WO2012133716A1 - 有機el発光装置、有機el発光装置の製造方法及び有機el照明装置 - Google Patents

有機el発光装置、有機el発光装置の製造方法及び有機el照明装置 Download PDF

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WO2012133716A1
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light emitting
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electrode contact
negative electrode
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嘉一 坂口
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    • H10K2102/341Short-circuit prevention

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL light emitting device, a method for manufacturing the organic EL light emitting device, and an organic EL lighting device.
  • An illuminating device including a light-emitting device using organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) has been used more frequently, such as being put to practical use in a mobile phone display.
  • a lighting device using an organic EL has advantages such as energy saving, low heat generation, thin and light, and environmental friendliness as compared with a conventional lighting device such as a fluorescent lamp.
  • the illumination range can be widened because of the surface light source, or when a plastic substrate is used, it can be applied to a lighting device with high designability. For this reason, it is expected not only in homes, offices, and car lighting devices, but also in decorative lighting and POP lighting.
  • Patent Document 3 describes a planar light-emitting device that can reduce luminance unevenness and reduce the area of a non-light-emitting portion.
  • the technology is that two predetermined parallel sides of the four sides of the rectangular light-emitting portion constituted by a region in which only the organic layer is interposed between the planar anode and the planar cathode and the outer peripheral edge of the transparent substrate Is smaller than the distance between the other two parallel sides and the outer peripheral edge of the transparent substrate, and the cathode feeding portion and the anode feeding portion are arranged along the other two parallel sides of the light emitting portion, and the cathode
  • This is a technique in which anode power feeding units are arranged on both sides in the width direction of the power feeding unit.
  • Patent Document 1 describes an organic EL element having a light emitting region with a narrow width of an electrode wiring pattern in which an extraction terminal for an anode and a cathode is installed on the short side of a transparent substrate. Further, in Patent Document 2, the cathode has a lower electrical resistance than the anode, and the luminance unevenness can be reduced by making the surface of the anode terminal connected to the outside larger than the surface of the cathode terminal connected to the outside. An organic EL element is described.
  • a related process of manufacturing an organic EL light emitting device is generally performed on a substrate with a transparent conductive electrode film such as ITO (Indium Tin Oxide), an electrode, an interlayer insulating film, and a photosensitive organic material. Insulators are formed sequentially.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the etching process during the process roughens the ITO surface and the ITO edge, causing a short circuit during use and causing defects.
  • the process is complicated and very expensive.
  • the organic EL light emitting device voltage is applied from the positive electrode and the negative electrode, carriers are injected, and light is emitted.
  • the electrode portion generally uses each side, but an electrode extraction portion must be formed on each side. That part was a non-light emitting part.
  • a so-called panel with a large frame portion and a low aperture ratio causes a decrease in total luminous flux and a decrease in illuminance, which is disadvantageous compared to other light sources. .
  • the organic EL light emitting device is used as a backlight for, for example, a bulletin board or an advertisement display other than lighting, or when used for a curved lighting device.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an organic EL light-emitting device, an organic EL light-emitting device manufacturing method, and an organic EL lighting device that are easy in process and capable of increasing the aperture ratio.
  • the purpose is to do.
  • the organic EL light emitting device is: A transparent substrate, A transparent electrode film formed on the substrate; A portion of the transparent electrode film, a positive electrode contact portion electrically connected to the transparent electrode film; An insulator layer formed by opening a light emitting portion on the transparent electrode film; An organic light emitting layer formed on the transparent electrode film and the insulator layer; A negative electrode layer formed on the organic light emitting layer; A negative electrode contact portion in contact with at least a part of the negative electrode layer and electrically connected to the negative electrode layer; A protective layer formed between the transparent electrode film and the positive electrode contact part, and the negative electrode contact part to separate and electrically insulate; With The positive electrode contact part and the negative electrode contact part are electrically insulated by the insulator layer or the protective layer, The transparent electrode film covers the entire range of the positive electrode contact portion, the insulator layer, the organic light emitting layer, the negative electrode layer, the negative electrode contact portion, and the protective layer on the substrate. It is characterized by being formed without gaps.
  • the manufacturing method of the organic EL light emitting device includes: Forming a transparent electrode film on a transparent substrate; Forming a positive electrode contact portion electrically connected to the transparent electrode film in a part of the transparent electrode film; Forming a negative electrode contact portion in a part above the transparent electrode film, spaced apart from the transparent electrode film and the positive electrode contact portion; Forming an insulator layer by opening a light emitting part on the transparent electrode film; Forming an organic light emitting layer on the transparent electrode film and the insulator layer; Forming on the organic light emitting layer a negative electrode layer that is electrically connected to the negative electrode contact portion and spaced apart from the transparent electrode film and the positive electrode contact portion; With Before the step of forming the negative electrode contact portion, Forming a protective layer between the transparent electrode film, the positive electrode contact portion, and the negative electrode contact portion to electrically insulate the transparent electrode film, the positive electrode contact portion, and the negative electrode contact portion; It is characterized by providing.
  • the organic EL lighting device is: An organic EL light emitting device according to the first aspect of the present invention is provided.
  • the organic EL lighting device is: The organic EL light-emitting device manufactured with the manufacturing method of the organic EL light-emitting device which concerns on the 2nd viewpoint of this invention is provided.
  • the process is easy and the aperture ratio can be increased.
  • FIG. 2 is a configuration cross-sectional view of the organic EL light emitting device according to Embodiment 1, showing a cross section taken along line X1-X1 in FIG. 1F.
  • FIG. 2 is a configuration cross-sectional view of the organic EL light emitting device according to Embodiment 1, showing a cross section taken along line Y1-Y1 of FIG. 1F. It is a structure sectional view showing a modification of the organic EL light emitting device shown in FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to Embodiment 2, showing a cross section taken along line Y2-Y2 of FIG. 4F.
  • FIG. 4 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to Embodiment 2, showing a cross section taken along line Y2-Y2 of FIG. 4F.
  • FIG. 5 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to Embodiment 2, showing a cross-sectional portion taken along line X2-X2 in FIG. 4F.
  • FIG. 5 is a configuration plan view showing a different configuration of an organic EL light emitting device according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 7 is a configuration cross-sectional view of a different configuration of the organic EL light emitting device according to Embodiment 2, showing a cross section taken along line Y3-Y3 of FIG.
  • FIG. 7 is a configuration cross-sectional view of a different configuration of the organic EL light emitting device according to Embodiment 2, showing a cross section taken along line Y3-Y3 of FIG.
  • It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1 It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 3 of this invention. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 3 of this invention. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 3 of this invention. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 3 of this invention. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 3 of this invention. FIG.
  • FIG. 8 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to Embodiment 3, showing a cross section taken along line X4-X4 of FIG. 8F.
  • FIG. 8 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to Embodiment 3, showing a cross section taken along line X4-X4 of FIG. 8F.
  • FIG. 8 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to Embodiment 3, showing a cross section taken along line Y4-Y4 of FIG. 8F. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light-emitting device which concerns on the modification of Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 10 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to a modification of Embodiment 3, showing a cross section taken along line Y5-Y5 in FIG. 11F. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 4 of this invention. It is a structure top view which shows an example of the manufacturing process of the organic electroluminescent light emitting device concerning Embodiment 4 of this invention.
  • FIG. 1A to 1F are configuration plan views showing an example of manufacturing steps of the organic EL light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a structural cross-sectional view of the organic EL light emitting device according to Embodiment 1, and shows a cross section taken along line X1-X1 of FIG. 1F.
  • FIG. 3A is a structural cross-sectional view of the organic EL light emitting device according to Embodiment 1, and shows a cross section taken along line Y1-Y1 of FIG. 1F.
  • FIG. 3B shows a modification of FIG. 3A.
  • the light emission principle of organic EL is that when a voltage is applied to the cathode and the anode, electrons and holes injected from each recombine in the light emitting layer, thereby forming excitons and becoming excited. This mechanism emits light when returning to a low energy level (such as a ground state).
  • a low energy level such as a ground state
  • an excited state having the same electron spin multiplicity as the ground state is a singlet excited state
  • an excited state having a different electron spin multiplicity is a triplet excited state.
  • Luminescence is obtained when returning from this excited state to a low level or ground state, and fluorescence is obtained from the singlet excited state, and phosphorescence is obtained from the triplet excited state.
  • the light-emitting layer is a two-component system including a host and a dopant, the excited state generated by the host molecule transfers energy to the dopant molecule, and the dopant molecule emits light.
  • the organic EL light emitting device 100 includes a substrate 1, a transparent electrode film (positive electrode film) 2, a protective layer 3, a positive electrode contact / power supply unit 4 (hereinafter referred to as a positive electrode contact unit 4), and a negative electrode contact / power supply unit 5 (hereinafter referred to as a positive electrode contact / power supply unit 5).
  • the organic EL light emitting device 100 is used for an organic EL lighting device (lighting device) such as a room lamp.
  • the organic EL light emitting device 100 is not limited to a lighting device, and may be used in various applications such as a bulletin board, an information display panel for advertisements, an image display, a liquid crystal display backlight, a display device used for home appliances, and the like. Is available.
  • the positive electrode contact / power supply unit 4 also serves as the positive electrode contact unit 4 and a power supply unit that supplies power to the organic light emitting layer 8 via the positive electrode contact unit 4.
  • the negative electrode contact / power supply unit 5 also serves as the negative electrode contact unit 5 and a power supply unit that supplies power to the organic light emitting layer 8 via the negative electrode contact unit 5.
  • the substrate 1 is formed of a material such as non-alkali glass, for example. Further, a flexible resin substrate such as PEN (polyethylene naphthalate) may be used.
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the transparent electrode film 2 is made of, for example, indium tin oxide (ITO) or the like, and is formed on almost the entire surface of the substrate 1 without any gaps by sputtering or the like.
  • the almost entire surface on the substrate 1 includes a range in which the protective layer 3, the positive electrode contact portion 4, the negative electrode contact portion 5, the auxiliary electrode 6, the insulator layer 7, the organic light emitting layer 8, and the negative electrode film 9 are formed. Refers to the entire range.
  • the transparent electrode film 2 includes the protective layer 3, the positive electrode contact portion 4, the negative electrode contact portion 5, the auxiliary electrode 6, the insulator layer 7, the organic light emitting layer 8, and the negative electrode in plan view on the substrate 1. It is formed over the entire region including at least the region (range) where the film 9 is formed.
  • the transparent electrode film 2 may be formed so as to cover the entire surface without gaps to the edge of the substrate 1 or may not be completely covered up to the edge of the substrate 1, but at least the protective layer 3, the positive electrode contact portion 4, the negative electrode A transparent electrode film 2 is formed below the contact portion 5, the auxiliary electrode 6, the insulator layer 7, the organic light emitting layer 8, and the negative electrode film 9.
  • the transparent electrode film 2 may be formed by another physical vapor deposition method (PVD: Physical Vapor Deposition) such as a vacuum vapor deposition method.
  • PVD Physical Vapor Deposition
  • the thickness of the transparent electrode film 2 can be set to 100 to 300 nm, for example.
  • the protective layer 3 is formed on the transparent electrode film 2 and the like, and is used to form a base for lift-up while insulating the layers.
  • the protective layer 3 also serves as a planarizing film below the protective layer 3.
  • a photosensitive photoresist material such as novolac, acrylic, or polyimide material, or an inorganic material film such as a silicon nitride (SiNx) film or a silicon oxide (SiOx) film is used.
  • the protective layer 3 can be formed by patterning by photolithography after coating, or by patterning by shadow mask or photoetching using a vacuum vapor deposition method or a chemical vapor deposition method (CVD: Chemical Vapor Deposition). .
  • the transparent electrode film 2 is formed on the substrate 1, and the negative electrode contact portion 5 is formed on the protective layer 3.
  • the formed height refers to the position of each layer of the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 from the substrate 1.
  • the difference in height between the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 is hereinafter referred to as forming with different layers.
  • the formation of the different layers also includes forming the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 by different process steps (order).
  • the protective layer 3 is formed on opposite ends of the transparent electrode film 2 so as to border the organic EL light emitting device 100.
  • the protective layer 3 is formed along the left and right opposing sides.
  • a negative electrode contact portion 5 is formed at the end of the transparent electrode film 2 on the side where the protective layer 3 is to be formed.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed on the protective layer 3 so as to provide a gap on the center side of the transparent electrode film 2. As shown in FIGS.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed to be narrower than the protective layer 3, and is retracted by a predetermined distance from the center of the transparent electrode film 2 as compared with the protective layer 3. Yes.
  • the negative electrode contact portion 5 narrower than the protective layer 3 on the protective layer 3, the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 can be easily separated even when not formed with high accuracy. it can.
  • the film thickness can be set to, for example, 500 to 1500 nm.
  • the positive electrode contact portion 4 is electrically connected to the transparent electrode film 2 and injects holes supplied to the organic EL light emitting device 100 into the transparent electrode film 2 through the positive electrode contact portion 4.
  • the positive electrode contact portion 4 is formed to face the end portion on the transparent electrode film 2 on the side where the protective layer 3 is not formed. In this embodiment, as shown to FIG. 1C, it forms along the up-and-down opposing side.
  • the positive electrode contact portion 4 is made of a metal material such as Cr (chromium), Mo—Nd (molybdenum-neodymium), or Mo—Al—Mo (molybdenum-aluminum-molybdenum).
  • the positive electrode contact portion 4 may be formed by a method such as sputtering using a shadow mask or the like, or photoetching may be performed after the entire surface is formed.
  • the negative electrode contact portion 5 is electrically connected to the negative electrode film 9 and injects electrons supplied to the organic EL light emitting device 100 into the negative electrode film 9 through the negative electrode contact portion 5.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed on the protective layer 3 formed in advance on the transparent electrode film 2.
  • the protective layer 3 is a base for lift-up, and is used to form a different layer so that the negative electrode contact portion 5 is not electrically connected to the positive electrode contact portion 4.
  • the protective layer 3 also serves as an interlayer insulator, the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 located above and below the protective layer 3 are not short-circuited. Further, since the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 are formed in different layers, the arrangement of the transparent electrode film 2 connected to the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode film 9 connected to the negative electrode contact portion 5 is An arrangement in which electrical contact is unlikely to occur easily can be achieved.
  • the same metal material as that of the positive electrode contact portion 4 can be used for the negative electrode contact portion 5.
  • the negative electrode contact portion 5 may be formed by a method such as sputtering using a shadow mask or the like, or photoetching may be performed after the entire surface is formed.
  • the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 can be simultaneously formed at the same time in the same process, so that the number of steps is not increased and the process load can be reduced.
  • the auxiliary electrode 6 is electrically connected to the positive electrode contact portion 4 through the transparent electrode film 2 or directly.
  • the auxiliary electrode 6 is made of a metal material such as Cr (chromium), Mo—Nd (molybdenum-neodymium), or Mo—Al—Mo (molybdenum-aluminum-molybdenum).
  • the auxiliary electrode 6 is formed on the transparent electrode film 2 by a method such as sputtering using a shadow mask or the like.
  • the auxiliary electrode 6 may be formed by performing photo-etching into an arbitrary shape after film formation with a metal material.
  • the auxiliary electrode 6 is electrically connected to the positive electrode contact portion 4 via the transparent electrode film 2 or directly.
  • the shape of the auxiliary electrode 6 is not limited to this.
  • the positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6 can be formed simultaneously in the same process, and the number of steps is not increased, and the process load can be reduced.
  • the positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6 may be simultaneously formed by a method such as sputtering or photo-etching into an arbitrary shape after film formation with a metal material.
  • the positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6 may be formed simultaneously.
  • the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 can be easily formed at the same time because the protective layer 3 and / or an insulator layer 7 described later serve as a mask and can be reliably separated at the time of formation. By forming them simultaneously, the number of steps can be reduced.
  • the film thicknesses of the positive electrode contact portion 4, the negative electrode contact portion 5, and the auxiliary electrode 6 can be set to 200 to 1000 nm, for example.
  • the organic EL light emitting device 100 emits light on the light emitting surface by injecting electrons and holes into the light emitting element and recombining them.
  • the auxiliary electrode 6 reduces the voltage drop due to the wiring resistance of the transparent electrode film 2 having a high sheet resistance, facilitates uniform hole supply to the light emitting surface of the organic EL light emitting device 100, and causes in-plane luminance variations. Suppress and maintain stable light emission.
  • the insulator layer 7 is formed along the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5, and is further formed between the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 and on the auxiliary electrode 6.
  • the insulator layer 7 is formed by opening the light emitting portion in order to make the light emitting portion of the organic EL light emitting device 100 into a predetermined shape. For example, as shown in FIG. 1D, a portion formed along each of the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 forms an opening, and a region inside the opening is a light emitting portion of the organic EL light emitting device 100. is there. A part of the insulator layer 7 is formed in a lattice shape so as to further cover the auxiliary electrode 6 inside the opening.
  • the insulator layer 7 also serves as a lower planarizing film.
  • the same material as that of the protective layer 3 can be selected.
  • Photosensitive photoresist materials such as novolac, acrylic, and polyimide materials, silicon nitride (SiNx) films, silicon oxide (SiOx) films, and the like can be used.
  • An inorganic material film is used.
  • the insulator layer 7 may be formed by patterning by photolithography after coating, or by patterning by shadow mask or photoetching using a vacuum vapor deposition method or a chemical vapor deposition method (CVD: Chemical Vapor Deposition). it can.
  • the film thickness when a resist material is used for the insulator layer 7 can be set to 500 to 1500 nm, for example, and the film thickness when an inorganic material is used can be set to 200 to 600 nm, for example.
  • the organic light emitting layer 8 has a role of a light emitting layer, and is formed on the transparent electrode film 2 and the insulator layer 7 where the insulator layer 7 is not formed. At this time, as long as the organic light emitting layer 8 is formed in a portion surrounded by the insulator layer 7, a part of the organic light emitting layer 8 may be formed on the insulator layer 7. Since the insulator layer 7 serves as a mask, it can be patterned in a self-aligning manner. There is no need to directly connect the transparent electrode film 2 and the negative electrode contact portion 5 via the organic light emitting layer 8. At this time, the organic light emitting layer 8 preferably includes a hole injection / transport layer such as a triphenylamine derivative on the transparent electrode film 2. The organic light emitting layer 8 may further include an electron transport layer such as a triazole derivative between the negative electrode film 9.
  • the negative electrode film 9 is formed on the organic light emitting layer 8.
  • the negative electrode film 9 is electrically connected to the negative electrode contact portion 5 and injects electrons supplied to the organic EL light emitting device 100 into the negative electrode film 9 through the negative electrode contact portion 5.
  • the negative electrode film 9 is formed of a metal material such as Al (aluminum).
  • an electron injection layer such as LiF (lithium fluoride) may be provided, and the negative electrode film 9 may be formed thereon.
  • the film thickness of the negative electrode film 9 can be set to, for example, 50 to 300 nm.
  • power supply from the power source to the negative electrode layer 9 may be provided anywhere.
  • the negative electrode film 9 may be formed so that the outer peripheral portion is thick, and power may be supplied from four directions.
  • the organic light emitting layer 8 includes a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer in addition to the light emitting layer, the transparent electrode film 2 to the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are used. It is desirable that the layers are sequentially formed in this order. In order to improve the recombination probability and consequently the emission quantum efficiency, a hole blocking layer may be used between the light emitting layer and the electron transport layer. Further, the organic light emitting layer 8 is not limited to a single light emitting layer, and the light emitting layer may have two layers. The configuration of the organic light-emitting layer 8 can be changed as appropriate.
  • the organic light-emitting layer 8 may be formed from the transparent electrode film 2 in the order of the light-emitting layer and the electron transport layer. .
  • the transparent electrode film 2 may be formed in the order of the hole injection / transport layer and the light emitting layer.
  • the organic light emitting layer 8 may be a single layer including only the light emitting layer. In the present embodiment, the total film thickness of the organic light emitting layer 8 can be set to 100 to 500 nm, for example.
  • a transparent electrode film 2 made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) is formed on a substrate 1 made of a material such as non-alkali glass. Form uniformly on the entire surface.
  • the transparent electrode film 2 is formed by physical vapor deposition (PVD) such as sputtering or vacuum vapor deposition.
  • the protective layer 3 is formed on the opposite side edges of the transparent electrode film 2 (see FIG. 1B).
  • a base lifted up from the transparent electrode film 2 is formed by the protective layer 3 portion, and the negative electrode contact portion 5 and the positive electrode contact portion 4 formed in FIG. 1C can be formed in different layers. Can be easily separated.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed on the protective layer 3, and the positive electrode contact portion 4 is formed on the transparent electrode film 2 on the opposite side edge portion of the transparent electrode film 2 on which the protective layer 3 is not formed.
  • the auxiliary electrode 6 is formed on the transparent electrode film 2.
  • the positive electrode contact portion 4, the negative electrode contact portion 5 and the auxiliary electrode 6 are made of, for example, a metal material such as Cr (chromium), Mo—Nd (molybdenum-neodymium), Mo—Al—Mo (molybdenum-aluminum-molybdenum), It is formed by sputtering using a shadow mask or the like. Alternatively, photoetching may be performed after the metal material is formed.
  • the organic EL light emitting device 100 is formed so as to be electrically connected to a power source connected to the outside of the organic EL light emitting device 100 through the positive electrode contact portion 4.
  • the organic EL light emitting device 100 is organic through the negative electrode contact portion 5.
  • the EL light emitting device 100 is formed so as to be electrically connected to a power source connected to the outside.
  • the protective layer 3 is formed in advance, and the negative electrode contact portion 5 is formed thereon, whereby the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 are formed in different layers to facilitate electrical insulation.
  • the insulator layer 7 is integrally formed simultaneously with, for example, a photoresist.
  • the insulator layer 7 is formed on the auxiliary electrode 6. Further, the insulator layer 7 covers other than the light emitting surface in accordance with the light emission shape of the organic EL light emitting device 100. Furthermore, the insulator layer 7 is formed between the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5 and between the transparent electrode film 2 and the negative electrode contact portion 5 to maintain electrical insulation and prevent a short circuit.
  • the insulator layer 7 may be formed of a photoresist which is a photosensitive material, and is formed of an inorganic film material such as SiNx or SiOx by vacuum evaporation or CVD, and by a shadow mask or photoetching. It may be patterned and formed.
  • an organic light emitting layer 8 is formed on the transparent electrode film 2 on which the insulator layer 7 is formed in FIG. 1D.
  • the organic light emitting layer 8 is formed so that the transparent electrode film 2 and the negative electrode contact portion 5 are not electrically connected directly via the organic light emitting layer 8.
  • the organic light emitting layer 8 is formed so as to partially overlap, for example, a part of the periphery, on the insulator layer 7 having a predetermined width formed so as to cover the outer periphery of the transparent electrode film 2. Can do. Since the insulator layer 7 serves as a mask, the need for a shadow mask with high alignment accuracy is eliminated, and the process can be facilitated. As shown in FIGS. 2 and 3, it is understood that the organic light emitting layer 8 may be formed on the insulating layer 7 having a width, and position adjustment with high accuracy is unnecessary.
  • FIG. 3B is a configuration cross-sectional view of the organic EL light-emitting device, and shows a variation of the configuration cross-sectional view of the organic EL light-emitting device shown in FIG. 3A.
  • the organic EL light emitting device 100 is formed so that the insulator layer 7 covers a part of the positive electrode contact portion 4, but as shown in FIG. 3B, the positive electrode contact portion 4 and the insulator layer 7 are formed. May be formed adjacent to each other. A gap may be formed between the positive electrode contact portion 4 and the insulator layer 7 as shown on the right side of FIG. 3B.
  • the negative electrode film 9 can be formed on the organic light emitting layer 8, and the manufacturing process of the organic EL light emitting device 100 can be completed. As shown in FIG. 2, the negative electrode film 9 covers a part of the negative electrode contact portion 5 and is electrically connected to a power source connected to the outside of the organic EL light emitting device 100 via the negative electrode contact portion 5. Form to connect. Further, the negative electrode film 9 is formed so as not to be in direct contact with the positive electrode contact portion 4 and further not to be directly connected to the positive electrode contact portion 4. At this time, the negative electrode film 9 is formed so as to partially overlap, for example, a part of the periphery, on the insulator layer 7 having a predetermined width formed so as to cover the outer periphery of the transparent electrode film 2.
  • the insulator layer 7 serves as a mask, the need for a shadow mask with high alignment accuracy is eliminated, and the process can be facilitated. As shown in FIG. 3, it can be seen that the negative electrode film 9 may be formed on the insulating layer 7 having a width, and position adjustment with high accuracy is unnecessary.
  • the process is easy and the aperture ratio can be increased. Specifically, since the positive electrode and the negative electrode are reliably insulated from each other by the protective layer and the insulator layer, the process is easy and the positive electrode contact portion and the negative electrode contact portion can be narrowed to increase the aperture ratio. Is possible.
  • the shape of the transparent electrode film such as ITO can be simplified, and a short circuit can be prevented while eliminating the need for high alignment accuracy, thereby reducing the total number of steps. It is also possible.
  • the organic EL light-emitting device can have a predetermined light emission shape by covering the transparent electrode film with a protective film or the like without forming the transparent electrode film in a light emission shape. Therefore, it is not necessary to pattern the transparent electrode film by photoetching or the like, and the surface of the transparent electrode film is not uneven or rough. As a result, not only the process is simplified, but a short circuit does not occur, leading to a reduction in the defect rate.
  • the positive electrode contact part and the negative electrode contact part in different layers, there is no possibility of short circuit due to contact. Also, the positive electrode transparent electrode film and the positive electrode contact part, and the negative electrode film and the negative electrode contact part can be reliably connected, and by connecting with each electrode part formed in an arbitrary shape, a large opening can be obtained. An organic EL light emitting device can be formed. Furthermore, the frame can be narrowed by designing the organic EL light emitting device, so that the total luminous flux can be improved and the power can be saved.
  • FIG. 5 is a configuration cross-sectional view of the organic EL light emitting device according to the second embodiment.
  • 5A and 5B show a cross section taken along line Y2-Y2 of FIG. 4F.
  • FIG. 5C shows a cross-sectional portion taken along line X2-X2 of FIG. 4F.
  • the positive electrode contact portion 4 is provided in the periphery, and power is supplied from four directions.
  • the transparent electrode film 2 is formed without gaps in the entire range including the range of the layers other than the transparent electrode film 2 on the substrate, and the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 51 are different layers. Is formed in the same manner as the organic EL light emitting device 100 according to the first embodiment.
  • the organic EL light emitting device 101 covers the positive electrode contact portion 4 that also serves as a power supply unit to the organic EL element with a protective layer (insulator layer 7), and the organic EL on the protective layer (insulator layer 7).
  • a negative electrode contact portion 5 that also serves as a power supply portion to the element and a negative electrode contact / negative electrode extraction portion 51 (hereinafter, referred to as a negative electrode extraction portion 51) are stacked.
  • the protective layer 3 and the insulator layer 7 of the first embodiment can be formed integrally with the same material at the same time (in the same process). 4C to 4F, the insulator layer 7 is described so as to include the protective layer 3.
  • the insulator layer 7 has the function of the protective layer 3 in the first embodiment (the transparent electrode film and the positive electrode contact portion are separated from the negative electrode contact portion and electrically insulated). ing.
  • the organic EL light emitting device 101 includes a substrate 1, a transparent electrode film (positive electrode film) 2, a positive electrode contact portion 4, a positive electrode contact hole / positive electrode extraction portion 41 (hereinafter referred to as a positive electrode contact hole portion 41), a negative electrode extraction portion. 51, an auxiliary electrode 6, an insulator layer 7, an organic light emitting layer 8, and a negative electrode film 9.
  • the transparent electrode film 2 is uniformly formed on the entire surface of the substrate 1 as shown in FIG. 4A.
  • a positive electrode contact portion 4 is formed in a ring shape around the transparent electrode film 2, and an auxiliary electrode 6 is formed on the transparent electrode film 2 (see FIG. 4B).
  • the insulator layer 7 is formed so as to cover the positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6.
  • the insulator layer 7 is formed by opening the light emitting portion in accordance with the light emission shape of the organic EL light emitting device 101.
  • a portion where the transparent electrode film 2 is exposed at the opening of the insulator layer 7 shown in FIG. 4C is a light emitting portion.
  • the positive electrode contact hole portion 41 is not covered with the insulator layer 7 on the positive electrode contact portion 4 to form the positive electrode contact hole portion 41 (see FIG. 4C). Since this step can be performed simultaneously with the process of patterning the insulator layer 7, the number of process steps does not increase.
  • the organic light emitting layer 8 is formed so as to cover the entire portion of the transparent electrode film 2 that is not covered with the positive electrode contact portion 4, the auxiliary electrode 6, and the insulator layer 7.
  • a negative electrode film 9 is formed so as to cover the organic light emitting layer 8. Then, at least part of the negative electrode film 9 is in contact with the negative electrode extraction portion 51 to be electrically connected, and the manufacture of the organic EL light emitting device 101 is completed (see FIG. 4F).
  • the negative electrode extraction portion 51 is formed so as to be in contact with the periphery of the negative electrode film 9 and to surround almost the entire periphery of the negative electrode film 9. In this way, since the negative electrode film 9 can be evenly fed from four sides, the luminance unevenness of the light emission of the organic light emitting layer 8 is reduced.
  • the organic light emitting layer 8 and the negative electrode film 9 can be formed by overlapping a part, for example, a part in a circumferential shape, on the insulator layer 7 having a predetermined width. As a result, a shadow mask with high alignment accuracy is not necessary, and the process can be facilitated.
  • FIGS. 5A and 5C show a case where the organic light emitting layer 8 is not interposed between the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode film 9.
  • FIG. 5B shows a cross section when the organic light emitting layer 8 protrudes from the opening of the insulator layer 7 to the position of the positive electrode contact portion 4.
  • the negative electrode film 9 and the negative electrode extraction portion 51 are formed on the insulator layer 7. It can be formed to the edge.
  • FIG. 6 is a configuration plan view showing a different configuration of the organic EL light emitting device according to the second embodiment.
  • the negative electrode extraction portion 51 is provided at a corner adjacent to the positive electrode contact hole portion 41.
  • the negative electrode extraction part 51 can be set at an arbitrary position as long as it is in contact with at least a part of the negative electrode film 9.
  • FIGS. 7A and 7B are configuration cross-sectional views of different configurations of the organic EL light emitting device according to Embodiment 2, showing a cross section taken along line Y3-Y3 in FIG. 7A and 7B, since the positive electrode contact portion 4, the negative electrode film 9, and the negative electrode extraction portion 51 are formed of different layers, the negative electrode film 9 and the negative electrode extraction portion 51 are formed on the insulator layer 7. It can be formed to the edge. As can be seen from FIGS. 4 to 7, as long as the positive electrode contact hole portion 41 does not overlap the negative electrode film 9 or the negative electrode extraction portion 51, the positive electrode contact hole portion 41 and the negative electrode extraction portion 51 can be freely arranged.
  • the process is easy and the aperture ratio can be increased.
  • the shape of the transparent electrode film such as ITO can be simplified, and a short circuit can be prevented while eliminating the need for a high degree of alignment accuracy, thereby reducing the total number of steps. It is also possible. Further, the positive electrode contact portion can be formed so as to surround the four sides, and the in-plane luminance variation can be reduced.
  • FIGS. 3) 8A-8F are configuration plan views showing an example of the manufacturing process of the organic EL light emitting device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • 9A and 9B are configuration cross-sectional views of the organic EL light emitting device according to Embodiment 3, and show a cross section taken along line X4-X4 in FIG. 8F.
  • FIG. 10 is a structural cross-sectional view of the organic EL light emitting device according to Embodiment 3, and shows a cross section taken along line Y4-Y4 of FIG. 8F.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed on the positive electrode contact portion 4 with the protective layer 3 interposed therebetween.
  • the transparent electrode film 2 is formed without gaps in the entire range including the range where layers other than the transparent electrode film 2 are formed on the substrate, and the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode contact portion 5. Is formed in a different layer, similar to the organic EL light emitting device 100 according to the first embodiment.
  • the organic EL light emitting device 102 includes a substrate 1, a transparent electrode film (positive electrode film) 2, a positive electrode contact portion 4, a positive electrode contact hole portion 41, a negative electrode contact portion 5, an auxiliary electrode 6, an insulator layer 7, an organic light emitting layer 8, And a negative electrode film 9.
  • the transparent electrode film 2 is uniformly formed on the entire surface of the substrate 1 on the substrate 1.
  • the positive electrode contact portion 4 is formed in a ring shape so as to surround the periphery of the transparent electrode film 2, and the auxiliary electrode 6 is formed on the transparent electrode film 2.
  • the positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6 may be formed simultaneously (see FIG. 8B).
  • the protective layer 3 is formed, for example, in an annular shape so as to cover the positive electrode contact portion 4 except for a part of the positive electrode contact portion 4.
  • the inside surrounded by the protective layer 3 (the inside of the opening of the protective layer 3) becomes the light emission shape (light emitting part) of the organic EL light emitting device 102.
  • the protective layer 3 is formed by opening the light emitting portion, and has the function of the insulator layer 7 of the first embodiment.
  • the insulator layer 7 is formed in a lattice shape so as to cover the auxiliary electrode 6 (see FIG. 8C).
  • the protective layer 3 is formed except for a part of the positive electrode contact portion 4, and an electrode extraction portion for supplying power from the positive electrode contact portion 4 is secured.
  • the protective layer 3 and the insulator layer 7 are not clearly distinguished here, and may be made of the same material or may be formed simultaneously. By forming them simultaneously, the number of manufacturing steps can be reduced without increasing the number of steps.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed on the protective layer 3 and / or the insulator layer 7.
  • the negative electrode film 9 and the negative electrode contact part 5 provided below are formed by forming the negative electrode contact part 5 so as to surround the periphery of the transparent electrode film 2 except for the part where the positive electrode contact part 4 is exposed. Can be made from almost four directions, and variations in in-plane luminance can be reduced.
  • the organic light emitting layer 8 is formed avoiding the positive electrode contact portion 4 as shown in FIG. 8E
  • the negative electrode film 9 is formed avoiding the positive electrode contact portion 4 as shown in FIG. Finish production.
  • the organic light-emitting layer 8 and the negative electrode film 9 can be formed by partially overlapping the protective layer 3 and / or the insulator layer 7 having a predetermined width. As a result, a shadow mask with high alignment accuracy is not necessary, and the process can be facilitated.
  • FIG. 9A and 9C show a case where the organic light emitting layer 8 is not interposed between the positive electrode contact portion 4 and the negative electrode film 9.
  • FIG. 9B shows a cross section when the organic light emitting layer 8 protrudes from the opening of the insulator layer 7 to the position of the positive electrode contact portion 4.
  • 9A to 9C since the positive electrode contact portion 4, the negative electrode film 9, and the negative electrode extraction portion 51 are formed of different layers, the negative electrode film 9 and the negative electrode extraction portion 51 are formed on the insulator layer 7. It can be formed to the edge. As a result, the aperture ratio of the light emission shape can be increased.
  • FIGS. 11A to 11F are configuration plan views showing an example of the manufacturing process of the organic EL light emitting device according to the modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a structural cross-sectional view of an organic EL light emitting device according to a modification of Embodiment 3, and shows a cross section taken along line Y5-Y5 of FIG. 11F.
  • the basic structure is the same as that of the organic EL light emitting device 102 according to the third embodiment, but the positive electrode contact hole portion 41 in which a hole is formed in a part of an insulating film or the like. The power is supplied through the positive electrode contact hole 41.
  • a transparent electrode film 2 is uniformly formed on the entire surface of the substrate 1 on the substrate 1.
  • the positive electrode contact portion 4 is formed in a ring shape so as to avoid the outermost peripheral portion of the transparent electrode film 2 and to surround the inner periphery of the transparent electrode film 2 along the outermost peripheral portion and substantially surround the outer peripheral portion.
  • the auxiliary electrode 6 is formed on the transparent electrode film 2. The positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6 may be formed simultaneously (see FIG. 11B).
  • a portion (a portion serving as a hole for forming the positive electrode contact hole portion 41) is formed on the outermost peripheral portion of the transparent electrode film 2 and the peripheral portion including the positive electrode contact portion 4 located inside the outermost peripheral portion.
  • the protective layer 3 is formed so as to cover the peripheral part including the transparent electrode film 2 and the positive electrode contact part 4.
  • the inside surrounded by the protective layer 3 (the inside of the opening of the protective layer 3) becomes the light emission shape (light emitting part) of the organic EL light emitting device 102.
  • the protective layer 3 is formed by opening the light emitting portion, and has the function of the insulator layer 7 of the first embodiment.
  • the insulator layer 7 covers the auxiliary electrode 6 (see FIG. 11C).
  • a hole is provided on a portion covering the positive electrode contact portion 4 to form the protective layer 3.
  • This hole becomes the positive electrode contact hole portion 41 and functions as an electrode extraction portion for supplying power through the positive electrode contact portion 4 (see FIG. 12).
  • the protective layer 3 and the insulator layer 7 are not clearly distinguished here, and may be made of the same material or may be formed simultaneously.
  • the negative electrode contact portion 5 is formed on the protective layer 3 along the outer peripheral portion of the transparent electrode film 2.
  • the transparent electrode film 2, the protective layer 3, and the negative electrode contact portion 5 can be formed on the substrate 1 in this order.
  • the overall thickness can be reduced.
  • the negative electrode contact part 5 and the positive electrode contact part 4 can be electrically insulated reliably by the protective layer 3 (refer FIG. 12).
  • the organic light emitting layer 8 is formed avoiding the positive electrode contact hole 41 as shown in FIG. 11E, and the negative electrode film 9 is formed avoiding the positive electrode contact hole 41 as shown in FIG. 11F (see FIG. 12). Then, the manufacture of the organic EL light emitting device 103 is finished.
  • the organic light emitting layer 8 and the negative electrode film 9 can be formed by partially overlapping the protective layer 3 and / or the insulator layer 7 having a predetermined width. As a result, a shadow mask with high alignment accuracy is not necessary, and the process can be facilitated.
  • the positive electrode contact portion 4 and the auxiliary electrode 6 are covered with the protective layer 3 or the insulator layer 7 and are insulated from the negative electrode film 9 and the negative electrode extraction layer 51. Even if the end portion of the organic light emitting layer 8 is positioned on the positive electrode contact portion 4, the negative electrode film 9 and the positive electrode contact portion 4 are not short-circuited.
  • the process is easy and the aperture ratio can be increased.
  • the shape of the transparent electrode film such as ITO can be simplified, and a short circuit can be prevented while eliminating the need for high alignment accuracy, thereby reducing the total number of steps. It is also possible. Further, the positive electrode contact portion can be formed so as to surround the four sides, and the in-plane luminance variation can be reduced.
  • the transparent electrode film that is the positive electrode and the positive electrode contact portion, the negative electrode film and the negative electrode contact portion can be reliably connected, and the organic EL light emitting device can be securely connected to the power source at the outer peripheral portion.
  • connection can be made without affecting the shape of the organic EL, and an organic EL light emitting device having a large opening can be formed.
  • by forming the positive electrode contact portion and the negative electrode contact portion so as not to overlap each other as in the modification of the third embodiment it is possible to form an organic EL light emitting device with a reduced thickness.
  • (Embodiment 4) 13A-13G are configuration plan views showing an example of the manufacturing process of the organic EL light emitting device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the negative electrode contact portion is formed on the outer periphery of the positive electrode contact portion.
  • the transparent electrode film is formed without gaps over the entire range including the layer other than the transparent electrode film on the substrate, and the positive electrode contact portion and the negative electrode contact portion are formed in different layers. This is the same as the organic EL light emitting device according to the first embodiment.
  • the organic EL light emitting device 104 includes the negative electrode contact portion 5 on the outer periphery of the positive electrode contact portion 4. Further, the negative electrode contact portion 5 has a shape that is partially interrupted, and includes a positive electrode contact hole portion 41 for connecting the outside via the positive electrode contact portion 4 in the gap portion.
  • the organic EL light emitting device 104 includes a substrate 1, a transparent electrode film (positive electrode film) 2, a protective layer 3, a positive electrode contact portion 4, a positive electrode contact hole portion 41, a negative electrode contact portion 5, an auxiliary electrode 6, an insulator layer 7, and an organic layer.
  • a light emitting layer 8 and a negative electrode film 9 are provided.
  • the transparent electrode film 2 is uniformly formed on the substrate 1 and substantially uniformly on the entire surface of the substrate 1.
  • a protective film 31 is formed in an annular shape on the transparent electrode film 2 at the outer peripheral portion avoiding the central portion of the transparent electrode film 2 (see FIG. 13B).
  • the positive electrode contact portion 4 is formed in contact with the inner periphery of the transparent electrode film 2 facing the inner portion not covered with the protective film 31.
  • the positive electrode contact hole part 41 connected with a positive electrode contact part is formed, and the auxiliary electrode 6 is formed on the transparent electrode film 2 (refer FIG. 13C).
  • the protective layer 3 is further formed on the outer periphery of the substrate 1, that is, on the protective layer 31, avoiding the positive electrode contact portion 4 and the positive electrode contact hole portion 41.
  • the insulator layer 7 is formed so as to have an opening that matches the light emission shape of the organic EL light emitting device 104. A region inside the opening is a light emitting portion (light emitting region) of the organic EL light emitting device 100. A part of the insulator layer 7 is formed in a lattice shape so as to cover the auxiliary electrode 6 inside the opening (see FIG. 13D). Note that the protective layer 3 and the insulator layer 7 can be formed of the same material and can be formed simultaneously.
  • the protective layer 31 is formed in FIG. 13B, the protective layer 31 is coated in accordance with the light emission shape of the transparent electrode film 2, and the insulating layer 7 in FIG. 13D is coated except for the light emitting surface of the transparent electrode film 2. The step of performing may be omitted.
  • FIG. 13E shows the negative electrode contact portion 5 formed on the protective layer 3 formed.
  • the negative electrode contact portion 5 is on the protective layer 3 and is formed of a different layer from the positive electrode contact portion 4.
  • the positive electrode contact hole portion 41 may be surrounded by the negative electrode contact portion 5.
  • the organic light emitting layer 8 is formed as shown in FIG. 13F
  • the negative electrode film 9 is formed as shown in FIG. 13G
  • the manufacture of the organic EL light emitting device 104 is finished.
  • the organic light-emitting layer 8 and the negative electrode film 9 can be formed by partially overlapping the insulator layer 7 having a predetermined width. As a result, a shadow mask with high alignment accuracy is not necessary, and the process can be facilitated.
  • FIGS. 14A to 14C are configuration plan views showing an example of the manufacturing process of the organic EL light emitting device according to the modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • the transparent electrode film (positive electrode film) 21 formed on the substrate 1 can be formed in advance avoiding the outer periphery of the substrate 1, the state shown in FIG. 13A and FIG. It becomes almost the same state.
  • the positive electrode contact portion 4 is formed on the substrate 1 directly in contact with the periphery of the transparent electrode film 21.
  • the protective layer 3 is formed avoiding the positive electrode contact portion 4 and the positive electrode contact hole portion 41.
  • the insulating layer 7 is formed so as to cover the auxiliary electrode 6.
  • the insulator layer 7 is formed by opening the light emitting portion in accordance with the light emission shape of the organic EL light emitting device 104.
  • FIG. 14C is almost the same as the process of FIG. 13D, and instead of forming the protective layer 3 on the protective layer 31, the protective layer 3 is formed on the substrate 1.
  • the processes after FIG. 14C are the same as the processes after FIG. 13D.
  • the transparent electrode film 21 is previously formed on the substrate 1 while avoiding the outer peripheral portion as in the modification of the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 14, a part of the manufacturing process can be omitted.
  • FIG. 15A and 15B are examples of the shape of the organic EL light emitting device according to Embodiment 4.
  • FIG. The dotted line in the figure indicates the light emission shape.
  • the degree of freedom of the shape of the organic EL light emitting device can be increased.
  • FIG. 15A is an example of a heart-shaped organic EL light emitting device
  • FIG. 15B is an example of a star-shaped organic EL light emitting device.
  • the organic EL light emitting device includes a positive electrode contact that is covered with an insulating film and insulated from the negative electrode contact at any part of the periphery surrounded by the negative electrode contact. As shown in FIG. 15, the organic EL light emitting device can be manufactured even if the light emitting surface has a curved shape or a multi-sided shape such as a rectangular shape rather than a rectangular shape.
  • the process is easy and the aperture ratio can be increased.
  • the shape of the transparent electrode film such as ITO can be simplified, and a short circuit can be prevented while eliminating the need for a high degree of alignment accuracy, thereby reducing the total number of steps. It is also possible. Further, the positive electrode contact portion can be formed so as to surround the four sides, and the in-plane luminance variation can be reduced.
  • the surface light emitting element can be formed in an arbitrary shape, and an organic EL light emitting device with high design can be realized.
  • the surface light emitting element can be formed in an arbitrary shape, the number of parts when used as a lighting device is reduced, and a part of the light emitting element that is not necessary for light emission becomes unnecessary, resulting in low cost and energy saving.
  • the organic EL light-emitting device regardless of the shape of the organic EL light-emitting device, by covering the light-emitting surface with a resist to form the light-emitting shape of the light-emitting surface, there is no risk that the transparent electrode film such as ITO is defective and the defect rate is reduced. However, it can be easily manufactured. In addition, the area of the edge portion that acts as the electrode extraction portion can be reduced, and a lighting device with a higher aperture ratio can be realized.
  • the negative electrode side electrode takeout part (negative electrode contact part) is made of ITO, and the contact with the negative electrode made of Al becomes Al-ITO, and the Schottky contact property becomes high, There was a problem that ohmic contact could not be obtained.
  • the reliability of the electrode portion has been reduced, for example, the oxygen in the ITO is extracted by Al to increase the contact resistance.
  • the electrode extraction part (electrode contact part) of the positive electrode and the negative electrode is made of ITO, the wiring resistance is high, and the contact resistance with the power supply wiring is large, so that the driving voltage is increased and the power is also increased. It was happening.
  • the electrode contact portion is formed of metal, the contact resistance and the wiring resistance can be reduced with higher reliability as compared with ITO extraction of related technology. Further, the degree of increase in drive voltage is reduced, and power saving can be achieved.
  • the transparent electrode layer and the cathode layer which are anodes used in organic EL elements, have high specific resistance, and even if they are metal, they are thin films, so the wiring resistance is high due to high sheet resistance. . Further, the wiring resistance increases depending on the presence / absence of the power supply terminal (side) and the distance from the power supply end. Furthermore, there has been a problem that luminance unevenness occurs due to a voltage drop. However, in the organic EL light emitting device of the present embodiment, input from all four sides on the anode and / or cathode side is possible, wiring resistance can be minimized, luminance unevenness can be improved, and power saving can be achieved as a result. Connected.
  • an organic EL light emitting device of the present invention patterning of a transparent electrode such as ITO is not required, and a solid film is sufficient for ITO film formation.
  • a transparent electrode such as ITO
  • a solid film is sufficient for ITO film formation.
  • Example 1 An organic EL light-emitting device having a structure corresponding to Embodiment 1 was produced.
  • the light emitting area of the organic EL light emitting device was set to 100 mm ⁇ 100 mm, and light was emitted in white.
  • As the transparent electrode film ITO having a film thickness of 110 nm was used.
  • the organic layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer (first light-emitting layer and second light-emitting layer), a hole blocking layer, and an electron transport layer in this order.
  • a six-layer structure was formed.
  • the hole injection layer was formed using Cu—Pc (copper phthalocyanine) as a hole injection material.
  • the hole transport layer uses ⁇ -NPD (N, N′-diphenyl-NN—bis (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine) as a hole transport material. Formed.
  • the first light-emitting layer has CBP (4,4′-biscarbazolylbiphenyl) as a host, Ir (ppy) 3 (tris- (2 ferrinylpyridine) iridium complex), and Btp 2 Ir (acac) ( A material doped with bis (2- (2′-benzo (4,5- ⁇ ) thienyl) pyridinate-N, C2 ′) (acetylacetonate) iridium complex) was used.
  • the second light-emitting layer used was doped with FIr (pic) ((bis (4,6-di-fluorophenyl) -pyridinate-N, C2 ′) picolinate iridium complex) using CBP as a host.
  • FIr FIr
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • Alq 3 was used as the electron transporting layer.
  • An electron injection layer using LiF was formed between the organic layer and the negative electrode film, and the total thickness of the organic layer and the electron injection layer was 145 nm. Further, Al having a film thickness of 100 nm was used as the negative electrode film.
  • the drive current of the organic EL light emitting device of this example was turned on at a constant current of 25 A / m 2 , the drive voltage was 4.7 V and the luminance was 920 cd / m 2 .
  • the in-plane luminance unevenness of the organic EL lighting panel was 4% when the luminance at nine points in the surface was measured and (difference between maximum luminance and minimum luminance) / maximum luminance was calculated.
  • the configuration having the auxiliary electrode has been described as an example.
  • the configuration is not limited thereto, and the auxiliary electrode may not be formed, and the shape of the auxiliary electrode is limited to a lattice shape. Absent.
  • An organic EL light emitting device characterized by being formed without gaps.
  • Appendix 2 The organic EL light-emitting device according to appendix 1, wherein the positive electrode contact portion and the negative electrode contact portion are formed with different heights from the substrate.
  • Appendix 4 The organic EL light-emitting device according to any one of appendices 1 to 3, wherein the transparent electrode film is uniformly formed on the substrate without patterning.
  • Appendix 8 Forming an auxiliary electrode on the transparent electrode film; Forming the insulator layer on the auxiliary electrode; A method for manufacturing an organic EL light-emitting device according to any one of appendices 5 to 7, comprising:
  • Appendix 9 The method of manufacturing an organic EL light-emitting device according to appendix 8, wherein the step of forming the auxiliary electrode is performed simultaneously with the step of forming the positive electrode contact portion.
  • Appendix 10 10. The method of manufacturing an organic EL light-emitting device according to any one of appendices 5 to 9, wherein the step of forming the transparent electrode film is uniformly formed on the substrate without patterning.
  • An organic EL lighting device comprising the organic EL light-emitting device manufactured by the method for manufacturing an organic EL light-emitting device according to any one of appendices 5 to 10.
  • the present invention can be applied to an organic EL light emitting device, an organic EL light emitting device manufacturing method, and an organic EL lighting device.

Abstract

 有機EL発光装置(100)は、透明な基板(1)と、基板(1)上に形成された透明電極膜(2)と、透明電極膜(2)の一部に接し電気的に接続する正極コンタクト部(4)と、透明電極膜(2)上に発光箇所以外を被うように形成された絶縁体層(7)と、透明電極膜(2)上および絶縁体層(7)上に形成された有機発光層(8)と、有機発光層(8)上に形成された負電極膜(9)と、負電極膜(9)に少なくとも一部を接し電気的に接続する負極コンタクト部(5)と、正極コンタクト部(4)および透明電極膜(2)と負極コンタクト部(5)とを離隔し電気的に絶縁させるための保護層(3)と、を備える。透明電極膜(2)は、保護層(3)、正極コンタクト部(4)、負極コンタクト部(5)、絶縁体層(7)、有機発光層(8)および負電極膜(9)が形成される範囲を包摂する範囲の全体にすき間なく形成されている。

Description

有機EL発光装置、有機EL発光装置の製造方法及び有機EL照明装置
 本発明は、有機EL発光装置、有機EL発光装置の製造方法及び有機EL照明装置に関する。
 有機エレクトロルミネンス(以下、有機ELと記載する)を用いた発光装置を備える照明装置は、携帯電話ディスプレイで実用化されるなど、使用される機会が増えてきている。有機ELを用いた照明装置は、蛍光灯などの従来の照明装置と比較して、省エネルギー、発熱が少ない、薄くて軽い、環境に優しいなどの利点がある。また、面光源のため照光範囲を広くできたり、プラスチック基板を用いる場合はフレキシブルであったりと、デザイン性の高い照明装置への応用が可能となる。そのため、住まいやオフィス、車の照明装置だけでなく、装飾照明、POP照明においても期待されつつある。
 有機EL発光装置として、例えば、特許文献3には、輝度むらを低減でき、かつ、非発光部の面積を低減できる面状発光装置が記載されている。その技術は、面状陽極と面状陰極との間に有機層のみが介在する領域により構成される矩形状の発光部の4辺のうちの所定の平行な2辺と透明基板の外周縁との距離が他の平行な2辺と透明基板の外周縁との距離に比べて小さく、陰極給電部および陽極給電部は、発光部の他の平行な2辺に沿って配置され、かつ、陰極給電部の幅方向の両側それぞれに陽極給電部が配置されている技術である。
 また特許文献1には、透明基板の短辺側に陽極と陰極の取り出し端子が設置された電極配線パターンの幅の狭い発光領域を有する有機EL素子が記載されている。さらに特許文献2には、陰極は陽極よりも電気抵抗の小さく、また、外部と接続される陽極端子の面を、外部と接続される陰極端子の面より大きくすることで、輝度斑を低減できる有機EL素子が記載されている。
特開2001-244069号公報 特開2009-259413号公報 特開2010-198980号公報
 関連する技術の、有機EL発光素子を製造する一般的な工程は、基板上に、ITO(Indium Tin Oxide;酸化インジウムスズ)などの透明導電性の電極膜、電極、層間絶縁膜、感光性有機絶縁物と、順次形成が行われる。しかしながら、工程中のエッチング処理によりITO表面やITO端部が荒れてしまい、使用時にショートが発生するなどして不良の原因となっていた。また、工程が複雑であり、非常に費用がかかるという問題もあった。
 また、有機EL発光装置では、正極および負極から電圧を印加して、キャリアを注入して、発光させている。パネル状の照明装置に有機EL発光装置を用いる場合、安定して電圧を印加するために、一般的に電極部は各辺を利用しているが、各辺に電極取り出し部を形成しなければならず、その部分が非発光部となっていた。結果として、照明装置に有機EL発光装置を利用すると、所謂、額縁部が大きい、開口率が低いパネルのため、全光束の低下や照度の低下を招き、他の光源に比べて不利であった。これは、有機EL発光装置を、照明以外に、例えば掲示板、広告のディスプレイ用のバックライトとして用いる場合や、曲面状の照明装置に用いる場合等でも同様である。
 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、工程が容易であり、かつ、開口率の増高が可能な有機EL発光装置、有機EL発光装置の製造方法及び有機EL照明装置を提供することを目的とする。
 本発明の第1の観点に係る有機EL発光装置は、
 透明な基板と、
 前記基板上に形成された透明電極膜と、
 前記透明電極膜の一部に、該透明電極膜と電気的に接続する正極コンタクト部と、
 前記透明電極膜上に発光部を開口して形成された絶縁体層と、
 前記透明電極膜上および前記絶縁体層上に形成された有機発光層と、
 前記有機発光層上に形成された負極層と、
 前記負極層に少なくとも一部を接し、該負極層と電気的に接続する負極コンタクト部と、
 前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部と、を離隔し電気的に絶縁させるために間に形成された保護層と、
 を備え、
 前記正極コンタクト部と前記負極コンタクト部とは、前記絶縁体層または前記保護層で電気的に絶縁され、
 前記透明電極膜は、前記基板上の、前記正極コンタクト部、前記絶縁体層、前記有機発光層、前記負極層、前記負極コンタクト部および前記保護層が形成される範囲を包摂する範囲の全体にすき間なく形成されている
 ことを特徴とする。
 本発明の第2の観点に係る有機EL発光装置の製造方法は、
 透明な基板上に透明電極膜を形成する工程と、
 前記透明電極膜の一部に、該透明電極膜と電気的に接続する正極コンタクト部を形成する工程と、
 前記透明電極膜の上方の一部に、前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と離隔して、負極コンタクト部を形成する工程と、
 前記透明電極膜上に発光部を開口して絶縁体層を形成する工程と、
 前記透明電極膜上および前記絶縁体層上に有機発光層を形成する工程と、
 前記有機発光層上に、前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と離隔して、前記負極コンタクト部と電気的に接続する負極層を形成する工程と、
 を備え、
 前記負極コンタクト部を形成する工程の前に、
 前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部との間に、該透明電極膜および正極コンタクト部と、該負極コンタクト部とを電気的に絶縁させるために保護層を形成する工程
 を備えることを特徴とする。
 本発明の第3の観点に係る有機EL照明装置は、
 本発明の第1の観点に係る有機EL発光装置を備えることを特徴とする。
 本発明の第4の観点に係る有機EL照明装置は、
 本発明の第2の観点に係る有機EL発光装置の製造方法で製造した有機EL発光装置を備えることを特徴とする。
 本発明によれば、工程が容易であり、かつ、開口率の増高が可能である。
本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 実施の形態1に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図1FのX1-X1線での断面を示す。 実施の形態1に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図1FのY1-Y1線での断面を示す。 図3Aに示す有機EL発光装置の変形例を示す構成断面図である。 本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 実施の形態2に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図4FのY2-Y2線での断面を示す。 実施の形態2に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図4FのY2-Y2線での断面を示す。 実施の形態2に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図4FのX2-X2線での断面部分を示す。 実施の形態2に係る有機EL発光装置の異なる構成を示す構成平面図である。 実施の形態2に係る有機EL発光装置の異なる構成の構成断面図であり、図6のY3-Y3線での断面を示す。 実施の形態2に係る有機EL発光装置の異なる構成の構成断面図であり、図6のY3-Y3線での断面を示す。 本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 実施の形態3に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図8FのX4-X4線での断面を示す。 実施の形態3に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図8FのX4-X4線での断面を示す。 実施の形態3に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図8FのY4-Y4線での断面を示す。 本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図11FのY5-Y5線での断面を示す。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 本発明の実施の形態4の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。 実施の形態4に係る有機EL発光装置の形状の一例である。 実施の形態4に係る有機EL発光装置の形状の一例である。
 以下、この発明の実施の形態有機EL発光装置、有機EL発光装置の製造方法及び有機EL照明装置について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付す。
 (実施の形態1)
 図1A-1Fは、本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。図2は、実施の形態1に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図1FのX1-X1線での断面を示す。図3Aは、実施の形態1に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図1FのY1-Y1線での断面を示す。図3Bは、図3Aの変形例を示す。
 有機ELの発光原理は、陰極および陽極に電圧をかけることで、各々から注入された電子と正孔が発光層で再結合をすることにより、励起子を形成して励起状態となり、励起状態から低エネルギー準位(基底状態など)に戻る際に発光する仕組みである。ここで、基底状態と同じ電子スピン多重度を有する励起状態が一重項励起状態であり、異なる電子スピン多重度を有する励起状態が三重項励起状態である。この励起状態から低レベル準位、あるいは基底状態に戻る際に発光が得られ、一重項励起状態からは、蛍光となり、三重項励起状態からは、燐光となる。発光層がホストとドーパントの二成分系の場合には、ホスト分子で生成した励起状態がドーパント分子へエネルギー移動してドーパント分子が発光する。
 有機EL発光装置100は、基板1、透明電極膜(正電極膜)2、保護層3、正極コンタクト兼給電部4(以下、正極コンタクト部4と記載する)、負極コンタクト兼給電部5(以下、負極コンタクト部5と記載する)、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9を備える。
 なお、本実施の形態において、有機EL発光装置100は、部屋灯などの有機EL照明装置(照明装置)に用いられる。なお、有機EL発光装置100は照明装置に限られず、例えば、掲示板、広告等の情報表示パネル、画像用ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト、家電製品などに使用される表示装置など、様々な用途に利用可能である。
 正極コンタクト兼給電部4は、正極コンタクト部4と、正極コンタクト部4を介して有機発光層8へ電力の供給を行う給電部を兼ねる。また、同様に、負極コンタクト兼給電部5は、負極コンタクト部5と、負極コンタクト部5を介して有機発光層8へ電力の供給を行う給電部を兼ねる。
 基板1は、例えば、無アルカリガラスなどの材料で形成される。また、PEN(ポリエチレンナフタレート)などの可撓性を有する樹脂基板であってもよい。
 透明電極膜2は、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)などであり、基板1上のほぼ全面に、スパッタリングなどですき間がない状態に成膜する。基板1上のほぼ全面とは、保護層3、正極コンタクト部4、負極コンタクト部5、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9が形成される範囲を包摂する範囲の全体を指す。換言すれば、透明電極膜2は、基板1上において、平面視して保護層3、正極コンタクト部4、負極コンタクト部5、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9が形成される領域(範囲)を少なくとも含む領域全体に形成されている。透明電極膜2は、基板1の端まですき間なく全面を覆って形成されていてもよいし、基板1の端まで全て覆われていなくともよいが、少なくとも保護層3、正極コンタクト部4、負極コンタクト部5、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9の下方には透明電極膜2が形成されている。透明電極膜2は、真空蒸着法などの他の物理蒸着法(PVD:Physical Vapor Deposition)で成膜してもよい。本実施の形態では、透明電極膜2の膜厚を、例えば、100~300nmとすることができる。
 保護層3は、透明電極膜2などの上に形成され、層間を絶縁しつつ、リフトアップのための土台を形成するために用いられる。また、保護層3は、保護層3の下層の平坦化膜の役割も有する。保護層3には、ノボラック、アクリル、ポリイミド系材料などの感光性を有するフォトレジスト材料や、シリコン窒化(SiNx)膜やシリコン酸化(SiOx)膜などの無機材料の膜を用いる。保護層3は、塗布後、フォトリソグラフィによりパターニングを行ったり、真空蒸着法や化学蒸着法(CVD:Chemical Vapor Deposition)を用いてシャドーマスクやフォトエッチングによりパターニングを行ったりして形成することができる。
 具体的には、保護層3は、基板1上に透明電極膜2を形成し、その保護層3の上に負極コンタクト部5を形成する。このとき、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5は形成された高さが異なるため、電気的に絶縁を保って配置しやすくなる。形成された高さとは、基板1から各々の正極コンタクト部4および負極コンタクト部5の層の位置を指す。正極コンタクト部4と負極コンタクト部5の形成された高さが異なることを、以下、異層で形成すると称する。また、異層で形成には、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5を異なったプロセス工程(順序)により形成することも含まれる。
 また、保護層3を負極コンタクト部5よりも幅を広く形成することで、容易に、かつ、確実に、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5を離隔することができる。保護層3は、図1Bに示すように、透明電極膜2の両端部上に、有機EL発光装置100を縁取るようにして、対向する位置に形成される。本実施形態では、基板1が方形であるため、保護層3は、左右の対向する辺に沿って形成される。また、保護層3を形成する側の透明電極膜2の端部には、負極コンタクト部5が形成される。ここで本実施形態では、負極コンタクト部5は、保護層3上に、透明電極膜2の中心側に間隙を設けるように形成する。負極コンタクト部5は、図1C及び図2に示すように、保護層3より幅が狭く形成されており、保護層3と比較して、透明電極膜2の中心から所定の距離だけ後退している。保護層3の上に保護層3より幅が狭い負極コンタクト部5を形成することで、高い精度で形成しない場合であっても、容易に正極コンタクト部4と負極コンタクト部5を離隔することができる。本実施の形態では、保護層3にレジスト材料を用いる場合、膜厚を、例えば500~1500nmとすることができる。
 正極コンタクト部4は、透明電極膜2と電気的に接続し、有機EL発光装置100に供給された正孔を、正極コンタクト部4を介して透明電極膜2へ注入する。例えば正極コンタクト部4は、例えば、図1Cに示すように、透明電極膜2の上の、保護層3が形成されていない側の端部に対向して形成される。本実施形態では、図1Cに示すように上下の対向する辺に沿うように形成される。
 正極コンタクト部4には、Cr(クロム)や、Mo-Nd(モリブデン-ネオジウム)、Mo-Al-Mo(モリブデン-アルミニウム-モリブデン)などの金属材料を用いる。正極コンタクト部4は、シャドーマスクなどを用いてスパッタリングするなどの方法で形成され、または全面成膜後にフォトエッチングを行ってもよい。
 負極コンタクト部5は、負電極膜9と電気的に接続し、有機EL発光装置100に供給された電子を、負極コンタクト部5を介して負電極膜9へ注入する。負極コンタクト部5は、透明電極膜2上にあらかじめ形成された保護層3の上に形成される。保護層3は、リフトアップのための土台であり、負極コンタクト部5が正極コンタクト部4と電気的な接続がおこらないように異層を形成するために用いられる。
 このとき保護層3は層間絶縁体を兼ねるため、保護層3を介して上下の位置にある正極コンタクト部4と負極コンタクト部5とは、短絡することはない。また、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5とは異層に形成されるため、正極コンタクト部4と接続する透明電極膜2と、負極コンタクト部5と接続する負電極膜9との配置を、容易に電気的接触が発生しにくい配置とすることができる。
 なお、負極コンタクト部5には、正極コンタクト部4と同じ金属材料を用いることができる。負極コンタクト部5は、シャドーマスクなどを用いてスパッタリングするなどの方法で形成され、または全面成膜後にフォトエッチングを行ってもよい。正極コンタクト部4と負極コンタクト部5は、同一プロセスで一括して同時形成することができ、工程数の増加がなく、プロセス負荷の低減を可能とする。
 補助電極6は、透明電極膜2を介して、または直接に正極コンタクト部4と電気的に接続する。補助電極6には、Cr(クロム)や、Mo-Nd(モリブデン-ネオジウム)、Mo-Al-Mo(モリブデン-アルミニウム-モリブデン)などの金属材料を用いる。補助電極6は、透明電極膜2上に、シャドーマスクなどを用いてスパッタリングするなどの方法で形成される。補助電極6は、金属材料で成膜後に、任意の形状にフォトエッチングを行って成形してもよい。補助電極6は、または直接に透明電極膜2を介して、正極コンタクト部4と電気的に接続する。また、本実施形態では補助電極6は格子状に形成される例を挙げているが、補助電極6の形状はこれに限定されない。
 正極コンタクト部4は、補助電極6と同じ金属材料を用いることで、正極コンタクト部4と補助電極6を同一プロセスで一括して同時形成でき、工程数の増加がなく、プロセス負荷の低減を可能とする。正極コンタクト部4および補助電極6は、スパッタリングや、金属材料で成膜後に任意の形状にフォトエッチング、などの方法で同時形成してもよい。
 また、正極コンタクト部4と補助電極6だけでなく、負極コンタクト部6を同時に形成してもよい。正極コンタクト部4と負極コンタクト部5は、形成時において、保護層3および/または後述する絶縁体層7がマスクの役割を果たし分離が確実に行えるため、容易に同時形成することができる。同時形成することにより、工程を削減することができる。
 なお、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5は、同じ材料の場合であっても、形成する箇所の、基板1からの高さが異なるため、必ずしも同時に形成しなくてもよい。本実施の形態では、正極コンタクト部4、負極コンタクト部5および補助電極6の膜厚を、例えば200~1000nmとすることができる。
 有機EL発光装置100は、発光面において、発光素子への電子よび正孔注入とその再結合により発光する。補助電極6により、高いシート抵抗を有する透明電極膜2の配線抵抗による電圧降下分を緩和し、有機EL発光装置100の発光面への均一な正孔供給を行いやすくし、面内輝度ばらつきを抑え、安定した発光を維持する。
 絶縁体層7は、正極コンタクト部4及び負極コンタクト部5に沿うように形成され、更に正極コンタクト部4と負極コンタクト部5との間と、補助電極6上と、に形成される。また、絶縁体層7は、有機EL発光装置100の発光部を所定の形にするために、発光部を開口して形成する。例えば、図1Dに示すように正極コンタクト部4と負極コンタクト部5とのそれぞれに沿って形成された部分が、開口を形成し、この開口の内側の領域が有機EL発光装置100の発光部である。絶縁体層7の一部は、この開口の内側で更に補助電極6を覆うように格子状に形成されている。さらに、絶縁体層7は下層の平坦化膜の役割も有する。絶縁体層7には、保護層3と同じ材料を選択でき、ノボラック、アクリル、ポリイミド系材料などの感光性を有するフォトレジスト材料や、シリコン窒化(SiNx)膜やシリコン酸化(SiOx)膜などの無機材料の膜を用いる。絶縁体層7は、塗布後、フォトリソグラフィによりパターニングを行ったり、真空蒸着法や化学蒸着法(CVD:Chemical Vapor Deposition)を用いてシャドーマスクやフォトエッチングによりパターニングを行ったりして形成することができる。本実施の形態では、絶縁体層7にレジスト材料を用いる場合の膜厚を、例えば500~1500nm、無機材料を用いる場合の膜厚を、例えば200~600nmとすることができる。
 有機発光層8は、発光層の役割を備えており、絶縁体層7が形成されてない透明電極膜2上および絶縁体層7の上に形成される。このとき、有機発光層8は、絶縁体層7で囲まれた部分に形成されていれば、一部が絶縁体層7上に形成されてもかまわない。絶縁体層7がマスクの役割を果たすので、セルフアライメント的にパターニングすることができる。有機発光層8を介して直接に、透明電極膜2と負極コンタクト部5とを電気的に接続するおそれがなければよい。このとき、有機発光層8は、透明電極膜2の上に、トリフェニールアミン誘導体などの正孔注入/輸送層を備えることが好ましい。また、有機発光層8は、負電極膜9との間にトリアゾール誘導体などの電子輸送層を更に備えてもよい。
 負電極膜9は、有機発光層8の上に形成される。負電極膜9は、負極コンタクト部5と電気的に接続し、有機EL発光装置100に供給された電子を、負極コンタクト部5を介して負電極膜9へ注入する。負電極膜9は、Al(アルミニウム)などの金属材料で形成される。このとき、LiF(フッ化リチウム)などの電子注入層を備えておき、その上に負電極膜9を形成してもよい。本実施の形態では、負電極膜9の膜厚を、例えば50~300nmとすることができる。
 なお、電源から負電極層9への給電は、どこに備えてもよい。また、負電極膜9の外周部が厚くなるように成膜して、4方向から給電してもよい。
 また、有機発光層8が発光層以外に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層を備える場合、透明電極膜2から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順で順次形成されていることが望ましい。再結合確率を向上させ、結果、発光量子効率を向上させるために、発光層と電子輸送層との間に正孔ブロック層を用いてもよい。更に、有機発光層8は1つの発光層から構成される場合に限られず、発光層は2層であってもよい。有機発光層8の構成は適宜変更可能であり、発光層が正孔注入・輸送層の機能を備える場合は、透明電極膜2から、発光層、電子輸送層の順で形成されていればよい。また、発光層が電子輸送層の機能を備える場合は、透明電極膜2から、正孔注入・輸送層、発光層の順で形成されていればよい。また、有機発光層8は、発光層のみの1層であってもよい。本実施の形態では、有機発光層8の総膜厚を、例えば100~500nmとすることができる。
 以下、有機EL発光装置100の製造方法について詳細に説明する。まず、図1Aにあるように、無アルカリガラスなどの材料で形成された基板1上に、酸化インジウムスズ(ITO)などの透明導電性である材料で、透明電極膜2を、基板1のほぼ全面に一様に形成する。透明電極膜2の成膜は、スパッタリングや真空蒸着法などの物理蒸着法(PVD)で行う。
 次に、透明電極膜2の対向する辺端部に、保護層3を形成する(図1B参照)。この保護層3部分により、透明電極膜2からリフトアップされた土台が形成され、図1Cで形成する負極コンタクト部5と正極コンタクト部4とを異層に形成することが可能となり、正極と負極との分離が容易にできる。
 図1Cでは、保護層3の上に負極コンタクト部5を形成し、また、保護層3が形成されてない透明電極膜2の対向する辺端部の、透明電極膜2上に正極コンタクト部4を形成する。また、透明電極膜2上に補助電極6を形成する。正極コンタクト部4、負極コンタクト部5および補助電極6は、例えば、Cr(クロム)や、Mo-Nd(モリブデン-ネオジウム)、Mo-Al-Mo(モリブデン-アルミニウム-モリブデン)などの金属材料を、シャドーマスクなどを用いてスパッタリングして形成される。また、金属材料を成膜後にフォトエッチングを行ってもよい。
 このとき有機EL発光装置100は、正極コンタクト部4を介して有機EL発光装置100の外部に接続された電源と電気的に接続するように形成し、同様に、負極コンタクト部5を介して有機EL発光装置100の外部に接続された電源と電気的に接続するように形成する。また、あらかじめ保護層3を形成しておき、その上に負極コンタクト部5を形成することで、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5を異層に形成し、電気的に絶縁しやすくする。
 図1Dでは、パターニングを行うために、絶縁体層7を、例えばフォトレジストなどで、同時に一体形成する。絶縁体層7は、補助電極6上に形成する。また、絶縁体層7は、有機EL発光装置100の発光形状に合わせて、発光面以外を被覆する。さらに、絶縁体層7は、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5、および、透明電極膜2と負極コンタクト部5、のそれぞれの間に形成し、電気的絶縁を保ち、短絡を防止する。
 絶縁体層7は、感光性を有する材料であるフォトレジストで形成されてもよく、SiNxやSiOxなどの無機膜の材料で、真空蒸着法やCVD法により成膜し、シャドーマスクやフォトエッチングによりパターニング、形成されてもよい。
 続いて、図1Eにあるように、図1Dで絶縁体層7を形成した透明電極膜2上に、有機発光層8を形成する。有機発光層8を介して直接に、透明電極膜2と負極コンタクト部5とが電気的に接続されることがないように、有機発光層8を形成する。このとき、有機発光層8は、透明電極膜2の外周を被うように形成された所定の幅を有する絶縁体層7の上に一部、例えば周状に一部を重ねて形成することができる。絶縁体層7がマスクの役割を果たすので、アライメント精度の高いシャドーマスクの必要がなくなり、工程を容易にすることができる。図2および図3に示すように、幅を有する絶縁体層7の上に有機発光層8を形成すればよく、高い精度での位置調整が不要なことが分かる。
 図3Bは、有機EL発光装置の構成断面図であり、図3Aに示す有機EL発光装置の構成断面図の、バリエーションを示している。図3Aでは、有機EL発光装置100は、絶縁体層7が正極コンタクト部4の一部を覆うようにして形成されているが、図3Bに示すように、正極コンタクト部4と絶縁体層7は隣接して形成されてもよい。なお、図3Bの右側に示すように、正極コンタクト部4と絶縁体層7の間に隙間が形成されてもかまわない。
 図1Fにおいて、有機発光層8の上に負電極膜9を形成し、有機EL発光装置100の製造工程を終えることができる。負電極膜9は、図2に示すように、負極コンタクト部5の一部を被うようにして、負極コンタクト部5を介して有機EL発光装置100の外部に接続された電源と電気的に接続するように形成する。また、負電極膜9は、直接正極コンタクト部4と接することがないように、更に、直接正極コンタクト部4と電気的にも接続されないように形成する。このとき、負電極膜9は、透明電極膜2の外周を被うように形成された所定の幅を有する絶縁体層7の上に一部、例えば周状に一部を重ねて形成することができる。絶縁体層7がマスクの役割を果たすので、アライメント精度の高いシャドーマスクの必要がなくなり、工程を容易にすることができる。図3に示すように、幅を有する絶縁体層7の上に負電極膜9を形成すればよく、高い精度での位置調整が不要なことが分かる。
 以上説明したように、本発明の実施の形態1に係る有機EL発光装置によれば工程が容易であり、かつ、開口率の増高が可能である。詳しくは、保護層および絶縁体層により、正極と負極とが確実に絶縁されるので、工程が容易であり、かつ、正極コンタクト部および負極コンタクト部を狭額縁化できるため、開口率の増高が可能である。
 実施の形態1の製造方法を用いることで、ITOなどの透明電極膜の形状を簡便にでき、また、高度なアライメント精度を不要としながらも短絡を防止することができ、全体の工程数を減らすことも可能となる。
 特に、本実施の形態では、透明電極膜を発光形状に形成することなく、保護膜などで透明電極膜を被覆することで、有機EL発光装置の所定の発光形状とすることができる。従って、透明電極膜にフォトエッチングなどによりパターニングを施す必要がなく、透明電極膜の表面の凹凸や荒れが生じない。その結果、工程が簡易になるだけでなく、短絡が発生せず不良率の低減につながる。
 また、正極コンタクト部と負極コンタクト部を異なる層で形成することで、接触による短絡のおそれがない。また、正極である透明電極膜と正極コンタクト部、負電極膜と負極コンタクト部のそれぞれの接続を確実にでき、また、任意の形状で形成した各電極部と接続することで、開口部の大きな有機EL発光装置の形成を可能とする。さらに、有機EL発光装置の設計で狭額縁化を図ることができ、全光束が向上し省電力化が可能となる。
 (実施の形態2)
 図4A-4Fは、本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。図5は、実施の形態2に係る有機EL発光装置の構成断面図である。図5Aおよび5Bは、図4FのY2-Y2線での断面を示す。図5Cは、図4FのX2-X2線での断面部分を示す。
 実施の形態2に係る有機EL発光装置101では、正極コンタクト部4を周囲に設け、四方向から電力の供給を行っている。しかし、基板上の、透明電極膜2以外の層の範囲を包摂する範囲の全体に、透明電極膜2がすき間なく形成されていること、および、正極コンタクト部4と負極コンタクト部51が異層で形成されること、は実施の形態1に係る有機EL発光装置100と同様である。
 具体的には、実施の形態2に係る有機EL発光装置101は、有機EL素子への電力供給部を兼ねる正極コンタクト部4を保護層(絶縁体層7)で被い、その上に有機EL素子への電力供給部を兼ねる負極コンタクト部5および負極コンタクト兼負電極取出部51(以下、負電極取出部51と記載する)を積層して形成する。実施の形態2では、実施の形態1の保護層3と絶縁体層7を一体に、同じ材料で同時に(同じプロセスで)形成することができる。図4C乃至4Fでは、絶縁体層7は保護層3を含むように記載している。言い換えれば、実施の形態2では、絶縁体層7が実施の形態1における保護層3の機能(透明電極膜および正極コンタクト部と、負極コンタクト部と、を離隔し電気的に絶縁)を有している。
 有機EL発光装置101は、基板1、透明電極膜(正電極膜)2、正極コンタクト部4、正極コンタクトホール兼正電極取出部41(以下、正極コンタクトホール部41と記載する)、負電極取出部51、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9を備える。
 有機EL発光装置101の製造方法については、まず、図4Aに示すように、基板1上に透明電極膜2を、基板1のほぼ全面に一様に形成する。透明電極膜2の周辺に環状に正極コンタクト部4を形成し、また、透明電極膜2の上に補助電極6を形成する(図4B参照)。
 次に、正極コンタクト部4および補助電極6を被うようにして絶縁体層7を形成する。同時に、絶縁体層7は、有機EL発光装置101の発光形状に合わせて、発光部を開口して形成する。図4Cに示す絶縁体層7の開口で透明電極膜2が露出する部分が発光部になる。また同時に、正極コンタクト部4上において、正極コンタクトホール部41を形成する場所は絶縁体層7で被覆しないようにし、正極コンタクトホール部41を形成する(図4C参照)。この工程は、絶縁体層7をパターニングするプロセスと同時にできるので、プロセス工程数が増えずに済む。
 その後、図4Dに示すように、透明電極膜2の正極コンタクト部4、補助電極6および絶縁体層7で被覆されていない部分全体を覆うように有機発光層8を形成する。さらに図4Eに示すように、有機発光層8を覆って負電極膜9を形成する。そして、負電極膜9に少なくとも一部を接して、電気的に接続する負電極取出部51を形成し、有機EL発光装置101の製造を終える(図4F参照)。図4Fに示すように、負電極膜9の周縁で接して、負電極膜9の周囲のほぼ全体を取り巻くように、負電極取出部51を形成する。このようにすると、負電極膜9に4辺から均等に給電できるので、有機発光層8の発光の輝度むらが小さくなる。
 図4Dおよび図4Eにおいて、所定の幅を有する絶縁体層7の上に一部、例えば周状に一部を重ねて、有機発光層8および負電極膜9を形成することができる。その結果、アライメント精度の高いシャドーマスクの必要がなくなり、工程を容易にすることができる。
 図5Aおよび5Cは、有機発光層8が正極コンタクト部4と負電極膜9の間に介在しない場合を示す。図5Bは、有機発光層8が絶縁体層7の開口からさらに正極コンタクト部4の位置まではみ出している場合の断面を示す。図5A乃至5Cに示すように、正極コンタクト部4と負電極膜9および負電極取出部51とが異なる層で形成されるので、負電極膜9および負電極取出部51を絶縁体層7の縁ぎりぎりまで形成することができる。
 図6は、実施の形態2に係る有機EL発光装置の異なる構成を示す構成平面図である。図6は、負電極取出部51を正極コンタクトホール部41と隣り合う角に設けている。負電極取出部51は、負電極膜9と少なくとも一部を接していれば、任意の位置に設定することができる。
 図7A及び7Bは、実施の形態2に係る有機EL発光装置の異なる構成の構成断面図であり、図6のY3-Y3線での断面を示す。図7A及び7Bに示すように、正極コンタクト部4と負電極膜9および負電極取出部51とが異なる層で形成されるので、負電極膜9および負電極取出部51を絶縁体層7の縁ぎりぎりまで形成することができる。また、図4乃至図7からわかるように、正極コンタクトホール部41が負電極膜9または負電極取出部51と重ならない限り、正極コンタクトホール部41と負電極取出部51を自由に配置できる。
 以上説明したように、本発明の実施の形態2に係る有機EL発光装置によれば、工程が容易であり、かつ、開口率の増高が可能である。
 実施の形態2の製造方法を用いることで、ITOなどの透明電極膜の形状を簡便にでき、また、高度なアライメント精度を不要としながらも短絡を防止することができ、全体の工程数を減らすことも可能となる。また、正極コンタクト部を四方を囲むように形成することができ、面内輝度ばらつきを低減することができる。
 (実施の形態3)
 図8A-8Fは、本発明の実施の形態3に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。図9A及び9Bは、実施の形態3に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図8FのX4-X4線での断面を示す。図10は、実施の形態3に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図8FのY4-Y4線での断面を示す。
 実施の形態3に係る有機EL発光装置102では、正極コンタクト部4の上に保護層3を挟んで負極コンタクト部5を形成する。しかし、基板上の、透明電極膜2以外の層が形成される範囲を包摂する範囲の全体に、透明電極膜2がすき間なく形成されていること、および、正極コンタクト部4と負極コンタクト部5が異層で形成されること、は実施の形態1に係る有機EL発光装置100と同様である。
 有機EL発光装置102は、基板1、透明電極膜(正電極膜)2、正極コンタクト部4、正極コンタクトホール部41、負極コンタクト部5、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9を備える。
 実施の形態3に係る有機EL発光装置102の製造方法について図8を用いて説明する。まず、図8Aにあるように、基板1上に透明電極膜2を、基板1のほぼ全面に一様に形成する。
 次に、透明電極膜2の周辺を囲むように、例えば環状に正極コンタクト部4を形成し、また、透明電極膜2の上に補助電極6を形成する。正極コンタクト部4と補助電極6は同時に形成してもよい(図8B参照)。そして、正極コンタクト部4の一部を除いて、正極コンタクト部4を覆うようにして、例えば環状に保護層3を形成する。この際、保護層3に囲まれた内部(保護層3の開口の内部)が、有機EL発光装置102の発光形状(発光部)となる。ここで、本実施の形態では、保護層3は発光部を開口して形成されており、実施の形態1の絶縁体層7の機能を有している。また、絶縁体層7は、補助電極6を被覆する(図8C参照)ように格子状に形成される。このとき、正極コンタクト部4の一部を除いて保護層3を形成し、正極コンタクト部4から電力供給するための電極取出部を確保しておく。なお、保護層3と絶縁体層7は、ここでは明確な区別はなく、同じ材料であってもよく、同時に形成してもよい。同時に形成することで、工程数が増えることなく、製造工程を少なくできる。
 図8Dに示すように、保護層3および/または絶縁体層7の上に、負極コンタクト部5を形成する。このとき、正極コンタクト部4が剥き出しになっている箇所を除いて、透明電極膜2の周辺を囲むように負極コンタクト部5を形成することで、以下で設ける負電極膜9と負極コンタクト部5の接触をほぼ四方から行うことができ、面内輝度ばらつきを低減することができる。
 その後、図8Eのように正極コンタクト部4を避けて、有機発光層8を形成し、図8Fのように正極コンタクト部4を避けて、負電極膜9を形成し、有機EL発光装置102の製造を終える。
 図8Eおよび図8Fにおいて、所定の幅を有する保護層3および/または絶縁体層7の上に一部を重ねて、有機発光層8および負電極膜9を形成することができる。その結果、アライメント精度の高いシャドーマスクの必要がなくなり、工程を容易にすることができる。
 図9Aおよび9Cは、有機発光層8が正極コンタクト部4と負電極膜9の間に介在しない場合を示す。図9Bは、有機発光層8が絶縁体層7の開口部からさらに正極コンタクト部4の位置まではみ出している場合の断面を示す。図9A乃至9Cに示すように、正極コンタクト部4と負電極膜9および負電極取出部51とが異なる層で形成されるので、負電極膜9および負電極取出部51を絶縁体層7の縁ぎりぎりまで形成することができる。その結果、発光形状の開口率を大きくできる。
 図11A-11Fは、本発明の実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。図12は、実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置の構成断面図であり、図11FのY5-Y5線での断面を示す。
 本発明の実施の形態3の変形例では、実施の形態3に係る有機EL発光装置102と基本的な構造は同じであるが、絶縁膜などの一部に穴を形成した正極コンタクトホール部41を備え、その正極コンタクトホール部41を介して、電力供給を行う。
 実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置103の製造方法について図11を用いて説明する。まず、図11Aにあるように、基板1上に透明電極膜2を、基板1のほぼ全面に一様に形成する。
 次に、透明電極膜2の最外周部を避けて、最外周部の内側を最外周部に沿い、ほぼ周部を囲うようにして、環状に正極コンタクト部4を形成する。また、透明電極膜2の上に補助電極6を形成する。正極コンタクト部4と補助電極6は同時に形成してもよい(図11B参照)。
 そして、透明電極膜2の最外周部と、最外周部の内側に位置する正極コンタクト部4を含む周辺部の上に、一部分(正極コンタクトホール部41を形成するための穴となる箇所)を除き、透明電極膜2と正極コンタクト部4を含む周辺部を被覆するようにして保護層3を形成する。この際、保護層3に囲まれた内部(保護層3の開口の内部)が、有機EL発光装置102の発光形状(発光部)となる。ここで、本実施の形態では、保護層3は発光部を開口して形成されており、実施の形態1の絶縁体層7の機能を有している。また、絶縁体層7は、補助電極6を被覆する(図11C参照)。
 このとき、正極コンタクト部4を覆う箇所の上に穴を設けて、保護層3を形成する。この穴が正極コンタクトホール部41となり、正極コンタクト部4を介して電力供給するための電極取出部として機能する(図12参照)。なお、保護層3と絶縁体層7は、ここでは明確な区別はなく、同じ材料であってもよく、同時に形成してもよい。
 図11Dに示すように、透明電極膜2の外周部に沿って、保護層3の上に、負極コンタクト部5を形成する。保護層3の下に正極コンタクト部4が形成されていない箇所を設けておくことで、基板1上に、透明電極膜2、保護層3、負極コンタクト部5の順で形成することができ、全体の厚みを小さくすることができる。なお、負極コンタクト部5と正極コンタクト部4は、保護層3で確実に電気的に絶縁することができる(図12参照)。
 その後、図11Eのように正極コンタクトホール部41を避けて、有機発光層8を形成し、図11Fのように正極コンタクトホール部41を避けて、負電極膜9を形成し(図12参照)、有機EL発光装置103の製造を終える。
 図11Eおよび図11Fにおいて、所定の幅を有する保護層3および/または絶縁体層7の上に一部を重ねて、有機発光層8および負電極膜9を形成することができる。その結果、アライメント精度の高いシャドーマスクの必要がなくなり、工程を容易にすることができる。図12からわかるように、正極コンタクト部4と補助電極6は、保護層3または絶縁体層7に覆われて、負電極膜9および負電極取出層51との間が絶縁されているので、有機発光層8の端部が正極コンタクト部4の上に位置しても、負電極膜9と正極コンタクト部4が短絡することはない。
 以上説明したように、本発明の実施の形態3および実施の形態3の変形例に係る有機EL発光装置によれば、工程が容易であり、かつ、開口率の増高が可能である。
 実施の形態3の製造方法を用いることで、ITOなどの透明電極膜の形状を簡便にでき、また、高度なアライメント精度を不要としながらも短絡を防止することができ、全体の工程数を減らすことも可能となる。また、正極コンタクト部を四方を囲むように形成することができ、面内輝度ばらつきを低減することができる。
 また、正極である透明電極膜と正極コンタクト部、負電極膜と負極コンタクト部のそれぞれの接続を確実にでき、さらに、有機EL発光装置の外周部で確実に電源と接続することができる。その結果、より、有機ELの形状に影響なく接続でき、開口部の大きな有機EL発光装置の形成を可能とする。また、電源の供給が安定した有機EL発光装置を実現することができる。さらに、実施の形態3の変形例のように、正極コンタクト部と負極コンタクト部を上下に重ねないように形成することで、厚みを抑えた有機EL発光装置の形成も可能となる。
 (実施の形態4)
 図13A-13Gは、本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。実施の形態4に係る有機EL発光装置では、正極コンタクト部の外周に負極コンタクト部を形成する。しかし、基板上の、透明電極膜以外の層の範囲を包摂する範囲の全体に、透明電極膜がすき間なく形成されていること、および、正極コンタクト部と負極コンタクト部が異層で形成されること、は実施の形態1に係る有機EL発光装置と同様である。
 具体的には、実施の形態4に係る有機EL発光装置104は、正極コンタクト部4の外周に負極コンタクト部5を備える。また、負極コンタクト部5は一部が途切れる様な形状であり、その間隙の部分に、正極コンタクト部4を介して外部を接続するための正極コンタクトホール部41を備える。
 有機EL発光装置104は、基板1、透明電極膜(正電極膜)2、保護層3、正極コンタクト部4、正極コンタクトホール部41、負極コンタクト部5、補助電極6、絶縁体層7、有機発光層8、および負電極膜9を備える。
 実施の形態4に係る有機EL発光装置104の製造方法については、まず、図13Aにあるように、基板1上に透明電極膜2を、基板1上に、基板1のほぼ全面に一様に形成する。そして、透明電極膜2の中央部分を避けた外周部分の透明電極膜2上に、保護膜31を環状に形成する(図13B参照)。そして、その保護膜31で被われていない内側部分に面する透明電極膜2の内周囲に接して、正極コンタクト部4を形成する。また、正極コンタクト部と接続する正極コンタクトホール部41を形成し、透明電極膜2の上に補助電極6を形成する(図13C参照)。
 そして、正極コンタクト部4および正極コンタクトホール部41を避け、基板1の外周、すなわち保護層31の上に、さらに保護層3を形成する。また、絶縁体層7を有機EL発光装置104の発光形状に合わせた開口を備えるように形成する。この開口の内側の領域が有機EL発光装置100の発光部(発光領域)である。絶縁体層7の一部は、この開口の内側で更に補助電極6を覆うように格子状に形成されている(図13D参照)。なお、保護層3と絶縁体層7は同じ材料で形成でき、また、同時に形成することができる。図13Bで保護層31を形成する際に、透明電極膜2の発光形状に合わせて保護層31で被覆しておき、図13Dでの絶縁体層7で透明電極膜2の発光面以外を被覆する工程を省略してもよい。
 図13Eは、形成した保護層3の上に、負極コンタクト部5を形成したものである。このとき、負極コンタクト部5は保護層3の上にあり、正極コンタクト部4と異層で形成される。図11Fのように、正極コンタクトホール部41が、負極コンタクト部5に囲まれる形状としてもよい。
 その後、図13Fのように有機発光層8を形成し、図13Gのように負電極膜9を形成し、有機EL発光装置104の製造を終える。
 図13Fおよび図13Gにおいて、所定の幅を有する絶縁体層7の上に一部を重ねて、有機発光層8および負電極膜9を形成することができる。その結果、アライメント精度の高いシャドーマスクの必要がなくなり、工程を容易にすることができる。
 図14A-14Cは、本発明の実施の形態4の変形例に係る有機EL発光装置の製造工程の一例を示す構成平面図である。図14Aに示すように、基板1上に形成する透明電極膜(正電極膜)21を、予め基板1の外周を避けて形成することができれば、図13Aおよび図13Bの工程を終えた状態とほぼ同じ状態となる。
 次に、図14Bに示すように、基板1上に直接に、透明電極膜21の周囲に接して、正極コンタクト部4を形成する。そして、図14Cに示すように、正極コンタクト部4および正極コンタクトホール部41を避けて、保護層3を形成する。また、補助電極6を被うようにして絶縁体層7を形成する。また同時に、絶縁体層7は、有機EL発光装置104の発光形状に合わせて、発光部を開口して形成する。
 図14Cの工程は、図13Dの工程とほぼ同じであり、保護層31上に保護層3を形成するかわりに、基板1上に保護層3を形成している。図14C以降の工程は図13D以降の工程と同じである。図14の、本発明の実施の形態4の変形例のように、予め外周部を避けて基板1上に透明電極膜21を形成した場合は、製造工程の一部を省略することができる。
 図15A及び15Bは、実施の形態4に係る有機EL発光装置の形状の一例である。図中の点線は、発光形状を示す。特に、実施の形態4に係る有機EL発光装置の製造方法で製造する場合において、有機EL発光装置の形状の自由度を高くできる。
 図15Aはハート型の有機EL発光装置の例であり、図15Bは星型の有機EL発光装置の例である。有機EL発光装置は、負極コンタクトで囲われた周囲のいずれか一部分に、絶縁膜で覆われており負極コンタクトと絶縁された正極コンタクトを備える。図15に示すように、発光面が曲線を有していたり、多辺であったり、など矩形の形状でなく比較的複雑な形状であっても、有機EL発光装置を製造することができる。
 以上説明したように、本発明の実施の形態4に係る有機EL発光装置によれば、工程が容易であり、かつ、開口率の増高が可能である。
 実施の形態4の製造方法を用いることで、ITOなどの透明電極膜の形状を簡便にでき、また、高度なアライメント精度を不要としながらも短絡を防止することができ、全体の工程数を減らすことも可能となる。また、正極コンタクト部を四方を囲むように形成することができ、面内輝度ばらつきを低減することができる。
 また、面発光素子を任意の形状で形成することができ、デザイン性の高い有機EL発光装置を実現することができる。また、面発光素子を任意の形状にできることで、照明装置として用いるときの部品数を削減したり、発光に不要な部分の発光素子が不要になり、結果として低コストや省エネルギーにつながる。
 さらに、有機EL発光装置の形状に関係なく、レジストを用いて発光面以外を被覆して発光面の発光形状を形成することで、ITOなどの透明電極膜が欠陥するおそれがなく不良率を低減し、かつ、簡易に製造することができる。加えて、電極取り出し部として作用する縁部分の面積を小さくでき、より開口率の高い照明装置を可能とする。
 なお、関連する技術において、負極側電極取り出し部(負極コンタクト部)はITOで形成しており、Alで形成された負電極との接触は、Al-ITOとなり、ショットキーコンタクト性が高くなり、オーミックコンタクトが得られないという問題が生じていた。加えて、ITO中の酸素がAlに引き抜かれてコンタクト抵抗が上がるなど電極部の信頼性の低下も生じていた。さらに、正極および負極の電極取り出し部(電極コンタクト部)がITOであるために配線抵抗が高く、かつ、電源配線との接触抵抗が大きく、したがって駆動電圧が上昇し、電力も大きくなるという問題が生じていた。
 しかしながら、本実施の形態の有機EL発光装置においては、電極コンタクト部を金属で形成しているので、関連する技術のITO取り出しと比して信頼性が高く、接触抵抗および配線抵抗を低減できる。また、駆動電圧の上昇度合いが低減し、省電力化が可能となる。
 加えて、有機EL素子に用いる陽極である透明電極層や陰極層は、比抵抗が高かったり、また金属であっても薄膜であるためシート抵抗が高かったり、などの理由で配線抵抗が高くなる。また、給電端子部(辺)の有り無し、給電端部からの距離により配線抵抗が高くなる。さらに、電圧降下により輝度ムラが発生するという問題が生じていた。しかし、本実施の形態の有機EL発光装置においては、陽極および/または陰極側の4辺全てからの入力が可能となり、配線抵抗極小化が図れ、輝度ムラの改善とその結果、省電力にも繋がる。
 また、本発明の有機EL発光装置の製造方法によれば、ITO等の透明電極のパターニングが不要となりITO成膜はベタ膜でよくなる。これにより、ITO表面や端部のエッチング荒れもなく、ITOのパターニングに伴うフォトエッチングおよび/またはフォトリソグラフィプロセスを無くすことができる。
 さらに、量産時の大型基板における多面取りにおいても効果を得ることができ、本発明の有機EL発光装置を用いることで、信頼性面、コスト面での効果が非常に大きく得られる。
 (実施例1)
 実施形態1に対応した構造を有する有機EL発光装置を作製した。有機EL発光装置の発光エリアは100mm×100mmとし、白色に発光させた。透明電極膜として、膜厚110nmのITOを用いた。本実施例では有機層(有機発光層)は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層(第1の発光層と第2の発光層)、正孔ブロック層及び電子輸送層をこの順に積層させた6層構造とした。
 また、正孔注入層は、正孔注入材料としてCu-Pc (銅フタロシアニン)を用いて形成した。正孔輸送層は、正孔輸送材料としてα-NPD (N,N’-ジフェニル-N-N-ビス(1-ナフチル)-1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン)を用いて形成した。第1の発光層は、CBP (4,4’-ビスカルバゾリルビフェニル)をホストとし、Ir(ppy) (トリス-(2フェリニルピリジン)イリジウム錯体)と、BtpIr(acac) (ビス(2-(2’-ベンゾ(4,5- α)チエニル)ピリジネート-N,C2’)(アセチルアセトネート)イリジウム錯体)とをドーピングしたものを用いた。更に第2の発光層は、CBPをホストとして、FIr(pic) ((ビス(4,6-ジ-フルオロフェニル)-ピリジネート-N,C2’)ピコリネートイリジウム錯体)をドーピングしたものを用いた。正孔ブロック層としてBCP (2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)を用い、電子輸送層としてAlqを用いた。
有機層と負電極膜との間にはLiFを用いた電子注入層を形成し、有機層と電子注入層とを合わせた膜厚は145nmとした。また、負電極膜として膜厚100nmのAlを用いた。
 本実施例の有機EL発光装置の駆動電流を25A/m2の定電流として点灯させたところ、駆動電圧は4.7V、輝度は920cd/m2であった。また、有機EL照明パネルの面内の輝度ムラは、面内9点の輝度を測定し、(最大輝度と最小輝度の差)/最大輝度を算出したところ、4%であった。
 この有機EL発光装置を、上記電流密度で連続点灯させたところ、ショート等の不具合は発生せず、10000時間を越えた後も安定して点灯を続けることができた。
 なお、本発明は上述した実施の形態に限定されることはなく、本発明の範囲内で種々の実施の形態が可能である。
 上述した各実施の形態では、補助電極を有する構成を例に挙げて説明したが、これに限られず、補助電極を形成しないことも可能であるし、補助電極の形状は格子状には限られない。
 上記の実施の形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
 (付記1)
 透明な基板と、
 前記基板上に形成された透明電極膜と、
 前記透明電極膜の一部に、該透明電極膜と電気的に接続する正極コンタクト部と、
 前記透明電極膜上に発光部を開口して形成された絶縁体層と、
 前記透明電極膜上および前記絶縁体層上に形成された有機発光層と、
 前記有機発光層上に形成された負極層と、
 前記負極層に少なくとも一部を接し、該負極層と電気的に接続する負極コンタクト部と、
 前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部と、を離隔し電気的に絶縁させるために間に形成された保護層と、
 を備え、
 前記正極コンタクト部と前記負極コンタクト部とは、前記絶縁体層または前記保護層で電気的に絶縁され、
 前記透明電極膜は、前記基板上の、前記正極コンタクト部、前記絶縁体層、前記有機発光層、前記負極層、前記負極コンタクト部および前記保護層が形成される範囲を包摂する範囲の全体にすき間なく形成されている
 ことを特徴とする有機EL発光装置。
 (付記2)
 前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部は、基板からの高さが異なって形成されることを特徴とする付記1に記載の有機EL発光装置。
 (付記3)
 前記透明電極膜上に形成された補助電極と、
 前記補助電極上に形成された絶縁体層と、
 を備えることを特徴とする付記1または2に記載の有機EL発光装置。
 (付記4)
 前記透明電極膜は、パターニングせずに前記基板上に一様に形成されることを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の有機EL発光装置。
 (付記5)
 透明な基板上に透明電極膜を形成する工程と、
 前記透明電極膜の一部に、該透明電極膜と電気的に接続する正極コンタクト部を形成する工程と、
 前記透明電極膜の上方の一部に、前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と離隔して、負極コンタクト部を形成する工程と、
 前記透明電極膜上に発光部を開口して絶縁体層を形成する工程と、
 前記透明電極膜上および前記絶縁体層上に有機発光層を形成する工程と、
 前記有機発光層上に、前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と離隔して、前記負極コンタクト部と電気的に接続する負極層を形成する工程と、
 を備え、
 前記負極コンタクト部を形成する工程の前に、
 前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部との間に、該透明電極膜および正極コンタクト部と、該負極コンタクト部とを電気的に絶縁させるために保護層を形成する工程
 を備えることを特徴とす有機EL発光装置の製造方法。
 (付記6)
 前記正極コンタクト部を形成する工程の前に、
 前記透明電極膜上に前記保護層を形成する工程を備え、
 前記保護層上に前記負極コンタクト部を形成する
 ことを特徴とする付記5に記載の有機EL発光装置の製造方法。
 (付記7)
 前記負極コンタクト部を形成する工程は、前記正極コンタクト部を形成する箇所の基板からの高さと異なる高さに、該負極コンタクト部を形成することを特徴とする付記5または6に記載の有機EL発光装置の製造方法。
 (付記8)
 前記透明電極膜上に補助電極を形成する工程と、
 前記補助電極上に前記絶縁体層を形成する工程と、
 を備えることを特徴とする付記5乃至7のいずれかに記載の有機EL発光装置の製造方法。
 (付記9)
 前記補助電極を形成する工程は、前記正極コンタクト部を形成する工程と同時に行うことを特徴とする付記8に記載の有機EL発光装置の製造方法。
 (付記10)
 前記透明電極膜を形成する工程は、パターニング不要で前記基板上に一様に形成することを特徴とする付記5乃至9のいずれかに記載の有機EL発光装置の製造方法。
 (付記11)
 付記1乃至4のいずれかに記載の有機EL発光装置を備えることを特徴とする有機EL照明装置。
 (付記12)
 付記5乃至10のいずれかに記載の有機EL発光装置の製造方法で製造した有機EL発光装置を備えることを特徴とする有機EL照明装置。
 本願は、2011年3月29日に日本国で出願された日本国特許出願第2011-073273号を基礎として優先権を主張するものであり、本明細書中には、日本国特許出願第2011-073273号の明細書、特許請求の範囲、及び図面を参照として取り込むものとする。
 本発明は、有機EL発光装置、有機EL発光装置の製造方法及び有機EL照明装置に適用できる。
 1 基板
 2、21 透明電極膜(正電極膜)
 3、31 保護層
 4 正極コンタクト部(正極コンタクト兼給電部)
 5 負極コンタクト部(負極コンタクト兼給電部)
 6 補助電極
 7 絶縁体層
 8 有機発光層
 9 負電極膜
 41 正極コンタクトホール部(正極コンタクトホール兼正電極取出部)
 51 負電極取出部(負極コンタクト兼負電極取出部)
 100、101、102、103、104 有機EL発光装置

Claims (12)

  1.  透明な基板と、
     前記基板上に形成された透明電極膜と、
     前記透明電極膜の一部に、該透明電極膜と電気的に接続する正極コンタクト部と、
     前記透明電極膜上に発光部を開口して形成された絶縁体層と、
     前記透明電極膜上および前記絶縁体層上に形成された有機発光層と、
     前記有機発光層上に形成された負極層と、
     前記負極層に少なくとも一部を接し、該負極層と電気的に接続する負極コンタクト部と、
     前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部と、を離隔し電気的に絶縁させるために間に形成された保護層と、
     を備え、
     前記正極コンタクト部と前記負極コンタクト部とは、前記絶縁体層または前記保護層で電気的に絶縁され、
     前記透明電極膜は、前記基板上の、前記正極コンタクト部、前記絶縁体層、前記有機発光層、前記負極層、前記負極コンタクト部および前記保護層が形成される範囲を包摂する範囲の全体にすき間なく形成されている
     ことを特徴とする有機EL発光装置。
  2.  前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部とは、基板からの高さが異なって形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL発光装置。
  3.  前記透明電極膜上に形成された補助電極と、
     前記補助電極上に形成された絶縁体層と、
     を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL発光装置。
  4.  前記透明電極膜は、パターニングせずに前記基板上に一様に形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。
  5.  透明な基板上に透明電極膜を形成する工程と、
     前記透明電極膜の一部に、該透明電極膜と電気的に接続する正極コンタクト部を形成する工程と、
     前記透明電極膜の上方の一部に、前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と離隔して、負極コンタクト部を形成する工程と、
     前記透明電極膜上に発光部を開口して絶縁体層を形成する工程と、
     前記透明電極膜上および前記絶縁体層上に有機発光層を形成する工程と、
     前記有機発光層上に、前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と離隔して、前記負極コンタクト部と電気的に接続する負極層を形成する工程と、
     を備え、
     前記負極コンタクト部を形成する工程の前に、
     前記透明電極膜および前記正極コンタクト部と、前記負極コンタクト部との間に、該透明電極膜および正極コンタクト部と、該負極コンタクト部とを電気的に絶縁させるために保護層を形成する工程
     を備えることを特徴とする有機EL発光装置の製造方法。
  6.  前記正極コンタクト部を形成する工程の前に、
     前記透明電極膜上に前記保護層を形成する工程を備え、
     前記保護層上に前記負極コンタクト部を形成する
     ことを特徴とする請求項5に記載の有機EL発光装置の製造方法。
  7.  前記負極コンタクト部を形成する工程は、前記正極コンタクト部を形成する箇所の基板からの高さと異なる高さに、該負極コンタクト部を形成することを特徴とする請求項5または6に記載の有機EL発光装置の製造方法。
  8.  前記透明電極膜上に補助電極を形成する工程と、
     前記補助電極上に前記絶縁体層を形成する工程と、
     を備えることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の有機EL発光装置の製造方法。
  9.  前記補助電極を形成する工程は、前記正極コンタクト部を形成する工程と同時に行うことを特徴とする請求項8に記載の有機EL発光装置の製造方法。
  10.  前記透明電極膜を形成する工程は、パターニング不要で前記基板上に一様に形成することを特徴とする請求項5乃至9のいずれか1項に記載の有機EL発光装置の製造方法。
  11.  請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機EL発光装置を備えることを特徴とする有機EL照明装置。
  12.  請求項5乃至10のいずれか1項に記載の有機EL発光装置の製造方法で製造した有機EL発光装置を備えることを特徴とする有機EL照明装置。
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