WO2011108020A1 - 有機el装置およびその製造方法 - Google Patents

有機el装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011108020A1
WO2011108020A1 PCT/JP2010/001361 JP2010001361W WO2011108020A1 WO 2011108020 A1 WO2011108020 A1 WO 2011108020A1 JP 2010001361 W JP2010001361 W JP 2010001361W WO 2011108020 A1 WO2011108020 A1 WO 2011108020A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
substrate
layer
active layer
elements
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/001361
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
湯淺寛
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to KR1020107024417A priority Critical patent/KR101663840B1/ko
Priority to CN201080001932.8A priority patent/CN102326448B/zh
Priority to JP2010543246A priority patent/JP5576296B2/ja
Priority to PCT/JP2010/001361 priority patent/WO2011108020A1/ja
Priority to US13/043,872 priority patent/US8604490B2/en
Publication of WO2011108020A1 publication Critical patent/WO2011108020A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL device provided with a plurality of organic EL elements and a method of manufacturing the same, and more particularly to a technique for suppressing the temporal deterioration of the organic EL elements.
  • organic EL device in which an organic EL element is disposed on a substrate as a display device has been researched and developed.
  • the organic EL device has high visibility because it utilizes an organic EL element that emits light by itself, and further has characteristics such as superior impact resistance because it is a completely solid element. Due to these characteristics, recently, organic EL devices are being widely used as displays of small electronic devices such as mobile phones and televisions.
  • the organic EL element is a current-driven light emitting element, and has a configuration in which a light emitting layer is provided between an electrode pair of an anode and a cathode.
  • the light emitting layer is usually formed by laminating a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer and the like in addition to an organic light emitting layer which performs an electroluminescence phenomenon by carrier recombination.
  • each layer constituting the light emitting layer is often formed of a material that is weak to moisture and oxygen, and there is a possibility that these layers may be degraded by contact with moisture or oxygen that has entered the apparatus, which is the cause. As a result, generation of a non-light emitting portion (dark spot) in the display area or reduction in luminance may be caused.
  • techniques have been devised to protect the light emitting layer from moisture and oxygen present in the external environment of the device (for example, Patent Documents 1 and 2).
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of an essential part of an organic EL device according to Patent Document 2.
  • a display unit 31 in which a plurality of organic EL elements are arranged in a matrix is provided on a support substrate 32 (hereinafter, the display unit 31 and the support substrate 32 are combined and described as an array substrate 33).
  • the sealing member 34 is disposed opposite to the array substrate 33, and the gap between the array substrate 33 and the sealing member 34 is sealed by the sealing material 35 to shield the display unit 31 from the external environment of the apparatus. doing.
  • a desiccant 36 for adsorbing water or oxygen which has invaded from the external environment of the apparatus is disposed in the recess 37 on the inner surface side of the sealing member.
  • the inert gas dried in the sealing space formed by the two substrates and the sealing material in order to suppress the entry of moisture and oxygen into the inside of the apparatus.
  • the method of filling is taken.
  • the step of bonding the substrates together with the sealing material is performed in a dry inert gas atmosphere.
  • a strong desiccant having high hygroscopicity or oxidation resistance that is, a desiccant having high reactivity
  • drying is performed.
  • a trace of water and oxygen contained in the inert gas may cause a reaction with the desiccant.
  • the function as a desiccant may be reduced when using the apparatus to start drying. Therefore, in the configuration described in Patent Document 2, it is necessary to compensate for the function as a desiccant by using a weak desiccant and increasing the amount accordingly. Therefore, since the thickness of the desiccant itself increases as the amount of the desiccant increases, there arises a problem that it is difficult to make the organic EL device thinner.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL device which can be made thinner than the conventional one and a method of manufacturing the same.
  • An organic EL device includes a first substrate, a plurality of organic EL elements provided on the first substrate, and a first inorganic layer covering the plurality of organic EL elements.
  • An active layer provided in a region on the first substrate not provided with the material and having at least one of a hygroscopic property and an oxidizable property, and a second inorganic layer covering the active layer;
  • the plurality of organic EL elements are provided in the gap between the first substrate and the second substrate, and the second substrate oppositely disposed with the first substrate and the plurality of organic EL elements interposed therebetween.
  • a sealing material surrounding the active layer, and the active layer is formed of the first substrate, the second substrate, and the sealing material through a through hole provided in the second inorganic layer. It was set as the structure exposed to the sealing space.
  • the gap between the first substrate and the second substrate is sealed.
  • the step of exposing the active layer to the sealing space formed by the first substrate and the second substrate and the sealing material by providing the through hole in the second inorganic layer can be employed.
  • the active layer can be prevented from contacting with moisture or oxygen.
  • a desiccant with high hygroscopicity or oxidation resistance can be used as the active layer, and even if the amount of desiccant is reduced accordingly, it is possible to maintain the function as a desiccant until the device is used is there. Therefore, the desiccant itself can be made thinner as the amount of desiccant is reduced, and as a result, a thin organic EL device can be provided.
  • FIG. 1 is a front view showing a configuration of an organic EL device according to Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a configuration of an organic EL device according to Embodiment 1.
  • FIG. 7 is a view showing an example of a manufacturing process of the organic EL device according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a configuration of an organic EL device according to Embodiment 2.
  • FIG. 7 is a view showing an example of a manufacturing process of the organic EL device according to Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a configuration of an organic EL device according to Embodiment 3.
  • FIG. 6 is an external perspective view showing an appearance of the display device 5; It is sectional drawing of the conventional organic EL apparatus.
  • a plurality of organic EL elements includes a first substrate, a plurality of organic EL elements provided on the first substrate, and a first inorganic substance covering the plurality of organic EL elements.
  • a layer, an active layer provided in a region on the first substrate where the plurality of organic EL elements are not provided, and made of a material having at least one of hygroscopicity and oxidizability, and the active layer Provided in a gap between a second inorganic layer, a second substrate disposed opposite to the first substrate and the plurality of organic EL elements, a gap between the first substrate and the second substrate, And a seal material surrounding the plurality of organic EL elements and the active layer, and the active layer is the first substrate, the second substrate, and a through hole provided in the second inorganic layer. Exposure to the sealed space formed by the seal material It has a configuration that is.
  • the step of bonding the gap between the first substrate and the second substrate with the sealing material for example, after the step of forming the second inorganic layer so as to cover the active layer, the step of bonding the gap between the first substrate and the second substrate with the sealing material. Subsequently, by providing a through hole in the second inorganic layer, a flow manufacturing process is adopted in which the active layer is exposed to the sealing space formed by the first substrate, the second substrate, and the sealing material. it can.
  • a desiccant having high hygroscopicity or oxidation resistance can be used as the active layer, and even if the amount of the desiccant is reduced accordingly, the function as the desiccant is maintained until the device is used. Is possible. Therefore, a thin organic EL device can be provided.
  • the through hole may be a crack.
  • the plurality of organic EL elements are arranged in a matrix on the first substrate, and the active layer is provided so as to surround the plurality of organic EL elements. It is also possible to
  • the efficiency of the path leading to the display region where the organic EL element is formed is the moisture or oxygen invaded from the external environment Can be adsorbed.
  • the active layer is an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal oxide, an alkaline earth metal oxide, an alkali metal fluoride, an alkaline earth metal fluoride, or any of these. It may be made of any of charge transporting organic substances including
  • the active layer being made of a material having at least one of hygroscopicity and oxidizability
  • the gap with the second substrate disposed is
  • the active layer is formed in the sealing space formed by the first substrate, the second substrate, and the sealing material by providing a through hole in the step of bonding with a solder and the second inorganic layer.
  • the active layer is formed in the sealing space formed by the first substrate, the second substrate, and the sealing material through the through holes provided in the second inorganic layer. It may be exposed.
  • the step of bonding the gap between the first substrate and the second substrate with the sealing material, and the subsequent step By providing a through hole in the second inorganic layer, the step of exposing the active layer to a sealing space formed by the first substrate, the second substrate, and the sealing material is performed.
  • the active layer can be prevented from contacting with moisture or oxygen.
  • a desiccant with high hygroscopicity or oxidation resistance can be used as the active layer, and even if the amount of desiccant is reduced accordingly, it is possible to maintain the function as a desiccant until the device is used is there. Therefore, a thin organic EL device can be provided.
  • a step of forming an inorganic layer, a step of bonding the first substrate and a gap between the first substrate and a second substrate oppositely disposed via the organic EL with a sealing material, and the second step A step of exposing the active layer to the first substrate, the second substrate, and a sealing space formed by the sealing material may be included by providing a through hole in the inorganic layer.
  • the organic EL element can be protected from moisture and oxygen. Further, according to the above aspect, after passing through the step of forming the second inorganic layer so as to cover the active layer, the step of bonding the gap between the first substrate and the second substrate with the sealing material, Subsequently, by providing a through hole in the second inorganic layer, a step of exposing the active layer to a sealing space formed by the first substrate and the second substrate and the sealing material is performed. This prevents the active layer from contacting with moisture or oxygen in the step of bonding the gap between the first substrate and the second substrate with the sealing material, which is performed under a dried inert gas atmosphere. it can.
  • a desiccant with high hygroscopicity or oxidation resistance can be used as the active layer, and even if the amount of desiccant is reduced accordingly, it is possible to maintain the function as a desiccant until the device is used is there. Therefore, a thin organic EL device can be provided.
  • the through hole in the step of exposing the active layer to the sealing space, may be provided by irradiating the second inorganic layer with laser light.
  • a crack By irradiating the second inorganic layer with laser light, a crack can be generated in the second inorganic layer, and the crack can be used as a through hole. Further, by using a laser beam as a means for providing a through hole, the through hole can be provided after the first substrate and the second substrate are attached to each other.
  • the formation of the active layer is further performed between the step of forming the first inorganic layer and the step of forming the active layer.
  • a step of forming a thermal expansion promoting layer made of a material having a thermal expansion coefficient higher than that of the second inorganic layer may be included in a predetermined area.
  • the thermal expansion promoting layer in the lower layer of the active layer, when the laser light for forming the through holes is irradiated, the thermal expansion promoting layer is cracked earlier than the second inorganic layer. It is possible to Therefore, the through holes can be formed with a laser power weaker than when the thermal expansion promoting layer is not provided. Thus, damage to the extraction electrode or the like disposed on the first substrate can be reduced.
  • the formation of the active layer is scheduled between the step of forming the first inorganic layer and the step of forming the active layer. It is possible to include the step of forming a light reflectivity promoting layer made of a material having light reflectivity in the above region.
  • the laser penetrates the first substrate beyond the second inorganic layer and the active layer when the laser light for forming the through holes is irradiated. It is possible to reflect light to the active layer side. Therefore, the through holes can be formed with a laser power weaker than in the case where the light reflectivity promoting layer is not provided, and in addition to that, the laser light which has entered the first substrate can be reflected. Therefore, damage to the extraction electrode or the like disposed on the first substrate can be reduced more than in the case of using the thermal expansion promoting layer.
  • the second inorganic layer may be made of a material that absorbs light of at least a wavelength of 500 nm or less.
  • laser light can be used as means for providing the through holes.
  • the second substrate may be made of a material that transmits light of at least a wavelength of 500 nm or less.
  • the through holes can be provided also by the laser light irradiation from the second substrate side.
  • each organic EL element includes a first functional layer
  • the active layer is made of the same material as the first functional layer
  • the step of forming the active layer includes the plurality of steps. It is performed simultaneously with the formation of the first functional layer in the step of forming an organic EL element
  • the second inorganic layer is made of the same material as the first inorganic layer, and the second inorganic layer is formed.
  • the step of removing may be performed simultaneously with the step of forming the first inorganic layer.
  • the steps of forming the active layer and the step of forming the second inorganic layer can be eliminated. Therefore, a thin organic EL device can be manufactured without adding a new step to the step of forming a conventional organic EL element. Moreover, the process of forming an organic EL element is normally performed in a vacuum. Therefore, even in the case of using a desiccant having high hygroscopic property or oxidizable property as the material of the first functional layer and the active layer, it can be handled safely.
  • the first functional layer may be an electron transport layer.
  • the electron transporting layer is often made of a highly hygroscopic or easily oxidizable material, it can be used as the material of the active layer.
  • each organic EL element is further formed of a material which is formed prior to the formation of the first functional layer and which has a thermal expansion coefficient higher than that of the first functional layer.
  • a thermal expansion promoting layer composed of the same material as the second functional layer is scheduled to form the active layer simultaneously with the formation of the second functional layer.
  • the active layer may be formed on the thermal expansion promoting layer.
  • the thermal expansion promoting layer in the lower layer of the active layer, when the laser light for forming the through holes is irradiated, the thermal expansion promoting layer is cracked earlier than the second inorganic layer. It is possible to Therefore, the through holes can be formed with a laser power weaker than when the thermal expansion promoting layer is not provided. Thus, damage to the extraction electrode or the like disposed on the first substrate can be reduced. Furthermore, by going through such a process, it is possible to provide a thermal expansion promoting layer without adding a new process to the process of forming the conventional organic EL element.
  • each organic EL element further includes a second functional layer which is formed before the formation of the first functional layer and is made of a material having light reflectivity
  • a light reflectivity promoting layer made of the same material as the first electrode is formed in the area where the formation of the active layer is scheduled simultaneously with the formation of the first electrode
  • the active layer may be formed on the light reflection promoting layer.
  • the laser penetrates the first substrate beyond the second inorganic layer and the active layer when the laser light for forming the through holes is irradiated. It is possible to reflect light to the active layer side. Therefore, the through holes can be formed with a laser power weaker than in the case where the light reflectivity promoting layer is not provided, and in addition to that, the laser light which has entered the first substrate can be reflected. Therefore, damage to the extraction electrode or the like disposed on the first substrate can be reduced more than in the case of using the thermal expansion promoting layer. Furthermore, by passing through such a process, it is possible to provide the light reflectivity promoting layer without adding a new process to the process of forming the conventional organic EL element.
  • the second functional layer may be an electrode.
  • a light reflective one is adopted as a material of an electrode formed on the side opposite to the side from which light is taken out out of a pair of electrodes constituting a light emitting layer. Therefore, this electrode can be used as a material of a light reflectivity promotion layer.
  • the first substrate may be made of a material which transmits light of at least a wavelength of 500 nm or less.
  • laser light can be emitted from the first substrate side.
  • FIG. 1 is a front view showing the configuration of the organic EL device according to the first embodiment.
  • the organic EL device 1 is a top emission type display device, and FIG. 1 shows the organic EL device 1 in a state where the substrate (second substrate 2 in FIG. 2) on the display surface side (upper side) is removed. It is the figure seen from.
  • organic EL elements 4 (R), 4 (G) and 4 (B) are arranged in a matrix.
  • Organic EL elements 4 (R), 4 (G) and 4 (B) are organic EL elements corresponding to red, green and blue, respectively, each of which is a sub-pixel, and the combination of the three sub-pixels is 1 It is considered as a pixel.
  • a central region in which the organic EL element 4 is formed is referred to as a display region 10
  • a region around the device surrounding the display region 10 is referred to as a peripheral region 20.
  • an active layer 114 made of a material having hygroscopic property or oxidizable property and having a function of adsorbing water or oxygen which has invaded from the external environment of the organic EL device 1 is disposed.
  • an inorganic layer (the second inorganic layer 116 in FIG. 2) is formed on the top of the active layer 114 for the purpose of sealing it, and a plurality of through holes 115 are formed to penetrate this cross section. It is provided. The role of the through holes 115 will be described in detail in FIG.
  • a sealing material 113 is provided on the periphery of the first substrate 3 so as to surround the active layer 114 and the organic EL element 4 and seals the first substrate 3 and the second substrate 2 (FIG. 2). It is provided.
  • the sealing material 113 according to the present embodiment is not limited to a single-layered structure as shown in FIG. 1, but may be doubled or more to enhance the sealing property of the sealing space 110. Good.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 1 (an XZ sectional view taken along the lateral direction of the organic EL device).
  • the extraction electrode 101, the passivation layer 102, the flattening layer 103, the reflective anode 104, the bank 105, the organic light emitting layer 106, the electron transport layer 107, the transparent cathode 108, the first inorganic layer on the surface of the TFT substrate 100. 109 are sequentially stacked.
  • the extraction electrode 101, the passivation layer 102, the active layer 114, and the second inorganic layer 116 are sequentially stacked.
  • the organic EL element 4 is composed of the respective functional layers of the reflective anode 104, the bank 105, the organic light emitting layer 106, the electron transport layer 107, and the transparent cathode 108. It may be configured to lack any functional layer or to further include other functional layers such as, for example, a transparent conductive layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.
  • the TFT substrate 100 is a back substrate in the organic EL panel 1 and is non-alkali glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphoric acid glass, boric acid glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin It can be formed using any of insulating materials such as polyethylene, polyester, silicone resin, or alumina. Although not shown, a TFT (thin film transistor) is formed on the surface of the TFT substrate 100.
  • the lead-out electrode 101 is a wire for supplying power to each TFT from the outside, and a drive circuit is connected to the lead-out electrode 101.
  • the passivation layer 102 is provided to cover and protect the TFT and the lead-out electrode 101, and is made of a thin film such as SiO or SiN.
  • the planarizing layer 103 is provided to adjust the surface step on the TFT substrate 100, which is caused by the provision of the lead electrode 101 and the passivation layer 102, to be flat.
  • the planarization layer 103 is made of an insulating material such as polyimide resin or acrylic resin.
  • the first substrate 3 is a portion from the TFT substrate 100 to the planarization layer 103, and in a region where the planarization layer 103 is not formed, from the TFT substrate 100 to the passivation layer 102.
  • the term refers to parts, those lacking any of these layers, and those further including other layers are also included in this embodiment.
  • Ag silver
  • Al aluminum
  • MoCr an alloy of molybdenum and chromium
  • NiCr nickel and chromium
  • Light reflective material such as an alloy of
  • Banks 105 are provided to separate adjacent sub-pixels. Thereby, in the wet process by the ink jet device at the time of forming the organic light emitting layer 106, it is possible to prevent the ink containing the material of the organic light emitting layer 106 corresponding to each color of R, G, B and the solvent from mixing each other.
  • acrylic resin which is an insulating organic material, polyimide resin, novolak type phenol resin, etc. are selected.
  • a known transparent conductive layer, a hole injection layer, or the like may be provided on the surface of the reflective anode 104.
  • a material of a transparent conductive layer ITO (indium tin oxide) and IZO (indium zinc oxide) can be used, for example.
  • the hole injection layer may be formed of a material that performs a hole injection function, and as such a material, for example, a metal such as MoOx (molybdenum oxide), WOx (tungsten oxide) or MoxWyOz (molybdenum-tungsten oxide) Oxides, metal nitrides or metal oxynitrides can be mentioned.
  • an organic light emitting layer 106 corresponding to any of RGB colors is formed.
  • the organic light emitting layer 106 is a part that emits light by recombination of carriers (holes and electrons) at the time of driving, and is configured to include an organic material.
  • organic material Known materials can be used as the material. For example, oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacomarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, fluoranthene compounds described in JP-A-5-163488.
  • Tetracene compounds Tetracene compounds, pyrene compounds, coronene compounds, quinolone compounds and azaquinolone compounds, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, rhodamine compounds, chrysene compounds, phenanthrene compounds, cyclopentan compounds, stilbene compounds, diphenylquinone compounds, styryl compounds, butadiene compounds, dicyanomethylenepyran Compound, dicyanomethylenethiopyran compound, fluorescein compound, pyrylium compound, thia Lilium compounds, selenapyrilium compounds, telluropyrylium compounds, aromatic aldadiene compounds, oligophenylene compounds, thioxanthene compounds, cyanine compounds, acridine compounds, metal complexes of 8-hydroxyquinoline compounds, metal complexes of 2-bipyridine compounds, Schiff salts and the like Examples thereof include fluorescent substances such as complexes with Group III metals, oxine metal complex
  • a known electron injection layer may be provided on the organic light emitting layer 106.
  • the electron transport layer 107 has a function of transporting the electrons injected from the transparent cathode 108 to the organic light emitting layer 106.
  • the material of the electron transport layer 107 include alkali metals such as lithium, sodium, potassium and cesium, alkaline earth metals such as calcium and barium, alkali metal oxides such as sodium oxide, potassium oxide and cesium oxide, calcium oxide, Alkaline earth metal oxides such as barium oxide, alkali metal fluorides such as lithium fluoride, sodium fluoride and cesium fluoride, alkali earth metal fluorides such as calcium fluoride, magnesium oxide, phthalocyanine etc. or combinations thereof A charge transporting organic material or the like containing any of these can be used.
  • the transparent cathode 108 is made of, for example, a transparent material such as ITO (indium tin oxide) or IZO (indium zinc oxide).
  • the first inorganic layer 109 is provided for the purpose of suppressing deterioration of the organic EL element 4 by contact with moisture, air, etc., and is formed of, for example, a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride). Be done.
  • the organic EL device 1 is of top emission type, the first inorganic layer 109 needs to be made of a light transmitting material.
  • the sealed space 110 formed by the first substrate 3, the second substrate 2, and the sealant 113 may be a space filled with a dried inert gas or a space lower than the atmospheric pressure.
  • the sealing space 110 is filled with various transparent resin materials (epoxy resin, silicone resin, and the like), an environment in which water, oxygen, and the like can freely travel may be used.
  • the active layer 114 is provided to adsorb moisture or oxygen that has entered the sealing space 110 via the sealing material 113 and to prevent deterioration of the plurality of organic EL elements 4 provided in the display area 10.
  • the active layer 114 for example, alkali metals such as lithium, sodium, potassium and cesium, alkaline earth metals such as calcium and barium, alkali metal oxides such as sodium oxide, potassium oxide and cesium oxide, calcium oxide, barium oxide and the like Alkaline earth metal oxides, alkali metal fluorides such as lithium fluoride, sodium fluoride, cesium fluoride etc., alkali earth metal fluorides such as calcium fluoride, magnesium oxide, phthalocyanine etc.
  • the active layer 114 is made of the same material as the electron transport layer 107. With such a configuration, the active layer 114 can be formed at the same time in the step of forming the electron transporting layer 107. Thus, a separate process for providing the active layer 114 is not required. In addition, in order to acquire such an effect, it is not necessary to necessarily employ
  • the second inorganic substance layer 116 is a reaction suppressing and drying agent due to the active layer 114 touching hydrogen or oxygen until the first substrate 3 and the second substrate 2 are closely sealed by the sealing material 113. It is provided for the purpose of maintaining its function.
  • the second inorganic layer 116 is made of the same material as the first inorganic layer 109, and both of them are provided so as to be continuous.
  • a sealing material 113 is provided at the peripheral portion of the first substrate 3 and the second substrate 2 so as to fill the gap therebetween.
  • the sealing material 113 according to the present embodiment may be formed on the second inorganic material layer 116 or when the second inorganic material layer 116 is not formed up to the peripheral portion on the first substrate 3.
  • the sealant 113 may be formed on the first substrate 3.
  • Through holes 115 are formed in the cross section of the second inorganic layer 116.
  • the active layer 114 is exposed to the sealing space 110 through the through holes 115.
  • the active layer 114 is a so-called outgassing gas that contains not only water and oxygen that has invaded from the external environment of the organic EL device 1 but also water and organic substances generated from organic materials used inside the organic EL device 1. Can also be adsorbed.
  • Color filters 111 (R), (G), and (B) and black matrices 120 and 121 are disposed on one surface of the sealing substrate 112, respectively.
  • the sealing substrate 112 is a display surface substrate in the organic EL device 1 and can be made of the same material as the TFT substrate 100. However, in order to make the organic EL device 1 top emission type, it is required to have good transparency.
  • the color filters 111 (R), 111 (G), and 111 (B) are disposed in alignment with the positions of the organic light emitting layers 106 formed on the first substrate 3 side.
  • Each color filter is a transparent layer that transmits visible light of wavelengths corresponding to blue, green, and red, and is made of a known resin material (for example, a commercial product, color resist manufactured by JSR Corporation), etc. .
  • the black matrices 120 and 121 are black layers provided for the purpose of preventing reflection of external light and incidence of external light on the display surface of the organic EL device 1 and improving display contrast, and are, for example, light absorbing and light shielding. It is comprised with the ultraviolet curing resin material containing the black pigment which is excellent in the property.
  • the second substrate 2 refers to the sealing substrate 112, the black matrices 120 and 121, and the color filter 111, but those lacking any of these layers, and others Also included in the present embodiment are those further including the following layers.
  • the sealing material 113 for bonding the two substrates is disposed at the peripheral edge portion of the sealing substrate 112 and the first substrate 3.
  • the sealing material 113 is made of a dense resin material, and can be, for example, a silicone resin.
  • a TFT substrate 100 having a TFT formed on one side is prepared, and a lead-out electrode 101 is formed so as to connect the respective TFTs with a wire.
  • the substrate is introduced into a chamber, and a passivation layer 102 is formed by a thin film method such as a vapor deposition method.
  • a planarization layer 103 is formed on the passivation layer 102 by a dispensing method or the like.
  • the substrate is introduced again into the chamber, and the reflective anode 104 is formed into a film by sputtering.
  • the bank 105 is formed on the formed reflective anode 104 by photolithography.
  • an ink in which the material of the organic light emitting layer 106 is dispersed in a solvent is applied by a wet process using an inkjet device. After application, the organic light emitting layer 106 is formed by drying it.
  • the substrate is introduced into a chamber, and an electron transport layer 107 is formed on the surface of the formed organic light emitting layer 106 by vacuum evaporation.
  • the active layer 114 is simultaneously formed. This eliminates the need for the step of forming the active layer 114 separately.
  • the electron transport layer 107 and the active layer 114 can be simultaneously formed by changing the mask pattern in the conventional manufacturing process.
  • a transparent cathode 108 is formed on the surface of the electron transport layer 107 by vacuum evaporation.
  • a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride) is formed on the surface of the transparent cathode 108 by vacuum evaporation to form a first inorganic layer 109.
  • the first inorganic layer 109 and the second inorganic layer 116 can be simultaneously formed by applying this layer so as to cover the active layer 114 not only on the display area 10 but also on the peripheral area 20. it can.
  • the substrate in the state of FIG. 3B is completed. By going through this process, it is possible to prevent the deterioration of the organic EL element 4 and the active layer 114 due to contact with a small amount of water or oxygen contained in the manufacturing environment in the subsequent processes.
  • the active layer 114 can be effectively prevented from contacting with moisture or oxygen. Therefore, a desiccant having high hygroscopicity or oxidation resistance can be used as the active layer 114, and even if the amount of the desiccant is reduced accordingly, the function as a desiccant can be maintained until the device is used. It is.
  • the black matrices 120 and 121 and the color filter 111 are stacked on the sealing substrate 112. Note that in order to prevent moisture, oxygen, and outgassing from adhering to the sealing substrate 112 and the components stacked thereover, the following manufacturing steps are preferably performed in a low humidity and clean environment as much as possible.
  • a black matrix paste which is a material of the black matrices 120 and 121, is applied to one surface of the sealing substrate 112. Thereafter, a pattern mask provided with an opening is placed on the area where the black matrix is to be arranged, and the black matrix 120, 121 is formed by performing ultraviolet irradiation from above.
  • a color filter paste to be a material of the color filter 111 is applied to the surface of the substrate on which the black matrices 120 and 121 are formed.
  • a pattern mask provided with an opening in the area where the color filter is to be disposed is placed and irradiated with ultraviolet light. Thereafter, curing is performed, and the pattern mask and the uncured color filter paste are removed and developed.
  • the color filters 111 (R), 111 (G), and 111 (B) are formed by repeating this process similarly for the color filter materials of the respective colors.
  • a commercially available color filter product for example, color resist manufactured by JSR Corporation may be used instead of using the color filter paste.
  • the paste of the sealing material 113 is applied around the first substrate 3 or the second substrate 2 and the two substrates are bonded to each other.
  • the substrate in the state of FIG. 3C is completed.
  • the manufacturing process of exposing the active layer 114 by providing the through holes 115 in the second inorganic layer 116 is performed.
  • a desiccant having high hygroscopic property or oxidizable property can be used as the active layer 114. That is, even if the amount of desiccant is reduced, it is possible to maintain the function as a desiccant until the device is used to start drying. Therefore, a thin organic EL device can be provided as compared with the conventional one.
  • the electron transport layer 107 and the active layer 114 are formed as a common material and in the same step. Further, the first inorganic layer 109 and the second inorganic layer 116 were formed as a common material and in the same step.
  • the organic EL device according to this embodiment has a configuration in which the electron transport layer 107 and the active layer 114, the first inorganic layer 109, and the second inorganic layer 116 are not formed as common materials, but are formed in separate steps.
  • the present embodiment is effective in the case where the layer constituting the organic EL element 4 does not include a layer made of a material having high hygroscopic property or oxidizable property.
  • FIG. 4 is an XZ cross-sectional view along the lateral direction of the organic EL device according to the present embodiment.
  • the configuration of the display area 10 is the same as that of the first embodiment, so the description will be omitted.
  • the extraction electrode 101, the passivation layer 102, the first inorganic layer 109, the active layer 114, and the second inorganic layer 116 are sequentially stacked.
  • the extraction electrode 101, the passivation layer 102, and the first inorganic material layer 109 are the same as in Embodiment 1, and thus the description thereof is omitted.
  • the active layer 114 in the present embodiment can employ a material different from the functional layer constituting the organic EL element 4.
  • a material different from the functional layer constituting the organic EL element 4 As the material of the active layer 114, as described in Embodiment 1, it is desirable to use a material having high hygroscopicity or oxidizability.
  • the second inorganic layer 116 suppresses the reaction and absorbs moisture by the contact of the active layer 114 with hydrogen or oxygen until the first substrate 3 and the second substrate 2 are sealed by the sealant 113. It is provided for the purpose of maintenance. As shown in FIG. 4, the second inorganic layer 116 is not provided continuously with the first inorganic layer 109, and is formed in a separate step as described in ⁇ Production method> in the next section. Therefore, in the present embodiment, the material of the second inorganic layer 116 can be made different from the first inorganic layer 109.
  • the same material as the first inorganic layer 109 described in Embodiment 1 for example, a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride) can be used. .
  • FIG. 5 shows an example of the manufacturing process of the organic EL device 1A.
  • the extraction electrode 101, the passivation layer 102, the reflective anode 104, the bank 105, the organic light emitting layer 106, and the electron transport layer 107 are sequentially stacked on the TFT substrate 100 (FIG. 5A).
  • the transparent cathode 108 and the first inorganic layer 109 are formed on the surface of the electron transport layer 107 (FIG. 5B).
  • the substrate is introduced into the chamber, and the active layer 114 is formed on the first inorganic layer 109 by vacuum evaporation (FIG. 5C).
  • the second inorganic layer 116 is formed on the active layer 114 by vacuum evaporation (FIG. 6 (d)).
  • the active layer 114 can be prevented from contacting with moisture or oxygen. Therefore, a desiccant having high hygroscopicity or oxidation resistance can be used as the active layer 114, and even if the amount of the desiccant is reduced accordingly, the function as a desiccant can be maintained until the device is used. It is.
  • the black matrixes 120 and 121 and the color filter 111 are stacked on the sealing substrate 112, and the first substrate 3 and the second substrate 2 are bonded by the sealing material 113 (FIG. 5E) As these steps are the same as in the first embodiment, the description will be omitted.
  • the active layer 114 It can prevent contact with moisture and oxygen. Therefore, a desiccant having high hygroscopic property or oxidizable property can be used as the active layer 114. That is, even if the amount of desiccant is reduced, it is possible to maintain the function as a desiccant until the device is used to start drying. Therefore, a thin organic EL device can be provided as compared with the conventional one.
  • the through hole 115 is formed by providing the lower layer of the active layer 114 with a material that is easily cracked by laser light irradiation or a light reflective material that reflects the laser light.
  • the composition which can reduce the energy required at the time of formation is shown.
  • FIG. 6 is an XZ cross-sectional view along the lateral direction of the organic EL device according to the present embodiment.
  • the configuration of the display area 10 is the same as that of the first embodiment, so the description will be omitted.
  • the extraction electrode 101, the passivation layer 102, the promoting layer 117, the active layer 114, and the second inorganic layer 116 are sequentially stacked.
  • the promoting layer 117 is a layer made of a light reflective material that reflects laser light or a material that is easily cracked by laser light irradiation.
  • a promoter layer made of a light reflective material that reflects laser light is referred to as a light reflective promoter layer 117
  • a promoter layer made of a material that is easily cracked by laser beam irradiation will be referred to as a thermally expandable promoter layer 117.
  • the light reflection promoting layer 117 is made of the same material as the reflective anode 104.
  • the laser light that has penetrated the TFT substrate 100 beyond the second inorganic layer 116 and the active layer 114 is activated when the through holes 115 are formed.
  • the light can be reflected to the layer 114 side, and energy can be efficiently transmitted to the second inorganic layer 116. Therefore, the through hole 115 can be formed with a laser power weaker than the case where the light reflectivity promoting layer 117 is not provided.
  • damage to the lead-out electrode or the like disposed on the TFT substrate 100 can be reduced.
  • the light reflectivity promoting layer 117 is employed, the laser light which has entered the TFT substrate 100 can be reflected. Therefore, damage to the lead electrode 101 or the like disposed on the TFT substrate 100 can be reduced more than when the thermal expansion promoting layer 117 is used.
  • the light reflectivity promoting layer 117 is made of the same material as the reflective anode 104. With such a configuration, the light reflectivity promoting layer 117 can be simultaneously formed in the step of forming the reflective anode 104. Therefore, a separate process for providing the light reflectivity promoting layer 117 is not required. In order to obtain such an effect, the material of the reflective anode 104 does not necessarily have to be adopted as the material of the light reflectivity promoting layer 117, and the active layer 114 of the functional layers constituting the organic EL element 4 is And the layer to be formed prior to the layer to be the common material.
  • the thermal expansion promoting layer 117 when the laser light for forming the through holes 115 is irradiated, the thermal expansion promoting layer 117 is cracked earlier than the second inorganic layer 116. It is possible to generate an impact and transmit the impact to the second inorganic layer 116 when the crack occurs. Therefore, the through holes 115 can be formed with a laser power weaker than in the case where the thermal expansion promoting layer 117 is not provided. By doing this, damage to the extraction electrode 101 and the like disposed on the TFT substrate 100 can be further reduced.
  • the material of the thermal expansion promoting layer 117 is a layer formed before the layer common to the active layer 114 among the functional layers constituting the organic EL element 4 and is formed of an organic substance It is desirable to use the same material as the layer. In general, organic substances are more thermally expandable than inorganic substances. Moreover, since many layers constituting the organic EL element 4 are made of an organic substance, it is not necessary to separately study a material for the thermal expansion promoting layer 117. Furthermore, by using the same material as any of the functional layers constituting the organic EL element 4, it is possible to simultaneously form the thermal expansion promoting layer 117 in the step of forming the functional layer.
  • ⁇ Manufacturing method> An example of the manufacturing process of organic electroluminescent apparatus 1B is shown. Here, a manufacturing process of a configuration in which the reflective anode 104 is used as the light reflectivity promoting layer 117 will be described.
  • the lead-out electrode 101, the passivation layer 102, and the reflective anode 104 are sequentially stacked on the TFT substrate 100.
  • the reflective anode 104 is formed.
  • a layer made of the same material as that of the reflective anode 104 is simultaneously formed in the area where the formation of the active layer 114 is scheduled in the peripheral area 20, and this layer is used as the light reflection promoting layer 117.
  • the step of forming the promoting layer 117 is not necessary.
  • the reflective anode 104 and the light reflectivity promoting layer 117 can be simultaneously formed by changing the pattern mask in the conventional manufacturing process.
  • the bank 105, the organic light emitting layer 106, and the electron transport layer 107 are sequentially stacked.
  • the active layer 114 is also formed at the same time as in the first embodiment. This eliminates the need for the step of forming the active layer 114 separately.
  • a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride) is formed on the surface of the transparent cathode 108 by vacuum evaporation to form a first inorganic layer 109.
  • the first inorganic layer 109 so as to cover the active layer 114 not only on the display region 10 but also on the peripheral region 20, the first inorganic layer 109 and the second inorganic layer 116 can be simultaneously formed. It can be formed.
  • the active layer 114 can be prevented from contacting with moisture or oxygen.
  • the process proceeds to the step of laminating the black matrices 120 and 121 and the color filter 111 on the sealing substrate 112 and the step of bonding the first substrate 3 and the second substrate 2 by the sealing material 113.
  • the second embodiment is the same as the first embodiment, so the description is omitted.
  • the sealing substrate 112 and the first substrate 3 are attached to each other, laser light is emitted toward the second inorganic material layer. Thereby, the through holes 115 are formed in the cross section of the second inorganic material layer 116. By these steps, the organic EL device 1B is completed.
  • the through holes 115 can be formed in the cross section of the second inorganic material layer 116 with weak laser power. Therefore, damage to the lead-out electrode 101 and the like disposed on the TFT substrate 100 can be further reduced. Furthermore, by using the material used for any of the functional layers constituting the organic EL element 4 and the material for the promotion layer 117 as a common material, the process of forming the promotion layer 117 is a conventional organic EL element. It can be done simultaneously during the forming process.
  • the configuration in which the thermal expansion promoting layer and the light reflectivity promoting layer is formed is formed.
  • the invention is not limited to the above-described manufacturing method, and the promotion layer 117 may be formed in a separate step from the formation of the organic EL element 4. In this case, the material of the promotion layer 117 can be different from any of the functional layers constituting the organic EL element 4.
  • the organic EL devices 1, 1A, and 1B described in the first to third embodiments are not limited to top emission type organic EL devices, but can be applied to bottom emission type organic EL devices.
  • FIG. 7 is a view illustrating the appearance of the display device 5 on which any one of the organic EL devices 1 1A and 1B according to an aspect of the present invention is mounted.
  • the organic EL device of the present invention can be suitably used, for example, in home or public facilities, various display devices for business use, television devices, displays for portable electronic devices, and the like.

Abstract

 有機EL素子を用いた有機EL装置において、有機EL装置の薄型化を図るとともに、長期にわたり有機EL素子の構成要素の変質を防止する。 第1の基板と、第1の基板上に設けられた複数の有機EL素子と、複数の有機EL素子を被覆する第1の無機物層109と、第1の基板上における複数の有機EL素子が設けられていない領域に設けられ少なくとも吸湿性および易酸化性の一方を有する材料からなる活性層114と、活性層114を被覆する第2の無機物層116と、第1の基板と複数の有機EL素子を介して対向配置された第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間隙に設けられ複数の有機EL素子および活性層114を取り囲むシール材113とを備え、第2の無機物層116に設けられた貫通孔115を介して、活性層114が第1の基板と第2の基板およびシール材113により形成される封止空間110に暴露している。

Description

有機EL装置およびその製造方法
 本発明は、複数の有機EL素子を備える有機EL装置およびその製造方法に関し、特に有機EL素子の経時的劣化を抑制する技術に関する。
 近年、表示装置として基板上に有機EL素子を配設した有機EL装置が研究開発されている。有機EL装置は、自己発光を行う有機EL素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優るなどの特徴を有する。これらの特徴により、最近では、携帯電話等の小型電子機器やテレビのディスプレイとして有機EL装置が普及しつつある。
 有機EL素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極及び陰極の電極対の間に発光層を設けた構成を有する。発光層は、通常、キャリアの再結合による電界発光現象を行う有機発光層のほか、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等を積層して構成される。
 有機EL装置が使用状態に置かれると、装置の外部環境に含まれる水分や酸素が装置内に侵入することがある。しかし、発光層を構成する各層は水分や酸素に弱い材料で形成されていることが多く、これらの層が、装置内に侵入してきた水分や酸素に触れることで変質する恐れがあり、これが原因となって、表示領域における非発光部(ダークスポット)の発生や輝度低下を招くことがある。この問題に対処するため、装置の外部環境に存在する水分や酸素から発光層を保護する技術が考案されている(例えば特許文献1、2)。
 図8は特許文献2に係る有機EL装置の要部断面図である。支持基板32上に、複数の有機EL素子が行列状に配列されてなる表示部31が設けられている(以下、表示部31および支持基板32を合わせてアレイ基板33と記載)。アレイ基板33に対して、封止部材34が対向配置されており、アレイ基板33と封止部材34との間隙をシール材35により封止することにより、表示部31を装置の外部環境から遮断している。しかし、このシール材35による封止を施しても、経時的にシール材35が劣化する等の理由により、装置の外部環境から水分や酸素が侵入することがあり、発光層の劣化を招く恐れがある。このため、さらなる対策として、装置の外部環境から侵入した水分や酸素を吸着するための乾燥剤36を封止部材の内面側の凹部37に配設する構成がとられている。
特開2000-223264号公報 特開2007-103317号公報
 特許文献2に示したような中空封止構造では、装置内部への水分や酸素の侵入を抑制するため、二枚の基板とシール材とで形成される封止空間に乾燥させた不活性ガスを充填する方法がとられる。このため、基板同士をシール材により貼り合わせる工程は乾燥させた不活性ガス雰囲気下で行われる。このとき、上側の基板(特許文献2では封止部材)に配設する乾燥剤として、吸湿性もしくは易酸化性の高い強力な乾燥剤、すなわち反応性の高い乾燥剤を用いると、乾燥させた不活性ガスに含まれる微量の水分および酸素と乾燥剤が反応を起こす恐れがある。そうすると、乾燥を開始させたい装置使用時には乾燥剤としての機能が低下している可能性がある。このため、特許文献2に記載の構成では、弱い乾燥剤を用い、その分、量を増やすことで乾燥剤としての機能を補う必要がある。よって、乾燥剤の量を増やすに従って乾燥剤自体の厚さが増すために、有機EL装置の薄型化が困難であるという問題が生じる。
 本発明は上記の問題点を鑑みてなされたもので、従来よりも薄型化を図ることができる有機EL装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
 本発明の一態様である有機EL装置は、第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を被覆する第1の無機物層と、前記第1の基板上における前記が設けられていない領域に設けられ、少なくとも吸湿性および易酸化性の一方を有する材料からなる活性層と、前記活性層を被覆する第2の無機物層と、前記第1の基板と前記複数の有機EL素子を介して対向配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間隙に設けられ、前記複数の有機EL素子および前記活性層を取り囲むシール材とを備え、前記第2の無機物層に設けられた貫通孔を介して、前記活性層が前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露されている構成とした。
 本発明の一態様に係る有機EL装置では、例えば、活性層を被覆するように前記第2の無機物層を形成する工程を経た上で、第1の基板と第2の基板との間隙をシール材により接合する工程、続いて第2の無機物層に貫通孔を設けることで、活性層を第1の基板と第2の基板およびシール材により形成される封止空間に暴露させる工程を行うといった流れの製造工程を採用できる。この場合には、第1の基板と第2の基板との間隙をシール材により接合する工程において、活性層が水分や酸素と接触することを防止できる。よって、活性層として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができ、その分、乾燥剤の量を削減しても、装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。したがって、乾燥剤量の削減に伴って乾燥剤自体を薄くでき、結果として薄型の有機EL装置を提供することができる。
実施の形態1に係る有機EL装置の構成を示す正面図である。 実施の形態1に係る有機EL装置の構成を示す部分断面図である。 実施の形態1に係る有機EL装置の製造工程例を示す図である。 実施の形態2に係る有機EL装置の構成を示す部分断面図である。 実施の形態2に係る有機EL装置の製造工程例を示す図である。 実施の形態3に係る有機EL装置の構成を示す部分断面図である。 表示装置5の外観を示す外観斜視図である。 従来の有機EL装置の断面図である。
 [実施の態様]
 本発明の一態様である複数の有機EL素子は、第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を被覆する第1の無機物層と、前記第1の基板上における前記複数の有機EL素子が設けられていない領域に設けられ、少なくとも吸湿性および易酸化性の一方を有する材料からなる活性層と、前記活性層を被覆する第2の無機物層と、前記第1の基板と前記複数の有機EL素子を介して対向配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間隙に設けられ、前記複数の有機EL素子および前記活性層を取り囲むシール材とを備え、前記第2の無機物層に設けられた貫通孔を介して、前記活性層が前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露されている構成とした。
 この構成によれば、例えば、活性層を被覆するように前記第2の無機物層を形成する工程を経た上で、第1の基板と第2の基板との間隙をシール材により接合する工程、続いて第2の無機物層に貫通孔を設けることで、活性層を第1の基板と第2の基板およびシール材により形成される封止空間に暴露させる工程を行うといった流れの製造工程を採用できる。この場合には、活性層として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができ、その分、乾燥剤の量を削減しても、装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。したがって、薄型の有機EL装置を提供することができる。
 また、本発明の別の態様として、前記貫通孔はひびであることとしてもよい。
 これにより、活性層を第1の基板と第2の基板およびシール材により形成される封止空間に暴露させる工程において、寸法が規定された貫通孔を形成する必要がなくなる。
 さらに、本発明の別の態様として、前記複数の有機EL素子は前記第1の基板上に行列状に配列されており、前記活性層が前記複数の有機EL素子の周囲を取り囲むように設けられていることとしてもよい。
 有機EL素子の周囲を取り囲むように活性層を配設することで、装置の使用状態において、外部環境から侵入した水分や酸素を有機EL素子が形成されている表示領域に至るまでの経路において効率的に吸着することができる。
 また、本発明の別の態様として、前記活性層はアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、これらの何れかを含む電荷輸送性の有機物、の何れかからなることとしてもよい。
 これらの材料を採用することによって、吸湿性および易酸化性の非常に高い活性層を構成することが可能である。
 また、本発明の別の態様として、第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子を封止する第1の無機物層と、前記第1の基板上において前記複数の有機EL素子が設けられていない領域に形成され、少なくとも吸湿性および易酸化性の一方を有する材料からなる活性層と、前記活性層を被覆する第2の無機物層と、前記第1の基板と前記複数の有機EL素子を介して対向配置された第2の基板と、前記第1の基板とこれに対向配置された前記第2の基板との間隙に設けられ、前記複数の有機EL素子および前記活性層を取り囲むシール材とを備え、前記活性層を被覆するように前記第2の無機物層を形成する工程と、前記第1の基板とこれに対向配置された前記第2の基板との間隙を前記シール材により接合する工程と、前記第2の無機物層に貫通孔を設けることで、前記活性層を前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露させる工程とにより、前記活性層は、前記第2の無機物層に設けられた貫通孔を介して、前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露していることとしてもよい。
 この態様によれば、活性層を被覆するように前記第2の無機物層を形成する工程を経た上で、第1の基板と第2の基板との間隙をシール材により接合する工程、続いて第2の無機物層に貫通孔を設けることで、活性層を第1の基板と第2の基板およびシール材により形成される封止空間に暴露させる工程を行う。このようにすることで、乾燥させた不活性ガス雰囲気下で行われる、第1の基板と第2の基板をシール材により接合する工程において、活性層が水分や酸素と接触することを防止できる。よって、活性層として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができ、その分、乾燥剤の量を削減しても、装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。したがって、薄型の有機EL装置を提供することができる。
 また、本発明の別の態様として、第1の基板上に複数の有機EL素子を形成する工程と、前記複数の有機EL素子を封止する第1の無機物層を形成する工程と、前記第1の基板上における前記複数の有機EL素子が形成されていない領域に、少なくとも吸湿性もしくは易酸化性を有する材料からなる活性層を形成する工程と、前記活性層を被覆するように第2の無機物層を形成する工程と、前記第1の基板および当該第1の基板と前記有機ELを介して対向配置された第2の基板との間隙をシール材により接合する工程と、前記第2の無機物層に貫通孔を設けることで、前記活性層を前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露させる工程とを含むこととしてもよい。
 有機EL素子を封止する第1の無機物層を形成する工程を設けることで、水分や酸素から有機EL素子を保護することができる。また、上記態様によれば、活性層を被覆するように前記第2の無機物層を形成する工程を経た上で、第1の基板と第2の基板との間隙をシール材により接合する工程、続いて第2の無機物層に貫通孔を設けることで、活性層を第1の基板と第2の基板およびシール材により形成される封止空間に暴露させる工程を行う。こうすることで、乾燥させた不活性ガス雰囲気下で行われる、第1の基板と第2の基板との間隙をシール材により接合する工程において、活性層が水分や酸素と接触することを防止できる。よって、活性層として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができ、その分、乾燥剤の量を削減しても、装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。したがって、薄型の有機EL装置を提供することができる。
 さらに、本発明の別の態様として、活性層を前記封止空間に暴露させる工程において、レーザ光を前記第2の無機物層に向けて照射することにより前記貫通孔を設けることとしてもよい。
 第2の無機物層にレーザ光を照射することによって、第2の無機物層にひびを発生させることができ、このひびを貫通孔として利用することができる。また、貫通孔を設ける手段としてレーザ光を用いることによって、第1の基板および第2の基板を貼り合わせた後に貫通孔を設けることができる。
 ここで、本発明の別の態様として、前記有機EL装置の製造方法は、さらに、前記第1の無機物層を形成する工程と前記活性層を形成する工程の間において、前記活性層の形成が予定された領域に前記第2の無機物層よりも熱膨張率の高い材料からなる熱膨張性促進層を形成する工程を含むこととしてもよい。
 熱膨張性促進層を活性層の下層に配設することで、貫通孔形成のためのレーザ光を照射する際、第2の無機物層よりも熱膨張性促進層の方に先にひびを発生させることが可能である。よって、熱膨張性促進層を設けない場合よりも弱いレーザパワーで貫通孔を形成することができる。これにより、第1の基板上に配置された引き出し電極等に与えるダメージを低減することができる。
 また、本発明の別の態様として、前記有機EL装置の製造方法は、さらに、前記第1の無機物層を形成する工程と前記活性層を形成する工程の間において、前記活性層の形成が予定された領域に光反射性を有する材料からなる光反射性促進層を形成する工程を含むこととしてもよい。
 活性層の下層に光反射性促進層を配設することで、貫通孔形成のためのレーザ光を照射する際に、第2の無機物層および活性層を越えて第1の基板に侵入したレーザ光を活性層側に反射させることが可能である。そのため、光反射性促進層を設けない場合よりも弱いレーザパワーで貫通孔を形成することができ、それに加え、第1の基板に侵入したレーザ光を反射させることもできる。よって、熱膨張性促進層を用いる場合よりも、第1の基板上に配置された引き出し電極等に与えるダメージをより低減することができる。
 ここで、本発明の別の態様として、前記第2の無機物層は少なくとも波長500nm以下の光を吸収する材料からなることとしてもよい。
 このようにすることによって、貫通孔を設ける手段としてレーザ光を用いることができる。
 さらに、本発明の別の態様として、前記第2の基板は少なくとも波長500nm以下の光を透過する材料からなることとしてもよい。
 このようにすることによって、第2の基板側からのレーザ光照射によっても貫通孔を設けることができる。
 また、本発明の別の態様として、各有機EL素子は第1機能層を含み、前記活性層は前記第1機能層と同一材料からなり、かつ、前記活性層を形成する工程は前記複数の有機EL素子を形成する工程における前記第1機能層の形成と同時に行われ、前記第2の無機物層は、前記第1の無機物層と同一材料からなり、かつ、前記第2の無機物層を形成する工程は前記第1の無機物層を形成する工程と同時に行われることとしてもよい。
 このような工程を経ることによって、活性層を形成する工程および第2の無機物層を形成する工程を削減することができる。したがって、従来の有機EL素子を形成する工程に新たな工程を加えることなく、薄型の有機EL装置を製造することができる。また、有機EL素子を形成する工程は通常、真空中で行われる。このため、第1機能層および活性層の材料として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いる場合であっても、安全に取り扱うことが可能である。
 ここで、本発明の別の態様として、前記第1機能層が電子輸送層であることとしてもよい。
 電子輸送層は吸湿性もしくは易酸化性の高い材料が用いられていることが多いため、これを活性層の材料として用いることができる。
 また、本発明の別の態様として、各有機EL素子は、さらに、前記第1機能層の形成よりも前に形成されるとともに前記第1機能層よりも熱膨張率の高い材料からなる第2機能層を含み、前記複数の有機EL素子を形成する工程において、前記第2機能層と同一材料からなる熱膨張性促進層が、前記第2機能層の形成と同時に前記活性層の形成が予定された領域に形成され、前記活性層を形成する工程において、前記活性層は前記熱膨張性促進層上に形成されることとしてもよい。
 熱膨張性促進層を活性層の下層に配設することで、貫通孔形成のためのレーザ光を照射する際、第2の無機物層よりも熱膨張性促進層の方に先にひびを発生させることが可能である。よって、熱膨張性促進層を設けない場合よりも弱いレーザパワーで貫通孔を形成することができる。これにより、第1の基板上に配置された引き出し電極等に与えるダメージを低減することができる。さらに、このような工程を経ることによって、従来の有機EL素子を形成する工程に新たな工程を加えることなく、熱膨張性促進層を設けることができる。
 ここで、本発明の別の態様として、各有機EL素子は、さらに、前記第1機能層の形成よりも前に形成されるとともに光反射性を有する材料からなる第2機能層を含み、前記複数の有機EL素子を形成する工程において、前記第1電極と同一材料からなる光反射性促進層が、前記第1電極の形成と同時に前記活性層の形成が予定された領域に形成され、前記活性層を形成する工程において、前記活性層は前記光反射性促進層上に形成されることとしてもよい。
 活性層の下層に光反射性促進層を配設することで、貫通孔形成のためのレーザ光を照射する際に、第2の無機物層および活性層を越えて第1の基板に侵入したレーザ光を活性層側に反射させることが可能である。そのため、光反射性促進層を設けない場合よりも弱いレーザパワーで貫通孔を形成することができ、それに加え、第1の基板に侵入したレーザ光を反射させることもできる。よって、熱膨張性促進層を用いる場合よりも、第1の基板上に配置された引き出し電極等に与えるダメージをより低減することができる。さらに、このような工程を経ることによって、従来の有機EL素子を形成する工程に新たな工程を加えることなく、光反射性促進層を設けることができる。
 また、本発明の別の態様として、前記第2機能層が電極であることとしてもよい。
 通常の有機EL装置において、発光層を構成する一対の電極のうち、光を取り出す側とは反対側に形成される電極の材料として光反射性のものが採用される。よって、この電極を光反射性促進層の材料として用いることができる。
 ここで、本発明の別の態様として、前記第1の基板は少なくとも波長500nm以下の光を透過する材料からなることとしてもよい。
 このようにすることによって、第1の基板側からレーザ光を照射することができる。
 [実施の形態1]
 <概略構成>
 図1は、実施の形態1に係る有機EL装置の構成を示す正面図である。有機EL装置1はトップエミッション型の表示装置であって、図1は表示面側(上側)の基板(図2の第2の基板2)を取り去った状態の有機EL装置1を、表示面側から見た図である。
 第1の基板3上の中心領域には、複数の有機EL素子4(R)、4(G)、4(B)が行列上に配置されている。有機EL素子4(R)、4(G)、4(B)はそれぞれ赤色、緑色、青色に対応する有機EL素子であって、この各々をサブピクセルとし、当該3つのサブピクセルの組み合わせを1画素(ピクセル)としている。なお、以下の図において、有機EL素子4が形成されている中心領域を表示領域10、表示領域10を取り囲む素子周囲の領域を周辺領域20と称する。
 周辺領域20には、吸湿性もしくは易酸化性を有する材料からなり、有機EL装置1の外部環境から侵入した水分や酸素を吸着する機能を有する活性層114が配設されている。図示しないが、活性層114の上部にはこれを封止する目的で無機物層(図2の第2の無機物層116)が形成されており、この断面を貫通するように複数の貫通孔115が設けられている。貫通孔115の役割については図2で詳述する。第1の基板3の周縁部には、活性層114および有機EL素子4を取り囲むように設けられ、第1の基板3と第2の基板2(図2)とを封止するシール材113が設けられている。なお、本実施の形態のシール材113は、図1に示したような一重に形成する構成に限定されず、封止空間110の封止性を高めるために二重以上に形成することとしてもよい。
 図2は図1におけるA-A’断面図(有機EL装置の横方向に沿ったXZ断面図)である。
 表示領域10において、TFT基板100の表面に引き出し電極101,パッシベーション層102,平坦化層103,反射陽極104,バンク105,有機発光層106,電子輸送層107,透明陰極108,第1の無機物層109が順次積層されている。
 周辺領域20においては、引き出し電極101、パッシベーション層102、活性層114、第2の無機物層116が順次積層されている。
 なお、本実施の形態において、有機EL素子4は反射陽極104,バンク105,有機発光層106,電子輸送層107,透明陰極108の各機能層から構成されており、前記各機能層のうちの何れかの機能層を欠いている、もしくは、例えば透明導電層、ホール注入層、電子注入層などの他の機能層をさらに含む構成としてもよい。
 TFT基板100は有機ELパネル1における背面基板であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の何れかを用いて形成することができる。なお図示しないが、TFT基板100の表面にはTFT(薄膜トランジスタ)が形成されている。
 引き出し電極101は、各TFTに対して外部より電力を供給するための配線であり、引き出し電極101に駆動回路が接続されるようになっている。
 パッシベーション層102は、TFT及び引き出し電極101を被覆して保護するために設けられ、SiOやSiN等の薄膜で構成される。
 平坦化層103は、引き出し電極101およびパッシベーション層102が配設されたことにより生じるTFT基板100における表面段差を、平坦に調整するために設けられる。平坦化層103は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成される。
 なお、本実施の形態において、第1の基板3とは、TFT基板100から平坦化層103までの部分、平坦化層103が形成されていない領域においては、TFT基板100からパッシベーション層102までの部分を指すが、これらの層のうちの何れかを欠いているもの、および他の層をさらに含むものも本実施の形態に含まれる。
 反射陽極104は、Ag(銀)の他、例えばAl(アルミニウム)、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等の光反射性材料を用いて形成することができる。
 バンク105は、隣接するサブピクセル同士を分離するために設けられる。これにより、有機発光層106を形成する際のインクジェット装置によるウェットプロセスにおいて、R,G,Bの各色に対応する有機発光層106の材料と溶媒を含むインクが互いに混入することを防止できる。バンク105の材料としては、絶縁性の有機材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が選択される。
 なお、図2には図示しないが、反射陽極104の表面には公知の透明導電層、ホール注入層等を設けてもよい。透明導電層の材料としては、例えばITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)を用いることができる。ホール注入層は、ホール注入機能を果たす材料で形成されていれば良く、そのような材料としては例えば、MoOx(酸化モリブデン)、WOx(酸化タングステン)又はMoxWyOz(モリブデン-タングステン酸化物)等の金属酸化物、金属窒化物又は金属酸窒化物が挙げられる。
 各々のバンク105に区画された領域には、RGB各色の何れかに対応する有機発光層106が形成される。
 有機発光層106は、駆動時にキャリア(ホールと電子)の再結合による発光を行う部位であって、有機材料を含むように構成されている。その材料には公知材料を利用することが可能である。たとえば特開平5-163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8-ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2-ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。
 なお図示しないが、有機発光層106の上には公知の電子注入層を設けてもよい。
 電子輸送層107は、透明陰極108から注入された電子を有機発光層106へ輸送する機能を有する。電子輸送層107の材料としては、例えばリチウム,ナトリウム,カリウム,セシウム等のアルカリ金属、カルシウム,バリウム等のアルカリ土類金属、酸化ナトリウム,酸化カリウム,酸化セシウム等のアルカリ金属酸化物、酸化カルシウム,酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物、フッ化リチウム,フッ化ナトリウム,フッ化セシウム等のアルカリ金属フッ化物、フッ化カルシウム等のアルカリ土類金属フッ化物、酸化マグネシウム、フタロシアニン等あるいはこれらの組み合わせ、あるいはこれらの何れかを含む電荷輸送性の有機物等を用いることができる。
 透明陰極108は、例えばITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の透明材料で構成される。
 第1の無機物層109は、有機EL素子4が水分や空気等に触れて劣化するのを抑制する目的で設けられ、例えばSiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)、等の材料で形成される。有機EL装置1をトップエミッション型にする場合は、第1の無機物層109を光透過性材料で構成する必要がある。
 第1の基板3、第2の基板2およびシール材113により形成される封止空間110は、乾燥させた不活性ガスを充填した空間のほか、大気圧より低圧の空間としてもよい。また、封止空間110に各種透明樹脂材料(エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等)を充填した場合等、水分や酸素等が自由に行き来できる環境であってもよい。
 活性層114は、シール材113を介して封止空間110に侵入した水分や酸素を吸着し、表示領域10に設けられた複数の有機EL素子4の劣化を防ぐために設けられる。活性層114としては、例えばリチウム,ナトリウム,カリウム,セシウム等のアルカリ金属、カルシウム,バリウム等のアルカリ土類金属、酸化ナトリウム,酸化カリウム,酸化セシウム等のアルカリ金属酸化物、酸化カルシウム,酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物、フッ化リチウム,フッ化ナトリウム,フッ化セシウム等のアルカリ金属フッ化物、フッ化カルシウム等のアルカリ土類金属フッ化物、酸化マグネシウム、フタロシアニン等あるいはこれらの組み合わせ、あるいはこれらの何れかを含む電荷輸送性の有機物等を用いることができる。本実施の形態において、活性層114は電子輸送層107と共通の材料としている。このような構成にすることで、電子輸送層107を形成する工程において、活性層114を同時に形成することができる。よって、活性層114を設けるための工程を別途必要としない。なお、このような効果を得るためには、必ずしも電子輸送層107の材料を活性層114の材料として採用する必要はなく、有機EL素子4を構成する何れかの機能層であればよい。
 第2の無機物層116は、第1の基板3と第2の基板2とがシール材113により密着封止されるまでの間、活性層114が水素や酸素に触れることによる反応抑制および乾燥剤として機能を維持する目的で設けられる。本実施の形態においては、第2の無機物層116は第1の無機物層109と同一材料からなり、かつ、両者が連続するように設けられている。
 第1の基板3および第2の基板2の周縁部には、それらの間隙を埋めるようにシール材113が設けられている。なお、本実施の形態のシール材113は、第2の無機物層116上に形成してもよいし、第2の無機物層116が第1の基板3上の周縁部まで形成されていない場合には、第1の基板3上にシール材113を形成することとしてもよい。
 第2の無機物層116の断面には貫通孔115が形成される。この貫通孔115を介して、活性層114が封止空間110に暴露されている。これにより、シール材113を介して封止空間110に侵入してきた水分や酸素を、表示領域10に至るまでの経路で効率的に吸着することができる。活性層114は、有機EL装置1の外部環境から侵入した水分や酸素だけでなく、有機EL装置1の内部に用いられている有機材料から発生する水分や有機物質等を含む不純物ガス、いわゆるアウトガスも吸着することができる。
 封止基板112の一方の面には、カラーフィルター111(R)、(G)、(B)及びブラックマトリクス120、121、がそれぞれ配設されている。
 封止基板112は、有機EL装置1における表示面基板であり、TFT基板100と同様の材料で構成することができる。但し、有機EL装置1をトップエミッション型にするため、良好な透明性を持つことが要求される。
 各々のカラーフィルター111(R)、111(G)、111(B)は、第1の基板3側に形成される各有機発光層106の位置に合わせて配設されている。各々のカラーフィルターは、青色、緑色、赤色に対応する波長の可視光を透過する透明層であって、公知の樹脂材料(例えば市販製品として、JSR株式会社製カラーレジスト)等で構成されている。
 ブラックマトリクス120、121は、有機EL装置1の表示面への外光の照り返しや外光の入射を防止し、表示コントラストを向上させる目的で設けられる黒色層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料で構成される。
 なお、本実施の形態において、第2の基板2とは、封止基板112、ブラックマトリクス120、121、カラーフィルター111を指すが、これらの層のうちの何れかを欠いているもの、および他の層をさらに含むものも本実施の形態に含まれる。
 図1で述べたように、封止基板112と第1の基板3の周縁部には、両基板を接着するシール材113が配設されている。当該シール材113は、緻密な樹脂材料で構成されており、例えばシリコーン樹脂を挙げることができる。
 <製造方法>
 図3において有機EL装置1の製造工程の一例を示す。
 まず、一方の面にTFTを形成したTFT基板100を用意し、各TFTを配線で接続するように引き出し電極101を形成する。この基板をチャンバーに導入し、パッシベーション層102を蒸着法等の薄膜法により形成する
 次に、パッシベーション層102上に、ディスペンス法等により平坦化層103を形成する。そして、この基板を再度チャンバー内に導入し、スパッタリング法により反射陽極104を成膜する。
 次に、形成した反射陽極104の上に、バンク105をフォトリソグラフィー法により形成する。
 次に、バンク105で区画された反射陽極104の表面に、インクジェット装置を用いたウェットプロセスにより、有機発光層106の材料が溶媒に分散されているインクを塗布する。塗布後、これを乾燥させることで有機発光層106が形成される。
 次に、当該基板をチャンバー内に導入し、前記形成した有機発光層106の表面に、真空蒸着法に基づき電子輸送層107を形成する。このとき、本実施の形態では、同時に活性層114も形成する。こうすることによって別途、活性層114を形成する工程が不要となる。なお、従来の製造工程におけるマスクパターンを変えることで、電子輸送層107および活性層114を同時に形成することができる。ここまでの工程により、図3(a)の状態の基板が出来上がる。
 次に、前記電子輸送層107の表面上に、真空蒸着法により透明陰極108を形成する。
 次に、透明陰極108の表面に、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料を真空蒸着法で成膜し、第1の無機物層109を形成する。このとき、表示領域10上だけでなく、周辺領域20上において活性層114を覆うようにこの層を塗布することによって、第1の無機物層109および第2の無機物層116を同時に形成することができる。この工程により、図3(b)の状態の基板が出来上がる。この工程を経ることで、以降の工程において、製造環境中に含まれる微量の水分や酸素と触れることによる、有機EL素子4および活性層114の劣化を防止することができる。特に、以降で述べる第1の基板3および第2の基板2をシール材113により接合する工程において、活性層114が水分や酸素と接触することを有効に防止できる。よって、活性層114として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができ、その分、乾燥剤の量を削減しても、装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。
 続いて、封止基板112上にブラックマトリクス120および121,カラーフィルター111を積層する。なお、以下の製造工程は、封止基板112およびその上に積層する構成要素に水分や酸素、およびアウトガスが付着するのを防止するため、できるだけ低湿度且つクリーンな環境において実施することが望ましい。
 ブラックマトリクス120、121の材料となるブラックマトリクスペーストを封止基板112の一方の面に塗布する。その後、ブラックマトリクスの配設が予定された領域に開口部が施されたパターンマスクを重ね、その上から紫外線照射を行うことにより、ブラックマトリクス120、121を形成する。
 次に、ブラックマトリクス120、121を形成した基板表面に、カラーフィルター111の材料となるカラーフィルターペーストを塗布する。溶媒を一定除去した後、カラーフィルターの配設が予定された領域に開口部が施されたパターンマスクを載置し、紫外線を照射する。その後はキュアを行い、パターンマスク及び未硬化のカラーフィルターペーストを除去して現像する。この工程を各色のカラーフィルター材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルター111(R)、111(G)、111(B)が形成される。なお、カラーフィルターペーストを用いる代わりに市販されているカラーフィルター製品(例えば、JSR株式会社製カラーレジスト)を利用することもできる。
 次に、第1の基板3もしくは第2の基板2の周囲にシール材113のペーストを塗布し、両基板を貼り合わせる。ここまでの工程により、図3(c)の状態の基板が出来上がる。
 次にレーザ光照射を行い(図3(d))、第2の無機物層116にひびを発生させることで貫通孔115が形成される(図3(e))。これらの工程により、有機EL装置1が完成する。
 以上説明したように、本実施の形態によれば、活性層114を第2の無機物層により封止しておいた上で、シール材113による第1の基板3および第2の基板2の接着、続いて第2の無機物層116に貫通孔115を設けることによる活性層114の暴露という製造工程を経る。このような工程を経ることで、活性層114として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができる。その分、乾燥剤の量を削減しても、乾燥を開始させたい装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。よって、従来と比較して薄型の有機EL装置を提供することができる。さらに、本実施の形態によれば、従来のように乾燥剤を配設する工程を別途設ける必要がない。したがって、既存の有機EL装置を製造する工程に新たな工程を増やすことなく、有機EL装置の薄型化を図ることができる。
 [実施の形態2]
 実施の形態1では、電子輸送層107と活性層114を共通材料とし、かつ同一工程で形成した。また、第1の無機物層109と第2の無機物層116を共通材料とし、かつ同一工程で形成した。本実施の形態に係る有機EL装置は、電子輸送層107および活性層114,第1の無機物層109および第2の無機物層116をそれぞれ共通材料とせず、別工程で形成する構成を示す。本実施の形態は、有機EL素子4を構成する層に、吸湿性もしくは易酸化性の高い材料からなる層が含まれていない場合に有効である。
 <概略構成>
 図4は本実施の形態に係る有機EL装置の横方向に沿ったXZ断面図である。
 表示領域10の構成は、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
 周辺領域20においては、引き出し電極101、パッシベーション層102、第1の無機物層109、活性層114、第2の無機物層116が順次積層されている。
 引き出し電極101、パッシベーション層102、第1の無機物層109については実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
 本実施の形態における活性層114は、有機EL素子4を構成する機能層とは別の材料を採用することができる。活性層114の材料としては、実施の形態1で述べたように、吸湿性もしくは易酸化性の高い材料を用いることが望ましい。
 第2の無機物層116は、第1の基板3と第2の基板2とがシール材113により封止されるまでの間、活性層114が水素や酸素に触れることによる反応抑制および吸湿性能を維持する目的で設けられる。図4に示したように、第2の無機物層116は第1の無機物層109と連続的に設けられるものではなく、次項の〈製造方法〉で述べるように、別工程で形成される。したがって、本実施の形態においては第2の無機物層116の材料は第1の無機物層109と別材料とすることができる。第2の無機物層116の材料としては、実施の形態1で挙げた第1の無機物層109と同様の材料、例えばSiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料を用いることができる。
 <製造方法>
 図5において有機EL装置1Aの製造工程の一例を示す。
 まず、TFT基板100上に引き出し電極101,パッシベーション層102,反射陽極104,バンク105,有機発光層106,電子輸送層107を順に積層する(図5(a))。
 次に、電子輸送層107の表面上に透明陰極108,第1の無機物層109を形成する(図5(b))。
 次に、基板をチャンバー内に導入し、第1の無機物層109上に真空蒸着法により活性層114を形成する(図5(c))。
 次に、活性層114上に、真空蒸着法により第2の無機物層116を形成する(図6(d))。この工程を経ることで、第1の基板3および第2の基板2をシール材113により接合する工程(図5(e))において、活性層114が水分や酸素と接触することを防止できる。よって、活性層114として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができ、その分、乾燥剤の量を削減しても、装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。
 続いて、封止基板112上にブラックマトリクス120および121,カラーフィルター111を積層する工程、第1の基板3および第2の基板2をシール材113により接合する工程(図5(e))と進むが、これらは実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
 第1の基板3および第2の基板2を貼り合わせたのち、第2の無機物層に向けてレーザ光を照射する(図5(f))。これにより、第2の無機物層116の断面に貫通孔115が形成される(図5(g))。これらの工程により、有機EL装置1Aが完成する。
 以上説明したように、本実施の形態によっても、乾燥させた不活性ガス雰囲気下で行われる、第1の基板3および第2の基板2をシール材113により接合する工程において、活性層114が水分や酸素と接触することを防止できる。よって活性層114として吸湿性もしくは易酸化性の高い乾燥剤を用いることができる。その分、乾燥剤の量を削減しても、乾燥を開始させたい装置使用時まで乾燥剤としての機能を維持することが可能である。したがって、従来と比較して薄型の有機EL装置を提供することができる。
 [実施の形態3]
 本実施の形態に係る有機EL装置は、活性層114の下層にレーザ光照射によりひびの発生しやすい材料もしくはレーザ光を反射する光反射性の材料からなる促進層を設けることにより、貫通孔115形成の際に必要なエネルギーを低減することが可能な構成を示す。
 <概略構成>
 図6は本実施の形態に係る有機EL装置の横方向に沿ったXZ断面図である。
 表示領域10の構成は、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
 周辺領域20においては、引き出し電極101、パッシベーション層102、促進層117、活性層114、第2の無機物層116が順次積層されている。
 促進層117は、レーザ光を反射する光反射性の材料もしくはレーザ光照射によりひびの発生しやすい材料からなる層である。以下、レーザ光を反射する光反射性の材料からなる促進層を光反射性促進層117、レーザ光照射によりひびの発生しやすい材料からなる促進層を熱膨張性促進層117と称する。本実施の形態では、例えば、光反射性促進層117を反射陽極104と共通の材料とした例を示している。
 光反射性促進層117を活性層114の下層に配設することで、貫通孔115形成の際に、第2の無機物層116および活性層114を越えてTFT基板100に侵入したレーザ光を活性層114側に反射させることができ、エネルギーを効率的に第2の無機物層116に伝えることが可能である。よって、光反射性促進層117を設けない場合よりも弱いレーザパワーで貫通孔115を形成することができる。これにより、TFT基板100上に配置された引き出し電極等に与えるダメージを低減することができる。さらに、光反射性促進層117を採用した場合には、TFT基板100に侵入したレーザ光を反射させることもできる。よって、熱膨張性促進層117を用いる場合よりも、TFT基板100上に配置された引き出し電極101等に与えるダメージをより低減することができる。
 本実施の形態として、図6では、光反射性促進層117を反射陽極104と共通の材料としている。このような構成にすることで、反射陽極104を形成する工程において、光反射性促進層117を同時に形成することができる。よって、光反射性促進層117を設けるための工程を別途必要としない。なお、このような効果を得るためには、必ずしも反射陽極104の材料を光反射性促進層117の材料として採用する必要はなく、有機EL素子4を構成する各機能層のうち、活性層114と共通材料とする層よりも先に形成される層であればよい。
 一方、熱膨張性促進層117を採用した場合には、貫通孔115形成のためのレーザ光を照射する際、第2の無機物層116よりも熱膨張性促進層117の方に先にひびを発生させ、このひびが発生した際の衝撃を第2の無機物層116に伝達させることが可能である。よって、熱膨張性促進層117を設けない場合よりも弱いレーザパワーで貫通孔115を形成することができる。こうすることで、TFT基板100上に配置された引き出し電極101等に与えるダメージをより低減することができる。
 熱膨張性促進層117の材料としては、有機EL素子4を構成する各機能層のうち、活性層114と共通材料とする層よりも先に形成される層で、かつ有機物で形成されている層と同一材料を採用することが望ましい。一般的に、有機物は無機物よりも熱膨張性が高い。また、有機EL素子4を構成する層は有機物で構成されているものが多いため、別途、熱膨張性促進層117用の材料を検討する必要がなくなる。さらに、有機EL素子4を構成する何れかの機能層と同一材料とすることで、その機能層を形成する工程において、熱膨張性促進層117を同時に形成することができる。
 <製造方法>
 有機EL装置1Bの製造工程の一例を示す。ここでは反射陽極104を光反射性促進層117として用いる構成の製造工程について説明する。
 まず、TFT基板100上に引き出し電極101,パッシベーション層102,反射陽極104を順に積層する。
 次に、反射陽極104を形成する。このとき、周辺領域20において活性層114の形成が予定された領域にも、反射陽極104と同一材料からなる層を同時に形成し、これを光反射性促進層117とする。このようにすることによって別途、促進層117を形成する工程が不要となる。なお、従来の製造工程におけるパターンマスクを変えることで、反射陽極104および光反射性促進層117を同時に形成することができる。
 次に、バンク105,有機発光層106,電子輸送層107を順に積層する。電子輸送層107を形成する際、実施の形態1と同様に、同時に活性層114も形成する。こうすることによって別途、活性層114を形成する工程が不要となる。
 次に、透明陰極108の表面に、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の材料を真空蒸着法で成膜し、第1の無機物層109を形成する。このとき、表示領域10上だけでなく、周辺領域20上において活性層114を覆うように第1の無機物層109を塗布することによって、第1の無機物層109および第2の無機物層116を同時に形成することができる。この工程を経ることで、以降の第1の基板3および第2の基板2をシール材113により接合する工程において、活性層114が水分や酸素と接触することを防止できる。
 続いて、封止基板112上にブラックマトリクス120および121,カラーフィルター111を積層する工程、第1の基板3および第2の基板2とをシール材113により接合する工程と進むが、これらは実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
 封止基板112および第1の基板3を貼り合わせたのち、第2の無機物層に向けてレーザ光を照射する。これにより、第2の無機物層116の断面に貫通孔115が形成される。これらの工程により、有機EL装置1Bが完成する。
 以上説明したように、本実施の形態によれば、促進層117を設けることで、弱いレーザパワーで第2の無機物層116の断面に貫通孔115を形成することができる。よって、TFT基板100上に配置された引き出し電極101等に与えるダメージをより低減することができる。さらに、有機EL素子4を構成する何れかの機能層に用いられている材料と、促進層117の材料とを共通材料とすることで、促進層117を形成する工程を従来の有機EL素子を形成する工程中に同時に行うことができる。
 なお、本実施の形態としては、熱膨張性促進層および光反射性促進層の何れか一方を形成する構成のほか、光反射性促進層を形成した上に熱膨張性促進層を積層する構成も考えられる。また、上述した製造方法に限定されず、促進層117を有機EL素子4の形成とは別工程で形成することとしてもよい。この場合には、促進層117の材料を、有機EL素子4を構成する何れかの機能層と異なるものとすることができる。
 なお、上記実施の形態1~3で述べた有機EL装置1、1A、1Bはトップエミッション型の有機EL装置に限定されず、ボトムエミッション型の有機EL装置にも適用できる。
 [表示装置]
 図7は、本発明の一態様に係る有機EL装置1,1A,1Bの何れかを搭載した表示装置5の外観を例示する図である。
 本発明の有機EL装置は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に好適に利用可能である。
  1、1A、1B 有機EL装置
  2 第2の基板
  3 第1の基板
  4 有機EL素子
  5 表示装置
  10 表示領域
  20 周辺領域
  100 TFT基板
  101 引き出し電極
  102 パッシベーション層
  103 平坦化層
  104 反射陽極
  105 バンク
  106 有機発光層
  107 電子輸送層
  108 透明陰極
  109 第1の無機物層
  110 封止空間
  111 カラーフィルター
  112 封止基板
  113 シール材
  114 活性層
  115 貫通孔
  116 第2の無機物層
  117 促進層
  120、121 ブラックマトリクス

Claims (22)

  1.  第1の基板と、
     前記第1の基板上に設けられた複数の有機EL素子と、
     前記複数の有機EL素子を被覆する第1の無機物層と、
     前記第1の基板上における前記複数の有機EL素子が設けられていない領域に設けられ、少なくとも吸湿性および易酸化性の一方を有する材料からなる活性層と、
     前記活性層を被覆する第2の無機物層と、
     前記第1の基板と前記複数の有機EL素子を介して対向配置された第2の基板と、
     前記第1の基板と前記第2の基板との間隙に設けられ、前記複数の有機EL素子および前記活性層を取り囲むシール材と
     を備え、
     前記第2の無機物層に設けられた貫通孔を介して、前記活性層が前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露している
     ことを特徴とする有機EL装置。
  2.  前記貫通孔はひびである
     ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
  3.  前記複数の有機EL素子は前記第1の基板上に行列状に配列されており、前記活性層が前記複数の有機EL素子の周囲を取り囲むように設けられている
     ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
  4.  前記活性層はアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、これらの何れかを含む電荷輸送性の有機物、の何れかからなる
     ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
  5.  第1の基板と、
     前記第1の基板上に設けられた複数の有機EL素子と、
     前記複数の有機EL素子を封止する第1の無機物層と、
     前記第1の基板上において前記複数の有機EL素子が設けられていない領域に形成され、少なくとも吸湿性および易酸化性の一方を有する材料からなる活性層と、
     前記活性層を被覆する第2の無機物層と、
     前記第1の基板と前記複数の有機EL素子を介して対向配置された第2の基板と、
     前記第1の基板とこれに対向配置された前記第2の基板との間隙に設けられ、前記複数の有機EL素子および前記活性層を取り囲むシール材と
     を備え、
     前記活性層を被覆するように前記第2の無機物層を形成する工程と、
     前記第1の基板とこれに対向配置された前記第2の基板との間隙を前記シール材により接合する工程と、
     前記第2の無機物層に貫通孔を設けることで、前記活性層を前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露させる工程と
     により、
     前記活性層は、前記第2の無機物層に設けられた貫通孔を介して、前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露している
     ことを特徴とする有機EL装置。
  6.  前記貫通孔はひびである
     ことを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置。
  7.  前記複数の有機EL素子は前記第1の基板上に行列状に配列されており、前記活性層が前記複数の有機EL素子の周囲を取り囲むように設けられている
     ことを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置。
  8.  前記活性層はアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、これらの何れかを含む電荷輸送性の有機物、の何れかからなる
     ことを特徴とする請求項5に記載の有機EL装置。
  9.  第1の基板上に複数の有機EL素子を形成する工程と、
     前記複数の有機EL素子を封止する第1の無機物層を形成する工程と、
     前記第1の基板上における前記複数の有機EL素子が形成されていない領域に、少なくとも吸湿性もしくは易酸化性を有する材料からなる活性層を形成する工程と、
     前記活性層を被覆するように第2の無機物層を形成する工程と、
     前記第1の基板および当該第1の基板と前記有機ELを介して対向配置された第2の基板との間隙を前記シール材により接合する工程と、
     前記第2の無機物層に貫通孔を設けることで、前記活性層を前記第1の基板、前記第2の基板および前記シール材により形成される封止空間に暴露させる工程とを含む
     ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
  10.  活性層を前記封止空間に暴露させる工程において、レーザ光を前記第2の無機物層に向けて照射することにより前記貫通孔を設ける
     ことを特徴とする請求項9に記載の有機EL装置の製造方法。
  11.  前記有機EL装置の製造方法は、さらに、
     前記第1の無機物層を形成する工程と前記活性層を形成する工程の間において、
     前記活性層の形成が予定された領域に前記第2の無機物層よりも熱膨張率の高い材料からなる熱膨張性促進層を形成する工程を含む
     ことを特徴とする請求項10に記載の有機EL装置の製造方法。
  12.  前記有機EL装置の製造方法は、さらに、
     前記第1の無機物層を形成する工程と前記活性層を形成する工程の間において、
     前記活性層の形成が予定された領域に光反射性を有する材料からなる光反射性促進層を形成する工程を含む
     ことを特徴とする請求項10に記載の有機EL装置の製造方法。
  13.  前記第2の無機物層は少なくとも波長500nm以下の光を吸収する材料からなる
     ことを特徴とする請求項10に記載の有機EL装置の製造方法。
  14.  前記第2の基板は少なくとも波長500nm以下の光を透過する材料からなる
     ことを特徴とする請求項10に記載の有機EL装置の製造方法。
  15.  各有機EL素子は第1機能層を含み、
     前記活性層は前記第1機能層と同一材料からなり、かつ、前記活性層を形成する工程は前記複数の有機EL素子を形成する工程における前記第1機能層の形成と同時に行われ、
     前記第2の無機物層は、前記第1の無機物層と同一材料からなり、かつ、前記第2の無機物層を形成する工程は前記第1の無機物層を形成する工程と同時に行われる
     ことを特徴とする請求項9に記載の有機EL装置の製造方法。
  16.  前記第1機能層が電子輸送層である
     ことを特徴とする請求項15に記載の有機EL装置の製造方法。
  17.  活性層を前記封止空間に暴露させる工程において、レーザ光を前記第2の無機物層に向けて照射することにより前記貫通孔を設ける
     ことを特徴とする請求項15に記載の有機EL装置の製造方法。
  18.  各有機EL素子は、さらに、前記第1機能層の形成よりも前に形成されるとともに前記第1機能層よりも熱膨張率の高い材料からなる第2機能層を含み、
     前記複数の有機EL素子を形成する工程において、前記第2機能層と同一材料からなる熱膨張性促進層が、前記第2機能層の形成と同時に前記活性層の形成が予定された領域に形成され、
     前記活性層を形成する工程において、前記活性層は前記熱膨張性促進層上に形成される
     ことを特徴とする請求項17に記載の有機EL装置の製造方法。
  19.  各有機EL素子は、さらに、前記第1機能層の形成よりも前に形成されるとともに光反射性を有する材料からなる第2機能層を含み、
     前記複数の有機EL素子を形成する工程において、前記第1電極と同一材料からなる光反射性促進層が、前記第1電極の形成と同時に前記活性層の形成が予定された領域に形成され、
     前記活性層を形成する工程において、前記活性層は前記光反射性促進層上に形成される
     ことを特徴とする請求項17に記載の有機EL装置の製造方法。
  20.  前記第2機能層が電極である
     ことを特徴とする請求項19に記載の有機EL装置の製造方法。
  21.  前記活性層はアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、これらの何れかを含む電荷輸送性の有機物、の何れかからなる
     ことを特徴とする請求項9に記載の有機EL装置の製造方法。
  22.  前記第1の基板は少なくとも波長500nm以下の光を透過する材料からなる
     ことを特徴とする請求項17に記載の有機EL装置の製造方法。
PCT/JP2010/001361 2010-03-01 2010-03-01 有機el装置およびその製造方法 WO2011108020A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020107024417A KR101663840B1 (ko) 2010-03-01 2010-03-01 유기 el 장치 및 그 제조 방법
CN201080001932.8A CN102326448B (zh) 2010-03-01 2010-03-01 有机el装置及其制造方法
JP2010543246A JP5576296B2 (ja) 2010-03-01 2010-03-01 有機el装置およびその製造方法
PCT/JP2010/001361 WO2011108020A1 (ja) 2010-03-01 2010-03-01 有機el装置およびその製造方法
US13/043,872 US8604490B2 (en) 2010-03-01 2011-03-09 Organic light-emitting device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2010/001361 WO2011108020A1 (ja) 2010-03-01 2010-03-01 有機el装置およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/043,872 Continuation US8604490B2 (en) 2010-03-01 2011-03-09 Organic light-emitting device and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011108020A1 true WO2011108020A1 (ja) 2011-09-09

Family

ID=44504834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/001361 WO2011108020A1 (ja) 2010-03-01 2010-03-01 有機el装置およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8604490B2 (ja)
JP (1) JP5576296B2 (ja)
KR (1) KR101663840B1 (ja)
CN (1) CN102326448B (ja)
WO (1) WO2011108020A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014044793A (ja) * 2012-07-31 2014-03-13 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2014154450A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Japan Display Inc 有機半導体素子および有機半導体素子の製造方法
JP2016189450A (ja) * 2014-07-18 2016-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
JP2017103252A (ja) * 2012-07-31 2017-06-08 株式会社Joled 表示装置および電子機器
JP2017120749A (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
JP7458847B2 (ja) 2020-03-24 2024-04-01 キヤノン株式会社 表示装置および電子装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201138029A (en) * 2010-03-26 2011-11-01 Kyocera Corp Light-reflecting substrate, substrate which can be mounted in light-emitting element, light-emitting device, and process for production of substrate which can be mounted in light-emitting element
KR101722026B1 (ko) * 2010-10-22 2017-04-12 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 패널, 평판 표시 패널용 원장기판, 및 평판 표시 패널 제조 방법
JP5858367B2 (ja) * 2010-12-28 2016-02-10 シャープ株式会社 有機el表示ユニット、有機el表示装置、及び有機el表示ユニットの製造方法
KR101521676B1 (ko) * 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
KR101473309B1 (ko) 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR20140089856A (ko) * 2013-01-07 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102082780B1 (ko) * 2013-01-10 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP2015122148A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN110970462B (zh) * 2018-09-29 2022-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
US11038149B2 (en) * 2018-11-13 2021-06-15 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel having light-absorbing photoresist layer

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260562A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Toyota Motor Corp 吸湿膜及び有機el表示装置
JP2001068266A (ja) * 1999-08-24 2001-03-16 Toyota Motor Corp 有機el素子及びその製造方法
JP2001167875A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Toyota Motor Corp 有機el素子の吸着剤保持構造
JP2001176655A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003264061A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Futaba Corp 有機el素子
JP2003297559A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Eastman Kodak Co 上面発光型有機発光ダイオード表示装置
JP2005216752A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Seiko Epson Corp 吸湿ブロック、電気光学装置、電子機器、画像形成装置及び電気光学装置の製造方法
JP2007265764A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Canon Inc 有機el素子
JP2009110872A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Hitachi Displays Ltd 表示装置

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US6124006A (en) * 1995-04-19 2000-09-26 Capitol Specialty Plastics, Inc. Modified polymers having controlled transmission rates
JPH10114310A (ja) * 1996-10-08 1998-05-06 Daicel Chem Ind Ltd 包装加工方法
JP3817081B2 (ja) 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法
JP2000294369A (ja) * 1999-04-05 2000-10-20 Chisso Corp 有機el素子
US6833668B1 (en) * 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4306977B2 (ja) * 2001-04-10 2009-08-05 三星モバイルディスプレイ株式會社 粉体保持シート、粉体保持シートの製造方法及び該粉体保持シートを備えた有機el表示装置
JP4841751B2 (ja) * 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
US6470594B1 (en) * 2001-09-21 2002-10-29 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication utilizing vent holes or gaps
JP4305811B2 (ja) * 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
JP4023655B2 (ja) * 2001-11-07 2007-12-19 双葉電子工業株式会社 透明膜状乾燥剤及び透明液状乾燥剤
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1506694A1 (en) * 2002-05-10 2005-02-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent panel
KR100460210B1 (ko) * 2002-10-29 2004-12-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2004207084A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004296202A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Tohoku Pioneer Corp 有機elパネル及びその製造方法
JP2004348971A (ja) * 2003-03-27 2004-12-09 Tohoku Pioneer Corp 有機el表示パネル及びその製造方法
KR100496286B1 (ko) * 2003-04-12 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI241148B (en) * 2003-05-21 2005-10-01 Pioneer Corp Organic electroluminescence display panel
JP2005011794A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Tohoku Pioneer Corp 有機elパネル及びその製造方法
JP4820536B2 (ja) * 2003-06-25 2011-11-24 彬雄 谷口 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100563059B1 (ko) * 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름
US7495644B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
KR100542771B1 (ko) * 2003-12-30 2006-01-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
US7423373B2 (en) * 2004-03-26 2008-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR100591254B1 (ko) * 2004-04-29 2006-06-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
US7476908B2 (en) * 2004-05-21 2009-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7491590B2 (en) * 2004-05-28 2009-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor in display device
DE102004035965B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
US7316756B2 (en) * 2004-07-27 2008-01-08 Eastman Kodak Company Desiccant for top-emitting OLED
US20060093795A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Eastman Kodak Company Polymeric substrate having a desiccant layer
JP2006185840A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Tohoku Pioneer Corp シート状乾燥部材、有機elパネル、有機elパネルの製造方法
KR100670328B1 (ko) * 2005-03-30 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법
JP2007103317A (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd El表示パネル
KR100700831B1 (ko) * 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법
US7508130B2 (en) * 2005-11-18 2009-03-24 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US20070172971A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Eastman Kodak Company Desiccant sealing arrangement for OLED devices
EP1863105B1 (en) * 2006-06-02 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2007335365A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8153201B2 (en) * 2007-10-23 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
US8362698B2 (en) * 2008-02-26 2013-01-29 Tohoku Pioneer Corporation Organic EL panel and its manufacturing method
KR101563763B1 (ko) * 2008-05-07 2015-10-27 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機el表示装置
US7948178B2 (en) * 2009-03-04 2011-05-24 Global Oled Technology Llc Hermetic seal
TW201101478A (en) * 2009-03-25 2011-01-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same
KR101700989B1 (ko) * 2009-06-24 2017-01-31 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법
JP4599469B1 (ja) * 2009-08-31 2010-12-15 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
JP5690280B2 (ja) * 2009-10-15 2015-03-25 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
US20120242937A1 (en) * 2009-10-30 2012-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha Electro-optic device and method for manufacturing same
KR102138213B1 (ko) * 2010-11-24 2020-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 광 디바이스 및 유기 광 디바이스의 보호 부재
US8809879B2 (en) * 2011-04-07 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and a method of manufacturing light-emitting device
JP6151888B2 (ja) * 2011-05-27 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260562A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Toyota Motor Corp 吸湿膜及び有機el表示装置
JP2001068266A (ja) * 1999-08-24 2001-03-16 Toyota Motor Corp 有機el素子及びその製造方法
JP2001167875A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Toyota Motor Corp 有機el素子の吸着剤保持構造
JP2001176655A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003264061A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Futaba Corp 有機el素子
JP2003297559A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Eastman Kodak Co 上面発光型有機発光ダイオード表示装置
JP2005216752A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Seiko Epson Corp 吸湿ブロック、電気光学装置、電子機器、画像形成装置及び電気光学装置の製造方法
JP2007265764A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Canon Inc 有機el素子
JP2009110872A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Hitachi Displays Ltd 表示装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10476031B2 (en) 2012-07-31 2019-11-12 Joled Inc. Display unit with moisture proof film outside of seal section and electronic apparatus with said display unit
US9865839B2 (en) 2012-07-31 2018-01-09 Joled Inc. Display unit with moisture proof film outside of seal section and electronic apparatus with said display unit
US11069878B2 (en) 2012-07-31 2021-07-20 Joled, Inc. Display unit with moisture proof film outside of seal section and electronic apparatus with said display unit
JP2014044793A (ja) * 2012-07-31 2014-03-13 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2017103252A (ja) * 2012-07-31 2017-06-08 株式会社Joled 表示装置および電子機器
US11800741B2 (en) 2012-07-31 2023-10-24 Joled, Inc. Display unit with moisture proof film outside of seal section and electronic apparatus with said display unit
US10305065B2 (en) 2012-07-31 2019-05-28 Joled Inc. Display unit with moisture proof film outside of seal section and electronic apparatus with said display unit
JP2014154450A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Japan Display Inc 有機半導体素子および有機半導体素子の製造方法
US9466813B2 (en) 2013-02-12 2016-10-11 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
US9728748B2 (en) 2013-02-12 2017-08-08 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
US10319947B2 (en) 2013-02-12 2019-06-11 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
US9728747B2 (en) 2013-02-12 2017-08-08 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
US10629849B2 (en) 2013-02-12 2020-04-21 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
US9812669B2 (en) 2013-02-12 2017-11-07 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
US11600801B2 (en) 2013-02-12 2023-03-07 Japan Display Inc. OLED with a flattening layer between two barrier layers
JP2016189450A (ja) * 2014-07-18 2016-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
TWI690252B (zh) * 2014-07-18 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電路基板的製造方法、發光裝置的製造方法及發光裝置
JP2017120749A (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
JP7458847B2 (ja) 2020-03-24 2024-04-01 キヤノン株式会社 表示装置および電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102326448B (zh) 2015-03-25
JPWO2011108020A1 (ja) 2013-06-20
KR101663840B1 (ko) 2016-10-07
US20110210348A1 (en) 2011-09-01
US8604490B2 (en) 2013-12-10
JP5576296B2 (ja) 2014-08-20
KR20120136433A (ko) 2012-12-20
CN102326448A (zh) 2012-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011108020A1 (ja) 有機el装置およびその製造方法
EP1811571B1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR102465503B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20010050684A (ko) 일렉트로 루미네센스 장치의 봉지 구조
JP4448148B2 (ja) 有機発光装置
WO2011004567A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2007200883A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US8717260B2 (en) EL display panel, EL display device provided with EL display panel, organic EL display device, and method for manufacturing EL display panel
KR102160694B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140096982A (ko) 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시 장치
JP2019121575A (ja) 有機el表示パネルおよびその製造方法
JP6439188B2 (ja) 有機el表示パネル及び有機el表示装置
US8350471B2 (en) EL display panel, EL display device provided with EL display panel, organic EL display device, and method for manufacturing EL display panel
WO2013047622A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2011100554A (ja) 発光装置
JP2020035713A (ja) 有機el表示パネル
JP2020030933A (ja) 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法
JP2009181865A (ja) 表示装置
WO2018173177A1 (ja) 有機el表示装置及びその製造方法
JP2011150828A (ja) 有機el装置およびその製造方法
JP6098090B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5034812B2 (ja) 有機el装置
JP2019133835A (ja) 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法
JP2010049986A (ja) 有機el表示装置
JP4942223B2 (ja) 有機el装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080001932.8

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010543246

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107024417

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10846932

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10846932

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1