ST1の上面 F1及び計測ステージ ST2の上面 F2のうち少なくとも一方との間に 液体 LQを保持した状態で、液浸領域 LRを基板ステージ ST1の上面 F1と第 2ステー ジ ST2の上面 F2との間で移動可能である。
[0018] 本実施形態においては、基板ステージ ST1の側面の上部には、基板ステージ ST1 の上面 F1の中央部より外側に向力つて突出したオーバーハング部 HIが設けられて いる。このオーバーハング部 HIの上面も基板ステージ ST1の上面 F1の一部である 。同様に、計測ステージ ST2の側面の上部には、計測ステージ ST2の上面 F2の中 央部より外側に向力つて突出したオーバーハング部 H2が設けられている。このォー バーハング部 H2の上面も計測ステージ ST2の上面 F2の一部である。そして、例え ば、液浸領域 LRを一方のステージ力も他方のステージへ移動する際には、基板ステ ージ ST1の上面 F1のうち +Y側の領域と、計測ステージ ST2の上面 F2のうち Y側 の領域とが近接又は接触する。
[0019] ここで、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とが「近接した状態」とは、液浸領域 LRを基板ステージ ST1の上面 F1と第 2ステージ ST2の上面 F2との間で移動させる ときに、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2との間から液体 LQが漏れ出ない程度 に近接した状態を言い、両ステージ ST1、 ST2の間隔の許容値は、両ステージの材 質や表面処理、あるいは液体 LQの種類等により異なる。
[0020] また、露光装置 EXは、基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2の一方の上面 F1
(F2)から他方の上面 F2 (F1)へ液浸領域 LRを移動するときに、基板ステージ ST1 と計測ステージ ST2との間から漏れた液体 LQを検出する検出装置 60を備えている 。上述のように、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とは、液体 LQが漏れないよう な相対的な位置関係を維持しつつ、互いに近接又は接触した状態で一緒に移動す るように制御される力 仮に、液体 LQが漏れ出た場合、検出装置 60はその漏れた液 体 LQを検出することができる。
[0021] 検出装置 60は、検出光 Laを射出する投光部 61と、検出光 Laに対して所定位置に 配置された受光部 62とを有している。投光部 61は、計測ステージ ST2の第 2側面 T 2に設けられている。一方、受光部 62は、基板ステージ ST1の第 1側面 T1に設けら れている。基板ステージ ST1の第 1側面 T1は、オーバーハング部 HIの下側の領域 であり、 +Y側を向く面である。また、計測ステージ ST2の第 2側面 T2は、オーバー ハング部 H2の下側の領域であり、—Y側を向く面である。そして、基板ステージ ST1 の第 1側面 T1と計測ステージ ST2の第 2側面 T2とは対向する。また、計測ステージ ST2をベース部材 BPに対して非接触支持する気体軸受 42の側面 42Tにも、検出 光 Lbを射出する投光部 63が設けられており、基板ステージ ST1をベース部材 BPに 対して非接触支持する気体軸受 41の側面 41Tには、投光部 63に対応する受光部 6 4が設けられている。気体軸受 41の側面 41Tは +Y側を向く面であり、気体軸受 42 の側面 42Tは Y側を向く面であり、気体軸受 41の側面 41Tと気体軸受 42の側面 4 2Τとは対向する。
[0022] 基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2のそれぞれに、オーバーハング部 HI、 H2が設けられているので、基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とを近接又は接触させた場合においても、投光部 61が設けられた第 2側面 T2と 受光部 62が設けられた第 1側面 T1とは所定距離だけ離れるとともに、投光部 63が 設けられた側面 42Tと受光部 64が設けられた側面 41Tとは所定距離だけ離れる。す なわち、基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とを近接又は接 触させた場合、上面 F1と上面 F2とが近接 (又は接触)する部分の下側には空間が形 成される。
[0023] なお、投光部 61を基板ステージ ST1に設け、受光部 62を計測ステージ ST2に設 けることはもちろん可能である。同様に、投光部 63を気体軸受 41に設け、受光部 64 を気体軸受 42に設けることももちろん可能である。
[0024] 照明光学系 ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化 するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光 ELを集 光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光 ELによるマスク M上の照明領 域を設定する視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分布の露光光 ELで照明される。照明光学系 IL力 射出される露 光光 ELとしては、例えば水銀ランプカゝら射出される輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFェ キシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DUV光）や、 ArFエキシマレーザ光（ 波長 193nm)及び Fレーザ光 (波長 157nm)等の真空紫外光 (VUV光)などが用
2
V、られる。本実施形態にぉ 、ては ArFエキシマレーザ光が用いられる。
[0025] 本実施形態においては、液体 LQとして純水が用いられている。純水は、 ArFェキ シマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプ力 射出される輝線 (g線、 h線、 i線） 及び KrFエキシマレーザ光 (波長 248nm)等の遠紫外光 (DUV光)も透過可能であ る。
[0026] マスクステージ MSTは、マスク Mを保持して移動可能である。マスクステージ MST は、マスク Mを真空吸着 (又は静電吸着）により保持する。マスクステージ MSTは、制 御装置 CONTにより制御されるリニアモータ等を含む駆動機構 MDの駆動により、マ スク Mを保持した状態で、投影光学系 PLの光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY 平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向に微少回転可能である。マスクステージ MS T上には移動鏡 31が設けられている。また、移動鏡 31に対向する位置にはレーザ干 渉計 32が設けられている。マスクステージ MST上のマスク Mの 2次元方向の位置、 及び Θ Z方向の回転角（場合によっては Θ X、 Θ Y方向の回転角も含む）はレーザ干 渉計 32によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計 32の計測結果は制御装置 C ONTに出力される。制御装置 CONTは、レーザ干渉計 32の計測結果に基づいて 駆動機構 MDを駆動し、マスクステージ MSTに保持されて 、るマスク Mの位置制御 を行う。
[0027] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンを所定の投影倍率 βで基板 Ρに投影するも のであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒 ΡΚで保持さ れている。本実施形態において、投影光学系 PLは、投影倍率 j8が例えば 1Z4、 1 Z5、あるいは 1Z8の縮小系である。なお、投影光学系 PLは等倍系及び拡大系の いずれでもよい。投影光学系 PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系 PL の像面に最も近 、第 1光学素子 LSIは、鏡筒 PKより露出して 、る。
[0028] 基板ステージ ST1は、基板 Pを保持する基板ホルダ PHを有し、その基板ホルダ P Hを投影光学系 PLの像面側で移動可能である。基板ホルダ PHは、例えば真空吸 着等により基板 Pを保持する。基板ステージ ST1上には凹部 36が設けられており、 基板 Pを保持するための基板ホルダ PHは凹部 36に配置されている。そして、基板ス テージ ST1の凹部 36周囲の上面 F1は、基板ホルダ PHに保持された基板 Pの表面 とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面（平坦部）となって!/、る。
[0029] 基板ステージ ST1は、制御装置 CONTにより制御されるリニアモータ等を含む駆 動機構 SDの駆動により、基板 Pを基板ホルダ PHを介して保持した状態で、投影光 学系 PLの像面側にぉ 、て、投影光学系 PLの像面とほぼ平行な XY平面内で 2次元 移動可能及び θ Z方向に微小回転可能である。更に基板ステージ ST1は、 Z軸方向 、 θ X方向、及び θ Y方向にも移動可能である。したがって、基板ステージ ST1に支 持された基板 Pの表面は、 X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 Θ Υヽ及び θ Z方向の 6自由度の 方向に移動可能である。基板ステージ ST1の側面には移動鏡 33が設けられている。 また、移動鏡 33に対向する位置にはレーザ干渉計 34が設けられている。基板ステ ージ ST1上の基板 Pの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 34によりリア ルタイムで計測される。また、露光装置 EXは、例えば特開平 8— 37149号公報に開 示されて!/ヽるような、基板ステージ ST1に支持されて ヽる基板 P表面の面位置情報を 検出する斜入射方式のフォーカス ·レべリング検出系（不図示）を備えて 、る。フォー カス'レベリング検出系は、基板 P表面の面位置情報 (Z軸方向の位置情報、及び基 板 Pの Θ X及び Θ Y方向の傾斜情報）を検出する。なお、フォーカス'レベリング検出 系は、静電容量型センサを使った方式のものを採用してもよい。レーザ干渉計 34の 計測結果は制御装置 CONTに出力される。フォーカス'レべリング検出系の検出結 果も制御装置 CONTに出力される。制御装置 CONTは、フォーカス'レベリング検出 系の検出結果に基づいて、駆動機構 SDを駆動し、基板 Pのフォーカス位置 (Z位置） 及び傾斜角（ Θ X、 Θ Υ)を制御して基板 P表面を投影光学系 PLの像面に合わせ込 むとともに、レーザ干渉計 34の計測結果に基づいて、基板 Pの X軸方向、 Y軸方向、 及び Θ Z方向における位置制御を行う。
[0030] 計測ステージ ST2は、露光処理に関する計測を行う各種計測器 (計測用部材を含 む)を搭載して投影光学系 PLの像面側で移動可能である。この計測器としては、例 えば特開平 5— 21314号公報などに開示されているような、複数の基準マークが形 成された基準マーク板、例えば特開昭 57— 117238号公報に開示されているように 照度ムラを計測したり、特開 2001— 267239号公報に開示されているように投影光 学系 PLの露光光 ELの透過率の変動量を計測するためのムラセンサ、特開 2002— 14005号公報に開示されているような空間像計測センサ、及び特開平 11— 16816 号公報に開示されているような照射量センサ (照度センサ）が挙げられる。計測ステ ージ ST2の上面 F2は、基板ステージ ST1の上面 F1とほぼ同じ高さ（面一）になるよう な平坦面（平坦部）となって!/、る。
[0031] 本実施形態では、投影光学系 PLと液体 LQとを介して露光光 ELによる基板 Pを露 光する液浸露光が行われるのに対応して、露光光 ELを用いる計測に使用される上 記のムラセンサ、空間像計測センサ、照射量センサなどでは、投影光学系 PL及び液 体 LQを介して露光光 ELを受光する。また、各センサは、例えば光学系の一部だけ が計測ステージ ST2に搭載されて 、てもよ 、し、センサ全体が計測ステージ ST2に 酉己置されるようにしてちょい。
[0032] 計測ステージ ST2は、制御装置 CONTにより制御されるリニアモータ等を含む駆 動機構 SDの駆動により、計測器を搭載した状態で、投影光学系 PLの像面側におい て、投影光学系 PLの像面とほぼ平行な XY平面内で 2次元移動可能及び θ Z方向 に微小回転可能である。更に計測ステージ ST2は、 Z軸方向、 θ X方向、及び θ Y方 向にも移動可能である。すなわち、計測ステージ ST2も、基板ステージ ST1と同様、 X軸、 Y軸、 Z軸、 0 X、 θ Y,及び 0 Z方向の 6自由度の方向に移動可能である。計 測ステージ ST2の側面には移動鏡 37が設けられている。また、移動鏡 37に対向す る位置にはレーザ干渉計 38が設けられている。計測ステージ ST2の 2次元方向の位 置、及び回転角はレーザ干渉計 38によりリアルタイムで計測される。
[0033] なお図 1では、移動鏡 33、 37は、ステージ ST1、 ST2のオーバーハング部 Hl、 H 2に設けられている力 オーバーハング部の下側の側面に設けてもよい。こうすること により、液体 LQが上面 Fl、 F2から流出しても、オーバーハング部 Hl、 H2によって 、移動鏡 33、 37に液体 LQが付着することを防止できる。
[0034] 投影光学系 PLの先端近傍には、基板 P上のァライメントマークと基準マーク板上の 基準マークとを検出するオファクシス方式のァライメント系 ALGが設けられて 、る。本 実施形態のァライメント系 ALGでは、例えば特開平 4— 65603号公報に開示されて V、るような、基板 P上の感光材を感光させな!/、ブロードバンドな検出光束を対象マー クに照射し、その対象マーク力 の反射光により受光面に結像された対象マークの像 と不図示の指標 (ァライメント系 ALG内に設けられた指標板上の指標パターン)の像 とを撮像素子 (CCD等)を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマ ークの位置を計測する FIA (フィールド ·イメージ ·ァライメント)方式が採用されて!/、る
[0035] また、マスクステージ MSTの近傍には、投影光学系 PLを介してマスク M上のァライ メントマークと対応する基準マーク板上の基準マークとを同時に観察するための露光 波長の光を用いた TTR方式のァライメント系力 なる一対のマスクァライメント系 RAa 、 RAbが Y軸方向に所定距離隔てて設けられている。本実施形態のマスクァライメン ト系では、例えば特開平 7— 176468号公報に開示されているような、マークに対し て光を照射し、 CCDカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク 位置を検出する VRA (ビジュアル ·レチクル ·ァライメント)方式が採用されて！/ヽる。
[0036] 次に、液浸機構 1の液体供給機構 10及び液体回収機構 20につ 、て説明する。液 体供給機構 10は、液体 LQを投影光学系 PLの像面側に供給するためのものであつ て、液体 LQを送出可能な液体供給部 11と、液体供給部 11にその一端部を接続す る供給管 13とを備えて 、る。供給管 13の他端部はノズル部材 70に接続されて!、る。 ノズル部材 70の内部には、供給管 13の他端部と供給口 12とを接続する内部流路（ 供給流路）が形成されている。液体供給部 11は、液体 LQを収容するタンク、加圧ポ ンプ、及び液体 LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部 11の液体供給動作は制御装置 CONTにより制御される。
[0037] 液体回収機構 20は、投影光学系 PLの像面側の液体 LQを回収するためのもので あって、液体 LQを回収可能な液体回収部 21と、液体回収部 21にその一端部を接 続する回収管 23とを備えている。回収管 23の他端部はノズル部材 70に接続されて いる。ノズル部材 70の内部には、回収管 23の他端部と回収口 22とを接続する内部 流路（回収流路）が形成されて!、る。液体回収部 21は例えば真空ポンプ等の真空系 (吸引装置)、回収された液体 LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液 体 LQを収容するタンク等を備えて 、る。
[0038] 液体 LQを供給する供給口 12及び液体 LQを回収する回収口 22はノズル部材 70 の下面 70Aに形成されている。ノズル部材 70の下面 70Aは、基板 P表面、及びステ ージ ST1、 ST2の上面 Fl、 F2と対向する位置に設けられている。ノズル部材 70は、 第 1光学素子 LSIの側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口 12は、 ノズル部材 70の下面 70Aにおいて、投影光学系 PLの第 1光学素子 LSI (投影光学 系 PLの光軸 AX)を囲むように複数設けられている。また、回収口 22は、ノズル部材 70の下面 70Aにおいて、第 1光学素子 LSIに対して供給口 12よりも外側に設けら れており、第 1光学素子 LSI及び供給口 12を囲むように設けられている。
[0039] そして、制御装置 CONTは、液体供給機構 10を使って基板 P上に液体 LQを所定 量供給するとともに、液体回収機構 20を使って基板 P上の液体 LQを所定量回収す ることで、基板 P上に液体 LQの液浸領域 LRを局所的に形成する。液体 LQの液浸 領域 LRを形成する際、制御装置 CONTは、液体供給部 11及び液体回収部 21のそ れぞれを駆動する。制御装置 CONTの制御のもとで液体供給部 11から液体 LQが 送出されると、その液体供給部 11から送出された液体 LQは、供給管 13を流れた後 、ノズル部材 70の供給流路を介して、供給口 12より投影光学系 PLの像面側に供給 される。また、制御装置 CONTの制御のもとで液体回収部 21が駆動されると、投影 光学系 PLの像面側の液体 LQは回収口 22を介してノズル部材 70の回収流路に流 入し、回収管 23を流れた後、液体回収部 21に回収される。
[0040] 図 2は基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2を上方から見た図である。図 2にお いて、基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2を駆動するため駆動機構 SDは、リ ニァモータ 80、 81、 82、 83、 84、 85を備えて!/、る。馬区動機構 SDiま、 Y軸方向【こ延 びる一対の Y軸リニアガイド 91、 93を備えている。 Y軸リニアガイド 91、 93のそれぞ れは、 X軸方向に所定間隔を隔てて配置されている。 Y軸リニアガイド 91、 93のそれ ぞれは、例えば Y軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置された N極磁石及び S極磁石の複数の組からなる永久磁石群を内蔵する磁石ユニットによって構成されて いる。一方の Y軸リニアガイド 91上には、 2つのスライダ 90、 94力 非接触状態で Y 軸方向に移動可能に支持されている。同様に、他方の Y軸リニアガイド 93上には、 2 つのスライダ 92、 95が、非接触状態で Y軸方向に移動可能に支持されている。スラ イダ 90、 92、 94、 95のそれぞれは、例えば Y軸に沿って所定間隔で配置された電 機子コイルをそれぞれ内蔵するコイルユニットによって構成されている。すなわち、本 実施形態では、コイルユニットからなるスライダ 90、 94と磁石ユニットからなる Y軸リニ ァガイド 91とによって、ムービングコイル型の Y軸リニアモータ 82、 84のそれぞれが 構成されている。同様に、スライダ 92、 95と Y軸リニアガイド 93とによって、ムービング コイル型の Y軸リニアモータ 83、 85のそれぞれが構成されて!、る。
[0041] Y軸リニアモータ 82、 83を構成するスライダ 90、 92は、 X軸方向に延びる X軸リニ ァガイド 87の長手方向の一端部及び他端部のそれぞれに固定されている。また、 Y 軸リニアモータ 84、 85を構成するスライダ 94、 95は、 X軸方向に延びる X軸リニアガ イド 89の長手方向の一端部及び他端部のそれぞれに固定されている。したがって、 X軸リニアガイド 87は、 Y軸リニアモータ 82、 83によって Y軸方向に移動可能であり、 X軸リニアガイド 89は、 Y軸リニアモータ 84、 85によって Y軸方向に移動可能である
[0042] X軸リニアガイド 87、 89のそれぞれは、例えば X軸方向に沿って所定間隔で配置さ れた電機子コイルを内蔵するコイルユニットによって構成されている。 X軸リニアガイド 89は、基板ステージ ST1に形成された開口部に挿入状態で設けられている。この基 板ステージ ST1の開口部の内部には、例えば X軸方向に沿って所定間隔で且つ交 互に配置された N極磁石及び S極磁石の複数の組からなる永久磁石群を有する磁 石ユニット 88が設けられている。この磁石ユニット 88と X軸リニアガイド 89とによって、 基板ステージ ST1を X軸方向に駆動するムービングマグネット型の X軸リニアモータ 8 1が構成されている。同様に、 X軸リニアガイド 87は、計測ステージ ST2に形成された 開口部に挿入状態で設けられている。この計測ステージ ST2の開口部には、磁石ュ ニット 86が設けられている。この磁石ユニット 86と X軸リニアガイド 87とによって、計測 ステージ ST2を X軸方向に駆動するムービングマグネット型の X軸リニアモータ 80が 構成されている。
[0043] そして、一対の Y軸リニアモータ 84、 85 (又は 82、 83)のそれぞれが発生する推力 を僅かに異ならせることで、基板ステージ ST1 (又は計測ステージ ST2)の 0 Z方向 の制御が可能である。また、図では、基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2のそ れぞれは単一のステージとして示されている力 実際には、 Y軸リニアモータによって それぞれ駆動される XYステージと、その XYステージの上部に Zレべリング駆動機構 (例えばボイスコイルモータなど）を介して搭載され、 XYステージに対して Z軸方向及 び 0 X、 Θ Y方向に相対的に微小駆動される Zチルトステージとを備えている。そして 、基板 Pを保持する基板ホルダ PH (図 1参照）は、 Zチルトステージに支持される。
[0044] 以下、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とを用いた並行処理動作にっ 、て、 図 2〜図 4Bを参照しながら説明する。
[0045] 図 2に示すように、基板 Pの液浸露光中、制御装置 CONTは、計測ステージ ST2を 、基板ステージ ST1と衝突しない所定の待機位置にて待機させる。そして、制御装置 CONTは、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とを離した状態で、基板ステージ S T1に支持されている基板 Pに対するステップ'アンド'スキャン方式の液浸露光を行う 。基板 Pの液浸露光を行うとき、制御装置 CONTは、液浸機構 1を使って、基板ステ ージ ST1上に液体 LQの液浸領域 LRを形成する。
[0046] 制御装置 CONTは、基板ステージ ST1において基板 Pに対する液浸露光を終了し た後、駆動機構 SDを使って計測ステージ ST2を移動し、図 3Aに示すように、基板ス テージ ST1に対して計測ステージ ST2を接触 (又は近接)させる。
[0047] 次に、制御装置 CONTは、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2との Y軸方向に おける相対的な位置関係を維持しつつ、駆動機構 SDを使って、基板ステージ ST1 と計測ステージ ST2とを Y方向に同時に移動する。すなわち、制御装置 CONTは 、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とを接触 (又は近接)した状態で、投影光学 系 PLの直下の位置を含む所定領域内で、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2と を Y方向に一緒に移動する。
[0048] 制御装置 CONTは、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2とを一緒に移動するこ とによって、投影光学系 PLの第 1光学素子 LSIと基板 Pとの間に保持されている液 体 LQの液浸領域 LRを、基板ステージ ST1の上面 F1を経て計測ステージ ST2の上 面 F2へ移動する。投影光学系 PLの第 1光学素子 LSIと基板 Pとの間に形成されて V、た液体 LQの液浸領域 LRは、基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2の Y方 向への移動に伴って、基板 P表面、基板ステージ ST1の上面 Fl、計測ステージ ST2 の上面 F2の順に移動する。そして、液体 LQの液浸領域 LR力 基板ステージ ST1の 上面 F1から計測ステージ ST2の上面 F2で移動する途中においては、図 3Bに示す ように、基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とに跨るように液 体領域 LRが配置される。
[0049] 図 3Bの状態から、更に基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2がー緒に—Y方 向に所定距離移動すると、図 4Aに示すように、投影光学系 PLの第 1光学素子 LSI と計測ステージ ST2との間に液体 LQが保持された状態となる。すなわち、液体 LQ の液浸領域 LRが計測ステージ ST2の上面 F2に配置される。
[0050] 次いで、制御装置 CONTは、駆動機構 SDを使って基板ステージ ST1を所定の基 板交換位置に移動するとともに、基板 Pの交換を行い、これと並行して、計測ステー ジ ST2を使った所定の計測処理を必要に応じて実行する。この計測としては、例え ばァライメント系 ALGのベースライン計測が一例として挙げられる。具体的には、制 御装置 CONTでは、計測ステージ ST2上に設けられた基準マーク板 FM上の一対 の第 1基準マークとそれに対応するマスク M上のマスクァライメントマークとを上述の マスクァライメント系 RAa、 RAbを用いて同時に検出し、第 1基準マークとそれに対応 するマスクァライメントマークとの位置関係を検出する。さらに、制御装置 CONTは、 基準マーク板 FM上の第 2基準マークをァライメント系 ALGで検出することで、ァライ メント系 ALGの検出基準位置と第 2基準マークとの位置関係を検出する。そして、制 御装置 CONTは、上記第 1基準マークとそれに対応するマスクァライメントマークとの 位置関係と、ァライメント系 ALGの検出基準位置と第 2基準マークとの位置関係と、 既知の第 1基準マークと第 2基準マークとの位置関係とに基づいて、投影光学系 PL によるマスクパターンの投影中心とァライメント系 ALGの検出基準位置との距離、す なわち、ァライメント系 ALGのベースラインを求める。図 4Bには、このときの状態が示 されている。
[0051] そして、上述した両ステージ ST1、 ST2上における処理が終了した後、制御装置 C ONTは、例えば計測ステージ ST2と基板ステージ ST1とを接触 (又は近接)させ、そ の相対的な位置関係を維持した状態で、 XY平面内で移動し、交換後の基板 Pに対 してァライメント処理を行う。ここで、基板 P上には複数のショット領域が設けられてお り、それら複数のショット領域のそれぞれに付随してァライメントマークが設けられてい る。制御装置 CONTは、ァライメント系 ALGによって交換後の基板 P上のァライメント マークの検出を行い、基板 P上に設けられた複数のショット領域それぞれのァライメン ト系 ALGの検出基準位置に対する位置座標を算出する。
[0052] その後、制御装置 CONTは、先ほどとは逆に、基板ステージ ST1と計測ステージ S T2との Y軸方向の相対的な位置関係を維持しつつ、両ステージ ST1、 ST2を +Y方 向に一緒に移動して、基板ステージ ST1 (基板 P)を投影光学系 PLの下方に移動し た後、計測ステージ ST2を所定の位置に退避させる。これにより、液浸領域 LRが基 板ステージ ST1の上面 F1に配置される。計測ステージ ST2の上面 F2から基板ステ ージ ST1の上面 F 1へ液体 LQの液浸領域 LRを移動する途中でも、液浸領域 LRは 、基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とに跨るように配置され る。
[0053] その後、制御装置 CONTは、基板 Pに対してステップ ·アンド'スキャン方式の液浸 露光動作を実行し、基板 P上の複数のショット領域のそれぞれにマスク Mのパターン を順次転写する。なお、基板 P上の各ショット領域の露光のための基板ステージ ST1 の移動 (位置）は、上述の基板ァライメントの結果得られた基板 P上の複数のショット 領域の位置座標と、直前に計測したベースラインとに基づ 、て制御される。
[0054] なお、計測動作としては、上述のベースライン計測に限らず、計測ステージ ST2を 使って、照度計測、照度ムラ計測、空間像計測などを、例えば基板交換と並行して行 い、その計測結果に基づいて、例えば投影光学系 PLのキャリブレーション処理を行 う等、その後に行われる基板 Pの露光に反映させるようにしてもよ 、。
また、上述の説明においては、交換後の基板 Pに対するァライメント処理を、基板ス テージ ST1と計測ステージ ST2とを接触 (又は近接)した状態で実行して 、るが、交 換後の基板 Pに対するァライメント処理が完了した後に、基板ステージ ST1と計測ス テージ ST2とを接触 (又は近接)させて、液浸領域 LRの移動を行うようにしてもょ 、。
[0055] 本実施形態にぉ 、ては、液体 LQの全回収、再度の供給と!/、つた工程を経ることな ぐ液体 LQの液浸領域 LRを基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上 面 F2との間で移動することができるので、基板ステージ ST1における露光動作の終 了から計測ステージ ST2における計測動作開始までの時間、及び計測ステージ ST 2における計測終了力 基板ステージ ST1における露光動作の開示までの時間を短 縮して、スループットの向上を図ることができる。また、投影光学系 PLの像面側には、 液体 LQが常に存在するので、液体 LQの付着跡 (所謂ウォーターマーク）が発生す ることを効果的に防止できる。
[0056] 上述のように、液体 LQの液浸領域 LRを基板ステージ ST1の上面 F1から計測ステ ージ ST2の上面 F2へ移動する途中、あるいは計測ステージ ST2の上面 F2から基板 ステージ ST1の上面 F1へ移動する途中においては、液浸領域 LR力 基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とに跨るように配置される状態となる。 [0057] 図 5は、液浸領域 LRが基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2 とに跨る状態を示す側面図である。この状態においては、液浸領域 LRの液体 LQは 、基板ステージ ST1と計測ステージ ST2との間から漏れる可能性がある。基板ステー ジ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2との間のギャップ Gから液体 LQが漏 れた場合、その漏れた液体 LQは、重力の作用により、上面 Fl、 F2より下方に落下 する。検出装置 60は、その漏れた液体 LQを非接触方式で検出する。
[0058] 基板ステージ ST1及び計測ステージ ST2のそれぞれはオーバーハング部 HI、 H 2を有しているので、基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とを 近接又は接触させた場合においても、上面 F1と上面 F2とが近接 (又は接触)する部 分、すなわちギャップ Gの下側には、空間 Hが形成されるようになっている。したがつ て、ギャップ G力 漏れた液体 LQは、空間 Hを通過した後、ベース部材 BP上に落下 する。また、基板ステージ ST1の上面 F1と計測ステージ ST2の上面 F2とを近接又は 接触させた場合においても、空間 Hによって、検出光 La、 Lbの光路空間は確保され ている。ここで、投光部 61、 63から射出された検出光 La、 Lbは、 XY平面とほぼ平行 に照射される。特に、投光部 63から射出された検出光 Lbは、ベース部材 BPの近傍 にお 、て、そのベース部材 BPの上面 BTに対してほぼ平行に照射される。
[0059] 検出装置 60は、受光部 62の受光結果に基づいて、空間 Hに液体 LQが有るか否 かを検出する。具体的には、検出装置 60は、受光部 62の受光結果に基づいて、ギ ヤップ G力も漏れて落下し、空間 Hを通過する液体 LQを検出することができる。また、 検出装置 60は、受光部 64の受光結果に基づいて、ベース部材 BPの上面 BTに液 体 LQが有る力否かを検出することができる。
[0060] 投光部 61と受光部 62とは対向しており、投光部 61から射出された検出光 Laは受 光部 62に到達し、その受光部 62に所定の光量 (光強度)で受光されるようになって いる。このとき、例えば図 5に示すように、ギャップ G力も漏れた液体 LQが落下し、検 出光 Laの光路上を通過すると、その検出光 Laは液体 LQによって屈折又は散乱、あ るいは吸収される。したがって、検出光 Laの光路上に液体 LQが有る場合、受光部 6 2で受光される光量 (光強度）が低下する、あるいは検出光 Laが受光部 62に到達し なくなる。そこで、検出装置 60は、受光部 62の受光結果 (受光量）に基づいて、検出 光 Laの光路上に液体 LQが有る力否かを検出することができる。そして、検出光 Laの 光路上に液体 Laが有るか否かを検出することで、検出装置 60は、ギャップ Gより液 体 LQが漏れた力否かを検出することができる。
[0061] 同様に、投光部 63と受光部 64とは対向しており、投光部 63から射出された検出光 Lbは受光部 64に到達し、その受光部 64に所定の光量 (光強度)で受光されるように なっている。このとき、図 5に示すように、漏れた液体 LQがベース部材 BPの上面 BT に配置されている場合において、検出光 Lbが液体 LQに照射されると、その検出光 L aは液体 LQによって屈折又は散乱、あるいは吸収される。そこで、検出装置 60は、 受光部 64の受光結果 (受光量）に基づいて、検出光 Lbの光路上に液体 Lbが有るか 否かを検出することができ、ひ 、てはベース部材 BPの上面 BTに液体 LQが有るか否 かを検出することができる。
[0062] 検出光 La、 Lbのそれぞれは、 X軸方向に関して並ぶようにして照射される。したが つて、検出装置 60は、空間 Hやベース部材 BP上の広い領域において液体 LQの漏 れを検出することができる。そして、制御装置 CONTは、検出装置 60の検出結果に 基づいて、液体 LQが漏れたと判断したときには、例えば液体供給機構 10による単 位時間当たりの液体供給量を低減したり、あるいは液体供給機構 10による液体 LQ の供給を停止する。あるいは、制御装置 CONTは、検出装置 60の検出結果に基づ いて、液体回収機構 20による単位時間当たりの液体回収量を増やす。あるいは、制 御装置 CONTは、検出装置 60の検出結果に基づいて、基板 Pに対する露光動作や ステージ ST1、 ST2の移動を停止する。このように、液体 LQの漏れを検出したときに 、制御装置 CONTは、適切な処置を施すことで、液体 LQが例えば露光装置 EXの 設置されて!、る床面等に流出して被害が拡大することを防止することができる。また、 気体軸受 41、 42には吸気口が設けられている力 ベース部材 BP上に液体 LQがあ る場合、気体軸受 41、 42の吸気口に液体 LQが流入する可能性があるため、受光部 64の受光結果に基づいて、ベース部材 BP上に液体 LQが有ると判断したときには、 制御装置 CONTは、気体軸受 41、 42の吸気口からの吸気動作を停止するようにし てもよい。また、検出光 Lbの光路を、気体軸受 41、 42の近傍に設定しておくことによ り、ベース部材 BP上の液体 LQが気体軸受 41、 42の吸気口に流入する前に、その 液体 LQを検出光 Lbを使って検出することができ、その検出結果に応じて適切な処 置を講ずることにより、ベース部材 BP上に流出した液体 LQ力 気体軸受 41、 42の 吸気口に流入することを未然に防ぐことができる。また、気体軸受 41、 42の下面 (軸 受面）とベース部材 BPの上面 BTとの間に液体 LQが浸入すると、その液体 LQによ つてステージ ST1、 ST2の Z軸方向の位置が変動する可能性がある力 検出装置 60 の検出結果に基づいて適切な処置を講ずることができる。また、検出装置 60の検出 結果に基づいて、液体 LQが漏れたと判断したとき、制御装置 CONTは、不図示の 警報装置を駆動して警告を発することも可能である。これにより、例えばオペレータは 、液体 LQが漏れたことを把握できるため、適切な処置を施すことができる。警報装置 は、警告灯、警告音、ディスプレイなどを使って警報を発することができる。
[0063] 本実施形態においては、検出装置 60は、液体 LQを光学的に非接触方式で検出 する構成であるため、例えばベース部材 BP近傍や駆動機構 SD近傍に配線や各種 機器などを配置する必要がない。そのため、ステージ ST1、 ST2の移動に及ぼす影 響を少なくすることができる。
[0064] <第 2の実施形態 >
図 6は第 2の実施形態を示す図である。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については、その説明を簡略若しくは省略する。図 6に示 す検出装置 60'は、検出光 La'を照射する投光部と、光を受光する受光部との機能 を兼ね備えている。検出装置 60，は、計測ステージ ST2のオーバーハング部 H2に 設けられている。一方、基板ステージ ST1のオーバーハング部 HIのうち、検出装置 60'に対向する位置には、反射面 65を有する反射部材 66が設けられている。検出 装置 60'は、反射面 65に検出光 Laを照射するとともに、反射面 65からの反射光を受 光し、その受光結果に基づいて、ギャップ Gより液体 LQが漏れた力否かを検出する。 検出光 La'の光路上に液体 LQが存在しない場合、検出装置 60'より射出された検 出光 La'の反射光は、所定の光強度で検出装置 60'に受光される。一方、検出光 La 'の光路上に液体 LQが存在する場合、検出光 Laは液体 LQで散乱あるいは吸収さ れるため、その反射光は、前記所定の光強度よりも弱い光強度で検出装置 60'に受 光される。検出装置 60'は、反射光の受光結果に基づいて、検出光 La'の光路上に 液体 LQが有る力否力、ひいては液体 LQが漏れたか否かを検出することができる。 反射面 65を設けたことにより、検出光 La'の光路上に液体 LQが有る場合と無い場合 とで、検出装置 60'が受光する光強度の差は大きくなるので、検出装置 60'は、検出 光 La'の光路上に液体 LQが有る力否かを高精度で検出することができる。
[0065] また、本実施形態においては、検出光 60'から射出された検出光 La'の光路は、上 面 F1と上面 F2との間のギャップ Gに存在する。このような構成とすることにより、ギヤッ プ Gに漏れた液体 LQを、検出光 La'を使って直ちに検出することができる。
[0066] なお、投光部と受光部との機能を兼ね備えた検出装置 60'を、図 5を参照して説明 した第 1側面 T1 (第 2側面 T2)に設け、反射部材 66を第 2側面 T2 (第 1側面 T1)に 設けるようにしてもよい。同様に、検出装置 60'を、図 5を参照して説明した気体軸受 41 (42)に設け、反射部材 66を気体軸受 42 (41)に設けるようにしてもよい。逆に、 図 5を参照して説明した投光部 61をオーバーハング部 HI (又は H2)に設け、受光 部 62をオーバーハング部 H2 (又は HI)に設けるようにしてもよ!、。
[0067] <第 3の実施形態 >
図 7は、第 3の実施形態に係る露光装置 EX'を示す図である。図 7に示す露光装置 EX，は、例えば特開平 10— 163099号公報、特開平 10— 214783号公報、特表 2 000— 505958号公報などに開示されているような、基板 Pを保持して移動可能な 2 つの基板ステージ ST1 '、 ST2'を有する、所謂ツインステージ型の露光装置である。 図 7に示す露光装置 EX，においても、液浸領域 LRを、第 1基板ステージ ST1 'の上 面 F1 'と第 2基板ステージ ST2'の上面 F2'との間で移動することができる。そして、 上述の実施形態と同様の検出装置 60 (60' )を設けることで、第 1基板ステージ ST1 ，及び第 2基板ステージ ST2'のうち、一方のステージの上面から他方のステージの 上面へ液浸領域 LRを移動するときに、第 1基板ステージ ST1，と第 2基板ステージ S T2'との間から漏れた液体 LQを検出することができる。
[0068] 上述したように、本実施形態における液体 LQは純水である。純水は、半導体製造 工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジストや光学素子（レ ンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がな いとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 PL の先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場 等力 供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つよう にしてもよい。
[0069] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用 いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が 得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大され るため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。
[0070] なお、本実施形態の液体 LQは水である力 水以外の液体であってもよ 、、例えば 、露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過しないので、
2 2
液体 LQとしては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (PFPE)や
2
フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 LQと接触する部分 には、例えばフッ素を含む極性の小さ！ヽ分子構造の物質で薄膜を形成することで親 液化処理する。また、液体 LQとしては、その他にも、露光光 ELに対する透過性があ つてできるだけ屈折率が高ぐ投影光学系 PLや基板 P表面に塗布されているフオトレ ジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表 面処理は用いる液体 LQの極性に応じて行われる。
また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系 PLの光学素子 LSIの射 出側の光路空間を液体 (純水）で満たして基板 Pを露光する構成になって 、るが、国 際公開第 2004Z019128号公報に開示されているように、投影光学系 PLの光学素 子 LS 1の入射側の光路空間も液体 (純水）で満たすようにしてもょ 、。
[0071] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミック ウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリ コンウェハ）等が適用される。
[0072] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走 查露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツパ） の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基 板 Pを順次ステップ移動させるステップ ·アンド ·リピート方式の投影露光装置 (ステツ ノ ）にも適用することができる。
[0073] また、露光装置 EXとしては、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 1バタ ーンの縮小像を投影光学系 (例えば 1Z8縮小倍率で反射素子を含まな 、屈折型投 影光学系）を用 、て基板 P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この 場合、更にその後に、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 2パターンの 縮小像をその投影光学系を用いて、第 1パターンと部分的に重ねて基板 P上に一括 露光するスティツチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、ステイッチ方式の露 光装置としては、基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基 板 Pを順次移動させるステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる。 上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (又は位相 パターン '減光パターン）を形成した光透過型マスク（レチクル）を用いたが、このレチ クルに代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されているように、露 光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、ある いは発光パターンを形成する電子マスクを用いても良 、。
また、国際公開第 2001Z035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を ウェハ W上に形成することによって、ウェハ W上にライン 'アンド'スペースパターンを 形成する露光装置 (リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
[0074] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体 を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、露光対象の基板の表面全体が液 体で覆われる液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板の表面 全体が液体で覆われる液浸露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 6— 1 24873号公報、特開平 10— 303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号などに記 載されている。。
[0075] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の 露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを 製造するための露光装置などにも広く適用できる。
[0076] 本願実施形態の露光装置 EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素 を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つよ うに、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立て の前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械 系につ 、ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ 、ては電気的精 度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置への組み立て 工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の 配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組み立て工程の前 に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシス テムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全 体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等 が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0077] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 8に示すように、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した 実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージェ 程を含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
[1] 投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側にお!、てその像面とほぼ平行な 2次元平面内で互いに 独立して移動可能な第 1ステージ及び第 2ステージと、
前記第 1ステージと前記第 2ステージとを近接又は接触した状態で、前記投影光学 系の直下の位置を含む所定領域内で前記第 1ステージと前記第 2ステージとを一緒 に移動する駆動機構と、
前記第 1ステージ及び第 2ステージの少なくとも一方のステージの上面に液体の液 浸領域を形成する液浸機構と、
前記第 1ステージと前記第 2ステージとを一緒に移動することによって、前記投影光 学系と前記少なくとも一方のステージの上面との間に液体を保持した状態で、前記 液浸領域を前記第 1ステージの上面と前記第 2ステージの上面との間で移動させる 制御装置と、
前記第 1ステージ及び前記第 2ステージのうち、一方のステージの上面力 他方の ステージの上面へ前記液浸領域を移動するときに、前記第 1ステージと前記第 2ステ ージとの間力 漏れた液体を検出する検出装置とを備えた露光装置。
[2] 前記検出装置は非接触方式で液体を検出する請求項 1記載の露光装置。
[3] 前記検出装置は、検出光を射出する投光部と、前記検出光に対して所定位置に配 置された受光部とを有する請求項 1又は 2記載の露光装置。
[4] 前記第 2ステージは前記第 1ステージの第 1側面と対向する第 2側面を有し、 前記投光部は前記第 1側面及び前記第 2側面のうち一方に設けられ、前記受光部 は他方に設けられて 、る請求項 3記載の露光装置。
[5] 前記第 1ステージ及び前記第 2ステージのそれぞれを移動可能に支持するベース 部材を有し、
前記検出光は、前記ベース部材近傍に照射される請求項 3記載の露光装置。
[6] 前記第 1ステージ及び前記第 2ステージのそれぞれに設けられ、前記ベース部材 の上面に対して前記第 1、第 2ステージを非接触支持するための気体軸受を有し、 前記投光部及び前記受光部は前記気体軸受に設けられている請求項 5記載の露 光装置。
[7] 前記第 1ステージ及び前記第 2ステージのうち一方のステージは前記基板を保持し て移動し、他方のステージは露光処理に関する計測を行う計測器を搭載して移動す る請求項 1〜6のいずれか一項記載の露光装置。
[8] 前記第 1ステージ及び前記第 2ステージのそれぞれが基板を保持して移動する請 求項 1〜6のいずれか一項記載の露光装置。
[9] 前記液浸機構は、前記検出装置で液体の漏れが検出されたときに、液体の供給を 停止する請求項 1〜8のいずれか一項記載の露光装置。
[10] 前記液浸機構は、前記検出装置で液体の漏れが検出されたときに、前記液浸領域 を形成する液体を回収する請求項 9記載の露光装置。
[11] 請求項 1〜請求項 10のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法
PCT/JP2005/018803 2004-10-15 2005-10-12 露光装置及びデバイス製造方法 WO2006041100A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127007256A KR101331631B1 (ko) 2004-10-15 2005-10-12 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR1020077002533A KR101364347B1 (ko) 2004-10-15 2005-10-12 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US11/665,273 US7456929B2 (en) 2004-10-15 2005-10-12 Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006540953A JP4488006B2 (ja) 2004-10-15 2005-10-12 露光装置及びデバイス製造方法
EP05793142.0A EP1806772B1 (en) 2004-10-15 2005-10-12 Exposure apparatus and device manufacturing method
US12/289,321 US8456609B2 (en) 2004-10-15 2008-10-24 Exposure apparatus and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004301639 2004-10-15
JP2004-301639 2004-10-15

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/665,273 A-371-Of-International US7456929B2 (en) 2004-10-15 2005-10-12 Exposure apparatus and device manufacturing method
US12/289,321 Division US8456609B2 (en) 2004-10-15 2008-10-24 Exposure apparatus and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006041100A1 true WO2006041100A1 (ja) 2006-04-20

Family

ID=36148387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/018803 WO2006041100A1 (ja) 2004-10-15 2005-10-12 露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7456929B2 (ja)
EP (4) EP1806772B1 (ja)
JP (1) JP4488006B2 (ja)
KR (2) KR101331631B1 (ja)
HK (2) HK1224082A1 (ja)
SG (1) SG156635A1 (ja)
WO (1) WO2006041100A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135165A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2008044612A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2008124194A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Canon Inc 液浸露光方法および液浸露光装置
JP2009065223A (ja) * 2004-10-18 2009-03-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP2472332B1 (en) * 2004-11-01 2014-03-12 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
EP3312676A1 (en) * 2006-08-31 2018-04-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
KR101265450B1 (ko) 2003-06-19 2013-05-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
CN102323724B (zh) 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) * 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8547522B2 (en) * 2005-03-03 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007018127A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
US8027019B2 (en) * 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100871749B1 (ko) * 2007-07-20 2008-12-05 주식회사 동부하이텍 이머전 리소그라피 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN101675500B (zh) 2007-11-07 2011-05-18 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
US10600614B2 (en) * 2017-09-29 2020-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Stage device and charged particle beam device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
EP1528431A2 (en) 2003-10-31 2005-05-04 Nikon Corporation Supporting plate, stage device, exposure apparatus and exposure method
JP2005236087A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nikon Corp 露光装置
JP2005259789A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005268742A (ja) * 2003-07-28 2005-09-29 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2005268700A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2005124835A1 (ja) 2004-06-21 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH01116816A (ja) 1987-10-30 1989-05-09 Pfu Ltd カーソル表示方式
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09306802A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Nikon Corp 投影露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
SG102627A1 (en) * 1996-11-28 2004-03-26 Nikon Corp Lithographic device
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
DE69829614T2 (de) 1997-03-10 2006-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6665054B2 (en) * 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101349876B (zh) 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004053955A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571696A4 (en) * 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
DE60326384D1 (de) 2002-12-13 2009-04-09 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
JP2004301639A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Tdk Corp 観察方法
SG139736A1 (en) * 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
KR101265450B1 (ko) * 2003-06-19 2013-05-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN102323724B (zh) 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
CN105119729A (zh) 2009-09-18 2015-12-02 交互数字专利控股公司 一种支持mag中的pmip的方法及用于pmip的mag

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2005268742A (ja) * 2003-07-28 2005-09-29 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
EP1528431A2 (en) 2003-10-31 2005-05-04 Nikon Corporation Supporting plate, stage device, exposure apparatus and exposure method
JP2005236087A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Nikon Corp 露光装置
JP2005259789A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005268700A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2005124835A1 (ja) 2004-06-21 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1806772A4 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065223A (ja) * 2004-10-18 2009-03-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010219545A (ja) * 2004-10-18 2010-09-30 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP2472332B1 (en) * 2004-11-01 2014-03-12 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
JP2006135165A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
EP3312676A1 (en) * 2006-08-31 2018-04-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2008044612A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010505240A (ja) * 2006-09-29 2010-02-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8289500B2 (en) 2006-09-29 2012-10-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101413891B1 (ko) * 2006-09-29 2014-06-30 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101419196B1 (ko) 2006-09-29 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US8922748B2 (en) 2006-09-29 2014-12-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2008124194A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Canon Inc 液浸露光方法および液浸露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2426700A2 (en) 2012-03-07
KR101364347B1 (ko) 2014-02-18
HK1248027A1 (zh) 2018-10-05
EP3046135B1 (en) 2017-09-20
EP3306647A1 (en) 2018-04-11
HK1224082A1 (zh) 2017-08-11
EP1806772A4 (en) 2009-09-16
EP2426700A3 (en) 2016-08-24
EP2426700B1 (en) 2018-01-10
KR20120068877A (ko) 2012-06-27
EP1806772B1 (en) 2014-08-06
US20090066923A1 (en) 2009-03-12
US8456609B2 (en) 2013-06-04
US7456929B2 (en) 2008-11-25
JPWO2006041100A1 (ja) 2008-05-15
EP1806772A1 (en) 2007-07-11
JP4488006B2 (ja) 2010-06-23
SG156635A1 (en) 2009-11-26
US20080111978A1 (en) 2008-05-15
EP3046135A2 (en) 2016-07-20
KR20070068339A (ko) 2007-06-29
EP3046135A3 (en) 2016-08-24
KR101331631B1 (ko) 2013-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4488006B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4848956B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8721803B2 (en) Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
JP4720743B2 (ja) 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2006106836A1 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2006041083A1 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4852951B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4517354B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006106832A1 (ja) 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2006006565A1 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4961709B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2006101024A1 (ja) 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光装置の評価方法
WO2006080427A1 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4752320B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置、基板保持方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2006134910A1 (ja) 光学素子、光学素子保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5765415B2 (ja) 液浸露光装置、液浸露光方法及びデバイス製造方法
WO2006041091A1 (ja) 露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材
JP2009182110A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006540953

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077002533

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11665273

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005793142

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005793142

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11665273

Country of ref document: US