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Brevets

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Numéro de publicationWO2007094476 A1
Type de publicationDemande
Numéro de demandePCT/JP2007/052896
Date de publication23 août 2007
Date de dépôt9 févr. 2007
Date de priorité14 févr. 2006
Autre référence de publicationUS8097892, US20090127578, WO2007094476A8
Numéro de publicationPCT/2007/52896, PCT/JP/2007/052896, PCT/JP/2007/52896, PCT/JP/7/052896, PCT/JP/7/52896, PCT/JP2007/052896, PCT/JP2007/52896, PCT/JP2007052896, PCT/JP200752896, PCT/JP7/052896, PCT/JP7/52896, PCT/JP7052896, PCT/JP752896, WO 2007/094476 A1, WO 2007094476 A1, WO 2007094476A1, WO-A1-2007094476, WO2007/094476A1, WO2007094476 A1, WO2007094476A1
InventeursKyousuke Masuya
DéposantShowa Denko K.K.
Exporter la citationBiBTeX, EndNote, RefMan
Liens externes:  Patentscope, Espacenet
Diode electroluminescente
WO 2007094476 A1
Résumé
Cette invention concerne une diode électroluminescente (10) ayant une surface d'extraction lumineuse principale et comprenant une couche de composé semi-conducteur (13) formée de couches semi-conductrices (130 à 135), un élément électroluminescent (12) contenu dans la couche de composé semi-conducteur, une couche électroluminescente (133) contenue dans l'élément électroluminescent, un substrat transparent (14) joint à la couche de composé semi-conducteur, et une première et une seconde électrode (15, 16) de polarités inverses formées sur la surface d'extraction lumineuse principale sur le côté opposé au substrat transparent. La seconde électrode est formée à une position sur la partie de la couche de composé semi-conducteur découverte par enlèvement des couches semi-conductrices (132 à 134) et sa périphérie est entourée par ces couches. La surface d'extraction lumineuse principale présente une forme externe ayant une largeur maximale égale ou supérieure à 0,8 mm.
Description  disponible en Anglais
Revendications  disponible en Anglais
Citations de brevets
Brevet cité Date de dépôt Date de publication Déposant Titre
JP2003309286A * Titre non disponible
JP2004128321A * Titre non disponible
JP2004521494A * Titre non disponible
JP2005142602A * Titre non disponible
JP2005328080A * Titre non disponible
Référencé par
Brevet citant Date de dépôt Date de publication Déposant Titre
EP2398077A1 *8 févr. 201021 déc. 2011DOWA Electronics Materials Co., Ltd.Diode électroluminescente semi-conductrice et procédé de fabrication associé
EP2398077A4 *8 févr. 20101 janv. 2014Dowa Electronics Materials CoDiode électroluminescente semi-conductrice et procédé de fabrication associé
US89015843 mars 20102 déc. 2014Showa Denko K.K.Light emitting diode, light emitting diode lamp and illuminating device
US92874588 févr. 201015 mars 2016Dowa Electronics Materials Co., Ltd.Semiconductor light emitting diode and method of producing the same
Événements juridiques
DateCodeÉvénementDescription
24 oct. 2007121Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
15 août 2008NENPNon-entry into the national phase in:
Ref country code: DE
7 oct. 2008WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 12278648
Country of ref document: US
25 mars 2009122Ep: pct app. not ent. europ. phase
Ref document number: 07708412
Country of ref document: EP
Kind code of ref document: A1