WO2008001487A1 - Microstructural body and process for producing the same - Google Patents

Microstructural body and process for producing the same Download PDF

Info

Publication number
WO2008001487A1
WO2008001487A1 PCT/JP2007/000658 JP2007000658W WO2008001487A1 WO 2008001487 A1 WO2008001487 A1 WO 2008001487A1 JP 2007000658 W JP2007000658 W JP 2007000658W WO 2008001487 A1 WO2008001487 A1 WO 2008001487A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
microstructure
resist
protrusions
forming
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/000658
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Shinya Kunimatsu
Ryoji Kitada
Hiroshi Kitagaki
Hiroya Miyauchi
Original Assignee
Towa Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corporation filed Critical Towa Corporation
Publication of WO2008001487A1 publication Critical patent/WO2008001487A1/en

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022Electroplating of selected surface areas using masking means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a microstructure and a method of manufacturing the same.
  • the microstructure has a microstructure comprising one or more protrusions provided on a base member having a predetermined strength and a lower portion other than the one or more protrusions.
  • a mold having a microstructure will be described as an example of the background art.
  • a mold including at least a microstructure having a length of the order of submillimeter has been manufactured by the following method.
  • the first method is a method of machining (cutting or grinding) a steel-based material.
  • the second method is a method of electrical discharge machining a steel-based material.
  • a third method is a method using exposure-development, etching, and plating processes of a resist, which is known as a method for manufacturing a microstructure.
  • a method has been proposed in which a metallized layer having a fine structure is formed on a silicon substrate, and the metallized layer is peeled off from the silicon substrate to manufacture a mold composed of the metallized layer (for example, Patent Document 1 Paragraph [0 0 1 8], see Figure 1).
  • a silicon-containing resist is coated on a polymer (for example, polymethyl methacrylate; PMMA) coated on a silicon substrate. After that, the applied resist is exposed, developed and patterned.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • a fourth method is a method of using a process of exposure-development of a resist and plating, which is known as a method of manufacturing a microstructure.
  • the surface of the mold member is mirror-finished, a metallized portion having a fine structure is formed on the surface, and the tip of the metallized portion is polished or the like to a predetermined height (groove depth).
  • the desired pattern mold (nesting) is obtained with the final pattern having the same pattern finished precisely (for example, paragraph [0 0 2 5] _ [0 0 2 7] of Patent Document 2), Figure 1 See).
  • This method will be described below. First, the surface of mold parts made of high-speed tool steel (SKH) etc. is mirror-finished with high precision. Next, a resist or resist sheet is applied to or affixed to the mirror-finished surface.
  • a predetermined thickness of plating (which will be a preliminary mask pattern to be described later) is applied between the predetermined resist pattern (the portion where the resist is missing) obtained by patterning.
  • the resulting composite substrate is obtained.
  • the resist pattern in the composite substrate is stripped (removed) by, for example, a release agent, atsing or the like to obtain a mold having a preliminary mask pattern having a predetermined thickness.
  • the tip end portion of the plating portion having a predetermined thickness is machined (eg, polished) to a predetermined height (groove It is possible to obtain a desired molding die in which a final pattern having a depth) is precisely finished.
  • the mold needs to have a certain thickness, which causes a problem that it takes a long time for plating.
  • the demolding treatment when the demolding treatment is performed, there is a possibility that the fine structure of the mold consisting of the resin layer may be damaged or deformed.
  • the mold surface is used when the mold is used. There is a problem that high precision positioning is difficult. That is, it is difficult to position the mold surface with high accuracy in both the horizontal direction and the vertical direction.
  • the releasability in the portion where the resist pattern existed is poor.
  • the reason is as follows. In parts where the resist wedge pattern was present, no hard C r or N i etc. would be formed by plating, so in these parts a mold member made of high-speed tool steel etc. was exposed. Form the mold surface. Therefore, in the portion of the mold surface where the mold member is exposed, the adhesion to the cured resin or the like used in the resin molding becomes high (in other words, the releasability deteriorates).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-23863 1 (Page 3, Fig. 1)
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2 0 2 0 2 5 0 3 7 (Page 4, Figure 1) Disclosure of the Invention
  • the problem to be solved by the present invention is that, first, a microstructure having a microstructure and having a desired strength can not be produced in a short time. Next, desired positioning when used with and having microstructures The point is that it is difficult to manufacture a microstructure with accuracy.
  • the second problem is that it is difficult to produce a fine structure having a fine structure and excellent in low adhesion and antifungal properties. Next, there is a possibility that peeling, damage, deformation, etc. may occur when manufacturing a microstructure.
  • the microstructure according to the present invention comprises one or more protrusions (10, 45, 58) and one or more protrusions (10, 45, 58)
  • a resist layer (16) is formed on the conductive layer (9), The resist layer (16) is exposed and developed to form a resist pattern (24) having a recess (22) and a protrusion (23), and the conductive layer (9) exposed in the recess (22)
  • the fine structure (1, 28, 48, 49, 62) is formed by removing the resist pattern (24, 53) by forming one or more protrusions (10, 45, 58) on top of the At the same time, at least a part of the one or more projections (10, 45, 58) in the thickness direction is formed by the electrode.
  • the microstructure according to the present invention in the above-mentioned microstructure (48, 49), at least one protrusion (45) is exposed in the recess (22). Also, it is characterized in that the conductive layer (9) is formed in the recess (40) formed by etching.
  • microstructure according to the present invention in the above-mentioned microstructure (62),
  • another resist layer (50) is formed on the one or more protrusions (10) and the resist ridge pattern (24), and another resist layer is formed.
  • (50) is exposed and developed to form another resist pattern (53) having an opening (52) on at least a portion of the desired protrusion (10) of the one or more protrusions (10).
  • a step (59) is a step (59).
  • the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) is used in the above-mentioned microstructure (1, 28, 48, 49, 62).
  • the alignment mark (4) is formed on the non-contact part (3) which does not come in contact with other materials when the alignment mark (4) is formed by the resist layer (16) or another resist layer ( 50) It is characterized in that it is used for alignment at the time of exposure and alignment at the time of use of microstructures (1, 28, 48, 49, 62).
  • the microstructure in the above-mentioned microstructure (28), the microstructure may be formed by curing the filled fluid resin (31) or one or more protrusions (1) 0) and the lower part (11) are transferred to another material to form the mold surface of the mold (28) used in molding the molded article (37), and the microstructure
  • the surface (29) of (28) is characterized by being made of a material having low adhesion to the molded article (37).
  • a mold (28) having a microstructure is formed by resin-sealing chip-like electronic components (34) mounted on one surface of a substrate (33) having a plurality of through holes (35).
  • Product (37) which is a resin-sealed type used when molding a package, which is made of chip-like electronic components by curing of the flowable resin (31)
  • one or more of the protrusions (10, 45) are used.
  • , 58) is characterized in that it comprises a step of forming at least a part of the one or more protrusions (10, 45, 58) in the thickness direction by means of an electrode.
  • a recess is provided in the method of manufacturing a microstructure (48, 49) described above.
  • the recess (40) is formed by etching at least the conductive layer (9) exposed.
  • one or more of the plurality of protrusions may be formed after the step of forming the one or more protrusions (10).
  • the conductive layer (9) is formed on the base member (2) having a predetermined strength, and the conductive layer (9) is formed by plating a plurality of projections (10, 45, 58). Therefore, a plurality of bumps may be formed on the base member (2) having a predetermined strength.
  • a microstructure (10, 45, 58) is formed, and a microstructure having a large strength (compared to a mold made of the plated layer manufactured by peeling the plating layer from the silicon substrate) ( The result is 1, 28, 48, 49, 62).
  • the base member (2) is not exposed on the mold surface of the completed microstructure (1, 28, 48, 49, 62), the base member (2) is excellent even when it is made of a steel-based material. A fine structure (1, 28, 48, 49, 62) having a mildew resistance is obtained.
  • the resist layer (16) on the conductive layer (9) is exposed and developed to form a resist pattern (24) having a recess (22), and 22) to form one or more protrusions (10, 45, 58) on the conductive layer (9) exposed in step 22), and removing the resist pattern (24, 53) to obtain a microstructure (1, 28). , 48, 49, 62) are formed.
  • a microstructure (1, 28, 48, 49, 62) having excellent dimensional accuracy in a plane can be obtained.
  • the one or more protrusions (10, 45, 58) in the thickness direction is formed by the electrode, the one or more protrusions (10, 45) having a height and a large aspect ratio , 58) are formed in a short time (1, 28, 48, 49, 62).
  • one or more projections (45) are formed by plating at least in the depressions (40) formed by etching the conductive layer (9), and At least a part of the plurality of protrusions (45) in the thickness direction is formed by the electrode.
  • the bottom of the one or more projections (45) bites into at least the conductive layer (9). Therefore, the adhesion between the base member (2) and the plurality of protuberances (45) is improved by the so-called anchor effect (the anchoring effect).
  • Another resist pattern (53) having an opening (52) is formed by exposure 'development on at least a part of the desired protrusions (10) among the one or more protrusions (10). Then, by forming a columnar metal (55) by an electric wire at the opening (52), one or more higher projections (58) including the desired projection (10) and the columnar metal (55) are formed. A step (59) is formed at the boundary between the desired protrusion (10) and the columnar metal (55). As a result, there is formed a step (59), and a microstructure having one or more higher projections (58) with excellent dimensional accuracy in a plane can be obtained.
  • the alignment mark (4) formed on the non-contact portion (3) of the surface of the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) is a resist wedge layer. Used for alignment when exposing (1 6) or another resist layer (50) and for aligning when fine structures (1, 28, 48, 49, 62) are used .
  • the dimensional accuracy between the alignment mark (4) and the microstructure (12, 47, 61) is improved, and the microstructure When (1, 28, 48, 49, 62) is used, the dimensional accuracy with the object becomes better.
  • the microstructure (12, 47, 61) is formed on the mold surface of the mold (28), and the surface of the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) is formed. (2 9) is made of a material having low adhesion to the molded article (37). As a result, in the fine structure (12, 47, 61) formed on the mold surface of the mold (28), the releasability between the molded article (37) and the mold (28) is improved.
  • the plurality of projections (10) are arranged to close the plurality of through holes (35), and each of the plurality of projections (10) is a substrate Prevent flowable resin (31) from flowing out to the other side (39) opposite to one side in (33). Accordingly, there is obtained a microstructure (28) having a microstructure (12), that is, a mold (28) having a microstructure (12) such that resin leakage on the other surface (39) of the substrate (33) is prevented.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a microstructure according to a first embodiment.
  • FIG. 2 shows a base member which is a base material of the microstructure according to Example 2, and Fig. 2 (2)-(4) is a process of forming a conductive layer on the surface of the base member.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing, in order, each step from the step to the step of exposing the resist layer on the conductive layer.
  • FIG. 3 Fig. 3 (1)-(4) show the steps from forming the resist pattern on the conductive layer to forming the fine structure on the conductive layer to complete the fine structure.
  • FIG. 3 (1)-(4) show the steps from forming the resist pattern on the conductive layer to forming the fine structure on the conductive layer to complete the fine structure.
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an example in which a mold composed of a microstructure according to the present invention is used.
  • FIGS. 5 (1) to 5 (3) show the steps from the step of forming a recess in the conductive layer to the step of peeling (removing) the resist pattern when manufacturing the microstructure according to Example 4.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of each of FIG.
  • FIG. 5 (4) is a partial cross-sectional view showing a modification of the microstructure according to example 4.
  • FIGS. 6 (1) to 6 (4) are partial cross-sectional views sequentially showing each step of manufacturing a microstructure according to Example 5.
  • Chip Chip-like electronic component
  • Resin sealing body (molded article)
  • a fine structure (48, 49) is provided with a fine structure (47, 49) having a plurality of protrusions (45) and a groove (46) consisting of lower portions (46) other than the plurality of protrusions (45).
  • a base member (2) having strength, a conductive layer (9) formed on a part of a surface (6) of the base member (2), and a plurality of protrusions formed by plating on the conductive layer (9) (45) and. And the conductive layer
  • a resist pattern (24) having recesses (22) is formed, and etching is performed at least in the recesses (22) in the recesses (22).
  • recesses (40) are further formed in the base member (2), a plurality of projections (45) are formed in the recesses (40), and the resist pattern (24) is removed.
  • a microstructure (48, 49) is formed.
  • it is formed by plating which causes thin deposition of metal layer (hereinafter referred to as “function plating” as appropriate).
  • the fourth layer (44) formed on the third layer (41) in each of the plurality of protrusions (45) is formed by an electrode.
  • Example 1 of the microstructure according to the present invention will be described with reference to FIG.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a microstructure according to this example. Note that any figure used in the following description is schematically drawn with omission or exaggeration, as appropriate, for the sake of easy understanding.
  • a microstructure as a mold used for molding a molded article will be described.
  • the molded articles referred to here include resin materials such as cured resin, translucent materials (translucent resin, glass etc.) and the like.
  • the mold composed of the microstructure according to the present embodiment is used when molding a molded article containing another material.
  • the other material referred to here is basically a material other than the material constituting the mold, and is, for example, a material made of a resin material such as a cured resin, a translucent material or the like.
  • one example of the molded article mentioned here is one containing a cured resin (other material) formed by curing the flowable resin (other material) in the cavity provided in the molding die.
  • other examples of the molded product mentioned here are molded (hot-embossed, nano-imprinted) by transferring the microstructure of the mold to a material (other material) such as a resin material or a translucent material. It is.
  • the mold in this case is sometimes called a "stamper". Further, in this example, a mold used when molding a molded article by curing the flowable resin in the cavity will be described unless otherwise specified.
  • the mold 1 comprising the microstructure according to the present embodiment includes a base member 2 having a predetermined strength, and a noncontacting portion 3 at the end of the base member 2. And an alignment mark 4 formed of a narrow groove having a predetermined shape (for example, a “cross shape” but not limited thereto).
  • the non-contact part 3 means a fluid resin which is an object when the mold 1 is used, a translucent material, etc., that is, a portion which can not contact any of other materials.
  • a first layer 7 and a second layer 8 each made of a conductor are sequentially formed on the surface 6 of the base member 2 so as to entirely cover the contact portion 5.
  • the contact portion 5 is a fluid resin which is an object when the mold 1 is used, a translucent material Etc., that is, parts that may come into contact with any of the other materials
  • the first layer 7 and the second layer 8 are respectively N i layers formed by plating, and collectively constitute the conductive layer 9.
  • a plurality of fine projections 10 are formed on the conductive layer 9. Between the projections 10, a portion (lower portion) having a narrow width and a low surface, ie, a groove 11 other than the projections 10 is formed.
  • the plurality of projections 10 and the plurality of grooves 11 together constitute a microstructure 12.
  • the protrusion 10 is formed of a third layer 13 formed sequentially on the conductive layer 9 and each made of a conductor and a fourth layer 14 having a thickness.
  • the third layer 13 and the fourth layer 14 are Ni layers formed by plating in a state in which the groove 11 is closed by a resist layer (described later).
  • the lowermost third layer 13 is plated with a functional plating (plating for thinly depositing a metal layer (specifically, a Ni layer) while activating the plating surface).
  • the fourth layer 14 which is a portion other than the lowermost layer is formed by an electric wire, respectively. Therefore, the fourth layer 14 which is a thick layer of the protrusion 10 is formed by the electrode. As a result, the thick portion in the fine structure 12 is formed by the electric wire. Therefore, the height of the protrusion 10 of the fine structure 12 can be increased in a short time.
  • Base member 2 having a predetermined strength will be described.
  • the “predetermined strength” mentioned above refers to the mechanical strength required for the mold 1, ie, the mechanical pressure applied to the mold 1 when the mold 1 is used. Say the degree of strength that can be achieved.
  • “mechanical pressure” is, for example, the following pressure.
  • a molded article is formed by transferring the microstructure 1 2 of the mold 1 to a resin material such as a cured resin or a translucent material, that is, mechanical added to the mold 1 by hot embossing or the like. It is a pressure.
  • the first to fourth layers 7, 8, 1 3, and 14 will be described.
  • the first layer 7 is an N i layer formed by functional plating
  • the second layer 8 is an N i layer formed for the purpose of thickening by sulfamic acid plating.
  • the third layer 13 is an Ni layer formed by functional plating in a state where the groove 11 is closed by a resist layer (described later).
  • the fourth layer 14 is formed by sulfamic acid plating in a state in which the groove 11 is closed by the resin wedge layer (described later), and has a thickness larger than that of the third layer 13. It is a thick Ni layer. Therefore, the conductive layer 9 and the protrusion 10 contain the common metal element N i.
  • the fourth layer 14 formed by the sulfamic acid plating corresponds to the layer formed by the electrode.
  • Ni is a material having low adhesion to a resin material such as a cured resin, which is a material constituting at least a part of a molded product, a light-transmissive material or the like.
  • low adhesion refers to “comparison between the adhesion between steel materials, cemented carbides, etc., which are conventional mold materials, and materials such as resin materials, translucent materials, etc. In this case, it means “low adhesion”.
  • the alignment mark 4 In the alignment mark 4, the dimensions (width, length) of the alignment mark 4 itself and the distance between the alignment marks 4 are previously processed with high accuracy.
  • the alignment mark 4 functions as a reference for alignment both in the step of forming the microstructure 12 in the base member 2 and in the step of manufacturing a molded product using the completed mold 1. .
  • a fine structure 12 is formed, which is mainly formed by an electric wire through and has a protrusion 10 consisting of an N i layer.
  • the mold consisting of the plating layer manufactured by peeling the plating layer from the silicon substrate (microstructure Microstructures with greater strength are obtained compared to the body).
  • the conductive layer 9 is formed on the base member 2 by plating, and the protrusions 10 are formed sequentially by mainly using an electrode, so that a microstructure having high strength can be obtained in a short time.
  • a structure (mold 1) is obtained.
  • the first layer 7 which is a layer in contact with the base member 2 in the conductive layer 9 and the lowermost layer in the protrusion 10 are conductive.
  • the third layer 13 which is a layer in contact with the layer 9 is a Ni layer formed by functional plating.
  • this function plating has the purpose of improving the adhesion between the Ni layer formed by the plating and the metal layer in contact therewith.
  • this function plating has the purpose of improving the covering power of the Ni layer formed by the plating.
  • the adhesion between the base member 2 and the second layer 8 through the first layer 7 and the second through the third layer 13 The adhesion between the layer 8 and the fourth layer 14 is improved. Therefore, a microstructure (molding die 1) having excellent adhesion between the base member 2, the conductive layer 9, and the microstructure 12 can be obtained.
  • the step of forming the microstructure 12 in the base member 2 and in the step of using the finished microstructure ie, the step of using the mold 1 to produce a molded article
  • Act as a reference for the dimensional accuracy between the alignment mark 4 and the microstructure 12 in the microstructure (molding die 1) is improved, and the dimension between the microstructure 12 of the molding die 1 and the molded article is improved.
  • Legal accuracy will be good. Therefore, good dimensional accuracy can be obtained both in the finished fine structure, the mold 1 which is a finished microstructure, and in the resulting product manufactured using this, ie, the molded product.
  • the conductive layer 9 and the projections 10 are formed of Ni, but the invention is not limited thereto, and the possibility of contact of the microstructures is also possible.
  • the type of metal can be changed according to the characteristics of a given substance. For example, when a microstructure is used as a mold for transferring a microstructure to a glass, P t (platinum) forms at least a second layer 8 of the conductive layer 9, P t ⁇
  • the protrusion 10 may be formed by R e (platinum, rhenium). As a result, a mold for hot embossing (nano imprinting) with excellent mold releasability to glass can be obtained.
  • the conductive layer 9 and the protrusion 10 contain the common metal element N i (or P t). Not limited to this, depending on the combination of the metal constituting the conductive layer 9 and the protrusion 10, the conductive layer 9 and the protrusion 10 may not need to have a common metal element.
  • the following materials can be used as materials for forming the conductive layer 9 and the protrusions 10. First, as single metal plating, Cu (copper), Cr (chrome), Z n (zinc), Sn (tin), P b (lead), Au (gold), Ag (silver), etc. Can be used.
  • alloy plating use Cu Z Z n, C u-S n, P b-S n, S n-Z n, Z n-N i, Fe (iron) and Ni etc. Can.
  • dispersion (composite) plating materials such as nickel-alumina, silicon carbide can be used. Among these, suitable materials are selected according to the characteristics of the substance with which the microstructure (mold 1) contacts, the adhesion required between the base member 2 and the conductive layer 9 and the microstructure 12 and the like. Choose.
  • the conductive layer 9 may be formed of one layer.
  • the conductive layer 9 is formed by functional plating or ordinary plating (for example, sulfamic acid plating etc.), and the third layer 13 is formed by functional plating, and thereafter, it is electrically The fourth layer 14 will be formed.
  • the fine structure 12 may have the following structure. that is, A third layer 13 is formed on the conductive layer 9 by functional plating, another conductive layer is formed thereon by plating, and a thick conductive layer is formed on the conductive layer by an electrode. It is a laminated structure in which four layers (corresponding to fourteen layers) are formed. Furthermore
  • the conductive layer may be formed by functional plating between the conductive layer formed by other plating and the conductive layer formed by the electrode.
  • the conductive layer 9 may be formed using a known film forming method other than plating. As a well-known film-forming method, vapor deposition, sputtering, C V D, etc. may be mentioned. Here, the material constituting the conductive layer 9 may contain at least one of a metal-based material and a carbon-based material.
  • the second layer 8 and the fourth layer 14 may be formed using metals other than Ni, respectively.
  • the first layer 7 which is the base layer of the second layer 8 and the third layer 13 which is the base layer of the fourth layer 14 are each provided with a functional Ni layer. It can be formed as Furthermore, the first layer 7 and the third layer 13 may be formed of a suitable metal other than Ni, depending on the function. As a result, the adhesion between the base member 2 and the second layer 8 is improved through the first layer 7, and the second layer 8 and the fourth layer are increased through the third layer 13. Adhesiveness with 14 improves.
  • the base member 2 is made of a metal material such as a steel-based material
  • the base member 2 may be made of a nonconductive material having a predetermined strength.
  • the non-conductive material for example, ceramics, glass, engineering plastics, etc. can be used.
  • Example 2 of the microstructure (the mold 1 of FIG. 1) according to the present invention and the method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS.
  • Figure 2 (1) shows the base member which is the base material of the minute structure which relates to this execution example
  • Figure 2 (2) _ (4) is the base member
  • FIG. 16 is a partial cross-sectional view sequentially showing each step from the step of forming a conductive layer on the surface of the step to the step of exposing a resist layer on the conductive layer.
  • Fig. 3 (1) _ (4) sequentially shows each process from forming a resist pattern on the conductive layer to forming a microstructure on the conductive layer to complete the microstructure.
  • a base member 2 made of a steel material, a cemented carbide, a metal material such as aluminum, and having a predetermined strength is prepared, and is opposed to the surface 6
  • the surface 6 is previously polished on the basis of a reference surface (not shown; located on the lower side in the figure) which is a plane substantially parallel to this. Thereby, the parallelism between the reference surface and the surface 6 can be improved.
  • a registration mark 4 having a “X” shape is formed in advance using a slicer or the like. Here, machining is performed so that the dimensions (width, length) of the alignment mark 4 itself and the distance between the alignment mark 4 become high precision. Thereafter, the surface 6 is washed.
  • a masking tape 15 is attached so as to cover the alignment marks 4 in the non-contact portion 3 and their surroundings.
  • the functional plating forms a first layer 7 of Ni layer.
  • a second layer 8 made of Ni layer is formed on the first layer 7 by sulfamic acid plating.
  • the first layer 7 and the second layer 8 each consisting of a Ni layer formed by plating together constitute a conductive layer 9.
  • the first layer 7 is formed by functional plating to remove deposits (soils) such as oil adhering to the surface 6 and to be replaced with Ni. Therefore, the adhesion between the base member 2 and the second layer 8 through the first layer 7 is improved.
  • functional plating is applied for a short time using special operating conditions or bath composition.
  • a resist wedge layer 16 composed of a positive type photoresist is formed on the conductive layer 9. .
  • a film resist which has been formed in a film form, is attached onto the conductive layer 9 so that no bubbles are generated.
  • a roll coater may be used with the masking tape 15 attached, or a spin coater may be used depending on the shape and size of the base member 2.
  • a photomask 17 is directly disposed on the resist layer 16.
  • a predetermined light shielding pattern 18, which is a black portion, and an alignment pattern 19 at a position corresponding to the alignment mark 4 of the base member 2 are formed on the lower surface of the photomask 17.
  • the photomask 17 use the alignment pattern 19 and the alignment mark 4 on the surface 6 of the base member 2 using the alignment optical system (not shown) of the exposure machine. Align horizontally and vertically (Z direction).
  • the resist layer 16 is irradiated with ultraviolet light 20 through a photomask 17 using a light exposure machine to expose the resist layer 16 (contact exposure).
  • the irradiated portion of the resist layer 16 is decomposed to change the irradiated portion to the soluble portion 21.
  • the soluble portion 21 is soluble in a predetermined developer.
  • ultraviolet rays 20 or X-rays can be used as light rays for exposure.
  • the U V — L I G A process using ultraviolet light 20 is adopted. This reduces the cost for manufacturing the mold 1. Note that, depending on the degree of fineness required for the fine structure 12, it is possible to adopt an X-ray single LIGA process.
  • the resist layer 16 exposed on the base member 2 is developed using a predetermined developer.
  • the concave portion 22 formed by melting the soluble portion 21 of FIG. 2 (4) in the developer and the remaining resist layer 16 (FIG. And a convex portion 23 formed of the conductive layer 9 are formed on the conductive layer 9.
  • the recess 22 and the protrusion 23 together constitute a resist pattern 24.
  • a masking tape 25 is applied so as to cover the alignment marks 4 in the non-contact part 3 and their surroundings.
  • a third layer 13 consisting of a Ni layer is formed by functional plating on the base member 2 on which the resist pattern 24 is formed.
  • a thick layer 26 consisting of a Ni layer is formed on the third layer 13 by sulfamic acid plating.
  • the formation of the thick layer 26 by the sulfamic acid plating corresponds to the formation by the electrode.
  • the third layer 13 consisting of Ni layer formed by plating in the recess 2 2 (refer to FIG. 3 (1)) and the thick layer 26 together constitute a columnar metal 27.
  • functional plating is applied for a short time using special operating conditions or bath composition.
  • the surface of the conductive layer 9 is activated, and residues of the resist layer 16 (see FIG. 2 (4)) on the surface, etc. The deposits (dirt) are removed and replaced with Ni.
  • the adhesion between the conductive layer 9 (see FIG. 3 (1)) and the thick layer 26 via the third layer 13 is improved.
  • the planar shape of the columnar metal 27 may be formed into a polygon other than a square, a circle, an ellipse, or the like. Can be changed regularly or irregularly.
  • the top portion of the thick layer 26 shown in FIG. 3 (2) ie, the columnar metal 27. Polish the top.
  • the tops of the columnar metals 27 are polished to form a plurality of protrusions 10 each having a constant height.
  • the term “grinding” as used herein means processing to lower the top of the columnar metal 27 in a flat state, and also includes grinding, lapping, grinding, grinding, and the like.
  • the columnar metal 2 7 is referred to a reference surface (not shown; located on the lower side in the drawing) which is a surface opposite to the surface 6 (see FIG. 2 (1)) of the base member 2.
  • the top of the It is preferable to polish the top of the. Thereby, the parallelism between the reference surface, the surface 6 and the top surface of the protrusion 10 can be improved.
  • only the tops of the columnar metals 27 may be polished to make their tops constant height, and the tops of the columnar metals 27 and the upper surfaces of the protrusions 23 of the resist pattern 24 may be polished together. They may be in the same plane (so-called flush).
  • the thick layer 26 whose top is polished corresponds to the fourth layer 14.
  • the resist pattern 2 4 (see FIG. 3 (3)) is peeled off (removed) from the base member 2 on which the conductive layer 9 and the plurality of protrusions 10 are formed. ).
  • the mold 1 made of a microstructure is cleaned. This completes the microstructure (mold 1) shown in FIG.
  • the first method is 0 2 (oxygen) atsing.
  • the second method is to apply ultrasonic vibration when cleaning the microstructure using a cleaning solution such as acetone.
  • a third method is to remove resist residue by functional plating to activate the surface of the microstructure and to actively release air bubbles.
  • a reference surface (not shown; located on the lower side in the drawing) which is a surface facing the surface 6 of the base member 2 and an alignment mark 4 formed on the non-contact portion 3 at the end of the surface 6 Produce a fine structure based on the standard .
  • a microstructure (mold 1) having good dimensional accuracy as follows:
  • the restriction on the shape of the protrusion 10 is reduced as compared with the conventional technique of forming a fine structure by cutting, grinding, electric discharge machining or the like.
  • a large number of projections 10 having a large height and a high aspect ratio can be formed in a short time.
  • a microstructure (mold 1) having the large number of projections 10 can be manufactured in a short time.
  • the first layer 7 of the conductive layer 9 and the third layer 13 of the columnar metal 27 are formed by functional plating, respectively.
  • the thick layer 26 of the columnar metal 27 is formed by the electrode on the third layer 13 and the top surface of the thick layer 26 is polished in a state where the resist pattern 24 is formed.
  • a plurality of projections 10 Therefore, a fine structure having a plurality of projections 10 having a plurality of projections 10, a good adhesion between the conductive layer 9 and the base member 2, and a high dimensional accuracy in the height direction (molding die 1) Can be manufactured.
  • the top surface of the thick layer 26 is polished.
  • a microstructure 12 is formed on the base member 2 having a predetermined strength by plating including an electrode.
  • a microstructure having excellent strength as compared with the prior art in which the plating layer is peeled off from the master pattern to create a mold consisting of the plating layer (molding die 1 Can be manufactured in a short time.
  • the occurrence of peeling, damage, deformation, etc. in the fine structure 12 is prevented. be able to.
  • the Ni layer is formed on the entire surface of the contact portion 5 (see FIG. 1) which is a portion in contact with the flowable resin or the like. By forming, it is possible to manufacture a microstructure (mold 1) having excellent low adhesion and anti-mold properties.
  • the use of the UV-LIGA process can reduce the cost associated with manufacturing equipment.
  • a microstructure (mold 1) having a microstructure 12 with good dimensional accuracy and excellent adhesion to the base member 2 is manufactured at low cost. can do.
  • a resist layer 16 made of a positive type photoresist was used.
  • the present invention is not limited to this, and a combination of a negative photoresist and a photo mask having a pattern obtained by inverting the light shielding pattern 18 of the photo mask 17 can also be used.
  • a plurality of protrusions 10 having a substantially tapered (trapezoidal) cross-sectional shape can also be formed.
  • an appropriate photo resist, and a mask having a pattern corresponding to the photo resist move the photo mask minutely in the horizontal direction of FIG. 2 (4).
  • the contact exposure is performed in which the lower surface of the mask 17 and the upper surface of the resist wedge layer 16 are brought into close contact and exposed.
  • proximity exposure may be performed in which the distance between the lower surface of the photomask 17 and the upper surface of the resist layer 16 is maintained at about several tens / m.
  • the upper surface of the resist layer 16 and the surface of the noncontact portion 3 of the surface 6 of the base member 2 be located at substantially the same vertical direction (Z direction).
  • the non-contact portion 3 of the portion other than the periphery of the alignment mark 4 and the whole of the contact portion 5 are previously cut by a depth approximately equal to the thickness of the resist layer 16 It is preferable to add it.
  • This processing can be done by machining (for example, by grinding after cutting).
  • both of the alignment pattern 19 provided on the lower surface of the photomask 17 and the alignment mark 4 on the surface of the non-contact portion 3 are of the alignment optical system (not shown). It is possible to locate within the depth of focus.
  • the alignment in the horizontal direction (XY direction) of the base member 2 and the photomask 17 can be performed with high accuracy.
  • alignment in the vertical direction (Z direction) in other words, focusing when exposure is performed It can be done with high accuracy.
  • the alignment mark 4 can be formed on another member.
  • the surfaces of the other member and the base member 2 may be machined.
  • the portion other than the periphery of the alignment mark 4 may be previously dug to a depth substantially equal to the thickness of the resist layer 16.
  • the separate member may be made of a non-conductive material. According to this configuration, it is not necessary to apply the masking tape 15, and the conductive layer 9 can be formed on the entire surface 6 of the base member 2.
  • the alignment mark 4 can be formed at the end of the base member 2. Furthermore, in this case, as described above, the portion other than the periphery of the alignment mark 4 may be previously dug to a depth substantially equal to the thickness of the resist layer 16. According to this configuration, the step of providing a separate member at the end of the base member 2 can be omitted by using the integral base member 2.
  • the columnar metal is formed in the state where the resist pattern 24 is formed.
  • polishing is not always necessary. The same is true for the other embodiments, as it is not always necessary to polish the top of the columnar metal.
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an example in which a mold comprising the microstructure according to the present invention is used. In FIG. 4, the detailed structure as a fine structure is not shown.
  • a lower structure 28 which is a microstructure and corresponds to the mold 1 of FIG. 1 has a plurality of projections 10 and a groove 11 between the plurality of projections 10. It has a fine structure 12.
  • the mold surface of the lower mold 28, that is, the surface 2 9 shown in FIG. 4 is another material other than the material constituting the lower mold 28 (for example, a resin material such as a cured resin, a translucent material Etc.) is made of a material (eg, N.sub.i) having low adhesion.
  • An upper die 30 is disposed opposite to the upper portion of the lower die 28 and the upper die 30 is provided with a cavity 32 which is a space filled with the flowable resin 31. .
  • a substrate 33 consisting of a lead frame is mounted on the lower mold 28 and a chip-like electronic component such as a semiconductor chip, ie, a chip 34, is mounted on the upper surface of the substrate 33.
  • the substrate 33 is provided with a plurality of through holes 35.
  • the substrate 33 is placed on the lower mold 28.
  • the substrate 33 is aligned with the lower mold 28 so that the plurality of through holes 35 are closed by the plurality of projections 10 of the lower mold 28.
  • the alignment mark 4 shown in FIG. Not shown is used.
  • the plurality of projections 10 shown in FIG. 4 are formed in portions which may come in contact with the flowable resin 31, ie, the contact portions 5 (see also FIG. 1).
  • the alignment mark (not shown) is for the flowable resin 31 It is formed in the part where there is no possibility of contact, ie non-contact part 3 (see also FIG. 1). Then, as described in the second embodiment, in the step of exposing the resist layer 16, the alignment mark 4 is used when aligning the photomask 17 and the base member 2 (see FIG. 2). (See 4)). Therefore, the alignment mark 4 shown in FIG. 1 _ FIG. 3 is a process in which the resist layer 16 is exposed (see FIG. 2 (4)) and in which the fine structure (lower mold 28) is used. Both are used respectively.
  • a molded article is obtained by resin-sealing the chip 34 on the substrate 33 by resin foam molding using a mold (lower mold 28) comprising the microstructure according to the present invention.
  • a mold lower mold 28
  • the flowability of the thermosetting resin such as epoxy resin is achieved by the plunger (not shown). Press the resin 31 to fill the cavity.
  • the flowable resin 31 is cured to form a cured resin 36.
  • the resin sealing body 37 including the substrate 33, the chip 34 and the cured resin 36 is completed.
  • both the fluid resin 31 and the cured resin 36 obtained by curing the resin are contained in at least a part of the molded resin article 3 7. These correspond to materials other than the materials that make up the mold, that is, other materials.
  • the plurality of through holes 3 possessed by the substrate 3 3 with respect to the plurality of protrusions 10 possessed by the lower mold 2 8 Use the alignment mark 4 shown in Figure 1 (not shown in Figure 4) when aligning 5 each.
  • the alignment mark (not shown in FIG. 4) and the plurality of protrusions 10 are formed with high dimensional accuracy in the horizontal direction.
  • the plurality of through holes 35 can be aligned with high accuracy with respect to the plurality of projections 10 in the horizontal direction. it can.
  • the plurality of projections 10 have a uniform height.
  • the flowability resin 31 is filled in the cavity 32 with the plurality of through holes 35 completely blocked by the plurality of projections 10.
  • the plurality of protrusions 10 Only the vicinity of the outer edge of the portion (terminal) of the substrate 33 sandwiched by the through holes 35 is supported by the plurality of protrusions 10.
  • the contact pressure is increased at the supported portion of the terminal, so that the leakage of the flowable resin 31 to the lower surface 39 of the substrate 33 is prevented.
  • the surface 29 of the lower mold 28 is made of a material having low adhesion to the material forming at least a part of the resin sealing body 37.
  • the molding die 2 8 made of the microstructure according to the present example As described above, according to the molding die 2 8 made of the microstructure according to the present example, the leakage of the flowable resin 31 to the lower surface 39 of the substrate 33 is prevented. Therefore, since the leaked flowable resin 31 is cured to prevent the formation of resin burrs, the yield in manufacturing the package and the quality of the package are improved. In addition, the releasability between the resin sealing body 37 and the molding die 28 is improved.
  • the microstructure according to the present invention can be applied.
  • the microstructure according to the present invention can be applied to resin molding other than resin sealing, as long as the purpose is to close the through hole of the member to be inserted into the molded body.
  • Example 4 relating to a microstructure according to the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS. 5 (1) to (3).
  • 5 (1) to 5 (3) show each process from the process of forming the recess in the conductive layer to the process of removing (removing) the resist pattern in manufacturing the microstructure according to this example. Each is a partial sectional view shown.
  • the features of the microstructure according to the present embodiment are: between the plurality of protrusions and the base member Adhesion is better than the microstructure shown in FIG. This feature is obtained by the so-called anchor effect (casting effect).
  • the method of manufacturing a microstructure according to the present invention is the same as that of Example 2 up to the state shown in FIG. 3 (1). Then, from this state, as shown in FIG. 5 (1), a groove-like recess 40 is formed in the conductive layer 9 exposed in the recess 22 of the resist pattern 24 by etching.
  • etching any one that can remove the conductive layer 9 may be used, and for example, electrolytic etching, wet etching, dry etching or the like can be used.
  • the recess 40 may be formed only in the second layer 8 as shown in FIG. 5 (1), or may be formed over both the second layer 8 and the first layer 7. In the usual case, as shown in FIG. 5 (1), the recessed portion 40 has a tapered cross-sectional shape that spreads upward by being side-etched during etching.
  • the third layer 41 made of Ni layer is formed by functional plating in the recess 40, and thereafter, the third layer 41 of the third layer 41 is formed.
  • a thick layer 42 of Ni layer is formed on top by sulfamic acid plating. This process is the same as the process shown in Fig. 3 (2).
  • the third layer 41 made of Ni layer and the thick layer 42 which are respectively formed by plating in the recess 22 (see FIG. 5 (1)), together form a columnar metal 43.
  • the formation of the thick layer 42 by the sulfamic acid plating corresponds to the formation by the electrode.
  • the top of the thick layer 42 ie, the top of the columnar metal 43 is polished .
  • a plurality of projections 45 each having a constant height, consisting of the third layer 41 and the fourth layer 44 are formed, and the resist pattern 24 is peeled off (removed) from the base member 2 and thereafter Do the cleaning.
  • a microstructure having a microstructure 47 composed of a plurality of projections 45 and grooves 46, ie, a mold 48 is completed.
  • the third layer 41 which is the lowermost layer of the plurality of protrusions 45, functions in the recess 40 formed by the etching of the conductive layer 9. It is formed by
  • a fourth layer 44 which is a portion other than the third layer 41 in the plurality of protrusions 45 is formed on the third layer 41 by an electrode.
  • the bottoms of the plurality of protrusions 45 are formed so as to bite into the conductive layer 9 in the depressions 40 formed in the conductive layer 9. Therefore, in addition to the effect of improving the adhesion by the third layer 41, which is a Ni layer formed by functional plating, the base member 2 and the plurality of protrusions 45 by the so-called anchor effect (the anchoring effect). The adhesion between the two improves when.
  • FIG. 5 (4) is a partial cross-sectional view showing a modification of the microstructure according to Example 4.
  • the illustrated ⁇ bump portion 40 is formed deeper to form a recessed portion 40 across the base member 2 as well as the conductive layer 9. ing.
  • the microstructure shown in FIG. 5 (4), ie, the mold 4 9 is completed.
  • the base member 2 and the plurality of protrusions are The adhesion between 4 and 5 is further improved.
  • the first reason is that, in the mold 49, the plurality of projections 45 not only bite into the conductive layer 9, but also bit deeply into the base member 2.
  • the portion biting into the base member 2 is formed by the third layer 41 formed by the functional plating and the fourth layer formed by the electrode plate. It means that both layers are 4 and 4.
  • the contact area between the base member 2 and the plurality of protrusions 45 is larger than that of the mold 48 shown in FIG. 5 (3). . Therefore, according to this modification, a microstructure having an improved adhesion between the base member 2 and the plurality of protrusions 45 can be obtained, That is, a mold 4 9 is obtained.
  • the microstructures according to the present embodiment and the modification thereof are also applied to the molding die shown in FIG.
  • the mold is a mold for preventing leakage of the flowable resin, and is represented by a mold for resin sealing.
  • anisotropic etching may be used when forming the recess 40.
  • the recess 40 has a cross-sectional shape of substantially the same size in the vertical direction.
  • the adhesion between the base member 2 and the plurality of projections 45 is further improved by the anchor effect (the anchoring effect).
  • the concave portion 40 having a tapered cross-sectional shape that spreads upward is formed by side etching. It is preferable to do this.
  • FIGS. 6 (1) to 6 (4) are partial cross-sectional views sequentially showing each step of manufacturing the microstructure according to this example.
  • the feature of the microstructure according to the present embodiment is that at least a part of the plurality of protrusions has a structure having one or more steps, that is, a multistage structure.
  • the method for producing a microstructure according to the present invention is the same as that of Example 2 up to the state shown in FIG. 3 (3). Then, from this state, as shown in FIG. 6 (1), in other words, a plurality of projections 10 and a resist pattern (see FIG. 3 (FIG. Another resist layer 50 is formed on the conductive layer 9 via the convex portion 23 of the resist pattern 24 of 1). The convex portion 23 and another resist layer 50 together constitute the entire resist layer 51.
  • This process is basically the same as the process shown in Fig. 2 (3).
  • FIG. 6 (2) another resist layer 50 is exposed using a photo mask (not shown) and developed, and a desired protrusion of the plurality of protrusions 10 is obtained.
  • An opening 52 is formed on 0 (which may be part of a plurality of projections 10 or all).
  • the openings 52 formed in another resist layer 50 are shown in FIG. This corresponds to the recess 22 of the resist pattern 24 shown in 1).
  • the entire resist pattern 54 consisting of the convex portion 23 of the resist pattern 24 and another resist pattern 53 is formed.
  • the area to be exposed may be the same area as the upper surface of the desired projection 10 or may be an area narrower than the upper surface.
  • sulfamic acid is plated on the fourth layer 14 in the desired projection 10 (see FIG. 6 (2)) in each opening 52.
  • a second thick layer 55 composed of an Ni layer is formed.
  • the fourth layer 14 formed of sulfamic acid and the second thick layer 55 together form a whole thick layer 56.
  • the top of the entire thick layer 56 ie, the top of the second thick layer 55, is polished.
  • a plurality of projections 5 8 (see FIG. 6 (4)), each of which has a constant height, is formed of the third layer 13, the fourth layer 14 and the fifth layer 57.
  • the fourth layer 14 and the second step in the desired protrusion 10 are formed.
  • a step 59 can be formed at the boundary with the thick layer 55.
  • the formation of the fourth layer 14 and the second thick layer 55 by the sulfamic acid plating, that is, the formation of the entire thick layer 56 corresponds to the formation of the electric layer.
  • the second thick layer 55 whose top is polished corresponds to the fifth layer 57.
  • the surface of the fourth layer 14 in each of the openings 52 is activated, and deposits (contamination) such as residue of another resist layer 50 on the surface are removed.
  • the Ni layer may be formed by functional plating on the fourth layer 14.
  • a second thick layer 55 is formed on the Ni layer by sulfamic acid plating.
  • another resist pattern 53 having an opening 52 is formed on at least a portion of the protrusions 10 by exposure ⁇ development.
  • a second step thick layer 55 is formed using an electrode at the opening 52, and if necessary, the upper surface of the second step thick layer 55 is polished, and thereafter the entire resist pattern is formed.
  • the step 59 is formed at the boundary between the plurality of protrusions 10 and the second thick layer 55.
  • a plurality of protrusions 58 have a protrusion with a step 59, a protrusion without a step 59 and a protrusion with a low height at the same time. It can be formed.
  • the light shielding pattern 1 8 (refer to FIG. 2 (4)) of the photomask 17
  • a microstructure having various fine dimensions and shapes can be obtained.
  • a mold 62 composed of such a microstructure is used for the production of a molded article.
  • the upper surface of the second thick layer 55 is polished if necessary from the state shown in FIG. 6 (3).
  • a third resist layer is formed on the entire resist pattern 54 and the polished second thick layer 55, and the third resist layer is exposed and developed to form an opening. Form.
  • the entire resist pattern 54 is removed. This makes it possible to manufacture a mold provided with a microstructure having two steps (in other words, a three-step structure). The same can be applied to a mold provided with a microstructure having a multistage structure of four or more stages.
  • the microstructure according to this example is also applied to the molding die shown in FIG.
  • the mold is a mold for preventing leakage of the flowable resin, and is typified by a mold for resin sealing.
  • the microstructures shown in Embodiments 1 to 4 are provided with a plurality of projections having a cross section close to a square, in other words, a plurality of projections having a small aspect ratio. It was Not limited to this, it is also possible to form a plurality of projections having a large aspect ratio by using a resist wedge layer having an appropriate thickness and a phonon mask having a light shielding pattern of an appropriate size.
  • a plurality of protrusions having a large aspect ratio can be formed as a whole. By these, it is possible to form a fine structure having an overall shape like a sword.
  • the present invention can also be applied to a fine structure having one protrusion and a portion other than the protrusion (a portion having a low surface, ie, a low portion).
  • a microstructure having one protrusion is used, for example, as a probe.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and any combination, modification, or selection may be made arbitrarily and appropriately as needed without departing from the spirit of the present invention. Can be adopted.

Abstract

A microstructural body that has microstructures, each having desirable strength and positioning accuracy, and that further excels in low adherence and rustproof properties. There is provided molding die (1) (microstructural body) with microstructure (12) having multiple projections (10), employed in production of molded items through hardening of charged fluid resin or through transfer of microstructure onto a translucent material. The molding die comprises base member (2) with given strength; conductive layer (9) formed by Ni plating at part of the surface of the base member (2); and multiple projections (10) formed by plating on the conductive layer (9) and containing Ni being a metal element common to the conductive layer (9). In the conductive layer (9), each of first layer (7) in contact with the base member (2) and third layer (13) constituting the lowermost layer of the multiple projections (10) is formed by functional plating. Fourth layer (14) being a layer other than the third layer (13) of the multiple projections (10) is formed by electroforming.

Description

明 細 書  Specification
微細構造体及びその製造方法  Microstructure and method for manufacturing the same
技術分野  Technical field
[0001 ] 本発明は、 微細構造体及びその製造方法に関するものである。 この微細構 造体は、 所定の強度を有するベース部材の上に設けられた 1又は複数の突起 と該 1又は複数の突起以外の低位部とからなる微細構造を有している。 背景技術  TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a microstructure and a method of manufacturing the same. The microstructure has a microstructure comprising one or more protrusions provided on a base member having a predetermined strength and a lower portion other than the one or more protrusions. Background art
[0002] 以下、 背景技術の一例として、 微細構造体を有する成形型について説明す る。 従来、 サブミリ (ここでいうミリは長さ 1 mmを意味する) の程度の長 さを単位とする微細構造体を少なくとも含む成形型は、 次のような方法によ つて製造されていた。 第 1の方法は、 鋼系材料を機械加工 (切削加工又は研 削加工) する方法である。 第 2の方法は、 鋼系材料を放電加工する方法であ る。  Hereinafter, a mold having a microstructure will be described as an example of the background art. Heretofore, a mold including at least a microstructure having a length of the order of submillimeter (in this context, millimeter means 1 mm in length) has been manufactured by the following method. The first method is a method of machining (cutting or grinding) a steel-based material. The second method is a method of electrical discharge machining a steel-based material.
[0003] 第 3の方法は、 微細構造体の製造方法として知られている、 レジストの露 光 -現像、 エッチング、 メツキの各プロセスを使用する方法である。 例えば 、 シリコン基板上に微細な構造を持つメツキ層を構成し、 シリコン基板から そのメツキ層を剥離して、 メツキ層からなる金型を製造する方法が提案され ている (例えば、 特許文献 1の段落 [ 0 0 1 8 ] 、 図 1を参照) 。 以下、 こ の方法を説明する。 まず、 シリコン基板上に塗布されたポリマ (例えば、 ポ リメチルメタクリエート; P M M A) 上にシリコン含有レジストを塗布する 。 しかる後、 塗布されたレジストを露光現像しパターニングする。 このレジ ス卜パターンをマスクとしてポリマを酸素ガスの反応性イオンエッチングに よりエッチングし、 レジストを剥離し、 ポリマからなるマスタパターンを作 製する。 しかる後、 そのマスタパターン上にニッケルを真空蒸着し、 この蒸 着膜を核としてニッケルをメツキしメツキ層を形成する。 メツキ層をマスタ パターンより剥離する脱型処理を行って、 メツキ層からなる金型を作製する [0004] 第 4の方法は、 微細構造体の製造方法として知られている、 レジストの露 光 -現像、 メツキの各プロセスを使用する方法である。 この方法によれば、 金型部材の表面を鏡面仕上げし、 その表面の上に微細な構造を持つメツキ部 を構成し、 そのメツキ部の先端を研磨等して、 所定の高さ (溝深さ) を有す る最終パターンが精度よく仕上げられた所望の成形金型 (入れ子) が得られ る (例えば、 特許文献 2の段落 [ 0 0 2 5 ] _ [ 0 0 2 7 ] 、 図 1を参照) 。 以下、 この方法を説明する。 最初に、 高速度工具鋼 (S K H ) などよりな る金型部材の表面を、 高精度に鏡面仕上げしておく。 次に、 この鏡面仕上げ された面に、 レジストもしくはレジストシートを塗布、 もしくは貼り付ける 。 しかる後、 金型部材の外周などを基準として位置出しを行なった後、 例え ば、 電子ビームによりパターンを露光 '現像し、 レジストにパターニングし て、 所定のレジストパターンを得る。 しかる後、 メツキすることにより、 パ ターニングされることにより得られた所定のレジス卜パターン間 (レジス卜 の抜けている部分) に、 所定の厚みのメツキ (後述する予備マスクパターン となる) が施された複合基板が得られる。 メツキは硬質 C r (クロム) 等で 行ない、 樹脂成形用金型であれば N i (ニッケル) 等を使用する。 メッキエ 程終了後、 複合基板の内のレジストパターンのみを、 例えば、 剥離剤やアツ シング等により剥離 (除去) して、 所定の厚みを有する予備マスクパターン を有する金型を得る。 次に、 この金型の一部を構成する金型部材の裏面を基 準として、 所定の厚みを有するメツキ部の先端部分を機械加工 (研磨等) す ることにより、 所定の高さ (溝深さ) を有する最終パターンが精度よく仕上 げられた所望の成形金型を得ることができる。 [0003] A third method is a method using exposure-development, etching, and plating processes of a resist, which is known as a method for manufacturing a microstructure. For example, a method has been proposed in which a metallized layer having a fine structure is formed on a silicon substrate, and the metallized layer is peeled off from the silicon substrate to manufacture a mold composed of the metallized layer (for example, Patent Document 1 Paragraph [0 0 1 8], see Figure 1). The following explains this method. First, a silicon-containing resist is coated on a polymer (for example, polymethyl methacrylate; PMMA) coated on a silicon substrate. After that, the applied resist is exposed, developed and patterned. Using this resist as a mask, the polymer is etched by reactive ion etching with oxygen gas, the resist is peeled off, and a master pattern made of polymer is created. After that, nickel is vacuum-deposited on the master pattern, and nickel is laminated with the deposited film as a core to form a plating layer. A mold removal process is performed to peel off the plating layer from the master pattern to produce a mold consisting of the plating layer. [0004] A fourth method is a method of using a process of exposure-development of a resist and plating, which is known as a method of manufacturing a microstructure. According to this method, the surface of the mold member is mirror-finished, a metallized portion having a fine structure is formed on the surface, and the tip of the metallized portion is polished or the like to a predetermined height (groove depth The desired pattern mold (nesting) is obtained with the final pattern having the same pattern finished precisely (for example, paragraph [0 0 2 5] _ [0 0 2 7] of Patent Document 2), Figure 1 See). This method will be described below. First, the surface of mold parts made of high-speed tool steel (SKH) etc. is mirror-finished with high precision. Next, a resist or resist sheet is applied to or affixed to the mirror-finished surface. After that, positioning is performed with reference to the outer periphery of the mold member and the like, and then, for example, the pattern is exposed and developed with an electron beam and patterned on a resist to obtain a predetermined resist pattern. After that, by plating, a predetermined thickness of plating (which will be a preliminary mask pattern to be described later) is applied between the predetermined resist pattern (the portion where the resist is missing) obtained by patterning. The resulting composite substrate is obtained. Use a hard Cr (chromium) etc., and use a Ni (nickel) etc. if it is a mold for resin molding. After completion of the plating process, only the resist pattern in the composite substrate is stripped (removed) by, for example, a release agent, atsing or the like to obtain a mold having a preliminary mask pattern having a predetermined thickness. Next, based on the back surface of the mold member that constitutes a part of the mold, the tip end portion of the plating portion having a predetermined thickness is machined (eg, polished) to a predetermined height (groove It is possible to obtain a desired molding die in which a final pattern having a depth) is precisely finished.
[0005] しかしながら、 上述した従来の技術によれば、 次のような問題がある。 ま ず、 第 1及び第 2の方法によれば、 成形型の形状によっては、 製造が困難で あつたり、 加工に長時間を要するので加工効率が悪くなつたりするという問 題がある。 例えば、 成形型が、 平面視して市松模様状の微小な凹凸を有する 場合などに、 これらの問題が発生する。  However, according to the above-described prior art, there are the following problems. First, according to the first and second methods, depending on the shape of the mold, there are problems that manufacturing may be difficult, and processing efficiency may deteriorate due to long processing time. For example, these problems occur when the mold has a minute checkerboard-like unevenness in plan view.
[0006] 次に、 第 3の方法によれば、 まず、 成形型に要求される強度を実現するた めには成形型がある程度の厚さを有する必要があることから、 メツキに長時 間を要するという問題がある。 また、 脱型処理を行う際に、 メツキ層からな る金型の微細構造に傷や変形等を生じさせるおそれがある。 更に、 メツキを 短時間行って形成した薄い金型を、 接着剤等によつて母材に固定するという 構成も考えられるが、 この構成によれば、 成形型が使用される際における型 面の高精度な位置決めが困難であるという問題がある。 すなわち、 型面を高 精度に位置決めすることが、 水平方向■垂直方向のいずれについても平行度 についても困難である。 Next, according to the third method, first, the strength required of the mold is realized. In order to achieve this, the mold needs to have a certain thickness, which causes a problem that it takes a long time for plating. In addition, when the demolding treatment is performed, there is a possibility that the fine structure of the mold consisting of the resin layer may be damaged or deformed. Furthermore, although a configuration is possible in which a thin mold formed by performing a brief process for a short time is fixed to a base material with an adhesive or the like, according to this configuration, the mold surface is used when the mold is used. There is a problem that high precision positioning is difficult. That is, it is difficult to position the mold surface with high accuracy in both the horizontal direction and the vertical direction.
[0007] 次に、 第 4の方法によれば、 まず、 レジストパターンが存在していた部分 における離型性が悪いという問題がある。 その理由は、 次の通りである。 レ ジス卜パターンが存在していた部分には、 メツキによって硬質 C rや N i等 が形成されることはないので、 これらの部分においては、 高速度工具鋼等よ りなる金型部材が露出して型面を構成する。 したがって、 型面のうち金型部 材が露出する部分において、 樹脂成形で使用される硬化樹脂等に対して密着 性が高くなる (言い換えれば離型性が悪くなる) 。 また、 複合基板の内のレ ジス卜パターンのみを剥離 (除去) して予備マスクパターンを有する金型を 形成した後に、 所定の厚みを有するメツキ部の先端部分を機械加工 (研磨等 ) する。 これにより、 機械加工する際にメツキ部からなる微細構造に剥離、 傷、 変形等を生じさせるおそれがあるという問題がある。 更に、 型面のうち 金型部材が露出する部分において、 鲭が発生するおそれがあるという問題が める。 Next, according to the fourth method, first, there is a problem that the releasability in the portion where the resist pattern existed is poor. The reason is as follows. In parts where the resist wedge pattern was present, no hard C r or N i etc. would be formed by plating, so in these parts a mold member made of high-speed tool steel etc. was exposed. Form the mold surface. Therefore, in the portion of the mold surface where the mold member is exposed, the adhesion to the cured resin or the like used in the resin molding becomes high (in other words, the releasability deteriorates). In addition, only the resist ridge pattern in the composite substrate is peeled off (removed) to form a mold having a preliminary mask pattern, and then the tip portion of the marking portion having a predetermined thickness is machined (polished, etc.). As a result, there is a problem that there is a possibility of causing peeling, damage, deformation or the like to the fine structure consisting of the stick portion when machining. Furthermore, there is a problem that wrinkles may occur in the portion of the mold surface where the mold member is exposed.
特許文献 1 :特開平 8— 2 3 8 6 3 1号公報 (第 3頁、 図 1 )  Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-23863 1 (Page 3, Fig. 1)
特許文献 2 :特開 2 0 0 2— 2 2 5 0 3 7号公報 (第 4頁、 図 1 ) 発明の開示  Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2 0 2 0 2 5 0 3 7 (Page 4, Figure 1) Disclosure of the Invention
発明が解決しょうとする課題  Problem that invention tries to solve
[0008] 本発明が解決しょうとする課題は、 まず、 微細構造を有するとともに所望 の強度を備えた微細構造体を短時間に製造することができないという点であ る。 次に、 微細構造を有するとともに使用される際における所望の位置決め 精度を備えた微細構造体を製造することが困難であるという点である。 次に 、 微細構造を有するとともに低密着性と防鲭性とに優れた微細構造体を製造 することが困難であるという点である。 次に、 微細構造体を製造する際に、 剥離、 傷、 変形等が生じるおそれがあるという点である。 The problem to be solved by the present invention is that, first, a microstructure having a microstructure and having a desired strength can not be produced in a short time. Next, desired positioning when used with and having microstructures The point is that it is difficult to manufacture a microstructure with accuracy. The second problem is that it is difficult to produce a fine structure having a fine structure and excellent in low adhesion and antifungal properties. Next, there is a possibility that peeling, damage, deformation, etc. may occur when manufacturing a microstructure.
課題を解決するための手段  Means to solve the problem
[0009] 以下の説明における 0 内の符号は、 説明における用語と図面に示された 構成要素とを対比しやすくする目的で記載されたものである。 また、 これら の符号は、 図面に示された構成要素に限定して説明における用語を解釈する ことを意味するものではない。  [0009] The reference numerals within 0 in the following description are provided for the purpose of making the terms in the description and the components shown in the drawings easier to compare. Also, these symbols do not mean to interpret the terms in the description by limiting to the components shown in the drawings.
[0010] 上述の課題を解決するために、 本発明に係る微細構造体は、 1又は複数の 突起 (1 0, 45, 58) と該 1又は複数の突起 (1 0, 45, 58 ) 以外 の低位部 (1 1, 46, 60) とからなる微細構造 (1 2, 47, 61 ) を 有する微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) であって、 所定の強度を 有するベース部材 (2) と、 ベース部材 (2) の表面 (6) における少なく とも一部において形成された導電層 (9) とを備えるとともに、 1又は複数 の突起 (1 0, 45, 58) は導電層 (9) における所望の領域の上にめつ きによって形成されたことを特徴とする。  [0010] In order to solve the above-mentioned problems, the microstructure according to the present invention comprises one or more protrusions (10, 45, 58) and one or more protrusions (10, 45, 58) A fine structure (1, 28, 48, 49, 62) having a fine structure (12, 47, 61) consisting of lower parts (11, 46, 60) of the base, and a base having a predetermined strength Member (2) and a conductive layer (9) formed on at least a part of the surface (6) of the base member (2), and the one or more protrusions (10, 45, 58) are conductive It is characterized in that it is formed by fitting on the desired area in the layer (9).
[0011] また、 本発明に係る微細構造体は、 上述の微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) において、 導電層 (9) の上にレジスト層 (1 6) が形成され 、 レジスト層 (1 6) が露光 '現像されることによって凹部 (22) と凸部 (23) とを有するレジストパターン (24) が形成され、 凹部 (22) に おいて露出する導電層 (9) の上に 1又は複数の突起 (1 0, 45, 58) が形成され、 レジストパターン (24, 53) が除去されることによって微 細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が形成されるとともに、 1又は複 数の突起 (1 0, 45, 58) の厚さ方向における少なくとも一部は電錶に よって形成されたことを特徴とする。  In the microstructure according to the present invention, in the above-mentioned microstructure (1, 28, 48, 49, 62), a resist layer (16) is formed on the conductive layer (9), The resist layer (16) is exposed and developed to form a resist pattern (24) having a recess (22) and a protrusion (23), and the conductive layer (9) exposed in the recess (22) The fine structure (1, 28, 48, 49, 62) is formed by removing the resist pattern (24, 53) by forming one or more protrusions (10, 45, 58) on top of the At the same time, at least a part of the one or more projections (10, 45, 58) in the thickness direction is formed by the electrode.
[0012] また、 本発明に係る微細構造体は、 上述の微細構造体 (48, 49) にお いて、 1又は複数の突起 (45) は、 凹部 (22) において露出する少なく とも導電層 (9) がエッチングされることによって形成されたくぼみ部 (4 0) において形成されたことを特徴とする。 Further, in the microstructure according to the present invention, in the above-mentioned microstructure (48, 49), at least one protrusion (45) is exposed in the recess (22). Also, it is characterized in that the conductive layer (9) is formed in the recess (40) formed by etching.
[0013] また、 本発明に係る微細構造体は、 上述の微細構造体 (62) において、 Further, according to the microstructure according to the present invention, in the above-mentioned microstructure (62),
1又は複数の突起 (1 0) が形成された後に 1又は複数の突起 (1 0) とレ ジス卜パターン (24) との上に別のレジスト層 (50) が形成され、 別の レジスト層 (50) が露光 '現像されることによって 1又は複数の突起 (1 0) のうち少なくとも一部の所望の突起 (1 0) の上に開口 (52) を有す る別のレジストパターン (53) が形成され、 開口 (52) において電錶に よって柱状金属 (55) が形成されることによって所望の突起 (1 0) と柱 状金属 (55) とを含むいっそう高い 1又は複数の突起 (58) が形成され 、 レジストパターン (24) と別のレジストパターン (53) とが除去され ることによって微細構造体 (62) が形成されるとともに、 所望の突起 (1 0) と柱状金属 (55) との間の境目には段差 (59) が形成されたことを 特徴とする。  After one or more protrusions (10) are formed, another resist layer (50) is formed on the one or more protrusions (10) and the resist ridge pattern (24), and another resist layer is formed. (50) is exposed and developed to form another resist pattern (53) having an opening (52) on at least a portion of the desired protrusion (10) of the one or more protrusions (10). And one or more higher protrusions (58) including the desired protrusions (10) and columnar metals (55) by forming columnar metals (55) in the openings (52) by electrodes. ) Is formed, and the resist pattern (24) and another resist pattern (53) are removed to form a microstructure (62), and a desired protrusion (10) and a pillar metal (55) are formed. At the boundary between the and, there is a step (59).
[0014] また、 本発明に係る微細構造体は、 上述の微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) において、 微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が使用 される際に他の材料に接触しない部分からなる非接触部 (3) に形成された 位置合わせマーク (4) を備え、 位置合わせマーク (4) は、 レジスト層 ( 1 6) 又は別のレジスト層 (50) が露光される際の位置合わせと微細構造 体 (1, 28, 48, 49, 62) が使用される際の位置合わせとに各々使 用されることを特徴とする。  In the microstructure according to the present invention, the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) is used in the above-mentioned microstructure (1, 28, 48, 49, 62). The alignment mark (4) is formed on the non-contact part (3) which does not come in contact with other materials when the alignment mark (4) is formed by the resist layer (16) or another resist layer ( 50) It is characterized in that it is used for alignment at the time of exposure and alignment at the time of use of microstructures (1, 28, 48, 49, 62).
[0015] また、 本発明に係る微細構造体は、 上述の微細構造体 (28) において、 微細構造は、 充填された流動性樹脂 (31 ) が硬化することによって又は 1 又は複数の突起 (1 0) と低位部 (1 1 ) とが他の材料に転写されることに よって成形品 (37) を成形する際に使用される成形型 (28) の型面に形 成され、 微細構造体 (28) の表面 (29) は成形品 (37) に対する低密 着性を有する材料からなることを特徴とする。  Further, in the microstructure according to the present invention, in the above-mentioned microstructure (28), the microstructure may be formed by curing the filled fluid resin (31) or one or more protrusions (1) 0) and the lower part (11) are transferred to another material to form the mold surface of the mold (28) used in molding the molded article (37), and the microstructure The surface (29) of (28) is characterized by being made of a material having low adhesion to the molded article (37).
[0016] また、 本発明に係る微細構造体は、 上述の微細構造体 (28) において、 微細構造が形成された成形型 (28) は、 複数の貫通孔 (35) を有する基 板 (33) の一方の面に装着されたチップ状の電子部品 (34) を樹脂封止 して成形品 (37) であるパッケージを成形する際に使用される樹脂封止型 であり、 流動性樹脂 (31 ) が硬化することによってチップ状の電子部品 (Further, in the microstructure according to the present invention, in the above-mentioned microstructure (28), A mold (28) having a microstructure is formed by resin-sealing chip-like electronic components (34) mounted on one surface of a substrate (33) having a plurality of through holes (35). Product (37), which is a resin-sealed type used when molding a package, which is made of chip-like electronic components by curing of the flowable resin (31)
34) が樹脂封止され、 複数の突起 (1 0) は複数の貫通孔 (35) を各々 塞ぐようにして配置されているとともに、 複数の突起 (1 0) は、 基板 (3 3) における一方の面に対向する他方の面 (39) に流動性樹脂 (31 ) が 流れ出すことを各々防止することを特徴とする。 34) is resin-sealed, and the plurality of projections (10) are arranged to close the plurality of through holes (35) respectively, and the plurality of projections (10) are formed on the substrate (3 3) It is characterized in that the flowable resin (31) is prevented from flowing out to the other surface (39) opposite to one surface.
[0017] また、 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 1又は複数の突起 (1 0, In addition, according to the method of manufacturing a microstructure according to the present invention, one or more of the protrusions (10,
45, 58) と該 1又は複数の突起 (1 0, 45, 58) 以外の低位部 (1 1, 46, 60) とからなる微細構造 (1 2, 47, 61 ) を有する微細構 造体 (1, 28, 48, 49, 62) の製造方法であって、 所定の強度を有 するベース部材 (2) の表面 (6) における少なくとも一部において導電層A microstructure having a microstructure (12, 47, 61) consisting of 45, 58) and lower portions (11, 46, 60) other than the one or more protrusions (10, 45, 58) A method of manufacturing (1, 28, 48, 49, 62), wherein a conductive layer is formed on at least a portion of a surface (6) of a base member (2) having a predetermined strength.
(9) を形成する工程と、 導電層 (9) の上にレジスト層 (1 6) を形成す る工程と、 レジスト層 (1 6) を露光 '現像して凹部 (22) と凸部 (23 ) とを有するレジストパターン (24) を形成する工程と、 凹部 (22) に おいて露出する導電層 (9) の上にめっきによって 1又は複数の突起 (1 0 , 45, 58) を形成する工程と、 レジストパターン (24, 53) を除去 する工程とを備えることを特徴とする。 (9) forming a resist layer (16) on the conductive layer (9), exposing the resist layer (16) and developing it to form recesses (22) and protrusions ( 23) forming a resist pattern (24), and forming one or more projections (10, 45, 58) on the conductive layer (9) exposed in the recess (22) And removing the resist pattern (24, 53).
[0018] また、 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 上述の微細構造体 (1, 2 8, 48, 49, 62) の製造方法において、 1又は複数の突起 (1 0, 4 5, 58) を形成する工程においては、 1又は複数の突起 (1 0, 45, 5 8) の厚さ方向における少なくとも一部を電錶によって形成する工程を備え ることを特徴とする。  Further, in the method of manufacturing a microstructure according to the present invention, in the method of manufacturing a microstructure (1, 28, 48, 49, 62) described above, one or more of the protrusions (10, 45) are used. , 58) is characterized in that it comprises a step of forming at least a part of the one or more protrusions (10, 45, 58) in the thickness direction by means of an electrode.
[0019] また、 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 上述の微細構造体 (48, 49) の製造方法において、 1又は複数の突起 (45) を形成する工程にお いては、 凹部 (22) において露出する導電層 (9) において少なくとも露 出する導電層 (9) をエッチングすることによってくぼみ部 (40) を形成 する工程と、 くぼみ部 (40) において 1又は複数の突起 (45) を形成す る工程とを備えることを特徴とする。 Further, in the method of manufacturing a microstructure according to the present invention, in the method of manufacturing a microstructure (48, 49) described above, in the step of forming the one or more protrusions (45), a recess is provided. In the conductive layer (9) exposed in (22), the recess (40) is formed by etching at least the conductive layer (9) exposed. And a step of forming one or more projections (45) in the recess (40).
[0020] また、 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 上述の微細構造体 (62) の製造方法において、 1又は複数の突起 (1 0) を形成する工程の後に 1又 は複数の突起 (1 0) とレジストパターン (24) との上に別のレジスト層 (50) を形成する工程を備え、 別のレジスト層 (50) を露光,現像する ことによって 1又は複数の突起 (1 0) のうち少なくとも一部の所望の突起 (1 0) の上に開口 (52) を有する別のレジストパターン (53) を形成 する工程と、 開口 (52) において電錶によって柱状金属 (55) を形成し て所望の突起 (1 0) と柱状金属 (55) とを含むいっそう高い 1又は複数 の突起 (58) を形成する工程と、 レジストパターン (24) と別のレジス 卜パターン (53) とを除去することによって微細構造体 (62) を形成す る工程とを更に備えるとともに、 し、つそう高い 1又は複数の突起 (58) を 形成する工程では、 所望の突起 (1 0) と柱状金属 (55) との間の境目に 段差 (59) を形成することを特徴とする。  Further, in the method of manufacturing a microstructure according to the present invention, in the method of manufacturing a microstructure (62) described above, one or more of the plurality of protrusions may be formed after the step of forming the one or more protrusions (10). Forming another resist layer (50) on the protrusions (10) and the resist pattern (24), exposing and developing the other resist layer (50) to form one or more protrusions (1) 0) forming another resist pattern (53) having an opening (52) on at least a part of the desired protrusion (1 0), and forming a columnar metal (55) by an electrode in the opening (52) Forming one or more higher protrusions (58) including the desired protrusions (10) and the columnar metal (55); and forming a resist pattern (24) and another resist pattern (53) Forming a microstructure (62) by removing the In the step of forming the one or more projections (58), the step (59) is formed at the boundary between the desired projection (10) and the columnar metal (55). I assume.
[0021] また、 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 上述の微細構造体 (1, 2 8, 48, 49, 62) の製造方法において、 レジストパターン (24) を 形成する工程又は別のレジストパターン (53) を形成する工程では、 微細 構造体 (1, 28, 48, 49, 62) を使用する際に他の材料 ( 31, 3 6) に接触しない部分からなる非接触部 (3) に形成された位置合わせマー ク (4) を使用して位置合わせを行って露光するとともに、 微細構造体 (1 , 28, 48, 49, 62) を使用する際の位置合わせにおいても位置合わ せマーク (4) が使用されることを特徴とする。  Further, in the method of manufacturing a microstructure according to the present invention, in the method of manufacturing a microstructure (1, 28, 48, 49, 62) described above, the step of forming a resist pattern (24) or In the process of forming the resist pattern (53), the non-contact portion (the portion not contacting the other material (31, 36) when using the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) 3) align and expose using the alignment mark (4) formed in and also align the alignment when using the fine structures (1, 28, 48, 49, 62) It is characterized in that alignment marks (4) are used.
発明の効果  Effect of the invention
[0022] 本発明によれば、 微細構造体 ( 1, 28, 48, 49, 62) において、 所定の強度を有するベース部材 (2) の上に導電層 (9) が形成され、 その 導電層 (9) の上に複数の突起 (1 0, 45, 58) がめつきによって形成 される。 したがって、 所定の強度を有するベース部材 (2) の上に複数の突 起 (1 0, 45, 58) が形成されるので、 シリコン基板からめっき層を剥 離して製造されたそのめつき層からなる金型に比較して、 大きな強度を有す る微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が得られる。 また、 完成した 微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) の型面においてベース部材 (2 ) が露出しないので、 ベース部材 (2) が鋼系材料からなる場合であっても 優れた防鲭性を有する微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が得られ る。 According to the present invention, in the microstructure (1, 28, 48, 49, 62), the conductive layer (9) is formed on the base member (2) having a predetermined strength, and the conductive layer (9) is formed by plating a plurality of projections (10, 45, 58). Therefore, a plurality of bumps may be formed on the base member (2) having a predetermined strength. As a result, a microstructure (10, 45, 58) is formed, and a microstructure having a large strength (compared to a mold made of the plated layer manufactured by peeling the plating layer from the silicon substrate) ( The result is 1, 28, 48, 49, 62). In addition, since the base member (2) is not exposed on the mold surface of the completed microstructure (1, 28, 48, 49, 62), the base member (2) is excellent even when it is made of a steel-based material. A fine structure (1, 28, 48, 49, 62) having a mildew resistance is obtained.
[0023] また、 本発明によれば、 導電層 (9) の上のレジスト層 (1 6) が露光 - 現像されることによって凹部 (22) を有するレジストパターン (24) が 形成され、 凹部 (22) において露出する導電層 (9) の上に 1又は複数の 突起 (1 0, 45, 58) が形成され、 レジストパターン (24, 53) が 除去されることによって微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が形成 される。 これにより、 平面的な精度に関して、 露光,現像の精度に応じた優 れた寸法精度を有する 1又は複数の突起 (1 0, 45, 58) が形成される 。 したがって、 平面的に優れた寸法精度を有する微細構造体 (1, 28, 4 8, 49, 62) が得られる。 更に、 1又は複数の突起 (1 0, 45, 58 ) の厚さ方向における少なくとも一部が電錶によって形成されるので、 高さ と大きなアスペクト比とを有する 1又は複数の突起 (1 0, 45, 58) を 備えた微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が短時間に形成される。  Further, according to the present invention, the resist layer (16) on the conductive layer (9) is exposed and developed to form a resist pattern (24) having a recess (22), and 22) to form one or more protrusions (10, 45, 58) on the conductive layer (9) exposed in step 22), and removing the resist pattern (24, 53) to obtain a microstructure (1, 28). , 48, 49, 62) are formed. As a result, one or more projections (10, 45, 58) having excellent dimensional accuracy according to the exposure and development accuracy with respect to the planar accuracy are formed. Therefore, a microstructure (1, 28, 48, 49, 62) having excellent dimensional accuracy in a plane can be obtained. Furthermore, since at least a part of the one or more protrusions (10, 45, 58) in the thickness direction is formed by the electrode, the one or more protrusions (10, 45) having a height and a large aspect ratio , 58) are formed in a short time (1, 28, 48, 49, 62).
[0024] また、 本発明によれば、 少なくとも導電層 (9) がエッチングされること によって形成されたくぼみ部 (40) において 1又は複数の突起 (45) が めっきによって形成され、 かつ、 1又は複数の突起 (45) の厚さ方向にお ける少なくとも一部は電錶によって形成される。 これにより、 導電層 (9) に形成されたくぼみ部 (40) において、 1又は複数の突起 (45) の底部 が少なくとも導電層 (9) に食い込むようにして形成される。 したがって、 いわゆるアンカー効果 (投錨効果) によって、 ベース部材 (2) と複数の突 起 (45) との間の密着性が向上する。  Further, according to the present invention, one or more projections (45) are formed by plating at least in the depressions (40) formed by etching the conductive layer (9), and At least a part of the plurality of protrusions (45) in the thickness direction is formed by the electrode. As a result, in the recess (40) formed in the conductive layer (9), the bottom of the one or more projections (45) bites into at least the conductive layer (9). Therefore, the adhesion between the base member (2) and the plurality of protuberances (45) is improved by the so-called anchor effect (the anchoring effect).
[0025] また、 本発明によれば、 1又は複数の突起 (1 0) が形成された後に、 そ の 1又は複数の突起 (1 0) のうち少なくとも一部の所望の突起 (1 0) の 上に、 開口 (52) を有する別のレジストパターン (53) が露光 '現像に よって形成される。 そして、 開口 (52) において電錶によって柱状金属 ( 55) が形成されることにより、 所望の突起 (1 0) と柱状金属 (55) と を含むいっそう高い 1又は複数の突起 (58) が形成され、 所望の突起 (1 0) と柱状金属 (55) との間の境目には段差 (59) が形成される。 これ により、 段差 (59) が形成されており、 平面的に優れた寸法精度を有する いっそう高い 1又は複数の突起 (58) を備えた微細構造体が得られる。 [0025] Further, according to the present invention, after one or more protrusions (10) are formed, Another resist pattern (53) having an opening (52) is formed by exposure 'development on at least a part of the desired protrusions (10) among the one or more protrusions (10). Then, by forming a columnar metal (55) by an electric wire at the opening (52), one or more higher projections (58) including the desired projection (10) and the columnar metal (55) are formed. A step (59) is formed at the boundary between the desired protrusion (10) and the columnar metal (55). As a result, there is formed a step (59), and a microstructure having one or more higher projections (58) with excellent dimensional accuracy in a plane can be obtained.
[0026] また、 本発明によれば、 微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) の表 面における非接触部 (3) に形成された位置合わせマーク (4) が、 レジス 卜層 (1 6) 又は別のレジスト層 (50) が露光される際の位置合わせと微 細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) が使用される際の位置合わせとに 各々使用される。 これにより、 微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) において位置合わせマーク (4) と微細構造 (1 2, 47, 61 ) との間の 寸法精度が良好になるとともに、 微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62 ) が使用される際の対象物との間の寸法精度が良好になる。  Further, according to the present invention, the alignment mark (4) formed on the non-contact portion (3) of the surface of the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) is a resist wedge layer. Used for alignment when exposing (1 6) or another resist layer (50) and for aligning when fine structures (1, 28, 48, 49, 62) are used . As a result, in the microstructure (1, 28, 48, 49, 62), the dimensional accuracy between the alignment mark (4) and the microstructure (12, 47, 61) is improved, and the microstructure When (1, 28, 48, 49, 62) is used, the dimensional accuracy with the object becomes better.
[0027] また、 本発明によれば、 微細構造 (1 2, 47, 61 ) は成形型 (28) の型面に形成され、 微細構造体 (1, 28, 48, 49, 62) の表面 (2 9) は成形品 (37) に対する低密着性を有する材料からなる。 これにより 、 成形型 (28) の型面に形成された微細構造 (1 2, 47, 61 ) におい て、 成形品 (37) と成形型 (28) との間の離型性が向上する。  Further, according to the present invention, the microstructure (12, 47, 61) is formed on the mold surface of the mold (28), and the surface of the microstructure (1, 28, 48, 49, 62) is formed. (2 9) is made of a material having low adhesion to the molded article (37). As a result, in the fine structure (12, 47, 61) formed on the mold surface of the mold (28), the releasability between the molded article (37) and the mold (28) is improved.
[0028] また、 本発明によれば、 複数の突起 (1 0) は各々複数の貫通孔 (35) を塞ぐようにして配置されているとともに、 複数の突起 (1 0) の各々は、 基板 (33) における一方の面に対向する他方の面 (39) に流動性樹脂 ( 31 ) が流れ出すことを防止する。 したがって、 基板 (33) の他方の面 ( 39) における樹脂漏れが防止されるような微細構造 (1 2) を有する微細 構造体 (28) 、 すなわち成形型 (28) が得られる。  Further, according to the present invention, the plurality of projections (10) are arranged to close the plurality of through holes (35), and each of the plurality of projections (10) is a substrate Prevent flowable resin (31) from flowing out to the other side (39) opposite to one side in (33). Accordingly, there is obtained a microstructure (28) having a microstructure (12), that is, a mold (28) having a microstructure (12) such that resin leakage on the other surface (39) of the substrate (33) is prevented.
図面の簡単な説明 [0029] [図 1]図 1は、 実施例 1に係る微細構造体を示す部分断面図である。 Brief description of the drawings FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a microstructure according to a first embodiment.
[図 2]図 2 (1 ) は実施例 2に係る微細構造体の母材であるベース部材を示し 、 図 2 (2) - (4) はベース部材の表面上に導電層を形成する工程からそ の導電層の上のレジスト層を露光する工程までの各工程を順次示す、 それぞ れ部分断面図である。  [Fig. 2] Fig. 2 (1) shows a base member which is a base material of the microstructure according to Example 2, and Fig. 2 (2)-(4) is a process of forming a conductive layer on the surface of the base member. FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing, in order, each step from the step to the step of exposing the resist layer on the conductive layer.
[図 3]図 3 (1 ) - (4) は、 導電層の上にレジストパターンを形成する工程 からその導電層の上に微細構造を形成して微細構造体を完成させるまでの各 工程を順次示す、 それぞれ部分断面図である。  [Fig. 3] Fig. 3 (1)-(4) show the steps from forming the resist pattern on the conductive layer to forming the fine structure on the conductive layer to complete the fine structure. FIG.
[図 4]図 4は、 本発明に係る微細構造体からなる成形型が使用される一例を示 す部分断面図である。  [FIG. 4] FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an example in which a mold composed of a microstructure according to the present invention is used.
[図 5]図 5 (1 ) - (3) は、 実施例 4に係る微細構造体を製造する際に導電 層にくぼみ部を形成する工程からレジストパターンを剥離 (除去) するまで の各工程を順次示す、 それぞれ部分断面図である。 図 5 (4) は、 実施例 4 に係る微細構造体の変形例を示す部分断面図である。  [FIG. 5] FIGS. 5 (1) to 5 (3) show the steps from the step of forming a recess in the conductive layer to the step of peeling (removing) the resist pattern when manufacturing the microstructure according to Example 4. FIG. 7 is a partial cross-sectional view of each of FIG. FIG. 5 (4) is a partial cross-sectional view showing a modification of the microstructure according to example 4. FIG.
[図 6]図 6 (1 ) - (4) は、 実施例 5に係る微細構造体を製造する各工程を 順次示す、 それぞれ部分断面図である。  [FIG. 6] FIGS. 6 (1) to 6 (4) are partial cross-sectional views sequentially showing each step of manufacturing a microstructure according to Example 5.
符号の説明  Explanation of sign
[0030] 1, 48, 49, 62 成形型 (微細構造体)  [0030] 1, 48, 49, 62 mold (fine structure)
2 ベース部材  2 Base member
3 非接触部  3 Non-contact part
4 位置合わせマ-ーク  4 Alignment mark
5 接触部  5 Contact area
6 表面  6 surface
7 第 1の層  7 First layer
8 第 2の層  8 Second layer
9 ¾= J¾  9 3⁄4 = J 3⁄4
1 0, 45, 58 突起  1 0, 45, 58 protrusion
1 1, 46, 60 溝 (低位部) , 4 7 , 6 1 微細構造1 1, 46, 60 groove (lower part) , 4 7, 6 1 Fine structure
, 4 1 第 3の層 , 4 1 3rd layer
, 4 4 第 4の層 , 4 4 fourth layer
, 2 5 マスキングテープ , 25 masking tape
レジス卜層  Regis ridge layer
フォ卜マスク  Foe mask
遮光パターン  Shading pattern
位置合わせパターン  Alignment pattern
紫外光  UV light
可溶部  Soluble part
凹部  Recess
凸部  Convex part
レジストパターン  Resist pattern
, 4 2 肉厚層, 4 2 thick layer
, 4 3 柱状金属 , 4 3 Columnar metals
下型 (微細構造体、 成形型、 樹脂封止型) 表面  Lower mold (fine structure, mold, resin-sealed) surface
上型  Upper type
流動性樹脂 (他の材料)  Fluid resin (other materials)
キヤビティ  The network
基板  Substrate
チップ (チップ状の電子部品)  Chip (chip-like electronic component)
貫通孔  Through hole
硬化樹脂 (他の材料)  Cured resin (other materials)
樹脂封止体 (成形品)  Resin sealing body (molded article)
切断線  Cutting line
下面 (他方の面)  Lower surface (other surface)
<ぼみ部 50 別のレジス卜層 <Bow part 50 different regist formations
51 全体のレジス卜層  51 whole resist ridge layer
52 開口  52 opening
53 別のレジス卜パターン  53 Another resist pattern
54 全体のレジス卜パターン  54 whole resist pattern
55 2段目の肉厚層  55 Second layer thick layer
56 全体の肉厚層  56 whole thick layer
57 第 5の層  57 fifth layer
59 段差  59 steps
発明を実施するための最良の形態 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
複数の突起 (45) と該複数の突起 (45) 以外の低位部 (46) からな る溝 (46) とを有する微細構造 (47) を備える微細構造体 (48, 49 ) に、 所定の強度を有するベース部材 (2) と、 ベース部材 (2) の表面 ( 6) における一部において形成された導電層 (9) と、 導電層 (9) の上に めっきによって形成された複数の突起 (45) とを備える。 そして、 導電層 A fine structure (48, 49) is provided with a fine structure (47, 49) having a plurality of protrusions (45) and a groove (46) consisting of lower portions (46) other than the plurality of protrusions (45). A base member (2) having strength, a conductive layer (9) formed on a part of a surface (6) of the base member (2), and a plurality of protrusions formed by plating on the conductive layer (9) (45) and. And the conductive layer
(9) の上のレジスト層 (1 6) が露光■現像されることによって凹部 (2 2) を有するレジストパターン (24) が形成され、 それらの凹部 (22) においてエッチングによって少なくとも導電層 (9) に、 好ましくは更にべ 一ス部材 (2) にくぼみ部 (40) が形成され、 それらのくぼみ部 (40) において複数の突起 (45) が形成され、 レジストパターン (24) が除去 されることによって微細構造体 (48, 49) が形成される。 また、 導電層By exposing and developing the resist layer (16) on (9), a resist pattern (24) having recesses (22) is formed, and etching is performed at least in the recesses (22) in the recesses (22). Preferably, recesses (40) are further formed in the base member (2), a plurality of projections (45) are formed in the recesses (40), and the resist pattern (24) is removed. Thus, a microstructure (48, 49) is formed. Also, conductive layer
(9) においてベース部材 (2) に接する第 1の層 (7) と複数の突起 (4 5) における最下層である第 3の層 (41 ) とは、 それぞれ被めつき面を活 性化しながら金属層を薄く析出させる機能めつき (以下適宜 「機能めつき」 という) によって形成されている。 更に、 複数の突起 (45) のそれぞれに おいて第 3の層 (41 ) の上に形成された第 4の層 (44) は、 電錶によつ て形成されている。 In (9), the first layer (7) in contact with the base member (2) and the third layer (41), which is the lowermost layer of the plurality of protrusions (45), activate the plating surface, respectively. However, it is formed by plating which causes thin deposition of metal layer (hereinafter referred to as “function plating” as appropriate). In addition, the fourth layer (44) formed on the third layer (41) in each of the plurality of protrusions (45) is formed by an electrode.
実施例 1 [0032] 本発明に係る微細構造体に関する実施例 1を、 図 1を参照して説明する。 図 1は、 本実施例に係る微細構造体を示す部分断面図である。 なお、 以下の 説明において使用するいずれの図についても、 わかりやすくするために適宜 省略し又は誇張して模式的に描かれている。 また、 以下に説明する各実施例 においては、 成形品を成形する際に使用される成形型としての微細構造体に ついて説明する。 また、 ここでいう成形品は、 硬化樹脂等の樹脂材料、 透光 性材料 (透光性樹脂、 ガラス等) 等を含んでいる。 Example 1 Example 1 of the microstructure according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a microstructure according to this example. Note that any figure used in the following description is schematically drawn with omission or exaggeration, as appropriate, for the sake of easy understanding. In each of the embodiments described below, a microstructure as a mold used for molding a molded article will be described. In addition, the molded articles referred to here include resin materials such as cured resin, translucent materials (translucent resin, glass etc.) and the like.
[0033] 本実施例に係る微細構造体からなる成形型は、 他の材料を含む成形品を成 形する際に使用される。 ここでいう他の材料とは、 基本的には成形型を構成 する材料以外の材料であって、 例えば、 硬化樹脂等の樹脂材料、 透光性材料 等からなる材料である。 そして、 ここでいう成形品の一つの例は、 成形型に 設けられたキヤビティ内において流動性樹脂 (他の材料) が硬化して形成さ れた硬化樹脂 (他の材料) を含むものである。 また、 ここでいう成形品の他 の例は、 成形型の微細構造が樹脂材料、 透光性材料等の材料 (他の材料) に 転写されることによって成形 (ホットエンボス、 ナノインプリント) された ものである。 この場合の成形型は 「スタンパー」 と呼ばれることがある。 ま た、 本実施例においては、 特記した場合を除いて、 キヤビティ内において流 動性樹脂を硬化させて成形品を成形する際に使用される成形型について説明 する。  The mold composed of the microstructure according to the present embodiment is used when molding a molded article containing another material. The other material referred to here is basically a material other than the material constituting the mold, and is, for example, a material made of a resin material such as a cured resin, a translucent material or the like. And, one example of the molded article mentioned here is one containing a cured resin (other material) formed by curing the flowable resin (other material) in the cavity provided in the molding die. In addition, other examples of the molded product mentioned here are molded (hot-embossed, nano-imprinted) by transferring the microstructure of the mold to a material (other material) such as a resin material or a translucent material. It is. The mold in this case is sometimes called a "stamper". Further, in this example, a mold used when molding a molded article by curing the flowable resin in the cavity will be described unless otherwise specified.
[0034] 図 1に示されているように、 本実施例に係る微細構造体からなる成形型 1 は、 所定の強度を有するベース部材 2と、 ベース部材 2の端部における非接 触部 3に形成され所定の形状 (例えば 「十」 字型であるが、 これに限定され ない) を有する細溝からなる位置合わせマーク 4とを備える。 ここで、 非接 触部 3は、 成形型 1が使用される際の対象物である流動性樹脂、 透光性材料 等、 すなわち他の材料のいずれにも接触する可能性がない部分を意味する。 また、 接触部 5を全部覆うようにして、 ベース部材 2の表面 6に、 いずれも 導電体からなる第 1の層 7と第 2の層 8とが順次形成されている。 ここで、 接触部 5は、 成形型 1が使用される際の対象物である流動性樹脂、 透光性材 料等、 すなわち他の材料のいずれかに接触する可能性がある部分を意味するAs shown in FIG. 1, the mold 1 comprising the microstructure according to the present embodiment includes a base member 2 having a predetermined strength, and a noncontacting portion 3 at the end of the base member 2. And an alignment mark 4 formed of a narrow groove having a predetermined shape (for example, a “cross shape” but not limited thereto). Here, the non-contact part 3 means a fluid resin which is an object when the mold 1 is used, a translucent material, etc., that is, a portion which can not contact any of other materials. Do. Further, a first layer 7 and a second layer 8 each made of a conductor are sequentially formed on the surface 6 of the base member 2 so as to entirely cover the contact portion 5. Here, the contact portion 5 is a fluid resin which is an object when the mold 1 is used, a translucent material Etc., that is, parts that may come into contact with any of the other materials
。 第 1の層 7と第 2の層 8とは、 それぞれめっきによって形成された N i層 であって併せて導電層 9を構成する。 . The first layer 7 and the second layer 8 are respectively N i layers formed by plating, and collectively constitute the conductive layer 9.
[0035] 導電層 9の上には、 微細な複数の突起 1 0が形成されている。 それらの突 起 1 0同士の間には、 それらの突起 1 0以外の部分であって幅が狭く表面が 低くなつている部分 (低位部) 、 すなわち溝 1 1が形成されている。 複数の 突起 1 0と複数の溝 1 1とは、 併せて微細構造 1 2を構成する。 突起 1 0は 、 導電層 9の上に順次形成されいずれも導電体からなる第 3の層 1 3と肉厚 である第 4の層 1 4とによって構成されている。 第 3の層 1 3と第 4の層 1 4とは、 溝 1 1がレジスト層 (後述) によって塞がれた状態においてめつき によって形成された N i層である。 そして、 突起 1 0において、 最下層であ る第 3の層 1 3は機能めつき (被めつき面を活性化しながら金属層 (具体的 には N i層) を薄く析出させるめっき) によって、 最下層以外の部分である 第 4の層 1 4は電錶によって、 それぞれ形成されている。 したがって、 突起 1 0のうち肉厚である第 4の層 1 4が電錶によって形成されたことになる。 このことにより、 微細構造 1 2における肉厚の部分が電錶によって形成され たことになる。 したがって、 微細構造 1 2が有する突起 1 0の高さを、 短時 間に大きくすることが可能になる。  A plurality of fine projections 10 are formed on the conductive layer 9. Between the projections 10, a portion (lower portion) having a narrow width and a low surface, ie, a groove 11 other than the projections 10 is formed. The plurality of projections 10 and the plurality of grooves 11 together constitute a microstructure 12. The protrusion 10 is formed of a third layer 13 formed sequentially on the conductive layer 9 and each made of a conductor and a fourth layer 14 having a thickness. The third layer 13 and the fourth layer 14 are Ni layers formed by plating in a state in which the groove 11 is closed by a resist layer (described later). Then, in the protrusion 10, the lowermost third layer 13 is plated with a functional plating (plating for thinly depositing a metal layer (specifically, a Ni layer) while activating the plating surface). The fourth layer 14 which is a portion other than the lowermost layer is formed by an electric wire, respectively. Therefore, the fourth layer 14 which is a thick layer of the protrusion 10 is formed by the electrode. As a result, the thick portion in the fine structure 12 is formed by the electric wire. Therefore, the height of the protrusion 10 of the fine structure 12 can be increased in a short time.
[0036] ここで、 所定の強度を有するベース部材 2について説明する。 ベース部材  Here, the base member 2 having a predetermined strength will be described. Base member
2は成形型 1の母材であって、 鋼系材料、 WC (タングステンカーバイド) 等の超硬合金、 アルミニウム等の金属材料から構成される。 ここで、 上述し た 「所定の強度」 とは、 成形型 1に要求される機械的な強度、 すなわち、 成 形型 1が使用される際に成形型 1に加えられる機械的な圧力に耐えられる程 度の強度をいう。 そして、 「機械的な圧力」 としては、 例えば、 次のような 圧力が挙げられる。 まず、 成形型 1に設けられたキヤビティ (図示なし) に 充填された流動性樹脂が硬化して硬化樹脂を形成する場合、 すなわち、 射出 成形、 トランスファ成形、 圧縮成形等における型締め圧である。 また、 射出 成形及びトランスファ成形における流動性樹脂の注入圧である。 更に、 成形 型 1の微細構造 1 2が硬化樹脂等の樹脂材料や透光性材料等に転写されるこ とによって成形品を形成する場合、 すなわち、 ホットエンボス等において成 形型 1に加えられる機械的な圧力である。 2 is a base material of the mold 1 and is made of a steel material, a cemented carbide such as WC (tungsten carbide), or a metal material such as aluminum. Here, the “predetermined strength” mentioned above refers to the mechanical strength required for the mold 1, ie, the mechanical pressure applied to the mold 1 when the mold 1 is used. Say the degree of strength that can be achieved. And "mechanical pressure" is, for example, the following pressure. First, when the flowable resin filled in the cavity (not shown) provided in the mold 1 is cured to form a cured resin, that is, the mold clamping pressure in injection molding, transfer molding, compression molding and the like. Also, it is the injection pressure of fluid resin in injection molding and transfer molding. Furthermore, molding When a molded article is formed by transferring the microstructure 1 2 of the mold 1 to a resin material such as a cured resin or a translucent material, that is, mechanical added to the mold 1 by hot embossing or the like. It is a pressure.
[0037] また、 第 1 _第 4の層 7, 8, 1 3, 1 4について説明する。 第 1の層 7 は機能めつきによって形成された N i層で、 第 2の層 8はスルファミン酸め つきによって厚付けを目的として形成された N i層である。 また、 第 3の層 1 3は、 溝 1 1がレジスト層 (後述) によって塞がれた状態において機能め つきによって形成された N i層である。 また、 第 4の層 1 4は、 溝 1 1がレ ジス卜層 (後述) によって塞がれた状態においてスルファミン酸めつきによ つて形成され、 第 3の層 1 3よりも大きな厚さを有する肉厚の N i層である 。 したがって、 導電層 9と突起 1 0とは、 共通の金属元素である N iを含ん でいる。 ここで、 スルファミン酸めつきによって形成された第 4の層 1 4は 、 電錶によって形成された層に相当する。 なお、 N iは、 成形品の少なくと も一部を構成する材料である硬化樹脂等の樹脂材料、 透光性材料等に対する 低密着性を有する材料である。 また、 ここでいう 「低密着性」 とは、 「従来 の金型材料である鋼系材料や超硬合金等と、 樹脂材料、 透光性材料等の材料 との間の密着性に比較した場合に、 低い密着性であること」 を意味する。  Also, the first to fourth layers 7, 8, 1 3, and 14 will be described. The first layer 7 is an N i layer formed by functional plating, and the second layer 8 is an N i layer formed for the purpose of thickening by sulfamic acid plating. The third layer 13 is an Ni layer formed by functional plating in a state where the groove 11 is closed by a resist layer (described later). In addition, the fourth layer 14 is formed by sulfamic acid plating in a state in which the groove 11 is closed by the resin wedge layer (described later), and has a thickness larger than that of the third layer 13. It is a thick Ni layer. Therefore, the conductive layer 9 and the protrusion 10 contain the common metal element N i. Here, the fourth layer 14 formed by the sulfamic acid plating corresponds to the layer formed by the electrode. Note that Ni is a material having low adhesion to a resin material such as a cured resin, which is a material constituting at least a part of a molded product, a light-transmissive material or the like. In addition, “low adhesion” as used herein refers to “comparison between the adhesion between steel materials, cemented carbides, etc., which are conventional mold materials, and materials such as resin materials, translucent materials, etc. In this case, it means "low adhesion".
[0038] また、 「十」 字型の形状を有する位置合わせマーク 4について説明する。  [0038] Further, the alignment mark 4 having a "cross" shape will be described.
位置合わせマーク 4は、 位置合わせマーク 4自体の寸法 (幅,長さ) と、 位 置合わせマーク 4相互間の距離とが、 予め高精度に加工されている。 この位 置合わせマーク 4は、 ベース部材 2に微細構造 1 2を形成する工程と、 完成 した成形型 1を使用して成形品を製造する工程との双方において、 位置合わ せの基準として機能する。  In the alignment mark 4, the dimensions (width, length) of the alignment mark 4 itself and the distance between the alignment marks 4 are previously processed with high accuracy. The alignment mark 4 functions as a reference for alignment both in the step of forming the microstructure 12 in the base member 2 and in the step of manufacturing a molded product using the completed mold 1. .
[0039] 本発明に係る微細構造体 (成形型 1 ) によれば、 所定の強度を有するベー ス部材 2の上に、 めっきによって形成され N i層からなる導電層 9と、 その 導電層 9を介して主に電錶によって形成され N i層からなる突起 1 0とを有 する微細構造 1 2が形成されている。 このことにより、 第 1に、 シリコン基 板からめっき層を剥離して製造されたそのめつき層からなる金型 (微細構造 体) に比較して、 大きな強度を有する微細構造体が得られる。 第 2に、 ベー ス部材 2の上に、 めっきによって導電層 9を、 主に電錶によって突起 1 0を 順次形成するので、 大きな強度を有する微細構造体が短時間に得られる。 第 3に、 微細構造体からなる成形型 1の接触部 5において流動性樹脂に接触す る型面がすべて N iによって構成されているので、 優れた低密着性と防鲭性 とを有する微細構造体 (成形型 1 ) が得られる。 According to the microstructure (molding die 1) according to the present invention, a conductive layer 9 formed by plating on the base member 2 having a predetermined strength and comprising the Ni layer, and the conductive layer 9 A fine structure 12 is formed, which is mainly formed by an electric wire through and has a protrusion 10 consisting of an N i layer. First of all, the mold consisting of the plating layer manufactured by peeling the plating layer from the silicon substrate (microstructure Microstructures with greater strength are obtained compared to the body). Second, the conductive layer 9 is formed on the base member 2 by plating, and the protrusions 10 are formed sequentially by mainly using an electrode, so that a microstructure having high strength can be obtained in a short time. Third, since all mold surfaces in contact with the flowable resin at the contact portion 5 of the mold 1 made of a microstructure are all made of Ni, a micro structure having excellent low adhesion and anti-corrosion properties. A structure (mold 1) is obtained.
[0040] また、 本発明に係る微細構造体 (成形型 1 ) によれば、 導電層 9における ベース部材 2に接する層である第 1の層 7と、 突起 1 0における最下層であ つて導電層 9に接する層である第 3の層 1 3とが、 機能めつきによってそれ ぞれ形成された N i層である。 また、 この機能めつきは、 該めっきによって 形成された N i層とこれに接する金属層との間における密着性を良くすると いう目的を有する。 また、 この機能めつきは、 該めっきによって形成された N i層の被覆力を向上させるという目的を有する。 これらの目的は、 機能め つきが被めつき面を活性化しながらその被めつき面に金属層を薄く析出させ ることによって、 達成される。 そして、 これらの目的が達成されることによ リ、 第 1の層 7を介するベース部材 2と第 2の層 8との間の密着性、 及び、 第 3の層 1 3を介する第 2の層 8と第 4の層 1 4との間の密着性が良好にな る。 したがって、 ベース部材 2と導電層 9と微細構造 1 2との間の密着性に 優れた微細構造体 (成形型 1 ) が得られる。  Further, according to the microstructure (molding die 1) according to the present invention, the first layer 7 which is a layer in contact with the base member 2 in the conductive layer 9 and the lowermost layer in the protrusion 10 are conductive. The third layer 13 which is a layer in contact with the layer 9 is a Ni layer formed by functional plating. In addition, this function plating has the purpose of improving the adhesion between the Ni layer formed by the plating and the metal layer in contact therewith. Moreover, this function plating has the purpose of improving the covering power of the Ni layer formed by the plating. These goals are achieved by thinly depositing a metal layer on the clinging surface while activating the clinging surface. And, by achieving these objects, the adhesion between the base member 2 and the second layer 8 through the first layer 7 and the second through the third layer 13 The adhesion between the layer 8 and the fourth layer 14 is improved. Therefore, a microstructure (molding die 1) having excellent adhesion between the base member 2, the conductive layer 9, and the microstructure 12 can be obtained.
[0041 ] 更に、 本発明に係る微細構造体 (成形型 1 ) によれば、 位置合わせマーク  Furthermore, according to the microstructure (molding die 1) of the present invention, alignment marks
4が、 ベース部材 2において微細構造 1 2を形成する工程と、 完成した微細 構造体が使用される工程、 すなわち成形型 1を使用して成形品を製造するェ 程との双方において、 位置合わせの基準として機能する。 これにより、 微細 構造体 (成形型 1 ) において位置合わせマーク 4と微細構造 1 2との間の寸 法精度が良好になるとともに、 成形型 1の微細構造 1 2と成形品との間の寸 法精度が良好になる。 したがって、 完成した微細構造体である成形型 1とこ れを使用して製造された結果物、 すなわち成形品との双方において、 良好な 寸法精度が得られる。 [0042] なお、 本発明に係る微細構造体 (成形型 1 ) によれば、 導電層 9と突起 1 0とを N iによって形成したが、 これに限らず、 微細構造体が接触する可能 性がある物質の特性に応じて金属の種類を変えることができる。 例えば、 ガ ラスに対して微細構造を転写する成形型として微細構造体が使用される場合 には、 P t (白金) によって導電層 9のうち少なくとも第 2の層 8を形成し 、 P t - R e (白金, レニウム) によって突起 1 0を形成してもよい。 これ により、 ガラスに対する離型性に優れた、 ホットエンボス (ナノインプリン 卜) 用の成形型が得られる。 In the step of forming the microstructure 12 in the base member 2 and in the step of using the finished microstructure, ie, the step of using the mold 1 to produce a molded article, Act as a reference for As a result, the dimensional accuracy between the alignment mark 4 and the microstructure 12 in the microstructure (molding die 1) is improved, and the dimension between the microstructure 12 of the molding die 1 and the molded article is improved. Legal accuracy will be good. Therefore, good dimensional accuracy can be obtained both in the finished fine structure, the mold 1 which is a finished microstructure, and in the resulting product manufactured using this, ie, the molded product. According to the microstructure (molding die 1) according to the present invention, the conductive layer 9 and the projections 10 are formed of Ni, but the invention is not limited thereto, and the possibility of contact of the microstructures is also possible. The type of metal can be changed according to the characteristics of a given substance. For example, when a microstructure is used as a mold for transferring a microstructure to a glass, P t (platinum) forms at least a second layer 8 of the conductive layer 9, P t − The protrusion 10 may be formed by R e (platinum, rhenium). As a result, a mold for hot embossing (nano imprinting) with excellent mold releasability to glass can be obtained.
[0043] また、 上述の説明においては、 導電層 9と突起 1 0とが共通の金属元素で ある N i (又は P t ) を含んでいることとした。 これに限らず、 導電層 9と 突起 1 0とを構成する金属の組合せによっては、 導電層 9と突起 1 0とが共 通の金属元素を有する必要がない場合もある。 また、 導電層 9と突起 1 0と を構成する材料としては、 上述した N i、 P tの他に次のような材料を使用 することができる。 まず、 単金属めつきとして、 C u (銅) 、 C r (クロム ) 、 Z n (亜鉛) 、 S n (スズ) 、 P b (鉛) 、 A u (金) 、 A g (銀) 等 を使用することができる。 また、 合金めつきとして、 C u _ Z n、 C u - S n、 P b— S n、 S n— Z n、 Z n— N i、 F e (鉄) 一 N i等を使用する ことができる。 また、 分散 (複合) めっきとして、 ニッケル一アルミナ、 シ リコンカーバイド等の材料を使用することができる。 これらのうち、 微細構 造体 (成形型 1 ) が接触する物質の特性、 ベース部材 2と導電層 9と微細構 造 1 2との間における要求される密着性等に応じて、 好適な材料を選べばよ い。 Further, in the above description, the conductive layer 9 and the protrusion 10 contain the common metal element N i (or P t). Not limited to this, depending on the combination of the metal constituting the conductive layer 9 and the protrusion 10, the conductive layer 9 and the protrusion 10 may not need to have a common metal element. In addition to Ni and Pt described above, the following materials can be used as materials for forming the conductive layer 9 and the protrusions 10. First, as single metal plating, Cu (copper), Cr (chrome), Z n (zinc), Sn (tin), P b (lead), Au (gold), Ag (silver), etc. Can be used. In addition, as alloy plating, use Cu Z Z n, C u-S n, P b-S n, S n-Z n, Z n-N i, Fe (iron) and Ni etc. Can. In addition, as dispersion (composite) plating, materials such as nickel-alumina, silicon carbide can be used. Among these, suitable materials are selected according to the characteristics of the substance with which the microstructure (mold 1) contacts, the adhesion required between the base member 2 and the conductive layer 9 and the microstructure 12 and the like. Choose.
[0044] また、 ベース部材 2と微細構造 1 2との間の密着性について要求されてい る値がそれほど大きくない場合には、 1つの層によって導電層 9が形成され ていてもよい。 この場合においては、 機能めつき又は通常のめっき (例えば 、 スルファミン酸めつき等) によって導電層 9を形成し、 機能めつきによつ て第 3の層 1 3を形成し、 その後に電錶によって第 4の層 1 4を形成するこ とになる。 また、 微細構造 1 2が次のような構造であってもよい。 それは、 導電層 9の上に機能めつきによって第 3の層 1 3が形成され、 その上に他の めっきによって導電層が形成され、 その導電層の上に電錶によって肉厚であ る導電層 (第 4の層 1 4に相当) が形成されたような積層構造である。 更にIn addition, when the value required for the adhesion between the base member 2 and the microstructure 12 is not so large, the conductive layer 9 may be formed of one layer. In this case, the conductive layer 9 is formed by functional plating or ordinary plating (for example, sulfamic acid plating etc.), and the third layer 13 is formed by functional plating, and thereafter, it is electrically The fourth layer 14 will be formed. Further, the fine structure 12 may have the following structure. that is, A third layer 13 is formed on the conductive layer 9 by functional plating, another conductive layer is formed thereon by plating, and a thick conductive layer is formed on the conductive layer by an electrode. It is a laminated structure in which four layers (corresponding to fourteen layers) are formed. Furthermore
、 この積層構造において、 他のめっきによる導電層と電錶による導電層との 間に、 機能めつきによって導電層が形成されていてもよい。 In this laminated structure, the conductive layer may be formed by functional plating between the conductive layer formed by other plating and the conductive layer formed by the electrode.
[0045] また、 めっき以外の周知の成膜方法を使用して導電層 9を形成してもよい 。 周知の成膜方法として、 蒸着、 スパッタリング、 C V D等が挙げられる。 ここで、 導電層 9を構成する材料は、 金属系材料又は炭素系材料のうち少な くともいずれかを含んでいればよい。  The conductive layer 9 may be formed using a known film forming method other than plating. As a well-known film-forming method, vapor deposition, sputtering, C V D, etc. may be mentioned. Here, the material constituting the conductive layer 9 may contain at least one of a metal-based material and a carbon-based material.
[0046] また、 第 2の層 8と第 4の層 1 4とをそれぞれ N i以外の金属を使用して 形成してもよい。 この場合においても、 第 2の層 8の下地層である第 1の層 7と、 第 4の層 1 4の下地層である第 3の層 1 3とを、 それぞれ機能めつき による N i層として形成することができる。 更に、 第 1の層 7と第 3の層 1 3とを、 それぞれ機能めつきにより、 N i以外の好適な金属によって形成し てもよい。 これらにより、 第 1の層 7を介してベース部材 2と第 2の層 8と の間の密着性が向上するとともに、 第 3の層 1 3を介して第 2の層 8と第 4 の層 1 4との間の密着性が向上する。  In addition, the second layer 8 and the fourth layer 14 may be formed using metals other than Ni, respectively. In this case, too, the first layer 7 which is the base layer of the second layer 8 and the third layer 13 which is the base layer of the fourth layer 14 are each provided with a functional Ni layer. It can be formed as Furthermore, the first layer 7 and the third layer 13 may be formed of a suitable metal other than Ni, depending on the function. As a result, the adhesion between the base member 2 and the second layer 8 is improved through the first layer 7, and the second layer 8 and the fourth layer are increased through the third layer 13. Adhesiveness with 14 improves.
[0047] また、 ベース部材 2が鋼系材料等の金属材料から構成されることとしたが 、 これに代えて、 所定の強度を有する非導電性材料によってベース部材 2を 構成してもよい。 この場合には、 ベース部材 2の表面 6に無電解めつきによ つて N i層を形成した後に、 機能めつきによって第 1の層 7を、 スルフアミ ン酸めっきによって第 2の層 8を、 順次形成することができる。 非導電性材 料としては、 例えば、 セラミックス、 ガラス、 エンジニアリングプラスチッ ク等を使用することができる。  Also, although the base member 2 is made of a metal material such as a steel-based material, instead of this, the base member 2 may be made of a nonconductive material having a predetermined strength. In this case, after forming the Ni layer on the surface 6 of the base member 2 by electroless plating, the first layer 7 by functional plating, and the second layer 8 by sulfamate plating, It can be formed sequentially. As the non-conductive material, for example, ceramics, glass, engineering plastics, etc. can be used.
実施例 2  Example 2
[0048] 本発明に係る微細構造体 (図 1の成形型 1 ) とその製造方法とに関する実 施例 2を、 図 2 _図 3を参照して説明する。 図 2 ( 1 ) は本実施例に係る微 細構造体の母材であるベース部材を示し、 図 2 ( 2 ) _ ( 4 ) はベース部材 の表面上に導電層を形成する工程からその導電層の上のレジスト層を露光す る工程までの各工程を順次示す、 それぞれ部分断面図である。 図 3 ( 1 ) _ ( 4 ) は、 導電層の上にレジストパターンを形成する工程からその導電層の 上に微細構造を形成して微細構造体を完成させるまでの各工程を順次示す、 それぞれ部分断面図である。 Example 2 of the microstructure (the mold 1 of FIG. 1) according to the present invention and the method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS. Figure 2 (1) shows the base member which is the base material of the minute structure which relates to this execution example, Figure 2 (2) _ (4) is the base member FIG. 16 is a partial cross-sectional view sequentially showing each step from the step of forming a conductive layer on the surface of the step to the step of exposing a resist layer on the conductive layer. Fig. 3 (1) _ (4) sequentially shows each process from forming a resist pattern on the conductive layer to forming a microstructure on the conductive layer to complete the microstructure. FIG.
[0049] まず、 図 2 ( 1 ) に示すように、 鋼系材料、 超硬合金、 アルミニウム等の 金属材料から構成され、 所定の強度を有するベース部材 2を準備し、 表面 6 に対向してこれにほぼ平行な面である基準面 (図示なし;図では下側に位置 する) を基準にしてその表面 6を予め研磨しておく。 これにより、 基準面と 表面 6との間の平行度を良好にすることができる。 また、 ベース部材 2の端 部における非接触部 3には、 スライサ等を使用して、 「十」 字型の形状を有 する位置合わせマーク 4を予め形成しておく。 ここで、 位置合わせマーク 4 自体の寸法 (幅,長さ) と位置合わせマーク 4相互間の距離とが高精度にな るようにして加工する。 その後に、 表面 6に対して洗浄処理を行う。  First, as shown in FIG. 2 (1), a base member 2 made of a steel material, a cemented carbide, a metal material such as aluminum, and having a predetermined strength is prepared, and is opposed to the surface 6 The surface 6 is previously polished on the basis of a reference surface (not shown; located on the lower side in the figure) which is a plane substantially parallel to this. Thereby, the parallelism between the reference surface and the surface 6 can be improved. Further, in the non-contact portion 3 at the end of the base member 2, a registration mark 4 having a “X” shape is formed in advance using a slicer or the like. Here, machining is performed so that the dimensions (width, length) of the alignment mark 4 itself and the distance between the alignment mark 4 become high precision. Thereafter, the surface 6 is washed.
[0050] 次に、 図 2 ( 2 ) に示すように、 非接触部 3における位置合わせマーク 4 とそれらの周囲とを覆うようにして、 マスキングテープ 1 5を貼付する。 そ して、 表面 6における露出している部分 (表面 6のほぼ全面に相当する) に おいて、 機能めつきによって N i層からなる第 1の層 7を形成する。 その後 に、 金属層の厚付けを目的として、 第 1の層 7の上にスルファミン酸めつき によって N i層からなる第 2の層 8を形成する。 それぞれめっきによって形 成された N i層からなる第 1の層 7と第 2の層 8とは、 併せて導電層 9を構 成する。 この工程においては、 機能めつきによって第 1の層 7を形成するこ とにより、 表面 6に付着した油分等の付着物 (汚れ) が除去されて N iに置 換される。 したがって、 第 1の層 7を介するベース部材 2と第 2の層 8との 間の密着性が良好になる。 この工程においては、 機能めつきは特殊な作業条 件又は浴組成を用いて短時間施される。  Next, as shown in FIG. 2 (2), a masking tape 15 is attached so as to cover the alignment marks 4 in the non-contact portion 3 and their surroundings. Then, in the exposed portion of the surface 6 (corresponding to substantially the entire surface 6), the functional plating forms a first layer 7 of Ni layer. Thereafter, for the purpose of thickening the metal layer, a second layer 8 made of Ni layer is formed on the first layer 7 by sulfamic acid plating. The first layer 7 and the second layer 8 each consisting of a Ni layer formed by plating together constitute a conductive layer 9. In this step, the first layer 7 is formed by functional plating to remove deposits (soils) such as oil adhering to the surface 6 and to be replaced with Ni. Therefore, the adhesion between the base member 2 and the second layer 8 through the first layer 7 is improved. In this process, functional plating is applied for a short time using special operating conditions or bath composition.
[0051 ] 次に、 図 2 ( 3 ) に示すように、 マスキングテープ 1 5を剥離した後に、 導電層 9の上にポジ型のフォトレジス卜からなるレジス卜層 1 6を形成する 。 この工程では、 予めフィルム状に形成されたフィルムレジストを、 気泡が 発生しないようにして導電層 9の上に貼付する。 なお、 この工程においては 、 マスキングテープ 1 5を貼付した状態でロールコータを使用してもよく、 ベース部材 2の形状■大きさによってはスピンコータを使用してもよい。 Next, as shown in FIG. 2 (3), after the masking tape 15 is peeled off, a resist wedge layer 16 composed of a positive type photoresist is formed on the conductive layer 9. . In this step, a film resist, which has been formed in a film form, is attached onto the conductive layer 9 so that no bubbles are generated. In this step, a roll coater may be used with the masking tape 15 attached, or a spin coater may be used depending on the shape and size of the base member 2.
[0052] 次に、 図 2 ( 4 ) に示すように、 レジスト層 1 6の上に、 フォトマスク 1 7を直接配置する。 フォ卜マスク 1 7の下面には、 黒い部分である所定の遮 光パターン 1 8と、 ベース部材 2の位置合わせマーク 4に対応する位置にお ける位置合わせパターン 1 9とが形成されている。 フォ卜マスク 1 7を配置 する際には、 位置合わせパターン 1 9と、 ベース部材 2の表面 6における位 置合わせマーク 4とを、 露光機の位置合わせ用光学系 (図示なし) を使用し て水平方向及び垂直方向 (Z方向) に位置合わせする。 その後に、 露光機を 使用して、 フォ卜マスク 1 7を介して紫外光 2 0によってレジスト層 1 6を 照射して、 レジスト層 1 6を露光する (コンタクト露光) 。 このことにより 、 レジスト層 1 6における照射された部分を分解反応させて、 この照射され た部分を可溶部 2 1に変化させる。 この可溶部 2 1は、 所定の現像液に対す る可溶性を有する。 ここで、 露光用の光線としては、 紫外光 2 0又は X線を 使用することができる。 本実施例においては、 光源等の装置の利用容易性を 考慮して、 紫外光 2 0を使用する U V _ L I G Aプロセスを採用した。 この ことにより、 成形型 1を製造するためのコストが低減される。 なお、 微細構 造 1 2に要求される微細さの程度によっては、 X線一 L I G Aプロセスを採 用することもできる。  Next, as shown in FIG. 2 (4), a photomask 17 is directly disposed on the resist layer 16. A predetermined light shielding pattern 18, which is a black portion, and an alignment pattern 19 at a position corresponding to the alignment mark 4 of the base member 2 are formed on the lower surface of the photomask 17. When placing the photomask 17, use the alignment pattern 19 and the alignment mark 4 on the surface 6 of the base member 2 using the alignment optical system (not shown) of the exposure machine. Align horizontally and vertically (Z direction). Thereafter, the resist layer 16 is irradiated with ultraviolet light 20 through a photomask 17 using a light exposure machine to expose the resist layer 16 (contact exposure). As a result, the irradiated portion of the resist layer 16 is decomposed to change the irradiated portion to the soluble portion 21. The soluble portion 21 is soluble in a predetermined developer. Here, ultraviolet rays 20 or X-rays can be used as light rays for exposure. In the present embodiment, in consideration of the availability of the device such as the light source, the U V — L I G A process using ultraviolet light 20 is adopted. This reduces the cost for manufacturing the mold 1. Note that, depending on the degree of fineness required for the fine structure 12, it is possible to adopt an X-ray single LIGA process.
[0053] 次に、 所定の現像液を使用して、 ベース部材 2における露光したレジス卜 層 1 6を現像する。 これにより、 図 3 ( 1 ) に示すように、 図 2 ( 4 ) の可 溶部 2 1が現像液に溶融して形成された凹部 2 2と、 残存するレジスト層 1 6 (図 2 ( 4 ) 参照) からなる凸部 2 3とが、 導電層 9の上に形成される。 凹部 2 2と凸部 2 3とは、 併せてレジストパターン 2 4を構成する。 その後 に、 非接触部 3における位置合わせマーク 4とそれらの周囲とを覆うように して、 マスキングテープ 2 5を貼付する。 [0054] 次に、 図 3 ( 2 ) に示すように、 レジストパターン 2 4が形成されたべ一 ス部材 2に対して、 機能めつきによって N i層からなる第 3の層 1 3を形成 し、 その後に、 第 3の層 1 3の上にスルファミン酸めつきによって N i層か らなる肉厚層 2 6を形成する。 ここで、 スルファミン酸めつきによる肉厚層 2 6の形成が電錶による形成に相当する。 そして、 凹部 2 2 (図 3 ( 1 ) 参 照) においてそれぞれめっきによって形成された N i層からなる第 3の層 1 3と肉厚層 2 6とは、 併せて柱状金属 2 7を構成する。 この工程においては 、 機能めつきは特殊な作業条件又は浴組成を用いて短時間施される。 また、 機能めつきによって第 3の層 1 3を形成することにより、 導電層 9の表面が 活性化されるとともに、 その表面におけるレジスト層 1 6 (図 2 ( 4 ) 参照 ) の残留物等の付着物 (汚れ) が除去されて N iに置換される。 したがって 、 第 3の層 1 3を介する導電層 9 (図 3 ( 1 ) 参照) と肉厚層 2 6との間の 密着性が良好になる。 なお、 フォ卜マスク 1 7における遮光パターン 1 8の 形状を適切に定めることにより、 柱状金属 2 7の平面形状について、 四角形 以外の多角形、 円形、 楕円形等にすること、 及び、 形状,大きさを規則的に 又は不規則的に変化させることができる。 Next, the resist layer 16 exposed on the base member 2 is developed using a predetermined developer. As a result, as shown in FIG. 3 (1), the concave portion 22 formed by melting the soluble portion 21 of FIG. 2 (4) in the developer and the remaining resist layer 16 (FIG. And a convex portion 23 formed of the conductive layer 9 are formed on the conductive layer 9. The recess 22 and the protrusion 23 together constitute a resist pattern 24. Thereafter, a masking tape 25 is applied so as to cover the alignment marks 4 in the non-contact part 3 and their surroundings. Next, as shown in FIG. 3 (2), a third layer 13 consisting of a Ni layer is formed by functional plating on the base member 2 on which the resist pattern 24 is formed. After that, a thick layer 26 consisting of a Ni layer is formed on the third layer 13 by sulfamic acid plating. Here, the formation of the thick layer 26 by the sulfamic acid plating corresponds to the formation by the electrode. And, the third layer 13 consisting of Ni layer formed by plating in the recess 2 2 (refer to FIG. 3 (1)) and the thick layer 26 together constitute a columnar metal 27. . In this process, functional plating is applied for a short time using special operating conditions or bath composition. Also, by forming the third layer 13 by functional plating, the surface of the conductive layer 9 is activated, and residues of the resist layer 16 (see FIG. 2 (4)) on the surface, etc. The deposits (dirt) are removed and replaced with Ni. Therefore, the adhesion between the conductive layer 9 (see FIG. 3 (1)) and the thick layer 26 via the third layer 13 is improved. In addition, by appropriately defining the shape of the light shielding pattern 18 in the photomask 17, the planar shape of the columnar metal 27 may be formed into a polygon other than a square, a circle, an ellipse, or the like. Can be changed regularly or irregularly.
[0055] 次に、 図 3 ( 3 ) に示すように、 レジストパターン 2 4が形成された状態 において、 図 3 ( 2 ) に示された肉厚層 2 6の頂部、 すなわち柱状金属 2 7 の頂部を研磨する。 これによつて、 柱状金属 2 7の頂部が研磨されて、 それ ぞれ一定の高さを有する複数の突起 1 0が形成される。 なお、 ここでいう研 磨は、 柱状金属 2 7の頂部を平坦な状態にしつつ低くする加工を意味してお リ、 ラッピング、 切削加工、 研削加工、 砥粒加工等も含んでいる。 また、 こ の工程では、 ベース部材 2の表面 6 (図 2 ( 1 ) 参照) に対向する面である 基準面 (図示なし;図では下側に位置する) を基準にして、 柱状金属 2 7の 頂部を研磨することが好ましい。 これにより、 その基準面と表面 6と突起 1 0の頂面との間の平行度を良好にすることができる。 また、 複数の突起 1 0 の高さ (=図 1に示された複数の溝 1 1の深さ) を均一にすることができる ので、 微細構造 1 2における高さ方向の寸法精度を良好にすることができる 。 また、 柱状金属 2 7の頂部だけを研磨してそれらの頂部を一定の高さにし てもよく、 柱状金属 2 7の頂部とレジス卜パターン 2 4の凸部 2 3の上面と をともに研磨してそれらが同一面 (いわゆる面一) になるようにしてもよい 。 なお、 頂部が研磨された肉厚層 2 6が、 第 4の層 1 4に相当する。 Next, as shown in FIG. 3 (3), with the resist pattern 24 formed, the top portion of the thick layer 26 shown in FIG. 3 (2), ie, the columnar metal 27. Polish the top. As a result, the tops of the columnar metals 27 are polished to form a plurality of protrusions 10 each having a constant height. The term “grinding” as used herein means processing to lower the top of the columnar metal 27 in a flat state, and also includes grinding, lapping, grinding, grinding, and the like. Further, in this step, the columnar metal 2 7 is referred to a reference surface (not shown; located on the lower side in the drawing) which is a surface opposite to the surface 6 (see FIG. 2 (1)) of the base member 2. It is preferable to polish the top of the. Thereby, the parallelism between the reference surface, the surface 6 and the top surface of the protrusion 10 can be improved. In addition, since the heights of the plurality of projections 10 (= the depths of the plurality of grooves 11 shown in FIG. 1) can be made uniform, the dimensional accuracy in the height direction in the microstructure 12 can be improved. can do . Alternatively, only the tops of the columnar metals 27 may be polished to make their tops constant height, and the tops of the columnar metals 27 and the upper surfaces of the protrusions 23 of the resist pattern 24 may be polished together. They may be in the same plane (so-called flush). The thick layer 26 whose top is polished corresponds to the fourth layer 14.
[0056] 次に、 図 3 ( 4 ) に示すように、 導電層 9と複数の突起 1 0とが形成され たベース部材 2からレジストパターン 2 4 (図 3 ( 3 ) 参照) を剥離 (除去 ) する。 そして、 その後に微細構造体からなる成形型 1を洗浄する。 これに より、 図 1に示された微細構造体 (成形型 1 ) が完成する。 なお、 この工程 では、 次の方法を単独で又は適宜組み合わせて使用してもよい。 第 1の方法 は、 0 2 (酸素) アツシングである。 第 2の方法は、 アセトン等の洗浄液を使 用して微細構造体を洗浄する際に、 超音波振動を印加することである。 第 3 の方法は、 機能めつきを施して微細構造体の表面を活性化して気泡を積極的 に出すことによって、 レジスト残留物を除去することである。 この第 3の方 法では、 機能めつきを使用して、 被めつき面を活性化しながら金属層を薄く 析出させる。 したがって、 析出した金属層の厚さが寸法精度の観点から問題 にならないような微細構造体の製造に、 この方法を適用することが好ましい Next, as shown in FIG. 3 (4), the resist pattern 2 4 (see FIG. 3 (3)) is peeled off (removed) from the base member 2 on which the conductive layer 9 and the plurality of protrusions 10 are formed. ). After that, the mold 1 made of a microstructure is cleaned. This completes the microstructure (mold 1) shown in FIG. In this step, the following methods may be used alone or in combination as appropriate. The first method is 0 2 (oxygen) atsing. The second method is to apply ultrasonic vibration when cleaning the microstructure using a cleaning solution such as acetone. A third method is to remove resist residue by functional plating to activate the surface of the microstructure and to actively release air bubbles. In this third method, functional plating is used to thinly deposit the metal layer while activating the surface to be plated. Therefore, it is preferable to apply this method to the production of a microstructure in which the thickness of the deposited metal layer does not become a problem in terms of dimensional accuracy.
[0057] 本実施例によれば、 U V _ L I G Aプロセスを使用して実施例 1に係る微 細構造体 (成形型 1 ) を製造することができる。 そして、 具体的に本実施例 は、 次のような優れた効果を奏する。 まず、 光学的プロセスを使用して、 表 面 6のほぼ全面にわたるめつき (機能めつきを含む) 、 レジスト層形成、 露 光、 現像、 表面 6の露出する部分におけるめっき (機能めつきと電錶とを含 む) 、 レジストパターン剥離、 研磨という各工程を順次経て、 複数の突起 1 0を一括して形成する。 この製造方法によって、 高アスペクト比を有する多 数の突起 1 0を、 水平方向と垂直方向とに寸法精度よく、 かつ、 効率よく形 成することができる。 また、 ベース部材 2の表面 6に対向する面である基準 面 (図示なし;図では下側に位置する) と、 表面 6の端部における非接触部 3に形成された位置合わせマーク 4とを基準にして、 微細構造体を製造する 。 これによつて、 次のような良好な寸法精度を有する微細構造体 (成形型 1According to this example, it is possible to manufacture the fine structure (mold 1) according to Example 1 using the UV_LIGA process. And, specifically, this embodiment produces the following excellent effects. First, using an optical process, plating (including functional plating), resist layer formation, exposure, development, plating on the exposed portion of the surface 6 (functional plating and plating) covering almost the entire surface 6 A plurality of protrusions 10 are collectively formed through each process of resist pattern peeling and polishing in sequence. According to this manufacturing method, a large number of projections 10 having a high aspect ratio can be formed efficiently with high dimensional accuracy in the horizontal direction and the vertical direction. Further, a reference surface (not shown; located on the lower side in the drawing) which is a surface facing the surface 6 of the base member 2 and an alignment mark 4 formed on the non-contact portion 3 at the end of the surface 6 Produce a fine structure based on the standard . Thus, a microstructure (mold 1) having good dimensional accuracy as follows:
) を製造することができる。 それは、 位置合わせマーク 4と微細構造 1 2と の間における垂直方向と水平方向とに良好な寸法精度であり、 また、 基準面 (図示なし) と微細構造 1 2との間における垂直方向に良好な寸法精度であ る。 ) Can be manufactured. It has good dimensional accuracy in the vertical and horizontal directions between the alignment mark 4 and the microstructure 1 2, and also in the vertical direction between the reference surface (not shown) and the microstructure 1 2 Dimensional accuracy.
[0058] また、 切削加工、 研削加工、 放電加工等によって微細構造を形成する従来 の技術に比較して、 突起 1 0の形状についての制約が少なくなる。 また、 大 きな高さを有するとともに高ァスぺクト比を有する多数の突起 1 0を、 短時 間に形成することができる。 加えて、 それらの多数の突起 1 0を有する微細 構造体 (成形型 1 ) を、 短時間に製造することができる。  Further, the restriction on the shape of the protrusion 10 is reduced as compared with the conventional technique of forming a fine structure by cutting, grinding, electric discharge machining or the like. In addition, a large number of projections 10 having a large height and a high aspect ratio can be formed in a short time. In addition, a microstructure (mold 1) having the large number of projections 10 can be manufactured in a short time.
[0059] また、 それぞれ機能めつきによって、 導電層 9のうち第 1の層 7と、 柱状 金属 2 7のうち第 3の層 1 3とを形成する。 そして、 第 3の層 1 3の上に電 錶によって柱状金属 2 7のうち肉厚層 2 6を形成し、 レジス卜パターン 2 4 が形成された状態で肉厚層 2 6の頂面を研磨して複数の突起 1 0を形成する 。 したがって、 複数の突起 1 0と導電層 9とベース部材 2との間の密着性が 良好であり、 高さ方向の寸法精度に優れた複数の突起 1 0を有する微細構造 体 (成形型 1 ) を製造することができる。 更に、 レジストパターン 2 4が形 成された状態で肉厚層 2 6の頂面を研磨する。 したがって、 機能めつきによ つて第 1の層 7と第 3の層 1 3とを形成してそれらの層とそれらに接する層 との間の密着性を向上させること、 及び、 上述の研磨方法を採用することに よって、 微細構造 1 2における剥離、 傷、 変形等の発生を防止することがで さる。  Further, the first layer 7 of the conductive layer 9 and the third layer 13 of the columnar metal 27 are formed by functional plating, respectively. Then, the thick layer 26 of the columnar metal 27 is formed by the electrode on the third layer 13 and the top surface of the thick layer 26 is polished in a state where the resist pattern 24 is formed. Then form a plurality of projections 10. Therefore, a fine structure having a plurality of projections 10 having a plurality of projections 10, a good adhesion between the conductive layer 9 and the base member 2, and a high dimensional accuracy in the height direction (molding die 1) Can be manufactured. Furthermore, with the resist pattern 24 formed, the top surface of the thick layer 26 is polished. Therefore, forming the first layer 7 and the third layer 13 by functional plating to improve the adhesion between those layers and the layers in contact with them, and the above-mentioned polishing method By adopting this, it is possible to prevent the occurrence of peeling, damage, deformation and the like in the fine structure 12.
[0060] また、 所定の強度を有するベース部材 2の上に、 電錶を含むめっきによつ て微細構造 1 2を形成する。 これにより、 第 1に、 めっき層をマスタパター ンから剥離してそのめつき層からなる金型を作成するという従来の技術に比 較して、 優れた強度を有する微細構造体 (成形型 1 ) を短時間に製造するこ とができる。 また、 めっき層をマスタパターンから剥離する脱型処理を行う 必要がないので、 微細構造 1 2における剥離、 傷、 変形等の発生を防止する ことができる。 第 2に、 所定のレジストパターンを得てしかる後にめっきす るという従来の技術に比較して、 流動性樹脂等に接触する部分からなる接触 部 5 (図 1参照) の全面において N i層を形成することによって、 優れた低 密着性と防鲭性とを有する微細構造体 (成形型 1 ) を製造することができる Further, a microstructure 12 is formed on the base member 2 having a predetermined strength by plating including an electrode. As a result, first of all, a microstructure having excellent strength as compared with the prior art in which the plating layer is peeled off from the master pattern to create a mold consisting of the plating layer (molding die 1 Can be manufactured in a short time. In addition, since it is not necessary to carry out the mold release treatment for peeling the plating layer from the master pattern, the occurrence of peeling, damage, deformation, etc. in the fine structure 12 is prevented. be able to. Second, as compared to the prior art in which a predetermined resist pattern is obtained and then plated, the Ni layer is formed on the entire surface of the contact portion 5 (see FIG. 1) which is a portion in contact with the flowable resin or the like. By forming, it is possible to manufacture a microstructure (mold 1) having excellent low adhesion and anti-mold properties.
[0061 ] また、 U V—L I G Aプロセスを使用するので、 製造装置に関するコスト を低減することができる。 以上説明したように、 本実施例によれば、 良好な 寸法精度とベース部材 2に対する優れた密着性とを有する微細構造 1 2を備 えた微細構造体 (成形型 1 ) を、 低コストで製造することができる。 [0061] In addition, the use of the UV-LIGA process can reduce the cost associated with manufacturing equipment. As described above, according to the present embodiment, a microstructure (mold 1) having a microstructure 12 with good dimensional accuracy and excellent adhesion to the base member 2 is manufactured at low cost. can do.
[0062] なお、 本実施例では、 ポジ型のフォトレジス卜からなるレジスト層 1 6を 使用した。 これに限らず、 ネガ型のフォトレジストと、 フォトマスク 1 7の 遮光パターン 1 8を反転させたパターンを有するフォ卜マスクとを、 組み合 わせて使用することもできる。  In the present example, a resist layer 16 made of a positive type photoresist was used. The present invention is not limited to this, and a combination of a negative photoresist and a photo mask having a pattern obtained by inverting the light shielding pattern 18 of the photo mask 17 can also be used.
[0063] また、 本実施例において、 ほぼテーパ状 (台形状) の断面形状を有する複 数の突起 1 0を形成することもできる。 この場合には、 平行光源と、 適当な フォトレジス卜と、 そのフォトレジス卜に対応するパターンを有するフォ卜 マスクとを使用して、 フォトマスクを図 2 ( 4 ) の水平方向に微小に運動さ せることによって (ムービングマスク) 、 露光量の分布をコントロールすれ ばよい。 また、 フォトマスクとしてグレイスケールマスクを使用してもよい  Further, in the present embodiment, a plurality of protrusions 10 having a substantially tapered (trapezoidal) cross-sectional shape can also be formed. In this case, using a parallel light source, an appropriate photo resist, and a mask having a pattern corresponding to the photo resist, move the photo mask minutely in the horizontal direction of FIG. 2 (4). You can control the distribution of exposure by moving (moving mask). You may also use a grayscale mask as a photo mask
[0064] また、 本実施例では、 フォ卜マスク 1 7の下面とレジス卜層 1 6の上面と を密着させて露光するコンタクト露光を行うこととした。 これに代えて、 フ オトマスク 1 7の下面とレジスト層 1 6の上面との間隔を数十// m程度に保 つて露光するプロキシミティ露光を行ってもよい。 Further, in this example, the contact exposure is performed in which the lower surface of the mask 17 and the upper surface of the resist wedge layer 16 are brought into close contact and exposed. Instead of this, proximity exposure may be performed in which the distance between the lower surface of the photomask 17 and the upper surface of the resist layer 16 is maintained at about several tens / m.
[0065] また、 レジスト層 1 6の上面と、 ベース部材 2の表面 6のうち非接触部 3 の表面とが、 ほぼ同じ垂直方向 (Z方向) の位置になるようにしておくこと が好ましい。 例えば、 位置合わせマーク 4の周囲以外の部分の非接触部 3と 、 接触部 5の全部とを、 レジスト層 1 6の厚さにほぼ等しい深さだけ予め掘 リ込んでおくことが好ましい。 この加工は、 機械加工によって (例えば、 切 削後に研削することによって) 行うことができる。 これにより、 まず、 フォ 卜マスク 1 7の下面に設けられた位置合わせパターン 1 9と非接触部 3の表 面における位置合わせマーク 4とが、 いずれも位置合わせ用光学系 (図示な し) の焦点深度の範囲内に位置することが可能になる。 したがって、 ベース 部材 2とフォトマスク 1 7との水平方向 (X Y方向) の位置合わせを高精度 に行うことができる。 また、 非接触部 3の表面における位置合わせマーク 4 とレジスト層 1 6の上面とがほぼ同一面に位置するので、 垂直方向 (Z方向 ) の位置合わせ、 言い換えれば露光を行う際の焦点合わせを高精度に行うこ とができる。 Further, it is preferable that the upper surface of the resist layer 16 and the surface of the noncontact portion 3 of the surface 6 of the base member 2 be located at substantially the same vertical direction (Z direction). For example, the non-contact portion 3 of the portion other than the periphery of the alignment mark 4 and the whole of the contact portion 5 are previously cut by a depth approximately equal to the thickness of the resist layer 16 It is preferable to add it. This processing can be done by machining (for example, by grinding after cutting). Thus, first, both of the alignment pattern 19 provided on the lower surface of the photomask 17 and the alignment mark 4 on the surface of the non-contact portion 3 are of the alignment optical system (not shown). It is possible to locate within the depth of focus. Therefore, the alignment in the horizontal direction (XY direction) of the base member 2 and the photomask 17 can be performed with high accuracy. In addition, since the alignment mark 4 on the surface of the non-contact portion 3 and the upper surface of the resist layer 16 are positioned substantially in the same plane, alignment in the vertical direction (Z direction), in other words, focusing when exposure is performed It can be done with high accuracy.
[0066] また、 ベース部材 2の端部に別部材 (サイドブロック) を設け、 その別部 材とベース部材 2との表面を機械加工してそれらの表面を同一面になるよう にした後に、 別部材に位置合わせマーク 4を形成することもできる。 また、 別部材に位置合わせマーク 4を形成した後に、 その別部材とベース部材 2と の表面を機械加工してもよい。 また、 これらの場合において、 上述したよう に、 位置合わせマーク 4の周囲以外の部分を、 レジスト層 1 6の厚さにほぼ 等しい深さだけ予め掘り込んでおいてもよい。 更に、 これらの場合において 、 非導電性材料によって別部材を構成してもよい。 この構成によれば、 マス キングテープ 1 5の貼付が不要になるとともに、 ベース部材 2の表面 6の全 面に導電層 9を形成することができる。  Also, after providing another member (side block) at the end of the base member 2 and machining the surfaces of the other member and the base member 2 so that the surfaces become the same surface, The alignment mark 4 can be formed on another member. In addition, after forming the alignment mark 4 in another member, the surfaces of the other member and the base member 2 may be machined. Further, in these cases, as described above, the portion other than the periphery of the alignment mark 4 may be previously dug to a depth substantially equal to the thickness of the resist layer 16. Furthermore, in these cases, the separate member may be made of a non-conductive material. According to this configuration, it is not necessary to apply the masking tape 15, and the conductive layer 9 can be formed on the entire surface 6 of the base member 2.
[0067] また、 ベース部材 2の端部に位置合わせマーク 4を形成することもできる 。 更に、 この場合において、 上述したように、 位置合わせマーク 4の周囲以 外の部分を、 レジスト層 1 6の厚さにほぼ等しい深さだけ予め掘り込んでお いてもよい。 この構成によれば、 一体物のベース部材 2を使用することによ つて、 ベース部材 2の端部に別部材を設ける工程を省略することができる。  Further, the alignment mark 4 can be formed at the end of the base member 2. Furthermore, in this case, as described above, the portion other than the periphery of the alignment mark 4 may be previously dug to a depth substantially equal to the thickness of the resist layer 16. According to this configuration, the step of providing a separate member at the end of the base member 2 can be omitted by using the integral base member 2.
[0068] また、 本実施例では、 レジストパターン 2 4が形成された状態で柱状金属  Further, in the present embodiment, the columnar metal is formed in the state where the resist pattern 24 is formed.
2 7の頂部を研磨することとした。 これに限らず、 めっきを行う際の条件を 適正に管理することによってめつきだけで必要な精度が得られる場合には、 研磨は必ずしも必要ない。 なお、 柱状金属の頂部を研磨することが必ずしも 必要ないことについては、 他の実施例においても同様である。 We decided to polish the top of 27. Not limited to this, when the required accuracy can be obtained only by plating by appropriately managing the plating conditions, Polishing is not always necessary. The same is true for the other embodiments, as it is not always necessary to polish the top of the columnar metal.
実施例 3  Example 3
[0069] 本発明に係る微細構造体の使用例を、 実施例 3として図 4を参照して説明 する。 本実施例では、 図 1、 図 3に示された微細構造体が成形型として使用 される。 図 4は、 本発明に係る微細構造体からなる成形型が使用される一例 を示す部分断面図である。 なお、 図 4においては、 微細構造体としての詳細 な構造の図示は省略されている。  An exemplary use of the microstructure according to the present invention will be described as Example 3 with reference to FIG. In the present embodiment, the microstructure shown in FIGS. 1 and 3 is used as a mold. FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an example in which a mold comprising the microstructure according to the present invention is used. In FIG. 4, the detailed structure as a fine structure is not shown.
[0070] 図 4において、 微細構造体であって図 1の成形型 1に相当する下型 2 8は 、 複数の突起 1 0と、 それら複数の突起 1 0同士の間の溝 1 1とからなる、 微細構造 1 2を有する。 下型 2 8の型面、 すなわち図 4に示された表面 2 9 は、 下型 2 8を構成する材料以外の材料である他の材料 (例えば、 硬化樹脂 等の樹脂材料、 透光性材料等) に対して低密着性を有する材料 (例えば、 N i ) によって構成されている。 下型 2 8の上方にはこれに相対向して上型 3 0が配置され、 その上型 3 0には流動性樹脂 3 1が充填される空間であるキ ャビティ 3 2が設けられている。 下型 2 8の上にはリードフレームからなる 基板 3 3が載置され、 その基板 3 3の上面には半導体チップ等のチップ状の 電子部品、 すなわちチップ 3 4が装着されている。 基板 3 3には、 複数の貫 通孔 3 5が設けられている。  In FIG. 4, a lower structure 28 which is a microstructure and corresponds to the mold 1 of FIG. 1 has a plurality of projections 10 and a groove 11 between the plurality of projections 10. It has a fine structure 12. The mold surface of the lower mold 28, that is, the surface 2 9 shown in FIG. 4 is another material other than the material constituting the lower mold 28 (for example, a resin material such as a cured resin, a translucent material Etc.) is made of a material (eg, N.sub.i) having low adhesion. An upper die 30 is disposed opposite to the upper portion of the lower die 28 and the upper die 30 is provided with a cavity 32 which is a space filled with the flowable resin 31. . A substrate 33 consisting of a lead frame is mounted on the lower mold 28 and a chip-like electronic component such as a semiconductor chip, ie, a chip 34, is mounted on the upper surface of the substrate 33. The substrate 33 is provided with a plurality of through holes 35.
[0071 ] ここで、 下型 2 8に対して基板 3 3を位置合わせすることについて説明す る。 基板 3 3は、 下型 2 8の上に載置されている。 また、 基板 3 3は、 下型 2 8が有する複数の突起 1 0によって複数の貫通孔 3 5がそれぞれ塞がれる ようにして、 下型 2 8に対して位置合わせされている。 下型 2 8が有する複 数の突起 1 0に対して基板 3 3が有する複数の貫通孔 3 5をそれぞれ位置合 わせする際に、 図 1に示された位置合わせマーク 4 (図 4には図示なし) が 使用される。 また、 図 4に示された複数の突起 1 0は、 流動性樹脂 3 1に対 して接触する可能性がある部分、 すなわち接触部 5 (図 1も参照) に形成さ れている。 一方、 位置合わせマーク (図示なし) は、 流動性樹脂 3 1に対し て接触する可能性がない部分、 すなわち非接触部 3 (図 1も参照) に形成さ れている。 そして、 実施例 2において説明したように、 レジスト層 1 6を露 光する工程において、 フォ卜マスク 1 7とベース部材 2とを位置合わせする 際に、 位置合わせマーク 4が使用される (図 2 ( 4 ) 参照) 。 したがって、 図 1 _図 3に示された位置合わせマーク 4は、 レジスト層 1 6を露光するェ 程 (図 2 ( 4 ) 参照) と、 微細構造体 (下型 2 8 ) が使用される工程との双 方において、 それぞれ使用される。 Here, the alignment of the substrate 33 with the lower mold 28 will be described. The substrate 33 is placed on the lower mold 28. The substrate 33 is aligned with the lower mold 28 so that the plurality of through holes 35 are closed by the plurality of projections 10 of the lower mold 28. When the plurality of through holes 35 of the substrate 33 are aligned with the plurality of projections 10 of the lower mold 28 respectively, the alignment mark 4 shown in FIG. Not shown) is used. Further, the plurality of projections 10 shown in FIG. 4 are formed in portions which may come in contact with the flowable resin 31, ie, the contact portions 5 (see also FIG. 1). On the other hand, the alignment mark (not shown) is for the flowable resin 31 It is formed in the part where there is no possibility of contact, ie non-contact part 3 (see also FIG. 1). Then, as described in the second embodiment, in the step of exposing the resist layer 16, the alignment mark 4 is used when aligning the photomask 17 and the base member 2 (see FIG. 2). (See 4)). Therefore, the alignment mark 4 shown in FIG. 1 _ FIG. 3 is a process in which the resist layer 16 is exposed (see FIG. 2 (4)) and in which the fine structure (lower mold 28) is used. Both are used respectively.
[0072] 本発明に係る微細構造体からなる成形型 (下型 2 8 ) を使用して、 卜ラン スファ成形によって基板 3 3上のチップ 3 4を樹脂封止して、 成形品 (完成 品であるパッケージ) を製造する場合の各工程について、 概略を説明する。 まず、 図 4 ( 1 ) に示すように、 下型 2 8と上型 3 0とを型締めした状態に おいて、 プランジャ (図示なし) によって、 エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂 からなる流動性樹脂 3 1を押圧してキヤビティに充填する。 次に、 図 4 ( 2 ) に示すように、 流動性樹脂 3 1を硬化させて硬化樹脂 3 6を形成する。 こ れにより、 基板 3 3とチップ 3 4と硬化樹脂 3 6とが含まれる樹脂封止体 3 7を完成させる。 次に、 下型 2 8と上型 3 0とを型開きして樹脂封止体 3 7 を取り出し、 所定の切断線 3 8において樹脂封止体 3 7を切断することによ つて、 パッケージを完成させる。 なお、 ここまでの工程において、 流動性樹 脂 3 1とこれを硬化させた硬化樹脂 3 6とが、 成形品である樹脂封止体 3 7 の少なくとも一部に含まれているともに、 基本的には成形型を構成する材料 以外の材料、 すなわち他の材料に相当する。  [0072] A molded article is obtained by resin-sealing the chip 34 on the substrate 33 by resin foam molding using a mold (lower mold 28) comprising the microstructure according to the present invention. The outline of each process in the case of manufacturing a package is described. First, as shown in Fig. 4 (1), with the lower mold 28 and the upper mold 30 clamped, the flowability of the thermosetting resin such as epoxy resin is achieved by the plunger (not shown). Press the resin 31 to fill the cavity. Next, as shown in FIG. 4 (2), the flowable resin 31 is cured to form a cured resin 36. Thereby, the resin sealing body 37 including the substrate 33, the chip 34 and the cured resin 36 is completed. Next, the lower mold 28 and the upper mold 30 are opened, the resin sealing body 3 7 is taken out, and the package is cut by cutting the resin sealing body 3 7 at a predetermined cutting line 38. Finalize. In the steps up to here, both the fluid resin 31 and the cured resin 36 obtained by curing the resin are contained in at least a part of the molded resin article 3 7. These correspond to materials other than the materials that make up the mold, that is, other materials.
[0073] 本発明に係る微細構造体からなる成形型 (下型 2 8 ) によれば、 まず、 下 型 2 8が有する複数の突起 1 0に対して基板 3 3が有する複数の貫通孔 3 5 をそれぞれ位置合わせする際に、 図 1に示された位置合わせマーク 4 (図 4 には図示なし) を使用する。 また、 下型 2 8それ自体において、 その位置合 わせマーク (図 4には図示なし) と複数の突起 1 0とは、 水平方向において 高い寸法精度で形成されている。 これらにより、 水平方向において複数の突 起 1 0に対して複数の貫通孔 3 5をそれぞれ高精度に位置合わせすることが できる。 加えて、 複数の突起 1 0は均一な高さを有する。 したがって、 複数 の突起 1 0によって複数の貫通孔 3 5が完全に塞がれた状態で流動性樹脂 3 1がキヤビティ 3 2に充填される。 この場合において、 基板 3 3において貫 通孔 3 5に挟まれた部分 (端子) の外縁付近のみが複数の突起 1 0によって 支持される。 これにより、 端子の支持された部分において面圧が増加するの で、 基板 3 3の下面 3 9への流動性樹脂 3 1の漏出が防止される。 According to the mold (lower mold 2 8) formed of the microstructure according to the present invention, first, the plurality of through holes 3 possessed by the substrate 3 3 with respect to the plurality of protrusions 10 possessed by the lower mold 2 8 Use the alignment mark 4 shown in Figure 1 (not shown in Figure 4) when aligning 5 each. In the lower mold 28 itself, the alignment mark (not shown in FIG. 4) and the plurality of protrusions 10 are formed with high dimensional accuracy in the horizontal direction. Thus, the plurality of through holes 35 can be aligned with high accuracy with respect to the plurality of projections 10 in the horizontal direction. it can. In addition, the plurality of projections 10 have a uniform height. Therefore, the flowability resin 31 is filled in the cavity 32 with the plurality of through holes 35 completely blocked by the plurality of projections 10. In this case, only the vicinity of the outer edge of the portion (terminal) of the substrate 33 sandwiched by the through holes 35 is supported by the plurality of protrusions 10. As a result, the contact pressure is increased at the supported portion of the terminal, so that the leakage of the flowable resin 31 to the lower surface 39 of the substrate 33 is prevented.
[0074] 更に、 下型 2 8の表面 2 9は、 樹脂封止体 3 7の少なくとも一部を構成す る材料に対する低密着性を有する材料からなる。 これにより、 成形型 2 8の 型面に形成された微細構造 1 2において、 樹脂封止体 3 7と成形型 2 8との 間の離型性が向上する。  Furthermore, the surface 29 of the lower mold 28 is made of a material having low adhesion to the material forming at least a part of the resin sealing body 37. As a result, in the fine structure 12 formed on the mold surface of the mold 28, the releasability between the resin sealing body 37 and the mold 28 is improved.
[0075] ここまで説明したように、 本実施例に係る微細構造体からなる成形型 2 8 によれば、 基板 3 3の下面 3 9への流動性樹脂 3 1の漏出が防止される。 し たがって、 漏出した流動性樹脂 3 1が硬化して形成される樹脂ばりの発生が 防止されるので、 パッケージを製造する際の歩留まりとパッケージの品質と が向上する。 また、 樹脂封止体 3 7と成形型 2 8との間の離型性が向上する  As described above, according to the molding die 2 8 made of the microstructure according to the present example, the leakage of the flowable resin 31 to the lower surface 39 of the substrate 33 is prevented. Therefore, since the leaked flowable resin 31 is cured to prevent the formation of resin burrs, the yield in manufacturing the package and the quality of the package are improved. In addition, the releasability between the resin sealing body 37 and the molding die 28 is improved.
[0076] なお、 本実施例においては、 トランスファ成形によって、 基板 3 3に装着 されたチップ 3 4を樹脂封止する場合について説明した。 トランスファ成形 以外の成形方式を使用する場合であっても、 本発明に係る微細構造体を適用 することができる。 また、 成形体にインサートされる部材が有する貫通孔を 塞ぐ目的であれば、 樹脂封止以外の樹脂成形にも本発明に係る微細構造体を 適用することができる。 In the present embodiment, the case where the chip 34 attached to the substrate 33 is resin-sealed by transfer molding has been described. Even when a molding method other than transfer molding is used, the microstructure according to the present invention can be applied. In addition, the microstructure according to the present invention can be applied to resin molding other than resin sealing, as long as the purpose is to close the through hole of the member to be inserted into the molded body.
実施例 4  Example 4
[0077] 本発明に係る微細構造体とその製造方法とに関する実施例 4を、 図 5 ( 1 ) - ( 3 ) を参照して説明する。 図 5 ( 1 ) _ ( 3 ) は、 本実施例に係る微 細構造体を製造する際に導電層にくぼみ部を形成する工程からレジストパタ ーンを剥離 (除去) するまでの各工程を順次示す、 それぞれ部分断面図であ る。 本実施例に係る微細構造体の特徴は、 複数の突起とベース部材との間の 密着性が、 図 1に示された微細構造体よリもいっそう優れていることである 。 この特徴は、 いわゆるアンカー効果 (投錨効果) によって得られる。 Example 4 relating to a microstructure according to the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS. 5 (1) to (3). 5 (1) to 5 (3) show each process from the process of forming the recess in the conductive layer to the process of removing (removing) the resist pattern in manufacturing the microstructure according to this example. Each is a partial sectional view shown. The features of the microstructure according to the present embodiment are: between the plurality of protrusions and the base member Adhesion is better than the microstructure shown in FIG. This feature is obtained by the so-called anchor effect (casting effect).
[0078] 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 図 3 (1 ) に示された状態までは 実施例 2と同じである。 そして、 この状態から、 図 5 (1 ) に示すように、 エッチングによって、 レジス卜パターン 24の凹部 22において露出する導 電層 9に、 溝状のくぼみ部 40を形成する。 このエッチングとしては導電層 9を除去できるものであればよく、 例えば、 電解エッチング、 湿式エツチン グ、 ドライエッチング等を使用することができる。 また、 くぼみ部 40は、 図 5 (1 ) に示すように第 2の層 8だけに形成してもよく、 第 2の層 8と第 1の層 7との双方にわたって形成してもよい。 なお、 通常の場合には、 図 5 (1 ) に示すように、 エッチングする際にサイドエッチされることによって 、 くぼみ部 40は上方に向かって広がるテーパ状の断面形状を有する。  The method of manufacturing a microstructure according to the present invention is the same as that of Example 2 up to the state shown in FIG. 3 (1). Then, from this state, as shown in FIG. 5 (1), a groove-like recess 40 is formed in the conductive layer 9 exposed in the recess 22 of the resist pattern 24 by etching. As this etching, any one that can remove the conductive layer 9 may be used, and for example, electrolytic etching, wet etching, dry etching or the like can be used. Also, the recess 40 may be formed only in the second layer 8 as shown in FIG. 5 (1), or may be formed over both the second layer 8 and the first layer 7. In the usual case, as shown in FIG. 5 (1), the recessed portion 40 has a tapered cross-sectional shape that spreads upward by being side-etched during etching.
[0079] 次に、 図 5 (2) に示すように、 くぼみ部 40において機能めつきによつ て N i層からなる第 3の層 41を形成し、 その後に、 第 3の層 41の上にス ルファミン酸めつきによって N i層からなる肉厚層 42を形成する。 このェ 程は、 図 3 (2) に示す工程と同じである。 そして、 凹部 22 (図 5 (1 ) 参照) においてそれぞれめっきによって形成された N i層からなる第 3の層 41と肉厚層 42とは、 併せて柱状金属 43を構成する。 なお、 スルフアミ ン酸めっきによる肉厚層 42の形成が、 電錶による形成に相当する。  Next, as shown in FIG. 5 (2), the third layer 41 made of Ni layer is formed by functional plating in the recess 40, and thereafter, the third layer 41 of the third layer 41 is formed. A thick layer 42 of Ni layer is formed on top by sulfamic acid plating. This process is the same as the process shown in Fig. 3 (2). Then, the third layer 41 made of Ni layer and the thick layer 42, which are respectively formed by plating in the recess 22 (see FIG. 5 (1)), together form a columnar metal 43. The formation of the thick layer 42 by the sulfamic acid plating corresponds to the formation by the electrode.
[0080] 次に、 図 5 (3) に示すように、 レジストパターン 24が形成された状態 において (図 5 (2) 参照) 、 肉厚層 42の頂部、 すなわち柱状金属 43の 頂部を研磨する。 これにより、 第 3の層 41と第 4の層 44とからなりそれ ぞれ一定の高さを有する複数の突起 45を形成し、 ベース部材 2からレジス 卜パターン 24を剥離 (除去) し、 その後に洗浄を行う。 これにより、 複数 の突起 45と溝 46とからなる微細構造 47を有する微細構造体、 すなわち 成形型 48が完成する。 なお、 これらの工程は、 図 3 (3) - (4) に示す 工程と同じである。 なお、 頂部が研磨された肉厚層 42が、 第 4の層 44に 相当する。 [0081 ] 本実施例によれば、 複数の突起 4 5における最下層である第 3の層 4 1は 、 導電層 9がエッチングされることによって形成されたくぼみ部 4 0におい て、 機能めつきによって形成されている。 また、 複数の突起 4 5における第 3の層 4 1以外の部分である第 4の層 4 4が、 その第 3の層 4 1の上に電錶 によって形成されている。 これにより、 導電層 9に形成されたくぼみ部 4 0 において、 複数の突起 4 5の底部がそれぞれ導電層 9に食い込むようにして 形成されている。 したがって、 機能めつきによって形成された N i層である 第 3の層 4 1による密着性の向上という効果に加えて、 いわゆるアンカー効 果 (投錨効果) によってベース部材 2と複数の突起 4 5との間の密着性がい つそう向上する。 Next, as shown in FIG. 5 (3), with the resist pattern 24 formed (see FIG. 5 (2)), the top of the thick layer 42, ie, the top of the columnar metal 43 is polished . As a result, a plurality of projections 45, each having a constant height, consisting of the third layer 41 and the fourth layer 44 are formed, and the resist pattern 24 is peeled off (removed) from the base member 2 and thereafter Do the cleaning. As a result, a microstructure having a microstructure 47 composed of a plurality of projections 45 and grooves 46, ie, a mold 48 is completed. These steps are the same as the steps shown in Figure 3 (3)-(4). The thick layer 42 whose top is polished corresponds to the fourth layer 44. According to the present embodiment, the third layer 41, which is the lowermost layer of the plurality of protrusions 45, functions in the recess 40 formed by the etching of the conductive layer 9. It is formed by In addition, a fourth layer 44 which is a portion other than the third layer 41 in the plurality of protrusions 45 is formed on the third layer 41 by an electrode. Thus, the bottoms of the plurality of protrusions 45 are formed so as to bite into the conductive layer 9 in the depressions 40 formed in the conductive layer 9. Therefore, in addition to the effect of improving the adhesion by the third layer 41, which is a Ni layer formed by functional plating, the base member 2 and the plurality of protrusions 45 by the so-called anchor effect (the anchoring effect). The adhesion between the two improves when.
[0082] 本実施例に係る微細構造体 (成形型) の変形例を、 図 5 ( 4 ) を参照して 説明する。 図 5 ( 4 ) は、 実施例 4に係る微細構造体の変形例を示す部分断 面図である。 本変形例においては、 図 5 ( 1 ) の工程において、 図示された <ぼみ部 4 0を更に深く形成して、 導電層 9だけではなくベース部材 2にわ たってくぼみ部 4 0を形成している。 その後に、 図 5 ( 1 ) 〜 (3 ) に示す 工程と同様にして、 図 5 ( 4 ) に示された微細構造体、 すなわち成形型 4 9 が完成する。  A modified example of the microstructure (molding die) according to this example will be described with reference to FIG. 5 (4). FIG. 5 (4) is a partial cross-sectional view showing a modification of the microstructure according to Example 4. In this modification, in the process of FIG. 5 (1), the illustrated <bump portion 40 is formed deeper to form a recessed portion 40 across the base member 2 as well as the conductive layer 9. ing. Thereafter, in the same manner as the steps shown in FIGS. 5 (1) to (3), the microstructure shown in FIG. 5 (4), ie, the mold 4 9 is completed.
[0083] 本変形例に係る微細構造体 (成形型 4 9 ) によれば、 図 5 ( 3 ) に示され た微細構造体 (成形型 4 8 ) に比べて、 ベース部材 2と複数の突起 4 5との 間の密着性がいっそう向上する。 その理由は、 第 1に、 成形型 4 9において は、 複数の突起 4 5が、 導電層 9に対して食い込んでいるだけではなくベー ス部材 2に対しても深く食い込んでいることである。 第 2に、 成形型 4 9に おいては、 ベース部材 2に対して食い込んでいる部分が、 機能めつきによつ て形成された第 3の層 4 1と電錶によって形成された第 4の層 4 4との双方 であるということである。 第 3に、 成形型 4 9においては、 図 5 ( 3 ) に示 された成形型 4 8に比べて、 ベース部材 2と複数の突起 4 5との間の接触面 積が大きいということである。 したがって、 本変形例によれば、 ベース部材 2と複数の突起 4 5との間の密着性がよりいつそう向上した微細構造体、 す なわち成形型 4 9が得られる。 According to the microstructure (molding die 4 9) according to this modification, compared to the microstructure (molding die 4 8) shown in FIG. 5 (3), the base member 2 and the plurality of protrusions are The adhesion between 4 and 5 is further improved. The first reason is that, in the mold 49, the plurality of projections 45 not only bite into the conductive layer 9, but also bit deeply into the base member 2. Second, in the mold 4 9, the portion biting into the base member 2 is formed by the third layer 41 formed by the functional plating and the fourth layer formed by the electrode plate. It means that both layers are 4 and 4. Third, in the mold 49, the contact area between the base member 2 and the plurality of protrusions 45 is larger than that of the mold 48 shown in FIG. 5 (3). . Therefore, according to this modification, a microstructure having an improved adhesion between the base member 2 and the plurality of protrusions 45 can be obtained, That is, a mold 4 9 is obtained.
[0084] なお、 本実施例及びその変形例に係る微細構造体は、 図 4に示された成形 型にも適用される。 その成形型は、 流動性樹脂の漏出が防止される成形型で あって、 樹脂封止用の成形型に代表されるものである。  The microstructures according to the present embodiment and the modification thereof are also applied to the molding die shown in FIG. The mold is a mold for preventing leakage of the flowable resin, and is represented by a mold for resin sealing.
[0085] また、 くぼみ部 4 0を形成する際に、 異方性エッチングを使用してもよい 。 これによれば、 くぼみ部 4 0は上下方向にわたってほぼ同じ寸法の断面形 状を有する。 この場合においても、 アンカー効果 (投錨効果) によってベー ス部材 2と複数の突起 4 5との間の密着性がいっそう向上する。 しかし、 微 視的に考えれば、 ベース部材 2と複数の突起 4 5との間の接触面積が大きい という点で、 上方に向かって広がるテーパ状の断面形状を有するくぼみ部 4 0をサイドエツチによって形成するほうが好ましい。  Also, anisotropic etching may be used when forming the recess 40. According to this, the recess 40 has a cross-sectional shape of substantially the same size in the vertical direction. Also in this case, the adhesion between the base member 2 and the plurality of projections 45 is further improved by the anchor effect (the anchoring effect). However, when considered microscopically, in the point that the contact area between the base member 2 and the plurality of protrusions 45 is large, the concave portion 40 having a tapered cross-sectional shape that spreads upward is formed by side etching. It is preferable to do this.
実施例 5  Example 5
[0086] 本発明に係る微細構造体とその製造方法とに関する実施例 5を、 図 6 ( 1 ) _ ( 4 ) を参照して説明する。 図 6 ( 1 ) _ ( 4 ) は、 本実施例に係る微 細構造体を製造する各工程を順次示す、 それぞれ部分断面図である。 本実施 例に係る微細構造体の特徴は、 複数の突起のうち少なくとも一部が 1以上の 段差を有する構造、 すなわち多段構造を有することである。  Example 5 relating to a microstructure according to the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS. 6 (1) to (4). FIGS. 6 (1) to 6 (4) are partial cross-sectional views sequentially showing each step of manufacturing the microstructure according to this example. The feature of the microstructure according to the present embodiment is that at least a part of the plurality of protrusions has a structure having one or more steps, that is, a multistage structure.
[0087] 本発明に係る微細構造体の製造方法は、 図 3 ( 3 ) に示された状態までは 実施例 2と同じである。 そして、 この状態から、 図 6 ( 1 ) に示すように、 複数の突起 1 0とレジストパターンの凸部 2 3との上に、 言い換えれば、 複 数の突起 1 0とレジストパターン (図 3 ( 1 ) のレジストパターン 2 4に相 当) の凸部 2 3とを介した導電層 9の上に、 別のレジスト層 5 0を形成する 。 凸部 2 3と別のレジスト層 5 0とは、 併せて全体のレジスト層 5 1を構成 する。 なお、 この工程は、 図 2 ( 3 ) に示す工程と基本的に同じである。  The method for producing a microstructure according to the present invention is the same as that of Example 2 up to the state shown in FIG. 3 (3). Then, from this state, as shown in FIG. 6 (1), in other words, a plurality of projections 10 and a resist pattern (see FIG. 3 (FIG. Another resist layer 50 is formed on the conductive layer 9 via the convex portion 23 of the resist pattern 24 of 1). The convex portion 23 and another resist layer 50 together constitute the entire resist layer 51. This process is basically the same as the process shown in Fig. 2 (3).
[0088] 次に、 図 6 ( 2 ) に示すように、 フォトマスク (図示なし) を使用して別 のレジス卜層 5 0を露光■現像し、 複数の突起 1 0のうち所望の突起 1 0 ( 複数の突起 1 0の一部であってもよく、 全部であってもよい) の上に開口 5 2を形成する。 別のレジスト層 5 0において形成された開口 5 2は、 図 3 ( 1 ) に示されたレジストパターン 2 4の凹部 2 2に相当する。 また、 開口 5 2を形成することによって、 レジス卜パターン 2 4の凸部 2 3と別のレジス 卜パターン 5 3とからなる全体のレジス卜パターン 5 4を形成する。 ここで 、 露光する領域は、 所望の突起 1 0の上面と同一の領域であってもよく、 そ の上面よりも狭い領域であってもよい。 なお、 これらの工程は、 図 2 ( 4 ) —図 3 ( 1 ) に示す工程と基本的に同じである。 Next, as shown in FIG. 6 (2), another resist layer 50 is exposed using a photo mask (not shown) and developed, and a desired protrusion of the plurality of protrusions 10 is obtained. An opening 52 is formed on 0 (which may be part of a plurality of projections 10 or all). The openings 52 formed in another resist layer 50 are shown in FIG. This corresponds to the recess 22 of the resist pattern 24 shown in 1). Further, by forming the opening 52, the entire resist pattern 54 consisting of the convex portion 23 of the resist pattern 24 and another resist pattern 53 is formed. Here, the area to be exposed may be the same area as the upper surface of the desired projection 10 or may be an area narrower than the upper surface. These steps are basically the same as the steps shown in Figure 2 (4)-Figure 3 (1).
[0089] 次に、 図 6 ( 3 ) に示すように、 各開口 5 2において、 所望の突起 1 0 ( 図 6 ( 2 ) 参照) における第 4の層 1 4の上に、 スルファミン酸めつきによ つて N i層からなる 2段目の肉厚層 5 5を形成する。 ここで、 それぞれスル ファミン酸めつきによって形成された第 4の層 1 4と 2段目の肉厚層 5 5と は、 併せて全体の肉厚層 5 6を構成する。 その後に、 全体のレジストパター ン 5 4が形成された状態で全体の肉厚層 5 6の頂部を、 すなわち 2段目の肉 厚層 5 5の頂部を研磨する。 これにより、 第 3の層 1 3と第 4の層 1 4と第 5の層 5 7とからなりそれぞれ一定の高さを有する複数の突起 5 8 (図 6 ( 4 ) 参照) を形成する。 これらの工程は、 図 3 ( 2 ) - ( 3 ) に示す工程と 同じである。 ここで、 所望の突起 1 0の上面よりも露光する領域が狭かった 場合には、 図 6 ( 3 ) に示すように、 所望の突起 1 0における第 4の層 1 4 と 2段目の肉厚層 5 5との境目において段差 5 9を形成することができる。 なお、 それぞれスルファミン酸めつきによる第 4の層 1 4と 2段目の肉厚層 5 5との形成、 すなわち全体の肉厚層 5 6の形成が、 電錶による形成に相当 する。 また、 頂部が研磨された 2段目の肉厚層 5 5が、 第 5の層 5 7に相当 する。 Next, as shown in FIG. 6 (3), sulfamic acid is plated on the fourth layer 14 in the desired projection 10 (see FIG. 6 (2)) in each opening 52. As a result, a second thick layer 55 composed of an Ni layer is formed. Here, the fourth layer 14 formed of sulfamic acid and the second thick layer 55 together form a whole thick layer 56. After that, with the entire resist pattern 54 formed, the top of the entire thick layer 56, ie, the top of the second thick layer 55, is polished. As a result, a plurality of projections 5 8 (see FIG. 6 (4)), each of which has a constant height, is formed of the third layer 13, the fourth layer 14 and the fifth layer 57. These steps are the same as the steps shown in Figure 3 (2)-(3). Here, when the area to be exposed is narrower than the upper surface of the desired protrusion 10, as shown in FIG. 6 (3), the fourth layer 14 and the second step in the desired protrusion 10 are formed. A step 59 can be formed at the boundary with the thick layer 55. The formation of the fourth layer 14 and the second thick layer 55 by the sulfamic acid plating, that is, the formation of the entire thick layer 56 corresponds to the formation of the electric layer. In addition, the second thick layer 55 whose top is polished corresponds to the fifth layer 57.
[0090] なお、 この工程では、 各開口 5 2における第 4の層 1 4の表面を活性化す るとともに、 その表面における別のレジスト層 5 0の残留物等の付着物 (汚 れ) を除去する目的で、 第 4の層 1 4の上に機能めつきによって N i層を形 成してもよい。 この場合には、 その N i層の上に、 スルファミン酸めつきに よって 2段目の肉厚層 5 5を形成することになる。  In this step, the surface of the fourth layer 14 in each of the openings 52 is activated, and deposits (contamination) such as residue of another resist layer 50 on the surface are removed. For this purpose, the Ni layer may be formed by functional plating on the fourth layer 14. In this case, a second thick layer 55 is formed on the Ni layer by sulfamic acid plating.
[0091 ] 次に、 図 6 ( 4 ) に示すように、 ベース部材 2から全体のレジストパター ン 5 4 (図 6 ( 3 ) 参照) を剥離 (除去) し、 その後に洗浄を行う。 これに より、 複数の突起 5 8と溝 6 0とからなる微細構造 6 1を有する微細構造体 、 すなわち成形型 6 2が完成する。 これらの工程は、 図 3 ( 4 ) に示す工程 と同じである。 [0091] Next, as shown in Fig. 6 (4), the entire resist pattern from the base member 2 is Peel off (remove) 5 4 (see Fig. 6 (3)) and then wash. As a result, a microstructure having a microstructure 61 consisting of a plurality of protrusions 58 and grooves 60 is completed, ie, a mold 62. These steps are the same as the steps shown in Figure 3 (4).
[0092] 本実施例によれば、 複数の突起 1 0を形成した後に、 露光■現像によって 、 少なくとも一部の突起 1 0の上に開口 5 2を有する別のレジストパターン 5 3を形成する。 そして、 開口 5 2において電錶を使用して 2段目の肉厚層 5 5を形成し、 必要に応じて 2段目の肉厚層 5 5の上面を各々研磨し、 その 後に全体のレジストパターン 5 4を除去する。 この過程において、 2段目の 肉厚層 5 5を形成する際に、 複数の突起 1 0と 2段目の肉厚層 5 5との境目 に段差 5 9を形成する。 これにより、 1つの段差 5 9を有し (言い換えれば 2段構造を有し) 寸法精度のよい複数の突起 5 8を有する微細構造体、 すな わち成形型 6 2が得られる。  According to the present embodiment, after forming the plurality of protrusions 10, another resist pattern 53 having an opening 52 is formed on at least a portion of the protrusions 10 by exposure ■ development. Then, a second step thick layer 55 is formed using an electrode at the opening 52, and if necessary, the upper surface of the second step thick layer 55 is polished, and thereafter the entire resist pattern is formed. 5 Remove 4 In this process, when the second thick layer 55 is formed, the step 59 is formed at the boundary between the plurality of protrusions 10 and the second thick layer 55. As a result, a microstructure having one step 59 (in other words, having a two-step structure) and a plurality of projections 58 with high dimensional accuracy, that is, a mold 62 can be obtained.
[0093] また、 必要に応じて、 図 6 ( 4 ) に示すように、 複数の突起 5 8において 、 段差 5 9がある突起と段差 5 9がない突起と高さが低い突起とを、 同時に 形成することができる。 また、 フォトマスク 1 7の遮光パターン 1 8 (図 2 ( 4 ) 参照) を適当に設定することによって、 突起における平面方向の寸法 (辺ゃ径等の寸法) 及び形状を任意に設定することができる。 また、 異なる 複数の幅を有する 2段目の肉厚層 5 5を、 同じ微細構造体において一括して 同時に形成することができる。 このことは、 図 6 ( 4 ) における右端の突起 5 8と、 右から 2〜3番目の突起 5 8とに、 示されている。 これらによって 、 様々な微細寸法と微細形状とを有する微細構造体が得られる。 そして、 こ のような微細構造体からなる成形型 6 2が、 成形品の製造に使用される。  In addition, as shown in FIG. 6 (4), if necessary, a plurality of protrusions 58 have a protrusion with a step 59, a protrusion without a step 59 and a protrusion with a low height at the same time. It can be formed. In addition, by appropriately setting the light shielding pattern 1 8 (refer to FIG. 2 (4)) of the photomask 17, it is possible to arbitrarily set the dimension in the plane direction (the dimension such as the diameter) and the shape of the protrusion. it can. In addition, it is possible to simultaneously and simultaneously form the second thick layer 55 having a plurality of different widths in the same fine structure. This is shown in the rightmost projection 58 in FIG. 6 (4) and the second to third projections 58 from the right. By these, a microstructure having various fine dimensions and shapes can be obtained. Then, a mold 62 composed of such a microstructure is used for the production of a molded article.
[0094] なお、 露光する領域を、 所望の突起 1 0の上面よりも広い領域にすること によって、 所望の突起 1 0と 2段目の肉厚層 5 5との境目において、 図 6 ( 3 ) - ( 4 ) に示す段差 5 9とは逆の段差を形成することができる。 この場 合には、 頭を持つねじのような形状を有する突起、 言い換えればきのこ型の 突起を形成することができる。 [0095] また、 本実施例では、 1つの段差 5 9を有する (言い換えれば 2段構造を 有する) 微細構造 6 1を備えた微細構造体、 すなわち成形型 6 2について説 明した。 これに限らず、 次のようにして、 3段以上の多段構造を有する微細 構造を備えた微細構造体を製造することができる。 まず、 図 6 ( 3 ) に示さ れた状態から必要に応じて 2段目の肉厚層 5 5の上面を各々研磨する。 次に 、 全体のレジス卜パターン 5 4と研磨された 2段目の肉厚層 5 5との上に 3 番目のレジスト層を形成し、 その 3番目のレジスト層を露光■現像して開口 を形成する。 次に、 それらの開口に電錶を使用して 3段目の肉厚層を形成す る。 次に、 必要に応じてそれらの 3段目の肉厚層の上面を各々研磨した後に 、 全体のレジストパターン 5 4を除去する。 これにより、 2つの段差を有す る (言い換えれば 3段構造を有する) 微細構造体を備えた成形型を製造する ことができる。 4段構造以上の多段構造を有する微細構造体を備えた成形型 についても、 同様にして得られる。 Incidentally, by making the area to be exposed wider than the upper surface of the desired protrusion 10, the boundary between the desired protrusion 10 and the second thick layer 55 is obtained as shown in FIG. )-(4) It is possible to form a step opposite to step 5 shown in 9. In this case, it is possible to form a projection having a screw-like shape with a head, in other words, a mushroom-shaped projection. Further, in the present embodiment, a microstructure having a microstructure 61 having one step 59 (in other words, having a two-step structure) has been described, that is, a mold 62. Not limited to this, it is possible to manufacture a microstructure provided with a microstructure having a multistage structure of three or more stages as follows. First, the upper surface of the second thick layer 55 is polished if necessary from the state shown in FIG. 6 (3). Next, a third resist layer is formed on the entire resist pattern 54 and the polished second thick layer 55, and the third resist layer is exposed and developed to form an opening. Form. Next, use an electric wire in those openings to form a third thick layer. Next, after polishing the upper surface of the third thick layer respectively as required, the entire resist pattern 54 is removed. This makes it possible to manufacture a mold provided with a microstructure having two steps (in other words, a three-step structure). The same can be applied to a mold provided with a microstructure having a multistage structure of four or more stages.
[0096] なお、 本実施例に係る微細構造体は、 図 4に示された成形型にも適用され る。 その成形型は、 流動性樹脂の漏出が防止される成形型であって、 樹脂封 止用の成形型に代表されるものである。  The microstructure according to this example is also applied to the molding die shown in FIG. The mold is a mold for preventing leakage of the flowable resin, and is typified by a mold for resin sealing.
[0097] また、 これまで説明した各実施例のうち実施例 1〜 4に示された微細構造 体は、 断面が正方形に近い複数の突起を、 言い換えれば小さいアスペクト比 を有する複数の突起を備えていた。 これに限らず、 適当な厚さを有するレジ ス卜層と適当な大きさの遮光パターンを有するフォ卜マスクとを使用して、 大きいアスペクト比を有する複数の突起を形成することもできる。 また、 実 施例 5に係る微細構造体、 すなわち多段構造を有する微細構造体において、 全体として大きいァスぺクト比を有する複数の突起を形成することもできる 。 これらにより、 剣山状の全体形状を有する微細構造体を形成することがで きる。 また、 1個の突起とその突起以外の部分 (表面が低くなつている部分 、 すなわち低位部) とを有する微細構造体に本発明を適用することもできる 。 このような 1個の突起を有する微細構造体は、 例えば、 プローブ等に使用 される。 また、 本発明は、 上述の各実施例に限定されるものではなく、 本発明の趣 旨を逸脱しない範囲内で、 必要に応じて、 任意にかつ適宜に組み合わせ、 変 更し、 又は選択して採用できるものである。 Further, among the embodiments described above, the microstructures shown in Embodiments 1 to 4 are provided with a plurality of projections having a cross section close to a square, in other words, a plurality of projections having a small aspect ratio. It was Not limited to this, it is also possible to form a plurality of projections having a large aspect ratio by using a resist wedge layer having an appropriate thickness and a phonon mask having a light shielding pattern of an appropriate size. In addition, in the fine structure according to the fifth embodiment, that is, a fine structure having a multi-stage structure, a plurality of protrusions having a large aspect ratio can be formed as a whole. By these, it is possible to form a fine structure having an overall shape like a sword. The present invention can also be applied to a fine structure having one protrusion and a portion other than the protrusion (a portion having a low surface, ie, a low portion). Such a microstructure having one protrusion is used, for example, as a probe. Furthermore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and any combination, modification, or selection may be made arbitrarily and appropriately as needed without departing from the spirit of the present invention. Can be adopted.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
[1] 1又は複数の突起と該 1又は複数の突起以外の低位部とからなる微細構造 を有する微細構造体であって、  [1] A microstructure having a microstructure comprising one or more projections and a lower portion other than the one or more projections,
所定の強度を有するベース部材と、  A base member having a predetermined strength;
前記ベース部材の表面における少なくとも一部において形成された導電層 とを備えるとともに、  And a conductive layer formed on at least a part of the surface of the base member.
前記 1又は複数の突起は前記導電層における所望の領域の上にめっきによ つて形成されており、 かつ、 前記 1又は複数の突起の厚さ方向における少な くとも一部は電錶によって形成されたことを特徴とする微細構造体。  The one or more protrusions are formed by plating on a desired region of the conductive layer, and at least a part of the one or more protrusions in the thickness direction is formed by an electrode. Fine structure characterized by
[2] 請求項 1に記載の微細構造体において、  [2] In the microstructure according to claim 1,
前記導電層の上にレジス卜層が形成され、 前記レジス卜層が露光■現像さ れることによって凹部と凸部とを有するレジス卜パターンが形成され、 前記 凹部において露出する前記導電層の上に前記 1又は複数の突起が形成され、 前記レジストパターンが除去されることによつて前記微細構造体が形成され ることを特徴とする微細構造体。  A resist 卜 layer is formed on the conductive layer, and a resist 有 す る pattern having recesses and protrusions is formed by exposing and developing the resist 卜 layer, and the conductive layer exposed on the recesses is formed on the resist layer. A microstructure, wherein the one or more projections are formed, and the microstructure is formed by removing the resist pattern.
[3] 請求項 2に記載の微細構造体において、  [3] In the microstructure according to claim 2,
前記 1又は複数の突起は、 前記凹部において露出する少なくとも前記導電 層がェツチングされることによって形成されたくぼみ部において形成された ことを特徴とする微細構造体。  The microstructure, wherein the one or more protrusions are formed in a recess formed by etching at least the conductive layer exposed in the recess.
[4] 請求項 2又は 3に記載の微細構造体において、  [4] In the microstructure according to claim 2 or 3,
前記 1又は複数の突起が形成された後に前記 1又は複数の突起と前記レジ ス卜パターンとの上に別のレジス卜層が形成され、 前記別のレジス卜層が露 光■現像されることによって前記 1又は複数の突起のうち少なくとも一部の 所望の突起の上に開口を有する別のレジス卜パターンが形成され、 前記開口 において電錶によって柱状金属が形成されることによって前記所望の突起と 前記柱状金属とを含むいっそう高い 1又は複数の突起が形成され、 前記レジ ス卜パターンと前記別のレジス卜パターンとが除去されることによって前記 微細構造体が形成されるとともに、 前記所望の突起と前記柱状金属との間の境目には段差が形成されたことを 特徴とする微細構造体。 After the one or more protrusions are formed, another resist wedge layer is formed on the one or more protrusions and the resist wedge pattern, and the other resist wedge layer is exposed and developed. And forming another resist pattern having an opening on at least a part of the one or more projections, and forming the columnar metal in the opening by an electric wire to form the desired projection and the desired projection. One or more higher protrusions including a columnar metal are formed, and the fine structure is formed by removing the resist 卜 pattern and the another resist 卜 pattern. A step is formed at the boundary between the desired protrusion and the columnar metal.
[5] 請求項 1 _ 4のいずれか 1つに記載の微細構造体において、 [5] The microstructure according to any one of claims 1 to 4,
前記微細構造体が使用される際に他の材料に接触しない部分からなる非接 触部に形成された位置合わせマークを備え、  It has an alignment mark formed on a non-contact portion which is a portion not in contact with other materials when the microstructure is used,
前記位置合わせマークは、 前記レジス卜層又は前記別のレジス卜層が露光 される際の位置合わせと前記微細構造体が使用される際の位置合わせとに各 々使用されることを特徴とする微細構造体。  The alignment marks are each used for alignment when the resist wedge layer or the another resist wedge layer is exposed and alignment when the fine structure is used. Fine structure.
[6] 請求項 1― 5のいずれか 1つに記載の微細構造体において、  [6] In the microstructure according to any one of claims 1-5,
前記微細構造は、 充填された流動性樹脂が硬化することによつて又は前記 The microstructure may be formed by curing the filled flowable resin or
1又は複数の突起と前記低位部とが前記他の材料に転写されることによって 成形品を成形する際に使用される成形型の型面に形成され、 One or more protrusions and the lower portion are formed on the mold surface of a mold used in molding a molded article by being transferred to the other material.
前記微細構造体の表面は前記成形品に対する低密着性を有する材料からな ることを特徴とする微細構造体。  A surface of the microstructure is made of a material having low adhesion to the molded product.
[7] 請求項 6に記載の微細構造体において、  [7] In the microstructure according to claim 6,
前記微細構造が形成された前記成形型は、 複数の貫通孔を有する基板の一 方の面に装着されたチップ状の電子部品を樹脂封止して成形品であるパッケ ージを成形する際に使用される樹脂封止型であり、  The molding die in which the fine structure is formed is formed by resin-sealing a chip-like electronic component mounted on one surface of a substrate having a plurality of through holes and molding a package as a molded article. Resin-sealed type used in
前記流動性樹脂が硬化することによつて前記チップ状の電子部品が樹脂封 止され、  By curing the flowable resin, the chip-like electronic component is resin-sealed,
前記複数の突起は前記複数の貫通孔を各々塞ぐようにして配置されている とともに、  The plurality of protrusions are disposed to close the plurality of through holes, respectively.
前記複数の突起は、 前記基板における前記一方の面に対向する他方の面に 前記流動性樹脂が流れ出すことを各々防止することを特徴とする微細構造体  The plurality of protrusions, wherein the flowable resin is prevented from flowing out to the other surface of the substrate opposite to the one surface.
[8] 1又は複数の突起と該 1又は複数の突起以外の低位部とからなる微細構造 を有する微細構造体の製造方法であって、 [8] A method for producing a microstructure having a microstructure comprising one or more projections and a lower portion other than the one or more projections,
所定の強度を有するベース部材の表面における少なくとも一部において導 電層を形成する工程と、 Guiding at least a portion of the surface of the base member having a predetermined strength Forming an electrode layer;
前記導電層の上にレジスト層を形成する工程と、  Forming a resist layer on the conductive layer;
前記レジスト層を露光■現像して凹部と凸部とを有するレジス卜パターン を形成する工程と、  Exposing the resist layer to form a resist pattern having a concave portion and a convex portion;
前記凹部において露出する前記導電層の上にめっきによって前記 1又は複 数の突起を形成する工程と、  Forming the one or more protrusions by plating on the conductive layer exposed in the recess;
前記レジス卜パターンを除去する工程とを備えるとともに、  And removing the resist pattern.
前記 1又は複数の突起を形成する工程においては、 前記 1又は複数の突起 の厚さ方向における少なくとも一部を電錶によって形成する工程を備えるこ とを特徴とする微細構造体の製造方法。  In the step of forming the one or more protrusions, a method of manufacturing a microstructure including the step of forming at least a part of the one or more protrusions in the thickness direction by an electrode.
[9] 請求項 8に記載の微細構造体の製造方法において、  [9] In the method of manufacturing a microstructure according to claim 8,
前記 1又は複数の突起を形成する工程においては、 前記凹部において露出 する前記導電層において少なくとも前記露出する導電層をエッチングするこ とによってくぼみ部を形成する工程と、 前記くぼみ部において前記 1又は複 数の突起を形成する工程とを備えることを特徴とする微細構造体の製造方法  Forming a recess by etching at least the exposed conductive layer in the conductive layer exposed in the recess; and forming a recess in the recess. And a step of forming a plurality of projections.
[10] 請求項 8又は 9に記載の微細構造体の製造方法において、 [10] In the method for producing a microstructure according to claim 8 or 9,
前記 1又は複数の突起を形成する工程の後に前記 1又は複数の突起と前記 レジス卜パターンとの上に別のレジスト層を形成する工程を備え、  Forming another resist layer on the one or more protrusions and the resist pattern after the step of forming the one or more protrusions;
前記別のレジスト層を露光■現像することによって前記 1又は複数の突起 のうち少なくとも一部の所望の突起の上に開口を有する別のレジストパタ一 ンを形成する工程と、  Forming another resist pattern having an opening on a desired protrusion of at least a part of the one or more protrusions by exposing the other resist layer to development;
前記開口において電錶によって柱状金属を形成して前記所望の突起と前記 柱状金属とを含むいっそう高い 1又は複数の突起を形成する工程と、 前記レジス卜パターンと前記別のレジス卜パターンとを除去することによ つて前記微細構造体を形成する工程とを更に備えるとともに、  Forming a columnar metal by an electric wire at the opening to form one or more higher projections including the desired projection and the columnar metal; removing the resist wedge pattern and the another resist wedge pattern Optionally, further comprising the step of forming the microstructure.
前記いつそう高い 1又は複数の突起を形成する工程では、 前記所望の突起 と前記柱状金属との間の境目に段差を形成することを特徴とする微細構造体 の製造方法。 In the step of forming the one or more projections, the step is formed at the boundary between the desired projections and the columnar metal. Manufacturing method.
請求項 8— 1 0のいずれか 1つに記載の微細構造体の製造方法において、 前記レジス卜パターンを形成する工程又は前記別のレジス卜パターンを形 成する工程では、 前記微細構造体を使用する際に他の材料に接触しない部分 からなる非接触部に形成された位置合わせマークを使用して位置合わせを行 つて露光するとともに、  The method for manufacturing a microstructure according to any one of claims 8 to 10, wherein the step of forming the resist ridge pattern or the step of forming the another resist ridge pattern uses the microstructure. Align and expose using alignment marks formed on non-contact areas that do not come in contact with other materials when
前記微細構造体を使用する際の位置合わせにおいても前記位置合わせマー クが使用されることを特徴とする微細構造体の製造方法。  A method for manufacturing a microstructure, wherein the alignment mark is used also in alignment when using the microstructure.
PCT/JP2007/000658 2006-06-26 2007-06-20 Microstructural body and process for producing the same WO2008001487A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-174715 2006-06-26
JP2006174715A JP4887511B2 (en) 2006-06-26 2006-06-26 Fine structure and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008001487A1 true WO2008001487A1 (en) 2008-01-03

Family

ID=38845262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/000658 WO2008001487A1 (en) 2006-06-26 2007-06-20 Microstructural body and process for producing the same

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4887511B2 (en)
WO (1) WO2008001487A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7035878B1 (en) 2000-01-25 2006-04-25 Fusionone, Inc. Base rolling engine for data transfer and synchronization system

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102672430B (en) * 2012-05-17 2014-10-29 盘起工业(大连)有限公司 Processing method and special device for hot runner preform valve needle
EP2848424B1 (en) * 2013-09-13 2019-10-23 HUECK Rheinische GmbH Method for producing a surface structure on a pressing tool by the application of metal coatings
JP7175077B2 (en) * 2016-09-12 2022-11-18 マクセル株式会社 Mold for plastic working and manufacturing method thereof
JP7049409B2 (en) * 2020-07-17 2022-04-06 マクセル株式会社 Manufacturing method of mold for plastic working

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266088A (en) * 1987-04-22 1988-11-02 Nkk Corp Production of nickel coated inconel pipe
JPH10189168A (en) * 1996-01-19 1998-07-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Microconnector and its manufacture
JP2003273108A (en) * 2002-03-13 2003-09-26 Seiko Epson Corp Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and circuit board and electronic apparatus
JP2005200708A (en) * 2004-01-16 2005-07-28 Alps Electric Co Ltd Method for manufacturing plated layer, and method for manufacturing connecting device using the method for manufacturing plated layer
JP2005243683A (en) * 2004-02-24 2005-09-08 Towa Corp Resin sealing mold and resin sealing method
JP2006137092A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for producing minute mold, minute mold and minute structure produced by the method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001033634A (en) * 1999-07-16 2001-02-09 Nippon Columbia Co Ltd Manufacture of stamper
JP2005026412A (en) * 2003-07-01 2005-01-27 Shinko Electric Ind Co Ltd Mold for coining manufacture of circuit board and its manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63266088A (en) * 1987-04-22 1988-11-02 Nkk Corp Production of nickel coated inconel pipe
JPH10189168A (en) * 1996-01-19 1998-07-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Microconnector and its manufacture
JP2003273108A (en) * 2002-03-13 2003-09-26 Seiko Epson Corp Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and circuit board and electronic apparatus
JP2005200708A (en) * 2004-01-16 2005-07-28 Alps Electric Co Ltd Method for manufacturing plated layer, and method for manufacturing connecting device using the method for manufacturing plated layer
JP2005243683A (en) * 2004-02-24 2005-09-08 Towa Corp Resin sealing mold and resin sealing method
JP2006137092A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for producing minute mold, minute mold and minute structure produced by the method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MARUYAMA K.: "Zukai Mekki Yogo Jiten", vol. 1ST ED., 1994, pages: 320, XP003020209 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7035878B1 (en) 2000-01-25 2006-04-25 Fusionone, Inc. Base rolling engine for data transfer and synchronization system

Also Published As

Publication number Publication date
JP4887511B2 (en) 2012-02-29
JP2008001044A (en) 2008-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1272234C (en) Method for forming microelectronic spring structures on a substrate
WO2008001487A1 (en) Microstructural body and process for producing the same
JP2006297571A (en) Method for manufacturing micro metallic structure, and micro metallic structure
JP2021096245A (en) Method of manufacturing timepiece component and component produced using the same
JP2021096249A (en) Method of manufacturing timepiece component and component produced using the same
JP2006299371A (en) Method for producing fine metal structure, and fine metal structure
JP4650113B2 (en) Laminated structure, donor substrate, and manufacturing method of laminated structure
JP6434833B2 (en) Electroforming mold, electroforming mold and electroforming mold manufacturing method
US6881369B2 (en) Microelectroforming mold using a preformed metal as the substrate and the fabrication method of the same
JP2006082476A (en) Mold manufacturing method and part manufactured using mold
JP3934558B2 (en) Stamper manufacturing method
JP3709831B2 (en) Manufacturing method of fine mold
JP4848494B2 (en) Mold manufacturing method and mold
JP5651520B2 (en) Imprint mold and manufacturing method thereof
US7156640B2 (en) Insert dies, molds, and methods for fabricating the same
JP2006028604A (en) Method for transferring minute shape, method for manufacturing casting mold, surface treatment method for casting mold, and casting mold
JP5579605B2 (en) Mold and mold manufacturing method
KR100828490B1 (en) Method of manufactuning leadframe
TW200524820A (en) Method of fabricating a stamper with microstructure patterns
CN112904664B (en) Micro-nano die and manufacturing method thereof
JP4164592B2 (en) Stamper manufacturing method
KR101008647B1 (en) A production method of A curved stamper having a curved surface
KR100987456B1 (en) A production method of A curved stamper having a curved surface
TWI269778B (en) A manufacturing method of a cavity
CN112904664A (en) Micro-nano mold and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07790184

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07790184

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1