WO2010001613A1 - マイクロミラーアレイ、及び、光スイッチ - Google Patents

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WO2010001613A1
WO2010001613A1 PCT/JP2009/003084 JP2009003084W WO2010001613A1 WO 2010001613 A1 WO2010001613 A1 WO 2010001613A1 JP 2009003084 W JP2009003084 W JP 2009003084W WO 2010001613 A1 WO2010001613 A1 WO 2010001613A1
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WO
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mirror
inner frame
micromirror
axis
micromirror array
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PCT/JP2009/003084
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English (en)
French (fr)
Inventor
剛 松本
▲高▼馬悟覚
壷井修
宮田宏志
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富士通株式会社
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means

Definitions

  • the present invention relates to a micromirror array used for, for example, an optical switch, an optical attenuator, and the like, and an optical switch including the micromirror array.
  • a micro mirror element that reflects light emitted from an optical fiber to an optical path of an arbitrary optical fiber by a rotating (swinging) mirror is provided. Used (see, for example, Patent Document 1).
  • FIG. 24 is a schematic plan view showing a conventional micromirror array.
  • a micromirror array 81 is formed by arranging a plurality of micromirror elements 82 in one direction.
  • the mirror 83 of the micromirror element 82 is connected to a mirror side movable electrode (comb electrode) 85 via a mirror arm 84.
  • the mirror 83 is supported on the inner frame 87 by a mirror arm 84 via a pair of torsion bars 86, 86, and can be rotated (swinged) about the torsion bars 86, 86 as rotation axes.
  • the inner frame 87 is disposed so as to cover the mirror 83 and the mirror side movable electrode 85, and has a mirror side fixed electrode (comb electrode) 87 a disposed to face the mirror side movable electrode 85. Then, the mirror 83 connected to the mirror arm 84 is moved together with the mirror arm 84 and the mirror side movable electrode 85 by the electrostatic force generated by the mirror side movable electrode 85 and the mirror side fixed electrode 87a in cooperation. , 86 can be rotated (oscillated) about a rotation axis.
  • An inner frame arm 87b is provided at the end of the inner frame 87 opposite to the mirror 83, and an inner frame side movable electrode (comb electrode) 87c is provided on the side surface thereof.
  • An outer frame arm 88a having one end fixed to the outer frame 88 is provided with an outer frame side fixed electrode (comb electrode) 88b.
  • the inner frame side movable electrode 87c and the outer frame side fixed electrode 88b are disposed to face each other.
  • the inner frame 87 is rotatably supported by the outer frame 88 via torsion bars 89 and 89 on the inner frame arm 87b on one end side and the other end side.
  • the inner frame 87 can be rotated (swinged) about the torsion bars 89 and 89 by the electrostatic force generated by the inner frame side movable electrode 87c and the outer frame side fixed electrode 88b in cooperation. It has become.
  • micromirror element 82 Since the above-described micromirror element 82 is arranged so that the inner frame 87 covers the mirror 83, the inner frame 87 is located between the two adjacent mirrors 83, and the mirror occupies in the mirror arrangement direction.
  • the ratio (mirror width Wm with respect to mirror pitch Wp) cannot be increased.
  • an optical multiplexed signal from an input port is dispersed into a single signal for each wavelength, reflected by a micromirror array, and distributed to a desired output port.
  • the mirror array is required to have a wide reflection (transmission) band for an optical signal (the narrow reflection band causes a deterioration in the transmission quality of the optical signal).
  • the mirror array is arranged according to the signal (wavelength) interval of the optical multiplexed signal, since the reflection (transmission) band of the mirror for the optical signal is determined by the mirror occupancy, a large mirror occupancy is desired.
  • the micromirror elements arranged so that the mirrors protrude are alternately arranged in the mirror arrangement direction so as to face each other, and the mirrors are brought close to each other in the mirror arrangement direction. .
  • an object of the present invention is to provide a micromirror array and an optical switch that can increase the mirror occupation ratio of a mirror that rotates about two axes.
  • a micromirror array of the present invention includes a plurality of micromirror elements that include a mirror that rotates about two axes and a support that is connected to an outer frame and supports the mirror.
  • the support portion extends between the mirror of the micromirror element including the support portion and one of the two mirrors adjacent to the mirror, and both ends are connected to the outer frame. It has the composition which is done.
  • the mirrors can be brought close to each other in the mirror arrangement direction, and the mirror occupation ratio can be increased.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a micromirror array according to a first embodiment of the present invention. It is a schematic plan view which shows the micromirror array which concerns on 2nd Embodiment of this invention. It is a schematic plan view which shows the micromirror array which concerns on 3rd Embodiment of this invention. It is a schematic plan view which shows the micromirror array which concerns on the modification of 3rd Embodiment of this invention. It is a schematic plan view which shows the micromirror array which concerns on 4th Embodiment of this invention. It is a schematic plan view which shows the micromirror array which concerns on 5th Embodiment of this invention.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view taken along the line bb ′ of FIG.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view along the line aa ′ in FIG. 10.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view taken along the line cc ′ of FIG. It is a schematic sectional drawing which concerns on the 1st modification of 7th Embodiment of this invention. It is a schematic sectional drawing which concerns on the 2nd modification of 7th Embodiment of this invention. It is a schematic sectional drawing which concerns on the 3rd modification of 7th Embodiment of this invention. It is a schematic plan view which shows the micromirror element which concerns on 8th Embodiment of this invention.
  • FIG. 15B is a partially enlarged perspective view of FIG. 15B.
  • FIG. 15B is a block diagram which shows the structure of the mesh type network to which a wavelength selection switch is applied.
  • It is a block diagram which shows the structure of the ring type network to which a wavelength selection switch is applied.
  • It is a schematic perspective view which shows the structure of the principal part of a spatial coupling type wavelength selective switch.
  • FIG. 22 is an explanatory diagram (part 1) for explaining the operation (port switching operation) of the wavelength selective switch of FIG. 21;
  • FIG. 22 is an explanatory diagram (part 1) for explaining the operation (port switching operation) of the wavelength selective switch of FIG. 21;
  • It is the elements on larger scale which show the general diffraction grating which is an example of a spectrometer.
  • It is a schematic plan view which shows the conventional micromirror array.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a micromirror array according to the first embodiment of the present invention. In the figure, only two micromirror elements 2 are shown, but it is possible to arrange three or more micromirror elements 2 in the micromirror array 1.
  • each micromirror element 2 includes a mirror 3 that rotates about two axes, and an inner frame 7 that is connected to the outer frame 8 and supports the mirror 3.
  • the mirror 3 is connected to a mirror side movable electrode (comb electrode) 5 via a mirror arm 4.
  • the inner frame 7 is formed so as to surround the mirror-side movable electrode 5 and supports the mirror arm 4 by a pair of torsion bars 6 and 6 (first axis A1).
  • the inner frame 7 is provided with a mirror side fixed electrode (comb electrode) 7 a facing the mirror side movable electrode 5.
  • the mirror 3 connected to the mirror arm 4 is moved together with the mirror arm 4 and the mirror side movable electrode 5 by the electrostatic force generated by the mirror side movable electrode 5 and the mirror side fixed electrode 7a in cooperation. 6 can be rotated (oscillated) with a rotation axis (first axis A1).
  • the inner frame 7 extends between the mirror 3 of the micromirror element 2 including the inner frame 7 and one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3, and is in front of the outer frame 8 on the mirror 3 side. And bent parallel to the support surface of the outer frame 8.
  • the inner frame 7 is rotatably supported by the outer frame 8 through a torsion bar 10 (second axis A2) at a portion extending in parallel with the support surface of the outer frame 8.
  • An inner frame arm 7c is provided at the end of the inner frame 7 opposite to the mirror 3, and an inner frame side movable electrode (comb electrode) 7b is provided on the side surface thereof.
  • An outer frame arm 8 a having one end fixed to the outer frame 8 is provided with an outer frame side fixed electrode (comb electrode) 8 b.
  • the inner frame side movable electrode 7b and the outer frame side fixed electrode 8b are arranged to face each other.
  • the inner frame 7 is also rotatably supported by the outer frame 8 via the torsion bar 10 (second axis A2), similarly to the end on the mirror 3 side, at the end of the inner frame arm 7c.
  • the inner frame 7 rotates around the torsion bars 10 and 10 (second axis A2) by the electrostatic force generated by the inner frame side movable electrode 7b and the outer frame side fixed electrode 8b in cooperation. It can be moved (oscillated).
  • the mirror 3 is configured to rotate with the torsion bars 6 and 6 as the rotation axis (first axis A1) and torsion bars 10 and 10 (second axis) orthogonal to the torsion bars 6 and 6.
  • the inner frame 7 as a support portion for supporting the mirror 3 is one of the mirror 3 of the micromirror element 2 including the inner frame 7 and the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3. And both ends are connected to the outer frame 8. Therefore, by arranging the micromirror elements 2 close to each other, the mirrors 3 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, according to the present embodiment, the mirror occupation ratio (mirror width Wm with respect to the mirror pitch Wp) of the mirror 3 that rotates about the two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 2. .
  • the inner frame 7 supports the mirror 3 so as to be rotatable via the torsion bars 6 and 6 (first axis A1). Therefore, the configuration for supporting the mirror 3 can be simplified, and therefore the integration of the micromirror element 2 can be facilitated.
  • the drive unit for rotating the mirror 3 and the like has been described as a comb-tooth electrode, but the drive method for rotation is not limited to the comb-tooth electrode.
  • Second Embodiment The present embodiment is the same as the first embodiment except that the rotation shaft portion 17c (second axis A2) of the inner frame 17 extends in a straight line between the outer frames 8 and the configuration associated therewith.
  • the same members are denoted by the same reference numerals in FIG. 2 and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a micromirror array according to the second embodiment of the present invention.
  • the rotating shaft portion 17c (second axis A2) of the inner frame 17 that supports the mirror 3 has both ends of the outer frame via the torsion bars 10 and 10. 8 and extends between the outer frames 8 in a straight line.
  • an inner frame side movable electrode (comb tooth) 17b is provided on the outer peripheral surface on the other end side of the rotation shaft portion 17c.
  • the inner frame 17 as a support portion for supporting the mirror 3 includes the mirror 3 of the micromirror element 12 including the inner frame 17 and the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3. It extends through one side and both ends are connected to the outer frame 8. Therefore, by arranging the micromirror elements 12 close to each other, the mirrors 3 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, also according to the present embodiment, the mirror occupancy of the mirror 3 that rotates about two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 12.
  • the inner frame 17 extends in a straight line passing between the mirror 3 of the micromirror element 12 including the inner frame 17 and one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3. Both ends have a rotating shaft portion 17c (second axis A2) connected to the outer frame 8. Therefore, the configuration of the inner frame 17 can be simplified, and therefore the integration of the micromirror element 12 can be facilitated.
  • the present embodiment is the same as the second embodiment except that the weight portions 27d and 27e are formed on the inner frame 27. Therefore, the same reference numerals in FIG. 3 denote the same members as in the second embodiment. Detailed description will be omitted.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a micromirror array according to a third embodiment of the present invention.
  • the rotating shaft portion 27c (second axis A2) of the inner frame 27 that supports the mirror 3 includes the mirror 3 of the adjacent micromirror element 22;
  • Weight portions 27d and 27e are provided between the outer frame 8 on the mirror 3 side and between the mirror side fixed electrode 27a and the inner frame side movable electrode 27b.
  • the weight portions 27d and 27e are the inner frame 27 and a portion that rotates together with the inner frame 27 about the rotation shaft portion 27c (in this embodiment, the mirror 3, the mirror arm 4, the mirror side movable electrode 5, the torsion bar). 6, 6) is arranged so as to be close to the rotation shaft 27 c of the inner frame 27 in the arrangement direction of the mirrors 3.
  • the inner frame 27 as a support portion for supporting the mirror 3 includes the mirror 3 of the micromirror element 22 including the inner frame 27 and the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3. It extends through one side and both ends are connected to the outer frame 8. Therefore, by arranging the micromirror elements 22 close to each other, the mirrors 3 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, also according to the present embodiment, the mirror occupancy of the mirror 3 that rotates about the two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 22.
  • the weight portion 27d includes the inner frame 27 and a portion that rotates together with the inner frame 27 about the rotation shaft portion 27c (second axis A2) (mirror 3, mirror arm 4, mirror).
  • the center of gravity with the side movable electrode 5 and the torsion bars 6, 6) is arranged so as to be close to the rotation shaft portion 27 c of the inner frame 27 in the mirror arrangement direction. Therefore, the inner frame 27 can be stably supported. Furthermore, the vibration resistance of the micromirror element 22 can be improved.
  • the inner frame 27 rotates with the rotation shaft portion 27c as the second axis A2, and the weight portions 27d and 27e are disposed on the rotation shaft portion 27c. Therefore, the inner frame 27 can be supported more stably, and the vibration resistance of the micromirror element 22 can be further improved.
  • the weight portions 27 d and 27 f are arranged at both ends of the rotation shaft portion 27, thereby rotating the inner frame 27 and the inner frame 27 around the second axis A ⁇ b> 2.
  • the center of gravity of the mirror 3, the mirror arm 4, the mirror-side movable electrode 5, and the torsion bars 6 and 6 may be positioned at the central portion 27 g in the length direction of the rotation shaft portion 27 c.
  • the present embodiment is mainly different from the first to third embodiments in that both ends are connected to the outer frame 8 and a reinforcing beam portion 39 that rotatably supports the inner frame 37 is provided. Since these are generally the same, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals in FIG. 5 and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a micromirror array according to a fourth embodiment of the present invention.
  • an inner frame 37 and a reinforcing beam portion 39 are arranged as a support portion that is connected to the outer frame 8 and supports the mirror 3.
  • the reinforcing beam portion 39 extends in a straight line between the mirror 3 of the micromirror element 32 provided with the reinforcing beam portion 39 and one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3, and both ends are arranged on the outer frame 8. It is connected to the.
  • the inner frame 37 is rotatably supported by the reinforcing beam portion 39 via the torsion bars 40 and 40 at the end portion on the mirror 3 side and the end portion on the opposite side. It rotates as an axis A2. Note that the end of the inner frame 37 on the mirror 3 side is located closer to the outer frame side fixed electrode 8 b than the mirror 3, and does not pass between the mirror 3 and the mirror 3.
  • the reinforcing beam portion 39 among the reinforcing beam portion 39 and the inner frame 37 serving as a support portion for supporting the mirror 3 includes the mirror 3 of the micromirror element 32 including the reinforcing beam portion 39, and The mirror 3 extends between one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3, and both ends are connected to the outer frame 8. Therefore, by arranging the micromirror elements 32 close to each other, the mirrors 3 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, also according to the present embodiment, the mirror occupation ratio of the mirror 3 that rotates about the two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 32.
  • the reinforcing beam portion 39 that rotatably supports the inner frame 37 passes between the mirror 3 of the micromirror element 32 and one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3. Since it extends and both ends are connected to the outer frame 8, the inner frame 37 can be stably supported by the reinforcing beam portion 39. Furthermore, the vibration resistance of the micromirror element 32 can be improved.
  • the inner frame 37 rotates with the reinforcing beam portion 39 as the second axis A2, and at least the end portion on the mirror 3 side or the vicinity thereof, the end portion on the mirror 3 side and the opposite side thereof. Are supported by a reinforcing beam portion 39 via torsion bars 40, 40. Since one of the torsion bars 40, 40 that support the inner frame 37 is supported in the vicinity of the center of gravity of the inner frame 37 (micromirror element 32), compared with the case where the support position is biased to one end (drawing) (Rotation around the horizontal direction). Furthermore, the vibration resistance of the micromirror element 32 can be improved.
  • the reinforcing beam portion 39 may have a portion that bends and extends between both ends connected to the outer frame 8. Good.
  • the configuration in which the inner frame 37 is supported by the reinforcing beam portion 39 at the end on the mirror 3 side and the end on the opposite side has been described.
  • the inner frame 37 is at least the end on the mirror 3 side.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing a micromirror array according to a fifth embodiment of the present invention.
  • the rotation shaft portion 47c (second axis A2) of the inner frame 47 that supports the mirror 3 has a reinforcing beam portion 49 at the end on the mirror 3 side.
  • the opposite end is connected to the outer frame 8 via torsion bars 50 and 50, respectively.
  • These torsion bars 50, 50 extend from the rotation shaft portion 47c in the longitudinal direction of the rotation shaft portion 47c.
  • the reinforcing beam portion 49 extends in a straight line between the outer frames 8, and is provided with a shaft support portion 49 a that supports one end of the rotation shaft portion 47 c of the inner frame 47 via the torsion bar 50.
  • the reinforcing beam portion 49 among the reinforcing beam portion 49 and the inner frame 47 serving as a support portion for supporting the mirror 3 includes the mirror 3 of the micromirror element 42 including the reinforcing beam portion 49, and
  • the mirror 3 extends between one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3, and both ends are connected to the outer frame 8. Therefore, by arranging the micromirror elements 42 close to each other, the mirrors 3 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, also according to the present embodiment, the mirror occupation ratio of the mirror 3 that rotates about two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 42.
  • the inner frame 47 has a rotating shaft portion 47c (second axis A2) in which the end portion on the mirror 3 side is supported by the reinforcing beam portion 49 and the other end portion is supported by the outer frame 8.
  • the inner frame 47 can be stably supported by the reinforcing beam portion 49. Furthermore, the vibration resistance of the micromirror element 42 can be improved.
  • the reinforcing beam portion 49 has been described with respect to the configuration in which the rotation shaft portion 47c is supported only at the end portion on the mirror 3 side.
  • the inner frame 47 can be supported more stably and vibration resistance can be improved.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing a micromirror array 41 according to a modification of the fifth embodiment of the present invention. Also in this modification, the inner frame 47 rotates the torsion bars 50 and 50 (second axis A2) by electrostatic force generated by the inner frame side movable electrode 47b and the outer frame side fixed electrode 8b in cooperation. It can be turned (oscillated) as a moving shaft.
  • the outer frame side fixed electrode 8b only needs to be fixed to the outer frame 8, and the outer frame side fixed electrode 8b may be provided on the outer frame arm (reinforcing beam portion 49) as in this modification. .
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing a micromirror array according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the rotation shaft portion 57c (second axis A2) of the inner frame 57 that supports the mirror 3 is on the mirror 3 side as in the fifth embodiment.
  • the shaft support portion 59a of the reinforcing beam portion 59 are connected to the outer frame 8 via torsion bars 60 and 60, respectively.
  • the inner frame 57 of the present embodiment is provided with a weight portion 57d at the end of the rotating shaft portion 57c opposite to the mirror 3.
  • the weight portion 57d has a center of gravity between the inner frame 57 and a portion that rotates together with the inner frame 57 (in this embodiment, the mirror 3, the mirror arm 4, the mirror side movable electrode 5, and the torsion bars 6, 6). 3 is arranged so as to be close to the rotation shaft portion 57c of the inner frame 57 in the three arrangement directions.
  • a weight portion is provided on the rotating shaft portion of the reinforcing beam portion 59. It is preferable to provide the center of gravity close to the rotation shaft portion of the reinforcing beam portion 59.
  • the reinforcing beam portion 59 extends in parallel with the rotation shaft portion 57c (second axis A2) from the end on the mirror 3 side, and from the rotation shaft portion 57c so as to avoid interference with the weight portion 57d of the inner frame 57. It bends and extends in a direction away from the mirror (mirror arrangement direction), and then bends again and extends parallel to the rotation shaft portion 57c.
  • a reinforcing beam arm 59b extends to the mirror 3 side from a portion of the reinforcing beam portion 59 extending away from the rotation shaft portion 57c.
  • An outer frame side fixed electrode (comb electrode) 59c for driving the inner frame 57 of the adjacent micromirror element 52 is opposed to the inner frame side movable electrode 57b of the adjacent inner frame 57 on the reinforcing beam arm 59b.
  • the reinforcing beam portion 59 among the reinforcing beam portion 59 and the inner frame 57 as the support portion for supporting the mirror 3 includes the mirror 3 of the micromirror element 52 including the reinforcing beam portion 59, and
  • the mirror 3 extends between one of the two mirrors 3 adjacent to the mirror 3, and both ends are connected to the outer frame 8. Therefore, by arranging the micromirror elements 52 close to each other, the mirrors 3 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, also according to the present embodiment, the mirror occupation ratio of the mirror 3 that rotates about the two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 52.
  • the weight portion 57d has the center of gravity of the inner frame 57 and the portion that rotates together with the inner frame 57 (mirror 3, mirror arm 4, mirror side movable electrode 5, torsion bars 6, 6). In the mirror arrangement direction, it is arranged so as to be close to the rotation shaft portion 57c of the inner frame 57. Therefore, the inner frame 57 can be stably supported. Furthermore, the vibration resistance of the micromirror element 52 can be improved.
  • the cantilever portion 29 has the outer frame side fixed electrode 59b for driving the inner frame 27 of the adjacent micromirror element 22. Therefore, for example, the weight portion 57d can be disposed at the end portion of the rotation shaft portion 57c, and the degree of freedom in arrangement can be increased.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing a micromirror array 51 according to a modification of the sixth embodiment of the present invention. Also in this modification, the inner frame 57 rotates the torsion bars 60 and 60 (second axis A2) by the electrostatic force generated by the inner frame side movable electrode 57b and the outer frame side fixed electrode 59c in cooperation. It can be turned (oscillated) as a moving shaft.
  • the outer frame side fixed electrode 59c only needs to be fixed to the outer frame 8, and the outer frame side fixed electrode 59c may be provided on the outer frame arm (reinforcing beam portion 59) as in this modification. .
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing a micromirror array 61 according to a comparative example of the seventh embodiment of the present invention.
  • 11 is a schematic cross-sectional view taken along the line bb ′ of FIG. 10
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view taken along the line aa ′ of FIG.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing a micromirror array 101 according to the seventh embodiment of the present invention.
  • 14A is a schematic cross-sectional view taken along line cc ′ of FIG.
  • FIG. 14B to 14D are schematic cross-sectional views according to first to third modifications of the present embodiment.
  • the micromirror array 61 according to the comparative example shown in FIG. 10 will be described.
  • the inner frame 67 of the micromirror array 61 is arranged so as to cover the mirror 63 and the mirror-side movable electrode 65 in the same manner as the conventional micromirror array 81 shown in FIG.
  • the micromirror array 61 is formed by arranging a plurality of micromirror elements 62 in one direction.
  • the mirror 63 of the micromirror element 62 is connected to a mirror side movable electrode (comb electrode) 65 via a mirror arm 64.
  • the mirror 63 is supported on the inner frame 67 by a mirror arm 64 via a pair of torsion bars 66, 66, and can be rotated (swinged) about the torsion bars 66, 66 as a rotation axis.
  • the inner frame 67 is disposed so as to cover the mirror 63 and the mirror-side movable electrode 65, and has a mirror-side fixed electrode (comb electrode) 67 a disposed to face the mirror-side movable electrode 65.
  • the mirror 63 connected to the mirror arm 64 is moved together with the mirror arm 64 and the mirror side movable electrode 65 by the electrostatic force generated by the mirror side movable electrode 65 and the mirror side fixed electrode 67a in cooperation.
  • 66 can be rotated (oscillated) about a rotation axis.
  • An inner frame arm 67c is provided at an end of the inner frame 67 on the mirror 63 side (upper side in FIG. 10), and an inner frame side movable electrode (comb electrode) 67b is provided on a side surface thereof.
  • An outer frame arm 68a having one end fixed to the outer frame 68 is provided with an outer frame side fixed electrode (comb electrode) 68b.
  • the inner frame side movable electrode 67b and the outer frame side fixed electrode 68b are arranged to face each other.
  • the inner frame 67 is rotatably supported by the outer frame 68 via torsion bars 70 and 70 on the inner frame arm 67c on one end side and the other end side.
  • the inner frame 67 can be rotated (swinged) about the torsion bars 70 and 70 by the electrostatic force generated by the inner frame side movable electrode 67b and the outer frame side fixed electrode 68b in cooperation. It has become.
  • the inner frame 67 of this comparative example is an SOI (Silicon On Insulator) substrate having a two-layer structure, and is composed of SiO 2 (reference numeral 67 d) and Si 2 positioned between them. And two layers (67-1, 67-2). Further, as shown in FIG. 11, a mirror 63 made of, for example, a metal film is supported by a mirror arm 64 on the back side.
  • SOI Silicon On Insulator
  • the inner frame 67 extends between the mirror 63 covered by the inner frame 67 and the two mirrors 63, 63 adjacent to the mirror 63. Therefore, two inner frames 67 exist between the mirrors 63 and 63 adjacent to each other.
  • the second micromirror element 62 from the left shown in FIG. 12 is tilted, and the distance from the adjacent inner frame 67 is ⁇ 1 on the upper right side from the position before the rotation, and the lower left. It will approach by ⁇ 2 on the side.
  • the entire width of the inner frame 67 is a
  • the inclination angle of the mirror 63 is ⁇
  • the thicknesses of the upper layer side 67-1 and the lower layer side 67-2 of the inner frame 67 which are SOI substrates are d1 and d2, respectively.
  • the margin amount indicated by the equations (1) and (2) is required.
  • ⁇ 1 a / 2 ⁇ (cos ⁇ 1) + d1 ⁇ sin ⁇ Equation (1)
  • ⁇ 2 a / 2 ⁇ (cos ⁇ -1) + d2 ⁇ sin ⁇ (2)
  • the occupancy rate of the mirror 63 is most preferably about 90%. In the micromirror array 61 according to the comparative example shown in FIGS. 10 to 12, the light use efficiency is impaired. If the occupancy rate of the mirror 63 is too high, signal interference occurs between adjacent wavelengths, so about 90% is suitable.
  • the pitch width Wp of the micromirror element 62 of the micromirror array 61 should be further reduced. Is preferred. At this time, it is difficult to reduce the width of the inner frame 67 and the gap portion, and the width of the mirror 63 must be reduced. For this reason, the occupation ratio is greatly reduced, and as a result, the loss of signal light increases.
  • the inner frame 107 as a support portion is adjacent to the mirror 1033 of the micromirror element 102 including the inner frame 107 and the mirror 103. It extends between one of the two mirrors 103 and both ends are connected to the outer frame 108.
  • one or more layers of the inner frame 107 are omitted to further increase the mirror occupancy rate.
  • a micromirror array 101 shown in FIG. 13 is formed by arranging micromirror elements 102 in one direction (left-right direction in the figure).
  • Each micromirror element 102 includes a mirror 103 that rotates about two axes, and an inner frame 107 that is connected to the outer frame 108 and supports the mirror 103.
  • the mirror 103 is connected to a mirror side movable electrode (comb electrode) 105 via a mirror arm 104.
  • the inner frame 107 is provided with a mirror side fixed electrode (comb electrode) 107 a facing the mirror side movable electrode 105.
  • the mirror 103 connected to the mirror arm 104 is brought together with the mirror arm 104 and the mirror side movable electrode 105 by the electrostatic force generated by the mirror side movable electrode 105 and the mirror side fixed electrode 107a, which are the drive unit, in cooperation.
  • the torsion bars 106 and 106 can be rotated (swinged) about the rotation axis.
  • the inner frame 107 extends so as to go around the mirror side movable electrode 105 and the mirror side fixed electrode 107a which are driving units of the mirror 103, and is formed so as to surround the mirror side movable electrode 105 and the mirror side fixed electrode 107a together with the mirror 103. .
  • the inner frame 107 supports the mirror arm 104 by a pair of the torsion bars 106 and 106 by a straight portion 107 d extending between the mirrors 103 and a portion 107 e that goes around the mirror side movable electrode 105.
  • An inner frame arm 107c is provided at an end of the inner frame 107 on the mirror 103 side, and an inner frame side movable electrode (comb electrode) 107b is provided on a side surface thereof.
  • An outer frame arm 108 a having one end fixed to the outer frame 108 is provided with an outer frame side fixed electrode (comb electrode) 108 b.
  • the inner frame side movable electrode 107b and the outer frame side fixed electrode 108b are disposed to face each other.
  • the inner frame 107 is rotatably supported by the outer frame 108 via the torsion bar 110 at the end of the inner frame arm 107c and the end opposite to the inner frame arm 107c.
  • the inner frame 107 can be rotated (swinged) about the torsion bars 110 and 110 by the electrostatic force generated by the inner frame side movable electrode 107b and the outer frame side fixed electrode 108b in cooperation. It has become.
  • the mirror 103 has two rotation operations: the rotation operation with the torsion bars 106 and 106 as the rotation axis, and the rotation operation with the torsion bars 110 and 110 orthogonal to the torsion bars 106 and 106 as the rotation axis.
  • a rotation operation around the axis is possible.
  • the mirror 103 of the present embodiment includes a portion 107e that wraps around the drive unit of the inner frame 107 that supports the mirror 103, and a linear portion of the inner frame 107 that is adjacent on the wrapping portion side 107e.
  • the gap g1 between the adjacent inner frames 107 is smaller than the gap g2 with respect to 107d).
  • the inner frame 107 includes a mirror 103 supported by the inner frame 107, and a second shaft (torsion bars 110, 110).
  • a mirror 103 supported by the inner frame 107
  • a second shaft tilt bars 110, 110.
  • the back side that is, the side that is displaced so as to sink to the vicinity of the center of the mirror 103 (the right side in FIG. 14A).
  • the inner frame 107 is an SOI substrate having a two-layer structure, and is formed of two Si layers (107-1, 107-2) positioned with SiO 2 (reference numeral 107d) interposed therebetween. 14A, the Si layer 107-1 on the front side of the mirror is partially omitted, but the inner frame 107 is arranged from the vicinity of the reflection surface of the mirror 103 to the back side of the mirror.
  • the Si layer 107-1 is removed by etching, for example, to be removed, so that the Si layer 107-2 on the back side (lower side in FIG. 14A) of the mirror 103 is removed.
  • a mirror 103 ′ indicated by a broken line indicates a position rotated by the torsion bar 106 shown in FIG.
  • the micromirror element 102 shown in FIG. 14A has one inner frame 107 extending through one side of the mirror 103 as compared to the micromirror element 62 in the comparative example shown in FIG. omitting the width Wf, as shown in FIG. 12, a gap Vm of the one frame is omitted and the mirror 103 adjacent thereto, and can be omitted also the margin delta 2. Furthermore, it is possible to omit the margin delta 1 by removing the Si layer 107-1 on the front side.
  • the mirror pitch Wp is 260 ⁇ m.
  • the mirror width Wm can be increased to about 230 ⁇ m, and an occupancy of about 89% can be realized.
  • the inner frame 107 is removed by removing the Si layer 107-2 on the back side of the mirror at least in a portion passing between the mirrors 103, 103, so that the mirror front side It is formed from the Si layer 107-1 (upper side in FIG. 14B).
  • margin delta 1 is secured, as with the micro-mirror element 102 shown in FIG. 14A, 1 duty frame width Wf, it is possible to omit the gap Vm and margin delta 2.
  • the inner frame 107 ′ includes a mirror 103 supported by the inner frame 107 ′, and the mirror 103 rotates about the second axis (torsion bars 110, 110). When extending, it extends between the adjacent mirrors 103 on the side lifted to the front side of the mirror (left side in FIG. 14C).
  • the Si layer 107′-1 is removed by etching, for example, to be lost, so that the Si layer 107 on the mirror back side (lower side in FIG. 14C) is removed. '-2.
  • the micromirror element 102 ′ shown in FIG. 14C has one inner frame 107 ′ extending through one of the mirrors 103 compared to the micromirror element 62 in the comparative example shown in FIG. 10. Because of the omitted frame width Wf, as shown in FIG. 12, the gap Vm of the mirror 103 and the adjacent one of the frame is omitted, and can be omitted also a margin delta 2. Furthermore, it is possible to omit the margin delta 1 by removing the Si layer 107-1 on the front side.
  • ⁇ 3 a ⁇ (1 / cos ⁇ -1) Equation (3)
  • the inner frame 107 ′ is removed by removing the Si layer 107-2 on the back side of the mirror at least in a portion passing between the mirrors 103, 103, thereby removing the front side of the mirror (FIG. 14D). 14D) is formed from the upper Si layer 107′-1.
  • the frame width Wf, the gap Vm, and the margins ⁇ 1 and ⁇ 2 for one frame can be omitted.
  • a margin between the operation region in the rotation of the mirrors 103 and 103 ′ with the torsion bar 106 (first axis A1) as the rotation axis and the Si layer 107′-1 on the mirror front side set aside a margin delta 4 represented by 4).
  • the inner frame 107 extends between the mirror 1033 of the micromirror element 102 including the inner frame 107 and one of the two mirrors 103 adjacent to the mirror 103, and the inner frame 107 With the configuration in which a part of 107 is omitted, as described above, the mirror 103 is connected to the inner frame 107 that supports the mirror 103 and the inner part 107e that surrounds the drive unit 107e and the inner part 107e that is adjacent to the inner part 107e. The amount by which the gap g1 with the adjacent inner frame 107 is made smaller than the gap g2 with the frame 107 (straight line portion 107d) can be effectively increased.
  • the inner frame 107 as a support portion for supporting the mirror 103 is composed of the mirror 103 of the micromirror element 102 including the inner frame 107 and the two mirrors 103 adjacent to the mirror 103. It extends through one of the two, and both ends are connected to the outer frame 108. Therefore, by arranging the micromirror elements 102 close to each other, the mirrors 103 can be made close to each other in the mirror array direction. Therefore, also according to the present embodiment, the mirror occupancy of the mirror 103 that rotates about two axes can be increased without limiting the arrangement of the micromirror elements 102.
  • the inner frame 107 includes a mirror 103 supported by the inner frame 107, and the mirror rotates around the second axis (torsion bar 110). When extending, it extends between the adjacent mirrors 103 on the side rotated to the back side. Therefore, the mirror occupancy can be further increased.
  • the inner frame 107 is formed of two or more layers 107-1 and 107-2, and at least one portion (this embodiment) is formed at a portion passing between the mirrors 103. In the form, one layer is missing. Therefore, the mirror occupation rate can be increased.
  • the inner frame 107 is formed by omitting the layer 107-1 on the mirror front side at least in a portion passing between the mirrors 103. Therefore, the mirror occupancy can be further increased.
  • the inner frame 107 is rotated to the rear side when the mirror 103 supported by the inner frame 107 and the mirror 103 rotate around the second shaft (torsion bar 110).
  • the second shaft tilt bar 110
  • the frame width Wf, the gap Vm, and the margins ⁇ 1 and ⁇ 2 can be omitted. Therefore, the mirror occupancy can be increased more effectively.
  • the mirror 103 includes a portion 107e that wraps around the drive unit of the inner frame 107 that supports the mirror 103, and an inner frame 107 (
  • the gap g1 with the adjacent inner frame 107 is smaller than the gap g2 with the straight portion 107d). Therefore, the mirror occupancy can be further increased.
  • the inner frame 107 formed of two or more layers has been described by taking a two-layer SOI substrate as an example.
  • the inner frame 107 is formed of three or more layers or other materials. It is good also as a thing.
  • FIG. 15A is a schematic plan view showing a micromirror element 112 according to the eighth embodiment of the present invention.
  • 15B and 15C are schematic plan views showing the micromirror elements 122 and 132 according to the first and second modifications of the present embodiment.
  • FIG. 16 is a partially enlarged view of FIG. 15B.
  • FIG. 17 is a partially enlarged perspective view of FIG. 15B.
  • the micromirror element 112 is used to relieve stress inside the inner frame 107, specifically, between the inner frame arm 107c and the main body portion of the inner frame 107 (portion excluding the inner frame arm 107c) as a third connecting portion.
  • the mechanism 119 is disposed integrally with the inner frame 107, for example.
  • the micromirror element 112 of the present embodiment also has a torsion bar (first connecting portion) 106 serving as a first axis A1 that rotatably connects the mirror 103 to the inner frame 107.
  • the stress relaxation mechanism 119 has a rectangular frame shape in plan view.
  • the stress relaxation mechanism 119 has thin surfaces 119a and 119b orthogonal to the torsion bar (second connecting portion) 110 serving as the second axis A2. At the center of the thin surfaces 119a and 119b, the stress relaxation mechanism 119 is connected to the inner frame arm 107c and the main body portion.
  • the thicknesses Wa and Wb of the thin-walled surfaces 119a and 119b are preferably, for example, not more than half of the width Wf of the inner frame 107.
  • the inner frame arm 107c and the portion connected to the main body portion are, for example, partially thickened or the inner frame to ensure strength against concentrated loads. 107 may be penetrated.
  • the surfaces of the stress relaxation mechanism 119 excluding the thin surfaces 119 a and 119 b are parallel to the torsion bar 110.
  • the strength may be ensured by making it approximately the same as the width Wf of the inner frame 107.
  • the spring constant k 13 of the spring constant k 12 and the stress relaxation mechanism 119 of the torsion bar 110 are in a relationship of k 13 ⁇ k 12. Further, the displacement in the rotational direction of the torsion bar 110 and the pivot shaft, and the spring constant k 23 of the spring constant k 22 and the stress relaxation mechanism 119 of the torsion bar 110 are in a relationship of k 23 ⁇ k 22.
  • the stress relaxation mechanism 119 absorbs the stress component in the direction parallel to the torsion bar 110 and in the compression direction.
  • the micromirror element 122 according to the first modification of FIG. 15B is provided with an inner frame arm 107c between the inner frame 107 and the torsion bar (second connecting portion) 110, specifically, the inner frame 107.
  • a stress relaxation mechanism 129 as a third connecting portion is integrally disposed with the inner frame 107 and the torsion bar 110 between the end opposite to the torsion bar 110 and the torsion bar 110, for example.
  • the stress relaxation mechanism 129 has a U-shape in plan view.
  • the stress relaxation mechanism 129 has a thin wall surface 129 a orthogonal to the torsion bar 110.
  • the stress relaxation mechanism 129 is connected to the torsion bar 110 at the center of the thin wall 129a. Further, the stress relaxation mechanism 129 is connected to the inner frame 107 on two surfaces parallel to the torsion bar 110 excluding the thin surface 129 a of the stress relaxation mechanism 129.
  • the thickness Wa of the thin surface 129a in the direction parallel to the torsion bar 110 is more preferably, for example, not more than half of the width Wf of the inner frame 107.
  • the surface of the stress relaxation mechanism 129 excluding the thin wall 129a is a surface parallel to the torsion bar 110.
  • the strength may be secured by setting it to be approximately the same as the width Wf of the inner frame 107.
  • the spring constant k 13 of the spring constant k 12 and the stress relaxation mechanism 129 of the torsion bar 110 is in the relationship of k 13 ⁇ k 12
  • the torsion bar 110 with respect to the displacement in the rotational direction of the pivot axis, the spring constant k 23 of the spring constant k 22 and the stress relaxation mechanism 129 of the torsion bar 110 are in a relationship of k 23 ⁇ k 22.
  • the stress relaxation mechanism 129 absorbs a stress component in the direction parallel to the torsion bar 110 and in the compression direction.
  • the stress relaxation mechanism 129 shown in FIG. 15B is taken as an example, and an example of the stress relaxation mechanism (third connection portion) will be specifically described with reference to FIGS. 16 and 17.
  • the inner frame 107, the torsion bar 110, the stress relaxation mechanism 129, and the like are formed of the same material (for example, Si),
  • the mechanical strength of each part is adjusted by the difference in pattern width and thickness of each part.
  • the strength of the rigid body is approximately proportional to the cube of the dimension. If the thickness Wa of the thin-walled surface 129a of the stress relaxation mechanism 129 is increased from 5 ⁇ m to 10 ⁇ m, which is twice as much, the strength increases 8 times.
  • the stress acting on the inner frame 107 is about the stress in the pulling direction and the rotational torque about the torsion bars 110 and 110 as the rotation axis. It is.
  • the stress relaxation mechanism 129 that satisfies the above-described relationship of the spring constant, stress in the pulling direction may be reduced, so that a large force does not act on the inner frame 107. Therefore, as the pattern width of the inner frame 107, when the thin portion 129a is 5 ⁇ m, a sufficient strength can be obtained if it is about 10 ⁇ m, which is about twice as large.
  • the length in plan view of one surface of the two portions of the thin wall 129a located across the connection portion with the torsion bar 110 is expressed as L ⁇ depth as t ⁇ .
  • the thickness is Wa
  • the length of the torsion bar 110 is g
  • the cross section is h ⁇ i
  • the Young's modulus is E
  • the spring constant k 12 of the torsion bar 110 described above with respect to the displacement in the direction parallel to the torsion bar 110 and approximate solution by simplified model of the spring constant k 13 of the stress relaxation mechanism 129 is a following equation (5) and (6).
  • k 12 hiE / g (5)
  • k 13 tWa 3 E / ( 2L 3) ⁇ (6)
  • Wa 5 ⁇ m
  • t 200 ⁇ m
  • h 5 ⁇ m
  • i 20 ⁇ m
  • the spring constants k 12 and k 13 When determining the ratio, k 12 becomes larger in approximately 1 to 58.
  • the stress relaxation mechanism 129 and the torsion bar 110 are connected in series, most of the stress from the outer frame 108 is absorbed by the stress relaxation mechanism 129, and the stress acting on the torsion bar 110 and the like. Is greatly reduced.
  • the micromirror element 132 according to the second modified example of FIG. 15C is connected between the torsion bar 110 (second connecting portion) and the outer frame 108, specifically, directly to the main body portion of the inner frame arm 107. Between the torsion bar 110 and the outer frame 108, a stress relaxation mechanism 139 as a third connecting portion is disposed integrally with the outer frame 108, for example.
  • the stress relaxation mechanism 139 has a hollow portion 139b provided in the outer frame 108 and a thin surface 139a positioned so as to close the hollow portion 139b.
  • the stress relaxation mechanism 139 is connected to the torsion bar 110 in the center of the thin surface 139a.
  • the thickness Wa of the thin wall surface 139a be, for example, half or less of the width Wf of the inner frame 107.
  • the thickness Wa of the thin wall surface 139a be, for example, half or less of the width Wf of the inner frame 107.
  • the spring constant k 13 of the spring constant k 12 and the stress relaxation mechanism 139 of the torsion bar 110 is in the relationship of k 13 ⁇ k 12
  • the torsion bar 110 with respect to the displacement in the rotational direction of the pivot axis, the spring constant k 23 of the spring constant k 22 and the stress relaxation mechanism 139 of the torsion bar 110 are in a relationship of k 23 ⁇ k 22.
  • the stress relaxation mechanism 139 absorbs the stress component in the direction parallel to the torsion bar 110 and in the compression direction.
  • the inner frame 107 as a support portion for supporting the mirror 103 includes the mirror 103 of the micromirror element 102 including the inner frame 107 and the two mirrors 103 adjacent to the mirror 103. It extends through one of the two, and both ends are connected to the outer frame 108. Therefore, by arranging the micromirror elements 112, 122, 132 close to each other, the mirrors 103 can be close to each other in the mirror array direction. Therefore, according to the present embodiment, the mirror occupancy of the mirror 103 that rotates about two axes can be increased without any limitation on the arrangement of the micromirror elements 112, 122, and 132.
  • the micromirror elements 112, 122, 132 are arranged inside the inner frame 107, between the inner frame 107 and the torsion bar (second connecting portion) 110, And the stress relaxation mechanism (3rd connection part) 119,129,139 arrange
  • the spring constant k 13 of the spring constant k 12 and the stress relaxation mechanism 119,129,139 of the torsion bar 110 is in the relationship of k 13 ⁇ k 12
  • the torsion bar 110 with respect to the displacement in the rotational direction of the pivot axis, the spring constant k 22 and the spring constant k 23 of the stress relaxation mechanism 119,129,139 of the torsion bar 110 are in a relationship of k 23 ⁇ k 22.
  • the stress relaxation mechanisms 119, 129, and 139 can be deformed and dispersed with respect to the tensile or compressive stress from the torsion bar 110.
  • the stress relaxation mechanisms 119, 129, and 139 are highly rigid with respect to torque in the rotational direction with the torsion bar 110 as a rotational axis, and further, stress is applied to tensile and compressive stress as described above. In order to reduce this, the characteristics of the rotation operation with the torsion bar 110 as the rotation axis can be stabilized.
  • the stress relaxation mechanisms 119, 129, and 139 have plane portions 119 a, 119 b, 129 a, and 139 a that are perpendicular to the torsion bar 110, and these plane portions are parallel to the torsion bar 110.
  • the thickness Wa is less than half of the width Wf of the inner frame 107. Therefore, it is possible to balance the stress relaxation by the stress relaxation mechanisms 119, 129, and 139 and the strength of the inner frame 107. Furthermore, by providing a flat portion to relieve stress, it is possible to simplify the configuration that satisfies the above two relations of the spring constant.
  • the tilt angle of the mirror 103 is required to be finely adjusted with an accuracy of 0.01 ° or less.
  • the rotation of the mirror 103 with the torsion bar 106 (first axis A1) as a rotation axis realizes the switching of the output destination of the output signal light and the optical attenuator function.
  • the inner frame 107 has a structure that is easily deformed with respect to stress when stress is applied to the outer frame 108 from the outside (for example, due to the influence of thermal expansion accompanying a change in environmental temperature). With respect to the deformation of the inner frame 107, the rotational torque generated at the parts of the mirror side movable electrode 105 and the mirror side fixed electrode 107a and the spring constant of the torsion bar 106 are modulated. As a result, the tilt angle of the mirror 103 is slightly displaced, and there is a possibility that the optical attenuator function to be described later is slightly deviated. However, according to the present embodiment, such a malfunction of the function can be suppressed.
  • the micromirror array according to the first to eighth embodiments described above can be used for an optical switch or the like.
  • an optical switch will be described. An example will be described.
  • micromirror devices produced by these devices are increasingly applied to optical switches in the optical communication field. Yes.
  • One of them is a wavelength selective switch.
  • optical communication In optical communication, opticalization of networks centering on wavelength division multiplexing (WDM) communication is proceeding at a rapid pace to accommodate the rapidly increasing Internet traffic.
  • WDM wavelength division multiplexing
  • Optical switches (hereinafter referred to as “wavelength selection switches”) 201 and 301 are arranged, for example, at nodes in the mesh network shown in FIG. 18 or the ring network shown in FIG. It has a function to distribute to.
  • the mesh type network shown in FIG. 18 includes a multiplexing unit 202, a demultiplexing unit 203, and the like.
  • the ring type network shown in FIG. A multiplexing unit 302 for dropping, a demultiplexing unit 303 for drop (branching) light, and the like are arranged.
  • the wavelength selective switch 400 includes a demultiplexing unit 401 corresponding to the number of input ports corresponding to the input optical transmission line (input fiber), a plurality of 2 ⁇ 2 switches 402, and an output corresponding to the output optical transmission line (output fiber).
  • a multiplexing unit 403 corresponding to the number of ports is provided.
  • the WDM light input from the input port is demultiplexed for each wavelength (channel) by the corresponding demultiplexing unit 401 and set by any 2 ⁇ 2 switch 402. After performing wavelength unit output switching (cross or bar switching) according to the wavelength, one of the multiplexing units 403 wavelength-multiplexes the light of other wavelengths and outputs the WDM light to the corresponding output port.
  • WDM lights with wavelengths ⁇ 2, ⁇ 5 and ⁇ 6 are input to the input port # 1
  • WDM lights with wavelengths ⁇ 1, ⁇ 3, ⁇ 4 and ⁇ 7 are input to the input port # 2.
  • light of wavelengths ⁇ 1, ⁇ 4 and ⁇ 6 is switched to output port # 1
  • the remaining light of wavelengths ⁇ 2, ⁇ 3, ⁇ 5 and ⁇ 7 is switched to output port # 2.
  • FIG. 20 shows the state of being.
  • reference numeral 404 denotes a gain equalization (optical attenuator) function.
  • the condensing position on the output fiber is appropriately shifted from the center of the core to optically couple the core.
  • the function can be realized by changing the above.
  • a collimator array 511 constituting an input / output optical system and an input WDM light are provided.
  • a spectroscope 512 that constitutes a spectroscopic optical system for spectroscopically separating each wavelength of light
  • a condensing lens 513 that constitutes a condensing optical system
  • a micromirror array 514 that is a switching element.
  • the collimator array 511 has a function of converting light incident from the input optical fiber into collimated light and condensing the collimated light incident from the spectroscope 512 on the core of the output fiber.
  • the spectroscope 512 reflects incident light in different directions (angles) depending on the wavelength, and generally a diffraction grating 512 as shown in FIG. 23 is used.
  • the condensing lens 513 condenses the light separated for each wavelength by the spectroscope 512 onto a predetermined micromirror array 514, and condenses the light reflected by the micromirror array 514 via the spectroscope 512. This is output to the collimator array 511.
  • the micromirror array 514 functions as a switching element that performs port switching by reflecting incident light from the input fiber 511-1 to one of the output fibers 511-2, 511-3, and 511-4. As shown in FIG. 13, the micromirror elements 2 and 102 are arranged in an array.
  • the input light is light separated for each wavelength by the spectroscope (diffraction grating) 512, and one mirror 514a is arranged for one wavelength region.
  • the mirror 514a has a configuration in which the tilt angle is variable as shown in FIGS. 22A and 22B, and an output port is determined according to the tilt angle.
  • the output port is switched for each wavelength region by individually controlling the tilt angle of each mirror 514a.
  • the optical coupling amount to the core of the output fibers 511-2, 511-3, and 511-4 can be adjusted by finely adjusting the tilt angle.
  • the above-described optical attenuator function 404 shown in FIG. 20 can be realized together with the output destination switching function.
  • the micromirror elements in the first to eighth embodiments described above use mirrors that can rotate in two orthogonal axial directions.
  • the mirror tilt angle is only in one axis direction, the optical signal is incident on 511-3 momentarily when the optical signal output destination is switched from 511-2 to 511-4 in FIG.
  • an angle tilt in two directions that is, a tilt direction for switching the output destination of the optical signal and a tilt direction for switching on / off of coupling of the optical signal to the fiber may be used.

Abstract

 2軸を中心に回動するミラー(3)と、外フレーム(8)に接続されミラー(3)を支持する支持部(7)とを備えるマイクロミラー素子(2)を複数個配列してなるマイクロミラーアレイ(1)において、支持部(7)は、この支持部(7)を備えるマイクロミラー素子(2)のミラー(3)と、このミラー(3)に隣接する2つのミラー(3)のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム(8)に接続される構成とする。

Description

マイクロミラーアレイ、及び、光スイッチ
 本発明は、例えば、光スイッチ、光アッテネータ等に用いられるマイクロミラーアレイ及びこのマイクロミラーアレイを備える光スイッチに関する。
 従来、光伝送路中で光路を切り替える光スイッチにおいて、光ファイバから出射される光を、回動(揺動)するミラーにより任意の光ファイバの光路に反射させるマイクロミラー素子(MEMSミラー素子)が用いられている(例えば、特許文献1参照)。
 図24は、従来のマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 同図において、マイクロミラーアレイ81は、複数のマイクロミラー素子82を1方向に配列してなる。マイクロミラー素子82のミラー83は、ミラーアーム84を介してミラー側可動電極(櫛歯電極)85に接続されている。ミラー83は、ミラーアーム84において一対のトーションバー86,86を介して内フレーム87に支持されており、トーションバー86,86を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 内フレーム87は、ミラー83及びミラー側可動電極85を覆うように配置され、ミラー側可動電極85に対向配置されたミラー側固定電極(櫛歯電極)87aを有している。そして、ミラー側可動電極85とミラー側固定電極87aとが協働して発生させる静電気力により、ミラーアーム84に接続されたミラー83は、ミラーアーム84及びミラー側可動電極85と共に、トーションバー86,86を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 内フレーム87のミラー83と反対側の端部には、内フレームアーム87bが設けられており、その側面には内フレーム側可動電極(櫛歯電極)87cが設けられている。外フレーム88に一端が固定された外フレームアーム88aには、外フレーム側固定電極(櫛歯電極)88bが設けられている。内フレーム側可動電極87cと外フレーム側固定電極88bとは、対向配置されている。内フレーム87は、一端側の内フレームアーム87bと他端側とにおいて、トーションバー89,89を介して外フレーム88に回動可能に支持されている。
 そして、内フレーム側可動電極87cと外フレーム側固定電極88bとが協働して発生させる静電気力により、内フレーム87は、トーションバー89,89を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 上述のマイクロミラー素子82は、内フレーム87がミラー83を覆うように配置されるため、隣接する2つのミラー83との間の両方に内フレーム87が位置することとなり、ミラー配列方向におけるミラー占有率(ミラーピッチWpに対するミラー幅Wm)を大きくすることができない。
 例えば、光波長選択スイッチでは入力ポートからの光多重信号を波長毎の単一信号に分光し、それらをマイクロミラーアレイで反射し、所望の出力ポートへ振り分けることになるが、ここで用いられるマイクロミラーアレイには光信号に対する広い反射(透過)帯域が要求される(狭い反射帯域では光信号の伝送品質の劣化を招く)。ミラーアレイは光多重信号の信号(波長)間隔に応じて配列されるが、光信号に対するミラーの反射(透過)帯域はミラー占有率により決定されるため、大きなミラー占有率が望まれる。
 特許文献2記載のマイクロミラーアレイは、ミラーが突出するように配置されたマイクロミラー素子を、互いに対向するようにミラー配列方向に交互に配置してなり、ミラー配列方向においてミラーを近接させている。
特開2005-305582号公報 米国特許第6984917号明細書
 しかしながら、上記特許文献2記載のマイクロミラーアレイは、ミラー配列方向におけるミラー占有率を高めるために、互いに対向するマイクロミラー素子を交互に配置する必要があり、マイクロミラー素子の配列に制限を伴うためマイクロミラーアレイのサイズが大きくなるという問題がある。
 なお、上記特許文献2記載のマイクロミラー素子の向きを全て揃えると、ミラーを支持する部分の幅がミラーの幅よりも大きいため、ミラー占有率を高めることができない。
また内フレームの支持位置がミラー素子の方端(ミラーとは反対の端)に偏っているため、ミラー素子の振動、衝撃に対する耐性の弱さが懸念される。
 本発明の課題は、上記従来の実情に鑑み、2軸を中心に回動するミラーのミラー占有率を高めることができるマイクロミラーアレイ及び光スイッチを提供することである。
 上記課題を解決するために、本発明のマイクロミラーアレイは、2軸を中心に回動するミラーと、外フレームに接続され上記ミラーを支持する支持部とを備えるマイクロミラー素子を複数個配列してなるマイクロミラーアレイにおいて、上記支持部は、この支持部を備えるマイクロミラー素子のミラーと、このミラーに隣接する2つのミラーのうち一方との間を通って延び、両端が上記外フレームに接続される構成を有する。
 本発明によれば、ミラー配列方向においてミラーを互いに近接させることができ、ミラー占有率を高めることができる。
本発明の第1実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第2実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第3実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第3実施形態の変形例に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第4実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第5実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第5実施形態の変形例に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第6実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第6実施形態の変形例に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 本発明の第7実施形態の比較例に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 図10のb-b´概略断面図である。 図10のa-a´概略断面図である。 本発明の第7実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。 図13のc-c´概略断面図である。 本発明の第7実施形態の第1変形例に係る概略断面図である。 本発明の第7実施形態の第2変形例に係る概略断面図である。 本発明の第7実施形態の第3変形例に係る概略断面図である。 本発明の第8実施形態に係るマイクロミラー素子を示す概略平面図である。 本発明の第8実施形態の第1変形例に係るマイクロミラー素子を示す概略平面図である。 本発明の第8実施形態の第2変形例に係るマイクロミラー素子を示す概略平面図である。 図15Bの部分拡大図である。 図15Bの部分拡大斜視図である。 波長選択スイッチが適用されるメッシュ型ネットワークの構成を示すブロック図である。 波長選択スイッチが適用されるリング型ネットワークの構成を示すブロック図である。 波長選択スイッチの構成を示すブロック図である。 空間結合型の波長選択スイッチの要部の構成を示す概略斜視図である。 図21の波長選択スイッチの動作(ポート切り替え動作)を説明するための説明図(その1)である。 図21の波長選択スイッチの動作(ポート切り替え動作)を説明するための説明図(その1)である。 分光器の例である一般的な回折格子を示す部分拡大図である。 従来のマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 以下、本発明の実施の形態に係るマイクロミラーアレイ(MEMSミラーアレイ)について、図面を参照しながら説明する。
 <第1実施形態>
 図1は、本発明の第1実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。なお、同図においては、マイクロミラー素子2を2つのみ図示しているが、マイクロミラーアレイ1には、3つ以上のマイクロミラー素子2を配列することも可能である。
 同図に示すマイクロミラーアレイ1は、マイクロミラー素子2を1方向(同図における左右方向)に配列してなる。詳しくは後述するが、各マイクロミラー素子2は、2軸を中心に回動するミラー3と、外フレーム8に接続されミラー3を支持する支持部としての内フレーム7とを備えている。
 ミラー3は、ミラーアーム4を介してミラー側可動電極(櫛歯電極)5に接続されている。内フレーム7は、ミラー側可動電極5を囲むように形成され、一対のトーションバー6,6(第1の軸A1)によりミラーアーム4を支持している。
 内フレーム7には、ミラー側可動電極5に対向するミラー側固定電極(櫛歯電極)7aが設けられている。これらミラー側可動電極5とミラー側固定電極7aとが協働して発生させる静電気力により、ミラーアーム4に接続されたミラー3は、ミラーアーム4及びミラー側可動電極5と共に、トーションバー6,6を回動軸(第1の軸A1)として回動(揺動)可能となっている。
 内フレーム7は、この内フレーム7を備えるマイクロミラー素子2のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、ミラー3側の外フレーム8の手前で外フレーム8の支持面に平行に屈曲している。そして、内フレーム7は、外フレーム8の支持面に平行に延びる部分がトーションバー10(第2の軸A2)を介して外フレーム8に回動可能に支持されている。
 内フレーム7のミラー3と反対側の端部には、内フレームアーム7cが設けられており、その側面には内フレーム側可動電極(櫛歯電極)7bが設けられている。外フレーム8に一端が固定された外フレームアーム8aには、外フレーム側固定電極(櫛歯電極)8bが設けられている。内フレーム側可動電極7bと外フレーム側固定電極8bとは、対向配置されている。内フレーム7は、内フレームアーム7cの端部においてもミラー3側の端部と同様に、トーションバー10(第2の軸A2)を介して外フレーム8に回動可能に支持されている。
 そして、内フレーム側可動電極7bと外フレーム側固定電極8bとが協働して発生させる静電気力により、内フレーム7は、トーションバー10,10(第2の軸A2)を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 以上のように、ミラー3は、トーションバー6,6を回動軸(第1の軸A1)とする回動動作と、トーションバー6,6に直交するトーションバー10,10(第2の軸A1)を回動軸とする回動動作との2軸を中心にした回動動作が可能となっている。
 以上説明した本実施形態では、ミラー3を支持する支持部としての内フレーム7は、この内フレーム7を備えるマイクロミラー素子2のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続される。そのため、マイクロミラー素子2を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー3を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によれば、マイクロミラー素子2の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー3のミラー占有率(ミラーピッチWpに対するミラー幅Wm)を高めることができる。
 また、本実施形態では、内フレーム7は、トーションバー6,6(第1の軸A1)を介してミラー3を回動可能に支持する。そのため、ミラー3を支持する構成を簡素にすることができ、したがって、マイクロミラー素子2の集積を容易にすることができる。
 なお、本実施形態では、ミラー3等を回動させるための駆動部を櫛歯電極として説明したが、回動のための駆動方法は、櫛歯電極に限定されない。
 <第2実施形態>
 本実施形態では、内フレーム17の回動軸部17c(第2の軸A2)が外フレーム8間において一直線状に延びる点及びそれに伴う構成を除いて、上記第1実施形態と同様であるため、同一の部材には図2に同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
 図2は、本発明の第2実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 同図に示すマイクロミラーアレイ11のマイクロミラー素子12では、ミラー3を支持する内フレーム17の回動軸部17c(第2の軸A2)は、両端がトーションバー10,10を介して外フレーム8に接続されており、外フレーム8の間を一直線状に延びている。
 そのため、上記第1実施形態のように内フレーム17のうちミラー3側の端部において外フレーム8と平行に延びる部分を設ける必要がなく、内フレーム17の構成、ひいてはマイクロミラー素子12及びマイクロミラーアレイ11の構成が簡素になる。
 なお、回動軸部17cの他端側の外周面には、内フレーム側可動電極(櫛歯)17bが設けられている。
 以上説明した本実施形態においても、ミラー3を支持する支持部としての内フレーム17は、この内フレーム17を備えるマイクロミラー素子12のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続される。そのため、マイクロミラー素子12を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー3を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子12の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー3のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、内フレーム17は、この内フレーム17を備えるマイクロミラー素子12のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って一直線状に延び両端が外フレーム8に接続される回動軸部17c(第2の軸A2)を有する。そのため、内フレーム17の構成を簡素にすることができ、したがって、マイクロミラー素子12の集積を容易にすることができる。
 <第3実施形態>
 本実施形態では、内フレーム27に錘部27d,27eを形成した点を除いて、上記第2実施形態と同様であるため、上記第2実施形態と同一の部材には図3に同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
 図3は、本発明の第3実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 同図に示すマイクロミラーアレイ21のマイクロミラー素子22では、ミラー3を支持する内フレーム27の回動軸部27c(第2の軸A2)には、隣接するマイクロミラー素子22のミラー3と、ミラー3側の外フレーム8との間、及び、ミラー側固定電極27aと内フレーム側可動電極27bとの間に錘部27d,27eが設けられている。
 錘部27d,27eは、内フレーム27と、この内フレーム27と共に回動軸部27cを中心に回動する部分(本実施形態では、ミラー3、ミラーアーム4、ミラー側可動電極5、トーションバー6,6)との重心を、ミラー3の配列方向において内フレーム27の回動軸27cに近づけるように配置されている。
 なお、本実施形態では、マイクロミラー素子22に錘部27d,27eを2つ配置する例について説明したが、マイクロミラー素子毎の錘部の数は、1つであっても3つ以上であってもよい。
 以上説明した本実施形態においても、ミラー3を支持する支持部としての内フレーム27は、この内フレーム27を備えるマイクロミラー素子22のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続される。そのため、マイクロミラー素子22を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー3を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子22の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー3のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、錘部27dは、内フレーム27と、この内フレーム27と共に回動軸部27c(第2の軸A2)を中心に回動する部分(ミラー3、ミラーアーム4、ミラー側可動電極5、トーションバー6,6)との重心を、ミラー配列方向において内フレーム27の回動軸部27cに近づけるように配置されている。そのため、内フレーム27を安定させて支持することができる。更には、マイクロミラー素子22の振動耐性を向上させることも可能となる。
 また、本実施形態では、内フレーム27は、その回動軸部27cを第2の軸A2として回動し、錘部27d,27eは、回動軸部27cに配置されている。そのため、内フレーム27をより安定させて支持することができると共に、マイクロミラー素子22の振動耐性をより向上させることができる。
 なお、図4に示すように、錘部27d,27fを回動軸部27の両端に配置することで、内フレーム27と、この内フレーム27と共に第2の軸A2を中心に回動する部分(ミラー3、ミラーアーム4、ミラー側可動電極5、トーションバー6,6)との重心を、回動軸部27cの長さ方向における中央部分27gに位置させるようにするとよい。これによって、より一層、内フレーム27を安定させて支持することができると共にマイクロミラー素子22の振動耐性を向上させることができる。
 <第4実施形態>
 本実施形態では、両端が外フレーム8に接続され内フレーム37を回動可能に支持する補強梁部39を設けた点において主に上記第1~第3実施形態と相違し、その他の点については概ね同様であるため、上記第1実施形態と同一の部材には図5に同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
 図5は、本発明の第4実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 同図に示すマイクロミラーアレイ31のマイクロミラー素子32では、外フレーム8に接続されミラー3を支持する支持部として、内フレーム37及び補強梁部39を配置している。
 補強梁部39は、この補強梁部39を備えるマイクロミラー素子32のミラー3とこのミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って一直線状に延び、両端が外フレーム8に接続されている。
 内フレーム37は、ミラー3側の端部と、その反対側の端部とにおいて、トーションバー40,40を介して補強梁部39により回動可能に支持され、補強梁部39を第2の軸A2として回動する。なお、内フレーム37のミラー3側の端部は、ミラー3よりも外フレーム側固定電極8b側に位置しており、ミラー3とミラー3との間を通っていない。
 以上説明した本実施形態においても、ミラー3を支持する支持部としての補強梁部39及び内フレーム37のうち補強梁部39は、この補強梁部39を備えるマイクロミラー素子32のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続される。そのため、マイクロミラー素子32を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー3を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子32の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー3のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、内フレーム37を回動可能に支持する補強梁部39が、マイクロミラー素子32のミラー3とこのミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続されるため、補強梁部39によって内フレーム37を安定させて支持することができる。更には、マイクロミラー素子32の振動耐性を向上させることも可能となる。
 また、本実施形態では、内フレーム37は、補強梁部39を第2の軸A2として回動し、少なくともミラー3側の端部又はその近傍として、ミラー3側の端部と、その反対側の端部とにおいて、トーションバー40,40を介して補強梁部39により支持されている。内フレーム37を支持するトーションバー40,40の一方を内フレーム37(マイクロミラー素子32)の重心近傍で支持するため、支持位置が一方の端に偏っている場合に比べて、縦回転(図面の水平方向を軸とした回転)を抑制することができる。更には、マイクロミラー素子32の振動耐性を向上させることも可能となる。
 なお、本実施形態では、補強梁部39が一直線状に延びる例について説明したが、補強梁部39は、外フレーム8に接続される両端の間で屈曲して延びる部分を有していてもよい。
 また、本実施形態では、内フレーム37がミラー3側の端部とその反対側の端部とにおいて補強梁部39により支持される構成について説明したが、内フレーム37が少なくともミラー3側の端部又はその近傍において補強梁部39により支持される構成とすることで、補強梁部39により内フレーム7を安定させて支持することができると共に、マイクロミラー素子32の振動耐性を向上させることができる。
 <第5実施形態>
 本実施形態では、内フレーム47がその一部47cを第2の軸A2として回動する点及びそれに伴う構成を除いて、上記第4実施形態と同様であるため、同一の部材には図6に同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
 図6は、本発明の第5実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 同図に示すマイクロミラーアレイ41のマイクロミラー素子42では、ミラー3を支持する内フレーム47の回動軸部47c(第2の軸A2)は、ミラー3側の端部が補強梁部49に、反対側の端部が外フレーム8に、それぞれトーションバー50,50を介して接続されている。これらトーションバー50,50は、回動軸部47cから回動軸部47cの長手方向に延びている。
 補強梁部49は、外フレーム8の間を一直線状に延びており、内フレーム47の回動軸部47cの一端を、トーションバー50を介して軸支する軸支部49aが設けられている。
 以上説明した本実施形態においても、ミラー3を支持する支持部としての補強梁部49及び内フレーム47のうち補強梁部49は、この補強梁部49を備えるマイクロミラー素子42のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続される。そのため、マイクロミラー素子42を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー3を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子42の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー3のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、内フレーム47は、ミラー3側の端部が補強梁部49により支持され他端部が外フレーム8により支持される回動軸部47c(第2の軸A2)を有する。そのため、補強梁部49によって内フレーム47を安定させて支持することができる。更には、マイクロミラー素子42の振動耐性を向上させることも可能となる。
 なお、本実施形態では、補強梁部49は、回動軸部47cを、そのミラー3側の端部のみにおいて支持する構成について説明したが、ミラー3側の端部に加え外周面においても1又は2以上のトーションバーにより回動軸部47cを支持するようにすることで、より一層、内フレーム47を安定させて支持することができると共に振動耐性を向上させることができる。
 図7は、本発明の第5実施形態の変形例に係るマイクロミラーアレイ41を示す概略平面図である。
 本変形例においても、内フレーム側可動電極47bと外フレーム側固定電極8bとが協働して発生させる静電気力により、内フレーム47は、トーションバー50,50(第2の軸A2)を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 なお、外フレーム側固定電極8bは、外フレーム8に固定されていればよく、本変形例のように、外フレームアーム(補強梁部49)に外フレーム側固定電極8bを設ける構成としても良い。
 <第6実施形態>
 本実施形態では、内フレーム57に錘部57dを形成した点、及び、駆動部としての外フレーム側固定電極(櫛歯電極)59cを補強梁部59に形成した点を除いて、上記第5実施形態と概ね同様であるため、上記第5実施形態と同一の部材には図8に同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
 図8は、本発明の第6実施形態に係るマイクロミラーアレイを示す概略平面図である。
 同図に示すマイクロミラーアレイ51のマイクロミラー素子52では、ミラー3を支持する内フレーム57の回動軸部57c(第2の軸A2)は、上記第5実施形態と同様に、ミラー3側の端部が補強梁部59の軸支部59aに、反対側の端部が外フレーム8に、それぞれトーションバー60,60を介して接続されている。但し、本実施形態の内フレーム57には、回動軸部57cのミラー3と反対側の端部に錘部57dが設けられている。
 錘部57dは、内フレーム57と、この内フレーム57と共に回動する部分(本実施形態では、ミラー3、ミラーアーム4、ミラー側可動電極5、トーションバー6,6)との重心を、ミラー3の配列方向において内フレーム57の回動軸部57cに近づけるように配置されている。
 なお、内フレーム57が補強梁部59を第2の軸A2として回動する場合(例えば、図5に示す上記第4実施形態)には、補強梁部59の回動軸部に錘部を設け、上記重心を補強梁部59の回動軸部に近づけるようにするとよい。
 補強梁部59は、ミラー3側の端部から回動軸部57c(第2の軸A2)と平行に延び、内フレーム57の錘部57dとの干渉を避けるように回動軸部57cから遠ざかる方向(ミラー配列方向)に屈曲して延びた後、再び屈曲して回動軸部57cと平行に延びている。
 補強梁部59の回動軸部57cから遠ざかるように延びる部分からは補強梁アーム59bがミラー3側に延びている。この補強梁アーム59bには、隣接するマイクロミラー素子52の内フレーム57を駆動するための外フレーム側固定電極(櫛歯電極)59cが、隣接する内フレーム57の内フレーム側可動電極57bと対向するように配置されている。
 以上説明した本実施形態においても、ミラー3を支持する支持部としての補強梁部59及び内フレーム57のうち補強梁部59は、この補強梁部59を備えるマイクロミラー素子52のミラー3と、このミラー3に隣接する2つのミラー3のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム8に接続される。そのため、マイクロミラー素子52を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー3を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子52の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー3のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、錘部57dは、内フレーム57と、この内フレーム57と共に回動する部分(ミラー3、ミラーアーム4、ミラー側可動電極5、トーションバー6,6)との重心を、ミラー配列方向において内フレーム57の回動軸部57cに近づけるように配置されている。そのため、内フレーム57を安定させて支持することができる。更には、マイクロミラー素子52の振動耐性を向上させることも可能となる。
 また、本実施形態では、片持ち梁部29は、隣接するマイクロミラー素子22の内フレーム27を駆動するための外フレーム側固定電極59bを有する。そのため、例えば、錘部57dを回動軸部57cの端部に配置することができるなど、配置の自由度を高めることができる。
 図9は、本発明の第6実施形態の変形例に係るマイクロミラーアレイ51を示す概略平面図である。
 本変形例においても、内フレーム側可動電極57bと外フレーム側固定電極59cとが協働して発生させる静電気力により、内フレーム57は、トーションバー60,60(第2の軸A2)を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 なお、外フレーム側固定電極59cは、外フレーム8に固定されていればよく、本変形例のように、外フレームアーム(補強梁部59)に外フレーム側固定電極59cを設ける構成としても良い。
 <第7実施形態>
 本実施形態では、上述の第1~第6実施形態と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図13~図14Dの本実施形態の説明よりも先に、図10~図12の比較例についての説明を行う。
 図10は、本発明の第7実施形態の比較例に係るマイクロミラーアレイ61を示す概略平面図である。
 図11は図10のb-b´概略断面図であり、図12は図10のa-a´概略断面図である。
 図13は、本発明の第7実施形態に係るマイクロミラーアレイ101を示す概略平面図である。
 図14Aは、図13のc-c´概略断面図である。
 図14B~図14Dは、本実施形態の第1~第3変形例に係る概略断面図である。
 まず、図10に示す比較例に係るマイクロミラーアレイ61について説明する。このマイクロミラーアレイ61の内フレーム67は、図24に示す従来のマイクロミラーアレイ81と同様に、ミラー63及びミラー側可動電極65を覆うように配置されている。
 同図において、マイクロミラーアレイ61は、複数のマイクロミラー素子62を1方向に配列してなる。マイクロミラー素子62のミラー63は、ミラーアーム64を介してミラー側可動電極(櫛歯電極)65に接続されている。ミラー63は、ミラーアーム64において一対のトーションバー66,66を介して内フレーム67に支持されており、トーションバー66,66を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 内フレーム67は、ミラー63及びミラー側可動電極65を覆うように配置され、ミラー側可動電極65に対向配置されたミラー側固定電極(櫛歯電極)67aを有している。そして、ミラー側可動電極65とミラー側固定電極67aとが協働して発生させる静電気力により、ミラーアーム64に接続されたミラー63は、ミラーアーム64及びミラー側可動電極65と共に、トーションバー66,66を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 内フレーム67のミラー63側(図10における上側)の端部には、内フレームアーム67cが設けられており、その側面には内フレーム側可動電極(櫛歯電極)67bが設けられている。外フレーム68に一端が固定された外フレームアーム68aには、外フレーム側固定電極(櫛歯電極)68bが設けられている。内フレーム側可動電極67bと外フレーム側固定電極68bとは、対向配置されている。内フレーム67は、一端側の内フレームアーム67cと他端側とにおいて、トーションバー70,70を介して外フレーム68に回動可能に支持されている。
 そして、内フレーム側可動電極67bと外フレーム側固定電極68bとが協働して発生させる静電気力により、内フレーム67は、トーションバー70,70を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 なお、図11に示すように、本比較例の内フレーム67は、2層構造のSOI(Silicon On Insulator)基板であり、SiO(符号67d)と、これを挟んで位置するSiからなる2つの層(67-1,67-2)とを有する。また、図11に示すように、例えば金属膜からなるミラー63は背面側においてミラーアーム64により支持されている。
 ところで、図12に示すように、内フレーム67は、この内フレーム67に覆われるミラー63と、このミラー63に隣接する2つのミラー63,63の両方との間を通って延びる。そのため、互いに隣接するミラー63,63間には、2つの内フレーム67が存在する。
 更に、隣接するミラー63,63間には、2つの内フレーム67の幅Wf,Wfに加えて、ミラー63と内フレーム67との間、内フレーム67間、及び、隣接するミラー63と内フレーム67との間、の計3箇所の隙間(Vm,Vg,Vm)があるため、ミラー占有率が制約を受ける。
 特に隣接するマイクロミラー素子62同士のフレーム間隔Vgに関しては、マイクロミラー素子62がトーションバー70,70を回動軸として傾斜する際に、隣接するマイクロミラー素子62と接触しないためのマージン(Δ、Δ)を考慮しておく。
 図12に示す左から2つ目のマイクロミラー素子62は傾斜した様子を示しており、回転前の位置から、回転に伴って、隣接する内フレーム67との距離が右上側においてΔ、左下側においてΔだけ接近することになる。内フレーム67の全体の幅をa、ミラー63の傾斜角度をθ、SOI基板である内フレーム67の上層側67-1及び下層側67-2の厚さをそれぞれd1・d2とすると、下記の式(1)及び(2)で示されるマージン量が必要となる。
   Δ1 =  a/2・(cosθ-1)+d1・sinθ   ・・・式(1)
   Δ2 =  a/2・(cosθ-1)+d2・sinθ   ・・・式(2)
 例えば厚みが200μmのSOI基板を用いて、ミラーピッチWpが260μmで、傾斜角度θが5°のマイクロミラーアレイ61を作製した場合、Vg=18μm、Vm=6μm、Wf=15μmといった間隔を要し、その結果ミラー63の占有率は75%程度になってしまう。
 ミラー63の占有率としては90%程度が最も好適であり、図10~図12に示す比較例に係るマイクロミラーアレイ61では、光の利用効率を損なっている。なお、ミラー63の占有率が高すぎると、隣接する波長間で信号の混信が発生するため、90%程度が好適となっている。
 また、将来に向けてのさらなる大容量化に対して、光信号の波長帯域の分割が細分化されてゆく場合には、マイクロミラーアレイ61のマイクロミラー素子62のピッチ幅Wpをさらに小さくすることが好ましい。この時、内フレーム67や隙間部分の幅を狭くすることが難しくミラー63の幅を狭くせざるを得ない。このため占有率が大幅に低下することになり、その結果、信号光の損失が増える。
 そこで、本実施形態では、上述の第1~第6実施形態と同様に、支持部としての内フレーム107は、この内フレーム107を備えるマイクロミラー素子102のミラー1033と、このミラー103に隣接する2つのミラー103のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム108に接続される。また、詳しくは後述するが、本実施形態では、内フレーム107の1以上の層を欠落させることで、より一層ミラー占有率を高めるようにしている。
 図13に示すマイクロミラーアレイ101は、マイクロミラー素子102を1方向(同図における左右方向)に配列してなる。各マイクロミラー素子102は、2軸を中心に回動するミラー103と、外フレーム108に接続されミラー103を支持する支持部としての内フレーム107とを備えている。
 ミラー103は、ミラーアーム104を介してミラー側可動電極(櫛歯電極)105に接続されている。内フレーム107には、ミラー側可動電極105に対向するミラー側固定電極(櫛歯電極)107aが設けられている。駆動部であるこれらミラー側可動電極105とミラー側固定電極107aとが協働して発生させる静電気力により、ミラーアーム104に接続されたミラー103は、ミラーアーム104及びミラー側可動電極105と共に、トーションバー106,106を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 内フレーム107は、ミラー103の駆動部であるミラー側可動電極105及びミラー側固定電極107aを回り込むように延び、ミラー103と共にミラー側可動電極105及びミラー側固定電極107aを囲むように形成される。
 また、内フレーム107は、ミラー103間を通って延びる直線部分107dとミラー側可動電極105を回り込む部分107eとで一対の上記トーションバー106,106によりミラーアーム104を支持している。
 内フレーム107のミラー103側の端部には、内フレームアーム107cが設けられており、その側面には内フレーム側可動電極(櫛歯電極)107bが設けられている。外フレーム108に一端が固定された外フレームアーム108aには、外フレーム側固定電極(櫛歯電極)108bが設けられている。内フレーム側可動電極107bと外フレーム側固定電極108bとは、対向配置されている。内フレーム107は、内フレームアーム107cの端部及びこれと反対側の端部において、トーションバー110を介して外フレーム108に回動可能に支持されている。
 そして、内フレーム側可動電極107bと外フレーム側固定電極108bとが協働して発生させる静電気力により、内フレーム107は、トーションバー110,110を回動軸として回動(揺動)可能となっている。
 以上のように、ミラー103は、トーションバー106,106を回動軸とする回動動作と、トーションバー106,106に直交するトーションバー110,110を回動軸とする回動動作との2軸を中心にした回動動作が可能となっている。
 なお、詳しくは後述するが、本実施形態のミラー103は、このミラー103を支持する内フレーム107の上記駆動部を回り込む部分107eと、この回り込む部分側107eで隣接する内フレーム107(の直線部分107d)との隙間g2よりも、この隣接する内フレーム107との隙間g1が小さくなっている。
 図13のc-c´概略断面図である図14Aに示すように、内フレーム107は、この内フレーム107が支持するミラー103と、このミラー103が第2の軸(トーションバー110,110)を中心に回動する際に背面側に回動する側、即ち、ミラー103の中心付近に対して沈み込むように変位する側(図14Aにおける右側)、で隣接するミラー103との間を通って延びる。
 また、内フレーム107は、2層構造のSOI基板であり、SiO(符号107d)を挟んで位置する2つのSi層(107-1,107-2)から形成されている。なお、内フレーム107は、図14Aの例ではミラー正面側のSi層107-1を部分的に欠落させているが、ミラー103の反射面近傍からミラー背面側に亘って配置されている。
 内フレーム107は、少なくともミラー103,103間を通る部分において、Si層107-1を例えばエッチングにより除去して欠落させることでミラー103の背面側(図14Aにおける下側)のSi層107-2から形成されている。なお、破線で示すミラー103´は、図13に示すトーションバー106により回動した位置を示している。
 以上の構成により、図14Aに示すマイクロミラー素子102は、図10に示す比較例におけるマイクロミラー素子62と比較して、内フレーム107がミラー103の片側を通って延びることで1本分のフレーム幅Wfを省略しているため、図12に示すように、省略した1本のフレームとこれに隣接するミラー103とのギャップVm、及び、上記マージンΔをも省略することができる。更には、正面側のSi層107-1を除去したことでマージンΔを省略することができる。
 例えば、Si層107-1,107-2の厚みd1(図14B参照),d2が60μm,140μm、内フレーム全体の幅a=240μm、θ=5°の条件下では、ミラーピッチWpが260μmのときにミラー幅Wmを230μm程度に拡大することが可能となり約89%の占有率を実現できる。
 次に、図14Bに示す第1変形例では、内フレーム107は、少なくともミラー103,103間を通る部分において、ミラー背面側のSi層107-2を除去して欠落させることで、ミラー正面側(図14Bにおける上側)のSi層107-1から形成されている。
 この場合、上記マージンΔが確保されるが、図14Aに示すマイクロミラー素子102と同様に、1本分のフレーム幅Wf、ギャップVm及びマージンΔを省略することができる。
 図14Cに示す第2変形例の場合、内フレーム107´は、この内フレーム107´により支持されるミラー103と、このミラー103が第2の軸(トーションバー110,110)を中心に回動する際にミラー正面側に持ち上がる側(図14Cにおける左側)で隣接するミラー103との間を通って延びる。
 また、内フレーム107´は、少なくともミラー103,103間を通る部分において、Si層107´-1を例えばエッチングにより除去して欠落させることでミラー背面側(図14Cにおける下側)のSi層107´-2から形成されている。
 以上の構成により、図14Cに示すマイクロミラー素子102´は、図10に示す比較例におけるマイクロミラー素子62と比較して、内フレーム107´がミラー103の一方を通って延びることで1本分のフレーム幅Wfを省略しているため、図12に示すように、省略した1本のフレームと隣接するミラー103とのギャップVm、及び、マージンΔをも省略することができる。更には、正面側のSi層107-1を除去したことで上記マージンΔを省略することができる。
 但し、ミラー背面側のSi層107´-2とミラー103との間のマージンとして、次式(3)で示されるマージンΔを確保しておく。
   Δ3 =  a・(1/cosθ-1)    ・・・式(3)
 図14Dに示す第3変形例では、内フレーム107´は、少なくともミラー103,103間を通る部分において、ミラー背面側のSi層107-2を除去して欠落させることで、ミラー正面側(図14Dにおける上側)のSi層107´-1から形成されている。
 この場合、図14Aに示す例と同様に、1本分のフレーム幅Wf、ギャップVm及びマージンΔ,Δを省略することができる。
 但し、トーションバー106(第1の軸A1)を回動軸とするミラー103,103´の回動における作動領域とミラー正面側のSi層107´-1との間のマージンとして、次式(4)で示されるマージンΔを確保しておく。
   Δ4 =  a/2・cosθ(cosθ-1) + d・sinθ   ・・・式(4)
 以上のように、内フレーム107は、この内フレーム107を備えるマイクロミラー素子102のミラー1033と、このミラー103に隣接する2つのミラー103のうち一方との間を通って延び、また、内フレーム107の一部を欠落させる構成とすることで、上述のように、ミラー103を、このミラー103を支持する内フレーム107の上記駆動部を回り込む部分107eと、この回り込む部分側107eで隣接する内フレーム107(直線部分107d)との隙間g2よりも、この隣接する内フレーム107との隙間g1を小さくする量を有効に増やすことができる。
 以上説明した第7実施形態においても、ミラー103を支持する支持部としての内フレーム107は、この内フレーム107を備えるマイクロミラー素子102のミラー103と、このミラー103に隣接する2つのミラー103のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム108に接続される。そのため、マイクロミラー素子102を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー103を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子102の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー103のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、図14A及び図14Bに示すように、内フレーム107は、この内フレーム107が支持するミラー103と、このミラーが第2の軸(トーションバー110)を中心に回動する際に背面側に回動する側で隣接するミラー103との間を通って延びる。したがって、より一層ミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、図14A~図14Dに示すように、内フレーム107は、2以上の層107-1,107-2から形成され、少なくともミラー103間を通る部分において1以上(本実施形態では1つ)の層が欠落して形成されている。したがって、ミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、図14A及び図14Cに示すように、内フレーム107は、少なくともミラー103間を通る部分においてミラー正面側の層107-1が欠落して形成されている。したがって、より一層ミラー占有率を高めることができる。
 更には、図14Aに示すように内フレーム107が、この内フレーム107が支持するミラー103と、このミラー103が第2の軸(トーションバー110)を中心に回動する際に背面側に回動する側で隣接するミラー103と、の間を通って延び、且つ、ミラー正面側の層107-1が欠落して延びる場合には、例えば、図10~図12の比較例に対して、フレーム幅Wf、ギャップVm、及び、マージンΔ,Δを省略することができる。したがって、より有効にミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態では、図13等に示すように、ミラー103は、このミラー103を支持する内フレーム107の上記駆動部を回り込む部分107eと、この回り込む部分側107eで隣接する内フレーム107(の直線部分107d)との隙間g2よりも、この隣接する内フレーム107との隙間g1が小さくなっている。したがって、より一層ミラー占有率を高めることができる。
 なお、本実施形態では、2以上の層から形成される内フレーム107について、2層構造のSOI基板を例に説明したが、3以上の層から形成されるものや、その他の材料から形成されるものとしてもよい。
 <第8実施形態>
 本実施の形態では、第3の連結部としての応力緩和機構119を配置した点を除いて概ね上述の第7実施形態と同様であるため、第7実施形態と同一又は同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。
 図15Aは、本発明の第8実施形態に係るマイクロミラー素子112を示す概略平面図である。
 図15B及び図15Cは、本実施形態の第1及び第2変形例に係るマイクロミラー素子122,132を示す概略平面図である。
 図16は、図15Bの部分拡大図である。
 図17は、図15Bの部分拡大斜視図である。
 マイクロミラー素子112は、内フレーム107の内部、具体的には、内フレームアーム107cと内フレーム107の本体部分(内フレームアーム107cを除く部分)との間、に第3連結部としての応力緩和機構119が例えば内フレーム107と一体的に配置されている。なお、本実施の形態のマイクロミラー素子112も、ミラー103を内フレーム107に対し回動可能に連結する第1の軸A1となるトーションバー(第1の連結部)106を有する。
 応力緩和機構119は、平面視矩形枠状を呈する。応力緩和機構119は、第2の軸A2となるトーションバー(第2の連結部)110に直交する薄肉面119a,119bを有する。これら薄肉面119a,119bの中央において、応力緩和機構119は、内フレームアーム107c及び上記本体部分に接続されている。
 薄肉面119a,119bの厚さWa,Wbは、例えば、内フレーム107の幅Wfの半分以下とすることが好ましい。なお、薄肉面119a,119bのうち、内フレームアーム107c及び上記本体部分に接続されている部分については、集中荷重に対する強度を確保するために、例えば、部分的に厚みを持たせるか或いは内フレーム107を貫通させるとよい。
 応力緩和機構119のうち薄肉面119a,119bを除く面は、トーションバー110と平行な面となっている。この面の厚さについては、例えば、内フレーム107の幅Wfと同程度とするなどして、強度を確保するようにすればよい。
 トーションバー110に平行な方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k12と応力緩和機構119のバネ定数k13とは、k13<k12の関係にある。
 また、トーションバー110を回動軸とする回動方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k22と応力緩和機構119のバネ定数k23とは、k23≧k22の関係にある。
 このように、応力緩和機構119は、トーションバー110と平行な方向への引っ張りや圧縮方向の応力成分を吸収する。
 図15Bの第1変形例に係るマイクロミラー素子122は、内フレーム107とトーションバー(第2の連結部)110との間、具体的には、内フレーム107のうち内フレームアーム107cが設けられたのと反対側の端部と、トーションバー110との間、に第3連結部としての応力緩和機構129が例えば内フレーム107及びトーションバー110と一体的に配置されている。
 応力緩和機構129は、平面視U字形状を呈する。応力緩和機構129は、トーションバー110に直交する薄肉面129aを有する。この薄肉面129aの中央において、応力緩和機構129は、トーションバー110に接続されている。また、応力緩和機構129のうち薄肉面129aを除くトーションバー110に平行な2つの面において、応力緩和機構129は内フレーム107に接続されている。
 薄肉面129aの、トーションバー110に平行な方向の厚さWaは、例えば、内フレーム107の幅Wfの半分以下とすることがより好ましい。なお、薄肉面129aのうちトーションバー110に接続されている部分については、集中荷重に対する強度を確保するために、例えば、部分的に厚みを持たせるとよい。
 応力緩和機構129のうち薄肉面129aを除く面は、トーションバー110と平行な面となっている。この面の厚さについては、例えば、内フレーム107の幅Wfと同程度とするなどして強度を確保するようにすればよい。
 本変形例においても、トーションバー110に平行な方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k12と応力緩和機構129のバネ定数k13とは、k13<k12の関係にあり、トーションバー110を回動軸とする回動方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k22と応力緩和機構129のバネ定数k23とは、k23≧k22の関係にある。
 このように、応力緩和機構129は、トーションバー110と平行な方向への引っ張りや圧縮方向の応力成分を吸収する。
 ここで、図15Bに示す応力緩和機構129を例に、応力緩和機構(第3の連結部)の一例について、図16及び図17を参照しながら具体的に説明する。
 図15Bに示すマイクロミラー素子122を例えば、均質な基板を選択的にエッチング処理して製造する場合、内フレーム107、トーションバー110、応力緩和機構129等は同じ材料(例えばSi)で形成され、それぞれの部位のパターンの幅や厚みの差によって各部位の機械的強度を調整する。材質が同じの場合、剛体の強度は寸法の3乗にほぼ比例する。仮に、応力緩和機構129の薄肉面129aの厚さWaを5μmから2倍の10μmにした場合、強度が8倍に増加することになる。
 内フレーム107は、トーションバー110,110によって宙づりにされている状態であるため、内フレーム107へ作用する応力としては引っ張り方向のストレスと、トーションバー110,110を回動軸とする回転トルクぐらいである。
 上述のバネ定数の関係を満たす応力緩和機構129を設けることによって、引っ張り方向のストレスが軽減されることもあり内フレーム107にそれほど大きな力が作用することはない。したがって、内フレーム107のパターン幅としては、薄肉部129aが5μmの場合には約2倍の10μm程度あれば十分な強度が得られる。
 ここで、図16及び図17に示すように、トーションバー110との接続部分を挟んで位置する薄肉面129aの2つの部分のうち一方の面の平面視の長さをL・奥行きをt・厚さをWa、トーションバー110の長さをg・断面をh×i、ヤング率をEとするとき、トーションバー110に平行な方向の変位に対する、上述のトーションバー110のバネ定数k12及び応力緩和機構129のバネ定数k13の簡略モデルによる近似解は、下記の式(5)及び(6)となる。
   k12 = hiE/g       ・・・式(5)
   k13 = tWaE/(2L)   ・・・式(6)
 応力緩和機構129の寸法を、L=90μm、Wa=5μm、t=200μm、トーションバー110の寸法を、g=100μm、h=5μm、i=20μmとするとき、バネ定数k12,k13の比を求めると、約1対58でk12が大きくなる。しかも、応力緩和機構129とトーションバー110とは直列に連結されていることから、外フレーム108からの応力のほとんどが応力緩和機構129で吸収されることになり、トーションバー110等に作用する応力が大幅に軽減される。
 図15Cの第2変形例に係るマイクロミラー素子132は、トーションバー110(第2の連結部)と外フレーム108との間、具体的には、直接内フレームアーム107の上記本体部分に接続されるトーションバー110と外フレーム108との間、に第3連結部としての応力緩和機構139が例えば外フレーム108と一体的に配置されている。
 応力緩和機構139は、外フレーム108に設けられた空洞部分139bと、この空洞部分139bを塞ぐように位置する薄肉面139aとを有する。この薄肉面139aの中央において、応力緩和機構139は、トーションバー110に接続されている。
 薄肉面139aの厚さWaは、例えば、内フレーム107の幅Wfの半分以下とすることが好ましい。なお、薄肉面139aのうちトーションバー110に接続されている部分については、集中荷重に対する強度を確保するために、例えば、部分的に厚みを持たせるとよい。
 本変形例においても、トーションバー110に平行な方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k12と応力緩和機構139のバネ定数k13とは、k13<k12の関係にあり、トーションバー110を回動軸とする回動方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k22と応力緩和機構139のバネ定数k23とは、k23≧k22の関係にある。
 このように、応力緩和機構139は、トーションバー110と平行な方向への引っ張りや圧縮方向の応力成分を吸収する。
 以上説明した第8実施形態においても、ミラー103を支持する支持部としての内フレーム107は、この内フレーム107を備えるマイクロミラー素子102のミラー103と、このミラー103に隣接する2つのミラー103のうち一方との間を通って延び、両端が外フレーム108に接続される。そのため、マイクロミラー素子112,122,132を互いに近接させて配列することで、ミラー配列方向においてミラー103を互いに近接させることができる。よって、本実施形態によっても、マイクロミラー素子112,122,132の配列に制限を伴うことなく、2軸を中心に回動するミラー103のミラー占有率を高めることができる。
 また、本実施形態並びにその第1及び第2変形例では、マイクロミラー素子112,122,132は、内フレーム107の内部、内フレーム107とトーションバー(第2の連結部)110との間、及び、トーションバー110と外フレーム108との間、の3箇所のうち少なくとも1箇所に配置された応力緩和機構(第3の連結部)119,129,139を備える。また、トーションバー110に平行な方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k12と応力緩和機構119,129,139のバネ定数k13とは、k13<k12の関係にあり、トーションバー110を回動軸とする回動方向の変位に対する、トーションバー110のバネ定数k22と応力緩和機構119,129,139のバネ定数k23とは、k23≧k22の関係にある。
 そのため、応力緩和機構119,129,139は、トーションバー110からの引っ張りや圧縮応力に対して変形して応力を分散させることができる。また、応力緩和機構119,129,139は、トーションバー110を回動軸とする回動方向のトルクに対しては剛性が高く、更には、上述のように引っ張りや圧縮応力に対して応力を低減するためトーションバー110を回動軸とする回動動作の特性を安定させることもできる。
 また、本実施形態では、応力緩和機構119,129,139は、トーションバー110に対して垂直な平面部119a,119b,129a,139aを有し、これら平面部のトーションバー110に平行な方向の厚みWaは、内フレーム107の幅Wfに対して半分以下である。そのため、応力緩和機構119,129,139による応力の緩和と内フレーム107の強度とのバランスをとることができる。更には、平面部を設けて応力を緩和することで、上述のバネ定数の2つの関係を満たす構成を簡素にすることができる。
 ところで、図20に示す後述するアッテネータ機能404を実現するために、ミラー103の傾斜角度は0.01°以下の精度で微調整することが要求される。トーションバー106(第1の軸A1)を回動軸とするミラー103の回転が出力信号光の出力先の切り替えおよび光アッテネータ機能を実現している。
 内フレーム107は、外フレーム108に外部から応力が作用する場合(例えば、環境温度の変化にともなう熱膨張の影響等による)、応力に対して変形しやすい構造となっている。内フレーム107の変形に対して、ミラー側可動電極105及びミラー側固定電極107aの部位で発生する回転トルクや、トーションバー106のバネ定数が変調を受ける。その結果、ミラー103の傾斜角度が僅かに変位してしまい、後述する光アッテネータ機能に僅かな狂いを生じるおそれがある。しかしながら、本実施形態によれば、このような機能の狂いを抑えることができる。
 <光スイッチについて>
 以上説明した第1~第8実施形態に係るマイクロミラーアレイを光スイッチ等に用いることができるのは上述のとおりであるが、マイクロミラーアレイ等の理解をより容易にするため、以下、光スイッチの一例について説明する。
 近年、様々な技術分野において、マイクロマシニング技術により形成される微小構造を有する素子の応用が図られている。これらは部品が非常に小型であること、機械的特性の劣化が少ないことなどの特徴を有しており、これによって作製されるマイクロミラー素子は光通信分野における光スイッチ等への適用が進んでいる。その中の一つに波長選択スイッチがある。
 光通信においては激増するインターネットトラフィックを収容すべく、波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)通信を中核としたネットワークの光化が急ピッチで進んでいる。
 光スイッチ(以下、「波長選択スイッチ」という。)201,301は、例えば、図18に示すメッシュ型ネットワークや図19に示すリング型ネットワークにおけるノードに配置され、入力された波長を任意の出力ポートに振り分ける機能を有する。
 なお、図18に示すメッシュ型ネットワークには、合波部202、分波部203等が配置され、図19に示すリング型ネットワークには、OADM(Optical Add Drop Multiplexer)ノードにおけるアド(挿入)光用の合波部302、ドロップ(分岐)光用の分波部303等が配置されている。
 波長選択スイッチのこのような波長振り分け機能は、換言すると、例えば図20に示すような波長毎のクロス・バースイッチとしての機能と等価である。波長選択スイッチ400は、入力光伝送路(入力ファイバ)に対応する入力ポート数に応じた分波部401と、複数の2×2スイッチ402と、出力光伝送路(出力ファイバ)に対応する出力ポート数に応じた合波部403とをそなえ、入力ポートから入力されたWDM光を対応する分波部401で波長(チャンネル)毎に分波し、いずれかの2×2スイッチ402にて設定に応じた波長単位の出力切り替え(クロス又はバー切り替え)を行なった上で、いずれかの合波部403にて他波長の光と波長多重して対応する出力ポートへWDM光を出力する。
 図20の例で説明すると、入力ポート#1に波長λ2,λ5及びλ6のWDM光が入力され、入力ポート#2に波長λ1,λ3,λ4及びλ7のWDM光が入力されている。2×2スイッチ402でのクロス又はバー切り替えによって、波長λ1,λ4及びλ6の光が出力ポート#1へ、残りの波長λ2,λ3,λ5及びλ7の光が出力ポート#2へ切り替え出力されている様子が図20に示されている。
 図20において、符号404は利得等化(光アッテネータ)機能を示し、空間結合型の波長選択スイッチ400においては、例えば出力ファイバへの集光位置をコア中心から適宜ずらしてコアへの光結合量を可変することによって当該機能を実現できる。
 具体的には、図21に示すように、空間結合型の波長選択スイッチ500は、その要部に着目すると、例えば基板510上に、入出力光学系を構成するコリメータアレイ511と、入力WDM光を波長毎に分光するための分光光学系を構成する分光器512と、集光光学系を構成する集光レンズ513と、スイッチング素子であるマイクロミラーアレイ514とを備える。
 ここで、コリメータアレイ511は入力光ファイバから入射した光をコリメート光に変換し、分光器512から入射したコリメート光を出力ファイバのコアに集光する機能を有している。
 分光器512は、入射光を波長によって異なる方向(角度)へ反射するもので、一般的には図23に示すような回折格子512が用いられる。
 集光レンズ513は、分光器512により波長毎に分離された光を所定のマイクロミラーアレイ514に集光する一方、マイクロミラーアレイ514で反射されてくる光を集光して分光器512経由でコリメータアレイ511へ出力するものである。
 マイクロミラーアレイ514は、入力ファイバ511-1からの入射光を出力ファイバ511-2,511-3,511-4のいずれかへ反射させてポート切り替えを行なうスイッチング素子として機能するもので、図1や図13に示すようにマイクロミラー素子2,102がアレイ状に配置されている。
 入力光は分光器(回折格子)512により波長毎に分離された光となっており、1波長域に対して1個のミラー514aが配置される。ミラー514aは、図22A及び図22Bに示すごとく傾斜角が可変な構成となっており、傾斜角に応じて出力ポートが定まるようになっている。個々のミラー514aの傾斜角度を個別に制御することによって、各波長域毎に出力ポートを切り替える構成となっている。
 さらに、マイクロミラーアレイ514の傾斜角の調整を行うに当たって、傾斜角を微調整することによって出力ファイバ511-2,511-3,511-4のコアへの光結合量を調整することができる。これによって、出力先の切り替え機能とともに図20に示す上述の光アッテネータ機能404を実現できる。
 上述した第1~第8実施形態におけるマイクロミラー素子では、直交する2つの軸方向に回動可能なミラーを用いている。ミラーの傾斜角度が1軸方向だけの場合、図21において光信号の出力先を511-2から511-4へ切り替える際に瞬間的にではあるが511-3へ光信号が入射してしまう。これを避けるため、光信号の出力先を切り替えるための傾斜方向と、光信号のファイバへの結合のオン/オフを切り替える方向の傾斜方向との2方向の角度傾斜を使用しても良い。

Claims (17)

  1.  2軸を中心に回動するミラーと、外フレームに接続され前記ミラーを支持する支持部とを備えるマイクロミラー素子を複数個配列してなるマイクロミラーアレイにおいて、
     前記支持部は、該支持部を備えるマイクロミラー素子のミラーと、該ミラーに隣接する2つのミラーのうち一方との間を通って延び、両端が前記外フレームに接続される、
     ことを特徴とするマイクロミラーアレイ。
  2.  前記ミラーは、第1の軸及び第2の軸の2軸を中心に回動し、
     前記支持部は、前記第2の軸を中心に回動し前記ミラーを前記第1の軸を中心に回動可能に支持する内フレームを有する、
     ことを特徴とする請求項1記載のマイクロミラーアレイ。
  3.  前記内フレームは、該内フレームを備えるマイクロミラー素子のミラーと、該ミラーに隣接する2つのミラーのうち一方との間を通って一直線状に延び両端が前記外フレームに接続される前記第2の軸を有することを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  4.  前記マイクロミラー素子は、前記内フレームと、該内フレームと共に前記第2の軸を中心に回動する部分との重心を、前記第2の軸に近づける錘部を更に備えることを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  5.  前記錘部は、前記内フレームと、該内フレームと共に前記第2の軸を中心に回動する部分との重心を、前記第2の軸の長さ方向における中央に近づけるように配置されることを特徴とする請求項4記載のマイクロミラーアレイ。
  6.  前記内フレームは、該内フレームの一部を前記第2の軸として回動し、
     前記錘部は、前記第2の軸に配置される、
     ことを特徴とする請求項4記載のマイクロミラーアレイ。
  7.  前記支持部は、前記内フレームを前記第2の軸を中心に回動可能に支持する補強梁部を更に有し、
     前記補強梁部は、該補強梁部を備えるマイクロミラー素子のミラーと該ミラーに隣接する2つのミラーのうち一方との間を通って延び、両端が前記外フレームに接続される、
     ことを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  8.  前記内フレームは、前記補強梁部を前記第2の軸として回動し、少なくとも前記ミラー側の端部又はその近傍において前記補強梁部により支持されることを特徴とする請求項7記載のマイクロミラーアレイ。
  9.  前記内フレームは、前記ミラー側の端部が前記補強梁部により支持され他端部が前記外フレームにより支持される前記第2の軸を有することを特徴とする請求項7記載のマイクロミラーアレイ。
  10.  前記補強梁部は、該補強梁部を備えるマイクロミラー素子に隣接するマイクロミラー素子の内フレームを駆動するための駆動部を有することを特徴とする請求項7記載のマイクロミラーアレイ。
  11.  前記内フレームは、該内フレームが支持する前記ミラーと、該ミラーが前記第2の軸を中心に回動する際に背面側に回動する側で隣接する前記ミラーとの間を通って延びることを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  12.  前記内フレームは、2以上の層から形成され、前記ミラー間を通って延び、少なくとも前記ミラー間を通る部分において1以上の層が欠落して形成されていることを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  13.  前記内フレームは、少なくとも前記ミラー間を通る部分において該ミラーの正面側の1以上の層が欠落して形成されていることを特徴とする請求項12記載のマイクロミラーアレイ。
  14.  前記マイクロミラー素子は、前記ミラーを前記第1の軸を中心に回動させる駆動部を備え、
     前記内フレームは、前記ミラー間を通って前記駆動部を回り込むように延び、
     前記ミラーは、該ミラーを支持する前記内フレームの前記駆動部を回り込む部分と該回り込む部分側で隣接する前記内フレームとの隙間よりも、該隣接する内フレームとの隙間が小さい、
     ことを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  15.  前記マイクロミラー素子は、
     前記ミラーを前記内フレームに対し回動可能に連結する、前記第1の軸となる第1の連結部と、
     前記内フレームを前記外フレームに対し回動可能に連結する、前記第2の軸となる第2の連結部と、
     前記内フレームと前記第2の連結部との間、前記第2の連結部と前記外フレームとの間、及び、前記内フレームの内部、の3箇所のうち少なくとも1箇所に配置された第3の連結部と、
     を備え、
     前記第2の連結部に平行な方向の変位に対する、前記第2の連結部のバネ定数k12と前記第3の連結部のバネ定数k13とは、k13<k12の関係にあり、
     前記第2の連結部を回動軸とする回動方向の変位に対する、前記第2の連結部のバネ定数k22と前記第3の連結部のバネ定数k23とは、k23≧k22の関係にある、
     ことを特徴とする請求項2記載のマイクロミラーアレイ。
  16.  前記第3の連結部は、前記第2の連結部に対して略垂直な平面部を有し、
     該平面部の前記第2の連結部に平行な方向の厚みは、前記内フレームの幅に対して半分以下である、
     ことを特徴とする請求項15記載のマイクロミラーアレイ。
  17.  2軸を中心に回動するミラーと、外フレームに接続され前記ミラーを支持する支持部とを備えるマイクロミラー素子を複数個配列してなるマイクロミラーアレイを含む光スイッチにおいて、
     前記支持部は、該支持部を備えるマイクロミラー素子のミラーと、該ミラーに隣接する2つのミラーのうち一方との間を通って延び、両端が前記外フレームに接続される、
     ことを特徴とする光スイッチ。
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