WO2011001769A1 - 無線通信用高周波回路及び無線通信機 - Google Patents

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柴原輝久
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency circuit for wireless communication such as a mobile phone terminal and a wireless communication device.
  • Recent mobile phone terminals are generally those that can use a plurality of communication frequency bands.
  • Patent Document 1 discloses a communication terminal that enables handover between both systems in a communication terminal that shares both the CDMA system and the TDMA system.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram of a communication terminal disclosed in Patent Document 1.
  • the main configuration of the communication terminal is the antenna duplexer 2, the TDMA modulator, the demodulator and the CDMA modulator, the modem unit 4 equipped with the demodulator, and the modulator output in the modem unit 4 by amplifying the output of the modulator.
  • a signal processing unit 5 connected to the modem unit 4, an antenna duplexer 2, a modem unit 4, a power amplifier 3, and a control unit 6 that controls the signal processing unit 5.
  • the signal received by the antenna 1 is supplied to the TDMA demodulator and CDMA demodulator in the modem 4 via the antenna duplexer 2, and the outputs of the TDMA modulator and CDMA modulator in the modem 4 are both power.
  • the signal is supplied to the antenna duplexer 2 through the amplifier 3.
  • the power amplifier 3 includes two amplifiers 31, 33 and switches 32, 34.
  • the antenna duplexer 2 includes a duplexer using filters 23 and 29.
  • the circuit configuration of the transmission unit of the mobile phone terminal that performs simultaneous transmission and reception is “amplifier ⁇ duplexer ⁇ antenna”.
  • the arrow ⁇ indicates the flow of the transmission signal, and indicates that the components are connected in this order.
  • the circuit configuration is “amplifier ⁇ duplexer ⁇ relay switch ⁇ antenna”.
  • the relay switch is used to select one of a plurality of duplexers and connect it to the antenna.
  • All components such as the amplifier, duplexer, and antenna are designed so that their characteristic impedance is 50 ⁇ as a standard. This is also a rule for enabling high-frequency components to be connected as they are with impedance matching. That is, when these components are connected, impedance matching is performed at 50 ⁇ and the circuit functions as a predetermined circuit.
  • the output part of the amplifier is the emitter or collector of a bipolar transistor or the source or drain of a field effect transistor.
  • the output impedance of the amplifier is very low, generally 10 ⁇ or less.
  • the input impedance of the duplexer is 50 ⁇ , it is necessary to form a matching circuit in the output portion of the amplifier and convert the characteristic impedance of the output portion of the amplifier to 50 ⁇ .
  • an inductor or a capacitor is often provided for the purpose of finely adjusting the impedance matching state.
  • a method is also conceivable in which a variable capacitance element is placed in a matching circuit formed at the output section of the amplifier, and the capacitance value of the variable capacitance element is switched in accordance with a change in the communication frequency band. According to this method, since the matching state can be changed for each communication frequency band, it is possible to achieve good impedance matching, and it is possible to suppress deterioration in transmission efficiency due to signal reflection.
  • a signal path 502 is formed from the output portion of the amplifier 510 to the ground, and a signal branch point 503 is provided in the signal path 502.
  • a signal path 505 is provided from the signal branch point 503 toward the relay switch 540.
  • a variable inductance portion 520 that effectively functions as a variable inductor is inserted between the amplifier 510 and the signal branch point 503. 2, 3 and 4, the configuration of the variable inductance section 520 is different.
  • variable capacitance element 531 is inserted between the signal branch point 503 and the ground.
  • the matching circuit including the variable inductance unit 520 and the variable capacitance element 531 increases the impedance of the output unit of the amplifier 510 by adjusting the value of the variable capacitance for each communication frequency band, and the impedance at the relay switch 540 is increased. 50 ⁇ .
  • a circuit in which an inductor 532 and a variable capacitance element 533 are connected in series is inserted between the signal path 505 and the ground.
  • the inductor 532 and the variable capacitance element 533 are harmonics of a transmission signal output from the amplifier 510 ( A series resonance is caused at a frequency of a second harmonic or a third harmonic, and the impedance at that time is determined to be very small.
  • harmonics are shunted to ground and removed, and the distortion component of the transmission signal is reduced.
  • the communication frequency band changes the harmonic frequency of the transmission signal changes, but the capacitance value of the variable capacitance element 509 is switched accordingly, and the targeted harmonic is suppressed.
  • the matching circuit shown in FIG. 2, FIG. 3, and FIG. 4 has the following two major advantages over the matching circuit that does not use a variable capacitance element.
  • the first advantage is that good impedance matching can be obtained because the capacitance value of the variable capacitance element is changed in accordance with the change of the communication frequency band and is matched in accordance with the communication frequency band being used.
  • the second advantage is that the harmonic frequency to be suppressed can be changed in accordance with the change of the communication frequency band being used, so that harmonic suppression can be performed more effectively.
  • the variable inductance unit 520 is configured by connecting an inductor 521 and a variable capacitance element 522 in series.
  • the inductor 521 since the inductance of the inductor 521 is configured to be effectively reduced by the capacitance of the variable capacitance element 522, it is necessary to use the inductor 521 whose inductance is considerably larger than the effective inductance of the entire variable inductance section 520. is there.
  • the internal resistance (equivalent series resistance) of an inductor increases as the inductance increases. Therefore, when the configuration of FIG. 2 is adopted, the resistance of the variable inductance section 520 is a large value for the effective inductance of the variable inductance section 520. Therefore, the loss in the variable inductance part 520 becomes large, and the transmission efficiency is deteriorated.
  • variable inductance section 520 is configured by connecting the inductor 523 and the variable capacitance element 524 in parallel. Therefore, currents in opposite directions flow through the inductor 523 and the variable capacitance element 524, and the difference between them is a current passing through the variable inductance section 520. Therefore, a very large current flows through the inductor 523 and the variable capacitance element 524 as compared with the current passing through the variable inductance section 520. As a result, a large loss due to the internal resistance of the inductor 523 and the variable capacitance element 524 occurs. appear. Therefore, even in the configuration of FIG. 3, the loss in the variable inductance unit 520 increases, and the transmission efficiency deteriorates.
  • variable inductance unit 520 switches the inductor using a variable capacitance element like a switch.
  • a “state close to ON” is created by increasing the value of the variable capacitance
  • a “state close to OFF” is created by reducing the value of the variable capacitance. If the capacity of the variable capacitance element can be made infinite, it can be completely turned on, and if the capacity of the variable capacitance element can be reduced to zero, it can be turned off completely, but in reality, only a limited capacity can be obtained. OFF is impossible.
  • variable inductance section 520 constitutes a resonant system of an inductor and a capacitor, and therefore the frequency dependency of impedance is large. Therefore, it is difficult to maintain good impedance matching over the entire band even within the same communication band, and as a result, the transmission efficiency deterioration due to signal reflection cannot be reduced so much.
  • FIG. 5 a configuration is possible in which the impedance matching circuits 561, 562, and 563 are switched for each communication band using a relay switch 540.
  • this configuration also has a major problem. Since the output part of the amplifier 510 has a low impedance (current transmission system), if the output part of the amplifier 510 is directly connected to the relay switch 540 as shown in FIG. 5, a large current flows through the relay switch 540. 2, FIG. 3 and FIG. 4, since it is converted to a high impedance system by a matching circuit, in other words, converted to a voltage transmission system and then connected to the relay switch, the amount of current flowing through the relay switch 540 Is relatively small.
  • the characteristic impedance is designed to be 50 ⁇ in any communication frequency band. However, in practice, if the characteristic impedance can be changed for each communication frequency band, the radiation efficiency of the antenna can be further improved.
  • antennas There are various types of antennas, but the most basic method is an electric wire (pole) having a length of 1/4 of the wavelength. When it is put in a cellular phone, a length of 1 ⁇ 4 wavelength cannot be secured, and therefore a shorter electric wire is used. Then, an inductor is added to the base portion of the wire because the length is insufficient. When the same electric wire is used in a plurality of communication frequency bands, it is desirable that the inductance of the inductor added at the base can be changed for each communication frequency band. This is because the wavelength becomes shorter when the frequency is high, so that the shortage of the length of the wire is effectively reduced, and even when the frequency is the same, it acts as a larger impedance when the frequency is high. It is.
  • the radiation efficiency of the antenna can be increased by changing the characteristic impedance of the connection destination for each communication frequency band so that the inductance becomes higher as the frequency is lower. Can be further enhanced.
  • a high frequency circuit for wireless communication includes an amplifier that outputs transmission signals in a plurality of communication frequency bands, a first relay having a common (one) input port and individual (plural) output ports. Different communication frequencies having a switch, a first impedance matching circuit provided between the output port of the amplifier and the input port of the relay switch, a transmission signal input port, a reception signal output port, and an input / output shared port A plurality of band duplexers, and a second impedance matching circuit connected between the first relay switch and a transmission signal input port of the duplexer.
  • the impedance matching between the amplifier and the duplexer is good, and the transmission efficiency is improved by reducing the loss.
  • the first impedance matching circuit includes, for example, a first signal path connecting the output port of the amplifier and the ground, and a first relay switch from a branch point in the middle of the first signal path.
  • a second signal path connected to the input port of the first signal path, wherein a first reactance element (inductor or capacitor) is inserted between the amplifier and the branch point in the first signal path, and the branch
  • a second reactance element (capacitor or inductor) having a polarity opposite to that of the first reactance element is inserted between the point and the ground.
  • the “reactive element having a reverse polarity” indicates a reactance element having a sign of an imaginary impedance that is reverse.
  • the reactance element having the opposite polarity to the capacitor is an inductor, and the reactance element having the opposite polarity to the inductor is a capacitor.
  • the second reactance element is a variable capacitance element, and no variable capacitance element is inserted between the amplifier and the signal branch point in the first signal path, or
  • the first reactance element is a variable capacitance element, and no variable capacitance element is inserted between the signal branch point and the ground in the first signal path.
  • the capacitance value of the variable capacitance element can be changed for each communication frequency band, and can be converted to a higher impedance for each communication frequency. Further, since no variable capacitance element is inserted between the amplifier and the signal branch point in the first signal path, the above-described disadvantage of increased insertion loss, increased loss due to increased internal current, and Inductors and variable capacitors form a resonance system, so that the frequency characteristics of impedance become steep and various problems such as signal reflection can be avoided.
  • variable capacitance element is an electrostatic drive type MEMS variable capacitance element
  • first relay switch is an electrostatic drive type MEMS switch
  • MEMS variable capacitance element and the first relay A common driving IC for driving the switch is provided.
  • the second impedance matching circuit is provided with an adjustable reactance circuit so that a variation in capacitance of the variable capacitance element can be compensated by the adjustable reactance circuit.
  • variable capacitance element that allows a certain degree of variation, which facilitates practical use and substantially increases the manufacturing yield of the variable capacitance element, which is advantageous in terms of cost.
  • the adjustable reactance circuit is, for example, a circuit using the inductance of a wire formed by wire bonding.
  • the adjustable reactance circuit is, for example, a capacitor whose capacitance can be adjusted by laser light.
  • the high frequency circuit for wireless communication has a transmission signal input port, a reception signal output port, and an input / output common port, and a plurality of duplexers for different communication frequency bands and a common connection connected to an antenna.
  • a second relay switch having (one) output port and individual (plural) input ports, and a third relay switch provided between the input / output shared port of the plurality of duplexers and the second relay switch.
  • the impedance when the second relay switch side is viewed from the antenna is designed to be different depending on which duplexer is connected to the contact point of the second relay switch (ie, the antenna impedance is reduced). It is changed appropriately for each communication frequency band), thereby improving the radiation efficiency of the antenna in each communication band.
  • the impedance when the second relay switch side is viewed from the antenna is determined to be inductive as the communication frequency band of the duplexer to which the contact of the second relay switch is connected is lower. .
  • the impedance when the second relay switch side is viewed from the antenna is the communication between the contact of the second relay switch and the second relay switch.
  • the desired effect can be obtained by making it more inductive as it is connected to a duplexer with a lower band frequency.
  • the high frequency circuit for wireless communication includes a first amplifier having an amplifier that outputs transmission signals in a plurality of communication frequency bands, a common (one) input port, and individual (plural) output ports.
  • a first impedance matching circuit provided between an output port of the amplifier and an input port of the relay switch, a plurality of duplexers for different communication frequency bands, and the first relay switch
  • a second impedance matching circuit connected between each of the duplexers; a second relay switch having a shared (one) output port and individual (plural) input ports connected to an antenna;
  • a third impedance matching circuit provided between the plurality of duplexers and the second relay switch.
  • the impedance when the second relay switch side is viewed from the antenna is determined to be inductive as the communication frequency band of the duplexer to which the contact of the second relay switch is connected is lower. .
  • the characteristic impedance of the port of at least one of the plurality of duplexers is designed to be higher than 50 ⁇ .
  • a duplexer configured with an acoustic wave filter is smaller and lower in cost as the characteristic impedance is designed higher (the number of chips that can be removed from the wafer increases). Is designed to be higher than 50 ⁇ , the whole can be reduced in size / cost.
  • the first relay switch and the second relay switch are electrostatic drive type MEMS switches, and a common driving IC for driving the first relay switch and the second relay switch is provided. Prepare.
  • a radio communication device includes the radio communication high-frequency circuit having any one of the configurations described above, and receives a transmission circuit that supplies a transmission signal to the amplifier and a reception signal output from the duplexer. Provide a circuit.
  • the impedance matching between the amplifier and the duplexer is good, and the transmission efficiency is improved by reducing the loss.
  • the impedance when the second relay switch is viewed from the antenna is designed to be different depending on which duplexer is connected to the contact point of the second relay switch (that is, the antenna impedance is communicated). It is appropriately changed for each frequency band), thereby improving the radiation efficiency of the antenna in each communication band.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram of a communication terminal disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. It is a figure which shows the example which provided the impedance matching circuit between amplifier and the relay switch based on the prior art in the structure of amplifier-> relay switch-> duplexer. It is a figure which shows the example which provided the impedance matching circuit between amplifier and the relay switch based on the prior art in the structure of amplifier-> relay switch-> duplexer. It is a figure which shows the example which provided the impedance matching circuit between amplifier and the relay switch based on the prior art in the structure of amplifier-> relay switch-> duplexer. It is a figure which shows the example which provided the impedance matching circuit between the relay switch and the duplexer based on the prior art in the structure of amplifier-> relay switch-> duplexer.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration of the high-frequency circuit for pre-stage wireless communication 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • a first impedance matching circuit 120 is provided between the output port of the amplifier 110 and the relay switch 130.
  • a first signal path 102 indicated by a broken line in the drawing is configured from the output port of the amplifier 110 to the ground (ground).
  • An inductor 121 and a variable capacitance element 122 are inserted in the first signal path 102.
  • a second signal path 106 is provided between the signal branch point 105, which is a point in the middle of the first signal path 102, and the relay switch 130.
  • the inductor 121 is provided between the amplifier 110 and the signal branch point 105 in the first signal path 102, and no variable capacitance element is inserted.
  • Second impedance matching circuits 141, 142, and 143 are provided between the output ports 131, 132, and 133 of the relay switch 130 and the transmission signal input ports of the duplexers 151, 152, and 153, respectively.
  • the duplexers 151, 152, and 153 are duplexers corresponding to the frequency bands of UMTS band 1, band 2, and band 3, and the center frequencies of these transmission signals are 1950 MHz, 1880 MHz, and 1752 MHz, respectively.
  • the first impedance matching circuit 120 is designed so that the characteristic impedances of the output port of the amplifier 110 and the input port of the relay switch 130 are matched. That is, the low impedance of the output port of the amplifier 110 is increased to the impedance (standard 50 ⁇ ) of the input port of the relay switch 130.
  • the element value of the inductor 121 is 2 nH, and the capacitance value of the variable capacitance element 122 is changed every time the communication band to be used is switched.
  • the capacitance values of the variable capacitance element 122 are 3.3 pF, 3.6 pF, and 4.1 pF in each of band 1, band 2, and band 3 of UMTS.
  • the second impedance matching circuits 141, 142, 143 are designed such that the output ports 131, 132, 133 of the relay switch 130 are impedance matched to the characteristic impedance 50 ⁇ of the duplexers 151, 152, 153. For example, if the characteristic impedance of the output port 131 of the relay switch 130 is 30 ⁇ in the UMTS band 1 frequency band, the second impedance matching circuit 141 converts 30 ⁇ into 50 ⁇ . For example, if the characteristic impedance of the output port 133 of the relay switch 130 is 70 ⁇ in the frequency band of UMTS band 3, the second impedance matching circuit 143 converts 70 ⁇ to 50 ⁇ . For example, if the characteristic impedance of the output port 132 of the relay switch 130 is 50 ⁇ in the frequency band of UMTS band 2, the second impedance matching circuit 142 does not perform impedance conversion.
  • the second impedance matching circuits 141, 142, and 143 have adjustable reactance circuits. This adjustable reactance circuit compensates for variations in capacitance of the variable capacitance element 122.
  • the adjustable reactance circuit includes an inductor, and as the inductor, for example, an inductance of a wire used for wire bonding is used. That is, an inductor is constituted by a bonding wire. The inductance is adjusted by the length of the wire, that is, the bonding position.
  • the adjustable reactance circuit includes a capacitor and adjusts the capacitance by trimming with a laser beam.
  • the second impedance matching circuits 141, 142, and 143 match the impedance between the relay switch 130 and the duplexers 151, 152, and 153.
  • a harmonic suppression circuit is also configured. These harmonic suppression circuits suppress harmonics of frequencies corresponding to each frequency band.
  • a series circuit of an inductor and a variable capacitance element is connected to the shunt between the signal path and the ground, and the resonance frequency of the inductor and the variable capacitance element is a harmonic of the transmission signal output from the amplifier 110.
  • the capacitance of the variable capacitor is determined so as to match the frequency of (second harmonic or third harmonic). As a result, harmonics leak to the ground and are removed, and the distortion component of the transmission signal is reduced.
  • the harmonic frequency of the transmission signal also changes. Accordingly, the capacitance of the variable capacitance element is switched in accordance with the change so that the target harmonic is suppressed.
  • the circuit locations of the inductor 121 and the variable capacitance element 122 can be interchanged. That is, a variable capacitance element may be inserted between the amplifier 110 and the signal branch point 105, and an inductor may be inserted between the signal branch point 105 and the ground. However, in that case, the circuit constants of the second impedance matching circuits 141, 142, and 143 are slightly different.
  • an electrostatic drive type MEMS variable capacitance element may be used as the variable capacitance element 122
  • an electrostatic drive type MEMS switch may be used as the relay switch 130.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a post-stage side radio communication high-frequency circuit 200 according to the second embodiment of the present invention.
  • the port of the antenna 240 is connected to the output port of the second relay switch 230, and the plurality of input ports 231, 232, 233 of the second relay switch 230 connect the third impedance matching circuits 221, 222, 223.
  • the impedance of the second relay switch 230 viewed from the antenna 240 differs depending on which duplexer is connected to the contact point of the second relay switch 230.
  • the inductance is increased as the frequency band to be input / output is connected to a lower duplexer.
  • the third impedance matching circuits 221, 222, and 223 are connected to the base of the antenna 240 according to the communication frequency band, and change the antenna impedance viewed from the duplexers 151, 152, and 153. That is, when a short electric wire is used as an antenna, switching is performed so that the inductance of the third impedance matching circuit becomes higher as the frequency of the communication frequency band is lower.
  • the antenna impedance is appropriately changed for each communication frequency band, and the radiation efficiency of the antenna in each communication band is improved.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a radio communication high-frequency circuit 300 according to the third embodiment.
  • the radio communication high-frequency circuit 300 is a circuit from an amplifier to an antenna that amplifies a transmission signal.
  • the radio communication high-frequency circuit 300 includes five duplexers 151, 152, 153, 351, and 352. Among these duplexers, the duplexers 151, 152, and 153 correspond to the frequency bands of band 1, band 2, and band 3 of UMTS, respectively. Further, the duplexers 351 and 352 correspond to the UMTS band 5 and band 8 frequency bands, respectively.
  • the amplifier 110 amplifies the transmission signal with a predetermined gain over the frequency bands 1 to 3 of the UMTS.
  • the amplifier 310 power-amplifies the transmission signal with a predetermined gain over the frequency bands of bands 5 and 8 of the UMTS.
  • the antenna 380 corresponds to all the above frequency bands.
  • the impedance matching circuits 221, 222, and 223 of FIG. 3 are the same as those shown in the first embodiment and the second embodiment.
  • the radio communication high-frequency circuit 300 shares two frequency bands with the amplifiers 110 and 310, and the first impedance matching circuits 120 and 320 are provided for the amplifiers 110 and 310, respectively.
  • the second impedance matching circuits 141, 142, 143, 341, 342 are provided for each of the duplexers 151, 152, 153, 351, 352.
  • third impedance matching circuits 221, 222, 223, 361, 362 are also provided for the duplexers 151, 152, 153, 351, 352, respectively.
  • the relay switch 370 is provided to switch between the second impedance matching circuit, the duplexer, and the third impedance matching circuit according to the frequency band to be used among the frequency bands.
  • the radio communication high-frequency circuit 300 that uses a small number of amplifiers, shares an antenna, and uses an optimum duplexer for each frequency band and handles a plurality of frequency bands.
  • the second impedance matching circuits 141, 142, 143, 341, 342 are connected to the transmission signal input ports of the duplexers 151, 152, 153, 351, 352, and the third impedance matching circuits 221, 222, By connecting 223, 361, and 362, the characteristic impedances of the transmission signal input ports and the common ports of the duplexers 151, 152, 153, 351, and 352 are not necessarily matched to the standard 50 ⁇ . That is, even if the characteristic impedance of the duplexer is not 50 ⁇ , the second impedance matching circuit and the third impedance matching circuit can achieve impedance matching according to the characteristic impedance of the duplexer.
  • the duplexer can be constituted by an elastic wave filter.
  • the elastic wave filter becomes smaller as the characteristic impedance is designed to be higher, and the number of chips that can be taken from the wafer increases, so that the cost can be reduced. Therefore, if the characteristic impedance of the duplexers 151, 152, 153, 351, and 352 is designed to be the impedance (value higher than 50 ⁇ ) of the input / output port of the acoustic wave filter, the whole can be reduced in size / cost.
  • the transmission circuit is connected to the input ports of the amplifiers 110 and 310 of the radio communication high-frequency circuit 300, and the reception circuits are connected to the reception signal output ports of the duplexers 151, 152, 153, 351, and 352, respectively.
  • a wireless communication device is configured.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... High frequency circuit 102 for front side radio

Abstract

 広帯域アンプを複数の通信周波数帯域に兼用するとともに、複数の通信周波数帯域に対応するために複数のデュプレクサを用いた回路を構成した場合の問題を解消して送信効率を高めた無線通信用高周波回路を構成する。 アンプ(110)の出力ポートとリレースイッチ(130)との間に第1のインピーダンス整合回路(120)が設けられている。第1のインピーダンス整合回路(120)には、アンプ(110)の出力ポートから接地に向かって、図中に破線で示す第1の信号経路(102)が構成されている。第1の信号経路(102)にはインダクタ(121)と可変容量素子(122)が挿入されている。リレースイッチ(130)の出力ポート(131,132,133)とデュプレクサ(151,152,153)の送信信号入力ポートとの間には第2のインピーダンス整合回路(141,142,143)がそれぞれ設けられている。

Description

無線通信用高周波回路及び無線通信機
 本発明は、携帯電話端末等の無線通信用の高周波回路及び無線通信機に関するものである。
 近年の携帯電話端末は、複数の通信周波数帯域を利用できるようにしたものが一般的である。例えば特許文献1には、CDMA方式とTDMA方式とを共用する通信端末において両方式間のハンドオーバを可能とした通信端末が開示されている。
 図1は特許文献1に示されている通信端末のシステム構成図である。通信端末の主要な構成は、アンテナ共用器2、TDMAの変調器、復調器およびCDMAの変調器、復調器を備えた変復調部4、変復調部4内の変調器の出力を増幅してアンテナ共用器2に供給する電力増幅器3、変復調部4に接続された信号処理部5、アンテナ共用器2と変復調部4と電力増幅器3と信号処理部5を制御する制御部6からなる。アンテナ1で受信された信号はアンテナ共用器2を介して変復調部4内のTDMA復調部、CDMA復調部にそれぞれ供給され、変復調部4内のTDMA変調部、CDMA変調部の出力はいずれも電力増幅器3を介してアンテナ共用器2に供給される。
 前記電力増幅器3は、二つのアンプ31,33、スイッチ32,34を備えている。また、前記アンテナ共用器2には、フィルタ23,29によるデュプレクサを備えている。
 このように、同時送受信を行う携帯電話端末の送信部の回路構成は、「アンプ→デュプレクサ→アンテナ」である。ここで矢印→は送信信号の流れを示しており、この順番で部品を接続することを表している。
 一般的に、複数の通信周波数帯域の電波を一台の携帯電話が送受信する場合にアンプとデュプレクサは送受信する通信周波数帯域の数だけ必要であるが、アンテナは全ての通信周波数帯域で共用されるので、回路構成としては、「アンプ→デュプレクサ→リレースイッチ→アンテナ」となる。ここでリレースイッチは複数のデュプレクサのうちの一つを選択してアンテナに接続するために用いられる。
 最近、複数の通信周波数帯域の送信信号を増幅できる広帯域のアンプの開発が進んでおり、実用化されようとしている。この広帯域のアンプを用いれば、デュプレクサのみが通信周波数帯域の数だけ必要であり、アンプとアンテナは通信周波数帯域の数よりも少ない数(究極的には1個)で済むため、回路構成は、「アンプ→リレースイッチ→デュプレクサ→リレースイッチ→アンテナ」となる。ここで、アンプとデュプレクサとの間のリレースイッチは、複数のデュプレクサのうち一つを選択してアンプに接続するために用いられる。
 前記、アンプ、デュプレクサ、アンテナといった構成部品のすべては、それらの特性インピーダンスが標準の50Ωになるように設計される。これは高周波部品同士をインピーダンス整合した状態でそのまま接続できるようにするためのルールでもある。すなわち、これらの部品を接続すれば50Ωでインピーダンス整合して所定の回路として機能する。
特開2002-325049号公報
 しかし前述の広帯域のアンプを使用して、アンプ→リレースイッチ→デュプレクサという回路構成をとった場合、次に述べるようにアンプとデュプレクサとの間でインピーダンスマッチングを十分にとることができず、信号反射が発生して送信効率が悪化してしまう。
 すなわち、アンプの出力部はバイポーラトランジスタのエミッタかコレクタもしくは電界効果型トランジスタのソースかドレインである。いずれであっても電流出力線端がアンプの出力ポートになるため、アンプの出力インピーダンスは非常に低く、一般に10Ω以下である。前述のとおり、デュプレクサの入力インピーダンスは50Ωであるため、アンプの出力部に整合回路を形成して、アンプの出力部の特性インピーダンスを50Ωに変換する必要がある。
 しかし、複数の通信周波数帯域に亘る広い周波数範囲で、10Ω以下の低インピーダンスを50Ωにインピーダンス変換を行う整合回路を構成することは現実には困難である。そのため、結局は十分なインピーダンスマッチングがとられることなく、信号反射が発生して送信効率が悪化してしまう。
 また、部品同士を接続する配線の持つ寄生容量等の影響もあるため、厳密に50Ωで整合がとれないことが多く、ただ単に接続するだけでは良好なインピーダンス整合状態が得られない。そのため、インピーダンスの整合状態を微調整する目的で、インダクタやキャパシタが設けられることが多い。
 アンプの出力部に形成される整合回路の中に可変容量素子を入れて、通信周波数帯域の変更に応じてその可変容量素子の容量値を切り替えるという方式も考えられる。この方法によれば、通信周波数帯域ごとに整合状態を変更できるため、良好なインピーダンスマッチングをとることが可能になり、信号反射に起因する送信効率悪化を抑えることができる。
 この方式について、図2,図3,図4を用いて説明する。図2,図3,図4はいずれもアンプ510の出力部から接地に至る信号経路502が形成されていて、信号経路502の中に信号分岐点503が設けられている。信号分岐点503からリレースイッチ540に向かって、信号経路505が設けられている。アンプ510と信号分岐点503との間には、実効的に可変インダクタとして作用する可変インダクタンス部520が挿入されている。図2,図3,図4では、可変インダクタンス部520の構成がそれぞれ異なる。
 図2,図3,図4のいずれの例でも、信号分岐点503と接地との間には可変容量素子531が挿入されている。この可変インダクタンス部520と可変容量素子531とによる整合回路は、通信周波数帯域ごとに可変容量の値を調整することによって、アンプ510の出力部のインピーダンスを上昇させて、リレースイッチ540でのインピーダンスを50Ωにする。
 また、信号経路505と接地との間にはインダクタ532と可変容量素子533を直列接続した回路が挿入されているが、インダクタ532と可変容量素子533はアンプ510の出力する送信信号の高調波(2倍波または3倍波)の周波数で直列共振を起こして、そのときのインピーダンスが非常に小さくなるように定められる。この回路によって、高調波が接地にシャントさせることで除去して、送信信号の歪み成分が低減される。通信周波数帯域が変わると、送信信号の高調波周波数が変化するが、それに応じて可変容量素子509の容量値が切り替えられて、狙った高調波が抑圧される。
 図2,図3,図4に挙げた整合回路は、可変容量素子を使用しない整合回路と比較して、次の2つの大きな利点がある。第1の利点は、通信周波数帯域の変更に応じて可変容量素子の容量値を変化させて、使用している通信周波数帯域に応じて整合させるため、良好なインピーダンスマッチングがとれることである。第2の利点は、使用している通信周波数帯域の変更に応じて、抑圧する高調波の周波数を変更することができるため、より効果的に高調波抑圧ができることである。
 しかし、図2,図3,図4に挙げた整合回路には、次に述べる大きな欠点が存在する。
 図2の構成では、インダクタ521と可変容量素子522を直列接続することによって可変インダクタンス部520を構成している。このように、インダクタ521のインダクタンスを可変容量素子522の容量で実効的に減少させるように構成されているため、可変インダクタンス部520全体の実効インダクタンスよりもインダクタンスのかなり大きなインダクタ521を使用する必要がある。一般的にインダクタの内部抵抗(等価直列抵抗)はインダクタンスが大きなものほど大きくなる。そのため、図2の構成を採った場合には、可変インダクタンス部520の抵抗は、可変インダクタンス部520の実効インダクタンスの割には大きな値となる。よって、可変インダクタンス部520での損失が大きくなり、送信効率が劣化する。
 図3の構成では、インダクタ523と可変容量素子524とを並列接続することによって、可変インダクタンス部520を構成している。そのため、インダクタ523と可変容量素子524には互いに逆向きの電流が流れ、その差分が可変インダクタンス部520を通過する電流となる。したがって、可変インダクタンス部520を通過する電流と比較して、非常に大きな電流がインダクタ523及び可変容量素子524を流れることになり、結果的にインダクタ523及び可変容量素子524の内部抵抗による大きな損失が発生する。したがって、図3の構成であっても可変インダクタンス部520での損失が大きくなり、送信効率が劣化する。
 図4の構成では、可変インダクタンス部520は、可変容量素子をスイッチのように使用して、インダクタを切り替える。可変容量の値を大きくすることで「ONに近い状態」を作り、可変容量の値を小さくすることで「OFFに近い状態」を作る。可変容量素子の容量を無限大にできれば完全なONにできるし、可変容量素子の容量をゼロにできれば完全なOFFにできるが、実際には限られた容量しか得られないので、完全なONやOFFは不可能である。
 「ONに近い状態」のときの容量が有限であることから、図2の構成と同様の問題が発生する。すなわち、可変インダクタンス部520の実効的なインダクタンスよりも大きなインダクタンスを有するインダクタを使用する必要があり、そのためインダクタの内部抵抗が大きくなって、可変インダクタンス部520での損失が大きくなり、送信効率が劣化する。
 また「OFFに近い状態」のときの容量がゼロにならないことから、図3の構成と同様の問題が発生する。すなわち、OFFになっているはずの経路に逆向きの電流が流れるため、可変インダクタンス部520の内部電流が増加して、可変インダクタンス部520での損失が大きくなり、送信効率が劣化する。
 以上述べたとおり、可変インダクタンス部520を設ける図2,図3,図4の構成では、可変インダクタンス部520で大きな損失が発生して、送信効率が劣化する。また、図2,図3,図4のいずれの構成においても、可変インダクタンス部520はインダクタとキャパシタの共振系を構成しているため、インピーダンスの周波数依存性が大きい。そのため、同一通信帯域内においても、帯域全体にわたって良好なインピーダンスマッチングを維持することが困難であり、信号反射による送信効率悪化も結果的にそれほど小さくできない。
 この他に、図5に示すように、リレースイッチ540を用いて、通信帯域毎にインピーダンス整合回路561,562,563を切り替える構成も考えられる。しかし、この構成にも大きな問題がある。アンプ510の出力部は低インピーダンス(電流伝送系)であるため、図5のようにアンプ510の出力部をリレースイッチ540に直接接続すると、リレースイッチ540に大きな電流が流れる。図2,図3,図4では、整合回路によって高インピーダンス系に変換してから、換言すれば電圧伝送系に変換してから、リレースイッチに接続しているため、リレースイッチ540に流れる電流量は相対的に小さい。それに対して、図5の構成ではリレースイッチ540に大きな電流が流れる。リレースイッチ540は接点抵抗を持っているため、大きな電流が流れると大きな損失が発生する。したがって、図5の構成ではリレースイッチ540の接点抵抗での損失が大きくなり、結局、高い送信効率が得られない。
 一方、前述のとおり、広帯域のアンプを用いれば、デュプレクサのみが通信周波数帯域の数だけ必要であり、アンテナは複数の通信周波数帯域での通信に兼用される。そして、どの通信周波数帯域においても、特性インピーダンスが50Ωになるよう設計される。しかしながら実際には、通信周波数帯域毎に特性インピーダンスを変更することができれば、アンテナの放射効率をもっと向上させることが可能である。
 アンテナには様々な方式があるが、最も基本的な方式は波長の1/4の長さを持つ電線(ポール)である。携帯電話の中に入れる場合には、1/4波長の長さを確保することができないため、それより実効的に短い電線を使用する。そして、長さが足りない分、電線の根元部分にインダクタを付加する。同じ電線を、複数の通信周波数帯域で兼用する場合には、根元に付加するインダクタのインダクタンスを、通信周波数帯域毎に変更できれば望ましい。これは、周波数が高ければ波長が短くなるため、電線の長さの不足分が実効的に小さくなることに加えて、同じインダクタンスであっても周波数が高いときの方が大きなインピーダンスとして作用するからである。
 したがって、短い電線をアンテナとして使用する場合には、通信周波数帯域ごとに、接続先の特性インピーダンスを変更して、周波数が低いときほどインダクタンスが高くなるように設定することができれば、アンテナの放射効率をさらに高めることができる。
 本発明の目的は、広帯域アンプを複数の通信周波数帯域に兼用するとともに、複数の通信周波数帯域に対応するために複数のデュプレクサを用いた回路を構成した場合の問題を解消して送信効率を高めた無線通信用高周波回路を提供することにある。
(1)この発明の無線通信用高周波回路は、複数の通信周波数帯域の送信信号を出力するアンプと、共用の(1つの)入力ポート及び個別の(複数の)出力ポートを有する第1のリレースイッチと、前記アンプの出力ポートと前記リレースイッチの入力ポートの間に設けられた第1のインピーダンス整合回路と、送信信号入力ポート、受信信号出力ポート及び入出力共用ポートを有する、互いに異なる通信周波数帯域用の複数のデュプレクサと、前記第1のリレースイッチと前記デュプレクサの送信信号入力ポートとの間にそれぞれ接続された第2のインピーダンス整合回路と、を備える。
 前記の構成により、アンプとデュプレクサ間のインピーダンス整合が良好となり、且つ損失が低減することによって送信効率が向上する。
(2)前記第1のインピーダンス整合回路は、例えば、前記アンプの出力ポートと接地とを結ぶ第1の信号経路と、前記第1の信号経路の途中である分岐点から前記第1のリレースイッチの入力ポートにつながる第2の信号経路とを備えていて、前記第1の信号経路のうち前記アンプと前記分岐点との間に第1のリアクタンス素子(インダクタまたはキャパシタ)が挿入され、前記分岐点と接地との間に前記第1のリアクタンス素子とは逆極性の第2のリアクタンス素子(キャパシタまたはインダクタ)が挿入されている。ここで「逆極性のリアクタンス素子」というのは、インピーダンス虚部の符号が逆のリアクタンス素子を示す。キャパシタに対する逆極性のリアクタンス素子はインダクタであり、インダクタに対する逆極性のリアクタンス素子はキャパシタである。
(3)例えば、前記第2のリアクタンス素子は可変容量素子であって、且つ前記第1の信号経路中の前記アンプと前記信号分岐点との間には可変容量素子が挿入されていない、又は、前記第1のリアクタンス素子が可変容量素子であって、且つ前記第1の信号経路中の、前記信号分岐点と前記接地との間には可変容量素子が挿入されていない。
 この構成により、通信周波数帯域毎に前記可変容量素子の容量値を変化させることができ、通信周波数毎に、より高いインピーダンスに変換できる。また、前記第1の信号経路中の前記アンプと前記信号分岐点との間には可変容量素子が挿入されていないことにより、前述の挿入損失増大という不都合や、内部電流増加による損失増大、及びインダクタと可変容量が共振系を形成してインピーダンスの周波数特性が急峻になり、信号反射が発生するといった各種不具合を回避できる。
(4)例えば、前記可変容量素子は静電駆動型のMEMS可変容量素子であり、前記第1のリレースイッチは静電駆動型のMEMSスイッチであり、前記MEMS可変容量素子及び前記第1のリレースイッチを駆動する共用の駆動ICを備える。
 静電駆動型のMEMS可変容量素子や、静電駆動型のMEMSスイッチを駆動させるためには、高電圧が必要なため、高電圧を発生してこれらの素子を駆動する駆動ICが別途必要になることが多い。静電駆動型のMEMS可変容量素子や、静電駆動型のMEMSスイッチを使用したときには、一つの駆動ICを共用することによってコストやサイズを削減できる。
(5)例えば、前記第2のインピーダンス整合回路は調整可能なリアクタンス回路を備えていて、前記可変容量素子のキャパシタンスのばらつきを前記調整可能なリアクタンス回路によって補償できるようにする。
 この構成により、ある程度のバラツキを許容した可変容量素子を用いることができ、実用化を容易にする上、可変容量素子の製造歩留まりを実質的に上げることになるため、コスト的に有利となる。
(6)前記調整可能なリアクタンス回路は、例えば、ワイヤボンディングによって形成されるワイヤのインダクタンスを利用した回路である。
(7)前記調整可能なリアクタンス回路は、例えば、レーザー光によってキャパシタンスの調整が可能なキャパシタである。
(8)また、この発明の無線通信用高周波回路は、送信信号入力ポート、受信信号出力ポート及び入出力共用ポートを有する、互いに異なる通信周波数帯域用の複数のデュプレクサと、アンテナに接続される共用の(1つの)出力ポート及び個別の(複数の)入力ポートを有する第2のリレースイッチと、前記複数のデュプレクサの入出力共用ポートと前記第2のリレースイッチとの間に設けられた第3のインピーダンス整合回路と、を備える。
 この構成により、アンテナから第2のリレースイッチ側を見たインピーダンスが、第2のリレースイッチの接点がどのデュプレクサに通じる経路に接続されているかによって異なるように設計されていて、(すなわちアンテナインピーダンスを通信周波数帯域毎に適切に変更され、)そのことによって、各通信帯域におけるアンテナの放射効率が向上する。
(9)例えば、前記アンテナから前記第2のリレースイッチ側を見たときのインピーダンスは、前記第2のリレースイッチの接点が接続されるデュプレクサの通信周波数帯域が低いほど誘導性に定められている。
 特に、1/4波長電線を小型化したものを原型とするアンテナの場合には、前記アンテナから前記第2のリレースイッチ側を見たときのインピーダンスが、前記第2のリレースイッチの接点が通信帯域周波数の低いデュプレクサに接続されているときほど、誘導性になっているようにすることで所望の効果が得られる。
(10)また、この発明の無線通信用高周波回路は、複数の通信周波数帯域の送信信号を出力するアンプと、共用の(1つの)入力ポート及び個別の(複数の)出力ポートを有する第1のリレースイッチと、前記アンプの出力ポートと前記リレースイッチの入力ポートの間に設けられた第1のインピーダンス整合回路と、互いに異なる通信周波数帯域用の複数のデュプレクサと、前記第1のリレースイッチと前記デュプレクサとの間にそれぞれ接続された第2のインピーダンス整合回路と、アンテナに接続される共用の(1つの)出力ポート及び個別の(複数の)入力ポートを有する第2のリレースイッチと、前記複数のデュプレクサと前記第2のリレースイッチとの間に設けられた第3のインピーダンス整合回路と、を備える。
 この構成により、(1)と(8)で述べた双方の効果を奏する。しかも、デュプレクサの両側に個別の整合回路を形成できるため、デュプレクサそのものの特性インピーダンスを50Ωに設計する必要はなくなる。
(11)例えば、前記アンテナから前記第2のリレースイッチ側を見たときのインピーダンスは、前記第2のリレースイッチの接点が接続されるデュプレクサの通信周波数帯域が低いほど誘導性に定められている。
(12)例えば、前記複数のデュプレクサのうちの少なくとも一つのデュプレクサのポートの特性インピーダンスは50Ωよりも高く設計されている。
 弾性波フィルタによって構成されたデュプレクサは、一般的に、特性インピーダンスを高く設計するほど小型になり、低コスト化する(ウエハからのチップ取れ個数が上がる)ため、この構成においては、デュプレクサの特性インピーダンスを50Ωよりも高く設計すれば、全体を小型/低コスト化できる。
(13)例えば、前記第1のリレースイッチ及び前記第2のリレースイッチは静電駆動型のMEMSスイッチであり、前記第1のリレースイッチ及び前記第2のリレースイッチを駆動する共用の駆動ICを備える。
(14)この発明の無線通信機は、前記のいずれかの構成の無線通信用高周波回路を備え、前記アンプへ送信信号を供給する送信回路、及び前記デュプレクサから出力される受信信号を入力する受信回路を備える。
 この発明によれば、アンプとデュプレクサ間のインピーダンス整合が良好となり、且つ損失が低減することによって送信効率が向上する。
 また、アンテナから第2のリレースイッチを見たときのインピーダンスが、第2のリレースイッチの接点がどのデュプレクサに通じる経路に接続されているかによって異なるように設計されていて、(すなわちアンテナインピーダンスを通信周波数帯域毎に適切に変更され、)そのことによって、各通信帯域におけるアンテナの放射効率が向上する。
特許文献1に示されている通信端末のシステム構成図である。 アンプ→リレースイッチ→デュプレクサの構成において、従来技術に基づいてアンプとリレースイッチとの間にインピーダンス整合回路を設けた例を示す図である。 アンプ→リレースイッチ→デュプレクサの構成において、従来技術に基づいてアンプとリレースイッチとの間にインピーダンス整合回路を設けた例を示す図である。 アンプ→リレースイッチ→デュプレクサの構成において、従来技術に基づいてアンプとリレースイッチとの間にインピーダンス整合回路を設けた例を示す図である。 アンプ→リレースイッチ→デュプレクサの構成において、従来技術に基づいてリレースイッチとデュプレクサとの間にインピーダンス整合回路を設けた例を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る前段側無線通信用高周波回路100の構成を示す図である。 本発明の第2の実施形態に係る後段側無線通信用高周波回路200の構成を示す図である。 第3の実施形態に係る無線通信用高周波回路300の構成を示す図である。
《第1の実施形態》
 図6は、本発明の第1の実施形態に係る前段側無線通信用高周波回路100の構成を示す図である。アンプ110の出力ポートとリレースイッチ130との間に第1のインピーダンス整合回路120が設けられている。第1のインピーダンス整合回路120には、アンプ110の出力ポートから接地(グランド)に向かって、図中に破線で示す第1の信号経路102が構成されている。第1の信号経路102にはインダクタ121と可変容量素子122が挿入されている。第1の信号経路102の途中の点である信号分岐点105とリレースイッチ130との間には第2の信号経路106が設けられている。
 第1のインピーダンス整合回路120は、第1の信号経路102中の、アンプ110と信号分岐点105との間には、インダクタ121を設けているのみであり、可変容量素子は挿入されていない。このことにより、可変インダクタを構成する場合のように、挿入損失増大の不都合や、内部電流増加による損失増大、及びインダクタと可変容量が共振系を形成してインピーダンスの周波数特性が急峻になり信号反射が発生する、といった各種不具合を回避できる。
 リレースイッチ130の出力ポート131,132,133とデュプレクサ151,152,153の送信信号入力ポートとの間には第2のインピーダンス整合回路141,142,143がそれぞれ設けられている。
 前記デュプレクサ151,152,153はそれぞれUMTSのバンド1,バンド2,バンド3の周波数帯域に対応するデュプレクサであり、それらの送信信号の中心周波数は、それぞれ1950MHz,1880MHz,1752MHzである。
 第1のインピーダンス整合回路120は、アンプ110の出力ポートとリレースイッチ130の入力ポートの特性インピーダンスが整合するように設計されている。すなわちアンプ110の出力ポートの低インピーダンスをリレースイッチ130の入力ポートのインピーダンス(標準の50Ω)に高める。
 インダクタ121の素子値は2nHであり、可変容量素子122は使用する通信バンドが切り替わる毎にその容量値が変更される。具体的には、UMTSのバンド1,バンド2,バンド3のそれぞれにおいて、可変容量素子122の容量値は3.3pF,3.6pF,4.1pFとする。
 第2のインピーダンス整合回路141,142,143は、リレースイッチ130の出力ポート131,132,133が、デュプレクサ151,152,153の特性インピーダンス50Ωにインピーダンス整合するように設計されている。例えば、UMTSのバンド1の周波数帯でリレースイッチ130の出力ポート131の特性インピーダンスが30Ωであれば、第2のインピーダンス整合回路141は30Ωを50Ωに変換する。また、例えば、UMTSのバンド3の周波数帯でリレースイッチ130の出力ポート133の特性インピーダンスが70Ωであれば、第2のインピーダンス整合回路143は70Ωを50Ωに変換する。そして、例えば、UMTSのバンド2の周波数帯でリレースイッチ130の出力ポート132の特性インピーダンスが50Ωであれば、第2のインピーダンス整合回路142は特にインピーダンス変換は行わない。
 第2のインピーダンス整合回路141,142,143は調整可能なリアクタンス回路を備えている。この調整可能なリアクタンス回路は、前記可変容量素子122のキャパシタンスのばらつきを補償する。
 前記調整可能なリアクタンス回路はインダクタを含み、このインダクタとしては、例えばワイヤボンディングに用いられるワイヤのインダクタンスを利用する。すなわち、ボンディングワイヤによってインダクタを構成する。そのインダクタンスはワイヤの長さ、すなわちボンディング位置によって調整する。
 また、前記調整可能なリアクタンス回路はキャパシタを含み、レーザー光によるトリミングによってキャパシタンスの調整を行う。
 このようにして、第2のインピーダンス整合回路141,142,143は、リレースイッチ130とデュプレクサ151,152,153との間のインピーダンスを整合させる。
 以上の構成によって、アンプ110とデュプレクサ151,152,153との間でインピーダンスが整合して、信号反射が抑制され送信効率が最大になる。また、第2のインピーダンス整合回路141,142,143の中には、高調波抑圧回路も構成されている。これらの高調波抑圧回路は各周波数帯域に応じた周波数の高調波を抑圧する。
 例えば、信号経路と接地との間に、インダクタと可変容量素子との直列回路がシャントに接続されていて、そのインダクタと可変容量素子の共振周波数が、アンプ110から出力される送信信号の高調波(2倍波もしくは3倍波)の周波数に一致するように、可変容量のキャパシタンスが定められる。これにより高調波が接地にリークして除去され、送信信号の歪み成分が低減される。通信周波数帯域が変わると、送信信号の高調波周波数も変化するので、それに応じて前記可変容量素子のキャパシタンスを切り替えて、狙った高調波を抑圧するように調整する。
 前記インダクタ121と前記可変容量素子122の回路上の場所は互いに入れ替えることができる。すなわち、アンプ110と信号分岐点105との間に可変容量素子を挿入し、信号分岐点105と接地との間にインダクタを挿入してもよい。但し、その場合には、第2のインピーダンス整合回路141,142,143の回路定数は若干異なる。
 この場合も、信号分岐点105と接地との間にインダクタを設けるのみであり、可変容量素子は挿入しない。そのことにより、可変インダクタを構成する場合のように、挿入損失増大の不都合や、内部電流増加による損失増大、及びインダクタと可変容量が共振系を形成してインピーダンスの周波数特性が急峻になり信号反射が発生する、といった各種不具合を回避できる。
 また、ここで可変容量素子122として静電駆動型MEMS可変容量素子を用いてもよいし、リレースイッチ130として静電駆動型MEMSスイッチを用いてもよい。
 可変容量素子122として静電駆動型MEMS可変容量素子を用い、リレースイッチ130として静電駆動型MEMSスイッチを用いて、両者を一つの駆動ICで駆動する構成としてもよい。そのことによって駆動ICが共用されてコストやサイズを削減できる。
《第2の実施形態》
 図7は、本発明の第2の実施形態に係る後段側無線通信用高周波回路200の構成を示す図である。アンテナ240のポートが第2のリレースイッチ230の出力ポートに接続されていて、第2のリレースイッチ230の複数の入力ポート231,232,233が、第3のインピーダンス整合回路221,222,223を介して、デュプレクサ151,152,153の入出力共用ポートにそれぞれ接続されている。アンテナ240から第2のリレースイッチ230側を見たインピーダンスは、第2のリレースイッチ230の接点がどのデュプレクサに通じるポートに接続されているかによって異なる。入出力される周波数帯域が低いデュプレクサに接続されるほど、インダクタンスが大きくなっている。
 第3のインピーダンス整合回路221,222,223は、通信周波数帯域に応じてアンテナ240の根元に接続されて、デュプレクサ151,152,153から見たアンテナインピーダンスを変更する。すなわち、短い電線をアンテナとして使用する場合に、通信周波数帯域の周波数が低いときほど、第3のインピーダンス整合回路のインダクタンスが高くなるように切り替える。
 このことにより、アンテナインピーダンスが通信周波数帯域毎に適切に変更されることになり、各通信帯域におけるアンテナの放射効率が向上する。
《第3の実施形態》
 図8は第3の実施形態に係る無線通信用高周波回路300の構成を示す図である。この無線通信用高周波回路300は送信信号を電力増幅するアンプからアンテナまでの回路である。無線通信用高周波回路300は5つのデュプレクサ151,152,153,351,352を備えている。これらのデュプレクサのうちデュプレクサ151,152,153は、UMTSのバンド1,バンド2,バンド3の周波数帯域にそれぞれ対応している。また、デュプレクサ351,352はUMTSのバンド5,バンド8の周波数帯域にそれぞれ対応している。
 アンプ110は前記UMTSのバンド1~バンド3の周波数帯域に亘って所定の利得で送信信号を電力増幅する。また、アンプ310は前記UMTSのバンド5,バンド8の周波数帯域亘って所定の利得で送信信号を電力増幅する。
 アンテナ380は前記の全ての周波数帯域に対応する。
 図8に表れている回路のうち、アンプ110、第1のインピーダンス整合回路120、第1位のリレースイッチ130、第2のインピーダンス整合回路141,142,143、デュプレクサ151,512,153、及び第3のインピーダンス整合回路221,222,223の構成は、第1の実施形態及び第2の実施形態で示したものと同様である。
 無線通信用高周波回路300は、アンプ110,310で二つの周波数帯を分担し、これらアンプ110,310毎に第1のインピーダンス整合回路120,320が設けられている。第2のインピーダンス整合回路141,142,143,341,342はデュプレクサ151,152,153,351,352毎に設けられている。さらに第3のインピーダンス整合回路221,222,223,361,362もデュプレクサ151,152,153,351,352毎に設けられている。
 リレースイッチ370は前記の各周波数帯域のうち用いる周波数帯域に応じて、第2のインピーダンス整合回路、デュプレクサ、及び第3のインピーダンス整合回路を切り替えるために設けられている。
 このようにして、数の少ないアンプを用い、またアンテナを共用し、且つ周波数帯域毎に最適なデュプレクサを用いて、複数の周波数帯域を扱う無線通信用高周波回路300が構成できる。
 また、デュプレクサ151,152,153,351,352の送信信号入力ポートに第2のインピーダンス整合回路141,142,143,341,342を接続し、共通ポートに第3のインピーダンス整合回路221,222,223,361,362を接続したことにより、デュプレクサ151,152,153,351,352の送信信号入力ポート及び共通ポートの特性インピーダンスは必ずしも標準の50Ωに合わせる必要はない。すなわち、デュプレクサの特性インピーダンスが50Ωでなくても、第2のインピーダンス整合回路及び第3のインピーダンス整合回路はデュプレクサの特性インピーダンスに応じてインピーダンス整合をとることができる。
 前記デュプレクサは弾性波フィルタによって構成できる。弾性波フィルタは、一般的に、特性インピーダンスを高く設計するほど小型になり、ウエハからのチップ取れ個数が増大するため低コスト化できる。したがって、デュプレクサ151,152,153,351,352の特性インピーダンスを弾性波フィルタの入出力ポートのインピーダンス(50Ωよりも高く値)に設計すれば、全体を小型/低コスト化できる。
 無線通信用高周波回路300のアンプ110,310の入力ポートには送信回路が接続され、デュプレクサ151,152,153,351,352の受信信号出力ポートに受信回路がそれぞれ接続される。そのことによって、無線通信機が構成される。
100…前段側無線通信用高周波回路
102…信号経路
105…信号分岐点
106…信号経路
110,310…アンプ
120,320…第1のインピーダンス整合回路
121…インダクタ
122…可変容量素子
130…リレースイッチ
131,132,133…出力ポート
141,142,143,341,342…第2のインピーダンス整合回路
151,152,153,351,352…デュプレクサ
200…後段側無線通信用高周波回路
221,222,223,361,362…第3のインピーダンス整合回路
230…リレースイッチ
231,232,233…入力ポート
240…アンテナ
300…無線通信用高周波回路
370…リレースイッチ
380…アンテナ

Claims (14)

  1.  複数の通信周波数帯域の送信信号を出力するアンプと、
     共用の入力ポート及び個別の出力ポートを有する第1のリレースイッチと、
     前記アンプの出力ポートと前記リレースイッチの入力ポートとの間に設けられた第1のインピーダンス整合回路と、
     送信信号入力ポート、受信信号出力ポート及び入出力共用ポートを有する、互いに異なる通信周波数帯域用の複数のデュプレクサと、
     前記第1のリレースイッチと前記デュプレクサの送信信号入力ポートとの間にそれぞれ接続された第2のインピーダンス整合回路と、
     を備えた無線通信用高周波回路。
  2.  前記第1のインピーダンス整合回路は、前記アンプの出力ポートと接地とを結ぶ第1の信号経路と、前記第1の信号経路の途中である分岐点から前記第1のリレースイッチの入力ポートにつながる第2の信号経路とを備えていて、
     前記第1の信号経路のうち前記アンプと前記分岐点との間に第1のリアクタンス素子が挿入され、前記分岐点と接地との間に前記第1のリアクタンス素子とは逆極性の第2のリアクタンス素子が挿入されている、請求項1に記載の無線通信用高周波回路。
  3.  前記第2のリアクタンス素子は可変容量素子であって、且つ前記第1の信号経路の中の前記アンプと前記信号分岐点との間には可変容量素子が挿入されていない、
    又は、
     前記第1のリアクタンス素子は可変容量素子であって、且つ前記第1の信号経路中の、前記信号分岐点と前記接地との間には可変容量素子が挿入されていない、
    請求項2に記載の無線通信用高周波回路。
  4.  前記可変容量素子は静電駆動型のMEMS可変容量素子であり、前記第1のリレースイッチは静電駆動型のMEMSスイッチであり、前記MEMS可変容量素子及び前記第1のリレースイッチを駆動する共用の駆動ICを備えた、請求項3に記載の無線通信機用回路構成。
  5.  前記第2のインピーダンス整合回路は調整可能なリアクタンス回路を備えていて、前記可変容量素子のキャパシタンスのばらつきを前記調整可能なリアクタンス回路によって補償できるようにした、請求項3に記載の無線通信用高周波回路。
  6.  前記調整可能なリアクタンス回路は、ワイヤボンディングによって形成されるワイヤのインダクタンスを利用した回路である、請求項5に記載の無線通信用高周波回路。
  7.  前記調整可能なリアクタンス回路は、レーザー光によってキャパシタンスの調整が可能なキャパシタである、請求項5に記載の無線通信用高周波回路。
  8.  送信信号入力ポート、受信信号出力ポート及び入出力共用ポートを有する、互いに異なる通信周波数帯域用の複数のデュプレクサと、
     アンテナに接続される共用の出力ポート及び個別の入力ポートを有する第2のリレースイッチと、
     前記複数のデュプレクサの入出力共用ポートと前記第2のリレースイッチとの間に設けられた第3のインピーダンス整合回路と、
     を備えた無線通信用高周波回路。
  9.  前記アンテナから前記第2のリレースイッチ側を見たときのインピーダンスは、前記第2のリレースイッチの接点が接続されるデュプレクサの通信周波数帯域が低いほど誘導性に定められている、請求項8に記載の無線通信用高周波回路。
  10.  複数の通信周波数帯域の送信信号を出力するアンプと、
     共用の入力ポート及び個別の出力ポートを有する第1のリレースイッチと、
     前記アンプの出力ポートと前記リレースイッチの入力ポートの間に設けられた第1のインピーダンス整合回路と、
     互いに異なる通信周波数帯域用の複数のデュプレクサと、
     前記第1のリレースイッチと前記デュプレクサとの間にそれぞれ接続された第2のインピーダンス整合回路と、
     アンテナに接続される共用の出力ポート及び個別の入力ポートを有する第2のリレースイッチと、
     前記複数のデュプレクサと前記第2のリレースイッチとの間に設けられた第3のインピーダンス整合回路と、
     を備えた無線通信用高周波回路。
  11.  前記アンテナから前記第2のリレースイッチ側を見たときのインピーダンスは、前記第2のリレースイッチの接点が接続されるデュプレクサの通信周波数帯域が低いほど誘導性に定められている、請求項10に記載の無線通信用高周波回路。
  12.  前記複数のデュプレクサのうちの少なくとも一つのデュプレクサのポートの特性インピーダンスは50Ωよりも高く設計されている、請求項10又は11に記載の無線通信用高周波回路。
  13.  前記第1のリレースイッチ及び前記第2のリレースイッチは静電駆動型のMEMSスイッチであり、前記第1のリレースイッチ及び前記第2のリレースイッチを駆動する共用の駆動ICを備えた、請求項10~12のいずれかに記載の無線通信用高周波回路。
  14.  請求項1~13のいずれかに記載の無線通信用高周波回路を備え、前記アンプへ送信信号を供給する送信回路、及び前記デュプレクサから出力される受信信号を入力する受信回路を備えた無線通信機。
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