WO2006102872A1 - Electric system with defective memory areas and method for testing memory areas - Google Patents

Electric system with defective memory areas and method for testing memory areas Download PDF

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WO2006102872A1
WO2006102872A1 PCT/DE2006/000539 DE2006000539W WO2006102872A1 WO 2006102872 A1 WO2006102872 A1 WO 2006102872A1 DE 2006000539 W DE2006000539 W DE 2006000539W WO 2006102872 A1 WO2006102872 A1 WO 2006102872A1
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memory
cells
functioning
electrical system
defective
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PCT/DE2006/000539
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Inventor
Peter Ossimitz
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
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    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
    • G11C29/883—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories using a single defective memory device with reduced capacity, e.g. half capacity
    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/72—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with optimized replacement algorithms

Definitions

  • the invention relates to an electrical system containing faulty memory areas and to a method for testing faulty memory areas.
  • a common measure for avoiding yield losses is the provision of redundant memory cells, as described, for example, in US Pat. No. 5,457,655. If cells of the memory are defective, this is determined in a production test and the defective memory cells are replaced by redundant memory cells.
  • the memory cells are usually arranged in rows and columns. Therefore, often whole columns or rows are replaced if they contain one or more defective memory cells. For redundant cells and the associated control circuits, however, is
  • German patent application DE 10 2004 047 813.9 it is described that defective dynamic memory cells can also be replaced by redundant cells which are designed as non-volatile memory cells. It is an object of the invention to provide an apparatus and a method with which the yield losses of these electrical systems can be reduced without increasing the number of redundant memory cells.
  • an electrical system is provided which is designed either as a semiconductor chip or as a plurality of semiconductor chips.
  • semiconductor chips may be arranged, for example, in a semiconductor chip stack.
  • the semiconductor memory is divided into memory areas, each containing memory cells.
  • the electrical system further includes a register in which information is stored indicating whether portions of the memory have only functioning cells and whether portions of the memory have both functioning and a number of defective cells.
  • the number of defective memory cells is limited by an upper limit. Such an upper limit could for example be 100 cells in a 256K bit storage area. If the register indicates that a memory area has both a functioning and a number of defective cells, it contains between 1 and 100 defective cells.
  • functioning cells are considered to be those cells which either did not have a defect in the first place or which were replaced by defect-free redundant cells. From a register that provides information about redundancy, it can only be deduced that a replaced memory area contains errors. Whether and how many functioning cells the replaced memory area contains can not be seen from the redundancy information.
  • the provision of the register makes it possible to continue to use those memory areas which still have a limited number of defective cells. This is particularly useful if data are processed in an electrical system, are placed on the lower quality requirements than, for example, to data that are needed during a startup phase of the system.
  • the yield is also increased by selecting which memory area is reserved for low quality data.
  • the semiconductor chips of the electrical system are housed together in an embodiment of the invention in a housing.
  • This housing is, for example, a semiconductor terchipgeperuse, in which a plurality of semiconductor chips are housed. It is particularly important here that the entire system can continue to be used even after the semiconductor chips have been mounted in the housing by storing the address of a faulty cell.
  • the invention can also be used for semiconductor memories with nonvolatile memory cells such as EPROM, Flash, ferroelectric or MRAM memory cells. It is particularly suitable for dynamic memory cells.
  • Dynamic memory cells also called DRAM cells, are manufactured in a very complex mass production process, where it is virtually inevitable that a plurality of memory cells is defective. Even after the memory has been repaired by redundancy, there are manufacturing steps that can lead to further defects in cells.
  • Dynamic memories are increasingly integrated with other elements such as controllers or processors on a semiconductor device, for example for mobile radio applications. Individual errors in the DRAMs can lead to a sorting out of the entire system.
  • the controller may read the register information to assign memory areas of different qualities to different applications.
  • a controller may, for example, be a microprocessor accessing the memory areas. However, it may also be an electrical circuit connected between a plurality of processors and the memory to control the memory accesses. Such an electrical circuit is for example a baseband controller.
  • the controller reads out the register information at boot time and uses it to allocate different memory areas to different applications. Under boats in this context, the initialization of the system, for. B. by applying a voltage and several Initialmaschineskommandos understood. The controller then uses the register information to assign different areas of memory to different applications in normal operation, that is, after booting.
  • program data refers to those data which are necessary for the execution of a program, for example data representing the sequence of commands. High demands are placed on these data because the function of the program can not be guaranteed if errors occur.
  • the controller By reading out the register information during booting, the controller only needs to evaluate the register information once. During normal operation, the register information is now already available in the controller. There is thus no delay due to the readout of the register information during operation. In normal operation, a dynamic correction that would reduce the speed of the system can be avoided.
  • image area and voice data are used for that memory area in which functioning and a limited number of defective memory cells are present, and for program data that memory area is used which only has functioning memory cells, it is advantageously utilized that image and voice data have lower quality requirements be put.
  • the errors of the area that has functioning and a number of defective memory lines occur as a single bit error.
  • Single bit errors are those errors that occur only once per column and row. They differ, for example, from word line faults in which a whole row fails, and bit line faults in which a column or parts of a column fail. Single bit errors are not perceived by the human ear or the human eye and thus are tolerable for image and speech data.
  • the electrical system is a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant)
  • the mobile telephone and PDA process a large number of voice and image data-for example, in contrast to a computer's operating memory and only a small portion of the data require high memory quality.
  • the data for the lower one Memory quality is needed, then the cheap memory can be used well.
  • This additional storage area does not need to have only functioning cells right from the start. It suffices if all originally defective cells were replaced by functioning ones in a repair step. For the activation circuit of this memory area, all cells are functioning after the repair step.
  • the electrical system may include a self-test unit installed in the system.
  • a self-test unit is a control circuit that knows several states and that lets the electrical system execute a test program or part of a test program.
  • the self-test unit checks whether memory areas are faulty. If they are faulty, the range, number and type of errors are stored. Type of error could be z. B. single bit error, word line error or bit line error. The number and type of errors is compared with a given number and type. The result of this comparison is output to a connection to the outside and / or to an internal register.
  • the electrical system can advantageously test itself independently and output the register information, which memory area has defective cells. Costly external testing is thus avoided. It is also possible that the self-test unit automatically writes the information indicating in which memory area there are functioning and a limited number of defective cells to the register. This does not require extensive programming from the outside.
  • the controller reads out the register information at boot time and uses it to allocate different memory areas to different applications.
  • the controller By reading out the register information during booting, the controller only needs to evaluate the register information once. During normal operation, the register information is now already available in the controller. There is thus no delay due to the readout of the register information during operation. In normal operation, a dynamic correction that would reduce the speed of the system can be avoided.
  • Non-volatile memory can be realized, for example, by flash memory, electrical fuses or laser fuses.
  • Another aspect of the invention relates to a controller that reads a register during booting and different based on the information read from the register Assigns different memory areas to applications. Certain applications are allocated memory areas which have functioning and a limited number of defective memory cells, while in other areas they have memory areas which have only functioning memory cells.
  • Another aspect of the invention relates to a method for allocating memory areas in an electrical system.
  • a memory area is tested.
  • a subsequent step b the result becomes
  • Step a) evaluated. If the test shows that there are no defective cells, the memory area has passed the test. However, if there are any defective cells, then proceed to step d) to check if the errors do not exceed given error densities and if they are specific types of errors. Error density is understood as the number of errors per number of memory cells.
  • step d the electrical system is sorted out in a step d), otherwise the system continues with a step e) of the method.
  • step e the information as to whether the memory area contains errors is stored in a register located in the electrical system.
  • the method allows testing of a memory area which, as a result, leads not only to the two results "scrap” or “tested well", but also to the
  • the method may be extended to include after step d) and before step e) a step dl) in which defective cells are repaired. If there are no more errors after step d1), this is stored as information in the register in step e).
  • image area and voice data are used for that memory area in which functioning and a limited number of defective memory cells are present, and for program data that memory area is used which only has functioning memory cells, it is advantageously utilized that image and voice data have lower quality requirements be put.
  • Memory areas can be stored with different specifications of error densities and error types. This advantageously allows storage areas to be tested for different qualities.
  • the invention also relates to a method for testing memory areas in an electrical system having at least a first and a second memory area.
  • a first step A the first memory area is tested as "good”, is sorted out, or tested as "with a limited error rate”.
  • register information is available as to whether there are defective cells in the first memory area.
  • step B) If the memory area and thus the system in step A) was not sorted out, in step B), if the first Memory area contains no errors, the second memory area tested so that the memory area is either sorted out as a result, or tested as "good” or as "with a limited error rate". Subsequently, in the register, the information is available as to whether the second memory area contains errors.
  • the second memory area is tested such that the second memory area is discarded if it contains faulty memory cells that can not be repaired.
  • this ensures that only one of the two memory areas has defective cells, while the other is free of errors.
  • the yield is increased because it is only important that one of the areas is error-free and not which of the areas contains no defective cells.
  • the sorting out of a storage area leads to a sorting out of the entire component or system in which the storage component is integrated. This is also referred to as "FAIL" of the component or of the system. If a component or system has not been sorted out in the course of the procedure, it is referred to as a "PASS" component or system.
  • the results of the method according to the invention are output to an external pin or an internal register. When output to an external pin, the results are evaluated by an external tester.
  • the invention is illustrated in more detail in the drawings with reference to embodiments.
  • Figure 1 shows schematically an electrical system with storage areas that can be assigned to different applications.
  • Figure 2 shows a method for testing and allocating memory areas.
  • Figure 3 shows a method of using memory areas in a system.
  • FIG. 4 shows a further embodiment of the method for using memory areas in a system.
  • Figure 1 shows schematically a system with memory areas allocated to different applications.
  • the electrical system 1 is located in a semiconductor housing 11, for example a flip-chip housing.
  • the functions of the system are integrated in a semiconductor chip 10.
  • This semiconductor chip for example for a mobile telephone, contains a central processor unit 2, a digital signal processor 3, an analog module 4, a plurality of memory areas 5, 6 and 7 and a self-test unit 8, which is also referred to as "memory built in soap test" or MBIST , Furthermore, it contains a register 9.
  • the mentioned components central processor unit 2, digital signal processors 3, analog module 4 and self-test each unit 8 can also be provided several times in the semiconductor chip.
  • the central processor unit 2 and the digital signal processor 3 access the memory areas 5, 6 and 7.
  • the memory area 5 contains repair possibilities by means of which defective memory cells are exchanged for redundant memory cells.
  • the memory area 6 contains no redundant memory cells, whereas the memory area 7 contains redundant memory cells; however, the density of redundant memory cells is less than that of memory area 5.
  • the MBIST 8 is used to perform a self-test in the system, to check the memory areas 5, 6 and 7 and to output the result of this check.
  • That area which also has defective cells is used only for image and voice data.
  • image and voice data as well as data generated by demodulating a transmission signal, individual errors may occur without a user noticing.
  • the other area must have functioning cells. There are functioning cells those that have no defect from the beginning or have been replaced by redundant cells.
  • register 9 When booting, d. H. booting up the system, the information of register 9 is read out. This information is available to the central processor unit 2 and the digital signal processor 3 in order to store image and voice data, preferably in the memory area in which there are also a limited number of defective cells. By contrast, program data are only stored in memory areas 5, 6 or 7 if they have no defective cells.
  • the memory used during the boot sequence is in memory area 5, where there are only functioning cells. Otherwise there is a risk that the system will not boot.
  • the information as to which memory area has a limited number of defective cells is present in the register 9 as address information, for example as the most significant bit of the addresses.
  • the MBIST 8 can be extended in its function in that it is stored in it, how large the maximum error density in a memory for voice and image data.
  • the information is also output, which memory area contains defective cells, so that the register 9 can be programmed accordingly.
  • the register 9 contains non-volatile memory, e.g. As flash memory cells, electrically programmable memory cells or Laserfuses.
  • FIG. 2 shows a method for allocating defective memory areas in an embodiment of the invention. It has an initial step 201 and two end states “pass" 218 and “sort out” 219. In a first step 201, the memory area, referred to herein as “booting”, is tested.
  • the "Boot" area is the area that after repairing must no longer have any defective cells, otherwise the system would run the risk of not starting properly.
  • step 202 If it is determined in a step 202 that errors exist, the MBIST checks in step 203 whether the existing redundancy is sufficient to completely repair the cells in the boot area. If this is not the case, the component is rejected, otherwise the repair step 204 is performed.
  • step 205 the memory area "Application I" is tested in a step 205. Even if no errors were detected in step 202, the method also proceeds to step 205.
  • step 205 the memory area "Application I" is tested. If it is determined in step 206 that errors have occurred in a further step 207, it is checked whether these errors correspond to an allowed signature. Allowed signatures are z. A limited number of single bit errors or a number of errors that can be repaired. If the errors do not correspond to an allowed signature, the component is sorted out in step 207. However, if they correspond to an allowed signature, the repair step 208 is performed. If there are still errors, this time with a permitted signature, this information is stored in a register in step 209. The repair step 208 is shown in dashed lines, since it is only optional. In memory areas that are not repairable, it is skipped.
  • step 210 is followed in which the "application II" memory area is tested.
  • step 211 it is checked whether there are errors in the memory area "Application II". If this is the case, it is checked in step 212 whether there are still defective cells in memory area 1. If so, it is checked in step 213 if they are repairable. If so, the memory area "Application II" is repaired in step 214. Thereafter, the process ends in pass state 218, which indicates that the system passed the test. The method also ends in state 218 if there was no error according to step 211.
  • step 212 If, according to step 212, there are no longer any defective cells in the "application I" memory area, it is checked in a step 215 whether the errors in the memory area application 2 correspond to an allowed error signature. If they do not correspond to such an error signature, a sorting out occurs. On the other hand, if they correspond to the boat signature, possible repairs are made in step 216. Step 216, like step 208, is optional and can be skipped.
  • step 217 If there are still errors in the memory area "Application II", this is stored in the register according to step 217. The process then ends in final state 218. The device is now fully tested, found to be good, and can be used. If there is no error in testing the "Application II" memory area, the method is also terminated with step 218, in which the device is considered tested and found to be good and can be used.
  • FIG. 3 shows a method for allocating memory areas for different applications.
  • the memory is tested. If judged to be unusable in a second step 302, it is discarded in step 303.
  • the information is read in a step 306 in which areas there are errors. Based on this information, in a step 307, memory areas that are erroneous for speech and video are corrupted
  • Image data while program data uses memory areas which have only functioning memory cells. If the controller of the register information assumes that both memory areas are error-free, he can use the memory areas arbitrarily for program data and voice and image data.
  • FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of the method according to the invention for using memory areas.
  • a first step 401 the memory of the system is tested. If it is determined in step 402 that all memory areas after testing have only functioning cells, it is determined in the subsequent step 405 that a default address stack is used. A register for the address stack is either left or overwritten with a predefined default value.
  • step 402 If it was determined in step 402 that not all
  • Memory areas have only functioning cells, it is decided in step 403, whether a mapping of the address areas on the address deck is possible. During mapping, certain addresses are assigned to specific memory areas. If the memory can no longer be used by a suitable mapping, it is sorted out in step 404.
  • step 406 the address stack is modified. In this case, certain areas which have a limited number of defective cells are assigned an address area which is used, for example, only by voice data.
  • step 407 and step 405 the system is made.
  • the system is booted in two stages.
  • a first step "Boot I" a part of the system is initialized. This makes it possible to read out the address stack, which is carried out in the subsequent step. Due to the information of the address stack, certain memory areas are now assigned to specific address areas.
  • the remainder of the system is initialized in the next step "Boot II" 410. This is followed by system start 411.

Abstract

The invention relates to an electric system (1) that is situated in a semiconductor housing (10), the latter (10) containing at least one semiconductor chip. At least one of said semiconductor chips contains a memory, which is sub-divided into main memory areas (5, 6, 7), each comprising a large number of memory cells. The electric system contains a register (9), which contains information that indicates whether the memory areas (5, 6, 7) contain only functioning memory cells or whether the memory areas (5, 6, 7) contain both functioning cells and a number of defective memory cells, the number of defective memory cells being restricted by an upper limit. Applications that are less error-prone can thus be assigned an area containing both functioning cells and a number of defective memory cells. Applications that are more error-prone are assigned a memory area containing only functioning memory cells.

Description

Beschreibungdescription
Elektrisches System mit fehlerhaften Speicherbereichen und Verfahren zum Testen von SpeicherbereichenElectrical system with faulty memory areas and method for testing memory areas
Die Erfindung betrifft ein elektrisches System, das fehlerhafte Speicherbereiche enthält, sowie ein Verfahren zum Testen von fehlerhaften Speicherbereichen.The invention relates to an electrical system containing faulty memory areas and to a method for testing faulty memory areas.
Die Produktion von elektrischen Systemen mit internem Speicher führt zu niedrigen Ausbeuten, wenn einzelne Zellen defekt sind. Je mehr Zellen der Speicher enthält, umso größer wird der Ausbeuteverlust bei gleicher Ausfallwahrscheinlichkeit für Einzelzellen.The production of electrical systems with internal memory results in low yields when single cells are defective. The more cells the memory contains, the greater the yield loss with the same failure probability for single cells.
Eine gängige Maßnahme zur Vermeidung von Ausbeuteverlusten ist das Vorsehen von redundanten Speicherzellen,- wie dies beispielsweise in der US 5,457,655 beschrieben ist. Wenn Zellen des Speichers defekt sind, wird dies in einem Produkti- onstest festgestellt und die defekten Speicherzellen werden durch redundante Speicherzellen ersetzt. Die Speicherzellen sind meist in Reihen und Spalten angeordnet. Darum werden häufig ganze Spalten oder Reihen ersetzt, wenn sie ein oder mehrere defekte Speicherzellen enthalten. Für redundante ZeI- len und die dazugehörigen AnsteuerSchaltungen ist allerdingsA common measure for avoiding yield losses is the provision of redundant memory cells, as described, for example, in US Pat. No. 5,457,655. If cells of the memory are defective, this is determined in a production test and the defective memory cells are replaced by redundant memory cells. The memory cells are usually arranged in rows and columns. Therefore, often whole columns or rows are replaced if they contain one or more defective memory cells. For redundant cells and the associated control circuits, however, is
Platz auf dem Bauteil, der den Speicher enthält, vorzusehen. Dies erhöht die Kosten des Bauteils . In der deutschen Patentanmeldung DE 10 2004 047 813.9 ist beschrieben, dass defekte dynamische Speicherzellen auch durch redundante Zellen, die als nicht-flüchtige Speicherzellen ausgebildet sind, ersetzt werden können. Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren anzugeben, mit dem die Ausbeuteverluste dieser elektrischen Systeme verringert werden können, ohne die Anzahl der redundanten Speicherzellen zu erhöhen.To provide space on the component that contains the memory. This increases the cost of the component. In the German patent application DE 10 2004 047 813.9 it is described that defective dynamic memory cells can also be replaced by redundant cells which are designed as non-volatile memory cells. It is an object of the invention to provide an apparatus and a method with which the yield losses of these electrical systems can be reduced without increasing the number of redundant memory cells.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.This object is solved by the subject matter of the independent claims. Advantageous embodiments emerge from the respective subclaims.
Gemäß der Erfindung wird ein elektrisches System bereitgestellt, das entweder als ein Halbleiterchip oder als mehrere Halbleiterchips ausgebildet ist. Mehrere Halbleiterchips können beispielsweise in einem Halbleiterchipstapel angeordnet sein.According to the invention, an electrical system is provided which is designed either as a semiconductor chip or as a plurality of semiconductor chips. Several semiconductor chips may be arranged, for example, in a semiconductor chip stack.
Der Halbleiterspeicher ist in Speicherbereiche unterteilt, die jeweils Speicherzellen enthalten. Das elektrische System enthält weiterhin ein Register, in dem eine Information gespeichert ist, die anzeigt, ob Bereiche des Speichers nur funktionierende Zellen aufweisen und ob Bereiche des Speichers sowohl funktionierende als auch eine Anzahl von defekten Zellen aufweisen. Die Anzahl von defekten Speicherzellen dabei ist durch eine Obergrenze begrenzt. Eine solche Obergrenze könnte beispielsweise bei einem 256K Bit großen Spei- cherbereich 100 Zellen sein. Wenn das Register anzeigt, dass ein Speicherbereich sowohl funktionierende als auch eine Anzahl von defekten Zellen aufweist, so enthält er zwischen 1 und 100 defekte Zellen.The semiconductor memory is divided into memory areas, each containing memory cells. The electrical system further includes a register in which information is stored indicating whether portions of the memory have only functioning cells and whether portions of the memory have both functioning and a number of defective cells. The number of defective memory cells is limited by an upper limit. Such an upper limit could for example be 100 cells in a 256K bit storage area. If the register indicates that a memory area has both a functioning and a number of defective cells, it contains between 1 and 100 defective cells.
Als funktionierende Zellen werden in diesem Zusammenhang diejenigen Zellen angesehen, die entweder von vornherein keinen Fehler hatten, oder die durch fehlerfreie redundante Zellen ersetzt wurden. Aus einem Register, das Informationen über eine Redundanz bereitstellt, lässt sich nur entnehmen, dass ein ersetzter Speicherbereich Fehler enthält. Ob und wie viele funktionie- rende Zellen der ersetzte Speicherbereich enthält, lässt sich aus der Redundanzinformation nicht erkennen.In this context, functioning cells are considered to be those cells which either did not have a defect in the first place or which were replaced by defect-free redundant cells. From a register that provides information about redundancy, it can only be deduced that a replaced memory area contains errors. Whether and how many functioning cells the replaced memory area contains can not be seen from the redundancy information.
Bei dem erfindungsgemäßen System wird dagegen durch das Register eine Information über die Anzahl der defekten Zellen und somit auch über die Anzahl der funktionierenden Zellen bereitgestellt .By contrast, in the system according to the invention information about the number of defective cells and thus also about the number of functioning cells is provided by the register.
Durch das Vorsehen des Registers ist es möglich, auch solche Speicherbereiche, die noch eine begrenzte Anzahl von defekten Zellen haben, weiter zu verwenden. Dies ist besonders sinnvoll, wenn in einem elektrischen System auch Daten verarbeitet werden, an die geringere Qualitätsanforderungen gestellt werden als beispielsweise an Daten, die während einer Startphase des Systems benötigt werden.The provision of the register makes it possible to continue to use those memory areas which still have a limited number of defective cells. This is particularly useful if data are processed in an electrical system, are placed on the lower quality requirements than, for example, to data that are needed during a startup phase of the system.
Zudem ergibt sich der Vorteil, dass Speicherbereiche, für die die Reparaturmöglichkeiten durch Redundanz schon ausgeschöpft sind, noch weiterverwendet werden können, wenn nach dem Ersetzen noch eine begrenzte Anzahl defekter Zellen vorhanden ist.In addition, there is the advantage that memory areas for which the repair options have already been exhausted due to redundancy can still be used if, after replacement, a limited number of defective cells still exists.
Die Ausbeute wird außerdem dadurch erhöht, dass ausgewählt werden kann, welcher Speicherbereich für Daten mit niedrigen Qualitätsanforderungen reserviert wird.The yield is also increased by selecting which memory area is reserved for low quality data.
Die Halbleiterchips des elektrischen Systems sind in einer Ausführungsform der Erfindung gemeinsam in einem Gehäuse untergebracht. Dieses Gehäuse ist beispielsweise ein Halblei- terchipgehäuse, in dem mehrere Halbleiterchips untergebracht sind. Hier ist besonders wichtig, dass auch nach der Montage der Halbleiterchips im Gehäuse das Gesamtsystem weiter verwendet werden kann, indem die Adresse einer fehlerhaften ZeI- Ie gespeichert wird.The semiconductor chips of the electrical system are housed together in an embodiment of the invention in a housing. This housing is, for example, a semiconductor terchipgehäuse, in which a plurality of semiconductor chips are housed. It is particularly important here that the entire system can continue to be used even after the semiconductor chips have been mounted in the housing by storing the address of a faulty cell.
Die Erfindung kann auch für Halbleiterspeicher mit nichtflüchtigen Speicherzellen wie EPROM, Flash, Ferroelektrische oder MRAM Speicherzellen verwendet werden. Es eignet sich a- ber besonders für dynamische Speicherzellen. Dynamische Speicherzellen, auch DRAM Zellen genannt, werden in einem sehr komplexen Massenfertigungsverfahren hergestellt, bei dem es praktisch unumgänglich ist, dass eine Vielzahl von Speicherzellen defekt ist. Auch nachdem der Speicher mittels Redun- danz repariert wurde, gibt es Fertigungsschritte, durch die es zu weiteren Defekten in Zellen kommen kann. Dynamische Speicher werden zunehmend mit anderen Elementen wie Controllern oder Prozessoren auf einem Halbleiterbauteil, zum Beispiel für Mobilfunkanwendungen, integriert. Einzelne Fehler im DRAMs können so zu einem Aussortieren des Gesamtsystems führen .The invention can also be used for semiconductor memories with nonvolatile memory cells such as EPROM, Flash, ferroelectric or MRAM memory cells. It is particularly suitable for dynamic memory cells. Dynamic memory cells, also called DRAM cells, are manufactured in a very complex mass production process, where it is virtually inevitable that a plurality of memory cells is defective. Even after the memory has been repaired by redundancy, there are manufacturing steps that can lead to further defects in cells. Dynamic memories are increasingly integrated with other elements such as controllers or processors on a semiconductor device, for example for mobile radio applications. Individual errors in the DRAMs can lead to a sorting out of the entire system.
Wenn das elektrische System einen Controller enthält, der auf den Speicher und das- Register zugreift, kann der Controller die Registerinformation auslesen, um unterschiedlichen Anwendungen Speicherbereiche mit unterschiedlichen Qualitäten zuzuweisen. Ein Controller kann beispielsweise ein Mikroprozessor, der auf die Speicherbereiche zugreift sein.. Es kann aber auch eine elektrische Schaltung, die zwischen mehreren Pro- zessoren und dem Speicher geschaltet ist, um die Speicherzugriffe zu kontrollieren, sein. Eine solche elektrische Schaltung ist beispielsweise ein Basisbandcontroller. In einer Ausführungsform der Erfindung liest der Controller die Registerinformation beim Booten aus und verwendet sie, um unterschiedlichen Anwendungen unterschiedliche Speicherbereiche zuzuordnen. Unter Booten wird in diesem Zusammenhang das Initialisieren des Systems, z. B. durch Anlegen einer Spannung und mehrerer Initialisierungskommandos , verstanden. Der Controller verwendet dann die Registerinformation, um im normalen Betrieb, dass heißt nach dem Booten, unterschiedlichen Anwendungen unterschiedliche Bereiche des Speichers zuzuwei- sen .If the electrical system includes a controller that accesses the memory and register, the controller may read the register information to assign memory areas of different qualities to different applications. A controller may, for example, be a microprocessor accessing the memory areas. However, it may also be an electrical circuit connected between a plurality of processors and the memory to control the memory accesses. Such an electrical circuit is for example a baseband controller. In one embodiment of the invention, the controller reads out the register information at boot time and uses it to allocate different memory areas to different applications. Under boats in this context, the initialization of the system, for. B. by applying a voltage and several Initialisierungskommandos understood. The controller then uses the register information to assign different areas of memory to different applications in normal operation, that is, after booting.
Beispielsweise werden Daten, die eine niedrigere Qualität benötigen, dort gespeichert, wo der Speicher auch defekte Zellen aufweist, während Programmdaten nur in Bereichen, die vollkommen fehlerfrei sind, verwendet werden. Als Programmda- ten werden in diesem Zusammenhang diejenigen Daten bezeichnet, die für den Ablauf eines Programms notwendig sind, beispielsweise Daten, die die Abfolge von Befehlen darstellen. An diese Daten werden hohe Anforderungen gestellt, da bei Auftreten von Fehlern die Funktion des Programms nicht gewährleistet werden kann.For example, data that requires lower quality is stored where the memory also has defective cells, while program data is used only in areas that are completely error-free. In this context, program data refers to those data which are necessary for the execution of a program, for example data representing the sequence of commands. High demands are placed on these data because the function of the program can not be guaranteed if errors occur.
Durch das Auslesen der Registerinformation während des Boo- tens braucht der Controller nur einmal die Registerinformati- on zu bewerten. Während des normalen Betriebes steht die Registerinformation nun im Controller schon zur Verfügung. Es ergibt sich somit keine Verzögerung durch das Auslesen der Registerinformation während des Betriebes. Es lässt sich im normalen Betrieb eine dynamische Korrektur, die die Geschwin- digkeit des Systems verringern würde, vermeiden.By reading out the register information during booting, the controller only needs to evaluate the register information once. During normal operation, the register information is now already available in the controller. There is thus no delay due to the readout of the register information during operation. In normal operation, a dynamic correction that would reduce the speed of the system can be avoided.
Wenn das erfindungsgemäße elektrische System auf einem Halbleiterchip integriert ist, ergibt sich der Vorteil, dass bei defektem Speicher und ansonsten fehlerfreien Modulen des Halbleiterchips nicht notwendigerweise aussortiert werden muss, wenn vereinzelt Fehler auftreten. Ein elektrisches System, das mehrere Funktionen enthält und auf einem Halbleiter- Chip integriert ist, wird auch als "System on Chip (SOC) " bezeichnet .If the electrical system according to the invention is integrated on a semiconductor chip, there is the advantage that at defective memory and otherwise error-free modules of the semiconductor chip does not necessarily have to be sorted out if isolated errors occur. An electrical system that includes multiple functions and is integrated on a semiconductor chip is also referred to as a "system on chip (SOC)".
Wenn für Bild- und Sprachdaten derjenige Speicherbereich genutzt wird, in dem funktionierende und eine begrenzte Anzahl defekter Speicherzellen vorhanden sind, und für Programmdaten derjenige Speicherbereich genutzt wird, der lediglich funktionierende Speicherzellen aufweist, wird vorteilhafter Weise ausgenutzt, dass an Bild- und Sprachdaten geringere Qualitätsanforderungen gestellt werden.If image area and voice data are used for that memory area in which functioning and a limited number of defective memory cells are present, and for program data that memory area is used which only has functioning memory cells, it is advantageously utilized that image and voice data have lower quality requirements be put.
In einer weiteren Ausführungsform treten die Fehler des Bereichs, der funktionierende und eine Anzahl defekter Speicherzeilen aufweist, als Einzelbitfehler auf. Einzelbitfehler sind solche Fehler, die nur einmal pro Spalte und Reihe vor- kommen. Sie unterscheiden sich beispielsweise von Wortleitungsfehlern, bei denen eine ganze Reihe ausfällt, und Bitleitungsfehlern, bei denen eine Spalte oder Teile einer Spalte ausfällt. Einzelbitfehler werden von dem menschlichen Ohr oder dem menschlichen Auge nicht wahrgenommen und sind somit für Bild- und Sprachdaten tolerierbar.In another embodiment, the errors of the area that has functioning and a number of defective memory lines occur as a single bit error. Single bit errors are those errors that occur only once per column and row. They differ, for example, from word line faults in which a whole row fails, and bit line faults in which a column or parts of a column fail. Single bit errors are not perceived by the human ear or the human eye and thus are tolerable for image and speech data.
Wenn es sich bei dem elektrischen System um ein Mobiltelefon oder um einen PDA (Personal Digital Assistent) handelt, wird besonders ausgenutzt, dass im Mobiltelefon und PDA - bei- spielsweise im Gegensatz zu einem Betriebsspeicher eines Computers - eine Vielzahl von Sprach- und Bilddaten verarbeitet werden und nur ein geringer Teil der Daten eine hohe Speicherqualität erfordern. Für die Daten, für die eine geringere Speicherqualität benötigt wird, kann dann der billige Speicher gut verwendet werden.When the electrical system is a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant), it is particularly utilized that the mobile telephone and PDA process a large number of voice and image data-for example, in contrast to a computer's operating memory and only a small portion of the data require high memory quality. For the data, for the lower one Memory quality is needed, then the cheap memory can be used well.
Durch Vorsehen eines weiteren Speicherbereichs, der nur funk- tionierende Zellen aufweist, kann dieser vorteilhafter für Programme verwendet werden, die während des Bootens noch vor dem Auslesen der Registerinformation durchgeführt werden. Dabei braucht dieser weitere Speicherbereich nicht von Anfang an nur funktionierende Zellen aufzuweisen. Es reicht, wenn alle ursprünglich defekten Zellen in einem Reparaturschritt durch funktionierende ersetzt wurden. Für die Ansteuerschal- tung dieses Speicherbereichs stellen sich nach dem Reparaturschritt alle Zellen als funktionierend dar.By providing a further memory area which has only functioning cells, it can be used more advantageously for programs which are carried out during booting before the register information is read out. This additional storage area does not need to have only functioning cells right from the start. It suffices if all originally defective cells were replaced by functioning ones in a repair step. For the activation circuit of this memory area, all cells are functioning after the repair step.
Das elektrische System kann eine Selbsttesteinheit enthalten, die in dem System eingebaut ist. Eine Selbsttesteinheit ist eine Steuerschaltung, die mehrere Zustände kennt und die das elektrische System ein Testprogramm oder einen Teil eines Testprogramms ausführen lässt.The electrical system may include a self-test unit installed in the system. A self-test unit is a control circuit that knows several states and that lets the electrical system execute a test program or part of a test program.
Die Selbsttesteinheit überprüft, ob Speicherbereiche fehlerhaft sind. Wenn sie fehlerhaft sind, wird der Bereich, die Anzahl und der Typ der Fehler gespeichert. Typ der Fehler könnten z. B. Einzelbitfehler, Wortleitungsfehler oder Bit- leitungsfehler sein. Die Anzahl und der Typ der Fehler wird mit einer vorgegebenen Zahl und einem vorgegebenen Typ verglichen. Das Ergebnis dieses Vergleiches wird an einen An- schluss nach außen und/oder an ein internes Register ausgegeben. Durch die Selbsttesteinheit kann sich vorteilhafterweise das elektrische System selbständig testen und die Registerinformation, welcher Speicherbereich defekte Zellen aufweist, ausgeben. Ein kostspieliges Testen von extern wird somit vermieden. Möglich ist auch, dass die Selbsttesteinheit selbsttätig die Information, die angibt, in welchem Speicherbereich sich funktionierende und eine begrenzte Anzahl defekter Zellen be- finden, in das Register schreibt. Dadurch bedarf es keiner aufwändigen Programmierung von außen.The self-test unit checks whether memory areas are faulty. If they are faulty, the range, number and type of errors are stored. Type of error could be z. B. single bit error, word line error or bit line error. The number and type of errors is compared with a given number and type. The result of this comparison is output to a connection to the outside and / or to an internal register. By means of the self-test unit, the electrical system can advantageously test itself independently and output the register information, which memory area has defective cells. Costly external testing is thus avoided. It is also possible that the self-test unit automatically writes the information indicating in which memory area there are functioning and a limited number of defective cells to the register. This does not require extensive programming from the outside.
In einer Ausführungsform der Erfindung liest der Controller die Registerinformation beim Booten aus und verwendet sie, um unterschiedlichen Anwendungen unterschiedliche Speicherbereiche zuzuordnen.In one embodiment of the invention, the controller reads out the register information at boot time and uses it to allocate different memory areas to different applications.
Durch das Auslesen der Registerinformation während des Boo- tens braucht der Controller nur einmal die Registerinformati- on zu bewerten. Während des normalen Betriebes steht die Registerinformation nun im Controller schon zur Verfügung. Es ergibt sich somit keine Verzögerung durch das Auslesen der Registerinformation während des Betriebes. Es lässt sich im normalen Betrieb eine dynamische Korrektur, die die Geschwin- digkeit des Systems verringern würde, vermeiden.By reading out the register information during booting, the controller only needs to evaluate the register information once. During normal operation, the register information is now already available in the controller. There is thus no delay due to the readout of the register information during operation. In normal operation, a dynamic correction that would reduce the speed of the system can be avoided.
Wenn die Registerinformation in einem nicht-flüchtigen Speicher geschrieben wird, kann vorteilhafterweise die Information, welcher Bereich funktionierende und defekte Speicherzel- len aufweist, einmal während der Produktion in das Register geschrieben werden und danach für die Lebensdauer des elektrischen Systems zur Verfügung stehen. Nicht-flüchtiger Speicher kann beispielsweise durch Flash Speicher, elektrische Fuses oder Laserfuses realisiert werden.When the register information is written in a non-volatile memory, the information about which area has functioning and defective memory cells can advantageously be written once in the register during production and thereafter available for the life of the electrical system. Non-volatile memory can be realized, for example, by flash memory, electrical fuses or laser fuses.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Controller, der während des Bootens ein Register ausliest und aufgrund der aus dem Register ausgelesenen Information verschiedenen Anwendungen unterschiedliche Speicherbereiche zuweist. Bestimmten Anwendungen werden Speicherbereiche zugewiesen, die funktionierende und eine begrenzte Anzahl von defekten Speicherzellen aufweisen, anderen Bereichen weist er Speicherbe- reiche zu, die nur funktionierende Speicherzellen aufweisen.Another aspect of the invention relates to a controller that reads a register during booting and different based on the information read from the register Assigns different memory areas to applications. Certain applications are allocated memory areas which have functioning and a limited number of defective memory cells, while in other areas they have memory areas which have only functioning memory cells.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zuordnen von Speicherbereichen in einem elektrischen System. In einem ersten Schritt a) wird ein Speicherbereich getestet. In einem darauffolgenden Schritt b) wird das Ergebnis ausAnother aspect of the invention relates to a method for allocating memory areas in an electrical system. In a first step a) a memory area is tested. In a subsequent step b), the result becomes
Schritt a) ausgewertet. Falls der Test ergibt, dass es keine defekten Zellen gibt, hat der Speicherbereich den Test bestanden. Falls es allerdings defekte Zellen gibt, wird mit einem Schritt d) fortgefahren, in dem überprüft wird, ob die Fehler vorgegebene Fehlerdichten nicht überschreiten und ob es sich um bestimmte Fehlertypen handelt. Unter Fehlerdichte wird die Anzahl der Fehler pro Anzahl der Speicherzellen verstanden.Step a) evaluated. If the test shows that there are no defective cells, the memory area has passed the test. However, if there are any defective cells, then proceed to step d) to check if the errors do not exceed given error densities and if they are specific types of errors. Error density is understood as the number of errors per number of memory cells.
Falls die Kriterien für die Fehlerdichte und Fehlertypen nicht erfüllt sind, wird das elektrische System in einem Schritt d) aussortiert, sonst fährt das System mit einem Schritt e) des Verfahrens fort. Im diesem Schritt e) wird die Information, ob der Speicherbereich Fehler enthält, in einem Register, das sich im elektrischen System befindet, gespeichert .If the criteria for the error density and error types are not met, the electrical system is sorted out in a step d), otherwise the system continues with a step e) of the method. In this step e), the information as to whether the memory area contains errors is stored in a register located in the electrical system.
Das Verfahren ermöglicht ein Testen eines Speicherbereichs, das als Ergebnis nicht nur zu den beiden Ergebnissen "Aus- schuss" oder "als gut getestet" führt, sondern auch zu demThe method allows testing of a memory area which, as a result, leads not only to the two results "scrap" or "tested well", but also to the
Ergebnis "als mit einer begrenzten Fehlerrate" getestet, kommen kann. Dadurch führen Speicherbereiche, die die Qualität "mit einer begrenzten Fehlerrate" nicht zu einem Aussortieren des Speicherbereichs, was die Ausbeute erhöht.Result "as with a limited error rate" tested, can come. As a result, storage areas lead to the quality "with a limited error rate" does not cause a sorting out of the memory area, which increases the yield.
Das Verfahren kann dahingehend erweitert werden, dass es nach dem Schritt d) und vor dem Schritt e) einen Schritt dl) enthält, in dem defekte Zellen repariert werden. Falls nach dem Schritt dl) keine Fehler mehr vorhanden sind, wird dies in Schritt e) als Information in dem Register gespeichert.The method may be extended to include after step d) and before step e) a step dl) in which defective cells are repaired. If there are no more errors after step d1), this is stored as information in the register in step e).
Wenn für Bild- und Sprachdaten derjenige Speicherbereich genutzt wird, in dem funktionierende und eine begrenzte Anzahl defekter Speicherzellen vorhanden sind, und für Programmdaten derjenige Speicherbereich genutzt wird, der lediglich funktionierende Speicherzellen aufweist, wird vorteilhafter Weise ausgenutzt, dass an Bild- und Sprachdaten geringere Qualitätsanforderungen gestellt werden.If image area and voice data are used for that memory area in which functioning and a limited number of defective memory cells are present, and for program data that memory area is used which only has functioning memory cells, it is advantageously utilized that image and voice data have lower quality requirements be put.
Speicherbereiche können mit unterschiedlichen Vorgaben von Fehlerdichten und Fehlertypen gespeichert werden. Damit kön- nen vorteilhafterweise Speicherbereiche auf unterschiedliche Qualitäten getestet werden.Memory areas can be stored with different specifications of error densities and error types. This advantageously allows storage areas to be tested for different qualities.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Testen von Speicherbereichen in einem elektrischen System mit mindestens einem ersten und einem zweiten Speicherbereich. In einem ersten Schritt A) wird der erste Speicherbereich als "gut" getestet, wird aussortiert, oder ist als "mit einer begrenzten Fehlerrate" getestet. Nach Schritt A steht eine Registerinformation zur Verfügung, ob sich in dem ersten Speicherbe- reich defekte Zellen befinden.The invention also relates to a method for testing memory areas in an electrical system having at least a first and a second memory area. In a first step A), the first memory area is tested as "good", is sorted out, or tested as "with a limited error rate". After step A, register information is available as to whether there are defective cells in the first memory area.
Falls der Speicherbereich und somit das System im Schritt A) nicht aussortiert wurde, wird in Schritt B) , falls der erste Speicherbereich keine Fehler enthält, der zweite Speicherbereich derart getestet, dass der Speicherbereich als Ergebnis entweder aussortiert wird, oder als "gut" oder als "mit einer begrenzten Fehlerrate" getestet ist. Anschließend steht im Register die Information zur Verfügung, ob der zweite Speicherbereich Fehler enthält.If the memory area and thus the system in step A) was not sorted out, in step B), if the first Memory area contains no errors, the second memory area tested so that the memory area is either sorted out as a result, or tested as "good" or as "with a limited error rate". Subsequently, in the register, the information is available as to whether the second memory area contains errors.
Falls dagegen im ersten Schritt A) in das Register geschrieben wurde, dass der erste Speicherbereich eine begrenzte An- zahl von Fehlern enthält, aber nicht aussortiert wurde, wird der zweite Speicherbereich so getestet, dass der zweite Speicherbereich aussortiert wird, falls er fehlerhafte Speicherzellen enthält, die nicht repariert werden können.On the other hand, if in the first step A) it was written in the register that the first memory area contains a limited number of errors but was not sorted out, the second memory area is tested such that the second memory area is discarded if it contains faulty memory cells that can not be repaired.
Vorteilhafterweise wird dadurch sichergestellt, dass nur einer der beiden Speicherbereiche defekte Zellen aufweist, während der andere fehlerfrei ist. Dadurch wird die Ausbeute erhöht, denn es kommt nur darauf an, dass einer der Bereiche fehlerfrei ist und nicht welcher der Bereiche keine defekten Zellen enthält.Advantageously, this ensures that only one of the two memory areas has defective cells, while the other is free of errors. As a result, the yield is increased because it is only important that one of the areas is error-free and not which of the areas contains no defective cells.
Das Aussortieren eines Speicherbereichs führt zu einem Aussortieren des gesamten Bauteils beziehungsweise Systems, in dem der Speicherbauteil integriert ist. Dies wird auch als "FAIL" des Bauteils beziehungsweise des Systems bezeichnet. Falls ein Bauteil oder System im Laufe des Verfahrens nicht aussortiert wurde, wird er als "PASS "-Bauteil bzw. System bezeichnet .The sorting out of a storage area leads to a sorting out of the entire component or system in which the storage component is integrated. This is also referred to as "FAIL" of the component or of the system. If a component or system has not been sorted out in the course of the procedure, it is referred to as a "PASS" component or system.
Die Ergebnisse des erfindungsgemäßen Verfahrens werden an einen externen Pin oder ein internes Register ausgegeben. Wenn sie an einen externen Pin ausgegeben werden, werden die Ergebnisse von einem externen Testgerät ausgewertet. Die Erfindung ist in den Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher veranschaulicht.The results of the method according to the invention are output to an external pin or an internal register. When output to an external pin, the results are evaluated by an external tester. The invention is illustrated in more detail in the drawings with reference to embodiments.
Figur 1 zeigt schematisch ein elektrisches System mit Speicherbereichen, die unterschiedlichen Anwendungen zugeordnet werden können.Figure 1 shows schematically an electrical system with storage areas that can be assigned to different applications.
Figur 2 zeigt ein Verfahren zum Testen und Zuordnen von Speicherbereichen.Figure 2 shows a method for testing and allocating memory areas.
Figur 3 zeigt ein Verfahren zum Verwenden von Speicherbereichen in einem System.Figure 3 shows a method of using memory areas in a system.
Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens zum Verwenden von Speicherbereichen in einem System.FIG. 4 shows a further embodiment of the method for using memory areas in a system.
Figur 1 zeigt schematisch ein System mit Speicherbereichen, die verschiedenen Anwendungen zugeordnet werden. Das elektrische System 1 befindet sich in einem Halbleitergehäuse 11, zum Beispiel einem Flip-Chip Gehäuse. In dieser Ausführungsform sind die Funktionen des Systems in einem Halbleiterchip 10 integriert. Dieser Halbleiterchip, für beispielsweise ein Mobiltelefon, enthält eine zentrale Prozessoreinheit 2, einen digitalen Signalprozessor 3, ein analoges Modul 4, mehrere Speicherbereiche 5, 6 und 7 und eine Selbsttesteinheit 8, die auch als "memory built in seif test" oder MBIST bezeichnet wird. Weiterhin enthält er ein Register 9.Figure 1 shows schematically a system with memory areas allocated to different applications. The electrical system 1 is located in a semiconductor housing 11, for example a flip-chip housing. In this embodiment, the functions of the system are integrated in a semiconductor chip 10. This semiconductor chip, for example for a mobile telephone, contains a central processor unit 2, a digital signal processor 3, an analog module 4, a plurality of memory areas 5, 6 and 7 and a self-test unit 8, which is also referred to as "memory built in soap test" or MBIST , Furthermore, it contains a register 9.
Die genannten Komponenten zentrale Prozessoreinheit 2, digitale Signalprozessoren 3, analoges Modul 4 und Selbsttestein- heit 8 können jeweils auch mehrfach in dem Halbleiterchip vorgesehen werden.The mentioned components central processor unit 2, digital signal processors 3, analog module 4 and self-test each unit 8 can also be provided several times in the semiconductor chip.
Die zentrale Prozessoreinheit 2 und der digitale Signalpro- zessor 3 greifen auf die Speicherbereiche 5, 6 und 7 zu. Der Speicherbereich 5 enthält Repariermöglichkeiten, mittels derer fehlerhafte Speicherzellen gegen redundante Speicherzellen ausgetauscht werden. Der Speicherbereich 6 enthält keine redundanten Speicherzellen, wogegen der Speicherbereich 7 re- dundante Speicherzellen enthält; die Dichte an redundanten Speicherzellen ist allerdings geringer als die des Speicherbereichs 5.The central processor unit 2 and the digital signal processor 3 access the memory areas 5, 6 and 7. The memory area 5 contains repair possibilities by means of which defective memory cells are exchanged for redundant memory cells. The memory area 6 contains no redundant memory cells, whereas the memory area 7 contains redundant memory cells; however, the density of redundant memory cells is less than that of memory area 5.
Der MBIST 8 dient dazu, in dem System einen Selbsttest durch- zuführen, die Speicherbereiche 5, 6 und 7 zu überprüfen und das Ergebnis dieser Überprüfung auszugeben.The MBIST 8 is used to perform a self-test in the system, to check the memory areas 5, 6 and 7 and to output the result of this check.
Wenn beim Test des Speicherbereichs 5 durch den MBIST Fehler erkannt werden, wird eine entsprechende Information ausgege- ben, so dass defekte Speicherzellen ersetzt werden. Im Speicherbereich 7 können ebenfalls defekte Zellen ersetzt werden. Allerdings ist es auch möglich, das System zu betreiben, wenn es noch eine begrenzte Anzahl von defekten Zellen in einem der Speicherbereiche 6 oder 7 gibt.If errors are detected during the test of the memory area 5 by the MBIST, corresponding information is output, so that defective memory cells are replaced. In the memory area 7 also defective cells can be replaced. However, it is also possible to operate the system if there are still a limited number of defective cells in one of the memory areas 6 or 7.
Von den beiden Speicherbereichen 6 und 7 wird derjenige Bereich, der auch defekte Zellen aufweist, nur für Bild- und Sprachdaten verwendet. Bei Bild- und Sprachdaten und auch bei Daten, die durch Demodulation eines Übertragungssignals er- zeugt werden, können einzelne Fehler auftreten, ohne dass dies ein Benutzer bemerkt. Der andere Bereich muss allerdings funktionierende Zellen aufweisen. Funktionierende Zellen sind solche, die von Anfang an keinen Defekt aufweisen oder durch redundante Zellen ersetzt wurden.Of the two memory areas 6 and 7, that area which also has defective cells is used only for image and voice data. In the case of image and voice data as well as data generated by demodulating a transmission signal, individual errors may occur without a user noticing. The other area, however, must have functioning cells. There are functioning cells those that have no defect from the beginning or have been replaced by redundant cells.
Die Information, in welchem Speicherbereich sich defekte und in welchem sich nur funktionierende Zellen befinden, ist in dem Register 9 abgelegt. Beispielsweise ist in ihm hinterlegt, dass sich in dem Speicherbereich 6 nur funktionierende und im Speicherbereich 7 sowohl funktionierende als auch eine begrenzte Anzahl von defekten Zellen befindet.The information in which memory area is defective and in which only functioning cells are stored in the register 9. For example, it is stored in the memory area 6 that only functioning and in the memory area 7 both functioning as well as a limited number of defective cells.
Beim Booten, d. h. dem Hochfahren des Systems, wird die Information des Registers 9 ausgelesen. Diese Informationen stehen der zentralen Prozessoreinheit 2 und dem digitalen Signalprozessor 3 zur Verfügung, um Bild- und Sprachdaten, vorzugsweise in dem Speicherbereich zu speichern, in dem sich auch eine begrenzte Anzahl von defekten Zellen befindet. Programmdaten werden dagegen nur in Speicherbereichen 5, 6 oder 7 gespeichert, wenn sie keine defekten Zellen aufweisen.When booting, d. H. booting up the system, the information of register 9 is read out. This information is available to the central processor unit 2 and the digital signal processor 3 in order to store image and voice data, preferably in the memory area in which there are also a limited number of defective cells. By contrast, program data are only stored in memory areas 5, 6 or 7 if they have no defective cells.
Wichtig ist, dass der Speicher, der während der Bootsequenz benutzt wird, sich im Speicherbereich 5 befindet, in dem nur funktionierende Zellen sind. Ansonsten besteht die Gefahr, dass das System nicht bootet.Importantly, the memory used during the boot sequence is in memory area 5, where there are only functioning cells. Otherwise there is a risk that the system will not boot.
Die Information, welcher Speicherbereich eine begrenzte Anzahl von defekten Zellen aufweist, liegt in dem Register 9 als Adressinformation, zum Beispiel als das meist signifikante Bit der Adressen, vor.The information as to which memory area has a limited number of defective cells is present in the register 9 as address information, for example as the most significant bit of the addresses.
Der MBIST 8 kann dahingehend in seiner Funktion erweitert sein, dass in ihm hinterlegt ist, wie groß die maximale Fehlerdichte in einem Speicher für Sprach- und Bilddaten ist. Bei der Überprüfung der Speicherbereiche 6 und 7 vergleicht er die erlaubte Anzahl der Fehler mit der Anzahl der tatsächlichen Fehler. Wenn die Anzahl der tatsächlichen Fehler die Anzahl der erlaubten Fehler nicht überschreitet, hat der Chip den Test bestanden. Es wird weiterhin noch die Information ausgegeben, welcher Speicherbereich defekte Zellen enthält, damit das Register 9 entsprechend programmiert werden kann. Das Register 9 enthält nicht-flüchtigen Speicher, z. B. Flash-Speicherzellen, elektrisch programmierbare Speicherzellen oder Laserfuses .The MBIST 8 can be extended in its function in that it is stored in it, how large the maximum error density in a memory for voice and image data. When checking the memory areas 6 and 7 compares he the allowed number of errors with the number of actual errors. If the number of actual errors does not exceed the number of allowed errors, the chip has passed the test. The information is also output, which memory area contains defective cells, so that the register 9 can be programmed accordingly. The register 9 contains non-volatile memory, e.g. As flash memory cells, electrically programmable memory cells or Laserfuses.
Figur 2 zeigt ein Verfahren zum Zuordnen von fehlerhaften Speicherbereichen in einer Ausführungsform der Erfindung. Es hat einen Anfangsschritt 201 und zwei Endzustände "Pass" 218 und "Aussortieren" 219. In einem ersten Schritt 201 wird der Speicherbereich, der hier als "Booten" bezeichnet wird, getestet. Der Bereich "Booten" ist derjenige Bereich, der nach dem Reparieren keine defekten Zellen mehr aufweisen darf, weil sonst das System Gefahr liefe, nicht richtig zu starten.FIG. 2 shows a method for allocating defective memory areas in an embodiment of the invention. It has an initial step 201 and two end states "pass" 218 and "sort out" 219. In a first step 201, the memory area, referred to herein as "booting", is tested. The "Boot" area is the area that after repairing must no longer have any defective cells, otherwise the system would run the risk of not starting properly.
Falls in einem Schritt 202 festgestellt wird, dass Fehler vorliegen, überprüft der MBIST im Schritt 203, ob die vorhandene Redundanz ausreicht, um die Zellen im Bootbereich vollständig zu reparieren. Falls dies nicht der Fall ist, wird das Bauteil aussortiert, sonst wird der Reparaturschritt 204 durchgeführt.If it is determined in a step 202 that errors exist, the MBIST checks in step 203 whether the existing redundancy is sufficient to completely repair the cells in the boot area. If this is not the case, the component is rejected, otherwise the repair step 204 is performed.
Anschließend wird der Speicherbereich "Anwendung I" in einem Schritt 205 getestet. Auch falls im Schritt 202 keine Fehler detektiert wurden, fährt das Verfahren ebenso mit dem Schritt 205 fort.Subsequently, the memory area "Application I" is tested in a step 205. Even if no errors were detected in step 202, the method also proceeds to step 205.
Im Schritt 205 wird der Speicherbereich "Anwendung I" getestet. Wird in dem Schritt 206 festgestellt, dass Fehler vor- liegen, wird in einem weiteren Schritt 207 überprüft, ob diese Fehler einer erlaubten Signatur entsprechen. Erlaubte Signaturen sind z. B. eine begrenzte Anzahl von Einzelbitfehlern oder eine Anzahl von Fehlern, die repariert werden können. Falls die Fehler keiner erlaubten Signatur entsprechen, wird das Bauteil in dem Schritt 207 aussortiert. Falls sie jedoch einer erlaubten Signatur entsprechen, wird der Reparaturschritt 208 durchgeführt. Falls dann immer noch Fehler, diesmal mit erlaubter Signatur, vorliegen, wird im Schritt 209 diese Information in einem Register gespeichert. Der Reparaturschritt 208 ist gestrichelt gezeichnet, da er nur optional ist. In Speicherbereichen, die keine Reparaturmöglichkeit aufweisen, wird er übersprungen.In step 205, the memory area "Application I" is tested. If it is determined in step 206 that errors have occurred In a further step 207, it is checked whether these errors correspond to an allowed signature. Allowed signatures are z. A limited number of single bit errors or a number of errors that can be repaired. If the errors do not correspond to an allowed signature, the component is sorted out in step 207. However, if they correspond to an allowed signature, the repair step 208 is performed. If there are still errors, this time with a permitted signature, this information is stored in a register in step 209. The repair step 208 is shown in dashed lines, since it is only optional. In memory areas that are not repairable, it is skipped.
Nach dem Schritt 209 oder wenn die Frage nach Fehlern in Schritt 206 mit nein beantwortet wurde, folgt der Schritt 210, in dem der Speicherbereich "Anwendung II" getestet wird. Im anschließenden Schritt 211 wird überprüft, ob Fehler im Speicherbereich "Anwendung II" vorliegen. Falls dies der Fall ist, wird in dem Schritt 212 überprüft, ob es noch defekte Zellen im Speicherbereich 1 gibt. Falls ja, wird im Schritt 213 überprüft, ob diese reparierbar sind. Falls ja, wird der Speicherbereich "Anwendung II" im Schritt 214 repariert. Anschließend endet das Verfahren im Zustand "Pass" 218, der be- sagt, dass das System den Test bestanden hat. Das Verfahren endet ebenfalls im Zustand 218, wenn gemäß Schritt 211 kein Fehler vorlag.After step 209, or if the question of errors in step 206 has been answered false, step 210 is followed in which the "application II" memory area is tested. In the subsequent step 211 it is checked whether there are errors in the memory area "Application II". If this is the case, it is checked in step 212 whether there are still defective cells in memory area 1. If so, it is checked in step 213 if they are repairable. If so, the memory area "Application II" is repaired in step 214. Thereafter, the process ends in pass state 218, which indicates that the system passed the test. The method also ends in state 218 if there was no error according to step 211.
Gibt es gemäß dem Schritt 212 keine defekten Zellen mehr in dem Speicherbereich "Anwendung I", wird in einem Schritt 215 überprüft, ob die Fehler im Speicherbereich Anwendung 2 einer erlaubten Fehlersignatur entsprechen. Falls sie einer solchen FehlerSignatur nicht entsprechen, erfolgt ein Aussortieren. Falls sie dagegen der Bootsignatur entsprechen, werden im Schritt 216 mögliche Reparaturen ausgeführt. Der Schritt 216 ist wie der Schritt 208 optional und kann übersprungen wer- den.If, according to step 212, there are no longer any defective cells in the "application I" memory area, it is checked in a step 215 whether the errors in the memory area application 2 correspond to an allowed error signature. If they do not correspond to such an error signature, a sorting out occurs. On the other hand, if they correspond to the boat signature, possible repairs are made in step 216. Step 216, like step 208, is optional and can be skipped.
Falls es immer noch Fehler in dem Speicherbereich "Anwendung II" gibt, wird dies gemäß Schritt 217 in dem Register gespeichert. Das Verfahren endet anschließend im Endzustand 218. Das Bauteil ist nun fertig getestet, als gut befunden und kann verwendet werden. Wenn kein Fehler beim Testen des Speicherbereichs "Anwendung II" vorliegt, wird ebenfalls das Verfahren mit dem Schritt 218 beendet, in dem das Bauteil als getestet und für gut befunden gilt und verwendet werden kann.If there are still errors in the memory area "Application II", this is stored in the register according to step 217. The process then ends in final state 218. The device is now fully tested, found to be good, and can be used. If there is no error in testing the "Application II" memory area, the method is also terminated with step 218, in which the device is considered tested and found to be good and can be used.
Figur 3 zeigt ein Verfahren zum Zuordnen von Speicherbereichen für verschiedene Anwendungen. In einem ersten Schritt 303 wird der Speicher getestet. Falls er in einem zweiten Schritt 302 als nicht verwendbar beurteilt wird, wird er in dem Schritt 303 aussortiert.FIG. 3 shows a method for allocating memory areas for different applications. In a first step 303, the memory is tested. If judged to be unusable in a second step 302, it is discarded in step 303.
Falls er als verwendbar beurteilt wird, wird die Information, in welchen Speicherbereichen sich Fehler befinden und welche Bereiche nur funktionierende Speicherzellen aufweisen, ge- speichert.If it is judged to be usable, the information in which memory areas there are errors and which areas have only functioning memory cells is stored.
Nach einem Booten des Systems 305 wird in einem Schritt 306 die Information ausgelesen, in welchen Bereichen sich Fehler befinden. Aufgrund dieser Information werden in einem Schritt 307 Speicherbereiche, die fehlerhaft sind, für Sprach- undAfter booting the system 305, the information is read in a step 306 in which areas there are errors. Based on this information, in a step 307, memory areas that are erroneous for speech and video are corrupted
Bilddaten verwendet, während für Programmdaten Speicherbereiche, die nur funktionierende Speicherzellen aufweisen, genutzt werden. Falls der Controller der Registerinformation entnimmt, dass beide Speicherbereiche fehlerfrei sind, kann er die Speicherbereiche beliebig für Programmdaten und Sprach- und Bilddaten verwenden.Image data, while program data uses memory areas which have only functioning memory cells. If the controller of the register information assumes that both memory areas are error-free, he can use the memory areas arbitrarily for program data and voice and image data.
Figur 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Verwenden von Speicherbereichen. In einem ersten Schritt 401 wird der Speicher des Systems getestet. Falls in dem Schritt 402 festgestellt wird, dass alle Speicherbereiche nach dem Testen nur funktionierende Zellen aufweisen, wird im darauffolgenden Schritt 405 festgelegt, dass ein default Addressstack verwendet wird. Dabei wird ein Register für den Adressstack entweder belassen oder mit einem vordefinierten Standardwert überschrieben.FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of the method according to the invention for using memory areas. In a first step 401, the memory of the system is tested. If it is determined in step 402 that all memory areas after testing have only functioning cells, it is determined in the subsequent step 405 that a default address stack is used. A register for the address stack is either left or overwritten with a predefined default value.
Falls im Schritt 402 festgestellt wurde, dass nicht alleIf it was determined in step 402 that not all
Speicherbereiche nur funktionierende Zellen aufweisen, wird im Schritt 403 entschieden, ob ein Mapping der Adressbereiche auf dem Adressdeck möglich ist. Beim Mapping werden bestimmte Adressen bestimmten Speicherbereichen zugewiesen. Kann durch ein geeignetes Mapping der Speicher nicht mehr verwendet werden, wird er im Schritt 404 aussortiert.Memory areas have only functioning cells, it is decided in step 403, whether a mapping of the address areas on the address deck is possible. During mapping, certain addresses are assigned to specific memory areas. If the memory can no longer be used by a suitable mapping, it is sorted out in step 404.
Ist das Mapping dagegen möglich, werden zunächst die Informationen über die fehlerhaften Bereiche im Schritt 406 gespei- chert. Anschließend wird der Adressstack modifiziert. Dabei wird bestimmten Bereichen, die eine begrenzte Anzahl von defekten Zellen aufweisen, ein Adressbereich zugewiesen, der beispielsweise nur von Sprachdaten verwendet wird.If the mapping is possible, however, first the information about the defective areas is stored in step 406. Subsequently, the address stack is modified. In this case, certain areas which have a limited number of defective cells are assigned an address area which is used, for example, only by voice data.
Nach dem Schritt 407 und dem Schritt 405 ist das System hergestellt. Das Booten des Systems erfolgt in zwei Stufen. In einem ersten Schritt "Booten I" wird ein Teil des Systems initialisiert. Dadurch wird das Auslesen des Adressstacks ermöglicht, was im anschließenden Schritt durchgeführt wird. Aufgrund der Information des Adressstacks werden nun bestimm- te Speicherbereiche bestimmten Adressbereichen zugeordnet. Der Rest des Systems wird im nun darauf folgenden Schritt "Booten II" 410 initialisiert. Anschließend folgt der Systemstart 411. After step 407 and step 405, the system is made. The system is booted in two stages. In a first step "Boot I" a part of the system is initialized. This makes it possible to read out the address stack, which is carried out in the subsequent step. Due to the information of the address stack, certain memory areas are now assigned to specific address areas. The remainder of the system is initialized in the next step "Boot II" 410. This is followed by system start 411.

Claims

Patentansprüche claims
1. Elektrisches System, das einen oder mehrere Halbleiterchips (11) enthält , - wobei der Halbleiterchip (11) oder mindestens einer der Halbleiterchips (11) einen Halbleiterspeicher enthält, wobei der Halbleiterspeicher in Speicherbereiche (5, 6, I)1 die jeweils eine Vielzahl von Speicherzellen enthalten, unterteilt ist, - wobei das elektrische System (1) ein Register (9) enthält, in dem die Information darüber gespeichert ist, ob Speicherbereiche (5, 6, 7) nur funktionierende Speicherzellen aufweisen, und ob Speicherbereiche (5, 6, 7) sowohl funktionierende als auch eine Anzahl von defekten Speicherzellen aufweisen, wobei die Anzahl von defekten Speicherzellen durch eine Obergrenze begrenzt ist.1. Electrical system containing one or more semiconductor chips (11), - wherein the semiconductor chip (11) or at least one of the semiconductor chips (11) includes a semiconductor memory, wherein the semiconductor memory in memory areas (5, 6, I) 1 each one - The electrical system (1) contains a register (9) in which the information is stored on whether memory areas (5, 6, 7) only have functioning memory cells, and whether storage areas (5 , 6, 7) have both functioning and a number of defective memory cells, wherein the number of defective memory cells is limited by an upper limit.
2. Elektrisches System, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (11) oder die Halbleiterchips (11) sich in einem Gehäuse befinden.2. Electrical system, characterized in that the semiconductor chip (11) or the semiconductor chips (11) are located in a housing.
3. Elektrisches System nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Halbleiterspeicher um einen dynamischen Speicher handelt.3. Electrical system according to claim 1 or claim 2, characterized in that it is the semiconductor memory is a dynamic memory.
4. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass es einen Controller (2, 3) enthält, der auf den Halbleiterspeicher und das Register (9) zugreift. 4. Electrical system according to one of claims 1 to 3, characterized in that it contains a controller (2, 3) which accesses the semiconductor memory and the register (9).
5. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Controller (2, 3) während eines Bootvorgangs des Systems (1) die Registerinformation liest, und entspre- chend der Registerinformation den Anwendungen je nach Art der Anwendung Speicherbereiche (5, 6, 7), die nur funktionierende Daten aufweisen, oder Speicherbereiche (5, 6, 7), die funktionierende und eine begrenzte Anzahl von defekten Speicherzellen aufweisen, zuweist.5. Electrical system according to one of claims 1 to 4, characterized in that the controller (2, 3) during a booting of the system (1) reads the register information, and according to the register information the applications depending on the type of application memory areas ( 5, 6, 7) having only working data, or allocating memory areas (5, 6, 7) having functioning and a limited number of defective memory cells.
6. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrische System (1) nur einen Halbleiterchip (11) enthält .6. Electrical system according to one of claims 1 to 5, characterized in that the electrical system (1) contains only one semiconductor chip (11).
7. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass für Bild- und Sprachdaten derjenige Speicherbereich (5, 6, 7) genutzt wird, der funktionierende und eine be- grenzte Anzahl defekter Speicherzellen aufweist, und dass für Programmdaten derjenige Speicherbereich (5, 6, 7) genutzt wird, der nur funktionierende Speicherzellen aufweist.7. Electrical system according to one of claims 1 to 6, characterized in that for image and voice data that memory area (5, 6, 7) is used, which has functioning and a limited number of defective memory cells, and that for program data Memory area (5, 6, 7) is used, which has only functioning memory cells.
8. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Fehler in dem Speicherbereich, der funktionierende und eine begrenzte Anzahl defekter Speicherzellen aufweist, Einzelbitfehler sind.8. Electrical system according to one of claims 1 to 7, characterized in that the errors in the memory area, the functioning and a limited number of defective memory cells, single bit errors.
9 . Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 8 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s es sich um ein Mobiltelefon oder ein PDA (Personal Digital Assistent) handelt.9. Electrical system according to one of claims 1 to 8, characterized in that it is a mobile phone or a PDA (Personal Digital Assistant).
10. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass es mindestens einen weiteren Speicherbereich (5, 6, 7) gibt, der nur funktionierende Zellen enthält.10. Electrical system according to one of claims 1 to 9, characterized in that there is at least one further memory area (5, 6, 7) which contains only functioning cells.
11. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass es eine eingebaute Selbsttesteinheit (8) enthält, die überprüft, ob Speicherbereiche (5, 6, 7) fehlerhaft sind und im Falle, dass sie fehlerhaft sind, den Speicherbereich, den Typ und die Anzahl der Fehler speichert, den Typ und die Anzahl der Fehler mit vorgegebenen Werten vergleicht und das Ergebnis dieses Vergleichs ausgibt.11. Electrical system according to one of claims 1 to 10, characterized in that it contains a built-in self-test unit (8), which checks whether memory areas (5, 6, 7) are faulty and in the event that they are faulty, the memory area , stores the type and number of errors, compares the type and number of errors with given values, and outputs the result of this comparison.
12. Elektrisches System nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Selbsttesteinheit (8) die Information, welcher Speicherbereich nur funktionierende Speicherzellen aufweist, und welcher Speicherbereich funktionierende und eine begrenzte Anzahl von defekten Speicherzellen aufweist, in das Register (9) schreibt.12. Electrical system according to claim 11, characterized in that the self-test unit (8) writes the information, which memory area only functioning memory cells, and which memory area has functioning and a limited number of defective memory cells in the register (9).
13. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Registerinformation in einem nicht-flüchtigen Speicher gespeichert wird.13. Electrical system according to one of claims 1 to 12, characterized in that the register information is stored in a non-volatile memory.
14. Elektrisches System, das einen Controller (2, 3) enthält, der auf einen Speicher und ein Register (9) zugreift, wobei der Controller (2, 3) während seines Bootvorgangs eine Information aus dem Register (9) liest und entsprechend der Registerinformation bestimmten Anwendungen Speicherbereiche (5 ,6, 7), die sowohl defekte als auch funktionierende Speicherzellen enthalten, zuweist und anderen Anwendungen Speicherbereiche (5, 6, 7), die nur funktionierende Speicherzellen aufweisen, zuweist.14. Electrical system comprising a controller (2, 3) accessing a memory and a register (9), wherein the controller (2, 3) reads information from the register (9) during its boot process and, according to the register information, assigns memory areas (5, 6, 7) containing both defective and functioning memory cells to specific applications and memory areas ( 5, 6, 7) having only functioning memory cells assigns.
15. Elektrisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Controller (2, 3) während eines Bootvorgangs des Systems die Registerinformation liest und entsprechend der Registerinformation den Anwendungen je nach Art der Anwendung Speicherbereiche (5, 6, 7), die nur funktio- nierende Daten aufweisen, oder Speicherbereiche (5, 6, 7), die funktionierende und eine begrenzte Anzahl von defekten Speicherzellen aufweisen, zuweist.15. An electrical system according to claim 14, characterized in that the controller (2, 3) during a booting of the system reads the register information and according to the register information to the applications depending on the type of application memory areas (5, 6, 7), the funktio only - Ning data, or memory areas (5, 6, 7), which have functioning and a limited number of defective memory cells assigns.
16. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 14 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass für Bild- und Sprachdaten derjenige Speicherbereich genutzt wird, der funktionierende und eine begrenzte Anzahl defekter Speicherzellen aufweist, und dass für Programmdaten derjenige Speicherbereich genutzt wird, der nur funktionierende Speicherzellen aufweist.16. Electrical system according to one of claims 14 to 15, characterized in that for image and voice data that memory area is used which has functioning and a limited number of defective memory cells, and that for program data that memory area is used which has only functioning memory cells ,
17. Elektrisches System nach einem der Ansprüche 15 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die defekten Zellen in dem Bereich, der funktionierende und eine begrenzte Anzahl defekter Speicherzellen aufweist, Einzelbitfehler sind. 17. Electrical system according to one of claims 15 to 16, characterized in that the defective cells in the area which has a functioning and a limited number of defective memory cells are single-bit errors.
18. Verfahren zum Testen von Speicherbereichen in elektrischen Systemen (1), das folgende Schritte enthält: a) Testen eines Speicherbereichs (5, 6, 7), b) Überprüfen, ob es im Speicherbereich (5, 6, 7) defek- te Zellen gibt, falls ja, Fortfahren mit Schritt c) , c) Überprüfen, ob die Fehler in dem Speicherbereich (5, 6, 7) eine vorgegebene Fehlerdichte nicht überschreiten und ob die Fehler zu einem bestimmten Fehlertyp gehören, d) falls die Überprüfung in Schritt c) nein ergibt, Aussortieren des elektrischen Systems (1) , sonst Fortfahren mit dem nächsten Schritt, e) Abspeichern der Information, ob der Speicherbereich (5, 6, 7) Fehler enthält, in einem Register (9) des elektrischen Systems (1) .18. A method for testing memory areas in electrical systems (1), comprising the following steps: a) testing a memory area (5, 6, 7), b) checking whether it failed in the memory area (5, 6, 7) If yes, continue with step c); c) checking if the errors in the memory area (5, 6, 7) do not exceed a predetermined error density and if the errors belong to a particular error type; Step c) no results, sorting out the electrical system (1), otherwise proceeding to the next step, e) storing the information as to whether the memory area (5, 6, 7) contains errors in a register (9) of the electrical system ( 1) .
19 . Verfahren nach Anspruch 18 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s es nach Schritt d) und vor Schritt e) einen Schritt dl) enthält, in dem defekte Zellen repariert werden.19. The method of claim 18, wherein after step d) and before step e), it contains a step d1) in which defective cells are repaired.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 19 dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Speicherbereiche (5, 6, 7) mit unterschiedlichen Fehlersignaturen getestet werden.20. The method according to any one of claims 18 to 19, characterized in that a plurality of memory areas (5, 6, 7) are tested with different error signatures.
21. Verfahren zum Testen von Speicherbereichen (5, 6, 7) in elektrischen Systemen (1) mit zumindest einem ersten und einem zweiten Speicherbereich (5, 6, 7) , das folgende21. A method for testing memory areas (5, 6, 7) in electrical systems (1) having at least a first and a second memory area (5, 6, 7), the following
Schritte enthält:Steps contains:
A) Testen eines ersten Speicherbereichs (5, 6, 7) mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, B) - falls das System (1) nicht im Schritt A) nicht aussortiert wurde und der erste Speicherbereich keine Fehler enthält, Testen eines zweiten Speicherbereichs mit einem der Verfahren nach einem der An- Sprüche 18 bis 20,A) testing a first memory area (5, 6, 7) with a method according to one of claims 19 to 21, B) - if the system (1) was not sorted out in step A) and the first storage area contains no errors, testing a second storage area with one of the methods according to any one of the claims 18 to 20,
- falls das System im Schritt A) nicht aussortiert wurde und der erste Speicherbereich (5, 6, 7) Fehler enthält, Testen des zweiten Speicherbereichs (5, 6, 7) und Aussortieren, wenn der zweite Spei- cherbereich (5, 6, 7) Fehler enthält, die nicht mit redundanten Zellen repariert werden können.if the system was not sorted out in step A) and the first memory area (5, 6, 7) contains errors, testing of the second memory area (5, 6, 7) and sorting out if the second memory area (5, 6, 7) contains bugs that can not be repaired with redundant cells.
22. Verfahren nach Anspruch 21 dadurch gekennzeichnet, dass entweder vor Schritt A) oder nach Schritt B) ein Schritt durchgeführt wird, bei dem ein dritter Speicherbereich (5, 6, 7) getestet wird, bei dem der dritte Speicherbereich (5, 6, 7) aussortiert wird, wenn er Fehler enthält, die nicht mit redundanten Zellen repariert werden können .22. The method according to claim 21, characterized in that either before step A) or after step B), a step is carried out in which a third memory area (5, 6, 7) is tested, in which the third memory area (5, 6, 7) if it contains errors that can not be repaired with redundant cells.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 22 dadurch gekennzeichnet, dass23. The method according to any one of claims 11 to 22, characterized in that
Ergebnisse des Verfahrens an ein externes Pin ausgegeben und von einem externen Testsystem ausgewertet werden. Results of the method are output to an external pin and evaluated by an external test system.
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